JPH09312445A - 半導体発光素子の製造方法および半導体結晶成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低欠陥のZnSe系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 第1の成長室においてｎ型GaAs基板上にG
aAsバッファ層を形成し、さらにZn層を形成した後に、
第2の成長室においてZnSe系材料を用いた半導体発光素
子構造を形成する。III−Ｖ族化合物半導体を第1の成長
室させ、その成長室でＺｎ層を形成した後に、第2の成
長室においてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を成長させ、半
導体発光素子構造を形成する。これによってIII−Ｖ族
とII−ＶＩ族との半導体界面に発生する欠陥が低減され
超寿命の半導体発光素子が実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は青色域の短波長にお
いて発光可能な半導体レーザに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光デイスクの高密度化、レーザプ
リンタの高解像化をはかるため、短波長半導体レーザの
要求があり、ZnSe系II−VI族半導体を用いた青、緑色半
導体レーザの研究開発が盛んに行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】GaAs基板上に形成され
たZnSe系II−VI（以下、便宜上２−６と記す。）族半導
体を用いたレーザにおいては、Electronics Letters 14
th March 1996 Vol. 32、第552頁〜553頁に記載されて
いるように室温連続発振が達成されている。しかしなが
ら、例えばApplied Physics Letters 12th September 1
994 Vol. 16、第1331頁〜第1333頁に記載されているよ
うに、GaAs基板とZnSe系２−６族半導体界面において多
くの積層欠陥が発生しているため通電時に欠陥が増殖
し、素子の劣化を招いている。２−６族半導体成長室に
おいてGaAs基板表面にまずZnを照射した後にZnSe系２−
６族半導体を成長することにより積層欠陥の発生が抑制
されることがProceeding of the International Sympos
ium on Blue Laser and LightEmitting Diodes (March
5-7 1996)、第66頁〜第69頁に記載されている。

【０００４】この原因としては、積層欠陥の発生が界面
におけるGa原子とSe原子との結合に起因しておりZn照射
によりGa-Se結合が抑制されたためであると解釈されて
いる。しかしながら、SeやS等の６族元素は蒸気圧が高
いために超高真空下においても１２−６族半導体成長室
雰囲気には多数のSeやS分子が存在しており、基板表面
への６族原子の付着が生じるため、本方法においては、
Ga原子と６族原子の結合を完全に抑制することは困難で
あるという問題点が存在している。

【０００５】また、InP基板上にZnSe系２−６族半導体
を成長する試みが、電気学会研究会資料、電子材料研究
会（1995年12月6日）EFM-95-21、第1頁〜第9頁に記載さ
れている。

【０００６】InP基板を用いた場合にもGaAs基板を用い
た場合と同様に、界面における３族原子と６族原子との
結合に起因して発生する積層欠陥が素子の劣化を引き起
こすという問題点が存在している。

【０００７】また、GaAs基板上とZnSe系２−６族半導体
との界面にAlxGa1-xAs（0<x≦1）層を挿入することによ
りGaAsとZnSeの伝導帯不連続に起因する電子の障壁が緩
和され、発光素子の動作電圧が低減することが、第43回
応用物理学関係連合講演会講演予稿集（1996年3月）28a
-C-3、第1073頁に記載されている。

【０００８】しかしながら、３-５族半導体成長室にお
いてGaAs基板にAlxGa1-xAs（0<x≦1）層を形成した後に
基板を移送し、２-６族半導体成長室において２-６族半
導体を成長する場合、AlxGa1-xAs表面が化学的に極めて
活性であるため、移送中に不純物が付着し、新たな結晶
欠陥の発生要因になるという問題点が存在している。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本件の第1の発明では、GaAs基板上に形成したGaAs
バッファ層上にZn層を形成した後、基板を２−６族半導
体成長室に搬送しZnSe系２−６族半導体を用いた発光素
子を作製する。以上の方法によりGaAs基板のGa原子と成
長層の６族原子との原子結合を抑制し、界面における積
層欠陥の発生を抑制することが可能となる。

【００１０】第2の発明では、InP基板上に形成したInGa
Asバッファ層上にZn層を形成した後、基板を２−６族半
導体成長室に搬送しZnSe系２−６族半導体を用いた発光
素子を作製する。以上の方法によりInGaAsバッファ層の
GaおよびIn原子と成長層の６族原子との原子結合を抑制
し、界面における積層欠陥の発生を抑制することが可能
となる。

【００１１】第3の発明では、GaAs基板上にGaAsバッフ
ァ層を形成した後、雰囲気中に６族および５族分子が存
在しない第3の成長室においてGaAsバッファ層上にZn層
を形成した後、基板を２−６族半導体成長室に搬送しZn
Se系２−６族半導体を用いた発光素子を作製する。以上
の方法によりGaAs基板のGa原子と成長層の６族原子との
原子結合を抑制し、界面における積層欠陥の発生を抑制
することが可能となる。

【００１２】第4の発明では、InP基板上にInGaAsバッフ
ァ層を形成した後、雰囲気中に６族および５族分子が存
在しない第3の成長室においてInGaAsバッファ層上にZn
層を形成した後、基板を２−６族半導体成長室に搬送し
ZnSe系２−６族半導体を用いた発光素子を作製する。以
上の方法によりInGaAsバッファ層のGaおよびIn原子と成
長層の６族原子との原子結合を抑制し、界面における積
層欠陥の発生を抑制することが可能となる。

【００１３】第5の発明では、GaAs基板上に形成したGaA
sバッファ層上にAlxGa1-xAs（0<x≦1）層を形成し、さ
らにAlxGa1-xAs（0<x≦1）層上にZn層を形成した後、基
板を２−６族半導体成長室に搬送しZnSe系２−６族半導
体を用いた発光素子を作製する。以上の方法により化学
的に活性なAlxGa1-xAs表面がZn層によって不活性化され
ることにより搬送中の不純物の付着が抑制され、界面に
おける積層欠陥の発生を抑制することが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下本発明による半導体発光素子
の製造方法の実施例について、図面を参照しながら説明
する。

【００１５】（実施の形態１）第1の発明による半導体
発光素子の製造方法の概略と製造装置の概念図を図1に
示す。成長は分子線エピタキシャル成長（MBE)法を用い
た。基板にはSiドープｎ型のGaAs(001)基板1（キャリア
濃度1x1018cm-3）を用いた。基板はまず、ロードロック
室101を介して、３−５族半導体成長用のMBE成長室102
に搬送した。３−５族半導体成長用のMBE成長室102に
は、Ga、As、SiおよびZnを蒸発させるためのセルが備え
られている。Asビームを照射しながらGaAs基板1を600℃
まで加熱して自然酸化膜の除去を行った後、Ga、Asおよ
びSiビームを照射することによりSiドープGaAsバッファ
層2（層厚500nm、キャリア濃度1x1018cm-3)を成長し
た。GaおよびAsビーム強度はそれぞれ3x10-7および1x10
-5Torrであった。次に、成長室102においてバッファ層2
の表面上に、基板温度250℃でZnビームを照射すること
によりZn層3を形成した。Znビーム強度は1x10-7Torr、
照射時間は5分間であった。このとき、試料表面再構成
が(2x4)再構成から(1x4)再構成に変化することが高速電
子線回折により確認された。

【００１６】GaAsバッファ層2およびZn層3を形成した基
板1を基板移送室103を介して２−６族半導体成長用のMB
E成長室104に搬送した。基板移送室103の真空度は1x10-
10Torrであった。２−６族半導体成長用のMBE成長室104
において、Zn層3上にClドープn型ZnSe層4（層厚25nm、
キャリア濃度1x10¹⁸cm^-3）、Clドープn型Zn0.9Mg0.1S0.
2Se0.8クラッド層5（層厚1000nm、キャリア濃度5x10¹⁷c
m^-3）、ノンドープZnS0.07Se0.93光ガイド層6（層厚120
nm）、Zn0.8Cd0.2Se活性層7（層厚6nm）、ノンドープZn
S0.07Se0.93光ガイド層8（層厚120nm）、Nドープp型Zn
0.9Mg0.1S0.2Se0.8クラッド層9（層厚1000nm、キャリア
濃度1x1017cm-3）、Nドープp型ZnSe層10（層厚25nm、キ
ャリア濃度3x10¹⁷cm^-3）、Nドープp型ZnTe層コンタクト
層11（層厚20nm、キャリア濃度5x10¹⁸cm^-3）を順次形成
した。MBE成長の原料にはZnSe、ZnS、Mg、CdSeおよびZn
Teを用いた。n型ドーパント原料にはZnCl2、p型ドーパ
ントには高周波放電にょり生成されたN2ラジカルを用い
た。本発明により作製した半導体発光素子は、２−６族
半導体層と３−５族半導体層との界面にＺｎを照射する
ことによって、積層欠陥密度は1x10^-3cm^-2であった。

【００１７】（実施の形態２）第2の発明による半導体
発光素子の製造方法の概略と成長装置の概念図を図2に
示す。成長は分子線エピタキシャル成長（MBE)法を用い
た。基板にはSiドープｎ型のInP(001)基板12（キャリア
濃度1x1018cm-3）を用いた。基板はまず、ロードロック
室101を介して、３−５族半導体成長用のMBE成長室102
に搬送した。３−５族半導体成長用のMBE成長室102に
は、In、Ga、As、SiおよびZnを蒸発させるためのセルが
備えられている。Asビームを照射しながらInP基板12を5
20℃まで加熱して自然酸化膜の除去を行った後、In、G
a、AsおよびSiビームを照射することによりSiドープIn
0.47Ga0.53Asバッファ層13（層厚500nm、キャリア濃度1
x1018cm-3)を成長した。In、GaおよびAsビーム強度はそ
れぞれ3x10-7、3x10-7および1x10-5Torrであった。次
に、バッファ層13の表面上に、基板温度250℃でZnビー
ムを照射することによりZn層3を形成した。Znビーム強
度は1x10-7Torr、照射時間は5分間であった。このと
き、試料表面再構成が(2x4)再構成から(1x4)再構成に変
化することが高速電子線回折により確認された。

【００１８】In0.5Ga0.5Asバッファ層13およびZn層3を
形成した基板12を基板移送室103を介して２−６族半導
体成長用のMBE成長室104に搬送した。基板移送室103の
真空度は1x10-10Torrであった。２−６族半導体成長用
のMBE成長室104において、Zn層3上にClドープn型Mg0.27
(Zn0.48Cd0.52)0.73Seクラッド層14（層厚1000nm、キャ
リア濃度5x1017cm-3）、ノンドープMg0.25(Zn0.48Cd0.5
2)Se0.75光ガイド層15（層厚120nm）、Zn0.5Cd0.5Se活
性層16（層厚6nm）、ノンドープMg0.25(Zn0.48Cd0.52)S
e0.75光ガイド層17（層厚120nm）、Nドープp型Mg0.27(Z
n0.48Cd0.52)0.73Seクラッド層18（層厚1000nm、キャリ
ア濃度1x1017cm-3）、Nドープp型ZnSe0.5Te0.5層19（層
厚25nm、キャリア濃度3x1017cm-3）、Nドープp型ZnTe層
コンタクト層20（層厚20nm、キャリア濃度5x1018cm-3）
を順次形成した。MBE成長の原料にはZnSe、ZnS、Mg、Cd
SeおよびZnTeを用いた。n型ドーパント原料にはZnCl2、
p型ドーパントには高周波放電にょり生成されたN2ラジ
カルを用いた。本発明により作製した半導体発光素子に
おける積層欠陥密度は1x10-3cm-2であった。

【００１９】（実施の形態３）第3の発明による半導体
発光素子の製造方法の概略と成長装置の概念図を図3に
示す。成長は分子線エピタキシャル成長（MBE)法を用い
た。基板にはSiドープｎ型のGaAs(001)基板1（キャリア
濃度1x1018cm-3）を用いた。基板はまず、ロードロック
室101を介して、３−５族半導体成長用のMBE成長室102
に搬送した。Asビームを照射しながらGaAs基板1を600℃
まで加熱して自然酸化膜の除去を行った後、Ga、Asおよ
びSiビームを照射することによりSiドープGaAsバッファ
層2（層厚500nm、キャリア濃度1x1018cm-3)を成長し
た。GaおよびAsビーム強度はそれぞれ3x10-7および1x10
-5Torrであった。

【００２０】次に、基板1を基板移送室103を介してZnセ
ルを備えた成長室105に搬送した。成長室105において、
バッファ層2の表面上に、基板温度250℃でZnビームを照
射することによりZn層3を形成した。Znビーム強度は1x1
0-7Torr、照射時間は5分間であった。このとき、試料表
面再構成が(2x4)再構成から(1x4)再構成に変化すること
が高速電子線回折により確認された。

【００２１】次に、GaAsバッファ層2およびZn層3を形成
した基板1を基板移送室103を介して２−６族半導体成長
用のMBE成長室104に搬送した。基板移送室の真空度は1x
10-10Torrであった。２−６族半導体成長用のMBE成長室
104において、Zn層3上にClドープn型ZnSe層4（層厚25n
m、キャリア濃度1x1018cm-3）、Clドープn型Zn0.9Mg0.1
S0.2Se0.8クラッド層5（層厚1000nm、キャリア濃度5x10
17cm-3）、ノンドープZnS0.07Se0.93光ガイド層6（層厚
120nm）、Zn0.8Cd0.2Se活性層7（層厚6nm）、ノンドー
プZnS0.07Se0.93光ガイド層8（層厚120nm）、Nドープp
型Zn0.9Mg0.1S0.2Se0.8クラッド層9（層厚1000nm、キャ
リア濃度1x1017cm-3）、Nドープp型ZnSe層10（層厚25n
m、キャリア濃度3x1017cm-3）、Nドープp型ZnTe層コン
タクト層11（層厚20nm、キャリア濃度5x1018cm-3）を順
次形成した。MBE成長の原料にはZnSe、ZnS、Mg、CdSeお
よびZnTeを用いた。n型ドーパント原料にはZnCl2、p型
ドーパントには高周波放電にょり生成されたN2ラジカル
を用いた。本発明により作製した半導体発光素子におけ
る積層欠陥密度は1x10-3cm-2であった。

【００２２】（実施の形態４）第4の発明による半導体
発光素子の製造方法の概略と成長装置の概念図を図4に
示す。成長は分子線エピタキシャル成長（MBE)法を用い
た。基板にはSiドープｎ型のInP(001)基板12（キャリア
濃度1x1018cm-3）を用いた。基板はまず、ロードロック
室101を介して、３−５族半導体成長用のMBE成長室102
に搬送した。Asビームを照射しながらInP基板12を520℃
まで加熱して自然酸化膜の除去を行った後、In、Ga、As
およびSiビームを照射することによりSiドープIn0.47Ga
0.53Asバッファ層13（層厚500nm、キャリア濃度1x1018c
m-3)を成長した。In、GaおよびAsビーム強度はそれぞれ
3x10-7、3x10-7および1x10-5Torrであった。

【００２３】次に、InGaAsバッファ層13を形成した基板
1を基板移送室103を介してZnセルを備えた成長室105に
搬送した。成長室105において、InGaAsバッファ層13の
表面上に、基板温度250℃でZnビームを照射することに
よりZn層3を形成した。Znビーム強度は1x10-7Torr、照
射時間は5分間であった。このとき、試料表面再構成が
(2x4)再構成から(1x4)再構成に変化することが高速電子
線回折により確認された。

【００２４】次に、In0.5Ga0.5Asバッファ層13およびZn
層3を形成した基板12を基板移送室103を介して２−６族
半導体成長用のMBE成長室104に搬送した。基板移送室10
3の真空度は1x10-10Torrであった。２−６族半導体成長
用のMBE成長室104において、Zn層3上にClドープn型Mg0.
27(Zn0.48Cd0.52)0.73Seクラッド層14（層厚1000nm、キ
ャリア濃度5x1017cm-3）、ノンドープMg0.25(Zn0.48Cd
0.52)Se0.75光ガイド層15（層厚120nm）、Zn0.5Cd0.5Se
活性層16（層厚6nm）、ノンドープMg0.25(Zn0.48Cd0.5
2)Se0.75光ガイド層17（層厚120nm）、Nドープp型Mg0.2
7(Zn0.48Cd0.52)0.73Seクラッド層18層厚1000nm、キャ
リア濃度1x1017cm-3）、Nドープp型ZnSe0.5Te0.5層19
（層厚25nm、キャリア濃度3x1017cm-3）、Nドープp型Zn
Te層コンタクト層20（層厚20nm、キャリア濃度5x1018cm
-3）を順次形成した。MBE成長の原料にはZnSe、ZnS、M
g、CdSeおよびZnTeを用いた。n型ドーパント原料にはZn
Cl2、p型ドーパントには高周波放電にょり生成されたN2
ラジカルを用いた。本発明により作製した半導体発光素
子における積層欠陥密度は1x10-3cm-2であった。

【００２５】（実施の形態５）第5の発明による半導体
発光素子の製造方法の概略と製造装置の概念図を図5に
示す。成長は分子線エピタキシャル成長（MBE)法を用い
た。基板にはSiドープｎ型のGaAs(001)基板1（キャリア
濃度1x1018cm-3）を用いた。基板はまず、ロードロック
室101を介して、３−５族半導体成長用のMBE成長室102
に搬送した。３−５族半導体成長用のMBE成長室102に
は、Al、Ga、As、SiおよびZnを蒸発させるためのセルが
備えられている。Asビームを照射しながらGaAs基板1を6
00℃まで加熱して自然酸化膜の除去を行った後、Ga、As
およびSiビームを照射することによりSiドープGaAsバッ
ファ層2（層厚500nm、キャリア濃度1x1018cm-3)を成長
した。GaおよびAsビーム強度はそれぞれ3x10-7および1x
10-5Torrであった。次に、成長室102においてAl、Ga、A
sおよびSiビームを照射することによりSiドープｎ型Al
0.3Ga0.7As層（層厚500nm、キャリア濃度1x1018cm-3)21
を成長した。次に、成長室102においてAl0.3Ga0.7As層2
1の表面上に、基板温度250℃でZnビームを照射すること
によりZn層3を形成した。Znビーム強度は1x10-7Torr、
照射時間は5分間であった。このとき、試料表面再構成
が(2x4)再構成から(1x4)再構成に変化することが高速電
子線回折により確認された。

【００２６】GaAsバッファ層2、Al0.3Ga0.7As層21およ
びZn層3を形成した基板1を基板移送室103を介して２−
６族半導体成長用のMBE成長室104に搬送した。基板移送
室103の真空度は1x10-10Torrであった。２−６族半導体
成長用のMBE成長室104において、Zn層3上にClドープn型
ZnSe層4（層厚25nm、キャリア濃度1x1018cm-3）、Clド
ープn型Zn0.9Mg0.1S0.2Se0.8クラッド層5（層厚1000n
m、キャリア濃度5x1017cm-3）、ノンドープZnS0.07Se0.
93光ガイド層6（層厚120nm）、Zn0.8Cd0.2Se活性層7
（層厚6nm）、ノンドープZnS0.07Se0.93光ガイド層8
（層厚120nm）、Nドープp型Zn0.9Mg0.1S0.2Se0.8クラッ
ド層9（層厚1000nm、キャリア濃度1x1017cm-3）、Nドー
プp型ZnSe層10（層厚25nm、キャリア濃度3x1017cm-
3）、Nドープp型ZnTe層コンタクト層11（層厚20nm、キ
ャリア濃度5x1018cm-3）を順次形成した。MBE成長の原
料にはZnSe、ZnS、Mg、CdSeおよびZnTeを用いた。n型ド
ーパント原料にはZnCl2、p型ドーパントには高周波放電
にょり生成されたN2ラジカルを用いた。本発明により作
製した半導体発光素子における積層欠陥密度は1x10^-3cm
^-2であった。

【００２７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、３−５族
化合物半導体層の上にＺｎを照射した後に２−６族化合
物半導体層を形成することによって欠陥密度を低減する
ことができ、その結果、青色までの波長において発光可
能な半導体レーザの信頼性を向上させることが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第1の発明の実施の形態による半導体製造方法
と製造装置を示す図

【図２】第2の発明の実施の形態による半導体製造方法
と製造装置を示す図

【図３】第3の発明の実施の形態による半導体製造方法
と製造装置を示す図

【図４】第4の発明の実施の形態による半導体製造方法
と製造装置を示す図

【図５】第5の発明の実施の形態による半導体製造方法
と製造装置を示す図

【符号の説明】

１ ｎ型GaAs基板 ２ Siドープｎ型GaAsバッファ層 ３ Zn層 ４ Clドープｎ型ZnSe層 ５ Clドープｎ型ZnMgSSeクラッド層 ６ ノンドープZnSSe光ガイド層 ７ ZnCdSe活性層 ８ ノンドープZnSSe光ガイド層 ９ Ｎドープｐ型ZnMgSSeクラッド層 １０ Ｎドープｐ型ZnSe層 １１ Ｎドープｐ型ZnTeコンタクト層 １２ ｎ型InP基板 １３ Siドープｎ型InGaAsバッファ層 １４ Clドープｎ型MgZnCdSeクラッド層 １５ ノンドープMgZnCdSe光ガイド層 １６ ZnCdSe活性層 １７ ノンドープMgZnCdSe光ガイド層 １８ Ｎドープｐ型MgZnCdSeクラッド層 １９ Ｎドープｐ型ZnSeTe層 ２０ Ｎドープｐ型ZnTeコンタクト層 ２１ Siドープｎ型AlGaAs層 １０１ ロードロック室 １０２ III-V族半導体成長室 １０３ 基板移送室 １０４ II-VI族半導体成長室 １０５ Zn成長用成長室

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】分子線エピタキシャル成長法を用いたZnSe
   系半導体発光素子用半導体結晶を形成する結晶成長法に
   おいて、III−Ｖ族半導体結晶を作製する第1の成長室
   と、ZnSe系II−VI族半導体結晶を作製する第2の成長室
   と、前記第1の成長室と第2の成長室を連結する基板移送
   室を有し、前記第1の成長室内にZn原料を蒸発させるた
   めのセルを設置することを特徴とする半導体結晶成長装
   置。
2. 【請求項２】第1の成長室においてGaAs基板上にGaAsエ
   ピタキシャル層を形成し、前記GaAsエピタキシャル成長
   層上にZn層を形成した後、基板移送室を介してGaAs基板
   を第2の成長室に搬送し、ZnSe系半導体発光素子用半導
   体結晶を形成することを特徴とする半導体結晶製造方
   法。
3. 【請求項３】第1の成長室においてInP基板上にInGaAsエ
   ピタキシャル層を形成し、前記InGaAsエピタキシャル成
   長層上にZn層を形成した後、基板移送室を介してInP基
   板を第2の成長室に搬送し、ZnSe系半導体発光素子用半
   導体結晶を形成することを特徴とする半導体結晶製造方
   法。
4. 【請求項４】第1の成長室においてGaAs基板上にGaAsエ
   ピタキシャル層を形成し、前記GaAsエピタキシャル成長
   層上にAlxGa1-xAs（0<x≦1）層を形成し、上記AlxGa1-x
   As（0<x≦1）層上にZn層を形成した後、基板移送室を介
   してGaAs基板を第2の成長室に搬送し、ZnSe系半導体発
   光素子用半導体結晶を形成することを特徴とする半導体
   結晶製造方法。
5. 【請求項５】分子線エピタキシャル成長法を用いたZnSe
   系半導体発光素子用半導体結晶を形成する結晶成長法に
   おいて、III−Ｖ族半導体結晶を作製する第1の成長室
   と、ZnSe系II−VI族半導体結晶を作製する第2の成長室
   と、Zn原料を蒸発させるためのセルが設置された第3の
   成長室と、前記第1の成長室と第2の成長室と第3の成長
   室を連結する基板移送室を有することを特徴とする半導
   体結晶成長装置。
6. 【請求項６】第1の成長室においてGaAs基板上にGaAsエ
   ピタキシャル層を形成した後、基板移送室を介してGaAs
   基板を前記第3の成長室に搬送し、前記GaAsエピタキシ
   ャル成長層上にZn層を形成した後、基板移送室を介して
   GaAs基板を第2の成長室に搬送し、ZnSe系半導体発光素
   子用半導体結晶を形成することを特徴とする半導体結晶
   製造方法。
7. 【請求項７】第1の成長室においてInP基板上にInGaAsエ
   ピタキシャル層を形成した後、基板移送室を介してInP
   基板を前記第3の成長室に搬送し、前記InGaAsエピタキ
   シャル成長層上にZn層を形成した後、基板移送室を介し
   てInP基板を第2の成長室に搬送し、ZnSe系半導体発光素
   子用半導体結晶を形成することを特徴とする半導体結晶
   製造方法。
8. 【請求項８】Zn層の厚さが1原子層であることを特徴と
   する請求項２、３、４、６、７のいずれかに記載の半導
   体結晶製造方法。
9. 【請求項９】表面再構成が(2x4)再構成であるGaAsエピ
   タキシャル層表面にZn層を形成することを特徴とする請
   求項２または６に記載の半導体結晶製造方法。
10. 【請求項１０】Zn層を形成した後の表面再構成が(1x4)
    再構成であることを特徴とする請求項２または６に記載
    の半導体結晶製造方法。
11. 【請求項１１】表面再構成が(2x4)再構成であるInGaAs
    エピタキシャル層表面にZn層を形成することを特徴とす
    る請求項３または７に記載の半導体結晶製造方法。
12. 【請求項１２】GaAs基板上にZn層を有し、上記Zn層上に
    ZnSe系のII−VI族半導体により構成される発光素子を有
    することを特徴とする半導体発光素子。
13. 【請求項１３】InP基板上にInGaAs層を有し、上記InGaA
    s層上にZn層を有し、上記Zn層上にII−VI族半導体によ
    り構成される発光素子を有することを特徴とする半導体
    発光素子。
14. 【請求項１４】GaAs基板上にAlxGa1-xAs（0<x≦1）層を
    有し、上記AlxGa1-xAs（0<x≦1）層上にZn層を有し、上
    記Zn層上にZnSe系のII−VI族半導体により構成される発
    光素子を有することを特徴とする半導体発光素子。
15. 【請求項１５】Zn層の厚さが1原子層であることを特徴
    とする請求項１２、１３または１４に記載の半導体発光
    素子。