JPH09315849A - アルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子及び その製造方法 - Google Patents
アルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子及び その製造方法Info
- Publication number
- JPH09315849A JPH09315849A JP8154781A JP15478196A JPH09315849A JP H09315849 A JPH09315849 A JP H09315849A JP 8154781 A JP8154781 A JP 8154781A JP 15478196 A JP15478196 A JP 15478196A JP H09315849 A JPH09315849 A JP H09315849A
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- Japan
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- alumina
- insulator
- spark plug
- sintered body
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分とするアル
ミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子の有する優
れた諸特性を十分に維持しつつ、更にその熱伝導性を高
め、放熱性を向上させる。 【解決手段】 アルミナ質セラミックスにおいては、セ
ラミックス構成成分より算出される密度に対する嵩密度
の比率（×１００％）を９８％以上（相対密度）とし、
更に上記アルミナ質セラミックスにおけるアルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％以上とすることによっ
て、例えばスパークプラグ用絶縁碍子に使用されるアル
ミナ質セラミックの有する諸特性を損なうことなく熱伝
導率を高めて放熱性を確実に向上させることができ、耐
プレイグニッション性を向上させることができるる。
ミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子の有する優
れた諸特性を十分に維持しつつ、更にその熱伝導性を高
め、放熱性を向上させる。 【解決手段】 アルミナ質セラミックスにおいては、セ
ラミックス構成成分より算出される密度に対する嵩密度
の比率（×１００％）を９８％以上（相対密度）とし、
更に上記アルミナ質セラミックスにおけるアルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％以上とすることによっ
て、例えばスパークプラグ用絶縁碍子に使用されるアル
ミナ質セラミックの有する諸特性を損なうことなく熱伝
導率を高めて放熱性を確実に向上させることができ、耐
プレイグニッション性を向上させることができるる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板又は
内燃機関用スパークプラグの絶縁碍子等の放熱又は熱伝
導を要求される部位に使用されるアルミナ質焼結体又は
スパークプラグ用絶縁碍子とその製造方法に関する。
内燃機関用スパークプラグの絶縁碍子等の放熱又は熱伝
導を要求される部位に使用されるアルミナ質焼結体又は
スパークプラグ用絶縁碍子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板又は内燃機関用スパー
クプラグの絶縁碍子等の放熱又は熱伝導を要求される部
位に使用されるアルミナ質焼結体又はスパークプラグ用
絶縁碍子においては、優れた耐熱性、高い熱伝導率によ
る効率的な放熱性、熱膨張変化の小ささによる半導体チ
ップの直接搭載の容易性及び電気特性に優れ、機械的強
度が高い等の諸特性を満たすアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を
主成分としたものが一般的に使用されている。
クプラグの絶縁碍子等の放熱又は熱伝導を要求される部
位に使用されるアルミナ質焼結体又はスパークプラグ用
絶縁碍子においては、優れた耐熱性、高い熱伝導率によ
る効率的な放熱性、熱膨張変化の小ささによる半導体チ
ップの直接搭載の容易性及び電気特性に優れ、機械的強
度が高い等の諸特性を満たすアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を
主成分としたものが一般的に使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体基板又は内燃機関用スパークプラグの絶縁碍子等の
放熱又は熱伝導を要求される部位に使用されるアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分としたアルミナ質焼結体又はス
パークプラグ用絶縁碍子においては、近年、半導体又は
ターボチャージャー等の補機類の装着による内燃機関の
高性能化に伴って半導体自体又は内燃機関の発生する熱
量は著しく増加することとなった結果、この半導体を構
成する半導体基板又はスパークプラグを構成する絶縁体
碍子が受けることとなる熱量も大幅に増加し、半導体を
構成する半導体基板又は内燃機関に装着されるスパーク
プラグ用絶縁体碍子においては、更に高い放熱性を有す
ることが要求されるものとなる。
導体基板又は内燃機関用スパークプラグの絶縁碍子等の
放熱又は熱伝導を要求される部位に使用されるアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分としたアルミナ質焼結体又はス
パークプラグ用絶縁碍子においては、近年、半導体又は
ターボチャージャー等の補機類の装着による内燃機関の
高性能化に伴って半導体自体又は内燃機関の発生する熱
量は著しく増加することとなった結果、この半導体を構
成する半導体基板又はスパークプラグを構成する絶縁体
碍子が受けることとなる熱量も大幅に増加し、半導体を
構成する半導体基板又は内燃機関に装着されるスパーク
プラグ用絶縁体碍子においては、更に高い放熱性を有す
ることが要求されるものとなる。
【０００４】特に、最近の内燃機関では、出力や燃費の
向上軽量化等を目的として内燃機関の小型化が図られて
おり、この内燃機関に装着されることとなるスパークプ
ラグにおいても４バブル化による取付スペースの縮小に
伴って小型化が要求されることとなるため、現状のアル
ミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分とするスパークプラグ用絶
縁碍子では、小型化された絶縁碍子によっては放熱性を
十分に確保することができず、また絶縁体脚長部の脚長
を多く取れないため自己清浄性を発揮し難くなる等か
ら、絶縁体脚長部の耐汚損性が著しく低下してしまう欠
点がある。
向上軽量化等を目的として内燃機関の小型化が図られて
おり、この内燃機関に装着されることとなるスパークプ
ラグにおいても４バブル化による取付スペースの縮小に
伴って小型化が要求されることとなるため、現状のアル
ミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分とするスパークプラグ用絶
縁碍子では、小型化された絶縁碍子によっては放熱性を
十分に確保することができず、また絶縁体脚長部の脚長
を多く取れないため自己清浄性を発揮し難くなる等か
ら、絶縁体脚長部の耐汚損性が著しく低下してしまう欠
点がある。
【０００５】そこで、この発明は上記従来のものの持つ
欠点を改善するものであり、半導体基板又は内燃機関用
スパークプラグの絶縁碍子等の放熱又は熱伝導を要求さ
れる部位に使用されるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分
とするアルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子
の有する優れた諸特性を十分に維持しつつ、更にその熱
伝導率を高めて放熱性を向上させようとするものであ
る。
欠点を改善するものであり、半導体基板又は内燃機関用
スパークプラグの絶縁碍子等の放熱又は熱伝導を要求さ
れる部位に使用されるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分
とするアルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子
の有する優れた諸特性を十分に維持しつつ、更にその熱
伝導率を高めて放熱性を向上させようとするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そのために、アルミナ質
焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子に使用されるアル
ミナ質セラミックスにおいては、セラミックス構成成分
より算出される密度に対する嵩密度の比率（×１００
％）すなわち、嵩密度／算出密度×１００を９８％以上
（相対密度）とし、更に上記アルミナ質セラミックスに
おけるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％以
上とするものである。なお、ここでいう嵩密度とは、粒
子間に生ずる空隙を含む体積を基準とした密度をいい、
一般には物体の体積を測定して定める。
焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子に使用されるアル
ミナ質セラミックスにおいては、セラミックス構成成分
より算出される密度に対する嵩密度の比率（×１００
％）すなわち、嵩密度／算出密度×１００を９８％以上
（相対密度）とし、更に上記アルミナ質セラミックスに
おけるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％以
上とするものである。なお、ここでいう嵩密度とは、粒
子間に生ずる空隙を含む体積を基準とした密度をいい、
一般には物体の体積を測定して定める。
【０００７】また、このアルミナ質焼結体又はスパーク
プラグ用絶縁碍子に使用されるアルミナ質セラミックス
においては、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分とし、こ
れにＳｉ、Ｃａ若しくはＭｇの酸化物或は炭酸塩、又は
これらの混合物を混合するアルミナ質セラミックスを所
定形状に成形した後、この成形物を窒素又はアルゴンガ
ス等の非酸化雰囲気中で１５００〜１７００℃で焼結さ
せて製造してなるものである。
プラグ用絶縁碍子に使用されるアルミナ質セラミックス
においては、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分とし、こ
れにＳｉ、Ｃａ若しくはＭｇの酸化物或は炭酸塩、又は
これらの混合物を混合するアルミナ質セラミックスを所
定形状に成形した後、この成形物を窒素又はアルゴンガ
ス等の非酸化雰囲気中で１５００〜１７００℃で焼結さ
せて製造してなるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】この発明を実施するにあたって、
アルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子に使用
されるアルミナ質セラミックスにおいては、セラミック
ス構成成分より算出される密度に対する嵩密度の比率
（×１００％）を９８％以上の相対密度とすることで熱
伝導率が高められるので、増加する受熱量に対する半導
体基板又はスパークプラグ用絶縁碍子の放熱性を十分に
向上させることができる。
アルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子に使用
されるアルミナ質セラミックスにおいては、セラミック
ス構成成分より算出される密度に対する嵩密度の比率
（×１００％）を９８％以上の相対密度とすることで熱
伝導率が高められるので、増加する受熱量に対する半導
体基板又はスパークプラグ用絶縁碍子の放熱性を十分に
向上させることができる。
【０００９】また、上記アルミナ質焼結体又はスパーク
プラグ用絶縁碍子に使用されるアルミナ質セラミックス
におけるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％
以上とすることにより、アルミナの含有率が９０ｗｔ％
以下であるとアルミナ質セラミックスの熱伝導を阻害す
る原因となるアルミナの粒界相生成物の顕著な発生を抑
制することができるので、確実に熱伝導を行うことがで
きるものとなる。
プラグ用絶縁碍子に使用されるアルミナ質セラミックス
におけるアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％
以上とすることにより、アルミナの含有率が９０ｗｔ％
以下であるとアルミナ質セラミックスの熱伝導を阻害す
る原因となるアルミナの粒界相生成物の顕著な発生を抑
制することができるので、確実に熱伝導を行うことがで
きるものとなる。
【００１０】
【実施例】この発明を図に示す実施例により更に説明す
る。（１）は、この発明の実施例であるスパークプラグ
用絶縁碍子であり、このスパークプラグ用絶縁碍子
（１）は、コルゲーション部（２）、絶縁体胴部（３）
及びその軸孔内において後端に配する端子電極と共に抵
抗体を挟持しつつ加熱、封着する導電性のガラスシール
材により中心電極を先端より突出して固持することとな
る絶縁体脚長部（４）から構成されるものである。
る。（１）は、この発明の実施例であるスパークプラグ
用絶縁碍子であり、このスパークプラグ用絶縁碍子
（１）は、コルゲーション部（２）、絶縁体胴部（３）
及びその軸孔内において後端に配する端子電極と共に抵
抗体を挟持しつつ加熱、封着する導電性のガラスシール
材により中心電極を先端より突出して固持することとな
る絶縁体脚長部（４）から構成されるものである。
【００１１】そして、スパークプラグ用絶縁碍子（１）
に使用されるアルミナ質セラミックスにおいては、セラ
ミックス構成成分より算出される密度に対する嵩密度
（相対密度）の比率（×１００％）を９８％以上の相対
密度とし、また上記アルミナ質セラミックスにおけるア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％以上とする
ものである。
に使用されるアルミナ質セラミックスにおいては、セラ
ミックス構成成分より算出される密度に対する嵩密度
（相対密度）の比率（×１００％）を９８％以上の相対
密度とし、また上記アルミナ質セラミックスにおけるア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％以上とする
ものである。
【００１２】この発明の第１実施例である内燃機関用ス
パークプラグに使用されるスパークプラグ用絶縁碍子
（１）は以上の構成を具えるので、セラミックス構成成
分より算出される密度に対する嵩密度の比率（×１００
％）を９８％以上の相対密度とすることにより、このス
パークプラグ用絶縁碍子（１）の有する熱伝導率が高め
られるので、内燃機関の高性能化に伴って増加する受熱
量に対するスパークプラグ用絶縁碍子（１）の放熱性を
十分に向上させることができることから、内燃機関の小
型化の要求に伴うスパークプラグを構成するスパークプ
ラグ用絶縁碍子（１）の小型化に起因する熱伝導率の低
下による放熱性の悪化に対応することができるものとな
ると共に、絶縁体脚長部（４）を長められることから耐
汚損性をも向上させることができる。
パークプラグに使用されるスパークプラグ用絶縁碍子
（１）は以上の構成を具えるので、セラミックス構成成
分より算出される密度に対する嵩密度の比率（×１００
％）を９８％以上の相対密度とすることにより、このス
パークプラグ用絶縁碍子（１）の有する熱伝導率が高め
られるので、内燃機関の高性能化に伴って増加する受熱
量に対するスパークプラグ用絶縁碍子（１）の放熱性を
十分に向上させることができることから、内燃機関の小
型化の要求に伴うスパークプラグを構成するスパークプ
ラグ用絶縁碍子（１）の小型化に起因する熱伝導率の低
下による放熱性の悪化に対応することができるものとな
ると共に、絶縁体脚長部（４）を長められることから耐
汚損性をも向上させることができる。
【００１３】また、上記スパークプラグ用絶縁碍子
（１）に使用されるアルミナ質セラミックスにおけるア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％以上とする
ことで、アルミナの含有率が９０ｗｔ％以下であるとア
ルミナ質セラミックスの熱伝導を阻害する原因となるア
ルミナの粒界相生成物の顕著な発生を抑制することがで
きるので、スパークプラグ用絶縁碍子（１）における熱
伝導をより確実に行うことができる。
（１）に使用されるアルミナ質セラミックスにおけるア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の含有率を９０ｗｔ％以上とする
ことで、アルミナの含有率が９０ｗｔ％以下であるとア
ルミナ質セラミックスの熱伝導を阻害する原因となるア
ルミナの粒界相生成物の顕著な発生を抑制することがで
きるので、スパークプラグ用絶縁碍子（１）における熱
伝導をより確実に行うことができる。
【００１４】なお、上記実施例で説明したスパークプラ
グ用絶縁碍子（１）に使用されるアルミナ質セラミック
スを、半導体基板において使用することとしても、上記
スパークプラグ用絶縁碍子（１）と同様に、この半導体
基板の熱伝導率を高めて放熱性を十分に確保することが
できるようになると共に、熱伝導の阻害原因となるアル
ミナの粒界相生成物の顕著な発生を抑制して確実に熱伝
導を行うことができる。
グ用絶縁碍子（１）に使用されるアルミナ質セラミック
スを、半導体基板において使用することとしても、上記
スパークプラグ用絶縁碍子（１）と同様に、この半導体
基板の熱伝導率を高めて放熱性を十分に確保することが
できるようになると共に、熱伝導の阻害原因となるアル
ミナの粒界相生成物の顕著な発生を抑制して確実に熱伝
導を行うことができる。
【００１５】また、上述した半導体基板のアルミナ質焼
結体又はスパークプラグ用絶縁碍子（１）において使用
されるアルミナ質セラミックスにおいては、アルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分とし、この主成分となるアルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）に対してＳｉ、Ｃａ若しくはＭｇの酸
化物或は炭酸塩、又はこれらの混合物を混合するアルミ
ナ質セラミックスを所定形状に成形した後、この成形物
を窒素又はアルゴンガス等の非酸化雰囲気中で１５００
〜１７００℃で焼結、或は加圧焼成させて製造してなる
ものである、。
結体又はスパークプラグ用絶縁碍子（１）において使用
されるアルミナ質セラミックスにおいては、アルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分とし、この主成分となるアルミ
ナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）に対してＳｉ、Ｃａ若しくはＭｇの酸
化物或は炭酸塩、又はこれらの混合物を混合するアルミ
ナ質セラミックスを所定形状に成形した後、この成形物
を窒素又はアルゴンガス等の非酸化雰囲気中で１５００
〜１７００℃で焼結、或は加圧焼成させて製造してなる
ものである、。
【００１６】そこで、この発明の効果を確認するため
に、主成分であるアルミナ粉末（純度９９．０％以上、
平均粒径１．５μｍ）の配合量を８８．０，９０．０，
９３．０，及び９５．０ｗｔ％とした上ＳｉＯ2 、Ｃａ
ＣＯ3 及びＭｇＯ（いずれも平均粒径２μｍ以下、純度
９８．５％以上）を任意に配合し、バインダーとしての
ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）を原料配合物１００
に対して１加え、適宜水分を添加した後、アルミナポッ
トにおいて１０時間混合した上で、これによりできあが
ったスラリーをスプレードドライヤーにより造粒し、造
粒粉末を得る。そして、この造粒粉末を、まずスパーク
プラグ用絶縁体素地成形用ラバープレスゴム型内に投入
し、中穴用中子を挿入し、上蓋を閉じて約１００ＭＰａ
の圧力で成形プレスすると共にしレジノイド砥石により
スパークプラグ用絶縁碍子に研削加工するものであり、
一方では内径φ５０の金型内で厚さ５ｍｍに成形してな
るものである。更に、このスパークプラグ用絶縁碍子
（１）及びφ５０、厚さ５ｍｍに成形された成形物を大
気中６００℃、１ｈｒ仮焼して脱バインダー工程を施し
た後にこの発明の実施例のように窒素ガスによる非酸化
雰囲気中で１５００〜１７００℃で焼結させてなるもの
であり（実施例１〜４）、またこの発明の実施例との比
較を行うため同様の成形物を大気中１５００〜１７００
℃で焼結を行い比較例５〜８を製造した。
に、主成分であるアルミナ粉末（純度９９．０％以上、
平均粒径１．５μｍ）の配合量を８８．０，９０．０，
９３．０，及び９５．０ｗｔ％とした上ＳｉＯ2 、Ｃａ
ＣＯ3 及びＭｇＯ（いずれも平均粒径２μｍ以下、純度
９８．５％以上）を任意に配合し、バインダーとしての
ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）を原料配合物１００
に対して１加え、適宜水分を添加した後、アルミナポッ
トにおいて１０時間混合した上で、これによりできあが
ったスラリーをスプレードドライヤーにより造粒し、造
粒粉末を得る。そして、この造粒粉末を、まずスパーク
プラグ用絶縁体素地成形用ラバープレスゴム型内に投入
し、中穴用中子を挿入し、上蓋を閉じて約１００ＭＰａ
の圧力で成形プレスすると共にしレジノイド砥石により
スパークプラグ用絶縁碍子に研削加工するものであり、
一方では内径φ５０の金型内で厚さ５ｍｍに成形してな
るものである。更に、このスパークプラグ用絶縁碍子
（１）及びφ５０、厚さ５ｍｍに成形された成形物を大
気中６００℃、１ｈｒ仮焼して脱バインダー工程を施し
た後にこの発明の実施例のように窒素ガスによる非酸化
雰囲気中で１５００〜１７００℃で焼結させてなるもの
であり（実施例１〜４）、またこの発明の実施例との比
較を行うため同様の成形物を大気中１５００〜１７００
℃で焼結を行い比較例５〜８を製造した。
【００１７】その上で、嵩密度はφ５０ｍｍの円板のテ
ストピースを用いてアルキメデス法により求めた。機械
強度は上記テストピースより幅×厚さ×長さ＝４ｍｍ×
３ｍｍ×５ｍｍの角棒テストピースを切り出し、＃６０
０以上の砥石により面取りを行った上で４点曲げにより
強度を測定して求めた。絶縁性は端子電極及び中心電極
を軸孔内に保持するスパークプラグ用絶縁碍子を主体金
具に組付けたスパークプラグを７００℃の大気中に保持
し、２０分後に端子電極と主体金具間に高絶縁抵抗計
（１０００Ｖ印加）により測定し、また熱伝導率はφ５
０ｍｍのテストピースからφ１０、厚さ２ｍｍの円板を
切り出して両面を研削後レーザーフラッシュ法により常
温（２５℃）での熱伝導率を求めた。更にその他の化学
成分はφ５０ｍｍのテストピースの円板形状品を蛍光Ｘ
線による検量法によって測定したものである。その結果
を示した図２により、セラミックス構成成分より算出さ
れる密度に対する嵩密度の比率（×１００％）を９８％
以上の相対密度とすることにより熱伝導率が向上する一
方で、機械強度及び絶縁性の低下が見られず、またアル
ミナの含有率が９０ｗｔ％以下であると、このような効
果が得られないことから十分にこの発明の効果が確認さ
れた。
ストピースを用いてアルキメデス法により求めた。機械
強度は上記テストピースより幅×厚さ×長さ＝４ｍｍ×
３ｍｍ×５ｍｍの角棒テストピースを切り出し、＃６０
０以上の砥石により面取りを行った上で４点曲げにより
強度を測定して求めた。絶縁性は端子電極及び中心電極
を軸孔内に保持するスパークプラグ用絶縁碍子を主体金
具に組付けたスパークプラグを７００℃の大気中に保持
し、２０分後に端子電極と主体金具間に高絶縁抵抗計
（１０００Ｖ印加）により測定し、また熱伝導率はφ５
０ｍｍのテストピースからφ１０、厚さ２ｍｍの円板を
切り出して両面を研削後レーザーフラッシュ法により常
温（２５℃）での熱伝導率を求めた。更にその他の化学
成分はφ５０ｍｍのテストピースの円板形状品を蛍光Ｘ
線による検量法によって測定したものである。その結果
を示した図２により、セラミックス構成成分より算出さ
れる密度に対する嵩密度の比率（×１００％）を９８％
以上の相対密度とすることにより熱伝導率が向上する一
方で、機械強度及び絶縁性の低下が見られず、またアル
ミナの含有率が９０ｗｔ％以下であると、このような効
果が得られないことから十分にこの発明の効果が確認さ
れた。
【００１８】そして、図３においては、この発明の実施
例であるスパークプラグ用絶縁碍子（１）の軸孔内に端
子電極及び中心電極を固着した絶縁端子を主体金具に組
付けたスパークプラグを４サイクル、単気筒、２５０ｃ
ｃの実機に装着した上でプレイグニッションテストをお
こなったところ、耐熱性が５°〜７．５°向上した結果
スパークプラグのワイド化を図ることができるものとな
ることが明かとなり、この発明の効果が十分に確認され
た。
例であるスパークプラグ用絶縁碍子（１）の軸孔内に端
子電極及び中心電極を固着した絶縁端子を主体金具に組
付けたスパークプラグを４サイクル、単気筒、２５０ｃ
ｃの実機に装着した上でプレイグニッションテストをお
こなったところ、耐熱性が５°〜７．５°向上した結果
スパークプラグのワイド化を図ることができるものとな
ることが明かとなり、この発明の効果が十分に確認され
た。
【００１９】
【発明の効果】以上のとおり、アルミナ質セラミックの
有する諸特性を損なうことなく熱伝導率を高めて放熱性
を確実に向上させつつ耐汚損性を改善することができる
と共に、耐プレイグニッション性の向上によるスパーク
プラグのワイド化を図ることもできる優れた効果を有す
るものである。
有する諸特性を損なうことなく熱伝導率を高めて放熱性
を確実に向上させつつ耐汚損性を改善することができる
と共に、耐プレイグニッション性の向上によるスパーク
プラグのワイド化を図ることもできる優れた効果を有す
るものである。
【図１】この発明の実施例であるスパークプラグ用絶縁
碍子の正面図である。
碍子の正面図である。
【図２】この発明の実施例であるアルミナ質セラミック
スにおける熱伝導率の測定結果等を示すものである。
スにおける熱伝導率の測定結果等を示すものである。
【図３】この発明の実施例であるスパークプラグ用絶縁
碍子を使用したスパークプラグの実機による耐熱テスト
の結果である。
碍子を使用したスパークプラグの実機による耐熱テスト
の結果である。
１ スパークプラグ用絶縁碍子 ２ コルゲーション部 ３ 絶縁体胴部 ４ 絶縁体脚長部
Claims (3)
- 【請求項１】 アルミナ質セラミックスにおいて、セラ
ミックス構成成分より算出される密度に対する嵩密度の
比率（×１００％）を９８％以上（相対密度）としてな
るアルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子。 - 【請求項２】 上記アルミナ質セラミックスにおけるア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）の含有率を９０ｗｔ％以上として
なる請求項１記載のアルミナ質焼結体又はスパークプラ
グ用絶縁碍子。 - 【請求項３】 アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を主成分とし、
これにＳｉ、Ｃａ若しくはＭｇの酸化物或は炭酸塩、又
はこれらの混合物を混合するアルミナ質セラミックスを
所定形状に成形した後、この成形物を窒素又はアルゴン
ガス等の非酸化雰囲気中で１５００〜１７００℃で焼結
せしめてなるアルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶
縁碍子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8154781A JPH09315849A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | アルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子及び その製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8154781A JPH09315849A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | アルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子及び その製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09315849A true JPH09315849A (ja) | 1997-12-09 |
Family
ID=15591768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8154781A Pending JPH09315849A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | アルミナ質焼結体又はスパークプラグ用絶縁碍子及び その製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09315849A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044266A1 (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Spark plug, alumina insulator for spark plug, and method of manufacturing the same |
| JP2000247729A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ基焼結体 |
| JP2001002464A (ja) * | 1998-11-24 | 2001-01-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 高耐電圧性アルミナ基焼結体及びその製造方法 |
| JP2001048637A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ基焼結体及びその製造方法 |
| JP2009242234A (ja) * | 1998-11-24 | 2009-10-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | スパークプラグ用絶縁体、その製造方法及びそれを用いたスパークプラグ |
-
1996
- 1996-05-28 JP JP8154781A patent/JPH09315849A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044266A1 (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Spark plug, alumina insulator for spark plug, and method of manufacturing the same |
| US6407487B1 (en) | 1998-02-27 | 2002-06-18 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Spark plug, alumina insulator for spark plug, and method of manufacturing the same |
| US6632381B2 (en) | 1998-02-27 | 2003-10-14 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Production process for alumina based insulator |
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| JP2000247729A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ基焼結体 |
| JP2001048637A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ基焼結体及びその製造方法 |
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