JPH09320950A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の塗布部位に応じて処理液供給手段の
移動速度を可変することによって、処理液を均一に塗布
することができる。 【解決手段】 基板Ｗの表面にフォトレジスト液を供給
して基板Ｗに処理を施す基板塗布装置において、基板Ｗ
を回転可能に保持するスピンチャック１および電動モー
タ２と、基板Ｗの表面に向けてフォトレジスト液を吐出
する吐出口１０ａを有する塗布ヘッド１０と、基板Ｗ中
心側から端縁側に向けて塗布ヘッド１０を移動させる駆
動機構１２と、塗布ヘッド１０を基板Ｗ中心側から端縁
側に向けて移動させるにしたがって、その移動速度を遅
くするように駆動機構１２を制御する制御部１６とを備
えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板等の基板に対してフォトレジス
ト液、ポリイミド樹脂、SOG(Spin On Glass,シリカ系被
膜形成材とも呼ばれる）液などの処理液を供給して基板
に処理を施す基板処理装置に係り、特に処理液供給手段
を移動させつつ基板に処理液を塗布する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、例
えば、図６に示すようなものが挙げられる。この装置
は、基板Ｗを水平面内において一定速度で回転させると
ともに、吐出部の水平断面形状がほぼ円形の供給ノズル
５からフォトレジスト液Ｒを供給しつつ、基板Ｗの中心
付近から半径方向の端縁部に向けて一定速度で供給ノズ
ル５を移動することによって基板Ｗの表面にフォトレジ
スト液Ｒを塗布するものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来装置の場合には、次のような問題
がある。すなわち、基板Ｗを一定速度で回転させるとと
もに、供給ノズル５を一定速度で移動しつつフォトレジ
スト液Ｒを供給している関係上、供給ノズル５から基板
Ｗ表面に供給されたフォトレジスト液Ｒの軌跡は、図６
に示すように螺旋状になる。このとき供給ノズル５の移
動速度が速すぎると、基板Ｗが１回転するごとにフォト
レジスト液Ｒが塗布されない部分が生じてムラを生じ、
フォトレジスト液Ｒを均一に塗布することができないと
いう問題点がある。その一方、基板Ｗの回転速度は、フ
ォトレジスト液Ｒの種類や粘度などの条件によって設定
する必要があり、その回転速度を速くしすぎるとフォト
レジスト液Ｒに気泡を巻き込むなどの不具合が生じるの
で、無制限に速めることはできない。通常、上記のよう
にしてフォトレジスト液Ｒを供給した後に、基板Ｗを高
速回転させることによりその表面にフォトレジスト被膜
を形成するが、上記のようにフォトレジスト液の供給時
にムラや気泡が生じていると、形成されたフォトレジス
ト被膜に膜厚不均一やピンホールなどの欠陥が生じる原
因となる。また、供給ノズル５の吐出部の水平断面形状
がほぼ円形であるので、図６に示すようにフォトレジス
ト液Ｒの供給直後は螺旋状の隙間が生じる。したがっ
て、その後に基板Ｗを高速回転させてもその影響でフォ
トレジスト被膜にムラが顕著に生じるという問題点があ
る。

【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、処理液の塗布部位に応じて処理液供給
手段の移動速度を可変することによって、処理液を均一
に塗布することができる基板処理装置を提供することを
目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板の表面に所定の処理
液を供給して基板に処理を施す基板処理装置において、
前記基板を回転可能に保持する基板保持手段と、スリッ
ト状に開口し、前記基板保持手段に保持された基板の表
面に向けて処理液を吐出する吐出口を有する処理液供給
手段と、前記基板保持手段に保持された基板に沿って、
その中心側から端縁側に向けて前記処理液供給手段を移
動させる駆動手段と、前記処理液供給手段を基板の中心
側から端縁側に向けて移動させるにしたがって、その移
動速度を遅くするように前記駆動手段を制御する制御手
段と、を備えていることを特徴とするものである。

【０００６】また、請求項２に記載の発明は、基板の表
面に所定の処理液を供給して基板に処理を施す基板処理
装置において、前記基板を回転可能に保持する基板保持
手段と、スリット状に開口し、前記基板保持手段に保持
された基板の表面に向けて処理液を吐出する吐出口を有
する処理液供給手段と、前記基板保持手段に保持された
基板に沿って、その端縁側から中心側に向けて前記処理
液供給手段を移動させる駆動手段と、前記処理液供給手
段を基板の端縁側から中心側に向けて移動させるにした
がって、その移動速度を速くするように前記駆動手段を
制御する制御手段と、を備えていることを特徴とするも
のである。

【０００７】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または請求項２に記載の基板処理装置において、前記処
理液供給手段の吐出口の長手方向と、前記処理液供給手
段の移動方向とを一致させたことを特徴とするものであ
る。

【０００８】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板は基板保持手段によって回転され、その表面に
は処理液供給手段の吐出口により処理液が吐出される。
この処理液供給手段は、基板中心側から端縁側に向けて
駆動手段によって移動されつつ処理液を吐出するが、こ
のとき制御手段によってその移動速度が可変される。つ
まり、基板中心側から半径方向の端縁側に向けて処理液
供給手段が移動するにつれて、その移動速度が遅くなる
ように制御される。基板表面の半径方向に沿った処理液
の塗布部位における線速度は、その半径に比例するの
で、逆に処理液供給手段の移動速度を次第に遅くしてゆ
くことによって、基板表面の半径方向に沿った塗布部位
における処理液の供給量をほぼ一定にすることができ
る。また、処理液供給手段の吐出口は円形状でなくスリ
ット状に開口しているので、基板の回転および処理液供
給手段の移動に伴う基板表面上における処理液の螺旋状
の軌跡には隙間が生じにくくムラの発生を抑制できる。

【０００９】請求項２に記載の発明の作用は次のとおり
である。基板は基板保持手段によって回転され、その表
面には処理液供給手段の吐出口により処理液が吐出され
る。この処理液供給手段は、基板端縁側から中心側に向
けて駆動手段によって移動されつつ処理液を吐出する
が、このとき制御手段によってその移動速度が可変され
る。つまり、基板端縁側から半径方向の中心側に向けて
処理液供給手段が移動するにつれて、その移動速度が速
くなるように制御される。基板表面の半径方向に沿った
処理液の塗布部位における線速度は、その半径に比例す
るので、中心に向かうにつれて処理液供給手段の移動速
度を次第に速めることによって、基板表面の半径方向に
沿った塗布部位における処理液の供給量をほぼ一定にす
ることができる。また、処理液供給手段の吐出口は円形
状でなくスリット状に開口しているので、基板の回転お
よび処理液供給手段の移動に伴う基板表面上における処
理液の螺旋状の軌跡には隙間が生じにくくムラの発生を
抑制できる。

【００１０】請求項３に記載の発明によると、スリット
状に開口した処理液供給手段の吐出口の長手方向と、そ
の移動方向とを一致させることにより、基板表面の半径
方向に沿う処理液の塗布部位のうち、一度に処理液を供
給できる部位を大きくすることができるので、より速く
かつ少ない供給量で処理液を供給することができる。さ
らに、基板の回転および処理液供給手段の移動に伴う基
板表面上における処理液の螺旋状の軌跡に隙間が生じる
ことを防止できてムラの発生を防止することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置
の一例である基板塗布装置の概略構成を示す正面図であ
る。なお、以下の説明においては、基板として半導体ウ
エハを例にとって説明するが、これを単に基板と称する
ことにする。また、基板に供給する処理液としてはフォ
トレジスト液を例に採って説明する。

【００１２】図中、符号１は、基板Ｗをほぼ水平姿勢で
吸着保持するスピンチャックである。このスピンチャッ
ク１は、その下部に回転軸が連結されており、電動モー
タ２によって回転中心Ｐ回りに回転される。電動モータ
２は、後述する制御部によって回転制御されるようにな
っており、スピンチャック１とともに基板Ｗを一体的に
水平面内で回転するものである。なお、スピンチャック
１および電動モータ２は、本発明における基板保持手段
に相当するものである。

【００１３】電動モータ２は、この装置のフレーム３の
底部に配設された昇降機構４によって昇降可能に構成さ
れている。昇降機構４は、フレーム３の底部に立設され
たリニアガイド４ａと、リニアガイド４ａに昇降自在に
取り付けられた、電動モータ２を保持するベース４ｂ
と、ベース４ｂに螺合したボールネジ４ｃと、ボールネ
ジ４ｃを回転駆動する昇降パルスモータ４ｄとから構成
されている。このうち昇降パルスモータ４ｄは、後述す
る制御部によってその回転が制御され、スピンチャック
１に吸着保持された基板Ｗ表面の高さ位置を、基板Ｗを
搬送する際の高さであるとともに、フォトレジスト液を
基板Ｗ表面に塗布する際の高さである塗布高さＨと、塗
布後に行われる振り切り処理時における高さである振り
切り高さＬとにわたって昇降するようになっている。

【００１４】スピンチャック１の周囲には、上部開口を
有する飛散防止カップ６が配設されている。この飛散防
止カップ６は、基板Ｗが振り切り高さＬにあるときに、
振り切られたフォトレジスト液の飛沫を下方に案内する
下向きの傾斜案内面を有するとともに、下方に案内され
たフォトレジスト液の飛沫を回収するための、平面視で
リング状に形成された排液ゾーンとを有する。

【００１５】基板Ｗの上方には、その直径方向にわたっ
て移動自在の塗布ヘッド１０が配設されている。塗布ヘ
ッド１０の下面には、フォトレジスト液を吐出するため
のスリット状の吐出口１０ａが形成されている。この吐
出口１０ａの長手方向の長さは、図２に示すように基板
Ｗの半径よりも短く形成されている。駆動機構１２は、
塗布ヘッド１０を水平方向に移動するものであって、特
に図２に示すように基板Ｗの中心側から端縁側に向け
て、その吐出口１０ａを基板Ｗ表面に沿って一定間隔を
隔てた状態で移動する。駆動機構１２は、フレーム３の
両側壁間にわたって水平方向に配設され、塗布ヘッド１
０が摺動自在に取り付けられたリニアガイド１２ａと、
塗布ヘッド１０に螺合したボールネジ１２ｂと、ボール
ネジ１２ｂに回転軸が連動連結された水平パルスモータ
１２ｃとから構成されている。なお、塗布ヘッド１０は
本発明における処理液供給手段に相当し、駆動機構１２
は駆動手段に相当するものである。

【００１６】供給部１４は、図示しないタンクおよびポ
ンプを含む機構であって、タンクに貯留されているフォ
トレジスト液をポンプにより圧送するものである。圧送
されたフォトレジスト液は図示しない供給配管を介して
塗布ヘッド１０に供給されるようになっている。なお、
上述した電動モータ２と、昇降機構４の昇降パルスモー
タ４ｄと、駆動機構１２の水平パルスモータ１２ｃは、
図示しないＣＰＵやメモリを含む制御部１６によって統
括制御されるようになっている。

【００１７】制御部１６は、駆動機構１２によって塗布
ヘッド１０を基板Ｗの半径方向に移動するが、その移動
は次のように行われる。すなわち、基板Ｗを搬送する際
や、フォトレジスト液が表面に塗布された基板Ｗを振り
切り処理する際には、飛散防止カップ６の側方に位置す
る退避位置（図１の左側に点線で示す位置）に移動され
ている。基板Ｗにフォトレジスト液を塗布する際には、
基板Ｗ表面と吐出口１０ａとの上下方向の間隔が一定の
間隔ｇ（以下、塗布ギャップｇと称する）となるように
昇降機構４により基板Ｗの高さを塗布高さ位置Ｈに移動
した後、駆動機構１２により塗布ヘッド１０を基板Ｗ中
心側（図１および図２中に実線で示す位置）に移動する
（以下、この位置を塗布開始位置と称する）。次いで、
電動モータ２を一定速度で回転駆動しつつ、基板Ｗの半
径方向に沿って塗布ヘッド１０を基板Ｗの端縁側に向け
て移動して、基板Ｗの端縁部を越える位置（図１および
図２中に二点鎖線で示す位置）まで移動した時点で停止
する（以下、この位置を塗布終了位置と称する）。

【００１８】このとき塗布ヘッド１０の移動速度は一定
ではなく、基板Ｗの半径方向に沿った塗布部位に応じて
移動速度を遅くするようにする。具体的には、図２およ
び図３に示すように基板Ｗの半径をｒとし、塗布開始位
置における塗布ヘッド１０の移動速度をＶ₁ とすると、
半径に沿ったフォトレジスト液の塗布部位に応じてその
速度を一定の割合で減じてゆき、供給部１４によるフォ
トレジスト液の圧送および基板Ｗの回転を停止するとと
もに、塗布終了位置における塗布ヘッド１０の移動速度
が０になるようにする。なお、速度を減じる割合は、基
板Ｗの大きさなどに応じて適宜に設定されるものであ
る。また、塗布ヘッド１０を塗布終了位置で停止させる
ことなく、退避位置まで移動させるようにしてもよい。

【００１９】このように一定速度で回転する基板Ｗの表
面に沿って、その半径方向に塗布ヘッド１０を移動させ
つつフォトレジスト液を供給する場合には、半径方向に
沿った塗布部位における線速度が半径に比例することに
起因して、基板Ｗ中心側より端縁側に向かうにつれて線
速度が増大するので、フォトレジスト液が薄くなる現象
が生じるが、その増大分に応じて塗布ヘッド１０の移動
速度を遅くすることにより、フォトレジスト液の供給量
を塗布部位にかかわらずほぼ一定とすることができる。
また、塗布ヘッド１０は、その吐出口１０ａの長手方向
と、その移動方向とが図２に示すように一致するように
構成されているので、フォトレジスト液の螺旋状の軌跡
には隙間が生じにくくムラの発生を抑制することができ
る。

【００２０】次に、図４のフローチャートを参照して、
上述したように構成された装置による基板Ｗへのフォト
レジスト液の塗布処理について説明する。

【００２１】ステップＳ１（搬入） 制御部１６は、昇降パルスモータ４ｄを駆動して、スピ
ンチャック１を上昇させる。これによりスピンチャック
１は、その上面が飛散防止カップ６の上部開口から上方
に突出し、その上面が塗布高さＨより僅かに下側に位置
する。次いで図示しない基板搬送機構が基板Ｗを搬送し
て、その基板Ｗをスピンチャック１に載置する。この基
板Ｗは、スピンチャック１に吸着保持される。

【００２２】ステップＳ２（塗布開始位置へ移動） 制御部１６は、水平パルスモータ１２ｃを駆動すること
によって、退避位置（図１中の左側に点線で示す位置）
にある塗布ヘッド１０を基板Ｗの回転中心Ｐの上方にあ
たる塗布開始位置（図１中に実線で示す位置）にまで移
動する。

【００２３】ステップＳ３（塗布ギャップに設定） 昇降パルモータ４ｄを駆動して基板Ｗの高さを微調整
し、基板Ｗの上方に移動された塗布ヘッド１０の吐出口
１０ａと基板Ｗ上面との上下方向の間隔が塗布ギャップ
ｇとなるようにする。なお、この塗布ギャップｇは、フ
ォトレジスト液の種類、電動モータ２の回転数、塗布ヘ
ッド１０の移動速度、さらに所望する膜厚などを勘案し
て決定されるものである。

【００２４】ステップＳ４（吐出開始） 供給部１４を動作させることによりフォトレジスト液を
塗布ヘッド１０に圧送開始する。

【００２５】ステップＳ５（待機） 塗布ヘッド１０の吐出口１０ａからフォトレジスト液が
吐出され始め、スリット状の吐出口１０ａの長手方向の
全てにわたってフォトレジスト液が基板Ｗ表面に付着し
てビード（雫）を形成するまで待機する。具体的には、
ビードが形成されるまでの時間を予め実験などによって
測定しておき、その時間だけ待機するようにすればよ
い。

【００２６】ステップＳ６（回転開始） 基板Ｗが一定の回転速度で回転するように、電動モータ
２の回転制御を開始する。

【００２７】ステップＳ７（移動開始） 水平パルスモータ１２ｃを駆動することにより、塗布ヘ
ッド１０を塗布開始位置から塗布終了位置に向けて移動
開始する。このとき上述したように塗布開始位置から塗
布終了位置に向かって移動するにつれて、その移動速度
を遅くしてゆく。移動速度を遅くしてゆくことによっ
て、基板Ｗの半径方向に沿った塗布部位におけるフォト
レジスト液の供給量をほぼ一定化することができる。し
たがって、フォトレジスト液を均一に塗布することがで
きる。また、吐出口１０ａはスリット状に形成されてお
り、フォトレジスト液の螺旋状の軌跡には隙間が生じに
くくムラの発生を抑制することができるので、より均一
にフォトレジスト液を塗布することが可能となる。さら
に、スリット状の吐出口１０ａの長手方向と、その移動
方向とを一致させておくことにより、基板Ｗ表面の半径
方向に沿うフォトレジスト液の塗布部位のうち、一度に
フォトレジスト液を供給できる部位を大きくすることが
できるので、より速くかつ少ない供給量でフォトレジス
ト液を供給することができる。

【００２８】ステップＳ８（退避位置に移動） 塗布終了位置にまで移動した塗布ヘッド１０をさらに移
動して、図１中に点線で示す退避位置にまで移動する。

【００２９】ステップＳ９（高速回転） まず、昇降パルスモータ４ｄを駆動して、基板Ｗの高さ
位置を塗布高さ位置Ｈよりも下方に位置する振り切り高
さＬにする。これにより基板Ｗは飛散防止カップ６内に
収納される。次いで、電動モータ２を高速で回転駆動す
ることにより、基板Ｗ表面に塗布されているフォトレジ
スト液の余剰分を振り切って塗布被膜の膜厚を均一にす
る。上述したように基板Ｗの表面には、均一にフォトレ
ジスト液が塗布されているので、振り切り処理によって
より均一な膜厚の塗布被膜を得ることができる。

【００３０】ステップＳ１０（搬出） 昇降パルスモータ４ｄを駆動することによって基板Ｗの
高さ位置を塗布高さ位置Ｈにまで上昇させ、電動モータ
２の回転駆動を停止させる。そして、図示しない基板搬
送機構によって塗布被膜が表面に形成された基板Ｗを装
置外に搬出する。そして、ステップＳ１から繰り返し実
行することによって複数枚の基板に対して順次に塗布処
理を施すことができる。

【００３１】なお、上記の実施例においては、塗布ヘッ
ド１０を基板Ｗの中心側から端縁側に向けて移動するよ
うにしたが、塗布ヘッド１０を基板Ｗの端縁側から中心
側に向けて移動するようにしてもよい。その場合には、
塗布ヘッド１０が基板Ｗの中心側に向かうにつれて塗布
部位における線速度は次第に小さくなってゆくので、そ
れに応じて塗布ヘッド１０の移動速度を速めてゆくよう
にすればよい（図３中に点線で示す）。このように構成
しても上述した実施例と同様の効果を奏することができ
る。

【００３２】なお、上記の実施例では、昇降機構４によ
って基板Ｗの高さを調整して、基板Ｗ表面と吐出口１０
ａとの上下方向の間隔を塗布ギャップｇに設定するよう
にしたが、図５に示すように構成して塗布ヘッド１０側
を昇降することによって塗布ギャップｇに設定するよう
にしてもよい。

【００３３】すなわち、塗布ヘッド１０は、その側面に
配設された支持アーム１１ａによって支持され、支持ア
ーム１１ａは移動部材１１ｂのコの字状部分の間に立設
されたリニアガイド１１ｃに摺動自在に取り付けられる
とともにボールネジ１１ｄに螺合されている。ボールネ
ジ１１ｄは、その上端部がパルスモータ１１ｅの回転軸
に連動連結されている。また、塗布ヘッド１０の一側面
には、吐出口１０ａと基板Ｗ表面との上下方向の間隔を
測定するためのギャップ測定用センサ１１ｆが取り付け
られている。

【００３４】このような構成では、ギャップ測定用セン
サ１１ｆから信号を制御部１６に出力し、その信号が塗
布ギャップｇに相当する信号となるようにパルスモータ
１１ｅの回転を制御して塗布ヘッド１０を昇降するよう
にする。このように構成することにより、塗布ギャップ
ｇをより正確に設定することができる。

【００３５】また、上記の実施例においては、塗布ヘッ
ド１０が基板Ｗの直径を越える範囲にわたって水平移動
可能になっているが、少なくとも図１中の塗布開始位置
から退避位置まで移動可能であればよい。

【００３６】なお、基板として半導体ウエハを例に採っ
て説明したが、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示
装置用のガラス基板、光ディスク用の基板等であっても
実施可能である。また、処理液としてはフォトレジスト
液の他に、ポリイミド樹脂やシリカ系被膜形成材であっ
ても実施可能である。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の本発明によれば、基板の中心側から端縁側に
処理液の塗布部位が移動するにつれて、処理液供給手段
の移動速度を遅くすることにより、基板表面の半径方向
に沿った塗布部位における処理液の供給量をほぼ一定に
することができる。したがって、処理液を均一に塗布す
ることができる。また、吐出口をスリット状にすること
により処理液の螺旋状の軌跡には隙間が生じにくくムラ
の発生を抑制することができるので、より均一に処理液
を塗布することが可能となる。その結果、基板表面に形
成される被膜の膜厚を均一にすることができる。

【００３８】また、請求項２に記載の発明によれば、基
板の端縁側から中心側に処理液の塗布部位が移動するに
つれて、処理液供給手段の移動速度を速めることによ
り、基板表面の半径方向に沿った塗布部位における処理
液の供給量をほぼ一定にすることができる。したがっ
て、基板表面に処理液を均一に塗布することができる。
また、吐出口をスリット状にすることにより処理液の螺
旋状の軌跡には隙間が生じにくくムラの発生を抑制する
ことができるので、より均一に処理液を塗布することが
可能となる。その結果、基板表面に形成される被膜の膜
厚を均一にすることができる。

【００３９】また、請求項３に記載の発明によれば、基
板表面の半径方向に沿う処理液の塗布部位のうち、一度
に処理液を塗布することができる部位を大きくすること
ができるので、より速くかつ少ない供給量で処理液を塗
布することができる。さらに、基板の回転および処理液
供給手段の移動に伴う基板表面上における処理液の螺旋
状の軌跡に隙間が生じることを防止できてムラの発生を
防止することができる。したがって、より速くかつより
少ない供給量で処理液を均一に塗布することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の一例である基板塗
布装置の概略構成を示す正面図である。

【図２】塗布ヘッドの移動の説明に供する図である。

【図３】塗布部位に応じた塗布ヘッドの移動速度の変化
を示すグラフである。

【図４】フォトレジスト液の塗布処理を示すフローチャ
ートである。

【図５】塗布ヘッドの変形例を示す側面図である。

【図６】従来例に係る基板処理装置を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 １ … スピンチャック（基板保持手段） ２ … 電動モータ（基板保持手段） ４ … 昇降機構 １０ … 塗布ヘッド（処理液供給手段） １０ａ … 吐出口 １２ … 駆動機構（駆動手段） １４ … 供給部 １６ … 制御部（制御手段） Ｈ … 塗布高さ Ｌ … 振り切り高さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｇ // Ｂ０５Ｃ 5/00 Ｂ０５Ｃ 5/00

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面に所定の処理液を供給して基
   板に処理を施す基板処理装置において、 前記基板を回転可能に保持する基板保持手段と、 スリット状に開口し、前記基板保持手段に保持された基
   板の表面に向けて処理液を吐出する吐出口を有する処理
   液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に沿って、その中心
   側から端縁側に向けて前記処理液供給手段を移動させる
   駆動手段と、 前記処理液供給手段を基板の中心側から端縁側に向けて
   移動させるにしたがって、その移動速度を遅くするよう
   に前記駆動手段を制御する制御手段と、 を備えていることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 基板の表面に所定の処理液を供給して基
   板に処理を施す基板処理装置において、 前記基板を回転可能に保持する基板保持手段と、 スリット状に開口し、前記基板保持手段に保持された基
   板の表面に向けて処理液を吐出する吐出口を有する処理
   液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に沿って、その端縁
   側から中心側に向けて前記処理液供給手段を移動させる
   駆動手段と、 前記処理液供給手段を基板の端縁側から中心側に向けて
   移動させるにしたがって、その移動速度を速くするよう
   に前記駆動手段を制御する制御手段と、 を備えていることを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理装置において、前記処理液供給手段の吐出口の長手方
   向と、前記処理液供給手段の移動方向とを一致させたこ
   とを特徴とする基板処理装置。