JPH09320965A - 化合物半導体の製造方法 - Google Patents
化合物半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH09320965A JPH09320965A JP13176996A JP13176996A JPH09320965A JP H09320965 A JPH09320965 A JP H09320965A JP 13176996 A JP13176996 A JP 13176996A JP 13176996 A JP13176996 A JP 13176996A JP H09320965 A JPH09320965 A JP H09320965A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- compound semiconductor
- growth
- iii
- angle
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】保護膜上への多結晶の堆積がなく、成長領域に
のみ選択性よくIII-Ｖ族化合物半導体薄膜の成長を行う
ことができる。 【解決手段】III-Ｖ族化合物半導体単結晶のオフアング
ルが０．５〜３０°の｛１００｝面に保護膜を形成した
後、III-Ｖ族化合物半導体の原料ガスとともにハライド
ガスおよび／またはハロゲンガスを添加して、該保護膜
が形成されていない部分にIII-Ｖ族化合物半導体単結晶
薄膜を成長させる。
のみ選択性よくIII-Ｖ族化合物半導体薄膜の成長を行う
ことができる。 【解決手段】III-Ｖ族化合物半導体単結晶のオフアング
ルが０．５〜３０°の｛１００｝面に保護膜を形成した
後、III-Ｖ族化合物半導体の原料ガスとともにハライド
ガスおよび／またはハロゲンガスを添加して、該保護膜
が形成されていない部分にIII-Ｖ族化合物半導体単結晶
薄膜を成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水素化物および有
機金属を原料とする化合物半導体薄膜の気相成長におい
て、化合物半導体層を形成する方法に係わり、特に選択
成長用保護膜への堆積を抑制するのに適した化合物半導
体の製造方法に関するものである。
機金属を原料とする化合物半導体薄膜の気相成長におい
て、化合物半導体層を形成する方法に係わり、特に選択
成長用保護膜への堆積を抑制するのに適した化合物半導
体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の化合物半導体の素子構造を最適化
させる技術のひとつとして選択成長が用いられている
が、ＭＢＥ法では選択成長は困難であるため、通常ＭＯ
ＣＶＤ法が用いられている。ＭＯＣＶＤ法の選択成長に
おける利点としては、基板またはエピタキシャル成長層
へのダメージが殆どないことおよび比較的低温でプロセ
スが行えるため、品質の高い選択成長領域が得られるこ
とにある。
させる技術のひとつとして選択成長が用いられている
が、ＭＢＥ法では選択成長は困難であるため、通常ＭＯ
ＣＶＤ法が用いられている。ＭＯＣＶＤ法の選択成長に
おける利点としては、基板またはエピタキシャル成長層
へのダメージが殆どないことおよび比較的低温でプロセ
スが行えるため、品質の高い選択成長領域が得られるこ
とにある。
【０００３】しかしながら、選択成長を行う際には、保
護膜上に多結晶の堆積が起こらないようにするため、成
長条件、混晶比、およびマスク幅等に大きな制約を受け
ていた。特に、Ａｌを含んだ化合物の場合には、Ａｌの
混晶比を上げるほど、そしてマスク幅を大きくするほ
ど、保護膜上に多結晶が堆積しやすくなるという問題が
あった。この解決方法としては、選択成長を行う際に成
長させる化合物の母体元素を含まないハライド法および
／またはハロゲンガスを加えることにより広い範囲にわ
たり保護膜上への多結晶の堆積が回避できることが報告
されている。（ＷＯ９３／０１６１４号公報）
護膜上に多結晶の堆積が起こらないようにするため、成
長条件、混晶比、およびマスク幅等に大きな制約を受け
ていた。特に、Ａｌを含んだ化合物の場合には、Ａｌの
混晶比を上げるほど、そしてマスク幅を大きくするほ
ど、保護膜上に多結晶が堆積しやすくなるという問題が
あった。この解決方法としては、選択成長を行う際に成
長させる化合物の母体元素を含まないハライド法および
／またはハロゲンガスを加えることにより広い範囲にわ
たり保護膜上への多結晶の堆積が回避できることが報告
されている。（ＷＯ９３／０１６１４号公報）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この上
記の手法を用いてもまだ選択性が十分でない場合があっ
た。特に、保護膜で保護される領域が広い場合や、保護
膜に対して選択成長を行いたい領域が極端に狭い場合に
選択性が十分でない場合がある。
記の手法を用いてもまだ選択性が十分でない場合があっ
た。特に、保護膜で保護される領域が広い場合や、保護
膜に対して選択成長を行いたい領域が極端に狭い場合に
選択性が十分でない場合がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、ハライドガスおよび
／またはハロゲンガスを加えて選択成長を行う際に、特
定の結晶成長面を選択することにより、選択性を向上し
得ることを見出し、本発明に到達した。即ち、本発明の
要旨は、 III-Ｖ族化合物半導体単結晶のオフアングル
が０．５〜３０°の｛１００｝面の一部に保護膜を形成
した後、III-Ｖ族化合物半導体の原料ガスとともにハラ
イドガスおよび／またはハロゲンガスを添加して、該保
護膜が形成されていない部分にIII-Ｖ族化合物半導体単
結晶薄膜を選択成長させる工程を含むことを特徴とする
化合物半導体の製造方法に存する。
題を解決すべく鋭意検討した結果、ハライドガスおよび
／またはハロゲンガスを加えて選択成長を行う際に、特
定の結晶成長面を選択することにより、選択性を向上し
得ることを見出し、本発明に到達した。即ち、本発明の
要旨は、 III-Ｖ族化合物半導体単結晶のオフアングル
が０．５〜３０°の｛１００｝面の一部に保護膜を形成
した後、III-Ｖ族化合物半導体の原料ガスとともにハラ
イドガスおよび／またはハロゲンガスを添加して、該保
護膜が形成されていない部分にIII-Ｖ族化合物半導体単
結晶薄膜を選択成長させる工程を含むことを特徴とする
化合物半導体の製造方法に存する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明においては、選択性向上のため、III-Ｖ族化合物
半導体単結晶のオフアングルが０．５〜３０°、好まし
くは１〜４°の｛１００｝面上に選択成長を行うことを
特徴としている。オフアングルの方向は基本的にはどの
方向でもよいが、＜０１１＞Ａ方向、＜０１１＞Ｂ方向
または＜０１０＞方向が好ましく、中でも＜０１０＞方
向が最も好ましい。また、オフアングルの方向はこれら
の方向ジャストの方向である必要は必ずしもなく、±３
０°以内、より好ましくは±２０°以内の方向であれば
よい。なお、本明細書においては、＜０１１＞Ｂ方向と
は、Ｖ族元素が表面に出ている｛１１１｝Ｂ面の法線の
｛１００｝面上への正射影の方向のことである。即ち、
図１ａに示す（１００）面に対しては[０−１１]および
[０１−１]で表される方向であって、この方向に形成し
たストライプ状保護膜を図１ｂに示した。他の｛１０
０｝面についても、それぞれについてこれと結晶学的に
等価な方向を選べばよい。また、＜０１１＞Ａ方向と
は、III族元素が表面に出ている｛１１１｝Ａ面の法線
の｛１００｝面上への正射影の方向のことである。
本発明においては、選択性向上のため、III-Ｖ族化合物
半導体単結晶のオフアングルが０．５〜３０°、好まし
くは１〜４°の｛１００｝面上に選択成長を行うことを
特徴としている。オフアングルの方向は基本的にはどの
方向でもよいが、＜０１１＞Ａ方向、＜０１１＞Ｂ方向
または＜０１０＞方向が好ましく、中でも＜０１０＞方
向が最も好ましい。また、オフアングルの方向はこれら
の方向ジャストの方向である必要は必ずしもなく、±３
０°以内、より好ましくは±２０°以内の方向であれば
よい。なお、本明細書においては、＜０１１＞Ｂ方向と
は、Ｖ族元素が表面に出ている｛１１１｝Ｂ面の法線の
｛１００｝面上への正射影の方向のことである。即ち、
図１ａに示す（１００）面に対しては[０−１１]および
[０１−１]で表される方向であって、この方向に形成し
たストライプ状保護膜を図１ｂに示した。他の｛１０
０｝面についても、それぞれについてこれと結晶学的に
等価な方向を選べばよい。また、＜０１１＞Ａ方向と
は、III族元素が表面に出ている｛１１１｝Ａ面の法線
の｛１００｝面上への正射影の方向のことである。
【０００７】この｛１００｝面上で選択成長を行うた
め、その面の一部、つまり成長が不要な部分に窒化珪
素、酸化珪素等公知の保護膜を設ける。保護膜は多くの
場合ストライプ状であり、その場合ストライプの方向
を、オフアングルの方向と垂直な方向から±４５°以
内、より好ましくは±３０°以内とすると、選択性がよ
り向上し、好ましい。また、かかるストライプ状の保護
膜は、短辺の幅が５０μｍ以上で、かつ｛１００｝面上
で薄膜形成領域に対する保護膜形成領域の割合が１以
上、好ましくは２以上、最も好ましくは２．５以上とな
る様に形成するのが好ましい場合がある。ブロードエリ
アのレーザ等を製造する場合や、局所的に成長速度を上
げる必要がある場合等にその様な保護膜形成領域が大き
く、成長領域を狭くすることが要求され、その場合、一
般に選択性は著しく低下するが、本発明によれば、保護
膜の方位を選ぶことにより、選択性よく成長を行うこと
ができる。
め、その面の一部、つまり成長が不要な部分に窒化珪
素、酸化珪素等公知の保護膜を設ける。保護膜は多くの
場合ストライプ状であり、その場合ストライプの方向
を、オフアングルの方向と垂直な方向から±４５°以
内、より好ましくは±３０°以内とすると、選択性がよ
り向上し、好ましい。また、かかるストライプ状の保護
膜は、短辺の幅が５０μｍ以上で、かつ｛１００｝面上
で薄膜形成領域に対する保護膜形成領域の割合が１以
上、好ましくは２以上、最も好ましくは２．５以上とな
る様に形成するのが好ましい場合がある。ブロードエリ
アのレーザ等を製造する場合や、局所的に成長速度を上
げる必要がある場合等にその様な保護膜形成領域が大き
く、成長領域を狭くすることが要求され、その場合、一
般に選択性は著しく低下するが、本発明によれば、保護
膜の方位を選ぶことにより、選択性よく成長を行うこと
ができる。
【０００８】本発明で用いる化合物半導体の原料ガスと
しては、有機金属、水素化物、塩化物等公知のいずれの
ものも使用可能であり、有機金属としてはトリメチルガ
リスム（ＴＭＧ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、ト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡ）およびトリエチルイン
ジウム（ＴＭＩ）等が、水素化物としてはアルシン（Ａ
ｓＨ3）およびホスフィン（ＰＨ3）等が、塩化物として
は塩化ガリウム（ＧａＣｌ）、ジエチルガリウムクロラ
イド（ＤＥＧａＣｌ）および三塩化砒素（ＡｓＣｌ3）
等が用いられるが、これらの中でも成長機構が比較的簡
単で、精密な成長速度の制御が比較的容易に行える等の
点で、塩素を含まない有機金属および塩素を含まない水
素化物が好ましい。また、特に有機金属を用いる場合
に、本発明の選択性向上の効果は大きい。
しては、有機金属、水素化物、塩化物等公知のいずれの
ものも使用可能であり、有機金属としてはトリメチルガ
リスム（ＴＭＧ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、ト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡ）およびトリエチルイン
ジウム（ＴＭＩ）等が、水素化物としてはアルシン（Ａ
ｓＨ3）およびホスフィン（ＰＨ3）等が、塩化物として
は塩化ガリウム（ＧａＣｌ）、ジエチルガリウムクロラ
イド（ＤＥＧａＣｌ）および三塩化砒素（ＡｓＣｌ3）
等が用いられるが、これらの中でも成長機構が比較的簡
単で、精密な成長速度の制御が比較的容易に行える等の
点で、塩素を含まない有機金属および塩素を含まない水
素化物が好ましい。また、特に有機金属を用いる場合
に、本発明の選択性向上の効果は大きい。
【０００９】ハライドガスとしてはＨＢｒ、ＨＩ、Ｈ
Ｆ、ＨＣｌ等のハロゲン化水素やＣＣｌ2Ｆ2等のハロゲ
ン化炭素が、ハロゲンガスとしてはＣｌ2、Ｉ2、Ｆ2、
Ｂｒ2など、およびこれらの混合物が挙げられ、望まし
くはＨＣｌがよい。なお、原料ガスとして上記の塩化物
を用いた場合であって、Ａｌ混晶比が０．３〜０．４以
下の化合物半導体単結晶薄膜を成長させる場合には、別
途ハライドガスまたはハロゲンガスを導入しなくても、
ある程度選択性よく成長を行うことができる。
Ｆ、ＨＣｌ等のハロゲン化水素やＣＣｌ2Ｆ2等のハロゲ
ン化炭素が、ハロゲンガスとしてはＣｌ2、Ｉ2、Ｆ2、
Ｂｒ2など、およびこれらの混合物が挙げられ、望まし
くはＨＣｌがよい。なお、原料ガスとして上記の塩化物
を用いた場合であって、Ａｌ混晶比が０．３〜０．４以
下の化合物半導体単結晶薄膜を成長させる場合には、別
途ハライドガスまたはハロゲンガスを導入しなくても、
ある程度選択性よく成長を行うことができる。
【００１０】これらのハライドガスおよび／またはハロ
ゲンガスの使用量は成長室の大きさ、成長温度、成長圧
力、使用する原料の種類等に依存するが、量が多すぎる
と薄膜成長が止まり、エッチングになってしまうエッチ
ングモード域となり、量が少なすぎると保護膜上に多結
晶が成長するデポジションモード域となるので、ハライ
ドガスおよび／またはハロゲンガスの流量を適宜調節し
てこれらの領域を避け、選択成長を行いたい領域には結
晶が成長するが、保護膜上には多結晶が成長しないセレ
クティブモードで行うこととする。
ゲンガスの使用量は成長室の大きさ、成長温度、成長圧
力、使用する原料の種類等に依存するが、量が多すぎる
と薄膜成長が止まり、エッチングになってしまうエッチ
ングモード域となり、量が少なすぎると保護膜上に多結
晶が成長するデポジションモード域となるので、ハライ
ドガスおよび／またはハロゲンガスの流量を適宜調節し
てこれらの領域を避け、選択成長を行いたい領域には結
晶が成長するが、保護膜上には多結晶が成長しないセレ
クティブモードで行うこととする。
【００１１】成長を行う際のガスの全圧は常圧以下が望
ましく、成長温度については一般に気相成長で用いられ
る条件でよく、一般的には５００〜９００℃程度だが、
低温側では選択性が低下する傾向にあり、一方あまりに
高温だとIII-Ｖ族元素の再蒸発や不純物の取り込みが問
題となる場合があるので、６００〜８５０℃、より好ま
しくは６５０〜８００℃程度がよい。ただし、本発明の
効果、即ち面方位や保護膜形成の方向による選択性の向
上効果はより低温側、即ち５００〜７００℃程度で顕著
であって、本発明は比較的穏やかな条件で効果的に選択
成長を行える点でも有用である。
ましく、成長温度については一般に気相成長で用いられ
る条件でよく、一般的には５００〜９００℃程度だが、
低温側では選択性が低下する傾向にあり、一方あまりに
高温だとIII-Ｖ族元素の再蒸発や不純物の取り込みが問
題となる場合があるので、６００〜８５０℃、より好ま
しくは６５０〜８００℃程度がよい。ただし、本発明の
効果、即ち面方位や保護膜形成の方向による選択性の向
上効果はより低温側、即ち５００〜７００℃程度で顕著
であって、本発明は比較的穏やかな条件で効果的に選択
成長を行える点でも有用である。
【００１２】本発明の製造方法は通常のIII-Ｖ族化合物
半導体薄膜の成長に有効であるが、特にアルミニウムを
含むIII-Ｖ族化合物半導体の成長に適している。具体的
には、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＰ、Ａ
ｌＧａＡｓなどであり、特にＡｌＧａＡｓへは好適であ
る。
半導体薄膜の成長に有効であるが、特にアルミニウムを
含むIII-Ｖ族化合物半導体の成長に適している。具体的
には、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＰ、Ａ
ｌＧａＡｓなどであり、特にＡｌＧａＡｓへは好適であ
る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を越えない限り、下記実施
例により限定されるものではない。 （実施例１および比較例）表面がそれぞれ（１００）
面、（１００）面から[０−１１]方向に２°傾いた面、
（１００）面から[０−１−１]方向に２°傾いた面また
は（１００）面から[０−１０]方向に２°傾いた面であ
るＧａＡｓ基板上に、窒化珪素からなる幅３００μｍの
ストライプ状の保護膜を、保護膜の長辺の方向が[０−
１１]方向（図１ｂ：Ｂ方向）または[０１１]方向（図
１ｃ：Ａ方向）となる様に１００μｍ間隔で形成した
後、ＭＯＶＰＥ法により膜厚約０．５μｍのＡｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓ層を選択成長させて化合物半導体を製造し
た。原料ガスとしては、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）
２．７×１０-4mol/min、トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡ）１．０×１０-4mol/minおよびアルシン（Ａｓ
Ｈ3）２５０sccm(standard cubic cmper minute)を、キ
ャリアガスとしての水素とともにガスの総流量が２２sl
m(standard cubic liter per minute)となるように供給
し、成長温度は６６０℃、成長圧力は１３３ｈＰａと
し、成長中に塩化水素を４ｃｃ添加した。微分干渉光学
顕微鏡で観察した結果を表１に示す。なお、結果の評価
は次の基準に従って行った。 ○−○ 保護膜上に多結晶の堆積が全く見られない ○−△ 保護膜上に多結晶の堆積がわずかに見られる ○−× 保護膜上に多結晶の堆積がまばらに見られる △−○ 保護膜の中央部に多結晶の堆積が連なりかかっ
た部分が見られる △−△ 保護膜の中央部に多結晶の堆積が連なった部分
が見られる（隙間あり） △−× 保護膜の中央部に多結晶の堆積が連なった部分
が見られる（隙間なし） ×−○ 保護膜の半分程度が多結晶の堆積により覆われ
ている ×−△ 保護膜の端部を除く大部分が多結晶に覆われて
いる ×−× 保護膜全体が多結晶に覆われている
するが、本発明は、その要旨を越えない限り、下記実施
例により限定されるものではない。 （実施例１および比較例）表面がそれぞれ（１００）
面、（１００）面から[０−１１]方向に２°傾いた面、
（１００）面から[０−１−１]方向に２°傾いた面また
は（１００）面から[０−１０]方向に２°傾いた面であ
るＧａＡｓ基板上に、窒化珪素からなる幅３００μｍの
ストライプ状の保護膜を、保護膜の長辺の方向が[０−
１１]方向（図１ｂ：Ｂ方向）または[０１１]方向（図
１ｃ：Ａ方向）となる様に１００μｍ間隔で形成した
後、ＭＯＶＰＥ法により膜厚約０．５μｍのＡｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓ層を選択成長させて化合物半導体を製造し
た。原料ガスとしては、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）
２．７×１０-4mol/min、トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡ）１．０×１０-4mol/minおよびアルシン（Ａｓ
Ｈ3）２５０sccm(standard cubic cmper minute)を、キ
ャリアガスとしての水素とともにガスの総流量が２２sl
m(standard cubic liter per minute)となるように供給
し、成長温度は６６０℃、成長圧力は１３３ｈＰａと
し、成長中に塩化水素を４ｃｃ添加した。微分干渉光学
顕微鏡で観察した結果を表１に示す。なお、結果の評価
は次の基準に従って行った。 ○−○ 保護膜上に多結晶の堆積が全く見られない ○−△ 保護膜上に多結晶の堆積がわずかに見られる ○−× 保護膜上に多結晶の堆積がまばらに見られる △−○ 保護膜の中央部に多結晶の堆積が連なりかかっ
た部分が見られる △−△ 保護膜の中央部に多結晶の堆積が連なった部分
が見られる（隙間あり） △−× 保護膜の中央部に多結晶の堆積が連なった部分
が見られる（隙間なし） ×−○ 保護膜の半分程度が多結晶の堆積により覆われ
ている ×−△ 保護膜の端部を除く大部分が多結晶に覆われて
いる ×−× 保護膜全体が多結晶に覆われている
【００１４】
【表１】
【００１５】（実施例２）表面が（１００）面から[０
−１−１]方向へ２°傾いた面であるＧａＡｓ基板のみ
を用い、成長温度５８０℃、６６０℃または７８０℃で
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層を選択成長させた以外は、実施例
１と全く同様にして化合物半導体を製造した。その結果
を表２に示す。
−１−１]方向へ２°傾いた面であるＧａＡｓ基板のみ
を用い、成長温度５８０℃、６６０℃または７８０℃で
Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層を選択成長させた以外は、実施例
１と全く同様にして化合物半導体を製造した。その結果
を表２に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、保護膜上への多結晶の
堆積がなく、成長領域にのみ選択性よくIII-Ｖ族化合物
半導体薄膜の成長を行うことができる。
堆積がなく、成長領域にのみ選択性よくIII-Ｖ族化合物
半導体薄膜の成長を行うことができる。
【図１】ａはIII-Ｖ族化合物半導体単結晶の面方位を示
す模型の（１００）面側から見た上面図。ｂは各実施例
および比較例において＜０１１＞Ｂ方向に形成されたス
トライプ状保護膜の方向の説明図。ｃは各実施例および
比較例において＜０１１＞Ａ方向に形成されたストライ
プ状保護膜の方向の説明図。
す模型の（１００）面側から見た上面図。ｂは各実施例
および比較例において＜０１１＞Ｂ方向に形成されたス
トライプ状保護膜の方向の説明図。ｃは各実施例および
比較例において＜０１１＞Ａ方向に形成されたストライ
プ状保護膜の方向の説明図。
Ａ．III族元素が表面となる面 Ｂ．Ｖ族元素が表面となる面 １．ストライプ状保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 秀樹 茨城県牛久市東猯穴町1000番地 三菱化学 株式会社筑波事業所内
Claims (7)
- 【請求項１】 III-Ｖ族化合物半導体単結晶のオフアン
グルが０．５〜３０°の｛１００｝面の一部に保護膜を
形成した後、III-Ｖ族化合物半導体の原料ガスとともに
ハライドガスおよび／またはハロゲンガスを添加して、
該保護膜が形成されていない部分にIII-Ｖ族化合物半導
体単結晶薄膜を選択成長させる工程を含むことを特徴と
する化合物半導体の製造方法。 - 【請求項２】 前記保護膜がストライプ状である請求
項１の方法。 - 【請求項３】 前記オフアングルの方向が、＜０１０
＞方向から±３０°以内の方向、＜０１１＞Ａ方向から
±３０°以内の方向または＜０１１＞Ｂ方向から±３０
°以内の方向である請求項１乃至２の方法。 - 【請求項４】 前記ストライプ状の保護膜の方向が、
オフアングルの方向と垂直な方向から±４５°以内の方
向である請求項２乃至３の方法。 - 【請求項５】 前記ハライドガスがハロゲン化水素ま
たはハロゲン化炭素である請求項１乃至４の方法。 - 【請求項６】 前記選択成長の温度が５００〜９００
℃である請求項１乃至５の方法。 - 【請求項７】 前記ストライプ状の保護膜の短辺の幅
が５０μｍ以上でかつ前記表面上の薄膜形成領域に対す
る保護膜形成領域の割合が１以上である請求項２乃至６
の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13176996A JPH09320965A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13176996A JPH09320965A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 化合物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320965A true JPH09320965A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15065740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13176996A Pending JPH09320965A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09320965A (ja) |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP13176996A patent/JPH09320965A/ja active Pending
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