JPH09319083A - ポジ型ホトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】感度、焦点深度幅特性、耐熱性、プロファイル
形状が優れたポジ型ホトレジスト組成物を提供するこ
と。 【解決手段】アルカリ可溶性樹脂と感光性成分を含有す
るポジ型ホトレジスト組成物において、前記感光性成分
がビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェ
ニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒ
ドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−４−ヒ
ドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，
３，５−トリメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニ
ルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメ
チルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン
およびビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチル
フェニル）−４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニルメ
タンから選ばれる少なくとも１種のポリヒドロキシ化合
物とキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物である
ことを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型ホトレジスト組
成物に関し、さらに詳しくは半導体デバイスや液晶表示
デバイス等の電子部品の製造に必要な感度、焦点深度幅
特性、耐熱性を有し、かつプロファイル形状に優れたレ
ジストパターンを形成できるポジ型ホトレジスト組成物
に関する。

【０００２】

【従来技術】従来、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスや
ＬＣＤ等の液晶デバイス等の電子部品の製造には、ホト
リソグラフィーによるパターンの形成方法が採用されて
いる。前記ホトリソグラフィーは、シリコンウエーハや
ガラス等の基板上にホトレジストをスピンナー等を用い
て塗布、乾燥し、次いでマスクを介して活性光線や粒子
線を照射又は描画して潜像を形成し、それを現像してパ
ターンを基板上に形成する方法であるが、このホトリソ
グラフィーで使用されるホトレジストとしては、解像性
に優れた各種のレジスト組成物が開発され提案されてい
る。中でもアルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジア
ジド基含有化合物とを含有するポジ型ホトレジスト組成
物が好適である。前記ノボラック樹脂は、膨潤すること
なくアルカリ水溶液に溶解し現像性に優れるとともに、
プラズマエッチングに対しても優れた耐熱性を示す。ま
た、キノンジアジド基含有化合物は、それ自身ではノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解性を抑制する作用を有する
が、一旦、紫外線（ｇ線、ｉ線）、エキシマレーザーを
も含めた遠紫外線等の電磁波、或は電子線等の粒子線の
照射、描画を感受すると、アルカリ可溶性に変化すると
ともに、ノボラック樹脂のアルカリ溶解性をも促進する
という性質を有する。ところで、近年のＩＣの製造にお
いては、ホトレジストには耐熱性、解像性、プロファイ
ル形状等の種々の特性を具備することが望まれるように
なり、多数の研究開発がなされ、各種のポジ型ホトレジ
スト組成物が提案されている。その例として、米国特許
第４３７７６３１号明細書、特開昭６２ー３５３４９号
公報、特開平１ー１４２５４８号公報、特開平１ー１７
９１４７号公報、特公平３ー４８９７号公報等に記載の
ものを挙げることができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報記載のポジ型ホトレジスト組成物は、半導体素子の微
細化に伴い要求される特性、例えば耐熱性、解像性、プ
ロファイル形状などにおいて充分なものでなくその改善
が強く望まれるれている。それに応えるレジスト組成物
として、例えば特開平４ー３２８５５５号公報には感光
性成分をビス（２，３，６−トリメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（２，３，６−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）
−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（２，
３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２，
４−ジヒドロキシフェニルメタン又はビス（３，５−ジ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）−３，４−ジヒドロ
キシフェニルメタンのナフトキノン−１，２−ジアジド
スルホン酸エステルとしたポジ型ホトレジスト組成物
が、また特開平４ー２８４４５４号公報にはビス（２，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロ
キシフェニルメタン、ビス（２，５，６−トリメチル−
４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメ
タン、ビス（４，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタンのナフトキノン−
１，２−ジアジドスルホン酸エステルを感光成分とした
ポジ型ホトレジスト組成物が提案されている。しかしこ
れらのポジ型ホトレジスト組成物は感度、焦点深度幅特
性、耐熱性及びプロファイル形状などの点においてもは
や充分なものではなくなっている。

【０００４】こうした現状に鑑み、本発明者等は鋭意研
究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂と感光性成分を含
有するポジ型ホトレジスト組成物において、前記感光性
成分を特定のポリヒドロキシ化合物のキノンジアジドス
ルホン酸エステル化物とすることで感度、焦点深度幅特
性、耐熱性、プロファイル形状などに優れたポジ型ホト
レジスト組成物が得られることを見出し、本発明を完成
したものである。

【０００５】すなわち、本発明は、感度、焦点深度幅特
性、耐熱性及びプロファイル形状に優れたレジストパタ
ーンを形成できるポジ型ホトレジスト組成物を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、アルカリ可溶性樹脂と感光性成分を含有するポジ
型ホトレジスト組成物において、前記感光性成分がビス
（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）
−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキ
シ−２，３，５−トリメチルフェニル）−４−ヒドロキ
シフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５
−トリメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフ
ェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタンおよび
ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニ
ル）−４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニルメタンか
ら選ばれる少なくとも１種のポリヒドロキシ化合物とキ
ノンジアジドスルホン酸とのエステル化物であることを
特徴とするポジ型ホトレジスト組成物に係る。

【０００７】本発明で使用するアルカリ可溶性樹脂とし
ては、ポジ型ホトレジスト組成物の被膜形成用樹脂とし
て知られている、フェノール樹脂、アクリル樹脂、スチ
レンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの
重合体、ポリビニルフェノール、ポリα−メチルビニル
フェノールなどが挙げられる。特にフェノール樹脂、中
でも膨潤することなくアルカリ水溶液に容易に溶解し現
像性に優れるとともにドライエチングで使用するプラズ
マに対しても安定性の高いノボラック樹脂が好適であ
る。前記フェノール樹脂としてはフェノール類とアルデ
ヒド類との縮合反応生成物、フェノール類とケトン類と
の縮合反応生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプ
ロペニルフェノール系重合体、これらのフェノール樹脂
の水素添加反応生成物などが挙げられる。前記フェノー
ル樹脂を形成するフェノール類としては、フェノール、
ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノー
ル、２，３−キシレノール、２，６−キシレノール、
３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノ
ール、エチルフェノール、プロピルフェノール、ブチル
フェノール、フェニルフェノールなどの一価のフェノー
ル類；レゾルシノール、ピロカテコール、ヒドロキノ
ン、ビスフェノールＡ、ピロガロールなどの多価フェノ
ール類などが挙げられる。また、アルデヒド類として
は、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアル
デヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、テレフタルアル
デヒドなどが、ケトン類としては、アセトン、メチルエ
チルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなどが
挙げられる。これらの化合物の１種又は２種以上の混合
物を、塩酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ギ酸又は
シュウ酸などの酸性触媒の存在下で常法に従って反応さ
せ、フェノール類とアルデヒド類との縮合反応生成物、
フェノール類とケトン類との縮合反応生成物などのフェ
ノール樹脂が製造される。中でも、ｍ−クレゾール、ｐ
−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレ
ノール、２，３，５−トリメチルフェノールのフェノー
ル類から選ばれる数種の混合フェノールとホルムアルデ
ヒドの縮合によって得られるノボラック樹脂が好適であ
る。

【０００８】上記ビニルフェノール系重合体は、ビニル
フェノールの単独重合体及びビニルフェノールと共重合
可能な例えばアクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、
スチレン誘導体、無水マレイン酸、酢酸ビニル、アクリ
ロニトリル等の共重合体から選択され、またイソプロペ
ニルフェノール系重合体は、イソプロペニルフェノール
の単独重合体及び該イソプロペニルフェノールと共重合
可能な上記例示成分との共重合体から選択される。さら
に、フェノール樹脂の水素添加反応生成物は、フェノー
ル樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系又は不均一系で水素
添加触媒の存在下で水素を導入して製造される。

【０００９】本発明で使用するアルカリ可溶性樹脂は、
ゲルパーミエションクロマトグラフィー法で測定した重
量平均分子量が２，０００〜２０，０００、好ましくは
５，０００〜１５，０００の樹脂がよく、特に低分子量
成分を分別等で除去した高分子量のアルカリ可溶性樹脂
が好ましい。前記重量平均分子量が２，０００未満では
現像後の膜減りが大きく、また２０，０００を超えると
現像速度が小さくなる。

【００１０】本発明で使用する感光性成分としては、ビ
ス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒド
ロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−４−ヒド
ロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，
３，５−トリメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニ
ルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメ
チルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン
およびビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチル
フェニル）−４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニルメ
タン、すなわち下記化１〜５で表されるポリヒドロキシ
化合物

【００１１】

【化１】

【００１２】

【化２】

【００１３】

【化３】

【００１４】

【化４】

【００１５】

【化５】 とキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物であるこ
とが必要である。前記ポリヒドロキシ化合物とキノンジ
アジドスルホン酸とのエステル化物を含有することで、
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、感度、焦点深度
幅特性、耐熱性及びプロファイル形状に優れた特性を発
揮する。中でもビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−ト
リメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタンと
ナフトキノンジアジドスルホン酸クロライドとがモル比
で１：１．８〜２．５モルの割合で反応した生成物は、
焦点深度幅特性、プロファイル形状において優れ好適で
ある。前記キノンジアジドスルホン酸としては、１，２
−ナフトキノンジアジド−５（又は−４−）−スルホン
酸などが挙げられる。

【００１６】上記感光性成分は、化１〜５で表されるポ
リヒドロキシ化合物とキノンジアジドスルホン酸クロラ
イドを、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチル
アセトアミド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフ
ランなどの有機溶媒に所定量溶解し、ここにトリエタノ
ールアミン、トリエチルアミン、ピリジン、炭酸アルカ
リ、炭酸水素アルカリなどの塩基性触媒を加えて反応さ
せ、それを水洗、乾燥することで製造できる。

【００１７】本発明のポジ型ホトレジスト組成物には、
上記感光性成分の他にポジ型ホトレジストの感光性成分
として公知のナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン
酸エステルを本発明の目的を損なわない範囲において適
宜組合せて使用してもよい。このような公知のナフトキ
ノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルとして一例
を挙げると、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−
ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−
２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニル
メタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−
６−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタ
ン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−
メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタ
ン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピ
ル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
エチル］ベンゼン、２−（２，３，４−トリヒドロキシ
フェニル）−２−（２’，３’，４’−トリヒドロキシ
フェニル）プロパン、ビス（２，３，４−トリヒドロキ
シフェニル）メタンなどのヒドロキシ化合物のナフトキ
ノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルがある。

【００１８】本発明の感光性成分の含有量は、アルカリ
可溶性樹脂１００重量部に対して５〜５０重量部、好ま
しくは１０〜３５重量部の範囲がよい。前記感光性成分
が５重量部未満では像形成ができず、また５０重量部を
超えると解像性、レジストパターン形状が悪くなるとと
もに感度も低下し、好ましくない。

【００１９】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、上
記アルカリ可溶性樹脂、感光性成分に加えて、場合によ
り公知の感度や解像性を向上させるための低分子量フェ
ノール化合物を配合することができる。この低分子量フ
ェノール化合物の一例を挙げると、上記したトリス（４
−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ
−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニ
ルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフ
ェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−
シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニ
ル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シク
ロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−
３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４
−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、
２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−
（２’，３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパ
ン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタ
ンなどに加えて２，６−ビス［１−（２，４−ジヒドロ
キシフェニル）イソプロピル］−４−メチルフェノー
ル、２，６−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニ
ルメチル）−４−メチルフェノール、４，６−ビス［１
−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−レゾル
シンなどがある。これらの低分子量フェノール化合物は
アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対し、５〜５０重量
部、好ましくは１０〜３５重量部の範囲で配合できる。

【００２０】さらに必要に応じて、相溶性のある添加
物、ハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば、
２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベ
ンゾフェノン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル
−４−（４−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４
−ジメチルアミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４
−ジエチルアミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４−
ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミンなど、またス
トリエーション防止のための界面活性剤、たとえばフロ
ラードＦＣ−４３０、ＦＣ−４３１（商品名、スリーエ
ム社製）、エフトップＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、Ｅ
Ｆ１２２Ｃ、ＥＦ１２６（商品名、トーケムプロヅクツ
社製）などのフッ素系界面活性剤などを本発明の目的に
支障のない範囲で添加含有させることができる。

【００２１】本発明のポジ型ホトレジスト組成物の使用
に当たっては、従来のホトレジスト技術のレジストパタ
ーン形成方法と同様に有機溶剤に溶解した塗布液として
用いるのが好ましく、前記有機溶剤としては、例えばア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、メチル
イソアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エ
チレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレン
グリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロ
ピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコー
ルモノアセテート或はこれらのモノメチルエーテル、モ
ノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチル
エーテル又はモノフェニルエーテルなどのアルコール類
及びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；
及び乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン
酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。
これらの有機溶剤の１種又は２種以上を混合して使用で
きる。これらの溶剤に溶解し調製した塗布液は、シリコ
ンウエーハやガラスのような基板上にスピンナー等の任
意の塗布方法で塗布され、乾燥されて感光層に形成さ
れ、次いで放射線を用いマスクパターンを介して縮小投
影露光装置により露光するか、エキシマレーザーやＸ線
を照射するか、あるいは電子線を走査しながら照射し、
それを現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液
に浸漬し、露光によって可溶化した部分を選択的に溶解
除去し、マスクパターンに忠実な画像に形成される。

【００２２】上記パターン形成方法は、半導体デバイス
や液晶表示デバイスの加工にとどまらず、リソグラフィ
ーを用いて加工する分野、例えばＬＣＤ、ＴＡＢ、ＰＣ
Ｂ、ケミカルミーリング、印刷などにも応用できる。

【００２３】

【発明の実施の形態】次に実施例に基づいて本発明をさ
らに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何
ら限定されるものではない。

【００２４】なお、実施例及び比較例で示す数値は、下
記測定法による数値である。 （１）感度：試料をスピンナーを用いてシリコンウエー
ハ上に塗布し、これをホットプレート上で９０℃、９０
秒間乾燥して膜厚１．０５μｍのレジスト膜とし、その
膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコ
ン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、０．１秒から０．
０１秒間隔で露光したのち、１１０℃、９０秒間のＰＥ
Ｂ処理を行い、２．３８重量％テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像し、３５秒間水洗
して乾燥したとき、現像後の露光部の膜厚が０となる最
小露光時間を感度としてミリ秒（ｍｓ）単位で表わす測
定法。

【００２５】（２）焦点深度幅１：縮小投影露光装置Ｎ
ＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５
７）を用いて、Ｅｏｐ（０．５０μｍのラインアンドス
ペースが１対１に形成されるのに要する露光量）を基準
露光量とし、その露光量においての焦点を適宜上下にず
らし、露光、現像を行い、得られたレジストパターンの
ＳＥＭ写真の観察を行い、０．５０μｍの矩形のレジス
トパターンが得られる焦点ずれの最大値（μｍ）を焦点
深度幅１とする測定法。

【００２６】（３）焦点深度幅２：焦点深度幅１におい
て、０．４０ミクロンの矩形のレジストパターンが得ら
れる焦点ずれの最大値（μｍ）を焦点深度幅２とする測
定法。

【００２７】（４）焦点深度幅３：焦点深度幅１におい
て、０．３８ミクロンの矩形のレジストパターンが得ら
れる焦点ずれの最大値（μｍ）を焦点深度幅３とする測
定法。

【００２８】（５）耐熱性：シリコンウエーハ上に形成
された５μｍのレジストパターンを、１２５℃から５℃
ずつ昇温させ、各温度で５分間ホットプレート上でベー
クした場合、レジストパターンに変形が生じる最低温度
を測定する測定法。

【００２９】（６）パターン形状：（１）と同様な条件
で得られた０．３５μｍ幅のレジストパターンの断面形
状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により観察し、矩
形状のものをＡとし、やや台形状になっているものをＢ
とする測定法。

【００３０】（７）焦点深度幅４：縮小投影露光装置Ｎ
ＳＲ−１５０５Ｇ７Ｅ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５４）
を用いて、Ｅｏｐ（０．５０μｍのラインアンドスペー
スが１対１に形成されるのに要する露光量）を基準露光
量とし、その露光量においての焦点を適宜上下にずら
し、露光、現像を行い、得られたレジストパターンのＳ
ＥＭ写真の観察を行い、０．５０μｍの矩形のレジスト
パターンが得られる焦点ずれの最大値（μｍ）を焦点深
度幅４とする測定法。

【００３１】（８）焦点深度幅５：焦点深度幅４におい
て、０．４５μｍの矩形のレジストパターンが得られる
焦点ずれの最大値（μｍ）を焦点深度幅５とする測定
法。

【００３２】（９）焦点深度幅６：焦点深度幅４におい
て、０．４２μｍの矩形のレジストパターンが得られる
焦点ずれの最大値（μｍ）を焦点深度幅６とする測定
法。

【００３３】（１０）焦点深度幅７：焦点深度幅４にお
いて、０．４０μｍの矩形のレジストパターンが得られ
る焦点ずれの最大値（μｍ）を焦点深度幅７とする測定
法。

【００３４】（１１）プロファイル形状：試料をスピン
ナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、これをホッ
トプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚１．０５
μｍのレジスト膜とし、その膜に縮小投影露光装置ＮＳ
Ｒ−１５０５Ｇ７Ｅ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５４）を
用いて、０．１秒から０．０１秒間隔で露光したのち、
１１０℃、９０秒間のＰＥＢ処理を行い、２．３８重量
％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６
５秒間現像し、３５秒間水洗し乾燥して得られた０．４
０μｍ幅のレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査
型電子顕微鏡）写真により観察し、矩形状のものをＡと
し、やや台形状になっているものをＢとする測定法。

【００３５】実施例１ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールをモル比で４：６の混
合物をシュウ酸触媒を用いてホルマリンで常法により縮
合して重量平均分子量８，０００のアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂を製造した。前記ノボラック樹脂の低分子量
フラクションを除去し重量平均分子量１０，０００とし
た。このアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部と
ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニ
ル）−２−ヒドロキシフェニルメタン１モルとナフトキ
ノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライド
２．５モルとのエステル化物３０重量部、さらにビス
（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−
ヒドロキシフェニルメタン３０重量部を乳酸エチル３６
０重量部と酢酸ブチル４０重量部の混合溶媒に溶解し、
それを孔径０．２μｍのメンブランフィルターでろ過
し、塗布液を調製した。調製した塗布液を用いて形成し
た塗着膜について、（１）〜（６）の測定法で測定し
た。その結果を表１に示す。

【００３６】実施例２ 実施例１において、感光性成分をビス（４−ヒドロキシ
−２，３，５−トリメチルフェニル）−３，４−ジヒド
ロキシフェニルメタン１モルとナフトキノン−１，２−
ジアジド−５−スルホニルクロライド２．５モルとのエ
ステル化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布
液を調製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜
について、（１）〜（６）の測定法で測定した。その結
果を表１に示す。

【００３７】比較例１ 実施例１において、感光性成分をビス（４−ヒドロキシ
−２，３，６−トリメチルフェニル）−３，４−ジヒド
ロキシフェニルメタン１モルとナフトキノン−１，２−
ジアジド−５−スルホニルクロライド２．５モルとのエ
ステル化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布
液を調製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜
について、（１）〜（６）の測定法で測定した。その結
果を表１に示す。

【００３８】比較例２ 実施例１において、感光性成分をビス（４−ヒドロキシ
−２，３，６−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシ
フェニルメタン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルホニルクロライド２．５モルとのエステル
化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調
製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜につい
て、（１）〜（６）の測定法で測定した。その結果を表
１に示す。

【００３９】比較例３ 実施例１において、感光性成分をビス（４−ヒドロキシ
−２，３，５−トリメチルフェニル）−２，４−ジヒド
ロキシフェニルメタン１モルとナフトキノン−１，２−
ジアジド−５−スルホニルクロライド２．５モルとのエ
ステル化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布
液を調製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜
について、（１）〜（６）の測定法で測定した。その結
果を表１に示す。

【００４０】比較例４ 実施例１において、感光性成分をビス（４−ヒドロキシ
−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシ
フェニルメタン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルホニルクロライド２．５モルとのエステル
化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調
製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜につい
て、（１）〜（６）の測定法で測定した。その結果を表
１に示す。

【００４１】

【表１】

【００４２】上記表１にみるように、本発明の感光成分
を含有するポジ型ホトレジスト組成物は感度、焦点深度
幅特性、耐熱性及びプロファイル形状に優れていること
が窺える。

【００４３】実施例３ 実施例１において、感光性成分をビス（４−ヒドロキシ
−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシ
フェニルメタン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルホニルクロライド２．０モルとのエステル
化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調
製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜につい
て、（５）、（７）〜（１１）の測定法で測定した。そ
の結果を表２に示す。

【００４４】実施例４ 実施例１において、感光性成分をビス（４−ヒドロキシ
−２，３，５−トリメチルフェニル）−３−ヒドロキシ
フェニルメタン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルホニルクロライド２．５モルとのエステル
化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調
製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜につい
て、（５）、（７）〜（１１）の測定法で測定した。そ
の結果を表２に示す。

【００４５】実施例５ 実施例１において、感光性成分をビス（４−ヒドロキシ
−２，３，５−トリメチルフェニル）−４−ヒドロキシ
フェニルメタン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルホニルクロライド２．５モルとのエステル
化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調
製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜につい
て、（５）、（７）〜（１１）の測定法で測定した。そ
の結果を表２に示す。

【００４６】比較例５ 実施例１において、感光性成分をビス（４−ヒドロキシ
−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニ
ルメタン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジド−５
−スルホニルクロライド２．２モルとのエステル化物に
代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調製し
た。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜について、
（５）、（７）〜（１１）の測定法で測定した。その結
果を表２に示す。

【００４７】

【表２】 注：表中における「解像せず」はレジストパターンが形
成されなかったことを意味し、「解像のみ」はレジスト
パターンは得られたが焦点深度幅がなかったことを意味
する。

【００４８】

【発明の効果】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、
感度、焦点深度幅特性、耐熱性、プロファイル形状に優
れ半導体デバイスや液晶表示デバイス等の製造に好適で
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新倉 聡 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 小原 秀克 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂と感光性成分を含有す
   るポジ型ホトレジスト組成物において、前記感光性成分
   がビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェ
   ニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒ
   ドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−４−ヒ
   ドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，
   ３，５−トリメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニ
   ルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメ
   チルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン
   およびビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチル
   フェニル）−４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニルメ
   タンから選ばれる少なくとも１種のポリヒドロキシ化合
   物とキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物である
   ことを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
2. 【請求項２】該エステル化物がビス（４−ヒドロキシ−
   ２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフ
   ェニルメタンとナフトキノンジアジドスルホン酸クロラ
   イドとがモル比で１：１．８〜２．５の割合で反応した
   生成物であることを特徴とする請求項１記載のポジ型ホ
   トレジスト組成物。