JPH09315875A - アルミニウム−セラミックス複合基板及びその製造方法 - Google Patents
アルミニウム−セラミックス複合基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH09315875A JPH09315875A JP15633096A JP15633096A JPH09315875A JP H09315875 A JPH09315875 A JP H09315875A JP 15633096 A JP15633096 A JP 15633096A JP 15633096 A JP15633096 A JP 15633096A JP H09315875 A JPH09315875 A JP H09315875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- substrate
- ceramic
- composite substrate
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3].[AlH3] VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 従来のアルミニウム−セラミックス複合基板
及びその製造法によって得た金属−セラミックス複合基
板はヒートサイクルが２００回以上になるとアルミニウ
ムの表面にしわが発生するという欠点があった。 【解決手段】 アルミニウム−セラミックス複合基板及
びその製造法においては、アルミニウム材の結晶粒径を
１ｍｍ以下とする。
及びその製造法によって得た金属−セラミックス複合基
板はヒートサイクルが２００回以上になるとアルミニウ
ムの表面にしわが発生するという欠点があった。 【解決手段】 アルミニウム−セラミックス複合基板及
びその製造法においては、アルミニウム材の結晶粒径を
１ｍｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュール
等の大電力電子部品の実装に好適な金属−セラミックス
複合基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは特に優
れたヒートサイクル耐量が要求される自動車又は電車用
電子部品の実装に好適な複合基板及びその製造方法を提
供することを目的とする。
等の大電力電子部品の実装に好適な金属−セラミックス
複合基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは特に優
れたヒートサイクル耐量が要求される自動車又は電車用
電子部品の実装に好適な複合基板及びその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワーモジュールのような大電力
電子部品の実装に使用する基板として、セラミックス基
板の表面に銅板を接合して作製された銅張りセラミック
ス複合基板が使用されている。この複合基板は更に、使
用するセラミックス基板の種類やその製造法によって、
銅／アルミナ直接接合基板、銅／窒化アルミニウム直接
接合基板、銅／アルミナろう接基板、及び銅／窒化アル
ミニウムろう接基板に分けられている。
電子部品の実装に使用する基板として、セラミックス基
板の表面に銅板を接合して作製された銅張りセラミック
ス複合基板が使用されている。この複合基板は更に、使
用するセラミックス基板の種類やその製造法によって、
銅／アルミナ直接接合基板、銅／窒化アルミニウム直接
接合基板、銅／アルミナろう接基板、及び銅／窒化アル
ミニウムろう接基板に分けられている。
【０００３】上述のように銅／セラミックス複合基板は
広く使用されるにもかかわらず、製造中及び実用上幾つ
かの問題点がある。その中で最も重大な問題点は、電子
部品の実装及び使用中にセラミックス基板の内部にクラ
ックが形成し、基板の表裏間を電気的に導通することに
よる故障である。
広く使用されるにもかかわらず、製造中及び実用上幾つ
かの問題点がある。その中で最も重大な問題点は、電子
部品の実装及び使用中にセラミックス基板の内部にクラ
ックが形成し、基板の表裏間を電気的に導通することに
よる故障である。
【０００４】これは銅の熱膨張係数がセラミックスの係
数より約一桁大きいことに起因するが、接合の場合、セ
ラミックス基板と銅が１０００℃近くまで加熱され、接
合温度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いによ
り複合基板の内部に多大の熱応力が発生する。
数より約一桁大きいことに起因するが、接合の場合、セ
ラミックス基板と銅が１０００℃近くまで加熱され、接
合温度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いによ
り複合基板の内部に多大の熱応力が発生する。
【０００５】また、パワーモジュール等の電子部品を実
装するときに、銅・セラミックス複合基板は４００℃近
くまで加熱されるため、さらに使用環境や使用中の発熱
により、同複合基板の温度が常に変化し、同複合基板に
変動熱応力が掛けられる。これらの熱応力によってセラ
ミックス基板にクラックが発生する。
装するときに、銅・セラミックス複合基板は４００℃近
くまで加熱されるため、さらに使用環境や使用中の発熱
により、同複合基板の温度が常に変化し、同複合基板に
変動熱応力が掛けられる。これらの熱応力によってセラ
ミックス基板にクラックが発生する。
【０００６】上記複合基板の重要な評価項目の一つにヒ
ートサイクル耐量がある。これは基板を−４０℃から１
２５℃まで繰り返し加熱・冷却する際の熱応力によって
基板にクラックが発生するまでの循環回数で示すもので
あるが、近年、電気自動車用パワーモジュールの開発に
より、ヒートサイクル耐量の優れた複合基板への要望が
特に高まっている。特に、電気自動車や電車のように温
度変化が激しく、振動が大きい使用条件の場合、複合基
板のヒートサイクル耐量が５００回以上必要であると言
われているが、現在使用されている銅・セラミックス複
合基板ではこのような要望には対応できないものであっ
た。
ートサイクル耐量がある。これは基板を−４０℃から１
２５℃まで繰り返し加熱・冷却する際の熱応力によって
基板にクラックが発生するまでの循環回数で示すもので
あるが、近年、電気自動車用パワーモジュールの開発に
より、ヒートサイクル耐量の優れた複合基板への要望が
特に高まっている。特に、電気自動車や電車のように温
度変化が激しく、振動が大きい使用条件の場合、複合基
板のヒートサイクル耐量が５００回以上必要であると言
われているが、現在使用されている銅・セラミックス複
合基板ではこのような要望には対応できないものであっ
た。
【０００７】銅と同じように優れた電気と熱伝導性を有
するアルミニウムを導電回路材料として使う構想は以前
からあり（特開昭５９−１２１８９０号）、アルミニウ
ムとセラミックスをろう材を介して接合するアルミニウ
ム−セラミックス基板についても特開平３−１２５４６
３号、特開平４−１２５５４号に開示されているが、上
述のように高いヒートサイクル耐量が要求される用途に
は依然として充分対応できないものであった。
するアルミニウムを導電回路材料として使う構想は以前
からあり（特開昭５９−１２１８９０号）、アルミニウ
ムとセラミックスをろう材を介して接合するアルミニウ
ム−セラミックス基板についても特開平３−１２５４６
３号、特開平４−１２５５４号に開示されているが、上
述のように高いヒートサイクル耐量が要求される用途に
は依然として充分対応できないものであった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】アルミニウム−セラミ
ックス基板が優れたヒートサイクル耐量を持つ一方、ヒ
ートサイクルが２００回以上になるとアルミニウムの表
面にしわが発生し始め、その上に搭載する電子部品に悪
影響を及ぼす恐れがあるという問題があった。
ックス基板が優れたヒートサイクル耐量を持つ一方、ヒ
ートサイクルが２００回以上になるとアルミニウムの表
面にしわが発生し始め、その上に搭載する電子部品に悪
影響を及ぼす恐れがあるという問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ために、本発明者らはアルミニウム−セラミックス直接
接合法で作製したアルミニウム−セラミックス基板にお
いて、回路部分並びに電子部品搭載部分３のアルミニウ
ムの結晶粒径を１ｍｍ以下に焼鈍処理することによって
アルミニウム表面のしわ発生を防止した。このように作
製した基板のヒートサイクル耐量を調べたところ、優れ
たヒートサイクル耐量を有することが確認され、上述の
問題点が解決でき、本発明を提出することができた。
ために、本発明者らはアルミニウム−セラミックス直接
接合法で作製したアルミニウム−セラミックス基板にお
いて、回路部分並びに電子部品搭載部分３のアルミニウ
ムの結晶粒径を１ｍｍ以下に焼鈍処理することによって
アルミニウム表面のしわ発生を防止した。このように作
製した基板のヒートサイクル耐量を調べたところ、優れ
たヒートサイクル耐量を有することが確認され、上述の
問題点が解決でき、本発明を提出することができた。
【００１０】即ち、本発明において、第１の発明は、セ
ラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウム材か
らなる電気導通及び電子部品搭載のための金属部分を形
成した金属−セラミックス複合基板において、上記アル
ミニウム材の結晶粒径を１ｍｍ以下にしたことを特徴と
するアルミニウム−セラミックス複合基板に関する。上
記セラミックス基板は、Ａ１2 Ｏ3 ，Ａ１Ｎ，ＢｅＯ，
ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｒＯ2 から選択される少なくと
も１種のセラミックス基板である。
ラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウム材か
らなる電気導通及び電子部品搭載のための金属部分を形
成した金属−セラミックス複合基板において、上記アル
ミニウム材の結晶粒径を１ｍｍ以下にしたことを特徴と
するアルミニウム−セラミックス複合基板に関する。上
記セラミックス基板は、Ａ１2 Ｏ3 ，Ａ１Ｎ，ＢｅＯ，
ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｒＯ2 から選択される少なくと
も１種のセラミックス基板である。
【００１１】また、本発明における第２の発明は、セラ
ミックス基板の少なくとも一主面に溶湯アルミニウム材
を接合せしめる第１工程、次いで得られた接合体表面を
エッチング処理することにより所定の回路を形成する第
２工程、次いで得られた回路を融点以下の温度で焼鈍処
理して結晶粒径を１ｍｍ以下とする第３工程、とから成
るアルミニウム−セラミックス複合基板の製造方法に関
する。
ミックス基板の少なくとも一主面に溶湯アルミニウム材
を接合せしめる第１工程、次いで得られた接合体表面を
エッチング処理することにより所定の回路を形成する第
２工程、次いで得られた回路を融点以下の温度で焼鈍処
理して結晶粒径を１ｍｍ以下とする第３工程、とから成
るアルミニウム−セラミックス複合基板の製造方法に関
する。
【００１２】本発明において使用する基板としては、Ａ
１2 Ｏ3 ，Ａ１Ｎ，ＢｅＯ，ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｚｒ
Ｏ2 等のセラミックス基板やガラス等であり、この場
合、高純度の素材であればなおさらに好ましい。
１2 Ｏ3 ，Ａ１Ｎ，ＢｅＯ，ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｚｒ
Ｏ2 等のセラミックス基板やガラス等であり、この場
合、高純度の素材であればなおさらに好ましい。
【００１３】また、本発明でベースとして用いる金属は
アルミニウムの純金属または合金であるが、これにより
導電性が向上し、且つ、軟らかさを得るものである。こ
の場合、純度が高い程導電性が向上するが、逆に価格が
高くなるため、本発明では９９．９％（３Ｎ）の純アル
ミニウムを使用した。
アルミニウムの純金属または合金であるが、これにより
導電性が向上し、且つ、軟らかさを得るものである。こ
の場合、純度が高い程導電性が向上するが、逆に価格が
高くなるため、本発明では９９．９％（３Ｎ）の純アル
ミニウムを使用した。
【００１４】この金属とセラミックス基板との接合は溶
湯接合法で行ない、これにより高い接合強度と未接欠陥
の少ない複合基板が得られる。また、接合雰囲気として
窒素雰囲気下で行なうことができるため、従来法のよう
に真空下で行なう必要がなく製造コストが安くなり、更
に、窒化アルミニウム基板や炭化硅素基板にも、表面改
質することなく直接に接合することができる（第１工
程）。
湯接合法で行ない、これにより高い接合強度と未接欠陥
の少ない複合基板が得られる。また、接合雰囲気として
窒素雰囲気下で行なうことができるため、従来法のよう
に真空下で行なう必要がなく製造コストが安くなり、更
に、窒化アルミニウム基板や炭化硅素基板にも、表面改
質することなく直接に接合することができる（第１工
程）。
【００１５】上記溶湯接合法で得られた金属−セラミッ
クス複合基板の一主面にエッチングレジストを加熱圧着
し、遮光、現像処理を行なって所望のパターンを形成し
た後、塩化第２鉄溶液にてエッチングを行なって回路４
を形成する（第２工程）。
クス複合基板の一主面にエッチングレジストを加熱圧着
し、遮光、現像処理を行なって所望のパターンを形成し
た後、塩化第２鉄溶液にてエッチングを行なって回路４
を形成する（第２工程）。
【００１６】本発明において、第２工程で得られた回路
４や放熱板５でのアルミニウム材の結晶粒径は約２〜６
ｍｍ前後であるため、特に回路面を焼鈍処理することに
よって回路面の粒径を１ｍｍ以下にする（第３工程）。
４や放熱板５でのアルミニウム材の結晶粒径は約２〜６
ｍｍ前後であるため、特に回路面を焼鈍処理することに
よって回路面の粒径を１ｍｍ以下にする（第３工程）。
【００１７】この焼鈍処理は、第２工程で得られたアル
ミニウム−セラミックス複合基板を回路面を上方にして
炉中温度３５０〜４００℃で約８０〜１２０時間かけて
高温状態で維持してアルミニウム粒径を大きくする。
ミニウム−セラミックス複合基板を回路面を上方にして
炉中温度３５０〜４００℃で約８０〜１２０時間かけて
高温状態で維持してアルミニウム粒径を大きくする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明複合
基板（以下、アルミニウム−セラミックス直接接合基板
とする）について詳細に説明する。
基板（以下、アルミニウム−セラミックス直接接合基板
とする）について詳細に説明する。
【００１９】（実施例１）
【００２０】図２は本発明のアルミニウム−セラミック
ス直接接合基板を製造するための設備の原理図である。
純度９９．９％のアルミニウム２をルツボ６にセットし
てから蓋９をしめて、ケース８の内部に窒素ガスを充填
する。ルツボ６をヒーター７で７５０℃に加熱し、アル
ミニウムを溶化してから、ルツボ６内に設けたガイド一
体型ダイス１０の左側入口からセラミックス基板１とし
て３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５ｍｍのアルミナ基板
を順番に挿入した。ルツボ６内に入った該アルミナ基板
にアルミニウム溶湯を接触させ、次いで出口側において
凝固させることによって、厚さ０．５ｍｍのアルミニウ
ム板が両面に接合されたアルミニウム−アルミナ直接接
合基板を得た（第１工程）。
ス直接接合基板を製造するための設備の原理図である。
純度９９．９％のアルミニウム２をルツボ６にセットし
てから蓋９をしめて、ケース８の内部に窒素ガスを充填
する。ルツボ６をヒーター７で７５０℃に加熱し、アル
ミニウムを溶化してから、ルツボ６内に設けたガイド一
体型ダイス１０の左側入口からセラミックス基板１とし
て３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５ｍｍのアルミナ基板
を順番に挿入した。ルツボ６内に入った該アルミナ基板
にアルミニウム溶湯を接触させ、次いで出口側において
凝固させることによって、厚さ０．５ｍｍのアルミニウ
ム板が両面に接合されたアルミニウム−アルミナ直接接
合基板を得た（第１工程）。
【００２１】次いで、該複合基板上のアルミニウム部に
エッチングレジストを加熱圧着し、遮光、現像処理を行
なって所望のパターンを形成した後、塩化第２鉄溶液に
てエッチングを行なって回路４を形成した（第２工
程）。
エッチングレジストを加熱圧着し、遮光、現像処理を行
なって所望のパターンを形成した後、塩化第２鉄溶液に
てエッチングを行なって回路４を形成した（第２工
程）。
【００２２】次いで、上記回路付接合基板を加熱炉内で
３８０℃一定・１００時間保持して回路表面のアルミニ
ウム粒径を大きくして徐冷した。得られたアルミニウム
粒径を電子顕微鏡で測定後、拡大写真で調べたところ、
当初４ｍｍであったものが０．５ｍｍまで小さくなって
いた。
３８０℃一定・１００時間保持して回路表面のアルミニ
ウム粒径を大きくして徐冷した。得られたアルミニウム
粒径を電子顕微鏡で測定後、拡大写真で調べたところ、
当初４ｍｍであったものが０．５ｍｍまで小さくなって
いた。
【００２３】該接合基板のヒートサイクル耐量を調べた
ところ、ヒートサイクル１５００回以上でもクラックの
発生は見られなかった。また、同様に従来２００回以上
で生じたアルミニウムのしわも見られなかった。
ところ、ヒートサイクル１５００回以上でもクラックの
発生は見られなかった。また、同様に従来２００回以上
で生じたアルミニウムのしわも見られなかった。
【００２４】（実施例２）
【００２５】セラミックス基板としてアルミナに代えて
窒化アルミニウム板（３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５
ｍｍ）を用いた他は、実施例１と同様の手段でアルミニ
ウム−窒化アルミニウム直接接合基板を得、そのアルミ
ニウム粒径を調べたところ０．７ｍｍであった。
窒化アルミニウム板（３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５
ｍｍ）を用いた他は、実施例１と同様の手段でアルミニ
ウム−窒化アルミニウム直接接合基板を得、そのアルミ
ニウム粒径を調べたところ０．７ｍｍであった。
【００２６】得られた接合基板のヒートサイクル耐量を
調べたところ、ヒートサイクル３０００回でもクラック
の発生は見られなかった。
調べたところ、ヒートサイクル３０００回でもクラック
の発生は見られなかった。
【００２７】（比較例１）
【００２８】比較のため実施例１に示すアルミナ基板を
用いて、厚さ０．３ｍｍの銅板を１０６３℃で直接接合
して得た複合基板にエッチング処理を施して図１ａ，図
１ｂに示すと同一の電子回路を形成した銅−セラミック
ス基板を得、実施例同様ヒートサイクル耐量を調べたと
ころ、ヒートサイクル４０回でクラックが発生した。
用いて、厚さ０．３ｍｍの銅板を１０６３℃で直接接合
して得た複合基板にエッチング処理を施して図１ａ，図
１ｂに示すと同一の電子回路を形成した銅−セラミック
ス基板を得、実施例同様ヒートサイクル耐量を調べたと
ころ、ヒートサイクル４０回でクラックが発生した。
【００２９】
【発明の効果】上述のように本発明方法及び装置によっ
て得たアルミニウム−セラミックス直接接合基板は、従
来の複合基板では得られなかったヒートサイクル耐量に
富み、電気自動車や電車向けのように大電力パワーモジ
ュール基板として特に好ましいものである。
て得たアルミニウム−セラミックス直接接合基板は、従
来の複合基板では得られなかったヒートサイクル耐量に
富み、電気自動車や電車向けのように大電力パワーモジ
ュール基板として特に好ましいものである。
【図１ａ】本発明に係るアルミニウム−セラミックス直
接接合基板の模式平面図である。
接接合基板の模式平面図である。
【図１ｂ】図１ａのアルミニウム−セラミックス直接基
板の側面図である。
板の側面図である。
【図２】本発明複合基板の製造装置の原理図である。
【符号の説明】 １ セラミックス基板 ２ アルミニウム ３ 電子部品搭載部 ４ 回路 ５ 放熱板 ６ ルツボ ７ ヒーター ８ ケース ９ 蓋 １０ ガイド一体型ダイス
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックス基板の少なくとも一主面に
アルミニウム材からなる電気導通及び電子部品搭載のた
めの金属部分を形成した金属−セラミックス複合基板に
おいて、上記アルミニウム材の結晶粒径を１ｍｍ以下に
したことを特徴とするアルミニウム−セラミックス複合
基板。 - 【請求項２】 上記セラミックス基板はＡ１2 Ｏ3 ，Ａ
１Ｎ，ＢｅＯ，ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｒＯ2 から選択
される少なくとも１種のセラミックス基板であることを
特徴とする請求項１記載のアルミニウム−セラミックス
複合基板。 - 【請求項３】 セラミックス基板の少なくとも一主面に
溶湯アルミニウム材を接合せしめる第１工程、 次いで得られた接合体表面をエッチング処理することに
より所定の回路を形成する第２工程、 次いで得られた回路を融点以下の温度で焼鈍処理して結
晶粒径を１ｍｍ以下とする第３工程、 とから成ることを特徴とするアルミニウム−セラミック
ス複合基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15633096A JPH09315875A (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | アルミニウム−セラミックス複合基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15633096A JPH09315875A (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | アルミニウム−セラミックス複合基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09315875A true JPH09315875A (ja) | 1997-12-09 |
Family
ID=15625429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15633096A Pending JPH09315875A (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | アルミニウム−セラミックス複合基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09315875A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003090277A1 (fr) * | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Carte de circuits imprimes, son procede de production et module de puissance |
| EP1400500A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-24 | Dowa Mining Co., Ltd. | Apparatus, mold, and method for manufacturing metal-ceramic composite member |
| JP2005103560A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Dowa Mining Co Ltd | アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
| US7255931B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-08-14 | Dowa Mining Co., Ltd. | Aluminum/ceramic bonding substrate and method for producing same |
| JP2018163995A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体実装用放熱ベース板及びその製造方法並びに製造装置 |
| US10898946B2 (en) | 2016-06-16 | 2021-01-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor-mounting heat dissipation base plate and production method therefor |
-
1996
- 1996-05-29 JP JP15633096A patent/JPH09315875A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003090277A1 (fr) * | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Carte de circuits imprimes, son procede de production et module de puissance |
| US7128979B2 (en) | 2002-04-19 | 2006-10-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Circuit board, method of producing same, and power module |
| CN100364078C (zh) * | 2002-04-19 | 2008-01-23 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 电路基板及其制造方法、以及功率模块 |
| EP1400500A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-24 | Dowa Mining Co., Ltd. | Apparatus, mold, and method for manufacturing metal-ceramic composite member |
| US7131483B2 (en) | 2002-09-13 | 2006-11-07 | Dowa Mining Co., Ltd. | Apparatus, mold, and method for manufacturing metal-ceramic composite member |
| US8011416B2 (en) | 2002-09-13 | 2011-09-06 | Dowa Metaltech Co., Ltd. | Apparatus, mold, and method for manufacturing metal-ceramic composite member |
| JP2005103560A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Dowa Mining Co Ltd | アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
| US7255931B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-08-14 | Dowa Mining Co., Ltd. | Aluminum/ceramic bonding substrate and method for producing same |
| US10898946B2 (en) | 2016-06-16 | 2021-01-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor-mounting heat dissipation base plate and production method therefor |
| DE112017002999B4 (de) | 2016-06-16 | 2022-03-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiter-montage-wärmeabführungs-basisplatte und herstellungsverfahren für dieselbe |
| US11484936B2 (en) | 2016-06-16 | 2022-11-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor-mounting heat dissipation base plate and production method therefor |
| JP2018163995A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体実装用放熱ベース板及びその製造方法並びに製造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4965305B2 (ja) | 金属−セラミックス接合基板の製造方法 | |
| JP4756200B2 (ja) | 金属セラミックス回路基板 | |
| US3993411A (en) | Bonds between metal and a non-metallic substrate | |
| US7256353B2 (en) | Metal/ceramic bonding substrate and method for producing same | |
| KR100374379B1 (ko) | 기판 | |
| JP2642574B2 (ja) | セラミックス電子回路基板の製造方法 | |
| JPH09315875A (ja) | アルミニウム−セラミックス複合基板及びその製造方法 | |
| JPH09234826A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
| JPH09315876A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
| JP3890540B2 (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
| JP3613759B2 (ja) | 金属−セラミックス複合基板 | |
| JP4057436B2 (ja) | 銅基合金およびその銅基合金を使用する放熱板用材料 | |
| JP3383892B2 (ja) | 半導体実装構造体の製造方法 | |
| WO2020262015A1 (ja) | 金属－セラミックス接合基板およびその製造方法 | |
| JP2000281462A (ja) | 金属−セラミックス複合基板の製造方法 | |
| JPH107480A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
| JP4124589B2 (ja) | ウエハー保持装置 | |
| JP2000256081A (ja) | 半導体実装用絶縁基板の改質方法 | |
| JPH09286681A (ja) | 金属−セラミックス複合基板 | |
| JP3430348B2 (ja) | 金属−セラミックス複合基板 | |
| JP2006028018A (ja) | Ａｌ−セラミックス複合基板 | |
| US12221389B2 (en) | Aluminum/ceramic bonding substrate and method for producing same | |
| JPH09315874A (ja) | Ａｌ−セラミックス複合基板 | |
| JPH09286680A (ja) | 金属−セラミックス複合基板 | |
| JP2005252136A (ja) | アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060501 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060627 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |