JPH09321187A - 混成集積回路の製造方法およびその構造 - Google Patents

混成集積回路の製造方法およびその構造

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JPH09321187A
JPH09321187A JP8131995A JP13199596A JPH09321187A JP H09321187 A JPH09321187 A JP H09321187A JP 8131995 A JP8131995 A JP 8131995A JP 13199596 A JP13199596 A JP 13199596A JP H09321187 A JPH09321187 A JP H09321187A
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Eiji Kobayashi
栄治 小林
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、パワーデバイスから発生する熱
が、放熱板から厚膜基板へ伝導するのを防止した混成集
積回路の製造方法およびその構造を提供する。 【解決手段】 球状の半田材より融点が高く、直径が８
０μｍである、複数の金属球を、上記球状の半田材中に
均等に分布させ、フラックスと混合して形成した半田ペ
ーストを用いることにより、上記金属球を放熱板搭載部
と放熱板の間のスペーサとして用い、両者を８０μｍの
間隔で平行に固定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパワーデバイスを有
する混成集積回路およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パワートランジスタ等のパワーデバイス
７は、動作時の発熱が大きいため、一般にはパワーデバ
イス７の裏面にＣｕ等からなる放熱板５を、半田材６で
取り付けて用いる。従って、パワーデバイスを混成集積
回路用素子として用いる場合は、図４に示すように、混
成集積回路用厚膜基板１上の放熱板搭載部２に、印刷法
を用いて半田ペースト４を塗布し（工程（ａ）
（ｂ））、パワーデバイス１を取り付けた放熱板５を半
田ペースト４上に配置した後（工程（ｃ））、厚膜基板
１を半田ペースト４中の半田の融点以上に昇温すること
により半田を溶かし、放熱板５を厚膜基板１上の放熱板
搭載部２に、半田層４’で取り付け（工程（ｄ））、最
後にパワーデバイス７上の電極８と、厚膜基板１上の配
線電極３を、アルミニウム配線９で接続することによ
り、混成集積回路を作製していた（工程（ｅ））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来構造では、放熱板
５と放熱板搭載部２との間隔は、半田層４’の膜厚で決
まり、一般には５０μｍ以下であり、パワーデバイス７
の動作により発生した熱は、放熱板５を経て厚膜基板１
に伝導することとなっていた。このため、放熱板５と厚
膜基板１の熱に対する線膨張係数の違いにより、パワー
デバイスの動作時の昇温、降温の熱サイクルで半田層
４’に負荷がかかり、クラックが発生し、混成集積回路
の故障原因となっていた。また、放熱板５と放熱板搭載
部２を平行に配置することが困難なため、放熱板５と放
熱板搭載部２の接近箇所で、特に上記クラックが発生し
やすかった。かかる場合、例えば、特開平１−２７８０
５１号公報に記載されているように、放熱板搭載部２
に、予めスペーサを形成することも可能であるが、発明
者が検討した結果、かかる方法では、製造工程が複雑化
するとともに、特に、本発明の混成集積回路で必要とさ
れるような、１００μｍ程度の高さのスペーサを精度良
く形成することは極めて困難であることが分かった。そ
こで、本発明は、パワーデバイスから発生する熱が、放
熱板から厚膜基板へ伝導するのを防止した混成集積回路
の製造方法およびその構造を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、発明者は鋭意研
究の結果、球状の半田材より融点が高く、直径が８０μ
ｍ以上である、複数の金属球を、上記球状の半田材に分
布させ、フラックスと混合して形成した半田ペーストを
用いることにより、上記金属球を放熱板搭載部と放熱板
の間のスペーサとして用い、両者を８０μｍ以上の間隔
で平行に固定し、上記目的を達成できることを見出し、
本発明を完成した。
【０００５】即ち、本発明は、球状の半田材より融点が
高く、直径が８０〜２００μｍである複数の金属球を、
上記球状の半田材中に均等に分布させ、フラックスと混
合して形成した半田ペーストを、厚膜基板上の放熱板搭
載部に塗布する工程と、表面にパワーデバイスを固定し
たパワーデバイスの放熱板を、半田ペースト上に配置す
る工程と、厚膜基板を昇温して半田ペースト中の半田材
を溶融し、放熱板搭載部と放熱板の間に、上記金属球が
スペーサとして挾持されるように、放熱板搭載部上に放
熱板を固定する工程とを含むことを特徴とする混成集積
回路の製造方法である。
【０００６】また、本発明は、パワーデバイスを上面に
固定したパワーデバイスの放熱板を、半田層を介して、
厚膜基板上の放熱板搭載部に積層して固定した混成集積
回路であって、該半田層が、半田材より融点が高く、直
径が８０〜２００μｍで、放熱板搭載部と放熱板に挾持
されスペーサとして機能する、複数の金属球を、分布し
て含むことを特徴とする混成集積回路でもある。
【０００７】また、本発明は、球状の半田材より融点が
高く、直径が８０〜２００μｍである複数の金属球を、
上記球状の半田材、フラックスと混合してなることを特
徴とする半田ペーストでもある。かかる半田ペーストを
用いることにより、厚膜基板上の所望の位置に、容易
に、８０μｍ以上の間隔で、平行に、放熱板を固定する
ことが可能となる。
【０００８】また、本発明は、放熱板表面に、第１の半
田材を含む第１の半田ペーストを塗布し、該第１の半田
ペースト上にパワーデバイスを配置するとともに、放熱
板裏面にも第１の半田ペーストを塗布する工程と、放熱
板を昇温し、放熱板表面にパワーデバイスを固定すると
ともに、放熱板裏面に、放熱板搭載部と放熱板間でスペ
ーサとして機能する、膜厚が５０〜２００μｍの第１の
半田層を形成する工程と、厚膜基板上の放熱板搭載部
に、上記第１の半田材より融点の低い第２の半田材を含
む第２の半田ペーストを塗布する工程と、放熱板裏面の
第１の半田層が、放熱板搭載部に塗布した第２の半田ペ
ーストに接するように、放熱板を配置する工程と、第２
の半田材は溶融するが、第１の半田材は溶融しない温度
に厚膜基板を昇温し、放熱板搭載部上に放熱板を固定す
る工程とを含むことを特徴とする混成集積回路の製造方
法でもある。かかる方法では、放熱板上にパワーデバイ
スを固定する工程を利用することにより、厚膜基板と放
熱板の間のスペーサの役割を果たす、上記第１の半田層
を形成することが可能となる。
【０００９】また、本発明は、パワーデバイスを上面に
固定したパワーデバイスの放熱板を、半田層を介して、
厚膜基板上の放熱板搭載部に、積層して固定した混成集
積回路であって、該半田層が、放熱板搭載部上に形成さ
れた低融点半田層と、該低融点半田層上に積層形成され
た膜厚５０〜２００μｍの高融点半田層よりなることを
特徴とする混成集積回路でもある。
【００１０】更に、本発明は、厚膜基板上に抵抗層、導
体層、ガラス層を形成する印刷工程の内の１または２以
上の選択された工程を利用し、上記各層の形成が不要な
放熱板搭載部上の所定の位置に、上記１または２以上の
選択された層よりなるダミー層を、同時に積層形成する
ことにより、高さが８０〜１５０μｍの複数のスペーサ
を形成する工程と、放熱板搭載部に半田ペーストを塗布
し、表面にパワーデバイスを固定したパワーデバイスの
放熱板を、半田ペースト上に配置する工程と、厚膜基板
を昇温して半田ペースト中の半田材を溶融し、上記スペ
ーサ上端部に放熱板裏面が接するように放熱板を固定す
る工程とを含むことを特徴とする混成集積回路の製造方
法でもある。かかる方法では、厚膜基板上に抵抗層、導
体層、ガラス層を形成する印刷工程を利用してスペーサ
の形成を行うため、別途スペーサ形成工程を設けること
なく、スペーサの形成が可能となる。
【００１１】また、本発明は、パワーデバイスを上面に
固定したパワーデバイスの放熱板を、半田層を介して、
厚膜基板上の放熱板搭載部に、積層して固定した混成集
積回路であって、厚膜基板上の放熱板搭載部と、パワー
デバイスの放熱板との間に、抵抗層、導体層、ガラス層
の内の１または２以上の選択された層より積層形成さ
れ、高さが８０〜１５０μｍのスペーサが挟持されるよ
うに、放熱板搭載部上に、放熱板が、半田層により固定
されていることを特徴とする混成集積回路でもある。
【００１２】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．図１に本発明の第１の実施の形態を示
す。図１の混成集積回路の作製工程では、工程（ａ）
（ｂ）に示すように、厚膜基板１の表面上に設けられた
放熱板搭載部２上に、直径が８０μｍで、球状の半田材
より融点の高い、複数の金属球１０（上記球状の半田材
より融点の高い半田球でも可）を均等に分布させ、フラ
ックスと混合させて形成した半田ペースト４を、例え
ば、メタルマスクを用いた印刷法を用いて塗布し、続い
て、工程（ｃ）に示すように、表面上にパワーデバイス
７を半田材６で固定した放熱板５を配置する。ここで、
上記金属球を混合する前の半田ペースト４には、例え
ば、半田材９０％とフラックス１０％の混合物が用いら
れる。続いて、工程（ｄ）に示すように、上記放熱板５
を配置した厚膜基板１を、例えば２００℃程度に昇温
（リフロー）し、半田ペースト４中の半田材を溶融し、
放熱板５を厚膜基板１上の放熱板搭載部２に固定する。
かかるリフロー工程では、半田ペースト中の半田材のみ
が溶融し、金属球１０は変形しないため、該金属球１０
は、放熱板搭載部２と放熱板５の間に挾持され、放熱板
搭載部２と放熱板５の間のスペーサの役目を果たし、ま
た、上記半田ペースト４には複数の金属球１０が均等に
分布して含有されているため、放熱板搭載部２と放熱板
５とを平行に保つ役目も果たすため、最終的に作製され
た混成集積回路では、厚膜基板１上の放熱板搭載部２と
放熱板５は、平行で、かつ間隔が金属球１０の直径であ
る８０μｍになるように固定される。最後に、工程
（ｅ）に示すように、パワーデバイス７の電極８と、厚
膜基板１上の配線電極３をアルミニウム配線９で接続す
ることにより、混成集積回路が完成する。
【００１３】このように、直径が８０μｍで、球状の半
田材より融点の高い複数の金属球１０を、均等に分布し
て含有する半田ペースト４を用いて、厚膜基板１上の放
熱板搭載部２と放熱板５を、８０μｍの間隔で、高精度
で、平行に配置することにより、放熱板５から厚膜基板
１への熱伝導を抑制することが可能となり、熱サイクル
による負荷を低減することにより、半田層４’の破損に
よる混成集積回路の故障を防止することができる。特
に、本発明の方法では、半田ペースト４を塗布してリフ
ローするだけで、上記構造が容易に得られるため、設計
変更等により、放熱板５の配置箇所が変更になった場合
でも、容易に対応することができる。更に、直径の異な
った金属球１０を使用することにより、パワーデバイス
７の発熱量に応じて、厚膜基板１と放熱板５の間隔を調
整することも可能となる。
【００１４】実施の形態２．図２に、本発明の第２の実
施の形態を示す。図２の混成集積回路の作製工程では、
まず、放熱板５上に高融点半田材を含む半田ペーストを
塗布し、その上にパワーデバイス７を配置すると同時
に、放熱板５の裏面にも上記半田ペーストを塗布し、続
いて、リフロー工程を行ない、放熱板５を３００℃程度
に加熱し、上記高融点半田材を溶融することにより、半
田層６により、パワーデバイス７を放熱板５上に固定す
るとともに、放熱板５の裏面に半田層６’を形成する。
ここで該半田層６’は、５０μｍの膜厚となるように形
成する（図示せず）。次に、工程（ａ）（ｂ）に示すよ
うに、厚膜基板１の放熱板搭載部２上に、低融点半田材
を含む半田ペースト４を塗布し、続いて、工程（ｃ）に
示すように、その上に、上記放熱板５の裏面に形成した
半田層６’が接するように、放熱板５を配置する。次
に、工程（ｄ）に示すように、リフロー工程で、高融点
半田材からなる半田層６、６’が溶融せず、低融点半田
材を含む半田ペースト４のみが溶融する温度である２０
０℃程度に加熱し、放熱板５を厚膜基板１上の放熱板搭
載部２に固定する。かかるリフロー工程では、半田層
６’の膜厚５０μｍが維持されるため、最終的に形成さ
れた半田層６’および４’の膜厚、即ち、放熱板５と放
熱板搭載部２の間隔は、約８０μｍ程度となる。最後
に、工程（ｅ）に示すように、実施の形態１と同様に、
パワーデバイス７の電極８と、厚膜基板１の配線電極３
をアルミニウム配線９で接続することにより、混成集積
回路が完成する。
【００１５】上記構造を用いることにより、製造工程を
増やすことなく、厚膜基板１上の放熱板搭載部２と放熱
板５との間隔を、約８０μｍでほぼ平行に固定すること
ができ、これにより、放熱板５から厚膜基板１への熱伝
導を抑制することが可能となり、熱サイクルによる負荷
を低減することにより、半田層４’、６’の破損による
混成集積回路の故障を防止することができる。
【００１６】実施の形態３．図３に本発明の第３の実施
の形態を示す。本実施の形態は、厚膜基板１上の放熱板
搭載部２に、抵抗層、導体層、ガラス層からなるスペー
サを設け、放熱板搭載部２と放熱板５の間隔を、８０μ
ｍに維持するものである。即ち、混成集積回路の作製工
程では、厚膜基板１上に、抵抗部分を形成する一定の抵
抗率を有するＲｕＯ2等の抵抗層、回路配線を形成する
ＡｇＰｄ等の導体層、表面被覆層を形成するＳｉＯ2等
のガラス層の形成が必要であり、これらの各層の形成
は、一般には、メタルマスクを用いた印刷法で、上記金
属等を厚膜基板１の表面に選択的に付着して行う。ここ
で、上記抵抗層等は、膜厚が１０〜２０μｍ程度であ
り、特に、抵抗層は、異なった抵抗体を形成するために
３種類以上形成される。従って、工程（ａ）〜（ｃ）に
示すように、例えば、抵抗層１１、導体層１２、ガラス
層１３を、本来、抵抗層等の形成の不要な厚膜基板１上
の放熱板搭載部２上の、少なくとも３箇所に、上記抵抗
層等の形成工程を利用して、同時に積層形成することに
より、放熱板搭載部２と放熱板５の間の、スペーサ１４
を形成することが可能となる。次に、工程（ｄ）に示す
ように、３箇所以上、スペーサ１４を形成した後、放熱
板搭載部２上に、半田ペースト４を塗布し、工程（ｅ）
（ｆ）に示すように、その上に放熱板５を配置して、リ
フロー工程を行うことにより、スペーサ１４の間隔を隔
てて、放熱板搭載部２上に、放熱板５を平行に固定する
ことが可能となる。尚、スペーサ１４の高さは、積層す
る抵抗層１１等の数により調整することができる。最後
に、工程（ｇ）に示すように、実施の形態１と同様に、
パワーデバイス７の電極８と、厚膜基板１の配線電極３
をアルミニウム配線９で接続することにより、混成集積
回路が完成する。尚、本実施の形態では、スペーサ１４
を、３箇所以上形成するとしたが、連続的に線状に形成
しても構わない。
【００１７】上記構造を用いることにより、厚膜基板１
上の放熱板搭載部２と放熱板５との間隔を、８０μｍで
ほぼ平行に固定することができ、これにより、放熱板５
から厚膜基板１への熱伝導を抑制することが可能とな
り、熱サイクルによる負荷を低減することにより、半田
層４’の破損による混成集積回路の故障を防止すること
ができる。特に、本実施の形態では、抵抗層、導体層、
ガラス層を形成する印刷工程を利用することにより、厚
膜基板１上の放熱板搭載部２にスペーサ１４を形成する
ため、別途スペーサ形成工程を設けることは不要であ
る。また、積層する抵抗層１１等の数を選択することに
より、スペーサ１４の高さの調整も可能となる。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
かかる混成集積回路では、厚膜基板上の放熱板搭載部と
放熱板との間隔を、高精度で、８０〜２００μｍに、ほ
ぼ平行に固定することができ、これにより、放熱板から
厚膜基板への熱伝導を抑制することが可能となり、熱サ
イクルによる負荷を低減することにより、放熱板と放熱
板搭載部の間の半田層の破損による混成集積回路の故障
を防止することができる。特に、球状の半田材より融点
の高い複数の金属球を、均等に分布して含む半田ペース
トを用いることにより、厚膜基板上の所望の場所に、所
望の間隔で、放熱板を容易に固定することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態にかかる混成集積
回路の製造工程図である。
【図２】 本発明の第２の実施の形態にかかる混成集積
回路の製造工程図である。
【図３】 本発明の第３の実施の形態にかかる混成集積
回路の製造工程図である。
【図４】 従来の混成集積回路の製造工程図である。
【符号の説明】
１ 厚膜基板、２ 放熱板搭載部、３ 配線電極、４
半田ペースト、４’半田層、５ 放熱板、６、６’ 半
田層、７ パワーデバイス、８ パワーデバイス電極
部、９ アルミニウム配線、１０ 金属球、１１ 抵抗
層、１２ 導体層、１３ ガラス層、１４ スペーサ。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 球状の半田材より融点が高く、直径が８
    ０〜２００μｍである複数の金属球を、上記球状の半田
    材中に均等に分布させ、フラックスと混合して形成した
    半田ペーストを、厚膜基板上の放熱板搭載部に塗布する
    工程と、 表面にパワーデバイスを固定したパワーデバイスの放熱
    板を、半田ペースト上に配置する工程と、 厚膜基板を昇温して半田ペースト中の半田材を溶融し、
    放熱板搭載部と放熱板の間に、上記金属球がスペーサと
    して挾持されるように、放熱板搭載部上に放熱板を固定
    する工程とを含むことを特徴とする混成集積回路の製造
    方法。
  2. 【請求項２】 パワーデバイスを上面に固定したパワー
    デバイスの放熱板を、半田層を介して、厚膜基板上の放
    熱板搭載部に積層して固定した混成集積回路であって、 該半田層が、半田材より融点が高く、直径が８０〜２０
    ０μｍで、放熱板搭載部と放熱板に挾持されスペーサと
    して機能する、複数の金属球を、分布して含むことを特
    徴とする混成集積回路。
  3. 【請求項３】 球状の半田材より融点が高く、直径が８
    ０〜２００μｍである複数の金属球を、上記球状の半田
    材、フラックスと混合してなることを特徴とする半田ペ
    ースト。
  4. 【請求項４】 放熱板表面に、第１の半田材を含む第１
    の半田ペーストを塗布し、該第１の半田ペースト上にパ
    ワーデバイスを配置するとともに、放熱板裏面にも第１
    の半田ペーストを塗布する工程と、 放熱板を昇温し、放熱板表面にパワーデバイスを固定す
    るとともに、放熱板裏面に、放熱板搭載部と放熱板間で
    スペーサとして機能する、膜厚が５０〜２００μｍの第
    １の半田層を形成する工程と、 厚膜基板上の放熱板搭載部に、上記第１の半田材より融
    点の低い第２の半田材を含む第２の半田ペーストを塗布
    する工程と、 放熱板裏面の第１の半田層が、放熱板搭載部に塗布した
    第２の半田ペーストに接するように、放熱板を配置する
    工程と、 第２の半田材は溶融するが、第１の半田材は溶融しない
    温度に厚膜基板を昇温し、放熱板搭載部上に放熱板を固
    定する工程とを含むことを特徴とする混成集積回路の製
    造方法。
  5. 【請求項５】 パワーデバイスを上面に固定したパワー
    デバイスの放熱板を、半田層を介して、厚膜基板上の放
    熱板搭載部に、積層して固定した混成集積回路であっ
    て、 該半田層が、放熱板搭載部上に形成された低融点半田層
    と、該低融点半田層上に積層形成された膜厚５０〜２０
    ０μｍの高融点半田層よりなることを特徴とする混成集
    積回路。
  6. 【請求項６】 厚膜基板上に抵抗層、導体層、ガラス層
    を形成する印刷工程の内の１または２以上の選択された
    工程を利用し、上記各層の形成が不要な放熱板搭載部上
    の所定の位置に、上記１または２以上の選択された層よ
    りなるダミー層を、同時に積層形成することにより、高
    さが８０〜１５０μｍの複数のスペーサを形成する工程
    と、 放熱板搭載部に半田ペーストを塗布し、表面にパワーデ
    バイスを固定したパワーデバイスの放熱板を、半田ペー
    スト上に配置する工程と、 厚膜基板を昇温して半田ペースト中の半田材を溶融し、
    上記スペーサ上端部に放熱板裏面が接するように放熱板
    を固定する工程とを含むことを特徴とする混成集積回路
    の製造方法。
  7. 【請求項７】 パワーデバイスを上面に固定したパワー
    デバイスの放熱板を、半田層を介して、厚膜基板上の放
    熱板搭載部に、積層して固定した混成集積回路であっ
    て、 厚膜基板上の放熱板搭載部と、パワーデバイスの放熱板
    との間に、抵抗層、導体層、ガラス層の内の１または２
    以上の選択された層より積層形成され、高さが８０〜１
    ５０μｍのスペーサが挟持されるように、放熱板搭載部
    上に、放熱板が、半田層により固定されていることを特
    徴とする混成集積回路。
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