JPH09320120A - 記録用ディスクの処理装置および処理方法ならびに記録用ディスクの製造方法 - Google Patents
記録用ディスクの処理装置および処理方法ならびに記録用ディスクの製造方法Info
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- JPH09320120A JPH09320120A JP13333996A JP13333996A JPH09320120A JP H09320120 A JPH09320120 A JP H09320120A JP 13333996 A JP13333996 A JP 13333996A JP 13333996 A JP13333996 A JP 13333996A JP H09320120 A JPH09320120 A JP H09320120A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録用ディスクの記録部位に所定の処理を施
すに際し、簡単な制御で、高速に上記処理を施しうる記
録用ディスクの処理装置、処理方法及び記録用ディスク
の製造方法を提供すること。 【解決手段】記録用ディスクに所定の処理を施すに際
し、処理用エネルギーのエネルギー付与部位が記録用デ
ィスクの内周部にある場合の処理用エネルギー出力を、
外周部にある場合よりも小さくするように制御する。
すに際し、簡単な制御で、高速に上記処理を施しうる記
録用ディスクの処理装置、処理方法及び記録用ディスク
の製造方法を提供すること。 【解決手段】記録用ディスクに所定の処理を施すに際
し、処理用エネルギーのエネルギー付与部位が記録用デ
ィスクの内周部にある場合の処理用エネルギー出力を、
外周部にある場合よりも小さくするように制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、、レーザ光等の光
エネルギーや磁気エネルギーを付与しながら磁気ディス
ク、光磁気ディスクまたは相変化型光ディスク等の記録
用ディスクに所定の処理を行う装置および方法ならびに
かかる記録用ディスクの製造方法に関する。
エネルギーや磁気エネルギーを付与しながら磁気ディス
ク、光磁気ディスクまたは相変化型光ディスク等の記録
用ディスクに所定の処理を行う装置および方法ならびに
かかる記録用ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録用ディスクとして磁気ディスク、光
磁気ディスクまたは相変化型光ディスク等が広く用いら
れている。これらの記録ディスクを製造するに際して
は、いずれも樹脂、金属、ガラスなどのディスク基板上
に磁性体からなる記録膜、カー効果を有する記録膜、加
熱および冷却により結晶相と非晶相との間で変化しうる
記録膜などを形成し、この記録膜を所定の処理によりあ
る程度均質な一定の状態にしておくことが多い。このよ
うな処理の一部または全部あるいはこの処理を含む一連
の処理を初期化処理と呼ぶ場合がある。
磁気ディスクまたは相変化型光ディスク等が広く用いら
れている。これらの記録ディスクを製造するに際して
は、いずれも樹脂、金属、ガラスなどのディスク基板上
に磁性体からなる記録膜、カー効果を有する記録膜、加
熱および冷却により結晶相と非晶相との間で変化しうる
記録膜などを形成し、この記録膜を所定の処理によりあ
る程度均質な一定の状態にしておくことが多い。このよ
うな処理の一部または全部あるいはこの処理を含む一連
の処理を初期化処理と呼ぶ場合がある。
【０００３】以下、こうした記録用ディスクとして相変
化型光ディスクを例にとり、上記処理について説明す
る。相変化型光ディスクは、たとえば、ポリカーボネー
トなどの透明な樹脂製のディスク基板に、第1 保護層、
記録層、第2 保護層、反射層をこの順に形成して成膜済
みディスクとし、これを2 枚貼り合せ、あるいは単独
で、記録用ディスクとする。さらにこれをカートリッジ
等に備える場合もある。
化型光ディスクを例にとり、上記処理について説明す
る。相変化型光ディスクは、たとえば、ポリカーボネー
トなどの透明な樹脂製のディスク基板に、第1 保護層、
記録層、第2 保護層、反射層をこの順に形成して成膜済
みディスクとし、これを2 枚貼り合せ、あるいは単独
で、記録用ディスクとする。さらにこれをカートリッジ
等に備える場合もある。
【０００４】上記記録層は、たとえば、カルコゲナイト
系であるGeSbTe系、InSbTe系、AgInSbTe系、InSe系、In
Te系、AsTeGe系、TeOx-GeSn 系、FeSeSn系、SbSeBi系、
BiSeGe系、TeGeSbPd系、TeGeSbPdNb系、NbGeSbTe系、Pt
GeSbTe系、NiGeSbTe系、CoGeSbTe系などの合金またはこ
れらを主成分とする合金などをスパッタリング、イオン
プレーティングまたは真空蒸着等により第1 保護層形成
済みのディスク基板に堆積させることにより形成され
る。その後、第2 保護層、反射層等を積層形成して成膜
済みディスクとする。
系であるGeSbTe系、InSbTe系、AgInSbTe系、InSe系、In
Te系、AsTeGe系、TeOx-GeSn 系、FeSeSn系、SbSeBi系、
BiSeGe系、TeGeSbPd系、TeGeSbPdNb系、NbGeSbTe系、Pt
GeSbTe系、NiGeSbTe系、CoGeSbTe系などの合金またはこ
れらを主成分とする合金などをスパッタリング、イオン
プレーティングまたは真空蒸着等により第1 保護層形成
済みのディスク基板に堆積させることにより形成され
る。その後、第2 保護層、反射層等を積層形成して成膜
済みディスクとする。
【０００５】第1 および第2 保護層は、記録層の機械的
保護や耐湿熱性付与のために用いられ、たとえば、ZnS
、SiO 2 、Ta2 O 5 、ITO 、ZrC 、TiC 、MgF 2 、C
などの無機物またはその混合物により形成される。反射
層は、たとえば、Zr、Cr、Ta、Mo、Si、Al、Au、Pd、Hf
などの金属やこれらの合金からなる。これらの膜も、記
録膜と同様の方法により形成されることが多い。
保護や耐湿熱性付与のために用いられ、たとえば、ZnS
、SiO 2 、Ta2 O 5 、ITO 、ZrC 、TiC 、MgF 2 、C
などの無機物またはその混合物により形成される。反射
層は、たとえば、Zr、Cr、Ta、Mo、Si、Al、Au、Pd、Hf
などの金属やこれらの合金からなる。これらの膜も、記
録膜と同様の方法により形成されることが多い。
【０００６】このような記録膜を初期化する方法とし
て、特開平4-366424号公報には、光ディスクを回転させ
ながら1 本のレーザ光ビームを光ディスクに照射してそ
の部位の記録膜の温度を結晶化温度以上に昇温し、レー
ザ光ビームが通過した後にその部位を放冷することによ
りこれを均質な結晶相とし、これにより初期化する方法
が開示されている。
て、特開平4-366424号公報には、光ディスクを回転させ
ながら1 本のレーザ光ビームを光ディスクに照射してそ
の部位の記録膜の温度を結晶化温度以上に昇温し、レー
ザ光ビームが通過した後にその部位を放冷することによ
りこれを均質な結晶相とし、これにより初期化する方法
が開示されている。
【０００７】しかしながら、このような方法では、光デ
ィスクをレーザ光照射部位の半径方向の位置に応じて角
速度を変化させながら回転させながら、レーザ光ビーム
が光ディスクの記録領域の全面を走査するようにビーム
位置を制御する必要があり、動作が複雑となる上に、初
期化に要する時間が、数10秒から数分と長くならざるを
えなかった。
ィスクをレーザ光照射部位の半径方向の位置に応じて角
速度を変化させながら回転させながら、レーザ光ビーム
が光ディスクの記録領域の全面を走査するようにビーム
位置を制御する必要があり、動作が複雑となる上に、初
期化に要する時間が、数10秒から数分と長くならざるを
えなかった。
【０００８】こうした処理の問題点は、ディスクを用い
るほかの記録媒体に共通する問題点であり、磁気ディス
クでも、光磁気ディスクの場合でも発生しうる問題であ
った。
るほかの記録媒体に共通する問題点であり、磁気ディス
クでも、光磁気ディスクの場合でも発生しうる問題であ
った。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的
は、上記問題点を解決し、記録用ディスクの記録部位に
所定の処理を施すに際し、簡単な制御で、高速に上記処
理を施しうる記録用ディスクの処理装置、処理方法及び
記録用ディスクの製造方法を提供することにある。
は、上記問題点を解決し、記録用ディスクの記録部位に
所定の処理を施すに際し、簡単な制御で、高速に上記処
理を施しうる記録用ディスクの処理装置、処理方法及び
記録用ディスクの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録用ディス
クを保持しながら等速回転させる回転保持手段と、該回
転保持手段により保持された記録用ディスク面に処理用
エネルギーを付与する処理ユニットと、該処理ユニット
によるエネルギー付与部位を記録用ディスクの半径方向
に移動させるエネルギー付与部位の移動手段と、前記エ
ネルギー付与部位が記録用ディスクの内周部にある場合
の処理用エネルギー出力を、外周部にある場合よりも小
さくするように前記処理ユニットを制御するエネルギー
制御手段とを備えてなる記録用ディスクの処理装置を提
供する。
クを保持しながら等速回転させる回転保持手段と、該回
転保持手段により保持された記録用ディスク面に処理用
エネルギーを付与する処理ユニットと、該処理ユニット
によるエネルギー付与部位を記録用ディスクの半径方向
に移動させるエネルギー付与部位の移動手段と、前記エ
ネルギー付与部位が記録用ディスクの内周部にある場合
の処理用エネルギー出力を、外周部にある場合よりも小
さくするように前記処理ユニットを制御するエネルギー
制御手段とを備えてなる記録用ディスクの処理装置を提
供する。
【００１１】また、本発明の別の態様は、記録用ディス
クを保持しながら等速回転させる回転保持手段と、該回
転保持手段により保持された記録用ディスク面上の半径
方向に広がりを有するエネルギー付与部位に処理用エネ
ルギーを付与する処理ユニットと、前記エネルギー付与
部位のうち前記記録用ディスクの内周部にあるエネルギ
ー付与部位における処理用エネルギー出力を、外周部の
エネルギー付与部位よりも小さくするように前記処理ユ
ニットを制御するエネルギー制御手段とを備えてなる記
録用ディスクの処理装置を提供する。
クを保持しながら等速回転させる回転保持手段と、該回
転保持手段により保持された記録用ディスク面上の半径
方向に広がりを有するエネルギー付与部位に処理用エネ
ルギーを付与する処理ユニットと、前記エネルギー付与
部位のうち前記記録用ディスクの内周部にあるエネルギ
ー付与部位における処理用エネルギー出力を、外周部の
エネルギー付与部位よりも小さくするように前記処理ユ
ニットを制御するエネルギー制御手段とを備えてなる記
録用ディスクの処理装置を提供する。
【００１２】また、本発明の好ましい態様は、前記エネ
ルギー付与部位は、記録用ディスクの半径方向に異なる
複数の部位を含む、記録用ディスクの処理装置を提供す
る。
ルギー付与部位は、記録用ディスクの半径方向に異なる
複数の部位を含む、記録用ディスクの処理装置を提供す
る。
【００１３】また、本発明の好ましい態様は、前記処理
ユニットは、複数のエネルギー発生手段を含み、前記複
数の部位は、それぞれ、前記複数のエネルギー発生手段
の各々に対応している、記録用ディスクの処理装置を提
供する。
ユニットは、複数のエネルギー発生手段を含み、前記複
数の部位は、それぞれ、前記複数のエネルギー発生手段
の各々に対応している、記録用ディスクの処理装置を提
供する。
【００１４】また、本発明の好ましい態様は、前記エネ
ルギー付与部位は、長径方向が記録用ディスクの半径方
向と実質的に同一である楕円形状である、記録用ディス
クの処理装置を提供する。
ルギー付与部位は、長径方向が記録用ディスクの半径方
向と実質的に同一である楕円形状である、記録用ディス
クの処理装置を提供する。
【００１５】また、本発明の好ましい態様は、前記エネ
ルギー制御手段は、処理用エネルギーが前記エネルギー
付与部位の記録ディスク中心からの距離に実質的に比例
するように処理ユニットを制御するものである、記録用
ディスクの処理装置を提供する。
ルギー制御手段は、処理用エネルギーが前記エネルギー
付与部位の記録ディスク中心からの距離に実質的に比例
するように処理ユニットを制御するものである、記録用
ディスクの処理装置を提供する。
【００１６】また、本発明の好ましい態様は、前記エネ
ルギー制御手段は、処理用エネルギー出力が前記エネル
ギー付与部位の記録ディスク中心からの距離について実
質的にオフセット付き比例関係を保持するように処理ユ
ニットを制御するものである、請求項1 〜6 のいずれか
に記載の記録用ディスクの処理装置を提供する。
ルギー制御手段は、処理用エネルギー出力が前記エネル
ギー付与部位の記録ディスク中心からの距離について実
質的にオフセット付き比例関係を保持するように処理ユ
ニットを制御するものである、請求項1 〜6 のいずれか
に記載の記録用ディスクの処理装置を提供する。
【００１７】また、本発明の好ましい態様は、前記処理
ユニットは、光ビームの発生手段および/ または磁気の
発生手段を含むものである、記録用ディスクの処理装置
を提供する。
ユニットは、光ビームの発生手段および/ または磁気の
発生手段を含むものである、記録用ディスクの処理装置
を提供する。
【００１８】また、本発明は、記録用ディスクを等速回
転させながら該記録用ディスク面に処理用エネルギーを
付与するに際し、前記記録用ディスク面上のエネルギー
付与部位が前記記録用ディスクの内周部にある場合の前
記処理用エネルギーを、外周部にある場合よりも小さく
するように前記処理エネルギーを制御する記録用ディス
クの処理方法を提供する。
転させながら該記録用ディスク面に処理用エネルギーを
付与するに際し、前記記録用ディスク面上のエネルギー
付与部位が前記記録用ディスクの内周部にある場合の前
記処理用エネルギーを、外周部にある場合よりも小さく
するように前記処理エネルギーを制御する記録用ディス
クの処理方法を提供する。
【００１９】また、本発明は、ディスク基板上に記録膜
を形成し、該ディスク基板を等速回転させながら前記記
録膜にエネルギーを付与しながら所定の処理をする記録
用ディスクの製造方法であって、エネルギーを付与する
部位が前記ディスク基板の内周部にある場合の前記エネ
ルギーを、外周部にある場合よりも小さくするように前
記エネルギーを制御する記録用ディスクの製造方法を提
供する。
を形成し、該ディスク基板を等速回転させながら前記記
録膜にエネルギーを付与しながら所定の処理をする記録
用ディスクの製造方法であって、エネルギーを付与する
部位が前記ディスク基板の内周部にある場合の前記エネ
ルギーを、外周部にある場合よりも小さくするように前
記エネルギーを制御する記録用ディスクの製造方法を提
供する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の一実施態様につき、相変化型光ディスクの初期化処理
を例にとって説明する。
の一実施態様につき、相変化型光ディスクの初期化処理
を例にとって説明する。
【００２１】図1 は、本実施態様( 第1 の実施態様) の
初期化装置の主要部分を示すモデル図である。図1 にお
いて、初期化装置は、光ディスク1 を保持しながら回転
させるディスク回転装置7 と、光ディスク1 にレーザ光
ビームを照射する露光ユニット2 と、露光ユニット2 を
光ディスク1 の半径方向に移動させるトラバース機構6
と、トラバース機構6 およびディスク回転装置7 および
露光ユニット2 を制御する制御ユニット8 とからなって
いる。
初期化装置の主要部分を示すモデル図である。図1 にお
いて、初期化装置は、光ディスク1 を保持しながら回転
させるディスク回転装置7 と、光ディスク1 にレーザ光
ビームを照射する露光ユニット2 と、露光ユニット2 を
光ディスク1 の半径方向に移動させるトラバース機構6
と、トラバース機構6 およびディスク回転装置7 および
露光ユニット2 を制御する制御ユニット8 とからなって
いる。
【００２２】ディスク回転装置7 は、光ディスク1 を保
持しつつ一定角速度ωにて回転させる。各速度ωとして
は100 〜1000[rad/sec] の範囲を用い、速度の変動範囲
が、たとえば、0.1%程度以下となるように回転速度を制
御する。回転に用いるモータとしてはパルスモータやエ
ンコーダによるサーボ制御されたDCまたはACモータが好
ましく用いられる。本実施態様においては、たとえば、
速度制御の簡単なパルスモータを用いている。
持しつつ一定角速度ωにて回転させる。各速度ωとして
は100 〜1000[rad/sec] の範囲を用い、速度の変動範囲
が、たとえば、0.1%程度以下となるように回転速度を制
御する。回転に用いるモータとしてはパルスモータやエ
ンコーダによるサーボ制御されたDCまたはACモータが好
ましく用いられる。本実施態様においては、たとえば、
速度制御の簡単なパルスモータを用いている。
【００２３】露光ユニット2 は、半導体レーザ2aと結像
レンズ2bとからなり、半導体レーザ2aよりレーザ光を発
生させ、結像レンズ2bにより光ディスク1 面に光エネル
ギーを集中照射する。相変化型の光ディスクの初期化用
の場合、半導体レーザ2aとしては、波長λ=670〜850[n
m] 、光ディスク1 の表面のエネルギー付与部位10に付
与される最大パワーP=10〜1000[mW]、ビームスポットス
ポット径( 面積円相当径)D=1〜200[μm]、あるいはビー
ムスポット内の最大平均パワー密度W=3 ×108 〜3 ×10
10[mW/cm2]程度の条件範囲のものを用いるのが好まし
い。なお、半導体レーザ2aのパワーは( 出力) 、後述す
るように、エネルギー付与部位10の半径方向の位置r に
応じて制御ユニット8 により制御されるが、光ディスク
1 の最外周部にエネルギーを付与する際のパワーPmを最
大パワーとよぶ。
レンズ2bとからなり、半導体レーザ2aよりレーザ光を発
生させ、結像レンズ2bにより光ディスク1 面に光エネル
ギーを集中照射する。相変化型の光ディスクの初期化用
の場合、半導体レーザ2aとしては、波長λ=670〜850[n
m] 、光ディスク1 の表面のエネルギー付与部位10に付
与される最大パワーP=10〜1000[mW]、ビームスポットス
ポット径( 面積円相当径)D=1〜200[μm]、あるいはビー
ムスポット内の最大平均パワー密度W=3 ×108 〜3 ×10
10[mW/cm2]程度の条件範囲のものを用いるのが好まし
い。なお、半導体レーザ2aのパワーは( 出力) 、後述す
るように、エネルギー付与部位10の半径方向の位置r に
応じて制御ユニット8 により制御されるが、光ディスク
1 の最外周部にエネルギーを付与する際のパワーPmを最
大パワーとよぶ。
【００２４】トラバース機構6 は、露光ユニット2 の光
ディスク1 面上のエネルギー付与部位10のディスク半径
方向の位置( ディスク中心からの半径方向の距離)rを変
化させる機構であり、トラバースモータ3 と、ボールス
クリュー4 と、ボールネジ5とからなっている。ボール
ネジ5 は露光ユニット2 に固着されている一方、ボール
スクリュー4 に螺合されている。ボールスクリュー4 は
トラバースモータ3 に固着されている。これにより、ト
ラバースモータ3 が回転すると、露光ユニット2 が光デ
ィスク1 のディスク半径方向にディスク面に対して平行
に移動し、これによりエネルギー付与部位のディスク半
径方向の位置r を移動させる。
ディスク1 面上のエネルギー付与部位10のディスク半径
方向の位置( ディスク中心からの半径方向の距離)rを変
化させる機構であり、トラバースモータ3 と、ボールス
クリュー4 と、ボールネジ5とからなっている。ボール
ネジ5 は露光ユニット2 に固着されている一方、ボール
スクリュー4 に螺合されている。ボールスクリュー4 は
トラバースモータ3 に固着されている。これにより、ト
ラバースモータ3 が回転すると、露光ユニット2 が光デ
ィスク1 のディスク半径方向にディスク面に対して平行
に移動し、これによりエネルギー付与部位のディスク半
径方向の位置r を移動させる。
【００２５】制御ユニット8 は、回転装置7 が等速駆動
されるように、トラバースモータ3の回転を露光ユニッ
ト2 による光ディスク1 上のエネルギー付与部位が最内
周側から最外周側に等速移動するように、それぞれ制御
する。さらに、半導体レーザ2aのパワーをエネルギー付
与部位のディスクの内周部にある場合は外周部にある場
合よりも小さくするように制御する。
されるように、トラバースモータ3の回転を露光ユニッ
ト2 による光ディスク1 上のエネルギー付与部位が最内
周側から最外周側に等速移動するように、それぞれ制御
する。さらに、半導体レーザ2aのパワーをエネルギー付
与部位のディスクの内周部にある場合は外周部にある場
合よりも小さくするように制御する。
【００２６】このように構成された初期化装置は、次の
ように動作する。
ように動作する。
【００２７】はじめに、初期化すべき光ディスク1 が保
持された回転装置7 が起動し、各速度ω0 [rad/sec] に
て等速回転する。
持された回転装置7 が起動し、各速度ω0 [rad/sec] に
て等速回転する。
【００２８】つづいて、露光ユニット2 のレーザ光の光
ディスク1 上のエネルギー付与部位10のディスク半径方
向の位置r が、光ディスク1 の記録領域の最内周部に対
応するri[mm]となるように露光ユニットが移動する。
ディスク1 上のエネルギー付与部位10のディスク半径方
向の位置r が、光ディスク1 の記録領域の最内周部に対
応するri[mm]となるように露光ユニットが移動する。
【００２９】次に、露光ユニット2 からのレーザ光の照
射が開始される。このときのレーザパワーP はP i [W]
で、ビームスポットのディスク半径方向の広がり（パワ
ーの半値全幅）はD r [ μm]、ディスク円周方向の広が
りはD c [ μm]である。また、ビームスポットの面積は
S[μm2] である。ビームポットが円形の場合には、S=π
D r 2/4 となる。長径方向または短径方向がディスク半
径方向と一致する楕円形の場合には、S=πD r D c /4と
なる。
射が開始される。このときのレーザパワーP はP i [W]
で、ビームスポットのディスク半径方向の広がり（パワ
ーの半値全幅）はD r [ μm]、ディスク円周方向の広が
りはD c [ μm]である。また、ビームスポットの面積は
S[μm2] である。ビームポットが円形の場合には、S=π
D r 2/4 となる。長径方向または短径方向がディスク半
径方向と一致する楕円形の場合には、S=πD r D c /4と
なる。
【００３０】同時にエネルギー付与部位10のディスク半
径方向の位置r が光ディスク1 の記録領域の最外周部に
対応するr f [mm]となるまでトラバースモータ3 が回転
する。エネルギー付与部位10のディスク半径方向の移動
速度v t は vt=(1-f)D r ( ω0 /2π) (1) で定まる。ここで、f は0 と1 の間の値をとるオーバー
ラップ指数である( 図2参照) 。
径方向の位置r が光ディスク1 の記録領域の最外周部に
対応するr f [mm]となるまでトラバースモータ3 が回転
する。エネルギー付与部位10のディスク半径方向の移動
速度v t は vt=(1-f)D r ( ω0 /2π) (1) で定まる。ここで、f は0 と1 の間の値をとるオーバー
ラップ指数である( 図2参照) 。
【００３１】このようにして、レーザ光を光ディスク1
の記録領域の全域に順次照射する。記録領域上のある小
部位( 光のスポットサイズよりも小さな広がりを有す
る) に注目すると、エネルギー付与部位10( ビームスポ
ット) が通過することにより、この小部位の記録膜が初
期化される。すなわち、エネルギー付与により当該小部
位の記録膜材を結晶化温度以上の温度に昇温し、エネル
ギー付与部位10の移動後、エネルギー付与を受けなくな
り記録膜材の温度が低下して結晶状態になるのである。
の記録領域の全域に順次照射する。記録領域上のある小
部位( 光のスポットサイズよりも小さな広がりを有す
る) に注目すると、エネルギー付与部位10( ビームスポ
ット) が通過することにより、この小部位の記録膜が初
期化される。すなわち、エネルギー付与により当該小部
位の記録膜材を結晶化温度以上の温度に昇温し、エネル
ギー付与部位10の移動後、エネルギー付与を受けなくな
り記録膜材の温度が低下して結晶状態になるのである。
【００３２】この場合の当該小部位( ディスク半径方向
の位置r)に1 回のエネルギー付与部位10の通過に際して
付与される総エネルギー密度x[J/cm2 ] は、ビーム中心
が当該部位を通過するとすると、 x=PDc /(r ω0 S) (2) となる。このときのx をx 0 とする。総エネルギー密度
x は、記録領域の全域で一定であることが理想的であ
り、そうするためには、P/r が一定値であるのが好まし
い。実際には、ビームスポットの形状が長方形でない限
り、ビームスポットのディスク半径方向の両端部が通過
する部位の総エネルギー密度は中心部が通過する場合よ
りも低くなる。
の位置r)に1 回のエネルギー付与部位10の通過に際して
付与される総エネルギー密度x[J/cm2 ] は、ビーム中心
が当該部位を通過するとすると、 x=PDc /(r ω0 S) (2) となる。このときのx をx 0 とする。総エネルギー密度
x は、記録領域の全域で一定であることが理想的であ
り、そうするためには、P/r が一定値であるのが好まし
い。実際には、ビームスポットの形状が長方形でない限
り、ビームスポットのディスク半径方向の両端部が通過
する部位の総エネルギー密度は中心部が通過する場合よ
りも低くなる。
【００３３】図2 はこの様子を示したものである。ある
瞬間のビームスポットを10、光ディスク1 が1 回転した
後のビームスポットを10' とすると、10と10' の重複す
る部位12は2 回のエネルギー付与を受けるが、1 回の通
過で付与される最小の総エネルギー密度x min は、x 0
×(Dcmin/Dc ) となる。ここで、D cminは重複部位12の
ディスク円周方向の最大長さである。なお、上記ではビ
ームスポット内のパワー密度が均一であることを前提と
したが、実際にはビームスポットの端のパワー密度は中
心部の0.5 倍程度なので、さらに最小の総エネルギー密
度は小さくなる。D cminはオーバーラップ指数f が大き
いほど大きくなり、それだけ記録領域の各部がうける総
エネルギー密度が均一に近づくが、初期化に要する時間
が長くなる。
瞬間のビームスポットを10、光ディスク1 が1 回転した
後のビームスポットを10' とすると、10と10' の重複す
る部位12は2 回のエネルギー付与を受けるが、1 回の通
過で付与される最小の総エネルギー密度x min は、x 0
×(Dcmin/Dc ) となる。ここで、D cminは重複部位12の
ディスク円周方向の最大長さである。なお、上記ではビ
ームスポット内のパワー密度が均一であることを前提と
したが、実際にはビームスポットの端のパワー密度は中
心部の0.5 倍程度なので、さらに最小の総エネルギー密
度は小さくなる。D cminはオーバーラップ指数f が大き
いほど大きくなり、それだけ記録領域の各部がうける総
エネルギー密度が均一に近づくが、初期化に要する時間
が長くなる。
【００３４】さて、上記議論では、エネルギー付与中は
付与したエネルギーがエネルギー付与部位から放散しな
いことを仮定している。エネルギーの付与に要する時間
（付与時間）が長く、その間にエネルギーが放散する場
合には、上記(2) 式は次のように変更される。
付与したエネルギーがエネルギー付与部位から放散しな
いことを仮定している。エネルギーの付与に要する時間
（付与時間）が長く、その間にエネルギーが放散する場
合には、上記(2) 式は次のように変更される。
【００３５】x=PDc /(r ω0 S)-Ed (3) ここで、放散されるエネルギーの密度E d は、ビームス
ポット面積S 、照射時間、ディスクの層構成、照射エネ
ルギー等の複雑な関数となるが、簡単のため照射時間に
比例するものとする。この場合、ディスクの回転角速度
が一定であることから、(3) 式は、 x=PDc /(r ω0 S)-b/r (4) となる。ここで、b はディスク半径方向の位置r には依
存しない関数である。総エネルギー密度x を一定にする
ためには、レーザパワーP は、 P=Ar+B (5) の形をしているのが良いことがわかる。したがって、上
記のようなエネルギーの放散を考慮する必要がある場合
には、処理用エネルギーは、エネルギー付与部位のディ
スク半径方向の位置r に比例する成分と、r によらない
オフセット成分とを有する、ディスク半径方向の位置に
関してオフセット付き比例関係にあるのが好ましい。
ポット面積S 、照射時間、ディスクの層構成、照射エネ
ルギー等の複雑な関数となるが、簡単のため照射時間に
比例するものとする。この場合、ディスクの回転角速度
が一定であることから、(3) 式は、 x=PDc /(r ω0 S)-b/r (4) となる。ここで、b はディスク半径方向の位置r には依
存しない関数である。総エネルギー密度x を一定にする
ためには、レーザパワーP は、 P=Ar+B (5) の形をしているのが良いことがわかる。したがって、上
記のようなエネルギーの放散を考慮する必要がある場合
には、処理用エネルギーは、エネルギー付与部位のディ
スク半径方向の位置r に比例する成分と、r によらない
オフセット成分とを有する、ディスク半径方向の位置に
関してオフセット付き比例関係にあるのが好ましい。
【００３６】上述の通り、x の値は、記録膜各部で均一
であるのが好ましいが、記録膜の温度を結晶化温度以上
として初期化するのに十分な値( 必須エネルギー密度)
であり、かつ、記録膜や他の光ディスクの膜およびディ
スク基板の破損等の支障のない程度に小さい値( 安全エ
ネルギー密度) であれば、実質的に均一であるといえ
る。したがって、本発明において、上記D cminがD c よ
り小さくても、P/r が変動しても、回転装置7 の角速度
ω0 が変動しても、記録領域各部の1 回のエネルギー付
与で付与される総エネルギー密度x が必須エネルギー密
度以上でありかつ安全エネルギー密度以下であるなら
ば、いずれも実質的に均一であるとする。なお、記録用
ディスクが光磁気ディスクでも、磁気ディスクの場合で
も同様に、必須エネルギー密度と安全エネルギー密度を
定義できる。
であるのが好ましいが、記録膜の温度を結晶化温度以上
として初期化するのに十分な値( 必須エネルギー密度)
であり、かつ、記録膜や他の光ディスクの膜およびディ
スク基板の破損等の支障のない程度に小さい値( 安全エ
ネルギー密度) であれば、実質的に均一であるといえ
る。したがって、本発明において、上記D cminがD c よ
り小さくても、P/r が変動しても、回転装置7 の角速度
ω0 が変動しても、記録領域各部の1 回のエネルギー付
与で付与される総エネルギー密度x が必須エネルギー密
度以上でありかつ安全エネルギー密度以下であるなら
ば、いずれも実質的に均一であるとする。なお、記録用
ディスクが光磁気ディスクでも、磁気ディスクの場合で
も同様に、必須エネルギー密度と安全エネルギー密度を
定義できる。
【００３７】したがって、制御ユニット8 は、露光ユニ
ット2 によるエネルギー付与部位のディスク半径方向の
位置r を検出し、半導体レーザ2aの出力がこの値に比例
するよう制御するが、上記の意味において総エネルギー
密度x が均一である範囲でPの値をステップ状に変化さ
せても構わない。
ット2 によるエネルギー付与部位のディスク半径方向の
位置r を検出し、半導体レーザ2aの出力がこの値に比例
するよう制御するが、上記の意味において総エネルギー
密度x が均一である範囲でPの値をステップ状に変化さ
せても構わない。
【００３８】次に図3 を用いて、記録ディスクの回転装
置７の回転角速度を一定にできる利点を生かして複数の
エネルギー照射部位にエネルギーを照射しながら処理す
る、本発明の第2 の実施態様を説明する。図3 は、図1
と共通の部分については一部省略して描いてある。本実
施態様においては、露光ユニット2 が複数の半導体レー
ザと結像レンズを有し、複数のエネルギー照射部位10a
、10b 、10c および10d に同時にエネルギーを付与で
きるようになっている。すなわち、エネルギー照射部位
10が半径方向に広がりを有している。これにより、エネ
ルギー照射部位の数に比例する速度で初期化を行うこと
ができる。このとき、それぞれのエネルギー照射部位の
ディスク半径方向の位置がr a 、r b 、r c 、r d 、各
エネルギー照射部位の付与パワーP a 、P b 、P c 、P
d 、ビームスポット面積S a 、S b、S c 、S d 、ビー
ムスポットのディスク円周方向の広がりD ca、D cb、D
cc、D cdが、 P a D ca/(r a ω0 S a )=P b D cb/(r b ω0 S b )=P c D cc/(r c ω0 S c )=P d D cd/(r d ω0 S d ) (3) を満たすように設定しておく。ただし、上記等号は前述
の意味において均一である場合には成立しているものと
する。すなわち、(3) 式は、(3) 式の各項が必須エネル
ギー密度以上でありかつ安全エネルギー密度以下である
ことを意味している。
置７の回転角速度を一定にできる利点を生かして複数の
エネルギー照射部位にエネルギーを照射しながら処理す
る、本発明の第2 の実施態様を説明する。図3 は、図1
と共通の部分については一部省略して描いてある。本実
施態様においては、露光ユニット2 が複数の半導体レー
ザと結像レンズを有し、複数のエネルギー照射部位10a
、10b 、10c および10d に同時にエネルギーを付与で
きるようになっている。すなわち、エネルギー照射部位
10が半径方向に広がりを有している。これにより、エネ
ルギー照射部位の数に比例する速度で初期化を行うこと
ができる。このとき、それぞれのエネルギー照射部位の
ディスク半径方向の位置がr a 、r b 、r c 、r d 、各
エネルギー照射部位の付与パワーP a 、P b 、P c 、P
d 、ビームスポット面積S a 、S b、S c 、S d 、ビー
ムスポットのディスク円周方向の広がりD ca、D cb、D
cc、D cdが、 P a D ca/(r a ω0 S a )=P b D cb/(r b ω0 S b )=P c D cc/(r c ω0 S c )=P d D cd/(r d ω0 S d ) (3) を満たすように設定しておく。ただし、上記等号は前述
の意味において均一である場合には成立しているものと
する。すなわち、(3) 式は、(3) 式の各項が必須エネル
ギー密度以上でありかつ安全エネルギー密度以下である
ことを意味している。
【００３９】(3) 式を満たす場合として、たとえば、各
エネルギー付与部位ごとに同様の仕様のレーザビームを
用い、P a /ra =Pb /rb =Pc /rc =Pd /rd を満たすよう
に各半導体レーザのパワーを制御する場合がある。すな
わち、それぞれの処理用エネルギーが各々のエネルギー
付与部位のディスク中心からの距離に実質的に比例する
ようにする場合である。この場合、r a >rb >rc >rd が
成立するため、ディスク内周部にあるエネルギー付与部
位はそれよりも外周側にあるエネルギー付与部位よりも
付与するパワーが小さくなるように制御される。この場
合でもトラバースモータ3 の駆動にともなってエネルギ
ー付与部位が外周側に移動するにつれて各レーザのパワ
ーを増大させてゆくが、十分多数のエネルギー付与部位
を設けることができる場合には、露光ユニット2 の初期
位置と最終位置との差が十分小さくなり、各レーザのパ
ワーを初期設定値のまま保っても、(3) 式が満たされる
ならば確実に均一な初期化が短時間に実施でき、制御ユ
ニット8 の構成が簡単になる。
エネルギー付与部位ごとに同様の仕様のレーザビームを
用い、P a /ra =Pb /rb =Pc /rc =Pd /rd を満たすよう
に各半導体レーザのパワーを制御する場合がある。すな
わち、それぞれの処理用エネルギーが各々のエネルギー
付与部位のディスク中心からの距離に実質的に比例する
ようにする場合である。この場合、r a >rb >rc >rd が
成立するため、ディスク内周部にあるエネルギー付与部
位はそれよりも外周側にあるエネルギー付与部位よりも
付与するパワーが小さくなるように制御される。この場
合でもトラバースモータ3 の駆動にともなってエネルギ
ー付与部位が外周側に移動するにつれて各レーザのパワ
ーを増大させてゆくが、十分多数のエネルギー付与部位
を設けることができる場合には、露光ユニット2 の初期
位置と最終位置との差が十分小さくなり、各レーザのパ
ワーを初期設定値のまま保っても、(3) 式が満たされる
ならば確実に均一な初期化が短時間に実施でき、制御ユ
ニット8 の構成が簡単になる。
【００４０】次に、図4 を用いて本発明の第3 の態様を
説明する。図4 においてはエネルギー付与部位の形状を
中心に示し、他の部材については省略してある。本実施
態様態様においては、エネルギー付与部位の形状が、長
径方向をディスク半径方向と実質的に同一とするような
楕円の形状となるように結像レンズを構成する。この場
合も、(2) 式または(3) 式を満たすように半導体レーザ
のパワーを制御する。
説明する。図4 においてはエネルギー付与部位の形状を
中心に示し、他の部材については省略してある。本実施
態様態様においては、エネルギー付与部位の形状が、長
径方向をディスク半径方向と実質的に同一とするような
楕円の形状となるように結像レンズを構成する。この場
合も、(2) 式または(3) 式を満たすように半導体レーザ
のパワーを制御する。
【００４１】ただし、上記実施態様のように、エネルギ
ー付与部位のディスク半径方向の広がりD r がエネルギ
ー付与部位のディスク半径方向の位置r に比べて無視で
きないほど大きい場合には、エネルギー付与部位内の各
部のディスク半径方向の位置r が同一である範囲のパワ
ー密度をディスク円周方向に積分したものがr に実質的
に比例するように構成するのが好ましい。また、エネル
ギー付与部位の半径方向の広がりが十分大きい場合に
は、その内部でのパワー密度等の条件を上述のようにす
れば、ディスク半径方向に移動させる必要はなく、ディ
スクを少ない回転の間に所定の処理を行うことができ
る。
ー付与部位のディスク半径方向の広がりD r がエネルギ
ー付与部位のディスク半径方向の位置r に比べて無視で
きないほど大きい場合には、エネルギー付与部位内の各
部のディスク半径方向の位置r が同一である範囲のパワ
ー密度をディスク円周方向に積分したものがr に実質的
に比例するように構成するのが好ましい。また、エネル
ギー付与部位の半径方向の広がりが十分大きい場合に
は、その内部でのパワー密度等の条件を上述のようにす
れば、ディスク半径方向に移動させる必要はなく、ディ
スクを少ない回転の間に所定の処理を行うことができ
る。
【００４２】本発明において、処理ユニットのエネルギ
ー付与手段としては、レーザ等のコヒーレント光源、LE
D 、ハロゲンランプ、HID ランプ等の非コヒーレント光
源などが考えられる。記録用ディスクが磁気ディスクや
光磁気ディスクの場合には磁気エネルギーを付与する電
磁石や永久磁石を単独、または上記光源類と組み合わせ
て用いることもできる。特に、光磁気ディスクの場合に
は、光源と磁石を同時に用いるのが好ましい。
ー付与手段としては、レーザ等のコヒーレント光源、LE
D 、ハロゲンランプ、HID ランプ等の非コヒーレント光
源などが考えられる。記録用ディスクが磁気ディスクや
光磁気ディスクの場合には磁気エネルギーを付与する電
磁石や永久磁石を単独、または上記光源類と組み合わせ
て用いることもできる。特に、光磁気ディスクの場合に
は、光源と磁石を同時に用いるのが好ましい。
【００４３】なお、レーザとしては半導体レーザがパワ
ーの動的な変更に適するため好ましいが、大きな絶対パ
ワーを得たいときにはガスレーザ( たとえば、アルゴン
イオンレーザ) や固体レーザ( たとえば、YAG レーザ)
が好ましく、レーザ波長を動的に変更したいときにはダ
イレーザを用いるのがよい。
ーの動的な変更に適するため好ましいが、大きな絶対パ
ワーを得たいときにはガスレーザ( たとえば、アルゴン
イオンレーザ) や固体レーザ( たとえば、YAG レーザ)
が好ましく、レーザ波長を動的に変更したいときにはダ
イレーザを用いるのがよい。
【００４４】
実施例１ 図１の構成を有する、5.25インチ規格の相変化型光ディ
スクの初期化装置を用いた実施例を示す。初期化する光
ディスクとして、透明なポリカーボネート基板の上に、
反射層としてAl0.979 Hf0.02Pd0.001 の層を70[nm]、保
護層として(ZnS) 72(SiO2 ) 18C 10の層を35[nm]、記録
層としてNb0.006 Pd0.001 Ge17.3Sb0.26Te0.5 の層を23
[nm]、保護層として(ZnS) 78(SiO2 ) 19.5C 2.5 の層を
150[nm]、それぞれこの順に形成し、さらにUV樹脂から
なるオーバーコートを施したものを用いる。記録部位
は、半径方向の位置r i =22[mm] からr f =59[mm] まで
の範囲に広がっている。
スクの初期化装置を用いた実施例を示す。初期化する光
ディスクとして、透明なポリカーボネート基板の上に、
反射層としてAl0.979 Hf0.02Pd0.001 の層を70[nm]、保
護層として(ZnS) 72(SiO2 ) 18C 10の層を35[nm]、記録
層としてNb0.006 Pd0.001 Ge17.3Sb0.26Te0.5 の層を23
[nm]、保護層として(ZnS) 78(SiO2 ) 19.5C 2.5 の層を
150[nm]、それぞれこの順に形成し、さらにUV樹脂から
なるオーバーコートを施したものを用いる。記録部位
は、半径方向の位置r i =22[mm] からr f =59[mm] まで
の範囲に広がっている。
【００４５】初期化用ビームスポットのディスク半径方
向の広がりはD r =55[μm]、ディスク円周方向の広がり
はD c =0.85[μm]である。ディスクの回転角速度を280
[rad/sec]に安定化し、ビームスポットの位置がr=r i
のときの光ディスク表面のエネルギー付与部位に付与さ
れるエネルギーが200[mW] 、r=r f のときのエネルギー
が360[mW] となり、その間を直線的に変化するように露
光ユニットのレーザパワーを制御する。この場合、レー
ザのパワーはディスク半径方向の位置についてオフセッ
ト付き比例関係にある。オーバーラップ指数f は37%
（オーバーラップ部の半径方向の長さが約20μｍ）この
ときの初期化に要する時間は約40秒である。
向の広がりはD r =55[μm]、ディスク円周方向の広がり
はD c =0.85[μm]である。ディスクの回転角速度を280
[rad/sec]に安定化し、ビームスポットの位置がr=r i
のときの光ディスク表面のエネルギー付与部位に付与さ
れるエネルギーが200[mW] 、r=r f のときのエネルギー
が360[mW] となり、その間を直線的に変化するように露
光ユニットのレーザパワーを制御する。この場合、レー
ザのパワーはディスク半径方向の位置についてオフセッ
ト付き比例関係にある。オーバーラップ指数f は37%
（オーバーラップ部の半径方向の長さが約20μｍ）この
ときの初期化に要する時間は約40秒である。
【００４６】なお、たとえば、記録層やその前後の保護
層のエネルギーの放散が無視できるほどの場合には、上
記の場合においてビームスポットの位置がr=r i のとき
の光ディスク表面のエネルギー付与部位に付与されるエ
ネルギーを135[mW] とし、r=r f のときのエネルギーが
360[mW] となり、その間を直線的に変化するように露光
ユニットのレーザパワーを制御する。この場合、エネル
ギー付与部位に付与されるエネルギーはエネルギー付与
部位の半径方向の位置r に比例する。
層のエネルギーの放散が無視できるほどの場合には、上
記の場合においてビームスポットの位置がr=r i のとき
の光ディスク表面のエネルギー付与部位に付与されるエ
ネルギーを135[mW] とし、r=r f のときのエネルギーが
360[mW] となり、その間を直線的に変化するように露光
ユニットのレーザパワーを制御する。この場合、エネル
ギー付与部位に付与されるエネルギーはエネルギー付与
部位の半径方向の位置r に比例する。
【００４７】実施例2 図３の構成を有し、レーザビームを４本有すること以外
は実施例１と同様の装置用いた実施例を示す。初期化す
るディスクは実施例1 と同じである。各ビームのビーム
スポットの最内周の位置をそれぞれ、22, 31.25, 40.5
および 49.75[mm]であり、その時のエネルギーをそれぞ
れ、200,240,280 および320[mW] とする。また、各ビー
ムの担当範囲をディスク半径方向に1/4 ずつとするが、
その境界領域ではエネルギー付与部位のディスク半径方
向の広がりD r (55[μｍ])の2 倍である110[μｍ] だけ
オーバーラップさせる。この領域のオーバーラップはD
rの1 倍以上とるのがよく、好ましくは2 倍以上とす
る。
は実施例１と同様の装置用いた実施例を示す。初期化す
るディスクは実施例1 と同じである。各ビームのビーム
スポットの最内周の位置をそれぞれ、22, 31.25, 40.5
および 49.75[mm]であり、その時のエネルギーをそれぞ
れ、200,240,280 および320[mW] とする。また、各ビー
ムの担当範囲をディスク半径方向に1/4 ずつとするが、
その境界領域ではエネルギー付与部位のディスク半径方
向の広がりD r (55[μｍ])の2 倍である110[μｍ] だけ
オーバーラップさせる。この領域のオーバーラップはD
rの1 倍以上とるのがよく、好ましくは2 倍以上とす
る。
【００４８】オーバーラップ指数を上記と同じくする
と、初期化に要する時間は約10秒となる。この場合も、
レーザパワーはディスク半径方向の位置についてオフセ
ット付き比例関係となる。
と、初期化に要する時間は約10秒となる。この場合も、
レーザパワーはディスク半径方向の位置についてオフセ
ット付き比例関係となる。
【００４９】また、各ビームのパワーをそれぞれ、220,
260,300 および340[mW] （すなわち、上記実施例2 の各
ビームのディスク最内周部と最外周部の中間でのパワー
にあわせる）の一定としても初期化できる。
260,300 および340[mW] （すなわち、上記実施例2 の各
ビームのディスク最内周部と最外周部の中間でのパワー
にあわせる）の一定としても初期化できる。
【００５０】比較例 図１の構成を有し、ディスクの回転装置7 が角速度一定
でなく、レーザビームの線速度を6.2[m/sec]一定、レー
ザビームのパワーを194.4[mW] 一定としたほかは、実施
例１と同様の装置用いた例を示す。初期化するディスク
は実施例1 と同じである。初期化に要する時間は69秒で
ある。
でなく、レーザビームの線速度を6.2[m/sec]一定、レー
ザビームのパワーを194.4[mW] 一定としたほかは、実施
例１と同様の装置用いた例を示す。初期化するディスク
は実施例1 と同じである。初期化に要する時間は69秒で
ある。
【００５１】この場合、ディスクの回転速度の制御をエ
ネルギー付与部位の半径方向の位置に反比例させる必要
がある。また、本発明のようにディスク半径方向に大き
な広がりのあるエネルギー付与部位に同時にエネルギー
を付与する場合に、エネルギー付与部位の半径方向の位
置ごとに複雑なパワーの制御をする必要がある。
ネルギー付与部位の半径方向の位置に反比例させる必要
がある。また、本発明のようにディスク半径方向に大き
な広がりのあるエネルギー付与部位に同時にエネルギー
を付与する場合に、エネルギー付与部位の半径方向の位
置ごとに複雑なパワーの制御をする必要がある。
【００５２】
【発明の効果】本発明の記録ディスクの処理装置、処理
方法および記録ディスクの製造方法によれば、処理用エ
ネルギーのエネルギー付与部位が記録用ディスクの内周
部にある場合の処理用エネルギー出力を、外周部にある
場合よりも小さくするように制御するので、等速回転す
る簡単な制御で、高速に上記処理を施すことができる。
方法および記録ディスクの製造方法によれば、処理用エ
ネルギーのエネルギー付与部位が記録用ディスクの内周
部にある場合の処理用エネルギー出力を、外周部にある
場合よりも小さくするように制御するので、等速回転す
る簡単な制御で、高速に上記処理を施すことができる。
【００５３】また、本発明の記録ディスクの処理装置の
別の態様によれば、エネルギ付与部位がディスクの半径
方向に広がりを有しているため、さらに高速に処理する
ことができる。
別の態様によれば、エネルギ付与部位がディスクの半径
方向に広がりを有しているため、さらに高速に処理する
ことができる。
【図１】本発明の一実施態様例の概略構成を示すモデル
図である。
図である。
【図２】本発明におけるエネルギー付与部位の形状とオ
ーバーラップの様子を示す図である。
ーバーラップの様子を示す図である。
【図３】本発明の一実施態様例の概略構成を示すモデル
図である。
図である。
【図４】本発明の一実施態様例の概略構成を示すモデル
図である。
図である。
１：光ディスク ２：露光ユニット ２ａ：半導体レーザ ２ｂ：結像レンズ ３：トラバースモータ ４：ボールスクリュー ５：ボールネジ ６：トラバース機構 ７：回転装置 ８：制御ユニット １０：エネルギー付与部位 １２：エネルギー付与部位の重複部位
Claims (10)
- 【請求項１】記録用ディスクを保持しながら等速回転さ
せる回転保持手段と、該回転保持手段により保持された
記録用ディスク面に処理用エネルギーを付与する処理ユ
ニットと、該処理ユニットによるエネルギー付与部位を
記録用ディスクの半径方向に移動させるエネルギー付与
部位の移動手段と、前記エネルギー付与部位が記録用デ
ィスクの内周部にある場合の処理用エネルギー出力を、
外周部にある場合よりも小さくするように前記処理ユニ
ットを制御するエネルギー制御手段とを備えてなる記録
用ディスクの処理装置。 - 【請求項２】記録用ディスクを保持しながら等速回転さ
せる回転保持手段と、該回転保持手段により保持された
記録用ディスク面上の半径方向に広がりを有するエネル
ギー付与部位に処理用エネルギーを付与する処理ユニッ
トと、前記エネルギー付与部位のうち前記記録用ディス
クの内周部にあるエネルギー付与部位における処理用エ
ネルギー出力を、外周部のエネルギー付与部位よりも小
さくするように前記処理ユニットを制御するエネルギー
制御手段とを備えてなる記録用ディスクの処理装置。 - 【請求項３】前記エネルギー付与部位は、記録用ディス
クの半径方向に異なる複数の部位を含む、請求項2 に記
載の記録用ディスクの処理装置。 - 【請求項４】前記処理ユニットは、複数のエネルギー発
生手段を含み、前記複数の部位は、それぞれ、前記複数
のエネルギー発生手段の各々に対応している、請求項3
に記載の記録用ディスクの処理装置。 - 【請求項５】前記エネルギー付与部位は、長径方向が記
録用ディスクの半径方向と実質的に同一である楕円形状
である、請求項2 または3 に記載の記録用ディスクの処
理装置。 - 【請求項６】前記エネルギー制御手段は、処理用エネル
ギー出力が前記エネルギー付与部位の記録ディスク中心
からの距離に実質的に比例するように処理ユニットを制
御するものである、請求項1 〜5 のいずれかに記載の記
録用ディスクの処理装置。 - 【請求項７】前記エネルギー制御手段は、処理用エネル
ギー出力が前記エネルギー付与部位の記録ディスク中心
からの距離について実質的にオフセット付き比例関係を
保持するように処理ユニットを制御するものである、請
求項1 〜6 のいずれかに記載の記録用ディスクの処理装
置。 - 【請求項８】前記処理ユニットは、光ビームの発生手段
および/ または磁気の発生手段を含むものである、請求
項1 〜6 のいずれかに記載の記録用ディスクの処理装
置。 - 【請求項９】記録用ディスクを等速回転させながら該記
録用ディスク面に処理用エネルギーを付与するに際し、
前記記録用ディスク面上のエネルギー付与部位が前記記
録用ディスクの内周部にある場合の処理用エネルギー出
力を、外周部にある場合よりも小さくするように前記処
理エネルギーを制御する記録用ディスクの処理方法。 - 【請求項１０】ディスク基板上に記録膜を形成し、該デ
ィスク基板を等速回転させながら前記記録膜にエネルギ
ーを付与しながら所定の処理をする記録用ディスクの製
造方法であって、エネルギーを付与する部位が前記ディ
スク基板の内周部にある場合のエネルギー出力を、外周
部にある場合よりも小さくするようにエネルギー出力を
制御する記録用ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13333996A JPH09320120A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 記録用ディスクの処理装置および処理方法ならびに記録用ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13333996A JPH09320120A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 記録用ディスクの処理装置および処理方法ならびに記録用ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320120A true JPH09320120A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15102415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13333996A Pending JPH09320120A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 記録用ディスクの処理装置および処理方法ならびに記録用ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09320120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1014353A3 (en) * | 1998-12-24 | 2001-08-29 | Ricoh Company | Initialization of phase-change optical recording medium |
-
1996
- 1996-05-28 JP JP13333996A patent/JPH09320120A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1014353A3 (en) * | 1998-12-24 | 2001-08-29 | Ricoh Company | Initialization of phase-change optical recording medium |
| US6445669B1 (en) | 1998-12-24 | 2002-09-03 | Ricoh Company, Ltd. | Initialization of phase-change optical recording medium |
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