JPH09320807A - 低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】低温熱処理により形成が可能な高性能低抵抗
膜、該低抵抗膜形成用塗布液及び該低抵抗膜の製造方法
の提供。 【解決手段】平均粒径が１０ｎｍを超えるＡｇ微粒子を
分散してなる液を含む低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜
及びその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、低抵抗膜形成用塗
布液、低抵抗膜及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ブラウン管は高電圧で作動するため起動
時、あるいは終了時に該表面に静電気が誘発される。こ
の静電気により該表面にほこりが付着しコントラスト低
下を引き起こしたり、あるいは直接触れた際に軽い電気
ショックによる不快感を生じることが多い。

【０００３】従来、上述の事柄を防止するためにブラウ
ン管パネル表面に帯電防止膜を付与する試みがかなりな
されてきた。例えば、特開昭６３−７６２４７号記載の
通り、ブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱し、
ＣＶＤ法により酸化錫及び酸化インジウム等の導電性酸
化物層を設ける方法が採用されてきた。しかしながらこ
の方法では装置コストがかかることに加え、ブラウン管
表面を高温に加熱するためブラウン管内の蛍光体の脱落
を生じたり、寸法精度が低下する等の問題があった。ま
た、導電層に用いる材料としては酸化錫が最も一般的で
あるが、この場合低温処理では高性能な膜が得にくい欠
点があった。

【０００４】また近年、電磁波ノイズによる電子機器へ
の電波障害が社会問題となり、それらを防止するため規
格の作成、規制が行われている。電磁波ノイズは人体に
ついて、ＣＲＴ上の静電気チャージによる皮膚癌の恐
れ、低周波電界（ＥＬＦ）による胎児への影響、その他
Ｘ線、紫外線等による害が各国で問題視されている。
この場合、導電性塗膜をブラウン管表面に介在させるこ
とにより、導電性塗膜に電磁波が当たり、塗膜内に渦電
流を誘導して、この作用で電磁波を反射する。しかし、
このためには高い電界強度に耐えうる良導電性が必要あ
るが、それほどの良導電性の膜を得ることは更に困難で
あった。

【０００５】一方低抵抗膜の製造法方法に関しては例え
ば特開平６−３１００５８号に金属塩と還元剤の混合液
を塗布して低抵抗膜を形成する旨記載があるがこれは金
属塩溶液の安定性に乏しいため還元剤と混合後直ちに塗
布する必要があり、また溶液自体の成膜性が乏しいため
得られる膜の外観が悪いという欠点があった。

【０００６】また特開昭６３−１６０１４０号には金属
酸化物とＰｄ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕの内少なくとも
１種の金属粒子を含む液を塗布する旨記載があるが、こ
の場合金属微粒子径が０．０１μｍ以下であり金属分散
液の安定性が乏しい点に問題があった。

【０００７】また、低抵抗膜及び低反射膜のコーティン
グ法は、従来より光学機器においてはいうまでもなく、
民生用機器特にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管
（ＣＲＴ）に関し数多くの検討がなされてきた。従来の
方法は例えば特開昭６１−１１８９３１号記載の如くブ
ラウン管表面に防眩効果をもたせるために表面に微細な
凹凸を有するＳｉＯ₂ 層を付着させたり、フッ酸により
表面をエッチングして凹凸を設ける等の方法がとられて
きた。

【０００８】しかし、これらの方法は、外部光を散乱さ
せるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反射層を設け
る方法でないため、反射率の低減には限界があり、また
ブラウン管などにおいては、解像度を低下させる原因と
もなっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術が有
していた前述の欠点を解消しようとするものであり、低
温熱処理により形成が可能な高性能低抵抗膜、該低抵抗
膜形成用塗布液及び該低抵抗膜の製造方法の提供を目的
とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、平均粒径が１
０ｎｍを超えるＡｇ微粒子を分散してなる液を含むこと
を特徴とする低抵抗膜形成用塗布液を提供する。

【００１１】本発明における低抵抗膜形成用塗布液中に
含むＡｇ微粒子を分散してなる液は種々の方法により製
造可能できる。

【００１２】特にＡｇ化合物溶液にＡｇ化合物を還元し
うる物質を混合して製造することが好ましい。

【００１３】Ａｇ化合物としては、Ａｇ塩が挙げられ
る。Ａｇ塩としては、硝酸銀、亜硝酸銀、シアン化銀等
溶解度に高い種々の塩が使用可能できる。コスト、安全
性の点から硝酸銀が好ましい。また硝酸銀は水等の溶媒
にそのまま溶解して用いることが好ましい。

【００１４】Ａｇ化合物を還元してＡｇを析出しうる化
合物としては特に限定されず、ＦｅＳＯ₄ 、ＳｎＳＯ₄
等卑金属の塩、ホルマリン、ブドウ糖、ロッセル塩、酒
石酸、チオ硫酸ソーダ、水素化硼素化合物、次亜リン酸
塩等が挙げられる。これらの化合物の内還元速度が比較
的緩やかなＦｅＳＯ₄ 、ＳｎＳＯ₄ 等卑金属を含む塩が
好ましい。特にＦｅＳＯ₄ は還元速度が緩やかで均一な
Ａｇ分散液を作りやすいため好ましい。

【００１５】またＡｇ化合物と還元成分を混合する前
に、Ａｇ化合物にＡｇイオンと錯体を形成する物質、あ
るいは生成したＡｇ微粒子表面に吸着していわゆる保護
コロイドを形成する物質を添加することが好ましい。こ
れは、得られるＡｇ分散液中のＡｇ微粒子の粒径が均一
となるである。

【００１６】錯体を形成しうる物質としては、シュウ
酸、クエン酸等のカルボン酸及びその塩や、アンモニ
ア、トリエタノールアミン等が挙げられる。また表面に
吸着して保護コロイドを形成しうる物質としては、ＰＶ
Ａ、ＰＶＰ、ゼラチン、アクリル樹脂等の高分子材料が
挙げられる。これらの内クエン酸塩特にクエン酸ソーダ
を用いた場合は、得られるＡｇ微粒子の均一性に優れる
ため好ましい。

【００１７】本発明で用いるＡｇ微粒子分散液は上記成
分を混合して低抵抗膜形成用塗布液に用いることができ
る。特に、分散液中に含まれるアルカリ金属イオン、ア
ンモニアイオン、多価金属イオン等の陽イオンならびに
鉱酸等の無機陰イオン、酢酸、蟻酸等の有機陰イオン等
を脱イオンして用いることが好ましい。

【００１８】この場合分散液中のイオン量は種々の方法
で測定しうるが例えば伝導度で測定した場合５００μＳ
／ｃｍ以下、特に２００μＳ／ｃｍ以下であることが好
ましい。液中のイオン量が多くなると、Ａｇ微粒子が凝
集し所定の面抵抗が得られなくなるのみならず得られる
膜の外観が悪化するため好ましくない。

【００１９】上記成分を混合して得られるＡｇ微粒子分
散液はそのままでも低抵抗膜形成用塗布液に用いること
ができるが、脱塩により分散液中のイオン量を低減させ
た場合得られる膜の抵抗値が安定し更に膜の外観も向上
するため好ましい。

【００２０】脱塩の手法としては特に限定されず限外ろ
過、イオン交換等が使用可能である。特に、得られたＡ
ｇ微粒子分散液とイオン交換樹脂を接触する手法は、Ａ
ｇ分散液の安定性を損なわずに脱塩が可能であることか
ら好ましい。

【００２１】Ａｇ微粒子分散液においてはＡｇ微粒子の
平均粒径が１０ｎｍを超えることが必要である。１０ｎ
ｍ以下であると均一分散性及び安定性が損なわれるため
である。特に、２０〜１００ｎｍの範囲であることが好
ましい。これは粒径が２０ｎｍ未満ではＡｇ微粒子自身
の光プラズマ共鳴吸収が大きくなり、成膜後、４００〜
５００ｎｍ領域での吸収が大きくなり、また１００ｎｍ
を超えると可視光の散乱が増大し膜の透明度が著しく低
下するからである。

【００２２】Ａｇ分散液は種々の溶媒で希釈又は置換し
て低抵抗膜形成用塗布液として用いられる。溶媒として
は特に限定されず、水や種々の有機溶媒が適用可能でき
る。例えばメタノール、エタノール、プロピルアルコー
ル、ブタノール等のアルコール類、エチレングリコール
等の多価アルコール類、エチルセロソルブ、メチルセロ
ソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールメチ
ルエーテル等のエーテル類、２，４−ペンタンジオン、
ジアセトアルコール等のケトン類、乳酸エチル、乳酸メ
チル等のエステル類、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド
類、ジメチルスルホキシド、又はスルホラン等の硫黄化
合物が使用できる。

【００２３】低抵抗膜形成用塗布液中のＡｇ濃度は０．
０１〜５重量％、好ましくは０．０５〜２重量％となる
ように調整されることが好ましい。５重量％を越えると
塗布膜の透明性が著しく低下し、一方０．０１重量％未
満だと膜の抵抗が上昇するため好ましくない。

【００２４】また塗布液中には膜の透過率あるいは色調
等の物性を変えるためにＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＧａの群から選ばれる少なくとも１
種の元素の化合物を添加できる。

【００２５】化合物としては特に限定はないがＳｎをド
ープしたＩｎ₃ Ｏ₃ 、ＳｂをドープしたＳｎＯ₂ を用い
た場合、膜の抵抗を上昇させずに透過率を制御できるた
め好ましい。

【００２６】またＳｉＯ₂ 特にケイ酸エチル等を加水分
解して得られるＳｉＯ₂ ゾルを用いた場合、膜の塗布性
が向上するため好ましい。またＴｉＯ₂ を用いた場合も
塗布性及び色調を制御できるため好ましい。

【００２７】前記化合物は、微粒子あるいはアルコキシ
ドの加水分解物の形態で前述のＡｇ分散液に添加するこ
ともできるし、また超音波分散機、サンドミル等の分散
機により分散した液として添加することもできる。

【００２８】更に基体への濡れ性を向上させるために種
々の界面活性剤を添加することもできる。

【００２９】低抵抗膜形成用塗布液の基体上への塗布方
法としては、スピンコート、ディップコート、スプレー
コート等の方法が使用できる。また、スプレーコート法
を用いて表面に凹凸を形成し防眩効果を付与してもよ
く、またその上にシリカ被膜等のハードコートを設けて
もよい。

【００３０】更には、本発明の低抵抗膜をスピンコー
ト、スプレーコート何れかの方法で形成し、その上にシ
リコンアルコキシドを含む溶液をスプレーコートして、
表面に凹凸を有するシリカ被膜のノングレアコートを設
けてもよい。

【００３１】本発明の低抵抗膜形成用塗布液はそれ自体
で基体上への塗布液として供することができ、低沸点溶
媒を添加した場合、室温下の乾燥で塗膜が得られる。沸
点が１００〜２５０℃にある溶媒を用いる場合には、室
温乾燥では溶媒が塗膜中に残留するため、加熱処理を行
う。加熱温度の上限は、基板であるガラス、プラスチッ
ク等の軟化点によって決定される。この点を考慮すると
好ましい加熱温度範囲は１００〜５００℃である。

【００３２】また、前記加熱処理の他、紫外線照射をし
てもよい。本発明の低抵抗膜は、５ｓバンドと５ｄバン
ドに起因する３３０ｎｍ付近に吸収ピークが存在し、紫
外線照射をした場合、効率よくエネルギーが吸収され、
膜硬化作用が発現する。

【００３３】光の干渉作用を利用して、低抵抗膜（屈折
率ｎ₁ ）の上に、低屈折率膜（屈折率ｎ₂ ）を形成し、
低反射性を有する多層低抵抗膜とすることもできる。例
えば、基体がガラスの場合（屈折率ｎ＝１．５２）の場
合、ｎ₁ ／ｎ₂ の比の値が約１．２３となるような低屈
折率膜を形成すると最も反射率を低減できる。反射率の
低減としては、可視光領域、特に、５５５ｎｍの反射率
を低減することが好ましいが、実用上は反射外観等を考
慮し、適宜決定することが好ましい。

【００３４】かかる２層からなる多層低抵抗膜の最外層
の低屈折率膜は、ＭｇＦ₂ ゾルを含む溶液や、Ｓｉアル
コキサイドを含む溶液を用いて形成された膜などが挙げ
られる。

【００３５】屈折率はＭｇＦ₂ が最も低く、反射率低減
のためにはＭｇＦ₂ ゾルを含む溶液を用いることが好ま
しく、膜の硬度や耐擦傷性の点ではＳｉＯ₂ を主成分と
する膜を用いることが好ましい。

【００３６】Ｓｉアルコキサイドを含む溶液としては種
々のものが使用可能でき、Ｓｉ（ＯＲ）_y ・Ｒ’_4-y
（ｙは３又は４。Ｒ、Ｒ’はアルキル基。）で示される
Ｓｉアルコキサイドあるいはその部分加水分解物を含む
液が挙げられる。例えば、シリコンエトキシド、シリコ
ンメトキシド、シリコンイソプロポキシド、シリコンブ
トキシドのモノマーあるいは重合体が好ましい。

【００３７】Ｓｉアルコキサイドはアルコール、エステ
ル、エーテル等に溶解して用いることもでき、また前記
溶液に塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、ぎ酸、マレイン酸、フ
ッ酸、あるいはアンモニア水溶液を添加して加水分解し
て用いることもできる。また前記Ｓｉアルコキサイドは
溶媒に対して、３０ｗｔ％以下含まれていることが好ま
しい。固形分量があまり大きいと保存安定性が悪くなる
からである。

【００３８】また、この溶液には膜の強度向上のためバ
インダーとして、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ａｌ等のアルコキ
サイドや、これらの部分加水分解物を添加して、ＺｒＯ
₂ 、ＴｉＯ₂ 、ＳｎＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ の少なくとも１種
以上の化合物をＭｇＦ₂ やＳｉＯ₂ と同時に析出させて
もよい。

【００３９】また、基体との濡れ性をあげるために界面
活性剤を添加してもよい。添加される界面活性剤として
は、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アル
キルエーテル硫酸エステル等が挙げられる。

【００４０】本発明の低抵抗膜は、多層干渉効果による
低反射低抵抗膜にも応用できる。反射防止性能を有する
多層の低反射膜の構成としては、反射防止をしたい光の
波長をλとして、基体側より、高屈折率層−低屈折率層
を光学厚みλ／２−λ／４、あるいはλ／４−λ／４で
形成した２層の低反射膜、基体側より中屈折率層−高屈
折率層−低屈折率層を光学厚みλ／４−λ／２−λ／４
で形成した３層の低反射膜、基体側より低屈折率層−中
屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／２−
λ／２−λ／２−λ／４で形成した４層の低反射膜等が
典型的な例として知られている。本発明の低抵抗膜を前
記の中屈折率層及び／又は高屈折率層に用いることで、
多層干渉効果による低反射低抵抗膜を構成することがで
きる。

【００４１】また本発明の粒径１０ｎｍを超えるＡｇ微
粒子を含有する膜は可視光領域全般にわたって吸収を生
じるため、コントラストの向上にも寄与し、かつ低反射
性に優れる。

【００４２】本発明の低反射性を有する多層低抵抗膜
は、各種のガラス、プラスチック基体に形成することが
できる。基体としては例えば、ブラウン管パネル、複写
機用ガラス板、計算機用パネル、クリーンルーム用ガラ
ス、ＣＲＴやＬＣＤ等の表示装置の前面板等が挙げられ
る。

【００４３】

【実施例】以下の実施例、比較例において、得られた膜
の評価方法は次の通りである。

【００４４】１）導電性評価 ローレスタ抵抗測定器（三菱油化製）により膜表面の表
面抵抗を測定した。

【００４５】２）耐擦傷性 １ｋｇ荷重下で（ＬＩＯＮ製５０ー５０）で膜表面を５
０回往復後、その表面の傷の付きを目視で判断した。

【００４６】評価基準は以下の通りとした。 ○：傷が全く付かない。 △：傷が多少つく。 ×：一部に膜剥離が生じる。

【００４７】３）視感反射率 ＧＡＭＭＡ分光反射率スペクトル測定器により多層膜の
４００〜７００ｎｍでの視感反射率を測定した。

【００４８】４）視感透過率 日立製作所製ＳｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒＵ−
３５００により３８０〜７８０ｎｍでの視感透過率を測
定した。

【００４９】また得られたゾル中の粒子の平均粒径は透
過型電子顕微鏡によって測定し、また凝集粒径は大塚電
子製レーザー回折式粒径測定装ＬＰＡ−３１００により
測定した。

【００５０】以下に本実施例で用いたＡｇ微粒子分散液
及び金属酸化物等の分散液の合成例を示す。また、その
固形分、粒径測定結果を表１に示す。

【００５１】続いて、前記微粒子分散液を用いて表２及
び３に示す組成の低抵抗膜形成用塗布液を調製した。

【００５２】＜Ａ−１．Ａｇ微粒子分散液＞ １）３０重量％硫酸鉄水溶液２５ｇに３０重量％クエン
酸３ナトリウム水溶液３５ｇを添加し更に１０重量％の
硝酸銀水溶液２５ｇを添加した後５分間撹拌した。

【００５３】２）１）で得られた液を遠心分離により固
液分離したのち沈殿物に純水３０ｇを添加し撹拌する。
この液に１０分間超音波照射を施した後３０重量％クエ
ン酸３ナトリウム水溶液を３０ｇ添加した。

【００５４】３）工程２）を３回繰り返した後遠心分離
により固液分離した後純水５０ｇを添加し１０分間超音
波照射を施す。

【００５５】４）３）で得られた液に陽イオン交換樹脂
を添加し１５分間撹拌した後、樹脂を濾別し更に陰イオ
ン交換樹脂を添加し１５分間撹拌した後樹脂を濾別しＡ
ｇ微粒子分散液を得た。

【００５６】＜Ａ−２．Ａｇ微粒子分散液＞Ａ−１．の
３）で得られた液に両イオン交換樹脂を添加し１５分間
撹拌した後樹脂を濾別しＡｇ微粒子分散液を得た。

【００５７】＜Ａ−３．Ａｇ微粒子分散液＞Ａ−１にお
ける１）〜３）の工程でＡｇ微粒子分散液を得た。

【００５８】＜Ａ−４．Ａｇ微粒子分散液＞Ａ−１にお
ける工程１）を行い更に工程２）を３回繰り返して得た
液を遠心分離により固液分離し更にエタノール５０ｇを
添加し１０分間超音波照射を施した。更にこの液に両イ
オン交換樹脂を添加し１５分間撹拌した後樹脂を濾別し
Ａｇ微粒子分散液を得た。

【００５９】＜Ａ−５．Ａｇ微粒子分散液＞Ａ−１．に
おける工程１）において硫酸鉄水溶液の代わりに１０重
量％次亜リン酸ソーダ水溶液４４ｇを添加した以外はＡ
−１．と同様に行いＡｇ微粒子分散液を得た。

【００６０】＜Ａ−６．Ａｇ微粒子分散液＞Ａ−１の工
程１）及び２）におけるクエン酸３ナトリウム溶液の代
わりに２重量％ＰＶＡ溶液３５ｇを用いた以外はＡ−１
と同様に行った。

【００６１】＜Ａ−７．Ａｇ微粒子分散液＞Ａ−１．に
おける工程１）において１０重量％の硝酸銀水溶液２５
ｇの代わりに硝酸銀水溶液に液が透明になるまでアンモ
ニア水溶液を添加して調製した１０重量％のＡｇのアン
ミン錯体を含有する溶液２５ｇに変更した以外はＡ−
１．と同様に行いＡｇ微粒子分散液を得た。

【００６２】＜Ａ−８．Ｓｂドープ酸化スズ微粒子分散
液＞Ｓｂが１５重量％ドープされた酸化スズ微粒子をｐ
Ｈ１３のＫＯＨ水溶液に懸濁した後サンドミルで２時間
分散した。この液に陽イオン交換樹脂を添加し１５分間
撹拌した後樹脂を濾別しＳｂドープ酸化スズ微粒子分散
液を得た。

【００６３】＜Ａ−９．Ｓｎドープ酸化インジウム微粒
子分散液＞Ｓｎが１０重量％ドープされた酸化インジウ
ム粒子をｐＨ３の硝酸水溶液に懸濁した後サンドミルで
２時間分散しＳｎドープ酸化インジウム粒子分散液を得
た。

【００６４】＜Ａ−１０．シリカゾル液＞ケイ酸エチル
５０ｇをエタノール２００ｇに溶解し、撹拌下で濃硝酸
０．５ｇ、純水３４ｇの混合溶液を滴下し室温で２時間
撹拌しＳｉＯ₂ 濃度４．９重量％の液を得た。

【００６５】［実施例１〜１３］ ＜実施例１〜１３の上層形成用塗布液（以下、上層液）
＞ケイ酸エチル５０ｇをエタノール２００ｇに溶解し、
撹拌下で濃硝酸１．５ｇ、純水３３ｇの混合溶液を滴下
し室温で２時間撹拌しＳｉＯ₂ 濃度４．９重量％の液を
得た。この液をプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル／イソプロピルアルコール／ジアセトンアルコール＝
５０：４０：１０重量比の混合溶媒でＳｉＯ₂ 固形分
０．９重量％となるように希釈し、上層形成用塗布液
（以下、上層液）を得た。

【００６６】＜実施例１〜１３の下層形成用塗布液＞実
施例１〜１３の下層形成用塗布液（以下、下層液）は表
４に示すＢ−１〜Ｂ−１２を用いた。

【００６７】実施例１は表中記載の下層液を表面温度４
０℃に加温した１４インチブラウン管パネル表面にスピ
ンコート法で１００ｒｐｍ、６０秒の条件で塗布した後
１６０℃で３０分間加熱することにより低抵抗膜を得
た。結果を表４に示す。

【００６８】実施例２〜１２は表中記載の下層液を表面
温度４０℃に加温した１４インチブラウン管パネル表面
にスピンコート法で１００ｒｐｍ、６０秒の条件で塗布
した後上記上層液を下層液塗布と同一のスピンコート条
件で塗布した後１６０℃で３０分間加熱することにより
多層低抵抗膜を得た。結果を表４に示す。

【００６９】［比較例１］ ＜比較例１の上層液＞上層液は、実施例１〜１３と同じ
ものを用いた。

【００７０】＜比較例１の下層液＞１０重量％次亜リン
酸ソーダ水溶液４４ｇに１０重量％硝酸銀水溶液２５ｇ
を添加した後７０℃で１時間加熱して粒子平均粒径６ｎ
ｍ、凝集粒径１２０ｎｍのＡｇ微粒子液を得た（固形分
４．５重量％）。この液１１．１重量部に純水８．９重
量部、エタノール８０重量部を添加して固形分濃度０．
５重量％の下層液（Ｃ−１）を得た。

【００７１】［比較例２］ ＜比較例２の上層液＞上層液は、実施例１〜１３と同じ
ものを用いた。

【００７２】＜比較例２の下層液＞３０重量％硫酸鉄水
溶液２５ｇに１０重量％硝酸銀水溶液５０ｇを添加して
粒子平均粒径５ｎｍ、凝集粒径８０ｎｍのＡｇ微粒子液
を得た（固形分５．０重量％）。この液１０重量部に純
水１０重量部、エタノール８０重量部を添加して固形分
濃度０．５重量％の下層液（Ｃ−２）を得た。

【００７３】［比較例３］ ＜比較例３の上層液＞上層液は、実施例１〜１３と同じ
ものを用いた。

【００７４】＜比較例３の下層液＞Ａ−８のＳｎードー
プＩｎ₂ Ｏ₃ 微粒子分散液２１．７重量部に純水６５．
３重量部、ブチルセロソルブ１０重量部、Ｎーメチルピ
ロリドン３重量部を添加し固形分濃度２．０重量％の下
層液（Ｃ−３）を得た。

【００７５】比較例１〜３についても実施例２〜１３と
同様に、下層液を表面温度４０℃に加温した１４インチ
ブラウン管パネル表面にスピンコート法で１００ｒｐ
ｍ、６０秒の条件で塗布した後、上層液を下層液塗布と
同一のスピンコート条件で塗布した後１６０℃で３０分
間加熱することにより２層構成の膜を得た。結果を表４
に示す。

【００７６】

【表１】

【００７７】

【表２】

【００７８】

【表３】

【００７９】

【表４】

【００８０】

【発明の効果】本発明によればスプレー又はスピンコー
ト等の簡便な方法により効率よく優れた低抵抗膜を提供
することができ、電磁波を容易に、安価にシールドでき
る。特にＣＲＴのパネルフェイス面等の大面積の基体に
も充分適用でき、量産も可能であるため工業的価値は非
常に高い。

【００８１】本発明の低抵抗膜形成用塗布液を用いて成
膜すると、膜中での凝集がほとんどないため電磁波シー
ルド効果が発現しうる低抵抗化が容易に達成できる。

【００８２】また本発明の低抵抗膜形成用塗布液は液自
体の貯蔵安定性にも優れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河里 健 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 米田 貴重 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 森本 剛 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】平均粒径が１０ｎｍを超えるＡｇ微粒子を
   分散してなる液を含むことを特徴とする低抵抗膜形成用
   塗布液。
2. 【請求項２】Ａｇ微粒子を分散してなる液がＡｇ化合物
   溶液とＡｇ化合物を還元しうる物質を混合することによ
   り得られることを特徴とする請求項１の低抵抗膜形成用
   塗布液。
3. 【請求項３】塗布液中にＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａ
   ｌ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＧａの群から選ばれる少なくとも１
   種の元素の化合物を含むことを特徴とする請求項１又は
   ２の低抵抗膜形成用塗布液。
4. 【請求項４】請求項１〜３いずれか１項の低抵抗膜形成
   用塗布液を塗布することにより形成された低抵抗膜。
5. 【請求項５】基体上に形成される多層低抵抗膜におい
   て、該多層膜の内少なくとも１層が請求項４の低抵抗膜
   であることを特徴とする多層低抵抗膜。
6. 【請求項６】基体上に形成される多層低抵抗膜におい
   て、基体側から請求項４項の低抵抗膜、その上に該低抵
   抗膜より低屈折率を有する膜が順次形成されてなること
   を特徴とする多層低抵抗膜。
7. 【請求項７】ガラス基体上に低抵抗膜が形成されたガラ
   ス物品において、低抵抗膜が請求項４の低抵抗膜である
   ことを特徴とするガラス物品。
8. 【請求項８】パネル表面に低抵抗膜が形成された陰極線
   管において、低抵抗膜が請求項４の低抵抗膜であること
   を特徴とする陰極線管。
9. 【請求項９】基体上に形成される多層低抵抗膜の製造方
   法において、請求項１〜３の低抵抗膜形成用塗布液を塗
   布した後、該低抵抗膜より低屈折率を有する膜を形成
   し、その後加熱及び／又は紫外線を照射することを特徴
   とする多層低抵抗膜の製造方法。