JPH09310033A - ゾル溶液及び膜形成方法 - Google Patents
ゾル溶液及び膜形成方法Info
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- JPH09310033A JPH09310033A JP8150485A JP15048596A JPH09310033A JP H09310033 A JPH09310033 A JP H09310033A JP 8150485 A JP8150485 A JP 8150485A JP 15048596 A JP15048596 A JP 15048596A JP H09310033 A JPH09310033 A JP H09310033A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学的手法により簡便かつ低温度での安定製
膜が可能であり、膜強度、密着性、透明性等の膜特性を
有する保護膜等の形成が可能なゾル溶液を提供するこ
と。 【解決手段】 酢酸マグネシウム4水和物の一部脱水物
及び/又は完全脱水物が水を主体とする媒体中にコロイ
ド粒子として分散してなることを特徴とするゾル溶液。
膜が可能であり、膜強度、密着性、透明性等の膜特性を
有する保護膜等の形成が可能なゾル溶液を提供するこ
と。 【解決手段】 酢酸マグネシウム4水和物の一部脱水物
及び/又は完全脱水物が水を主体とする媒体中にコロイ
ド粒子として分散してなることを特徴とするゾル溶液。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ゾル溶液及び膜形
成方法に関し、更に詳しくは、基体上に塗布し、製膜す
ることで光学部品、電子・電気部品、磁性材料部品等の
基体との密着性、緻密性、保護性等に優れた機能性膜の
形成に有用であるゾル溶液及び該ゾル溶液を用いる膜の
形成方法に関する。
成方法に関し、更に詳しくは、基体上に塗布し、製膜す
ることで光学部品、電子・電気部品、磁性材料部品等の
基体との密着性、緻密性、保護性等に優れた機能性膜の
形成に有用であるゾル溶液及び該ゾル溶液を用いる膜の
形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光学部品、電子・電気部品、磁性
材料部品等は、各種の機能性を有する層が基体上に形成
されており、又、これらの層を保護するために必要に応
じてその表面に保護膜が設けられている。このような保
護膜に要求される性能としては、一般的には、膜強度が
大きく、上記の機能性層との密着性が大きいことであ
る。
材料部品等は、各種の機能性を有する層が基体上に形成
されており、又、これらの層を保護するために必要に応
じてその表面に保護膜が設けられている。このような保
護膜に要求される性能としては、一般的には、膜強度が
大きく、上記の機能性層との密着性が大きいことであ
る。
【0003】近年、CRTに代わるフラットパネルディ
スプレイの研究が活発に行われている。その中で、放電
に伴う発光現象をディスプレイに利用する、いわゆるプ
ラズマディスプレイ(以下PDPと略す)は、電極(主
としてITO)の構造から、放電空間に金属電極が露出
している直流型と、金属電極が誘電体層で覆われている
交流型とに大別される。特に、薄型且つ大画面のカラー
テレビに用いる場合には、メモリ機能を有しているので
大型化に対応可能な交流型が好適である。この交流型P
DPは、電極の配向構造から、面放電方式と対向電極方
式とに分けられるが、いずれの方式においても、前記誘
電体層表面には主として酸化マグネシウムからなる保護
膜が形成されている。
スプレイの研究が活発に行われている。その中で、放電
に伴う発光現象をディスプレイに利用する、いわゆるプ
ラズマディスプレイ(以下PDPと略す)は、電極(主
としてITO)の構造から、放電空間に金属電極が露出
している直流型と、金属電極が誘電体層で覆われている
交流型とに大別される。特に、薄型且つ大画面のカラー
テレビに用いる場合には、メモリ機能を有しているので
大型化に対応可能な交流型が好適である。この交流型P
DPは、電極の配向構造から、面放電方式と対向電極方
式とに分けられるが、いずれの方式においても、前記誘
電体層表面には主として酸化マグネシウムからなる保護
膜が形成されている。
【0004】この保護膜を形成する方法には、薄膜法と
してはEB蒸着法、スパッタ法、CVD法等があり、厚
膜法としては酸化マグネシウムの前駆体である塩基性炭
酸マグネシウムの微粉末の分散液を基体上にスプレーコ
ート法によって塗布して厚膜を形成した後、焼成して酸
化マグネシウム膜とする方法がある(例えば、特公昭6
0−42579号公報、特公昭63−59221号公
報、特公昭57−13983号公報等参照)。
してはEB蒸着法、スパッタ法、CVD法等があり、厚
膜法としては酸化マグネシウムの前駆体である塩基性炭
酸マグネシウムの微粉末の分散液を基体上にスプレーコ
ート法によって塗布して厚膜を形成した後、焼成して酸
化マグネシウム膜とする方法がある(例えば、特公昭6
0−42579号公報、特公昭63−59221号公
報、特公昭57−13983号公報等参照)。
【0005】上記の各方法のうち、EB蒸着法、スパッ
タ法やCVD法等の真空プロセスを用いる方法は、PD
Pのような大きなパネル基体を真空チャンバー内に収納
することは非常に困難であり、大画面化を想定した場
合、設備費や生産性の点で問題があった。
タ法やCVD法等の真空プロセスを用いる方法は、PD
Pのような大きなパネル基体を真空チャンバー内に収納
することは非常に困難であり、大画面化を想定した場
合、設備費や生産性の点で問題があった。
【0006】一方、コーティング法は手軽な方法である
ことから鋭意検討されてきたが、満足できる性能を達成
するには至っていない。その理由としては、交流型PD
Pの酸化マグネシウム保護層を印刷法で形成するために
酸化マグネシウム粒子が混入された酸化マグネシウム印
刷ペーストが用いられているが、保護層が耐スパッタ性
を有するためには、酸化マグネシウムは粒径が30〜3
00nmの均一粒子であり、該粒子がバインダー中に均
一に分散していることが必要である。
ことから鋭意検討されてきたが、満足できる性能を達成
するには至っていない。その理由としては、交流型PD
Pの酸化マグネシウム保護層を印刷法で形成するために
酸化マグネシウム粒子が混入された酸化マグネシウム印
刷ペーストが用いられているが、保護層が耐スパッタ性
を有するためには、酸化マグネシウムは粒径が30〜3
00nmの均一粒子であり、該粒子がバインダー中に均
一に分散していることが必要である。
【0007】しかしながら、酸化マグネシウム微粒子は
凝集し易く、バインダー中へ均一に分散させることが極
めて困難であるために、従来市販の印刷ペーストでは、
混入されている酸化マグネシウム粒子自体の粒子径は大
きく、ペースト自体の粘度も高いために、保護層厚の薄
化が困難であり、結果として均一性の高い保護膜が得ら
れず、又、通常の熱処理プロセス(600℃以下)では
膜強度や密着性等が不十分であったり、熱処理時に膜に
亀裂が生じるといった問題があり、透明性、低開始電圧
や低駆動電圧等の必要なパネル特性が得られない。
凝集し易く、バインダー中へ均一に分散させることが極
めて困難であるために、従来市販の印刷ペーストでは、
混入されている酸化マグネシウム粒子自体の粒子径は大
きく、ペースト自体の粘度も高いために、保護層厚の薄
化が困難であり、結果として均一性の高い保護膜が得ら
れず、又、通常の熱処理プロセス(600℃以下)では
膜強度や密着性等が不十分であったり、熱処理時に膜に
亀裂が生じるといった問題があり、透明性、低開始電圧
や低駆動電圧等の必要なパネル特性が得られない。
【0008】本発明者等はコーティング法における上記
の問題点を解決するために、いわゆるゾル−ゲル法によ
り酸化マグネシウム化合物を加水分解して得られる水酸
化マグネシウムゾルを基板上に塗布し、乾燥後、焼成し
て酸化マグネシウム含有薄膜層を形成する方法を先に提
案した(特願平6−271827号明細書)。しかしな
がら、この方法では用いる水酸化マグネシウムゾルの基
板への付着性が極端に悪く、得られる酸化マグネシウム
層の一部が容易に剥れたり、膜厚が不均一となる問題が
あった。このために、放電開始電圧及び駆動電圧(消費
電力)の点での改善には殆んど効果がなかった。
の問題点を解決するために、いわゆるゾル−ゲル法によ
り酸化マグネシウム化合物を加水分解して得られる水酸
化マグネシウムゾルを基板上に塗布し、乾燥後、焼成し
て酸化マグネシウム含有薄膜層を形成する方法を先に提
案した(特願平6−271827号明細書)。しかしな
がら、この方法では用いる水酸化マグネシウムゾルの基
板への付着性が極端に悪く、得られる酸化マグネシウム
層の一部が容易に剥れたり、膜厚が不均一となる問題が
あった。このために、放電開始電圧及び駆動電圧(消費
電力)の点での改善には殆んど効果がなかった。
【0009】又、水酸化マグネシウムゾルの出発原料と
してマグネシウムアルコキシド等の有機金属化合物を用
いた場合には、基板密着性や膜の均一性が比較的良好な
酸化マグネシウムが得られるが、マグネシウムアルコキ
シド等は非常に高価であるというコストの点と、反応性
が高いために反応の制御が困難となり、生成する水酸化
マグネシウムの寿命も短いという取り扱いの点での問題
がある。そのために、通常はマグネシウムアルコキシド
等に代えて、酢酸マグネシウム等の有機金属塩や塩化マ
グネシウム、硫酸マグネシウム等の無機金属塩が使用さ
れるが、水酸化マグネシウムゾルを得るにはアンモニア
等のアルカリを多量に用いる必要があり、アルカリの除
去等製造工程が複雑となる問題がある。更に、酸化マグ
ネシウムの層の透明性や、水酸化マグネシウムの基体へ
の密着性を向上させるために粒子径を1μm以下にしな
ければならず、粒子の成長を抑えるためにエチレングリ
コール等の添加剤を水酸化マグネシウムゾル生成系に添
加する必要があるが、これらの添加剤は水酸化マグネシ
ウムゾル自体の生成をも抑制し、該ゾルの収率を著しく
低下させる問題がある。
してマグネシウムアルコキシド等の有機金属化合物を用
いた場合には、基板密着性や膜の均一性が比較的良好な
酸化マグネシウムが得られるが、マグネシウムアルコキ
シド等は非常に高価であるというコストの点と、反応性
が高いために反応の制御が困難となり、生成する水酸化
マグネシウムの寿命も短いという取り扱いの点での問題
がある。そのために、通常はマグネシウムアルコキシド
等に代えて、酢酸マグネシウム等の有機金属塩や塩化マ
グネシウム、硫酸マグネシウム等の無機金属塩が使用さ
れるが、水酸化マグネシウムゾルを得るにはアンモニア
等のアルカリを多量に用いる必要があり、アルカリの除
去等製造工程が複雑となる問題がある。更に、酸化マグ
ネシウムの層の透明性や、水酸化マグネシウムの基体へ
の密着性を向上させるために粒子径を1μm以下にしな
ければならず、粒子の成長を抑えるためにエチレングリ
コール等の添加剤を水酸化マグネシウムゾル生成系に添
加する必要があるが、これらの添加剤は水酸化マグネシ
ウムゾル自体の生成をも抑制し、該ゾルの収率を著しく
低下させる問題がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、上記従来
技術の問題点を解消し、化学的手法により簡便且つ低温
度での安定製膜が可能であり、膜強度、密着性、透明性
等の膜特性を有し、放電開始電圧や駆動電圧(消費電
力)の低下が図られる保護膜等の形成が可能なゾル溶液
及びこれを用いる膜形成方法を提供することである。
鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、上記従来
技術の問題点を解消し、化学的手法により簡便且つ低温
度での安定製膜が可能であり、膜強度、密着性、透明性
等の膜特性を有し、放電開始電圧や駆動電圧(消費電
力)の低下が図られる保護膜等の形成が可能なゾル溶液
及びこれを用いる膜形成方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の本発明
によって達成される。即ち、本発明は、酢酸マグネシウ
ム4水和物の一部脱水物及び/又は完全脱水物が水を主
体とする媒体中にコロイド粒子として分散してなること
を特徴とするゾル溶液、及び該ゾル液を使用することを
特徴とする膜形成方法である。
によって達成される。即ち、本発明は、酢酸マグネシウ
ム4水和物の一部脱水物及び/又は完全脱水物が水を主
体とする媒体中にコロイド粒子として分散してなること
を特徴とするゾル溶液、及び該ゾル液を使用することを
特徴とする膜形成方法である。
【0012】上記本発明によれば、例えば、交流型PD
Pにおける保護層を酢酸マグネシウムコロイド粒子から
なるゾル溶液を用いることによって、真空系プロセスに
見られるような高価な設備を必要とせずに大面積のパネ
ル上に膜を形成することができ、又、その膜は強度、密
着性、透明性、保護作用等の優れた膜特性を有し、更に
その膜を使用した場合には放電開始電圧や駆動電圧(消
費電力)の低下が図られる交流型PDP等の製造が可能
である。
Pにおける保護層を酢酸マグネシウムコロイド粒子から
なるゾル溶液を用いることによって、真空系プロセスに
見られるような高価な設備を必要とせずに大面積のパネ
ル上に膜を形成することができ、又、その膜は強度、密
着性、透明性、保護作用等の優れた膜特性を有し、更に
その膜を使用した場合には放電開始電圧や駆動電圧(消
費電力)の低下が図られる交流型PDP等の製造が可能
である。
【0013】
【発明の実施の形態】以下に好ましい実施形態を挙げて
本発明を更に詳細に説明する。本発明は、本発明者が見
出した知見、即ち、通常市販されている酢酸マグネシウ
ムは4水和物であり、これは水に完全に溶解するが、水
和した水を一部乃至完全に除去した部分脱水水和酢酸マ
グネシウム及び無水酢酸マグネシウムは水に不溶性とな
ること、これらの酢酸マグネシウムを水に添加すると粒
子表面の一部は加水分解を受けて親水性の水酸化マグネ
シウムを形成し、安定なコロイド粒子として水中に分散
することに基づくものである。
本発明を更に詳細に説明する。本発明は、本発明者が見
出した知見、即ち、通常市販されている酢酸マグネシウ
ムは4水和物であり、これは水に完全に溶解するが、水
和した水を一部乃至完全に除去した部分脱水水和酢酸マ
グネシウム及び無水酢酸マグネシウムは水に不溶性とな
ること、これらの酢酸マグネシウムを水に添加すると粒
子表面の一部は加水分解を受けて親水性の水酸化マグネ
シウムを形成し、安定なコロイド粒子として水中に分散
することに基づくものである。
【0014】本発明における酢酸マグネシウムゾル形成
の出発原料は、酢酸マグネシウム4水和物であり、水を
主体とする媒体中で安定なコロイド粒子を形成させるた
めには、水和した水の少なくとも20重量%を除去する
ことが好ましい。特に好ましくは完全脱水して無水酢酸
マグネシウムとすることである。脱水方法はどのような
方法でもよく全く制限されない。例えば、減圧下に加熱
する方法が簡便で好ましい。
の出発原料は、酢酸マグネシウム4水和物であり、水を
主体とする媒体中で安定なコロイド粒子を形成させるた
めには、水和した水の少なくとも20重量%を除去する
ことが好ましい。特に好ましくは完全脱水して無水酢酸
マグネシウムとすることである。脱水方法はどのような
方法でもよく全く制限されない。例えば、減圧下に加熱
する方法が簡便で好ましい。
【0015】無水〜部分水和酢酸マグネシウムを分散さ
せる媒体は、水を主体とするものであり、水100%及
び水と水溶性溶剤との混合溶液である。特に、粒子表面
の酢酸マグネシウムの少なくとも一部の加水分解反応を
均一で効率よく進行させ、安定なゾル溶液を形成するう
えから、水溶性溶剤としてはアルコール類、グリコール
類、エステル類、エーテル類あるいはプロピレンカーボ
ネート、γ−ブチロラクトン等の有機高誘電率溶剤の使
用が好ましい。これらの有機溶剤の水に対する使用割合
は混合溶液中の水の割合が50重量%以下とならない範
囲であれば特に制限されない。水を主体とする媒体中の
無水〜部分水和酢酸マグネシウムの量(固形分)は、通
常0.1〜90重量%であるが、均一なゾル溶液とする
ためには0.1〜60重量%の範囲が好ましい。
せる媒体は、水を主体とするものであり、水100%及
び水と水溶性溶剤との混合溶液である。特に、粒子表面
の酢酸マグネシウムの少なくとも一部の加水分解反応を
均一で効率よく進行させ、安定なゾル溶液を形成するう
えから、水溶性溶剤としてはアルコール類、グリコール
類、エステル類、エーテル類あるいはプロピレンカーボ
ネート、γ−ブチロラクトン等の有機高誘電率溶剤の使
用が好ましい。これらの有機溶剤の水に対する使用割合
は混合溶液中の水の割合が50重量%以下とならない範
囲であれば特に制限されない。水を主体とする媒体中の
無水〜部分水和酢酸マグネシウムの量(固形分)は、通
常0.1〜90重量%であるが、均一なゾル溶液とする
ためには0.1〜60重量%の範囲が好ましい。
【0016】又、ゾル溶液の安定性を高めるために、ゾ
ルの分散安定化剤をゾル溶液中に含有させることができ
る。分散安定化剤としては、例えば、ヒドロキシプロピ
ルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロ
ース等のセルロース類、ポリアクリル酸、ポリアクリル
アミド等のアクリル系ポリマー、ポリビニルアルコール
及びその部分ケン化物等のビニルポリマー等の水溶性高
分子が好ましい分散安定化剤として挙げられる。これら
は1種又は2種以上で使用され、ゾル溶液中の含有量
は、通常0.01〜10重量%の範囲である。
ルの分散安定化剤をゾル溶液中に含有させることができ
る。分散安定化剤としては、例えば、ヒドロキシプロピ
ルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロ
ース等のセルロース類、ポリアクリル酸、ポリアクリル
アミド等のアクリル系ポリマー、ポリビニルアルコール
及びその部分ケン化物等のビニルポリマー等の水溶性高
分子が好ましい分散安定化剤として挙げられる。これら
は1種又は2種以上で使用され、ゾル溶液中の含有量
は、通常0.01〜10重量%の範囲である。
【0017】本発明の酢酸マグネシウム粒子がコロイド
状に分散したゾル溶液は、水を主体とする媒体に、必要
に応じ、水溶性溶剤、分散安定化剤を溶解し、無水〜部
分水和酢酸マグネシウムを添加して、攪拌することによ
り得られる。コロイド形成反応は室温でも速やかに進行
するが、例えば30〜80℃に加熱することによって反
応を促進することができる。
状に分散したゾル溶液は、水を主体とする媒体に、必要
に応じ、水溶性溶剤、分散安定化剤を溶解し、無水〜部
分水和酢酸マグネシウムを添加して、攪拌することによ
り得られる。コロイド形成反応は室温でも速やかに進行
するが、例えば30〜80℃に加熱することによって反
応を促進することができる。
【0018】又、コロイド粒子径を所定の範囲にコント
ロールするために、エチレングリコール或いはジエチレ
ングリコール、メチルセロソルブ等のエチレングリコー
ルの誘導体を上記の反応系に添加することができる。エ
チレングリコール又はその誘導体のゾル溶液中の添加量
は、通常0.01〜80重量%程度であり、添加量が増
加するとコロイド粒子径は小さくなる。本発明のゾル溶
液の使用目的(用途)に応じて、粒径分布を広くした
り、分布幅の狭い粒径の揃ったものとすることができ
る。
ロールするために、エチレングリコール或いはジエチレ
ングリコール、メチルセロソルブ等のエチレングリコー
ルの誘導体を上記の反応系に添加することができる。エ
チレングリコール又はその誘導体のゾル溶液中の添加量
は、通常0.01〜80重量%程度であり、添加量が増
加するとコロイド粒子径は小さくなる。本発明のゾル溶
液の使用目的(用途)に応じて、粒径分布を広くした
り、分布幅の狭い粒径の揃ったものとすることができ
る。
【0019】従って、例えば、大小のコロイド粒子を混
合してなるゾル溶液を用いて、緻密な酸化マグネシウム
層(膜)を形成したり、粒子径を均一に揃えたゾル溶液
を使用して酸化マグネシウムの薄層を形成することがで
きる。ゾル粒子の粒子径のコントロールは、エチレング
リコール又はその誘導体分子内の酸素原子が酢酸マグネ
シウムのマグネシウム原子に配位して、酢酸マグネシウ
ムコロイド粒子の分散性を安定化するためと推測され
る。本発明のゾル溶液では、コロイド粒子径は、3〜3
00nmである。
合してなるゾル溶液を用いて、緻密な酸化マグネシウム
層(膜)を形成したり、粒子径を均一に揃えたゾル溶液
を使用して酸化マグネシウムの薄層を形成することがで
きる。ゾル粒子の粒子径のコントロールは、エチレング
リコール又はその誘導体分子内の酸素原子が酢酸マグネ
シウムのマグネシウム原子に配位して、酢酸マグネシウ
ムコロイド粒子の分散性を安定化するためと推測され
る。本発明のゾル溶液では、コロイド粒子径は、3〜3
00nmである。
【0020】本発明の酢酸マグネシウムゾル溶液におい
ては、コロイド粒子表面の少なくとも一部の酢酸マグネ
シウムは加水分解を受けて水酸化マグネシウムとなって
おり、その結果、安定なゾル溶液が形成されるととも
に、本発明の酢酸マグネシウムゾル溶液を基体上に塗布
して膜を形成させた場合には、従来の酢酸マグネシウム
溶液にアンモニア水を添加して水酸化マグネシウムを強
制的に形成させたコーティング液を用いて製膜した場合
に比べ、該コロイド粒子層(膜)と基体との密着性は著
しく向上し、粒子径の揃った緻密な酸化マグネシウム層
等とすることができる。
ては、コロイド粒子表面の少なくとも一部の酢酸マグネ
シウムは加水分解を受けて水酸化マグネシウムとなって
おり、その結果、安定なゾル溶液が形成されるととも
に、本発明の酢酸マグネシウムゾル溶液を基体上に塗布
して膜を形成させた場合には、従来の酢酸マグネシウム
溶液にアンモニア水を添加して水酸化マグネシウムを強
制的に形成させたコーティング液を用いて製膜した場合
に比べ、該コロイド粒子層(膜)と基体との密着性は著
しく向上し、粒子径の揃った緻密な酸化マグネシウム層
等とすることができる。
【0021】本発明の膜形成方法は、上記の酢酸マグネ
シウムのゾル溶液を基体上に塗布、乾燥して酢酸マグネ
シウム膜を形成させ、加熱処理することによって酸化マ
グネシウム膜とするものである。
シウムのゾル溶液を基体上に塗布、乾燥して酢酸マグネ
シウム膜を形成させ、加熱処理することによって酸化マ
グネシウム膜とするものである。
【0022】ゾル溶液を基体上へ塗布する方法は、任意
の方法でよく、例えば、スピンコート法、ディップコー
ト法、スプレーコート法、ロールコート法、メニスカス
コート法、バーコート法、流延法等の種々の塗布法を適
用することができる。
の方法でよく、例えば、スピンコート法、ディップコー
ト法、スプレーコート法、ロールコート法、メニスカス
コート法、バーコート法、流延法等の種々の塗布法を適
用することができる。
【0023】塗布によって形成された湿潤塗膜を乾燥及
び加熱処理(焼成)を施すことによって、基体に密着し
た透明な酸化マグネシウム膜が形成される。乾燥は、湿
潤塗膜中の水及び水溶性溶剤が実質的に揮散する温度及
び時間で行えばよく、例えば、約100〜200℃の温
度で約1〜2時間程度行えば十分である。又、焼成は3
00〜600℃の温度で約1〜5時間程度行うことが好
ましい。室温での乾燥でも均一な酸化マグネシウム膜は
得られるが、水酸化マグネシウムから酸化マグネシウム
への移行を完全なものとし、膜の結晶性を高めて膜特性
を向上させるためには、上記の温度で加熱処理すること
が好ましい。
び加熱処理(焼成)を施すことによって、基体に密着し
た透明な酸化マグネシウム膜が形成される。乾燥は、湿
潤塗膜中の水及び水溶性溶剤が実質的に揮散する温度及
び時間で行えばよく、例えば、約100〜200℃の温
度で約1〜2時間程度行えば十分である。又、焼成は3
00〜600℃の温度で約1〜5時間程度行うことが好
ましい。室温での乾燥でも均一な酸化マグネシウム膜は
得られるが、水酸化マグネシウムから酸化マグネシウム
への移行を完全なものとし、膜の結晶性を高めて膜特性
を向上させるためには、上記の温度で加熱処理すること
が好ましい。
【0024】本発明の方法で得られる酸化マグネシウム
膜は、従来の酸化マグネシウム印刷ペーストの使用では
実現が困難であったバインダーを使用しない酸化マグネ
シウムのみによる1μm以下の薄膜の製造が可能とな
る。本発明の膜形成法で得られる膜は、例えば、交流型
PDPの保護層は2μm以下の膜厚で形成することが実
用上最も必要で十分な条件とされているが、上記のよう
に1μm以下の膜厚とすることができるから、交流型P
DPの誘電層の保護層(膜)として特に好適であるが、
用途はこれに限定されるものではない。
膜は、従来の酸化マグネシウム印刷ペーストの使用では
実現が困難であったバインダーを使用しない酸化マグネ
シウムのみによる1μm以下の薄膜の製造が可能とな
る。本発明の膜形成法で得られる膜は、例えば、交流型
PDPの保護層は2μm以下の膜厚で形成することが実
用上最も必要で十分な条件とされているが、上記のよう
に1μm以下の膜厚とすることができるから、交流型P
DPの誘電層の保護層(膜)として特に好適であるが、
用途はこれに限定されるものではない。
【0025】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に
説明する。文中の部又は%は特に断りのない限り重量基
準である。 実施例1 ゾル液の調製 (1)酢酸マグネシウム・4水和物の脱水処理 市販の酢酸マグネシウム・4水和物を減圧乾燥機中で1
20℃で5時間乾燥し、水和物が完全に除去された無水
酢酸マグネシウムを得た。 (2)酢酸マグネシウムコロイド粒子が分散したゾル溶
液の製造 上記の無水酢酸マグネシウム粒子3部を、水97部に
0.1部のヒドロキシプロピルメチルセルロースを溶解
した水溶液に添加し、室温で3時間攪拌した。得られた
酢酸マグネシウムコロイド粒子が水に分散したゾル溶液
の該コロイド粒子の粒径は120nmであった。このゾ
ル溶液を室温で1カ月放置したが、安定で酢酸マグネシ
ウムの沈降は観察されなかった。
説明する。文中の部又は%は特に断りのない限り重量基
準である。 実施例1 ゾル液の調製 (1)酢酸マグネシウム・4水和物の脱水処理 市販の酢酸マグネシウム・4水和物を減圧乾燥機中で1
20℃で5時間乾燥し、水和物が完全に除去された無水
酢酸マグネシウムを得た。 (2)酢酸マグネシウムコロイド粒子が分散したゾル溶
液の製造 上記の無水酢酸マグネシウム粒子3部を、水97部に
0.1部のヒドロキシプロピルメチルセルロースを溶解
した水溶液に添加し、室温で3時間攪拌した。得られた
酢酸マグネシウムコロイド粒子が水に分散したゾル溶液
の該コロイド粒子の粒径は120nmであった。このゾ
ル溶液を室温で1カ月放置したが、安定で酢酸マグネシ
ウムの沈降は観察されなかった。
【0026】実施例2 交流型PDPの誘電層上への保
護層の形成 以下に実施例1のゾル溶液を用いて図1及び図2に構造
例の概略を示すカラーテレビのディスプレイ(パネル)
に適用される交流型PDPの保護層の形成について説明
する。
護層の形成 以下に実施例1のゾル溶液を用いて図1及び図2に構造
例の概略を示すカラーテレビのディスプレイ(パネル)
に適用される交流型PDPの保護層の形成について説明
する。
【0027】図1(面放電方式)に示すように、該ディ
スプレイはガス放電空間3を挟んで互いに対向配置され
た前面基板1と背面基板2から構成されている。基板1
及び2は所定の厚さのガラス板で形成される。基板1の
基板2に対向する面にはX電極4aとY電極4bからな
る対電極4が設けられ、これらの電極を包埋するように
基板1上には誘電体層5が形成されている。誘電体層5
は保護層6(膜厚は通常2μm以下であることが必要)
で覆われている。基板2の基板1に対向する面上にはア
ドレス電極7が、その上には蛍光体が形成されている。
スプレイはガス放電空間3を挟んで互いに対向配置され
た前面基板1と背面基板2から構成されている。基板1
及び2は所定の厚さのガラス板で形成される。基板1の
基板2に対向する面にはX電極4aとY電極4bからな
る対電極4が設けられ、これらの電極を包埋するように
基板1上には誘電体層5が形成されている。誘電体層5
は保護層6(膜厚は通常2μm以下であることが必要)
で覆われている。基板2の基板1に対向する面上にはア
ドレス電極7が、その上には蛍光体が形成されている。
【0028】図2(対向電極方式)に他の構造例を示
す。この例においては背面基板2に対向する前面基板1
の面にはX電極4aが形成され、該X電極4aは誘電体
層5で被覆されており、更にこの誘電体層5は保護層6
で被覆されている。又、基板2の基板1に対向する面上
にはY電極4b、誘電体層5、保護層6及び障壁8と蛍
光体層9が形成されている。
す。この例においては背面基板2に対向する前面基板1
の面にはX電極4aが形成され、該X電極4aは誘電体
層5で被覆されており、更にこの誘電体層5は保護層6
で被覆されている。又、基板2の基板1に対向する面上
にはY電極4b、誘電体層5、保護層6及び障壁8と蛍
光体層9が形成されている。
【0029】図1又は図2における保護層6は、以下の
ようにして形成する。実施例1のゾル溶液を誘電体層5
の表面にコーティング印刷法の一種であるディップコー
ティング法を用い、大気中で乾燥後の膜厚がほぼ2μm
となるように塗布した。塗布膜形成後、120℃で1時
間乾燥させ、500℃で2時間熱処理(焼成)を施し
た。更にベーキングを施して水分を水蒸気として蒸発さ
せた。得られた酸化マグネシウム膜は完全に透明な膜
で、誘電体層に対して強固な密着性を示した。又、走査
型電子顕微鏡による観察の結果、酸化マグネシウム膜は
表面の粒子が均一微細であり、緻密な膜が形成されてお
り、膜厚は2μm以下であることが確認された。
ようにして形成する。実施例1のゾル溶液を誘電体層5
の表面にコーティング印刷法の一種であるディップコー
ティング法を用い、大気中で乾燥後の膜厚がほぼ2μm
となるように塗布した。塗布膜形成後、120℃で1時
間乾燥させ、500℃で2時間熱処理(焼成)を施し
た。更にベーキングを施して水分を水蒸気として蒸発さ
せた。得られた酸化マグネシウム膜は完全に透明な膜
で、誘電体層に対して強固な密着性を示した。又、走査
型電子顕微鏡による観察の結果、酸化マグネシウム膜は
表面の粒子が均一微細であり、緻密な膜が形成されてお
り、膜厚は2μm以下であることが確認された。
【0030】比較例1 酢酸マグネシウム4水和物の水溶液にアンモニア水を添
加し、加水分解によって生成した水酸化マグネシウムコ
ロイド粒子を含む液を用いて実施例2と同様にして酸化
マグネシウム保護膜を形成させた。酸化マグネシウム膜
の均一性は実施例2の該膜に比べて格段に劣り、誘電体
層との密着性も不十分であった。
加し、加水分解によって生成した水酸化マグネシウムコ
ロイド粒子を含む液を用いて実施例2と同様にして酸化
マグネシウム保護膜を形成させた。酸化マグネシウム膜
の均一性は実施例2の該膜に比べて格段に劣り、誘電体
層との密着性も不十分であった。
【0031】
【発明の効果】以上の本発明によれば、例えば、従来の
酸化マグネシウム含有層形成に用いられる印刷ペースト
の使用では実現不可能であった誘電体層等の基体との密
着性に優れた、膜厚2μm以下の酸化マグネシウム含有
層の形成が可能であり、低い放電開始電圧及び駆動電圧
(消費電圧)の交流型PDPの製造が可能となる。更
に、本発明によれば、コーティング法を用いることがで
きるので、安価に大面積の保護層等の膜を形成すること
ができるから、例えば、大型カラーテレビ(例えば対角
40インチ等の)用のディスプレイの製造が可能であ
る。
酸化マグネシウム含有層形成に用いられる印刷ペースト
の使用では実現不可能であった誘電体層等の基体との密
着性に優れた、膜厚2μm以下の酸化マグネシウム含有
層の形成が可能であり、低い放電開始電圧及び駆動電圧
(消費電圧)の交流型PDPの製造が可能となる。更
に、本発明によれば、コーティング法を用いることがで
きるので、安価に大面積の保護層等の膜を形成すること
ができるから、例えば、大型カラーテレビ(例えば対角
40インチ等の)用のディスプレイの製造が可能であ
る。
【図1】 面放電交流型PDPの構造の概略を示す断面
図。
図。
【図2】 対向放電交流型PDPの構造の概略を示す断
面図。
面図。
1:前面基板 2:背面基板 3:放電空間 4:対電極 4a:X電極 4b:Y電極 5:誘電体層 6:保護層 7:アドレス電極 8:蛍光体 9:障壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09D 7/12 PSJ C09D 7/12 PSJ
Claims (6)
- 【請求項1】 酢酸マグネシウム4水和物の一部脱水物
及び/又は完全脱水物が水を主体とする媒体中にコロイ
ド粒子として分散してなることを特徴とするゾル溶液。 - 【請求項2】 該コロイド粒子表面の酢酸マグネシウム
の少なくとも一部が水酸化マグネシウムとなっている請
求項1に記載のゾル溶液。 - 【請求項3】 該コロイド粒子の粒径が3〜300nm
である請求項1に記載のゾル溶液。 - 【請求項4】 更に水溶性高分子分散安定化剤を含有す
る請求項1に記載のゾル溶液。 - 【請求項5】 更にエチレングリコール類を含有する請
求項1に記載のゾル溶液。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項に記載のゾ
ル溶液を物体表面に塗布し、乾燥後、加熱して酸化マグ
ネシウム含有層を形成させることを特徴とする膜形成方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150485A JPH09310033A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | ゾル溶液及び膜形成方法 |
| US08/726,173 US6149967A (en) | 1995-10-09 | 1996-10-04 | Sol solution and method for film formation |
| US09/653,587 US6437506B1 (en) | 1995-10-09 | 2000-08-31 | Sol solution and method for film formation |
| US10/164,415 US6893313B2 (en) | 1995-10-09 | 2002-06-10 | SOL solution containing magnesium acetate tetrahydrate dehydrate colloidal particles and film formation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150485A JPH09310033A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | ゾル溶液及び膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09310033A true JPH09310033A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=15497914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8150485A Pending JPH09310033A (ja) | 1995-10-09 | 1996-05-23 | ゾル溶液及び膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09310033A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005036208A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Ube Ind Ltd | 金属酸化物薄膜形成用コーティング液および金属酸化物薄膜の形成方法 |
| WO2006112199A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | マグネシウム化合物ゾルおよびその製造方法、ならびにそれを用いたセラミック原料の製造方法 |
| JP2013062478A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-04-04 | Nippon Shokubai Co Ltd | 有機電界発光素子 |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP8150485A patent/JPH09310033A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005036208A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Ube Ind Ltd | 金属酸化物薄膜形成用コーティング液および金属酸化物薄膜の形成方法 |
| WO2006112199A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | マグネシウム化合物ゾルおよびその製造方法、ならびにそれを用いたセラミック原料の製造方法 |
| JPWO2006112199A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2008-12-04 | 株式会社村田製作所 | マグネシウム化合物ゾルおよびその製造方法、ならびにそれを用いたセラミック原料の製造方法 |
| CN1989072B (zh) | 2005-03-30 | 2010-05-19 | 株式会社村田制作所 | 镁化合物溶胶其制造方法、及使用其的陶瓷原料的制造方法 |
| JP4530041B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-08-25 | 株式会社村田製作所 | マグネシウム化合物ゾルおよびその製造方法、ならびにそれを用いたセラミック原料の製造方法 |
| JP2013062478A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-04-04 | Nippon Shokubai Co Ltd | 有機電界発光素子 |
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