JPH09321093A - Tab用接着剤付きテープ、tabテープおよび半導体装置 - Google Patents

Tab用接着剤付きテープ、tabテープおよび半導体装置

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JPH09321093A
JPH09321093A JP8138665A JP13866596A JPH09321093A JP H09321093 A JPH09321093 A JP H09321093A JP 8138665 A JP8138665 A JP 8138665A JP 13866596 A JP13866596 A JP 13866596A JP H09321093 A JPH09321093 A JP H09321093A
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JP
Japan
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tape
adhesive
tab
insulating film
flexible insulating
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JP8138665A
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Hideo Takahashi
秀雄 高橋
Akihiro Kabashima
昭紘 椛島
Yasuhiro Koyama
康博 小山
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/701Tape-automated bond [TAB] connectors

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】従来よりTABテープのOLB工程において、
銅箔、接着剤層とベースフィルムの熱膨張係数の関係か
ら、パターンの位置ずれにより、導体が浮き上がるなど
の接着不良や導体間の接続不良や導体が浮き上がるなど
の不具合を防止し、高歩留まりで良品のTABテープを
得ることができるTAB用テープを提供する。 【解決手段】基本構成が可撓性絶縁フイルム、接着剤層
および保護フィルムをこの順に積層したものであるTA
B用接着剤付きテープにおいて、20〜200℃におけ
る可撓性絶縁フイルムの幅方向の平均線熱膨張係数が、
9〜17ppm/℃の範囲にあり、かつ、可撓性絶縁フ
ィルムと接着剤層からなる積層体の20℃での弾性率
が、1,000〜5,000MPaの範囲にあることを
特徴とするTAB用接着剤付きテープ、TABテープ及
び半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、TAB(テープ・
オートメーテッド・ボンディング)方式と称する半導体
集積回路実装用テープ(以下、TABテープと略す)に
使用される接着剤付きテープ、TABテープおよび半導
体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】TAB用接着剤付きテープは、通常次に
示す方法で作られる。
【0003】まず、第1の離型フイルムに、接着剤樹脂
混合溶液を塗布、乾燥し、これに必要に応じ第2の離型
フイルムを張り合わせる。次に、目的とする幅にスリッ
トする。これをあらかじめ目的の幅にスリットされたポ
リイミドなどの可撓性絶縁フイルムに、第1または第2
の離型フイルムを剥がして接着剤面を張り合わせる。ま
た、別の方法としては、可撓性絶縁フイルムに直接、所
定の幅に接着剤樹脂混合溶液を塗布、乾燥し、離型フイ
ルム(保護フイルム)を張り合わせても良い。
【0004】上記の方法で作られたTAB用接着剤付き
テープは、いずれも可撓性絶縁フイルム、接着剤、保護
フイルムをこの順に積層した構成となっているが、保護
フイルムは防塵あるいは取り扱い性の目的から使用され
るものである。保護フイルムとしては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリフ
ェニレンサルファイドなどが使用されている。
【0005】一方、IC搭載用のTABテープは、上記
接着剤付きテープを使用して概略次の工程を経て造ら
れ、かくして得られたTABテープ(図1にTABテー
プの形状を示す。)にICが搭載される。スプロケット
孔・デバイス孔などのパンチング工程、保護フイルム除
去・銅箔ラミネート工程、接着剤加熱キュア工程、フォ
トレジスト塗布・パターン露光・現像工程、銅箔パター
ンエッチング工程、フォトレジスト剥離工程、(必要に
よりソルダーレジスト塗布工程)メッキ工程(スズ、半
田、金など)。
【0006】かくして得られたTABテープはIC実装
後テープ.キャリア.パッケージ(TCP)として、例
えばプリント配線基板にはんだ付けにより接続された
り、異方性導電膜(ACF:Anisotoropic Conductiv
e Film)を使ったアウターリードボンディング(OL
B)工程を経て、液晶ディスプレイ用のガラス基板に接
続され、ノート型パソコン(PC)等の電子機器に実装
される。
【0007】近年パソコン(以下PC)機能の向上やP
Cソフトの充実からノート型パソコンにおいてもマルチ
ウインドウズ(複数画面の同時表示)や動画像表示が普
及し始め、表示画面の画質要求が高まってきている。こ
のような液晶ディスプレイの画質向上をめざすために
は、VGA(画素数;480×640RGB)からSV
GA(画素数;600×800RGB)への移行の動き
があり、同一サイズのガラス基板での画素数の増加が行
われるために、ガラス基板に接続されるTABリードの
ピッチは微細化要求がますます強くなってきた。
【0008】現在、微細なパターンを処理するために、
銅箔の厚みを薄くして対応しているが、TCPとガラス
基板の熱膨張係数差と接続温度の関係からACFを介し
てガラス電極とTABリードを接続する際に電極間の位
置ずれによる導通不良が生じ、歩留まりを低下させてい
る。
【0009】すなわち、従来のパターンピッチでは、リ
ード幅および隣接するリードとの間隔が広いため少々の
位置ずれは問題とならなかったが、パターンの微細化に
伴い特に70μmピッチ以下では、従来と同程度のパタ
ーンの位置ずれに対応できないため実装が困難となり、
回路形成の設計も制約を受けることになる。
【0010】これに対して、特公平7−35106号公
報に記載されているように可撓性絶縁フィルムを所定の
物性にすることにより、テープの反りを改善することが
提案されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、パターンの位
置ずれを改良するためには、接着剤層を含めたTAB用
接着剤付きテープの物性を制御することが必要である。
【0012】本発明の目的は、TCPを液晶ディスプレ
イ用のガラス基板に実装する際に、TCPとガラス基板
とのパターンの位置ずれを少なくし、実装工程での歩留
向上と回路設計の制約を少なくするためのTABテープ
に使われる可撓性絶縁フィルムの線熱膨張係数および可
撓性絶縁フィルムと接着剤層からなる積層体の弾性率を
ともに特定の範囲とすることによって、TCP実装の歩
留まりを上げるのに適した新規なTAB用接着剤付きテ
ープを提供するものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】従来のTABテープの絶
縁フィルムには、線熱膨張係数の範囲が20〜30pp
m/℃のものが一般的に使用されてきたが、本発明者ら
は線熱膨張係数が小さく、かつ可撓性絶縁フィルムと接
着剤層からなる積層体の20℃での弾性率が1,000
〜5,000MPaの範囲にあり、接着剤層の線熱膨張
係数も最適化することによりパターンずれのない高信頼
性TAB用接着剤付きテープが得られることを見いだし
た。
【0014】本発明の目的は、基本構成が可撓性絶縁フ
イルム、接着剤層および保護フィルムをこの順に積層し
たものであるTAB用接着剤付き半導体用接テープにお
いて、可撓性絶縁フイルムの幅方向の平均線熱膨張係数
と可撓性絶縁フィルムと接着剤層からなる積層体の弾性
率を特定の範囲とするTAB用接着テープにより達成さ
れる。
【0015】すなわち、本発明は可撓性絶縁フイルム、
接着剤層および保護フィルムを有するTAB用接着剤付
きテープにおいて、前記可撓性絶縁フイルムの幅方向の
平均線熱膨張係数が、20〜200℃において9〜17
ppm/℃の範囲にあり、かつ前記可撓性絶縁フィルム
と接着剤層からなる積層体の20℃での弾性率が、1,
000〜5,000MPaの範囲にあることを特徴とす
るTAB用接着剤付きテープであり、かかるTAB用接
着剤付きテープを使って得られるTABテープ、および
半導体装置である。さらに加えて、本発明は、接着剤層
をポリアミド樹脂および、パラターシャリーブチルフェ
ノールを主成分とするレゾール型フェノール樹脂を必須
成分とすること、または、接着剤層の線熱膨張係数を単
体で20〜200℃において10〜100ppm/℃と
することにより、より信頼性の高いTAB用接着剤付き
テープを得ることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明のTAB用接着剤付きテー
プは、基本構成が可撓性絶縁フイルム、接着剤および保
護フィルムがこの順に積層されたものである。
【0017】本発明に使用される可撓性絶縁フイルムと
しては、厚さ12.5〜250μm好ましくは50〜1
33μmの例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、
芳香族ポリアミドなどのいわゆる耐熱性フイルム、ある
いはフレキシブルエポキシ/ガラスクロスなどの複合材
料などが使用できる。
【0018】これら可撓性絶縁フイルムは、その線熱膨
張係数が、次の条件を満たすことが必要である。 線熱膨張係数:可撓性絶縁フイルムの幅方向の平均線熱
膨張係数(測定方法:ASTM D−696−44に準
じる)が、20〜200℃において9〜17、より好ま
しくは9〜14ppm/℃であること。
【0019】熱膨張係数が上記条件を満たすためには、
可撓性絶縁フィルムの主要構成材料としてポリイミド系
材料を使用し、その中で、線熱膨張係数の低いものを使
用するのが望ましい。
【0020】さらに本発明では可撓性絶縁フィルムは、
その加熱寸法変化率が次の条件を満たすことが好まし
い。 加熱寸法変化率:250℃/1分間加熱した際の可撓性
絶縁フイルムの加熱寸法変化率(測定方法:JIS C
2318−6.3.5に準じる)が、0.05%以下で
あること。
【0021】加熱寸法変化率が上記条件を満たすために
は、可撓性絶縁フィルムを予め熱処理することが望まし
く、熱処理条件を適宜に調整することにより、所望の加
熱寸法変化率を得ることができる。一般に熱硬化性樹脂
をベースとした各種可撓性絶縁フィルムの加熱収縮は構
成する樹脂の硬化不足や樹脂を製膜する際の延伸等によ
りフィルム内に歪み応力を生じることなどから、加熱に
より収縮することになる。そこで、上記のような収縮原
因を有する可撓性絶縁フィルムを予め熱処理することに
より、TABテープとガラス基板との接合時に上記の範
囲になるように抑えることができるのである。熱処理
は、例えば、加熱ロールの表面に接触した状態で複数の
加熱ロール間を通過させ、260〜330℃の処理温度
で1〜5分間処理すればよい。
【0022】ついで、本発明の接着剤層に使用される接
着剤は、熱硬化型のもので半硬化状の接着剤であること
が好ましい。たとえば、ポリアミド樹脂、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、硬化剤などを含有するものであ
る。接着剤の諸特性を劣化させない範囲で、シリカ、ア
ルミナなどの微粒子を添加してもよい。これら接着剤層
は、硬化後の接着剤単体での線熱膨張係数が、次の条件
を満たすことが好ましい。
【0023】線熱膨張係数:硬化後の接着剤単体での平
均線熱膨張係数(測定方法:ASTM D−696−4
4に準じる)が、20〜200℃において10〜100
ppm/℃、好ましくは50〜100ppm/℃である
こと。
【0024】上記条件を満たす接着剤を得るためには、
接着剤成分のうち、ポリアミド樹脂とパラターシャリー
ブチルフェノールを主成分とするレゾール型フェノール
樹脂を必須成分とすることが好ましい。
【0025】接着剤として用いられるポリアミド樹脂
は、酸とジアミンの混合物を熱重合することによって得
られるもので、メタノールなどのアルコール類を主要成
分とする混合溶剤に溶解可能なものがすべて使用でき
る。とりわけ、ポリアミド樹脂の原料として炭素数が3
6個であるジカルボン酸(いわゆる「ダイマー酸」)が
主要成分となっているもの(通称「ダイマー酸系ポリア
ミド」)が好ましい。ポリアミド樹脂は一般的に吸水率
が大きいため絶縁抵抗が低くなる傾向があるが、ダイマ
ー酸を使用することによって、吸水率を小さくし電気絶
縁性を高くすることが可能となるためである。
【0026】ダイマー酸系ポリアミドは、ダイマー酸と
ジアミンの等モル混合物を熱重合することによって得る
ことができる。ジカルボン酸成分としてダイマー酸だけ
でなく、アゼライン酸、セバシン酸などの他のジカルボ
ン酸を共重合成分として含有していてもかまわない。こ
のときダイマー酸が、酸成分中で70mol%以上であ
ることがより好ましい。ダイマー酸系ポリアミドの中で
は、高重合度のものの方が、吸水率が比較的低く、高湿
度の雰囲気でも電気絶縁性が高くなりやすいので好まし
い。
【0027】ジアミン成分としては、ヘキサメチレンジ
アミン、エチレンジアミン、ピペラジン、ビス(4−ア
ミノシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−1,
2−ジメチルシクロヘキシル)メタンなどがあげられる
が、特に好ましいものは、ヘキサメチレンジアミンであ
る。ヘキサメチレンジアミンを主成分としたダイマー酸
系ポリアミドは、総合性能において優れた特性を発揮す
るため特に好ましい。また、ジアミン成分も一種だけで
なく、二種以上混合したものも使用することができる。
【0028】接着剤層の成分であるエポキシ樹脂として
は、ビスフェノール型、ノボラック型、クレゾールノボ
ラック型、多官能型などの公知のエポキシ樹脂が使用可
能である。接着剤層に用いられるフェノール樹脂は、ノ
ボラック型、レゾール型、クレゾールノボラック型の各
種タイプをはじめ、ポリパラビニルフェノールなど公知
のフェノール樹脂が使用可能である。接着剤層に用いら
れる硬化剤としては、一般的なエポキシ樹脂用硬化剤が
使用可能である。例えば、ジアミン、酸無水物、ルイス
酸型エポキシ硬化剤などである。
【0029】接着剤層中のそれぞれの成分比は、ポリア
ミド樹脂を100重量部とした場合、エポキシ樹脂は3
0〜80重量部の範囲、フェノール系樹脂は20〜70
重量部の範囲から選択される。また、硬化剤は0.1〜
10重量部の範囲で使用されることが好ましい。
【0030】そして、本発明の可撓性絶縁フィルムと接
着剤層からなる積層体は、次の条件を満たすことが必要
である。
【0031】弾性率:可撓性絶縁フィルムと接着剤層か
らなる積層体の20℃における弾性率が、下記測定条件
において1,000〜5,000MPaの範囲にあるこ
と 弾性率測定条件; 測定機 ;RHEO VIBRON DDV−II−E
A((株)ORIENTEC製) 測定条件;−100℃〜300℃(測定温度間隔:2
℃) 駆動周波数;110Hz。
【0032】積層体の弾性率が、5,000MPaを越
えるとTAB用接着剤付きテープをパンチングすること
ができない。また、1,000MPa未満であると半田
リフロー時の接着力低下が著しい。
【0033】また、本発明における保護フイルムは、通
常、可撓性プラスチックフィルムが用いられ、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイドフイ
ルムがとくに好ましく用いられる。
【0034】TAB用接着剤付きテープは、通常、次に
示すいずれかの方法で作られる。
【0035】まず、第1の離型フイルムに、接着剤樹脂
混合溶液を塗布、乾燥し、これに必要に応じ第2の離型
フイルムを貼り合わせる。次に、目的とする幅にスリッ
トする。これをあらかじめ目的の幅にスリットされたポ
リイミドなどの可撓性絶縁フイルムに、第1もしくは第
2の離型フイルムを剥がして接着剤面を貼り合わせる。
また、別の方法として、可撓性絶縁フイルムに、直接、
所定の幅に接着剤樹脂混合溶液を塗布、乾燥し、離型フ
イルム(保護フイルム)を貼り合わせてもよい。なお、
接着剤樹脂混合溶液は、前記接着剤成分を溶媒に溶解し
て得られる。接着剤各成分を溶解する溶媒としては、ト
ルエン、キシレン、クロロベンゼン、ベンジルアルコー
ルなどの芳香族系溶媒、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、ブチルアルコールなどのアルコー
ル系溶媒などが、それぞれ単独であるいは二種以上の混
合溶媒として使用できる。
【0036】通常、上記の方法で作られるテープの接着
剤の幅は、スプロケット孔開孔予定部にはかからないよ
うに基材である可撓性絶縁フイルムより狭く設定されて
いる。
【0037】IC搭載用のTABテープは、上記TAB
用接着剤付きテープを使用して、概略(1) 〜(8) の工程
を経て作られ、かくして得られたTABテープにICが
搭載されたTCPが形成される。このTCPは例えば、
液晶ディスプレイ用のガラス基板に(9) 〜(12)の工程を
経て実装される。そして液晶ディスプレイはノート型P
C等の電気機器に組み込まれる。
【0038】(1) スプロケット穴、デバイス穴などのパ
ンチング工程 (2) 保護フイルム除去、銅箔ラミネート工程 (3) 接着剤加熱キュア工程 (4) フォトレジスト塗布、パターン露光、現像工程 (5) 銅箔パターンエッチング工程 (6) フォトレジスト剥離工程 (7) (必要によりソルダーレジスト塗布工程) (8) メッキ工程(スズ、半田、金など) (9) ACF貼り付け (10)TCP打ち抜き (11)TCPアライメント・仮圧着 (12)加熱、加圧ボンディング(本圧着)。
【0039】かくして本発明のTAB用テープが得ら
れ、さらに本発明の半導体装置が得られる。本発明のT
ABテープおよび半導体装置はパターンの位置ずれもな
く、導体回路の配線パターンピッチが20〜150μm
であるものに好ましく適用できる。
【0040】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。な
お、本実施例におけるパターンの位置ずれ試験は図2に
示す要領で次のようにして行った。
【0041】[銅箔パターンの位置ずれ検査法]TAB
用接着剤付きテープの保護フイルムを除去し、25μm
電解銅箔と接着面とを130℃、1m/minでラミネ
ートした。エアオーブン中で、80℃×3時間、100
℃×5時間、150℃×5時間の条件で接着剤の加熱キ
ュアを行った後、銅箔面にフォトレジスト塗布、パター
ン露光、現像・銅箔パターンエッチング、フォトレジス
ト剥離工程を経て、下記3水準の導体数50本のくし型
パターンを形成した。
【0042】a:導体幅25μm、パターンピッチ50
μm、スペース導体間隔25μm、 b:導体幅50μm、パターンピッチ100μm、スペ
ース導体間隔50μm c:導体幅100μm、パターンピッチ200μm、ス
ペース導体間隔100μm このパターンにスズメッキ液を用いて0.5μm厚みの
メッキを施した1辺が3.5cm程度の正方形の基板を
作成した。
【0043】上記くし形パターンと対応するようにIT
O電極をガラス板に蒸着して下記パターンのガラス基板
を作成した。
【0044】a’:導体幅25μm、パターンピッチ5
0μm、スペース導体間隔25μm b’:導体幅50μm、パターンピッチ100μm、ス
ペース導体間隔50μm c’:導体幅100μm、パターンピッチ200μm、
スペース導体間隔100μm 上記のガラス基板は、順にくし形パターンのa,b,
c,と対応する。
【0045】このように準備したTABテープとガラス
基板を熱圧着装置(日本アビオニクス社製“パルスヒー
トボンダー”TCW125)を用いて、厚さ30μmの
ACF(ソニーケミカル(株)製CP4131)を介し
て、170℃、3.92MPaの条件で熱圧着した後、
光学顕微鏡でパターン電極とITO電極の幅方向の位置
ずれ(図3のAの長さ)が、それぞれのパターンピッチ
において下記条件範囲の上限以上のものが導体50本の
うち、1本でもあったものを不合格、50本とも範囲内
のものを合格、50本とも範囲の下限以下のものを優秀
と判定した。
【0046】判定基準範囲 パターンピッチ50μmで 図3のAの長さ=3〜7
μmの範囲 パターンピッチ100μmで 図3のAの長さ=5〜1
5μmの範囲 パターンピッチ200μmで 図3のAの長さ=12〜
32μmの範囲 実施例1〜3 下記接着剤組成物を表1に示す用に用いて、固形分濃度
20重量%となるようにメタノール/モノクロルベンゼ
ン混合溶液に溶解した後、離型処理を施した厚さ25μ
mのポリエチレンテレフタレートフイルム(東レ(株)
製PETフイルム“ルミラー”Tタイプ)に、各々乾燥
膜厚が12μmとなるように塗布し、エアオーブンを使
用し100℃で1分、150℃で2分乾燥した。これら
のフイルムの接着面を厚さ75μmのポリイミドフイル
ムにロールラミネート方式により、120℃の温度で貼
り合わせて、TAB用接着剤付きテープを作成した。
【0047】上記の手順で得られたTAB用接着剤付き
テープを用いて、前述の評価方法と同一の方法で半導体
集積回路接続用の導体回路を形成し、図1に示すパター
ンテープを得た。さらにこのパターンテープを用いて、
450℃、1分の条件でインナーリードボンディングを
行い、半導体集積回路を接続した。しかるのちに、エポ
キシ系液状封止材(北陸塗料(株)製“チップコート”
1320−617)で樹脂封止を行い、半導体装置を得
た。図4は得られた半導体装置の断面を示したものであ
る。
【0048】<接着剤組成物> ポリアミド樹脂(ヘンケル社製ナイロン“MACROM
ELT”6901):100重量部 熱硬化型アルキルフェノール樹脂(大日本インキ(株)
製TD−2625):75重量部 樹脂単体での線熱膨張係数:75ppm/℃ <可撓性絶縁フィルム> 1:宇部興産(株)製ポリイミドフィルム“ユーピレッ
クス”Sタイプ75μm :熱処理;300℃/5分処理 :線熱膨張係数;16ppm/℃ :加熱寸法変化率;0.04% 2:東レデュポン社製ポリイミドフィルム“カプトン”
ENタイプ75μm :熱処理;300℃/5分処理 :線熱膨張係数;10ppm/℃ :加熱寸法変化率;0.02% 3:東レデュポン社製ポリイミドフィルム“カプトン”
ENタイプ75μm :熱処理;260℃/5分処理 :線熱膨張係数;14ppm/℃ :加熱寸法変化率;0.03% 上記で得られたTAB用接着剤付きテープのパターンず
れを検査した結果を表1に示した。
【0049】比較例4〜5 可撓性絶縁フィルムとして下記ものを用いた以外は、実
施例1と全く同じようにしてTAB用接着剤付きテープ
を作製した。
【0050】<可撓性絶縁フィルム> 4:宇部興産(株)製ポリイミドフィルム“ユーピレッ
クス”Sタイプ75μm :熱処理;なし :線熱膨張係数;20ppm/℃ :加熱寸法変化率;0.06% 5:東レデュポン社製ポリイミドフィルム“カプトン”
Vタイプ75μm :熱処理;なし :線熱膨張係数;26ppm/℃ :加熱寸法変化率;0.04% 比較例6 接着剤層として下記以外を用いた以外は、実施例1と全
く同様にしてTAB用接着剤付きテープを作成した。
【0051】<接着剤組成> ポリアミド樹脂(ヘンケル社製ナイロン“MACROM
ELT”6901):10重量部 エポキシ樹脂(油化シェル(株)社製Ep−828):
100重量部 メタフェニレンジアミン:20重量部 接着剤層単体の線熱膨張係数:63ppm/℃ 上記で得られたTAB用接着剤付きテープのパターンず
れおよび可撓性絶縁フィルムと接着剤層からなる積層体
の20℃における弾性率を検査した結果を表1に示し
た。
【0052】
【表1】
【0053】
【発明の効果】従来よりTABテープのOLB工程にお
いて、銅箔、接着剤層とベースフィルムの熱膨張係数の
関係から、パターンの位置ずれにより、導体が浮き上が
るなどの接着不良や導体間の接続不良や導体が浮き上が
るなどの不具合を防止し、高歩留まりで良品のTABテ
ープを得ることができるTAB用テープを提供する。
【図面の簡単な説明】
【図1】TAB用接着剤テープにパターン加工をした状
態を示すTABテープの斜視図。
【図2】TABテープを、ACFを介してITO電極の
形成されたガラス基板と接続するプロセスを示す各工程
のフロー断面図。
【図3】パターンの位置ずれを説明するためのTABテ
ープの拡大断面図。
【図4】本発明のTAB用接着剤付きテープを用いた半
導体装置の一態様を示す断面図。
【符号の説明】
1:可撓性絶縁フィルム(ベースフィルム) 2:接着剤 3:スプロケットホール 4:デバイスホール 5:導体 6:ガラス基板 7:ITO電極 8:ACF 9:封止樹脂 10:金バンプ 11:保護膜

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】可撓性絶縁フイルム、接着剤層および保護
    フィルムを有するTAB用接着剤付きテープにおいて、
    前記可撓性絶縁フイルムの幅方向の平均線熱膨張係数
    が、20〜200℃において9〜17ppm/℃の範囲
    にあり、かつ可撓性絶縁フィルムと接着剤層からなる積
    層体の20℃での弾性率が、1,000〜5,000M
    Paの範囲にあることを特徴とするTAB用接着剤付き
    テープ。
  2. 【請求項2】接着剤層の線熱膨張係数が単体で20〜2
    00℃において10〜100ppm/℃であることを特
    徴とする請求項1記載のTAB用接着剤付きテープ。
  3. 【請求項3】可撓性絶縁フィルムを250℃/1分間加
    熱した際の加熱寸法変化率が、0.05%以下であるこ
    とを特徴とする請求項1記載のTAB用接着剤付きテー
    プ。
  4. 【請求項4】接着剤層が、ポリアミド樹脂および、パラ
    ターシャリーブチルフェノールが主成分のレゾール型フ
    ェノール樹脂を必須成分とする請求項1記載のTAB用
    接着剤付きテープ。
  5. 【請求項5】請求項1〜3のいずれか記載のTAB用接
    着剤付きテープから得られることを特徴とするTABテ
    ープ。
  6. 【請求項6】請求項1〜3のいずれか記載のTAB用接
    着剤付きテープから得られることを特徴とする半導体装
    置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100651800B1 (ko) * 2000-12-21 2006-11-30 삼성테크윈 주식회사 반도체 팩키지용 접착제 및, 그것을 구비한 반도체 팩키지

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