JPH09312364A - 電子部品用複合材料およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 積層方向の高い熱伝導性を確保と低熱膨張性
も兼ね備える。 【解決手段】 本発明は、銅または銅合金の高熱伝導層
と、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層が交互に、好ましく
は１０層以上積層された構造を有し、低熱膨張層に厚み
方向に貫通孔が複数形成されており、貫通孔には銅また
は銅合金が充填されるとともに、低熱膨張層の積層界面
には低熱膨張層の厚さの５％以上の厚さを有する拡散層
が形成されたヒートシンクあるいはヒートスプレッダに
使用される電子部品用複合材料である。この複合材料
は、銅または銅合金の薄板と、複数の貫通孔を形成した
Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板を交互に積層して、１０マイナス
３乗Ｔｏｒｒよりも減圧とし、７００〜１０５０℃の５
０ＭＰａ以上に加圧して接合処理し、次いで圧延により
所定の板厚に仕上げる本発明の製造方法によって得るこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子等のヒー
トスプレッダあるいはヒートシンク等の伝熱基板に関
し、特に板厚方向の熱放散性を改良した電子部品用複合
材料およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】大型コンピュータ、ワークステーショ
ン、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）等のＣＰＵ（中央
演算装置）には主としてＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）呼ばれるセラミックパッケージが適用されて
おり、Ｓｉチップから発生する熱は、シリコンチップと
Ａｌヒートシンクフィンとの間の伝熱基板(ヒートスプ
レッダ）を介して放散されている。また最近では、半田
ボールを端子として使用するＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉ
ｄＡｒｒａｙ）と呼ばれるパッケージも使用されてい
る。一方、最近のＬＳＩは高速化、高消費電力化により
シリコンチップから発生する熱の放散が極めて重要な問
題となってきており、特にマイコンあるいはロジックＡ
ＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ
ＩＣ）用のＬＳＩ等ではシリコンチップにヒートスプレ
ッダを接触させることにより熱の放散を促進させるよう
な工夫がなされている。こうした伝熱基板（ヒートスプ
レッダ）はシリコンチップと接するために、その熱膨張
がシリコンチップと整合していることが必要であり、熱
膨張係数として一般に４〜１１×１０マイナス６乗／℃
程度のものが望ましいとされている。

【０００３】こうした特性を満足するものとして、従来
からヒートスプレッダにＣｕ−ＷあるいはＭｏよりなる
０．５〜１ｍｍ厚さで、３０ｍｍ角程度の板が使用され
てきた。しかしながら、これらの材料は高価であると共
に、比重が大きいためにパッケージの重量が大きくなら
ざるを得ず、最近のＬＳＩの動向であるダウンサイジン
グ化の点でも大きな欠点となってきている。

【０００４】なお、従来のリードフレームを使用するタ
イプのＬＳＩのパッケージでは、リードフレーム自体を
熱放散性の良い銅および銅合金で構成する方法も採用さ
れているが、この場合には熱膨張係数がシリコンチップ
に比べて大きいために、シリコンチップとリードフレー
ム界面での内部応力が問題となり、工程中あるいは使用
中の応力発生のためにシリコンチップにクラックが発生
したりする恐れがある。この点を解決する素材として本
発明者等は低膨張のＦｅ−Ｎｉ系合金薄板の少なくとも
一方の面に銅または銅合金を主体とする粉末の焼結層を
形成した電子部品用複合材料およびその製造方法に関す
る発明を特願平７−５９７０８号として出願している。

【０００５】しかし、リードフレームを使用しないＰＧ
ＡやＢＧＡ等のパッケージでは、単純に銅とＦｅ−Ｎｉ
系合金とを復層化した構造では、板厚方向、いいかえれ
ば積層方向への熱伝導が悪いためにヒートスプレッダと
しては適用できず、こうした点からＣｕ−Ｗ，Ｍｏ板に
替わる安価で且つ小型、薄型、軽量化が可能な新しいヒ
ートスプレッダが必要となってきている。なお、リード
フレームを使用しないタイプのパッケージは、前述のＰ
ＧＡおよびＢＧＡや，ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）が実用化されるようになってきており、
今後大きな需要が期待されるものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】Ｃｕ−Ｗ，Ｍｏ板に替
わる低膨張材料として、特公平７−８０２７２号等では
厚み方向に貫通孔を有する低熱膨張金属板を銅または銅
合金板の一方面あるいは両面に圧接一体化し、貫通孔よ
り銅または銅合金を露出させたリードフレーム用材料あ
るいはヒートスプレッダ用複合材料が提案されている。
この方法では、貫通孔部に充填された銅もしくは銅合金
により、単純な積層体では得られない積層方向の高い熱
伝導性を確保することができ、ヒートスプレッダとして
有効である。

【０００７】しかし、本発明者等の検討によれば、特公
平７−８０２７２号等に記載された複合材料では、冷間
圧延により機械的に積層されたものであり、積層後に拡
散焼鈍を適用しても層間に形成される拡散層が薄く、一
部未圧着部が発生する場合があり、半導体との接合部品
としては、信頼性という点で必ずしも優れたものとは言
えないものであった。本発明の目的は、上述した問題点
に鑑み、積層方向の高い熱伝導性を確保することができ
るとともに、低熱膨張性も兼ね備えた信頼性の高いヒー
トスプレッダとして利用可能な電子部品用複合材料およ
びその製造方法を提供することをである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述したよ
うに複数の貫通孔を形成したＦｅ−Ｎｉ系合金と銅また
は銅合金を機械的に圧着した際に問題となる剥離部の発
生を防止すべく検討を行い、複合層の形成に熱間静水圧
プレスを適用することによって、複合時に十分な拡散層
を形成することにより、剥離部の発生を防止した信頼性
の高い一体物となった複合材料を得ることができること
を見いだし本発明に到達した。

【０００９】すなわち、本発明は、銅または銅合金の高
熱伝導層と、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層が交互に積
層された放熱性に優れた電子部品用複合材料であって、
前記低熱膨張層には厚み方向に貫通孔が複数形成されて
おり、前記貫通孔には高熱伝導層に連続した銅または銅
合金が充填されるとともに、前記低熱膨張層の積層界面
には前記低熱膨張層の厚さの５％以上の厚さを有する拡
散層が形成された電子部品用複合材料である。

【００１０】上述した本発明の電子部品用複合材料は、
銅または銅合金の薄板と、複数の貫通孔を形成したＦｅ
−Ｎｉ系合金薄板を交互に積層して、缶体に充填した
後、１０マイナス３乗Ｔｏｒｒよりも減圧としてから封
止し、ついで７００〜１０５０℃の温度範囲において５
０ＭＰａ以上に加圧して接合処理を行ない、前記貫通孔
内に銅または銅合金を充填するとともに拡散接合し、次
いで熱間圧延および冷間圧延により所定の板厚に仕上げ
る本発明の製造方法によって得ることができる。

【００１１】この方法により得た本発明の電子部品用複
合材料は、低熱膨張層に形成した貫通孔の途中で高熱伝
導層同士が接合、望ましい接合としては、接合部が拡散
接合した構造を有するである。本発明において好ましい
複合材料の全体構造は、最外層に銅または銅合金の連続
した高熱伝導層を積層するか、あるいは最外層にＦｅ−
Ｎｉ系合金の連続した低熱膨張層を積層するものであ
る。また、さらに望ましくは銅または銅合金の薄板と、
複数の貫通孔を形成したＦｅ−Ｎｉ系合金薄板を交互に
１０層以上積層した積層構造とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の特徴の一つは、複数の貫
通孔を形成したＦｅ−Ｎｉ系合金と銅または銅合金を、
従来の冷間圧延による圧着とその後拡散焼鈍を施す方法
では得られない、低熱膨張層の積層界面に前記低熱膨張
層の厚さの５％以上の厚さを有する拡散層を有するもの
としたことである。これによって半導体素子等のヒート
スプレッダあるいはヒートシンク用の複合材料として必
要な優れた密着性を有するものとなり、信頼性を大きく
向上できるものである。

【００１３】また、本発明は貫通孔には高熱伝導層に連
続した銅または銅合金が充填するものであり、特に望ま
しいものとして構造的に特徴なのは、高熱伝導層（例え
ばＣｕまたはＣｕ合金）が低熱膨張層に明けられた貫通
孔の両サイドにせり出し、貫通孔の途中で高熱伝導層同
士が接していることである。この状態は、熱が高熱伝導
層を介して逃げる程度に接しておれば良いのであるが、
当然接し方が十分な接合となる程よいことは言うまでも
ない。本発明では、これらの状態を包括して「接合」と
言っている。

【００１４】図５（ａ）に示すように現実には、低熱膨
張層１に形成した貫通孔２が別の低熱膨張層１と完全に
連通させるのは、製造上難しく、各層の貫通孔の位置は
少なからず、ずれを生じる。本発明においては、高熱伝
導層同士が接合すれば良く、図５（ａ）に示す構成で十
分である。なお、熱伝導性をより高めるためには、図５
（ｂ）で示すように貫通孔が連通していることが望まし
い。また、高熱伝導層同士の接合部は、拡散接合したり
して明瞭でない方が熱伝導性を高めるという点で好まし
い。低熱膨張特性を確保するＦｅ−Ｎｉ系合金の層が貫
通孔の無い連続層であると、Ｆｅ−Ｎｉ系合金層を横切
る熱移動を大きく阻害する。本発明においては、Ｆｅ−
Ｎｉ系合金層を横切る熱伝導を阻害しないように、Ｆｅ
−Ｎｉ系合金層に貫通孔を設けることにより、貫通孔を
介して銅または銅合金の高熱伝導層がＦｅ−Ｎｉ系合金
層で遮られることなく連続するようにしたものである。
これによって、Ｆｅ−Ｎｉ系合金層を横切る熱移動を確
保することが可能となる。

【００１５】本発明のもう一つの重要な特徴は、好まし
くは１０層以上の多層構造として、銅または銅合金の高
熱伝導層と、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層の熱膨張率
の違いによる反りなどの変形を抑えることにある。半導
体素子と接合される場合、反り等が発生すると剥離の危
険がある。剥離すると、半導体素子からの放熱を行うこ
とができなくなり、半導体素子の性能が劣化するばかり
でなく、半導体の破損の原因となる。好ましくは、最外
層のいずれか一方の面あるいは両面に銅または銅合金の
連続した高熱伝導層を積層するか、あるいは最外層のい
ずれか一方の面あるいは両面にＦｅ−Ｎｉ系合金の連続
した、すなわち貫通孔を有しない低熱膨張層を積層す
る。

【００１６】最外層に貫通孔を有しない銅または銅合金
の連続した高熱伝導層あるいはＦｅ−Ｎｉ系合金の連続
した低熱膨張層を形成することにより、めっき処理時に
表面の不均一性が解消され、良好なめっき性が得られる
ようになる。最外層を高熱伝導層とするか低熱膨張層と
するかは、放熱対象となる素子の要求特性によって任意
に選択できる。たとえば、最外層は、接合面の低熱膨張
特性を特に要求される場合は、低熱膨張層とし、高熱伝
導特性を特に要求される場合には、高熱膨張層とするこ
とができる。

【００１７】本発明の銅または銅合金の高熱伝導層と複
数の貫通孔を有するＦｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層を積
層し、且つ最外層に貫通孔を有しない銅または銅合金の
連続した高熱伝導層あるいはＦｅ−Ｎｉ系合金の連続し
た低熱膨張層を形成した複合材料の基本構成を示すと図
１に示すようになる。図１は多層構造を有する複合材料
の低熱膨張層１と高熱伝導層３が接合した部分を示すも
のである。図１に示すように低熱膨張層１の両側にある
高熱伝導層３は、貫通孔２に充填した銅または銅合金に
より連続されている。このようにすることによって、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層を横切る熱移動を確保する
ものである。なお、図１は、本発明の複合材料の基本構
成部の一例を示したものである。また、図２に示すよう
に、本発明では複合材料５の最外層４として貫通孔を有
しない銅または銅合金の連続した高熱伝導材料あるいは
貫通孔を有しないＦｅ−Ｎｉ系合金の連続した低熱膨張
材料を片面または両面に配置することが可能である。

【００１８】また、本発明で規定する拡散層は、以下の
ように定量化した。図４は、本発明の高熱伝導層と低熱
膨張層との接合界面部をナイタル液でエッチング処理し
た後、４００倍で観察した光学顕微鏡写真である。この
金属組織写真に示すように、低熱膨張層側にＣｕが拡散
してＣｕの拡散層を形成する。拡散層の厚さＤは、図４
に示すように、４００倍の光学顕微鏡により、容易に定
量することが可能である。

【００１９】本発明においては、１０ミクロン以上とい
う充分に厚い拡散層を得るために、７００〜１０５０℃
の温度範囲において５０ＭＰａ以上の圧力を適用する。
５０ＭＰａ以上という高い圧力を適用すると、７００〜
１０５０℃の温度範囲において、低熱膨張層の厚さの５
％以上の厚さという従来の冷間圧延による圧着と焼鈍に
よって形成されるよりも著しく厚い拡散層を形成するこ
とが可能となる。また、この方法は多層の積層体に一回
の処理で拡散層を形成できるという利点もある。圧力は
できるだけ高いことが好ましいが、装置性能上、２００
ＭＰａ以下が現実的であり、好ましくは８０〜１５０Ｍ
Ｐａの範囲である。本発明においては、７００℃以下の
温度では、拡散が不十分となり、十分な接合強度が得ら
れない。また、１０５０℃以上の温度では銅または銅合
金の表面酸化が顕著となり、十分な接合強度が得られ
ず、また銅または銅合金が溶解する場合があり好ましく
ない。そのため、本発明においては、７００〜１０５０
℃の温度範囲に規定した。

【００２０】また、本発明において、上述した接合処理
に先だって、缶体に充填した後、１０マイナス３乗Ｔｏ
ｒｒよりも減圧としてから封止する工程を付与してい
る。これは、本発明はＦｅ−Ｎｉ系合金素材に形成した
貫通孔に気体が残留すると、貫通孔に銅または銅合金が
充分に充填できなくなるため、または貫通孔の両サイド
から充填した銅または銅合金が放熱に十分な程接合する
ことができなくなるため、脱気処理を実施するものであ
る。また、本発明においては、上述した接合処理の後、
圧延により所定の板厚に仕上げるものである。本発明に
おいては、高圧下で接合処理を行うが、これだけでは、
貫通孔に充分に銅または銅合金を充填できない場合があ
る。また、接合処理を行った材料には、曲がりが発生す
る場合が多い。そこで、本発明は、接合処理の後、圧延
工程を付与するものとした。このようにして、高圧の適
用により低熱膨張層に形成した貫通孔に高熱伝導層が両
側から流動していき、貫通孔の途中で高熱伝導層同士が
接合したものとなるのである。

【００２１】本発明において、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の低熱
膨張層は、本発明の複合材料の熱膨張低いものとするこ
とを第一の目的に配置するものである。好ましくは、複
合材料を半導体素子の熱膨張係数に近似するように、３
０℃〜３００℃における熱膨張係数を４〜１１×１０マ
イナス６乗／℃の範囲とするように配置することが望ま
しい。したがって、Ｆｅ−Ｎｉ系合金とは、Ｎｉの含有
量が重量％で２５〜６０％で、その他の主要元素とし
て、Ｆｅ，Ｃｏの一種または二種からなるものが望まし
い。具体的に使用するＦｅ−Ｎｉ系合金としてはＦｅ−
４２％Ｎｉ合金、Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金のいわゆるイン
バー合金、Ｆｅ−３１％Ｎｉ−５％Ｃｏ合金のいわゆる
スーパーインバー合金、Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ
合金等のＮｉ３０〜６０％、残部Ｆｅあるいは、Ｎｉの
一部をＣｏで置換したものを基本元素とするものが使用
できる。

【００２２】また、他の添加元素を含むことも当然可能
であり、Ｃｒであれば１５重量％以下、熱膨張特性、機
械的強度等様々の要求に合わせて４Ａ，５Ａ，６Ａ族の
元素を低熱膨張特性を損なわないオーステナイト組織を
保持できる限り、添加することが可能である。例えば、
酸化膜形成等のために有効であるＣｒは１５重量％以
下、強度を改善する元素として５重量％以下のＮｂ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ、熱間加工性を適用する場合
には、熱間加工性を改善する元素として５重量％以下の
Ｓｉ，Ｍｎあるいは０．１重量％以下のＣａ，Ｂ，Ｍｇ
が使用できる。

【００２３】本発明において、高熱伝導層を銅または銅
合金と規定した。純銅は熱伝導性の点では非常に優れて
おり、熱伝導性を重視するヒートシンクあるいはヒート
スプレッダ用としては有効であるが、場合によって機械
的強度、ハンダ付性、銀ろう付性、耐熱性等用途に応じ
た特性改善のために合金元素を添加することが可能であ
る。例えば、ＳｎやＮｉは銅または銅合金中に固溶して
機械的強度を向上させることができる。また、ＴｉはＮ
ｉと複合で添加すると、銅マトリックス中にＮｉとＴｉ
との化合物として析出し、機械的強度および耐熱性を向
上する。また、Ｚｒはハンダ耐候性を向上する。Ａｌ，
Ｓｉ，Ｍｎ，Ｍｇはレジンとの密着性を改善することが
知られている。なお、本発明の銅または銅合金層は、熱
放散性の付与が目的であるため、熱放散性を低下させる
前記の添加元素は銅合金中で好ましくは１０重量％以下
とする。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。低熱
膨張層用材料として、Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金、Ｆｅ−３
６％Ｎｉ合金、Ｆｅ−３１％Ｎｉ−５％Ｃｏ合金および
Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ合金を選び、冷間圧延お
よび焼鈍を繰り返し、厚さ ０．３ｍｍのＦｅ−Ｎｉ系
合金の薄板を得た。このＦｅ−Ｎｉ系合金に対して、エ
ッチング加工により、薄板の全面にφ０．８ｍｍ、１ｍ
ｍピッチの貫通孔を形成し、図３（ｂ）に示す低熱膨張
層用素材５とした。また、高熱伝導層用材料として純銅
（無酸素銅）、Ｃｕ−２．４％Ｆｅ−０．０７％Ｐ−
０．１２％Ｚｎ合金（Ｃｕ合金Ａという）およびＣｕ−
２．０％Ｓｎ−０．２％Ｎｉ−０．０４％Ｐ−０．１５
％Ｚｎ合金（Ｃｕ合金Ｂという）を選び、厚さ１ｍｍの
薄板を得た。これ等の薄板をそれぞれ１２０ｍｍ幅にス
リットを行ない、次に定尺切断機により、８００ｍｍ長
さに切断し図３（ａ）に示す高熱伝導層用素材６とし
た。なお、Ｃｕ合金の組成は重量％である。

【００２５】次に、これ等のシートを表１に示す組合せ
により、５ｍｍ厚さのＳ１５Ｃ材のケース内に銅または
銅合金の高熱伝導層でＦｅ−Ｎｉ系合金の低熱膨張層を
挟むように交互に積層し、低熱膨張層を６層、高熱伝導
層を７層とした最外層が連続した高熱伝導層となる積層
体を得た。（積層構造Ａという） また、別の例として積層構造Ａのさらに外側に、積層体
を構成する低熱膨張層と同じ素材であって、貫通孔を形
成しない薄板を配置して、最外層が貫通孔のない低熱膨
張層となる積層体を得た。（積層構造Ｂという） 次に、Ｓ１５Ｃ材のケースを１０マイナス３乗Ｔｏｒｒ
よりも減圧としてから溶接により密封した。この脱気後
の積層体を有するＳ１５Ｃケース（以下キャン材と呼
ぶ）を表１に示す温度において１０００気圧の条件で熱
間静水圧プレスにより、積層体の接合一体化を行なっ
た。この熱間静水圧プレス後のキャン材の上下面のＳ１
５Ｃケース材を研削により除去した積層体を冷間圧延
し、厚さ１．５ｍｍの板とした。

【００２６】次にこの板から熱伝導率測定用サンプルな
らびに熱膨張測定用サンプルを製作し、熱伝導率ならび
に熱膨張係数の測定を行なった。なお、熱伝導率はレー
ザーフラッシュ法により測定を行ない、また熱膨張係数
は３０〜３００℃の温度範囲の値α_30-300℃を測定し
た。また、図４に示すように各サンプルにおいて銅また
は銅合金とＦｅ−Ｎｉ系合金の境界近傍を４００倍の光
学顕微鏡により撮影し、拡散層の厚さを測定した。

【００２７】

【表１】

【００２８】表１に示すように本発明の電子部品用複合
材料は、拡散層の厚さが低熱膨張層の厚さの５％以上と
厚く密着信頼性に優れており、また板厚方向の放熱性に
優れていることがわかる。すなわち、１００（Ｗ／ｍ・
Ｋ程度以上）の高い熱伝導特性と、７（×１０マイナス
６乗／℃）以下の低熱膨張特性を得ることができたもの
である。また、比較例として、上述した実施例と同じ高
熱伝導層用素材と、貫通孔を形成した低熱膨張層用素材
を一枚ずつ使用して、６０％のリダクションを適用して
冷間圧延を行い、その後圧延後９００℃×３時間の拡散
焼鈍を行なったが、部分的な剥離部が生ずるとともに、
接合部においても低熱膨張層の厚さの２％程度の拡散層
しか認められなかった。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、厚い拡散層を有する電
子部品用の複合材料を得ることが可能となった。したが
って、従来の冷間圧着−拡散焼鈍法に比べ、熱間におけ
る高圧を適用して接合しているため、密着信頼性が顕著
に向上しており、部品の信頼性が大きく向上するもので
ある。また、本発明によれば、多層構造とすることが可
能であり、より緻密な複合構造となり、ヒートスプレッ
ダとして使用するときの熱膨張差に起因する反り等の変
形を防止することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の複合材料の基本構成の一例を示す概念
図である。

【図２】本発明の複合材料の最外層部の好ましい例を示
す概念図である。

【図３】本発明の複合材料の素材を説明する図である。

【図４】本発明の複合材料の高熱伝導層と低熱膨張層の
界面に形成した拡散層の一例を示す金属ミクロ組織写真
である。

【図５】本発明の貫通孔部拡大図である。

【符号の説明】

１ 低熱膨張層、２ 貫通孔、３ 高熱膨張層、４ 最
外層、５ 低熱膨張層用素材、６ 高熱伝導層用素材
７ 複合材料

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 銅または銅合金の高熱伝導層と、Ｆｅ−
   Ｎｉ系合金の低熱膨張層が交互に積層された電子部品用
   複合材料であって、前記低熱膨張層には厚み方向に貫通
   孔が複数形成されており、前記貫通孔には高熱伝導層に
   連続した銅または銅合金が充填されるとともに、前記低
   熱膨張層の積層界面には前記低熱膨張層の厚さの５％以
   上の厚さを有する拡散層が形成されていることを特徴と
   する電子部品用複合材料。
2. 【請求項２】 銅または銅合金の高熱伝導層と、Ｆｅ−
   Ｎｉ系合金の低熱膨張層が交互に積層された電子部品用
   複合材料であって、前記低熱膨張層には厚み方向に貫通
   孔が複数形成されており、前記貫通孔の途中で高熱伝導
   層同士が接合されるとともに、前記低熱膨張層の積層界
   面には前記低熱膨張層の厚さの５％以上の厚さを有する
   拡散層が形成されていることを特徴とする電子部品用複
   合材料。
3. 【請求項３】 最外層として銅または銅合金の連続した
   高熱伝導層が形成されていることを特徴とする請求項１
   または２に記載の電子部品用複合材料。
4. 【請求項４】 最外層としてＦｅ−Ｎｉ系合金の連続し
   た低熱膨張層が形成されていることを特徴とする請求項
   １または２に記載の電子部品用複合材料。
5. 【請求項５】 １０層以上の層構造をなすことを特徴と
   する請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品用複
   合材料。
6. 【請求項６】 銅または銅合金の薄板と、複数の貫通孔
   を形成したＦｅ−Ｎｉ系合金薄板を交互に積層して、缶
   体に充填した後、１０マイナス３乗Ｔｏｒｒよりも減圧
   としてから封止し、ついで７００〜１０５０℃の温度範
   囲において５０ＭＰａ以上に加圧して接合処理を行な
   い、前記貫通孔内に銅または銅合金を充填するとともに
   接合し、次いで圧延により所定の板厚に仕上げることを
   特徴とする電子部品用複合材料の製造方法。
7. 【請求項７】 最外層に銅または銅合金の連続した高熱
   伝導層を積層することを特徴とする請求項６に記載の電
   子部品用複合材料の製造方法。
8. 【請求項８】 最外層にＦｅ−Ｎｉ系合金の連続した低
   熱膨張層を積層することを特徴とする請求項６に記載の
   電子部品用複合材料の製造方法。
9. 【請求項９】 銅または銅合金の薄板と、複数の貫通孔
   を形成したＦｅ−Ｎｉ系合金薄板を交互に１０層以上積
   層することを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに
   記載の電子部品用複合材料の製造方法。