JPH10125737A - Ｔａｂ用接着剤付きテープ、ｔａｂテープ及び半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ用接着剤付きテープ、ｔａｂテープ及び半導体装置Info
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- JPH10125737A JPH10125737A JP8276036A JP27603696A JPH10125737A JP H10125737 A JPH10125737 A JP H10125737A JP 8276036 A JP8276036 A JP 8276036A JP 27603696 A JP27603696 A JP 27603696A JP H10125737 A JPH10125737 A JP H10125737A
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- Japan
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- tape
- adhesive
- tab
- adhesive layer
- insulating film
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＴＡＢテープ加工工程におけるテープの寸法変
化によるパターン加工時の歩留まり低下とパターンの微
細化に伴う、より厳しい寸法安定性の要請に応え、ＴＣ
Ｐ実装の歩留まりを上げるのに適した新規なＴＡＢ用接
着剤付きテープ、ＴＡＢテープおよびそれを用いた半導
体装置を工業的に提供する。 【解決手段】少なくとも絶縁フイルムおよび接着剤層を
有するＴＡＢ用接着剤付きテープにおいて、前記接着剤
層の厚みが３〜１０μｍの範囲で、さらに前記接着剤層
と前記絶縁フィルムからなる積層体の２０℃での弾性率
が１，０００〜３０，０００ＭＰａの範囲にあり、かつ
前記積層体の接着剤層硬化後のテープ幅方向の曲率が
５．２×１０-4〜６．５×１０-3の範囲にあることを特
徴とするＴＡＢ用接着剤付きテープ並びにそれから得ら
れたＴＡＢテープ及び半導体装置。
化によるパターン加工時の歩留まり低下とパターンの微
細化に伴う、より厳しい寸法安定性の要請に応え、ＴＣ
Ｐ実装の歩留まりを上げるのに適した新規なＴＡＢ用接
着剤付きテープ、ＴＡＢテープおよびそれを用いた半導
体装置を工業的に提供する。 【解決手段】少なくとも絶縁フイルムおよび接着剤層を
有するＴＡＢ用接着剤付きテープにおいて、前記接着剤
層の厚みが３〜１０μｍの範囲で、さらに前記接着剤層
と前記絶縁フィルムからなる積層体の２０℃での弾性率
が１，０００〜３０，０００ＭＰａの範囲にあり、かつ
前記積層体の接着剤層硬化後のテープ幅方向の曲率が
５．２×１０-4〜６．５×１０-3の範囲にあることを特
徴とするＴＡＢ用接着剤付きテープ並びにそれから得ら
れたＴＡＢテープ及び半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＡＢ（テープ・
オートメーテッド・ボンディング）方式と称する半導体
集積回路実装用テープ（以下、ＴＡＢテープと略す）に
使用されるＴＡＢ用接着剤付きテープ、ＴＡＢテープお
よび半導体装置、さらに詳しくは、寸法安定性が向上で
き、ＴＡＢテープの加工性およびアウターリードボンデ
ィング性に優れたＴＡＢ用接着剤付きテープ、ＴＡＢテ
ープおよび半導体装置に関する。
オートメーテッド・ボンディング）方式と称する半導体
集積回路実装用テープ（以下、ＴＡＢテープと略す）に
使用されるＴＡＢ用接着剤付きテープ、ＴＡＢテープお
よび半導体装置、さらに詳しくは、寸法安定性が向上で
き、ＴＡＢテープの加工性およびアウターリードボンデ
ィング性に優れたＴＡＢ用接着剤付きテープ、ＴＡＢテ
ープおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ用接着剤付きテープは、通常次に
示す方法で作られる。まず、第１の離型フイルムに、接
着剤樹脂混合溶液を塗布、乾燥し、これに必要に応じ第
２の離型フイルムを張り合わせる。次に、目的とする幅
にスリットする。これをあらかじめ目的の幅にスリット
されたポリイミドなどの可撓性絶縁フイルムに、第１ま
たは第２の離型フイルムを剥がして接着剤面を張り合わ
せる。また、別の方法としては、可撓性絶縁フイルムに
直接、所定の幅に接着剤樹脂混合溶液を塗布、乾燥し、
離型フイルム（保護フイルム）を張り合わせても良い。
示す方法で作られる。まず、第１の離型フイルムに、接
着剤樹脂混合溶液を塗布、乾燥し、これに必要に応じ第
２の離型フイルムを張り合わせる。次に、目的とする幅
にスリットする。これをあらかじめ目的の幅にスリット
されたポリイミドなどの可撓性絶縁フイルムに、第１ま
たは第２の離型フイルムを剥がして接着剤面を張り合わ
せる。また、別の方法としては、可撓性絶縁フイルムに
直接、所定の幅に接着剤樹脂混合溶液を塗布、乾燥し、
離型フイルム（保護フイルム）を張り合わせても良い。
【０００３】上記の方法で作られたＴＡＢ用接着剤付き
テープは、いずれも可撓性絶縁フイルム、接着剤、保護
フイルムをこの順に積層した構成となっているが、保護
フイルムは防塵あるいは取り扱い性の目的から使用され
るものである。保護フイルムとしては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリフ
ェニレンサルファイドなどが使用されている。
テープは、いずれも可撓性絶縁フイルム、接着剤、保護
フイルムをこの順に積層した構成となっているが、保護
フイルムは防塵あるいは取り扱い性の目的から使用され
るものである。保護フイルムとしては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリフ
ェニレンサルファイドなどが使用されている。
【０００４】一方、ＩＣ搭載用のＴＡＢテープは、上記
接着剤付きテープを使用して概略次の工程を経て造ら
れ、かくして得られたＴＡＢテープ（図１にＴＡＢテー
プの形状を示す。）にＩＣが搭載される。
接着剤付きテープを使用して概略次の工程を経て造ら
れ、かくして得られたＴＡＢテープ（図１にＴＡＢテー
プの形状を示す。）にＩＣが搭載される。
【０００５】すなわち、ＴＡＢ加工工程は、ＴＡＢ用接
着剤付きテープに(1)スプロケット孔・デバイス孔など
を金型で作るパンチング工程、(2)保護フイルム除去・
銅箔ラミネート工程、(3)接着剤層を硬化させる接着剤
加熱キュア工程、(4)フォトレジスト塗布・パターン露
光・現像工程、(5)銅箔パターンエッチング工程、(6)フ
ォトレジスト剥離工程、（(7)必要によりソルダーレジ
スト塗布工程）(8)メッキ工程（スズ、半田、金など）
等である。
着剤付きテープに(1)スプロケット孔・デバイス孔など
を金型で作るパンチング工程、(2)保護フイルム除去・
銅箔ラミネート工程、(3)接着剤層を硬化させる接着剤
加熱キュア工程、(4)フォトレジスト塗布・パターン露
光・現像工程、(5)銅箔パターンエッチング工程、(6)フ
ォトレジスト剥離工程、（(7)必要によりソルダーレジ
スト塗布工程）(8)メッキ工程（スズ、半田、金など）
等である。
【０００６】かくして得られたＴＡＢテープはＩＣ実装
後テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）として、例
えばプリント配線基板にはんだ付けやワイヤボンディン
グ、あるいは、異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａnisotoropic
Ｃonductive Ｆilm ）によって実装される。
後テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）として、例
えばプリント配線基板にはんだ付けやワイヤボンディン
グ、あるいは、異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａnisotoropic
Ｃonductive Ｆilm ）によって実装される。
【０００７】ＴＣＰの主用途である液晶ディスプレイ
は、近年パソコン（以下ＰＣ）機能の向上やＰＣソフト
の充実からノート型ＰＣにおいてもマルチウインドウズ
（複数画面の同時表示）や動画像表示が普及し始め、表
示画面の画質要求が高まってきている。このような液晶
ディスプレイの画質向上をめざすために、ＶＧＡ（画素
数；４８０×６４０ＲＧＢ）からＳＶＧＡ（画素数；６
００×８００ＲＧＢ）と、同一サイズのガラス基板での
画素数が増加してきた。この画素数の増加に伴い、ガラ
ス基板に実装されるＴＣＰのリードピッチに対する微細
化の要求がますます強くなってきた。
は、近年パソコン（以下ＰＣ）機能の向上やＰＣソフト
の充実からノート型ＰＣにおいてもマルチウインドウズ
（複数画面の同時表示）や動画像表示が普及し始め、表
示画面の画質要求が高まってきている。このような液晶
ディスプレイの画質向上をめざすために、ＶＧＡ（画素
数；４８０×６４０ＲＧＢ）からＳＶＧＡ（画素数；６
００×８００ＲＧＢ）と、同一サイズのガラス基板での
画素数が増加してきた。この画素数の増加に伴い、ガラ
ス基板に実装されるＴＣＰのリードピッチに対する微細
化の要求がますます強くなってきた。
【０００８】このような背景から、ＴＡＢ用接着剤付き
テープおよびＴＡＢテープには、各工程毎に種々の特性
が要求されている。
テープおよびＴＡＢテープには、各工程毎に種々の特性
が要求されている。
【０００９】特に、(4)の工程において微細なパターン
を作成する際に、ＴＡＢ用銅貼りテープがそっている
と、パターン形成のためのマスク寸法とできたパターン
の寸法が一致しないなどの問題がある。そのため、現在
のパターン加工は、ＴＡＢ用銅貼りテープのそり量をあ
らかじめ考慮したパターンマスクを使って加工してい
る。しかし、近年の半導体デバイスの狭ピッチ化に対応
するには、より平面性の高い材料が要求されている。
を作成する際に、ＴＡＢ用銅貼りテープがそっている
と、パターン形成のためのマスク寸法とできたパターン
の寸法が一致しないなどの問題がある。そのため、現在
のパターン加工は、ＴＡＢ用銅貼りテープのそり量をあ
らかじめ考慮したパターンマスクを使って加工してい
る。しかし、近年の半導体デバイスの狭ピッチ化に対応
するには、より平面性の高い材料が要求されている。
【００１０】ここでいうパターンの位置ずれは以下の原
因で発生すると考えられる。
因で発生すると考えられる。
【００１１】すなわち、従来のＴＡＢ用接着剤付きテー
プを用いて、(3)の工程で得られるＴＡＢ用銅貼りテー
プは、接着剤層の硬化反応が終了した時点で固定されて
いる。しかし、銅箔は剛性が高いため、接着剤層の硬化
収縮に起因する寸法変化を起こさず、接着剤には内部応
力が蓄積されることになる。そして、この状態のＴＡＢ
用銅貼りテープを(4)の工程でパターン形成し、エッチ
ングにより銅箔を除去すると蓄積されていた内部応力が
解放され、マスク寸法よりも広がったパターンが形成さ
れ、半導体実装時あるいは、基板へのＴＣＰ実装時のパ
ターン位置ずれを引き起こしていた。
プを用いて、(3)の工程で得られるＴＡＢ用銅貼りテー
プは、接着剤層の硬化反応が終了した時点で固定されて
いる。しかし、銅箔は剛性が高いため、接着剤層の硬化
収縮に起因する寸法変化を起こさず、接着剤には内部応
力が蓄積されることになる。そして、この状態のＴＡＢ
用銅貼りテープを(4)の工程でパターン形成し、エッチ
ングにより銅箔を除去すると蓄積されていた内部応力が
解放され、マスク寸法よりも広がったパターンが形成さ
れ、半導体実装時あるいは、基板へのＴＣＰ実装時のパ
ターン位置ずれを引き起こしていた。
【００１２】従って、従来のパターンピッチでは、リー
ド幅および隣接するリードとの間隔が広いため少々の位
置ずれは問題とならなかったが、パターンの微細化に伴
い特に７０μm ピッチ以下では、従来と同程度のパター
ンの位置ずれに対応できないため実装が困難となり、回
路形成の設計も制約を受けることになる。
ド幅および隣接するリードとの間隔が広いため少々の位
置ずれは問題とならなかったが、パターンの微細化に伴
い特に７０μm ピッチ以下では、従来と同程度のパター
ンの位置ずれに対応できないため実装が困難となり、回
路形成の設計も制約を受けることになる。
【００１３】この問題解決のために、可撓性絶縁フィル
ムの寸法収縮率や吸湿膨潤率を規定することにより、テ
ープの反りを改善することが提案されている。（特公平
７−３５１０６号公報、特開平８−１３９１３３号公報
等）
ムの寸法収縮率や吸湿膨潤率を規定することにより、テ
ープの反りを改善することが提案されている。（特公平
７−３５１０６号公報、特開平８−１３９１３３号公報
等）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、種々の
方法で改良されたＴＡＢ用接着剤付きテープも少しずつ
効果をあげてきているが、パターンの微細化に伴うより
厳しい寸法安定性の要請に応えるには十分でなかった。
方法で改良されたＴＡＢ用接着剤付きテープも少しずつ
効果をあげてきているが、パターンの微細化に伴うより
厳しい寸法安定性の要請に応えるには十分でなかった。
【００１５】本発明の目的は、内部応力の蓄積を低くす
るため、接着剤層を従来よりも薄くし、接着剤層の硬化
収縮を最低限に抑えること、また、接着剤層と可撓性絶
縁フィルムからなる積層体の物性を最適化することで、
ＴＣＰ実装の歩留まりを上げるのに適した新規なＴＡＢ
用接着剤付きテープを提供するものである。
るため、接着剤層を従来よりも薄くし、接着剤層の硬化
収縮を最低限に抑えること、また、接着剤層と可撓性絶
縁フィルムからなる積層体の物性を最適化することで、
ＴＣＰ実装の歩留まりを上げるのに適した新規なＴＡＢ
用接着剤付きテープを提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、少
なくとも絶縁フイルムおよび接着剤層を有するＴＡＢ用
接着剤付きテープにおいて、前記接着剤層の厚みが３〜
１０μｍの範囲で、さらに前記接着剤層と前記絶縁フィ
ルムからなる積層体の２０℃での弾性率が、１，０００
〜３０，０００ＭＰａの範囲にあり、かつ前記積層体の
接着剤層硬化後のテープ幅方向の曲率が５．２×１０-4
〜６．５×１０-3の範囲にあることを特徴とするＴＡＢ
用接着剤付きテープ、かかるＴＡＢ用接着剤付きテープ
を使って得られるＴＡＢ用テープおよび半導体装置並び
にＴＡＢ用接着剤付きテープに銅箔が積層されて得られ
るＴＡＢテープにおいて、前記銅箔の接着剤に接する銅
箔処理面の表面平均粗さが０．５〜４μm の範囲で、か
つ表面最大粗さが、９μm以下であることを特徴とする
ＴＡＢテープである。
なくとも絶縁フイルムおよび接着剤層を有するＴＡＢ用
接着剤付きテープにおいて、前記接着剤層の厚みが３〜
１０μｍの範囲で、さらに前記接着剤層と前記絶縁フィ
ルムからなる積層体の２０℃での弾性率が、１，０００
〜３０，０００ＭＰａの範囲にあり、かつ前記積層体の
接着剤層硬化後のテープ幅方向の曲率が５．２×１０-4
〜６．５×１０-3の範囲にあることを特徴とするＴＡＢ
用接着剤付きテープ、かかるＴＡＢ用接着剤付きテープ
を使って得られるＴＡＢ用テープおよび半導体装置並び
にＴＡＢ用接着剤付きテープに銅箔が積層されて得られ
るＴＡＢテープにおいて、前記銅箔の接着剤に接する銅
箔処理面の表面平均粗さが０．５〜４μm の範囲で、か
つ表面最大粗さが、９μm以下であることを特徴とする
ＴＡＢテープである。
【００１７】また、最近のＴＡＢテープに要求される電
気絶縁性、接着性を高めるために、硬化後の接着剤層単
体の２０℃での引張り弾性率が、４５０〜２，０００Ｍ
Ｐａの範囲であること、絶縁フィルムが、２０〜１３３
μm の厚みのポリイミドフィルムであること、絶縁フィ
ルムの接着剤を積層される面が放電処理されたものであ
ること、また接着剤層が炭素数３６のジカルボン酸を必
須構成成分とするポリアミド樹脂を含有すること、接着
剤層がエポキシ樹脂を含有すること、または接着剤層が
パラターシャリーブチルフェノールを主成分とするレゾ
ール型フェノール樹脂を含有することにより、さらに寸
法安定性、電気絶縁性、および接着性とも高いＴＡＢ用
接着剤付きテープ、それを用いたＴＡＢテープおよび半
導体装置を得ることができる。
気絶縁性、接着性を高めるために、硬化後の接着剤層単
体の２０℃での引張り弾性率が、４５０〜２，０００Ｍ
Ｐａの範囲であること、絶縁フィルムが、２０〜１３３
μm の厚みのポリイミドフィルムであること、絶縁フィ
ルムの接着剤を積層される面が放電処理されたものであ
ること、また接着剤層が炭素数３６のジカルボン酸を必
須構成成分とするポリアミド樹脂を含有すること、接着
剤層がエポキシ樹脂を含有すること、または接着剤層が
パラターシャリーブチルフェノールを主成分とするレゾ
ール型フェノール樹脂を含有することにより、さらに寸
法安定性、電気絶縁性、および接着性とも高いＴＡＢ用
接着剤付きテープ、それを用いたＴＡＢテープおよび半
導体装置を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテー
プは、基本構成が絶縁フイルムおよび接着剤層が積層さ
れたものである。
プは、基本構成が絶縁フイルムおよび接着剤層が積層さ
れたものである。
【００１９】本発明に使用される絶縁フイルムとして
は、通常厚さ１２．５〜２５０μｍ好ましくは２０〜１
３３μｍの例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、
芳香族ポリアミドなどのいわゆる耐熱性フイルム、ある
いはフレキシブルエポキシ／ガラスクロスなどの複合材
料などが使用できる。かかる材料の中でも、耐熱性、絶
縁性の観点からポリイミドが好ましく用いられる。絶縁
フィルムは通常、可撓性のものが使用される。
は、通常厚さ１２．５〜２５０μｍ好ましくは２０〜１
３３μｍの例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、
芳香族ポリアミドなどのいわゆる耐熱性フイルム、ある
いはフレキシブルエポキシ／ガラスクロスなどの複合材
料などが使用できる。かかる材料の中でも、耐熱性、絶
縁性の観点からポリイミドが好ましく用いられる。絶縁
フィルムは通常、可撓性のものが使用される。
【００２０】また、本発明で使用される絶縁フィルムの
接着剤を積層される面が、コロナ放電処理、低温プラズ
マ処理など目的に応じた接着性改良の放電処理が施され
ている方が好ましい。これらの処理を施すことによっ
て、接着性をさらに向上させることができる ここでい
う放電処理とは、大気圧付近で放電するいわゆる常圧プ
ラズマ処理、コロナ放電処理、または低温プラズマ処理
などが施されていることをいう。
接着剤を積層される面が、コロナ放電処理、低温プラズ
マ処理など目的に応じた接着性改良の放電処理が施され
ている方が好ましい。これらの処理を施すことによっ
て、接着性をさらに向上させることができる ここでい
う放電処理とは、大気圧付近で放電するいわゆる常圧プ
ラズマ処理、コロナ放電処理、または低温プラズマ処理
などが施されていることをいう。
【００２１】ついで、本発明の接着剤層に使用される接
着剤は特に限定されないが、熱硬化型のもので半硬化状
の接着剤であることが好ましい。
着剤は特に限定されないが、熱硬化型のもので半硬化状
の接着剤であることが好ましい。
【００２２】本発明で使用される接着剤としては、たと
えば、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、硬化促進剤からなる接着剤があげられる。
えば、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、硬化促進剤からなる接着剤があげられる。
【００２３】接着剤層に用いられるポリアミド樹脂は、
酸とジアミンの混合物を熱重合することによって得られ
るもので、メタノールなどのアルコール類を主要成分と
する混合溶剤に溶解可能なものがすべて使用できる。と
りわけ、ポリアミド樹脂の原料として炭素数が３６個で
あるジカルボン酸（いわゆる「ダイマー酸」）が主要成
分となっているもの（通称「ダイマー酸系ポリアミ
ド」）が好ましい。ポリアミド樹脂は一般的に吸水率が
大きいため絶縁抵抗が低くなる傾向があるが、ダイマー
酸を使用することによって、吸水率を小さくし電気絶縁
性を高くすることが可能となるためである。
酸とジアミンの混合物を熱重合することによって得られ
るもので、メタノールなどのアルコール類を主要成分と
する混合溶剤に溶解可能なものがすべて使用できる。と
りわけ、ポリアミド樹脂の原料として炭素数が３６個で
あるジカルボン酸（いわゆる「ダイマー酸」）が主要成
分となっているもの（通称「ダイマー酸系ポリアミ
ド」）が好ましい。ポリアミド樹脂は一般的に吸水率が
大きいため絶縁抵抗が低くなる傾向があるが、ダイマー
酸を使用することによって、吸水率を小さくし電気絶縁
性を高くすることが可能となるためである。
【００２４】ダイマー酸系ポリアミドは、ダイマー酸と
ジアミンの等モル混合物を熱重合することによって得る
ことができる。ジカルボン酸成分としてダイマー酸だけ
でなく、アゼライン酸、セバシン酸などの他のジカルボ
ン酸を共重合成分として含有していてもかまわない。こ
のときダイマー酸が、酸成分中で７０モル%以上である
ことがより好ましい。ダイマー酸系ポリアミドの中で
は、高重合度のものの方が、吸水率が比較的低く、高湿
度の雰囲気でも電気絶縁性が高くなりやすいので好まし
い。
ジアミンの等モル混合物を熱重合することによって得る
ことができる。ジカルボン酸成分としてダイマー酸だけ
でなく、アゼライン酸、セバシン酸などの他のジカルボ
ン酸を共重合成分として含有していてもかまわない。こ
のときダイマー酸が、酸成分中で７０モル%以上である
ことがより好ましい。ダイマー酸系ポリアミドの中で
は、高重合度のものの方が、吸水率が比較的低く、高湿
度の雰囲気でも電気絶縁性が高くなりやすいので好まし
い。
【００２５】ジアミン成分としては、ヘキサメチレンジ
アミン、エチレンジアミン、ピペラジン、ビス（４−ア
ミノシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノ−１,
２−ジメチルシクロヘキシル）メタンなどがあげられる
が、特に好ましいものは、ヘキサメチレンジアミンであ
る。ヘキサメチレンジアミンを主成分としたダイマー酸
系ポリアミドは、総合性能において優れた特性を発揮す
るため特に好ましい。また、ジアミン成分も一種だけで
なく、二種以上混合したものも使用することができる。
アミン、エチレンジアミン、ピペラジン、ビス（４−ア
ミノシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノ−１,
２−ジメチルシクロヘキシル）メタンなどがあげられる
が、特に好ましいものは、ヘキサメチレンジアミンであ
る。ヘキサメチレンジアミンを主成分としたダイマー酸
系ポリアミドは、総合性能において優れた特性を発揮す
るため特に好ましい。また、ジアミン成分も一種だけで
なく、二種以上混合したものも使用することができる。
【００２６】接着剤層に用いられるエポキシ樹脂は、１
分子中に２個以上のエポキシ基を有するものなら特に限
定されず、これらの具体例としては、たとえば、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ
樹脂、脂環族エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ス
ピロ環含有エポキシ樹脂、およびハロゲン化エポキシ樹
脂などがあげられる。これらのエポキシ樹脂の中でも接
着性、耐薬品性、絶縁性に優れる点で、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂のう
ち、少なくとも１種類を含有することが好ましい。ま
た、エポキシ樹脂の添加量は、ポリアミド樹脂を１００
重量部とした場合、３〜１１０重量部の範囲、好ましく
は、２０〜７０重量部である。
分子中に２個以上のエポキシ基を有するものなら特に限
定されず、これらの具体例としては、たとえば、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ
樹脂、脂環族エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ス
ピロ環含有エポキシ樹脂、およびハロゲン化エポキシ樹
脂などがあげられる。これらのエポキシ樹脂の中でも接
着性、耐薬品性、絶縁性に優れる点で、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂のう
ち、少なくとも１種類を含有することが好ましい。ま
た、エポキシ樹脂の添加量は、ポリアミド樹脂を１００
重量部とした場合、３〜１１０重量部の範囲、好ましく
は、２０〜７０重量部である。
【００２７】接着剤層に用いられるフェノール樹脂は、
ノボラック型、レゾール型、クレゾールノボラック型の
各種タイプをはじめ、ポリパラビニルフェノールなど公
知のフェノール樹脂が使用可能である。かかる種類の中
でも耐熱性、電気絶縁性を高くするためには、パラター
シャリーブチルフェノールを主成分としたレゾール型フ
ェノール樹脂が好ましく用いられる。また、フェノール
樹脂の添加量は、ポリアミド樹脂を１００重量部とした
場合、５〜１５０重量部の範囲、好ましくは２０〜８０
重量部の範囲である。
ノボラック型、レゾール型、クレゾールノボラック型の
各種タイプをはじめ、ポリパラビニルフェノールなど公
知のフェノール樹脂が使用可能である。かかる種類の中
でも耐熱性、電気絶縁性を高くするためには、パラター
シャリーブチルフェノールを主成分としたレゾール型フ
ェノール樹脂が好ましく用いられる。また、フェノール
樹脂の添加量は、ポリアミド樹脂を１００重量部とした
場合、５〜１５０重量部の範囲、好ましくは２０〜８０
重量部の範囲である。
【００２８】本発明の接着剤層にはエポキシ樹脂の単独
反応、エポキシ樹脂とポリアミド樹脂やフェノール樹脂
との反応を促進させる硬化促進剤を含有することができ
る。硬化促進剤は硬化反応を促進するものならば特に限
定されず、その具体例としては、たとえば、２−メチル
イミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾ
ール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールおよび２
−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合
物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−
メチルベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノ
メチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルア
ミノメチル）フェノールおよび１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７などの３級アミン化合
物、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテト
ラプロポキシド、テトラキス（アセチルアセトナト）ジ
ルコニウムおよびトリ（アセチルアセトナト）アルミニ
ウムなどの有機金属化合物、およびトリフェニルホスフ
ィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、
トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホ
スフィンおよびトリ（ノニルフェニル）ホスフィンなど
の有機ホスフィン化合物が挙げられる。
反応、エポキシ樹脂とポリアミド樹脂やフェノール樹脂
との反応を促進させる硬化促進剤を含有することができ
る。硬化促進剤は硬化反応を促進するものならば特に限
定されず、その具体例としては、たとえば、２−メチル
イミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾ
ール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールおよび２
−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合
物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−
メチルベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノ
メチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルア
ミノメチル）フェノールおよび１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７などの３級アミン化合
物、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテト
ラプロポキシド、テトラキス（アセチルアセトナト）ジ
ルコニウムおよびトリ（アセチルアセトナト）アルミニ
ウムなどの有機金属化合物、およびトリフェニルホスフ
ィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、
トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホ
スフィンおよびトリ（ノニルフェニル）ホスフィンなど
の有機ホスフィン化合物が挙げられる。
【００２９】また、硬化促進剤の添加量は、ポリアミド
樹脂を１００重量部とした場合、０. １〜１０重量部の
範囲で使用されることが好ましい。
樹脂を１００重量部とした場合、０. １〜１０重量部の
範囲で使用されることが好ましい。
【００３０】また、接着剤の諸特性を劣化させない範囲
で、シリカ、アルミナなどの微粒子を添加してもよい。
で、シリカ、アルミナなどの微粒子を添加してもよい。
【００３１】本発明の接着剤層は接着剤層単体を硬化さ
せた際の引張り弾性率が、４５０〜２，０００ＭＰａの
範囲であることが好ましい。
せた際の引張り弾性率が、４５０〜２，０００ＭＰａの
範囲であることが好ましい。
【００３２】そして、本発明の絶縁フィルムと接着剤層
からなる積層体の弾性率および同積層体を銅箔と貼り合
わせず、そのまま接着剤層を硬化させた時のテープ幅方
向の曲率は、次の条件を満たすことが必要である。
からなる積層体の弾性率および同積層体を銅箔と貼り合
わせず、そのまま接着剤層を硬化させた時のテープ幅方
向の曲率は、次の条件を満たすことが必要である。
【００３３】弾性率：絶縁フィルムと接着剤層からなる
積層体の２０℃における弾性率が、下記測定条件におい
て１，０００〜３０，０００ＭＰａの範囲にあること。
同積層体の弾性率が、３０，０００ＭＰａを越えるとＴ
ＡＢ用接着剤付きテープをパンチングすることができな
い。また、１，０００ＭＰａ未満だと半田リフロー時の
接着力低下が著しい。 弾性率測定条件； 測定機 ；ＲＨＥＯ ＶＩＢＲＯＮ ＤＤＶ−II−ＥＡ
［（株）ＯＲＩＥＮＴＥＣ製］ 測定条件；−１００℃〜３００℃（測定温度間隔：２
℃） 駆動周波数；１１０Ｈｚ。
積層体の２０℃における弾性率が、下記測定条件におい
て１，０００〜３０，０００ＭＰａの範囲にあること。
同積層体の弾性率が、３０，０００ＭＰａを越えるとＴ
ＡＢ用接着剤付きテープをパンチングすることができな
い。また、１，０００ＭＰａ未満だと半田リフロー時の
接着力低下が著しい。 弾性率測定条件； 測定機 ；ＲＨＥＯ ＶＩＢＲＯＮ ＤＤＶ−II−ＥＡ
［（株）ＯＲＩＥＮＴＥＣ製］ 測定条件；−１００℃〜３００℃（測定温度間隔：２
℃） 駆動周波数；１１０Ｈｚ。
【００３４】曲率：可撓性絶縁フィルムと接着剤層から
なる積層体の接着剤層硬化後のテープ幅方向の曲率が、
下記条件において５．２×１０-4〜６．５×１０-3の範
囲にあること。同積層体の接着剤硬化後の曲率が、６．
５×１０-3を越えると作成されるＴＣＰの反りが大きく
微細なパターンの半導体実装やアウターリード接続がで
きない。また、５．２×１０-4未満になる接着剤層は、
硬化時の樹脂架橋度が低く絶縁信頼性の低下が著しい。 曲率測定条件； 接着剤硬化条件；８０℃×３時間→１００℃×５時間→
１５０℃×５時間 サンプル形状 ；縦１０mm×横３５mm（接着剤幅２６．
０mm） 測定機；マイクロメーター 測定方法；図２に示す接着剤硬化後の積層体を平滑なガ
ラス板の上に置き、図２における高さｂを測定し、下記
方法により曲率を求める。 曲率算定方法；マイクロメーターで計測した値ｂから下
記式により曲率を算出する。 曲率ρ-1= ｛（３５／２）2＋ｂ2｝／２×ｂ。
なる積層体の接着剤層硬化後のテープ幅方向の曲率が、
下記条件において５．２×１０-4〜６．５×１０-3の範
囲にあること。同積層体の接着剤硬化後の曲率が、６．
５×１０-3を越えると作成されるＴＣＰの反りが大きく
微細なパターンの半導体実装やアウターリード接続がで
きない。また、５．２×１０-4未満になる接着剤層は、
硬化時の樹脂架橋度が低く絶縁信頼性の低下が著しい。 曲率測定条件； 接着剤硬化条件；８０℃×３時間→１００℃×５時間→
１５０℃×５時間 サンプル形状 ；縦１０mm×横３５mm（接着剤幅２６．
０mm） 測定機；マイクロメーター 測定方法；図２に示す接着剤硬化後の積層体を平滑なガ
ラス板の上に置き、図２における高さｂを測定し、下記
方法により曲率を求める。 曲率算定方法；マイクロメーターで計測した値ｂから下
記式により曲率を算出する。 曲率ρ-1= ｛（３５／２）2＋ｂ2｝／２×ｂ。
【００３５】また、本発明においては、絶縁フィルム、
接着剤の上に保護フィルムがこの純に積層されるのが通
常である。保護フイルムは、通常、可撓性プラスチック
フィルムが用いられ、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リフェニレンサルファイドフイルムがとくに好ましく用
いられる。
接着剤の上に保護フィルムがこの純に積層されるのが通
常である。保護フイルムは、通常、可撓性プラスチック
フィルムが用いられ、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リフェニレンサルファイドフイルムがとくに好ましく用
いられる。
【００３６】ＴＡＢ用接着剤付きテープは、通常、次に
示すいずれかの方法で作られる。
示すいずれかの方法で作られる。
【００３７】まず、第１の離型フイルムに、接着剤樹脂
混合溶液を塗布、乾燥し、これに必要に応じ第２の離型
フイルムを張り合わせる。次に、目的とする幅にスリッ
トする。これをあらかじめコロナ放電処理あるいは低温
プラズマ処理され、目的の幅にスリットされたポリイミ
ドなどの可撓性絶縁フイルムに、第１もしくは第２の離
型フイルムを剥がして接着剤面を張り合わせる。また、
別の方法として、あらかじめコロナ放電処理あるいは低
温プラズマ処理された可撓性絶縁フイルムに、直接、所
定の幅に接着剤樹脂混合溶液を塗布、乾燥し、離型フイ
ルム（保護フイルム）を張り合わせてもよい。なお、接
着剤樹脂混合溶液は、前記接着剤成分を溶媒に溶解して
得られる。接着剤各成分を溶解する溶媒としては、トル
エン、キシレン、クロロベンゼン、ベンジルアルコール
などの芳香族系溶媒、メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール、ブチルアルコールなどのアルコール
系溶媒などが、それぞれ単独であるいは二種以上の混合
溶媒として使用できる。
混合溶液を塗布、乾燥し、これに必要に応じ第２の離型
フイルムを張り合わせる。次に、目的とする幅にスリッ
トする。これをあらかじめコロナ放電処理あるいは低温
プラズマ処理され、目的の幅にスリットされたポリイミ
ドなどの可撓性絶縁フイルムに、第１もしくは第２の離
型フイルムを剥がして接着剤面を張り合わせる。また、
別の方法として、あらかじめコロナ放電処理あるいは低
温プラズマ処理された可撓性絶縁フイルムに、直接、所
定の幅に接着剤樹脂混合溶液を塗布、乾燥し、離型フイ
ルム（保護フイルム）を張り合わせてもよい。なお、接
着剤樹脂混合溶液は、前記接着剤成分を溶媒に溶解して
得られる。接着剤各成分を溶解する溶媒としては、トル
エン、キシレン、クロロベンゼン、ベンジルアルコール
などの芳香族系溶媒、メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール、ブチルアルコールなどのアルコール
系溶媒などが、それぞれ単独であるいは二種以上の混合
溶媒として使用できる。
【００３８】通常、上記の方法で作られるテープの接着
剤の幅は、スプロケット孔開孔予定部にはかからないよ
うに基材である可撓性絶縁フイルムより狭く設定されて
いる。
剤の幅は、スプロケット孔開孔予定部にはかからないよ
うに基材である可撓性絶縁フイルムより狭く設定されて
いる。
【００３９】ＩＣ搭載用のＴＡＢテープは、上記ＴＡＢ
用接着剤付きテープを使用して、概略(1)〜(8)の工程を
経て作られる。
用接着剤付きテープを使用して、概略(1)〜(8)の工程を
経て作られる。
【００４０】かくして本発明のＴＡＢ用接着剤付きテー
プを用いて作成された本発明のＴＡＢテープは導体回線
の配線パターンピッチが２０〜１５０μｍであるものに
好ましく適用できる。
プを用いて作成された本発明のＴＡＢテープは導体回線
の配線パターンピッチが２０〜１５０μｍであるものに
好ましく適用できる。
【００４１】かくして得られたＴＡＢテープにＩＣが搭
載されたＴＣＰが形成される。このＴＣＰは例えば、液
晶ディスプレイ用のガラス基板に(9)〜(12)の工程を経
て実装される。そして液晶ディスプレイはノート型ＰＣ
等の電気機器に組み込まれる。
載されたＴＣＰが形成される。このＴＣＰは例えば、液
晶ディスプレイ用のガラス基板に(9)〜(12)の工程を経
て実装される。そして液晶ディスプレイはノート型ＰＣ
等の電気機器に組み込まれる。
【００４２】(1)スプロケット穴、デバイス穴などのパ
ンチング工程 (2)保護フイルム除去、銅箔ラミネート工程 (3)接着剤加熱キュア工程 (4)フォトレジスト塗布、パターン露光、現像工程 (5)銅箔パターンエッチング工程 (6)フォトレジスト剥離工程 (7)（必要によりソルダーレジスト塗布工程） (8)メッキ工程（スズ、半田、金など） (9)ＡＣＦ貼り付け (10)ＴＣＰ打ち抜き (11)ＴＣＰアライメント、仮圧着 (12)加熱、加圧ボンディング（本圧着）。
ンチング工程 (2)保護フイルム除去、銅箔ラミネート工程 (3)接着剤加熱キュア工程 (4)フォトレジスト塗布、パターン露光、現像工程 (5)銅箔パターンエッチング工程 (6)フォトレジスト剥離工程 (7)（必要によりソルダーレジスト塗布工程） (8)メッキ工程（スズ、半田、金など） (9)ＡＣＦ貼り付け (10)ＴＣＰ打ち抜き (11)ＴＣＰアライメント、仮圧着 (12)加熱、加圧ボンディング（本圧着）。
【００４３】そして、本発明において(2)の工程で使用
される銅箔は特に限定されないが、厚みが１０〜７０μ
m、好ましくは１０〜２５μm の種々の電解銅箔、圧延
銅箔が使用できる。これらの銅箔の中でも、銅箔処理面
の表面最大粗さが、接着剤厚みよりも大きいと、接着力
の低下などによりＴＣＰを形成することが困難で、積層
される接着剤を選択する必要があることから、特に銅箔
の処理面の表面平均粗さが０．５〜４μm の範囲で、か
つ表面最大粗さが、９μm 以下であることが好ましい。
される銅箔は特に限定されないが、厚みが１０〜７０μ
m、好ましくは１０〜２５μm の種々の電解銅箔、圧延
銅箔が使用できる。これらの銅箔の中でも、銅箔処理面
の表面最大粗さが、接着剤厚みよりも大きいと、接着力
の低下などによりＴＣＰを形成することが困難で、積層
される接着剤を選択する必要があることから、特に銅箔
の処理面の表面平均粗さが０．５〜４μm の範囲で、か
つ表面最大粗さが、９μm 以下であることが好ましい。
【００４４】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４５】なお、本実施例におけるパターンの位置ず
れ試験は図３に示す要領で次のようにして行った。
れ試験は図３に示す要領で次のようにして行った。
【００４６】［銅箔パターンの位置ずれ検査法］ＴＡＢ
用接着剤付きテープの保護フイルムを除去し、銅箔処理
面の表面最大粗さ３．８μm で、厚みが２５μｍ電解銅
箔と接着面とを１３０℃、１m/min でラミネートした。
エアオーブン中で、８０℃×３時間、１００℃×５時
間、１５０℃×５時間の条件で接着剤の加熱キュアを行
った後、銅箔面にフォトレジスト塗布、パターン露光、
現像・銅箔パターンエッチング、フォトレジスト剥離工
程を経て、下記３水準のガラスマスクを使って、パター
ンを形成した。 ａ：導体幅２５μｍ、パターンピッチ５０μｍ、導体間
隔２５μｍ、導体数４００本 ｂ：導体幅５０μｍ、パターンピッチ１００μｍ、導体
間隔５０μｍ、導体数２００本 ｃ：導体幅１００μｍ、パターンピッチ２００μｍ、導
体間隔１００μｍ、導体数１００本 このパターンにスズメッキ液を用いて０. ５μｍ厚みの
メッキを施した１辺が３. ５ｃｍ程度の正方形の基板を
作成した。
用接着剤付きテープの保護フイルムを除去し、銅箔処理
面の表面最大粗さ３．８μm で、厚みが２５μｍ電解銅
箔と接着面とを１３０℃、１m/min でラミネートした。
エアオーブン中で、８０℃×３時間、１００℃×５時
間、１５０℃×５時間の条件で接着剤の加熱キュアを行
った後、銅箔面にフォトレジスト塗布、パターン露光、
現像・銅箔パターンエッチング、フォトレジスト剥離工
程を経て、下記３水準のガラスマスクを使って、パター
ンを形成した。 ａ：導体幅２５μｍ、パターンピッチ５０μｍ、導体間
隔２５μｍ、導体数４００本 ｂ：導体幅５０μｍ、パターンピッチ１００μｍ、導体
間隔５０μｍ、導体数２００本 ｃ：導体幅１００μｍ、パターンピッチ２００μｍ、導
体間隔１００μｍ、導体数１００本 このパターンにスズメッキ液を用いて０. ５μｍ厚みの
メッキを施した１辺が３. ５ｃｍ程度の正方形の基板を
作成した。
【００４７】上記パターンと対応するようにＩＴＯ電極
をガラス板に蒸着して下記パターンのガラス基板を作成
した。
をガラス板に蒸着して下記パターンのガラス基板を作成
した。
【００４８】ａ’：導体幅２５μｍ、パターンピッチ５
０μｍ、導体間隔２５μｍ、導体数４００本 ｂ’：導体幅５０μｍ、パターンピッチ１００μｍ、導
体間隔５０μｍ、導体数２００本 ｃ’：導体幅１００μｍ、パターンピッチ２００μｍ、
導体間隔１００μｍ、導体数１００本 上記のガラス基板は、順にパターンのａ，ｂ，ｃ，と対
応させた。
０μｍ、導体間隔２５μｍ、導体数４００本 ｂ’：導体幅５０μｍ、パターンピッチ１００μｍ、導
体間隔５０μｍ、導体数２００本 ｃ’：導体幅１００μｍ、パターンピッチ２００μｍ、
導体間隔１００μｍ、導体数１００本 上記のガラス基板は、順にパターンのａ，ｂ，ｃ，と対
応させた。
【００４９】このように準備したＴＡＢテープとガラス
基板を熱圧着装置（日本アビオニクス社製”パルスヒー
トボンダー”ＴＣＷ１２５）を用いて、厚さ３０μｍの
ＡＣＦ（ソニーケミカル製ＣＰ４１３１）を介して、１
７０℃、３．９２ＭＰａの条件で熱圧着した後、光学顕
微鏡でパターン電極とＩＴＯ電極の幅方向の位置ずれ
（図３のＡの長さ）が、それぞれのパターンの両端の導
体において下記条件範囲の上限以上のであったものを不
合格、範囲内のものをやや良好、下限以下のものを良好
と判定した。 判定基準範囲 パターンピッチ 図３のＡの長さ（μm ） ５０μm ３〜７μm １００μm ５〜１５μm ２００μm １２〜３２μm 。
基板を熱圧着装置（日本アビオニクス社製”パルスヒー
トボンダー”ＴＣＷ１２５）を用いて、厚さ３０μｍの
ＡＣＦ（ソニーケミカル製ＣＰ４１３１）を介して、１
７０℃、３．９２ＭＰａの条件で熱圧着した後、光学顕
微鏡でパターン電極とＩＴＯ電極の幅方向の位置ずれ
（図３のＡの長さ）が、それぞれのパターンの両端の導
体において下記条件範囲の上限以上のであったものを不
合格、範囲内のものをやや良好、下限以下のものを良好
と判定した。 判定基準範囲 パターンピッチ 図３のＡの長さ（μm ） ５０μm ３〜７μm １００μm ５〜１５μm ２００μm １２〜３２μm 。
【００５０】実施例１〜４ 下記接着剤組成物を固形分濃度２０重量％となるように
メタノール／モノクロルベンゼン混合溶液に溶解した
後、離型処理を施した厚さ２５μｍのポリエチレンテレ
フタレートフイルム（東レ製ＰＥＴフイルム“ルミラ
ー”Ｔタイプ）に、各々乾燥膜厚が所定の厚みとなるよ
うに塗布し、エアオーブンを使用し１００℃で１分、１
５０℃で２分乾燥した。これらのフイルムの接着面を、
あらかじめアルゴン雰囲気中で低温プラズマ処理した厚
さ７５μｍのポリイミドフイルムにロールラミネート方
式により、１２０℃の温度で貼り合わせて、ＴＡＢ用接
着剤付きテープを作成した。
メタノール／モノクロルベンゼン混合溶液に溶解した
後、離型処理を施した厚さ２５μｍのポリエチレンテレ
フタレートフイルム（東レ製ＰＥＴフイルム“ルミラ
ー”Ｔタイプ）に、各々乾燥膜厚が所定の厚みとなるよ
うに塗布し、エアオーブンを使用し１００℃で１分、１
５０℃で２分乾燥した。これらのフイルムの接着面を、
あらかじめアルゴン雰囲気中で低温プラズマ処理した厚
さ７５μｍのポリイミドフイルムにロールラミネート方
式により、１２０℃の温度で貼り合わせて、ＴＡＢ用接
着剤付きテープを作成した。
【００５１】＜可撓性絶縁フィルム＞ 宇部興産社製ポリイミドフィルムＳタイプ７５μm ＜接着剤層＞ １：組成／ポリアミド樹脂（ヘンケル社製ナイロン“ＭＡＣＲＯＭＥＬＴ”６９ ００）：１００重量部 熱硬化型アルキルフェノール樹脂（大日本インキ社製ＴＤ− ２６２５）： ７５重量部 エポキシ樹脂（油化シェル社製Ｅｐ８２８）：５０重量部 トリフェニルフォスフィン：１重量部 ：厚み／３μm ２：組成／ポリアミド樹脂（ヘンケル社製ナイロン“ＭＡＣＲＯＭＥＬＴ”６９ ００）：１００重量部 熱硬化型アルキルフェノール樹脂（大日本インキ社製ＴＤ− ２６２５）： ８０重量部 エポキシ樹脂（油化シェル社製Ｅｐ８２８）：４５重量部 ：厚み／３μm ３：組成／ポリアミド樹脂（ヘンケル社製ナイロン“ＭＡＣＲＯＭＥＬＴ”６９ ００）：１００重量部 熱硬化型アルキルフェノール樹脂（大日本インキ社製ＴＤ− ２６２５）： ８０重量部 エポキシ樹脂（油化シェル社製Ｅｐ８２８）：４５重量部 ：厚み／５μm ４：組成／ポリアミド樹脂（ヘンケル社製ナイロン“ＭＡＣＲＯＭＥＬＴ”６９ ００）：１００重量部 熱硬化型アルキルフェノール樹脂（大日本インキ社製ＴＤ− ２６２５）： ８０重量部 エポキシ樹脂（油化シェル社製Ｅｐ８２８）：４５重量部 ：厚み／ １０μm 上記で得られたＴＡＢ用接着剤付きテープの可撓性絶縁
フィルムと接着剤層からなる積層体の２０℃における弾
性率とテープ幅方向の曲率を検査した結果を表１に示し
た。また、上記ＴＡＢ用接着剤付きテープから得られた
ＴＡＢテープのパターン位置ずれを検査した結果を表２
に示した。
フィルムと接着剤層からなる積層体の２０℃における弾
性率とテープ幅方向の曲率を検査した結果を表１に示し
た。また、上記ＴＡＢ用接着剤付きテープから得られた
ＴＡＢテープのパターン位置ずれを検査した結果を表２
に示した。
【００５２】上記の手順で得られたＴＡＢ用接着剤付き
テープを用いて、前述の銅箔パターンの位置ずれ検査法
と同一の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成
し、図１に示すパターンテープを得た。さらにこのパタ
ーンテープを用いて、４５０℃、１分の条件でインナー
リードボンディングを行い、半導体集積回路を接続し
た。しかるのちに、エポキシ系液状封止材（北陸塗料
（株）製“チップコート”１３２０−６１７）で樹脂封
止を行い、半導体装置を得た。図４は得られた半導体装
置の断面を示したものである。
テープを用いて、前述の銅箔パターンの位置ずれ検査法
と同一の方法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成
し、図１に示すパターンテープを得た。さらにこのパタ
ーンテープを用いて、４５０℃、１分の条件でインナー
リードボンディングを行い、半導体集積回路を接続し
た。しかるのちに、エポキシ系液状封止材（北陸塗料
（株）製“チップコート”１３２０−６１７）で樹脂封
止を行い、半導体装置を得た。図４は得られた半導体装
置の断面を示したものである。
【００５３】比較例５〜７ 接着剤層として下記以外を用いた以外は、実施例１と全
く同じＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。
く同じＴＡＢ用接着剤付きテープを作成した。
【００５４】 ＜接着剤層＞ ５：組成／ポリアミド樹脂（ヘンケル社製ナイロン“ＭＡＣＲＯＭＥＬＴ”６９ ００）：１００重量部 熱硬化型アルキルフェノール樹脂（大日本インキ社製ＴＤ− ２６２５）： ８０重量部 エポキシ樹脂（油化シェル社製Ｅｐ８２８）：４５重量部 ：厚み／１２μm ６：組成／ポリアミド樹脂（ヘンケル社製ナイロン“ＭＡＣＲＯＭＥＬＴ”６９ ００）：１００重量部 熱硬化型アルキルフェノール樹脂（大日本インキ社製ＴＤ− ２６２５）： １５０重量部 エポキシ樹脂（油化シェル社製Ｅｐ８２８）：５重量部 ：厚み／１２μm ７：組成 ポリアミド樹脂（ヘンケル社製ナイロン“ＭＡＣＲＯＭＥＬＴ”６９ ０１）：１００重量部 エポキシ樹脂（油化シェル社製Ｅｐ８２８）：１０００重量部 メタフェニレンジアミン：２００重量部 ：厚み／５μm
【００５５】上記で得られたＴＡＢ用接着剤付きテープ
の可撓性絶縁フィルムと接着剤層からなる積層体の２０
℃における弾性率とテープ幅方向の曲率を検査した結果
を表１に示した。また、上記ＴＡＢ用接着剤付きテープ
から得られたＴＡＢテープのパターン位置ずれを検査
し、判定した結果を表２に示した。
の可撓性絶縁フィルムと接着剤層からなる積層体の２０
℃における弾性率とテープ幅方向の曲率を検査した結果
を表１に示した。また、上記ＴＡＢ用接着剤付きテープ
から得られたＴＡＢテープのパターン位置ずれを検査
し、判定した結果を表２に示した。
【００５６】
【表１】
【００５７】
【表２】
【００５８】
【発明の効果】本発明のＴＡＢ用接着剤付きテープを用
いることによって、ＴＡＢテープの加工工程において、
銅箔、接着剤層とベースフィルムの接着剤層の硬化収縮
に起因する各層の応力の関係から、パターンの位置ずれ
による導体間の接着不良や導体が浮き上がるなどの不具
合を防止し、高歩留の優れたＴＡＢテープおよびそれを
用いた半導体装置を工業的に提供できる。
いることによって、ＴＡＢテープの加工工程において、
銅箔、接着剤層とベースフィルムの接着剤層の硬化収縮
に起因する各層の応力の関係から、パターンの位置ずれ
による導体間の接着不良や導体が浮き上がるなどの不具
合を防止し、高歩留の優れたＴＡＢテープおよびそれを
用いた半導体装置を工業的に提供できる。
【図１】ＴＡＢ用接着剤テープにパターン加工された状
態を示すＴＡＢ用接着剤テープ一態様の斜視図。
態を示すＴＡＢ用接着剤テープ一態様の斜視図。
【図２】ＴＡＢ用接着剤テープを銅箔を貼り合わせず接
着剤層を硬化させた際のテープの反りおよび反り量を測
定する部分を示すＴＡＢ用接着剤テープの一態様の断面
図。
着剤層を硬化させた際のテープの反りおよび反り量を測
定する部分を示すＴＡＢ用接着剤テープの一態様の断面
図。
【図３】ＴＡＢテープが、ＡＣＦを介してＩＴＯ電極の
形成されたガラス基板と接続されることを示しかつＴＡ
Ｂテープの位置ずれを示すＴＡＢテープの一態様の部分
断面図。
形成されたガラス基板と接続されることを示しかつＴＡ
Ｂテープの位置ずれを示すＴＡＢテープの一態様の部分
断面図。
【図４】本発明のＴＡＢ用接着剤テープを用いた半導体
装置の断面図。
装置の断面図。
１．可撓性絶縁フィルム（ベースフィルム） ２．接着剤 ３．スプロケットホール ４．デバイスホール ５．導体 ６．ガラス基板 ７．ＩＴＯ電極 ８．ＡＣＦ ９．封止樹脂 １０．金バンプ １１．保護膜 １２．ガラス板
Claims (11)
- 【請求項１】少なくとも絶縁フイルムおよび接着剤層を
有するＴＡＢ用接着剤付きテープにおいて、前記接着剤
層の厚みが３〜１０μｍの範囲で、さらに前記接着剤層
と前記絶縁フィルムからなる積層体の２０℃での弾性率
が１，０００〜３０，０００ＭＰａの範囲にあり、かつ
前記積層体の接着剤層硬化後のテープ幅方向の曲率が
５．２×１０-4〜６．５×１０-3の範囲にあることを特
徴とするＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項２】接着剤層単体を硬化させた際の引張り弾性
率が、４５０〜２，０００ＭＰａの範囲にあることを特
徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項３】絶縁フィルムが、２０〜１３３μm の厚み
のポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１
記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項４】絶縁フィルムの接着剤を積層される面が、
放電処理されたことを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ
用接着剤付きテープ。 - 【請求項５】接着剤層が、炭素数３６のジカルボン酸を
必須構成成分とするポリアミド樹脂を含有することを特
徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテープ。 - 【請求項６】接着剤層が、パラターシャリーブチルフェ
ノールを主成分とするレゾール型フェノール樹脂を含有
することを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付
きテープ。 - 【請求項７】接着剤層が、エポキシ樹脂を含有すること
を特徴とする請求項１記載のＴＡＢ用接着剤付きテー
プ。 - 【請求項８】請求項１〜７のいずれか記載のＴＡＢ用接
着剤付きテープを使って得られる、導体回路の配線パタ
ーンピッチが２０〜１５０μm であることを特徴とする
ＴＡＢテープ。 - 【請求項９】請求項１〜７のいずれか記載のＴＡＢ用接
着剤付きテープから得られることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項１０】ＴＡＢ用接着剤付きテープに銅箔が積層
されて得られるＴＡＢテープにおいて、前記銅箔の接着
剤に接する銅箔面の表面平均粗さが０．５〜４μm の範
囲で、かつ表面最大粗さが、９μm 以下であることを特
徴とするＴＡＢテープ。 - 【請求項１１】請求項１０記載のＴＡＢテープから得ら
れることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276036A JPH10125737A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | Ｔａｂ用接着剤付きテープ、ｔａｂテープ及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276036A JPH10125737A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | Ｔａｂ用接着剤付きテープ、ｔａｂテープ及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125737A true JPH10125737A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17563898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8276036A Pending JPH10125737A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | Ｔａｂ用接着剤付きテープ、ｔａｂテープ及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001006769A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 電極の接続方法 |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP8276036A patent/JPH10125737A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001006769A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 電極の接続方法 |
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