JPH09323300A - 基板分割方法 - Google Patents
基板分割方法Info
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- JPH09323300A JPH09323300A JP14554896A JP14554896A JPH09323300A JP H09323300 A JPH09323300 A JP H09323300A JP 14554896 A JP14554896 A JP 14554896A JP 14554896 A JP14554896 A JP 14554896A JP H09323300 A JPH09323300 A JP H09323300A
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Landscapes
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はガラス基板、セラミック基板、シリ
コンウエハ、化合物半導体ウエハ等の脆性基板の分割方
法に関し、殊に複数の素子が配置された半導体ウエハや
光学素子基板を個別の素子単位に分割する基板分割方法
において、回転ブレードの刃幅による切り代の制約を受
けることなく、小さな切り代でダイシングを行え、また
非直線的なダイシングも行うことができ、さらに簡易に
かつ被分割基板に対するダメージが少なくて済む基板分
割方法を提供することである。 【解決手段】本発明にかかる基板分割方法は、基板表面
に溝を形成し、所定波長の光を吸収する光学特性を有し
た光吸収材を前記溝の底部に入れ、ついで前記レーザ光
を照射して前記溝の底部の前記光吸収材に吸収させ、そ
のときの前記光吸収材およびその底部近傍の体積熱膨張
によって前記基板を前記溝にそって分割することを特徴
とし、光透過性のある脆性基板に対し、予め表面に例え
ばレーザ光や赤外光を吸収させる媒体を塗布しておき、
その媒体に該光を吸収させることによって割断するよう
にしたものである。
コンウエハ、化合物半導体ウエハ等の脆性基板の分割方
法に関し、殊に複数の素子が配置された半導体ウエハや
光学素子基板を個別の素子単位に分割する基板分割方法
において、回転ブレードの刃幅による切り代の制約を受
けることなく、小さな切り代でダイシングを行え、また
非直線的なダイシングも行うことができ、さらに簡易に
かつ被分割基板に対するダメージが少なくて済む基板分
割方法を提供することである。 【解決手段】本発明にかかる基板分割方法は、基板表面
に溝を形成し、所定波長の光を吸収する光学特性を有し
た光吸収材を前記溝の底部に入れ、ついで前記レーザ光
を照射して前記溝の底部の前記光吸収材に吸収させ、そ
のときの前記光吸収材およびその底部近傍の体積熱膨張
によって前記基板を前記溝にそって分割することを特徴
とし、光透過性のある脆性基板に対し、予め表面に例え
ばレーザ光や赤外光を吸収させる媒体を塗布しておき、
その媒体に該光を吸収させることによって割断するよう
にしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス基板、セラミ
ック基板、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ等の脆
性基板の分割方法に関し、殊に複数の素子が配置された
半導体ウエハや光学素子基板を個別の素子単位に分割す
る基板分割方法に関する。
ック基板、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ等の脆
性基板の分割方法に関し、殊に複数の素子が配置された
半導体ウエハや光学素子基板を個別の素子単位に分割す
る基板分割方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば半導体ウエハをチップ
やペレット等の素子単位に分離、分割する方法として、
回転ブレードを用いたダイサーによってダイシング溝を
形成し、その溝に沿ってクラッキングする方法が一般的
である（特開昭５１ー２８７５４号公報、特開昭５６ー
１３５００７号公報等参照）。
やペレット等の素子単位に分離、分割する方法として、
回転ブレードを用いたダイサーによってダイシング溝を
形成し、その溝に沿ってクラッキングする方法が一般的
である（特開昭５１ー２８７５４号公報、特開昭５６ー
１３５００７号公報等参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、ダイサーにはダイヤモンド砥石製ブレードが使用さ
れているが、ダイシング溝の幅がブレード幅で規制され
るため、５０μｍ以上の切り代を必要として、ウエハ全
体に占めるダイシング領域の面積が大きくなりウエハ１
枚あたりのチップ取れ数の向上を妨げていた。逆に幅狭
のブレードを用いると横方向にマイクロクラックが生じ
易くなるという問題があった。
に、ダイサーにはダイヤモンド砥石製ブレードが使用さ
れているが、ダイシング溝の幅がブレード幅で規制され
るため、５０μｍ以上の切り代を必要として、ウエハ全
体に占めるダイシング領域の面積が大きくなりウエハ１
枚あたりのチップ取れ数の向上を妨げていた。逆に幅狭
のブレードを用いると横方向にマイクロクラックが生じ
易くなるという問題があった。
【０００４】また、レーザダイオードの製造において
は、図５に示すように、基板ウエハ５０に各レーザダイ
オード素子５１を形成し、その各素子の活性層５３をエ
ッチングによって露出させ反射面を形成した後、そのエ
ッチング溝底面の所定箇所５５をダイヤモンドブレード
５４によりカットして所定方向５６にそって素子毎に分
割していた。この場合、ブレード５４の刃幅が該エッチ
ング溝程度あるため、素子角部に当たるのを避けて反射
面から距離Ｔだけ離れた溝底面の中央をカットしている
が、該反射面から射出されるレーザ光Ｌが距離Ｔの突出
部分に反射して干渉を起こしてしまうという問題を生じ
ていた。勿論、一点鎖線で示すように、素子端面の近傍
までカット位置を近づけるのは素子端面を削ることにな
り事実上無理であった。さらに、分割時に破片が飛び散
って素子の反射面を傷付けたり、端面に破片が付着した
りして所定の反射率を得ることができなかった。殊に、
最近青色レーザダイオード製造に使用されようとしてい
るサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板は大きいモース硬度９
（参考：ダイヤモンドは硬度１０）をもつため、機械的
切断力により分離するとクラックが発生しやすく上記ダ
イサーによるダイシングを行うことは極めて困難であっ
た。
は、図５に示すように、基板ウエハ５０に各レーザダイ
オード素子５１を形成し、その各素子の活性層５３をエ
ッチングによって露出させ反射面を形成した後、そのエ
ッチング溝底面の所定箇所５５をダイヤモンドブレード
５４によりカットして所定方向５６にそって素子毎に分
割していた。この場合、ブレード５４の刃幅が該エッチ
ング溝程度あるため、素子角部に当たるのを避けて反射
面から距離Ｔだけ離れた溝底面の中央をカットしている
が、該反射面から射出されるレーザ光Ｌが距離Ｔの突出
部分に反射して干渉を起こしてしまうという問題を生じ
ていた。勿論、一点鎖線で示すように、素子端面の近傍
までカット位置を近づけるのは素子端面を削ることにな
り事実上無理であった。さらに、分割時に破片が飛び散
って素子の反射面を傷付けたり、端面に破片が付着した
りして所定の反射率を得ることができなかった。殊に、
最近青色レーザダイオード製造に使用されようとしてい
るサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板は大きいモース硬度９
（参考：ダイヤモンドは硬度１０）をもつため、機械的
切断力により分離するとクラックが発生しやすく上記ダ
イサーによるダイシングを行うことは極めて困難であっ
た。
【０００５】しかも、従来の回転ブレードによるダイシ
ングは通常直線的な溝を形成するものであり、矩形の分
割形状に限られるため、直角方向と異なるジグザグなへ
き開方位にそって非直線的にダイシングする場合には適
さなかった。ところで、これらの脆性基板にダイサーの
みによるダイシングを行うと、ウエハクラッキングが発
生する点につき、予め半導体ウエハの表面にペレット分
割のダイシング溝を浅く形成しておき、ついでその溝に
水を注入して低温固化させそのときの体積膨張でウエハ
を分割する方法が提案されている（特開昭５７ー７１３
７号公報等参照）。しかし、この場合低温固化用の複雑
な設備を必要とし、また低温固化処理によってウエハ全
体に冷却ダメージを与える恐れがあった。
ングは通常直線的な溝を形成するものであり、矩形の分
割形状に限られるため、直角方向と異なるジグザグなへ
き開方位にそって非直線的にダイシングする場合には適
さなかった。ところで、これらの脆性基板にダイサーの
みによるダイシングを行うと、ウエハクラッキングが発
生する点につき、予め半導体ウエハの表面にペレット分
割のダイシング溝を浅く形成しておき、ついでその溝に
水を注入して低温固化させそのときの体積膨張でウエハ
を分割する方法が提案されている（特開昭５７ー７１３
７号公報等参照）。しかし、この場合低温固化用の複雑
な設備を必要とし、また低温固化処理によってウエハ全
体に冷却ダメージを与える恐れがあった。
【０００６】本発明にかかる課題は、上記従来の問題点
に鑑み、切り代のダイシング領域をできるだけ小さく、
かつ非直線的なダイシングを行うことができ、さらに簡
易にかつ被分割基板に対するダメージが少なくて済む基
板分割方法を提供することである。
に鑑み、切り代のダイシング領域をできるだけ小さく、
かつ非直線的なダイシングを行うことができ、さらに簡
易にかつ被分割基板に対するダメージが少なくて済む基
板分割方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本出願にかかる発明者
は、ガラスは透明体でありレーザのみでは割断できない
が、ガラス表面にレーザ光を吸収させる媒体を塗布して
おき、その媒体にレーザ光を吸収させることによってガ
ラスを割断できる点に着目したものである（工作機械技
術研究会・編 監修・安井武司 「工作機械シリーズ
レーザ加工」Ｐ１２７〜１３４、「ＹＡＧレーザによる
ガラス切断加工」（黒部利次著） 大北出版 平成２年
９月１０日発行 参照）。
は、ガラスは透明体でありレーザのみでは割断できない
が、ガラス表面にレーザ光を吸収させる媒体を塗布して
おき、その媒体にレーザ光を吸収させることによってガ
ラスを割断できる点に着目したものである（工作機械技
術研究会・編 監修・安井武司 「工作機械シリーズ
レーザ加工」Ｐ１２７〜１３４、「ＹＡＧレーザによる
ガラス切断加工」（黒部利次著） 大北出版 平成２年
９月１０日発行 参照）。
【０００８】そこで、上記課題を解決するために、請求
項１にかかる発明の基板分割方法は、基板に溝を形成
し、所定波長の光を吸収する光学特性を有した光吸収材
を前記溝の底部に入れ、ついで前記光を照射して前記溝
の底部の前記光吸収材に吸収させ、そのときの前記光吸
収材およびその底部近傍の体積熱膨張によって前記基板
を前記溝にそって分割することを特徴とする。
項１にかかる発明の基板分割方法は、基板に溝を形成
し、所定波長の光を吸収する光学特性を有した光吸収材
を前記溝の底部に入れ、ついで前記光を照射して前記溝
の底部の前記光吸収材に吸収させ、そのときの前記光吸
収材およびその底部近傍の体積熱膨張によって前記基板
を前記溝にそって分割することを特徴とする。
【０００９】また、請求項２の発明にかかる基板分割方
法は、前記溝を形成した後、レジストを塗布して前記溝
の底部に埋設し、ついで加熱処理によって生じた炭化物
を残留させ、前記光吸収材として前記炭化物を用いるこ
とを特徴とする。さらに、請求項３の基板分割方法は、
請求項１または２の発明において、へき開方位が直角と
異なる基板を用い、そのへき開方位にそって前記溝を形
成することによって、平面視長方形と異なる形状に分割
することを特徴とし、これは矩形以外の３角形や６角形
の多角形チップを製造するのに適する。
法は、前記溝を形成した後、レジストを塗布して前記溝
の底部に埋設し、ついで加熱処理によって生じた炭化物
を残留させ、前記光吸収材として前記炭化物を用いるこ
とを特徴とする。さらに、請求項３の基板分割方法は、
請求項１または２の発明において、へき開方位が直角と
異なる基板を用い、そのへき開方位にそって前記溝を形
成することによって、平面視長方形と異なる形状に分割
することを特徴とし、これは矩形以外の３角形や６角形
の多角形チップを製造するのに適する。
【００１０】本発明における上記基板は、例えばシリコ
ン半導体を用いるときはシリコンウエハが、またエピタ
キシャル成長層を備えた基板等が用いられる。また、照
射光としてレーザ光、赤外光等を使用でき、好ましくは
高出力なものがよい。さらに、上記光吸収材は、一般に
印刷インク等に用いられる有機顔料、例えばアゾ顔料、
あるいはフタロシアニン系縮合多環系顔料などを、また
より具体的には市販のマジックインキ（商品名）に使用
される合成染料を用いてもよい。
ン半導体を用いるときはシリコンウエハが、またエピタ
キシャル成長層を備えた基板等が用いられる。また、照
射光としてレーザ光、赤外光等を使用でき、好ましくは
高出力なものがよい。さらに、上記光吸収材は、一般に
印刷インク等に用いられる有機顔料、例えばアゾ顔料、
あるいはフタロシアニン系縮合多環系顔料などを、また
より具体的には市販のマジックインキ（商品名）に使用
される合成染料を用いてもよい。
【００１１】なお、光の照射は基板の裏側から行うのが
好ましいが、表側の素子形成領域に影響を与えないよう
にすれば表面側からでも構わない。また、溝の深さ及び
幅は、脆性基板の割断性質や、光照射時の光吸収材の膨
張性等によって決定される。
好ましいが、表側の素子形成領域に影響を与えないよう
にすれば表面側からでも構わない。また、溝の深さ及び
幅は、脆性基板の割断性質や、光照射時の光吸収材の膨
張性等によって決定される。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、かかる脆性基板に予め
エッチング等で比較的浅い溝を形成しておき、かつ光照
射によって分割することができるので、最小限の切り代
を設けるだけで済み、チップあるいはペレットの基板１
枚あたりの取れ数を格段に向上させることができる。ま
た、光透過性のある脆性基板であれば適用できるので、
基板全体を冷却したり加熱したりせずに、基板に与える
ダメージの少ない、つまり品質に影響しない基板分割を
行える。さらに、従来のようにダイサーでは直線的なダ
イシングのみであるが、本発明では少なくとも溝パター
ン適宜選択して、例えばへき開方位にそった分割を別途
複雑な設備を用いることなく簡単に行うことができる。
殊に、反射面をエッチングで形成するレーザダイオード
チップの製造に適用すれば、本発明にかかる溝を当該エ
ッチング工程を利用して簡単に形成でき、かつへき開用
の溝として分割でき、発生レーザの干渉を起こさない反
射面のフラット化を実現することができる。
エッチング等で比較的浅い溝を形成しておき、かつ光照
射によって分割することができるので、最小限の切り代
を設けるだけで済み、チップあるいはペレットの基板１
枚あたりの取れ数を格段に向上させることができる。ま
た、光透過性のある脆性基板であれば適用できるので、
基板全体を冷却したり加熱したりせずに、基板に与える
ダメージの少ない、つまり品質に影響しない基板分割を
行える。さらに、従来のようにダイサーでは直線的なダ
イシングのみであるが、本発明では少なくとも溝パター
ン適宜選択して、例えばへき開方位にそった分割を別途
複雑な設備を用いることなく簡単に行うことができる。
殊に、反射面をエッチングで形成するレーザダイオード
チップの製造に適用すれば、本発明にかかる溝を当該エ
ッチング工程を利用して簡単に形成でき、かつへき開用
の溝として分割でき、発生レーザの干渉を起こさない反
射面のフラット化を実現することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施した例を図面
によって説明する。図１は本発明をレーザダイオード製
造工程に適用した例を示す。基板１０はレーザダイオー
ド製造用の光透過性ＧaＡs素材からなり、通常のレーザ
素子形成工程（図示せず）に従い基板１０上に活性層１
３等の素子領域を形成した後、各チップ１１毎に分割す
るため本発明の基板分割処理工程を行う。
によって説明する。図１は本発明をレーザダイオード製
造工程に適用した例を示す。基板１０はレーザダイオー
ド製造用の光透過性ＧaＡs素材からなり、通常のレーザ
素子形成工程（図示せず）に従い基板１０上に活性層１
３等の素子領域を形成した後、各チップ１１毎に分割す
るため本発明の基板分割処理工程を行う。
【００１４】まず、所定のチップ分割パターンに対応し
た分割溝１２をドライエッチング技術を用いて、各チッ
プの反射面を露出させる程度の深さに穿設する。また、
溝１２はＧaＡs基板のへき開面方向にそった方向に形成
され、例えば、１００μｍ厚さの基板であれば、深さ４
μｍ、幅２μｍ程度の溝１２を用いる。次に、溝１２に
光吸収材１５を入れる。光吸収材１５は上述したような
顔料を含むインク溶液を用いる。このインク溶液は次の
レーザ照射工程で用いるレーザ光を吸収する色の顔料を
有し、例えば、Ａrレーザを用いるときは波長0.49μｍ
の光を吸収する材質を有し、あるいはＨeーＮeレーザで
あれば波長0.63μｍの光を、ＹＡＧレーザであれば波長
1.06μｍの光をそれぞれ吸収させるようにすればよい
（上記文献「ＹＡＧレーザによるガラス切断加工」はＹ
ＡＧレーザには青色塗布インクが適するとある。）。光
吸収材１５の溝注入あるいは埋設は、基板表面にスピン
コート法により予め塗布し、その後表面の余分の溶液を
拭き取って取り除き、溝１２底部にのみ光吸収材１５を
残存させるようにして行う。
た分割溝１２をドライエッチング技術を用いて、各チッ
プの反射面を露出させる程度の深さに穿設する。また、
溝１２はＧaＡs基板のへき開面方向にそった方向に形成
され、例えば、１００μｍ厚さの基板であれば、深さ４
μｍ、幅２μｍ程度の溝１２を用いる。次に、溝１２に
光吸収材１５を入れる。光吸収材１５は上述したような
顔料を含むインク溶液を用いる。このインク溶液は次の
レーザ照射工程で用いるレーザ光を吸収する色の顔料を
有し、例えば、Ａrレーザを用いるときは波長0.49μｍ
の光を吸収する材質を有し、あるいはＨeーＮeレーザで
あれば波長0.63μｍの光を、ＹＡＧレーザであれば波長
1.06μｍの光をそれぞれ吸収させるようにすればよい
（上記文献「ＹＡＧレーザによるガラス切断加工」はＹ
ＡＧレーザには青色塗布インクが適するとある。）。光
吸収材１５の溝注入あるいは埋設は、基板表面にスピン
コート法により予め塗布し、その後表面の余分の溶液を
拭き取って取り除き、溝１２底部にのみ光吸収材１５を
残存させるようにして行う。
【００１５】このような光吸収材１５の残留状態で、基
板１０の裏面から上記レーザ光を照射する。このとき基
板表面側の素子形成領域への影響をなるべく避けるた
め、光学レンズ系１７によってレーザ光１６のフォーカ
スポイントが溝１２の底部に合うように調整して残留光
吸収材１５にレーザ光１６を集光させる。これによっ
て、光吸収材１５は基板１０を透過したレーザ光１６を
吸収することによって、局部的に急激に熱膨張するとと
もにその周辺の基板１０部位も加熱され膨張するため、
基板１０の裏面方向に向かい、かつ溝の形成方向にそっ
てクラックが成長していき、各チップ１１単位に分割す
ることができる。このようにして、反射面をエッチング
で形成するレーザダイオードチップの製造において、溝
１２の形成を反射面形成のエッチング工程を利用して簡
単に形成することができる。それによって、反射面と実
質的に同一の面方向に分割が可能になるため、ダイヤモ
ンドブレードを使用するときに生じる余分の切り代によ
る突出部をなくすことができる。すなわち、該突出部に
起因する反射光の干渉を生じることのない、フラットな
反射面を備えたレーザダイオードチップを得ることがで
きる。また、溝１２をへき開方向に設定することによっ
てへき開を容易にして、最適なチップサイズで円滑な分
割を行うことができる。
板１０の裏面から上記レーザ光を照射する。このとき基
板表面側の素子形成領域への影響をなるべく避けるた
め、光学レンズ系１７によってレーザ光１６のフォーカ
スポイントが溝１２の底部に合うように調整して残留光
吸収材１５にレーザ光１６を集光させる。これによっ
て、光吸収材１５は基板１０を透過したレーザ光１６を
吸収することによって、局部的に急激に熱膨張するとと
もにその周辺の基板１０部位も加熱され膨張するため、
基板１０の裏面方向に向かい、かつ溝の形成方向にそっ
てクラックが成長していき、各チップ１１単位に分割す
ることができる。このようにして、反射面をエッチング
で形成するレーザダイオードチップの製造において、溝
１２の形成を反射面形成のエッチング工程を利用して簡
単に形成することができる。それによって、反射面と実
質的に同一の面方向に分割が可能になるため、ダイヤモ
ンドブレードを使用するときに生じる余分の切り代によ
る突出部をなくすことができる。すなわち、該突出部に
起因する反射光の干渉を生じることのない、フラットな
反射面を備えたレーザダイオードチップを得ることがで
きる。また、溝１２をへき開方向に設定することによっ
てへき開を容易にして、最適なチップサイズで円滑な分
割を行うことができる。
【００１６】図２は青色レーザダイオード製造用サファ
イア（Ａｌ2Ｏ3）基板の切断例を示す。基板１は光透過
性に優れた単結晶サファイアであり、その表面にレーザ
ダイオードの素子形成領域としてのエピタキシャル層２
が設けられている。このエピタキシャル層２は、Ｇa
Ｎ、ＩnＧaＮ、ＡlＧaＮ、ＧaＮからなる多層構造であ
り、全体の厚みは約４μｍである。基板１の厚さＤはエ
ピタキシャル層２を含み約８０μｍである。
イア（Ａｌ2Ｏ3）基板の切断例を示す。基板１は光透過
性に優れた単結晶サファイアであり、その表面にレーザ
ダイオードの素子形成領域としてのエピタキシャル層２
が設けられている。このエピタキシャル層２は、Ｇa
Ｎ、ＩnＧaＮ、ＡlＧaＮ、ＧaＮからなる多層構造であ
り、全体の厚みは約４μｍである。基板１の厚さＤはエ
ピタキシャル層２を含み約８０μｍである。
【００１７】上記の基板１にレーザダイオードの素子形
成を行った後（素子形成工程は省略）、レーザダイオー
ドチップ個々に分離、分割する分割工程を図１と同様に
して行う。この場合も、所定のチップ分割パターンに対
応した分割溝３をドライエッチング技術を用いて基板１
表面に穿設するが、この例では溝３の幅Ｗを４μｍ、深
さＳを８μｍとする。次に、溝３に光吸収材４を入れ
る。光吸収材４は上記のような顔料を含むインク溶液を
用いる。そして、基板１の裏面から上記のレーザ光５を
照射し、光学レンズ系６によってレーザ光５を残留光吸
収材４に集光させる。これによって、光吸収材４および
その周辺の基板１部位は基板１を透過したレーザ光５を
吸収し、図１に示すように、裏面方向Ａ及び横方向Ｂ、
Ｃに局部的に急激に熱膨張するため、基板１の裏面方向
Ａにそってクラックが成長していき、溝３の形成方向に
そった基板分割を行うことができる。
成を行った後（素子形成工程は省略）、レーザダイオー
ドチップ個々に分離、分割する分割工程を図１と同様に
して行う。この場合も、所定のチップ分割パターンに対
応した分割溝３をドライエッチング技術を用いて基板１
表面に穿設するが、この例では溝３の幅Ｗを４μｍ、深
さＳを８μｍとする。次に、溝３に光吸収材４を入れ
る。光吸収材４は上記のような顔料を含むインク溶液を
用いる。そして、基板１の裏面から上記のレーザ光５を
照射し、光学レンズ系６によってレーザ光５を残留光吸
収材４に集光させる。これによって、光吸収材４および
その周辺の基板１部位は基板１を透過したレーザ光５を
吸収し、図１に示すように、裏面方向Ａ及び横方向Ｂ、
Ｃに局部的に急激に熱膨張するため、基板１の裏面方向
Ａにそってクラックが成長していき、溝３の形成方向に
そった基板分割を行うことができる。
【００１８】上記図１および図２の実施例においては光
吸収材を溝底部に塗布しているが、従前より半導体製造
プロセスに使用されているフォトレジスト材料を用いて
もよい。即ち、溝形成後、スピンコート法によって塗布
し、ついで溝底部にのみ残留するようにアッシング(ash
ing)処理を施し、さらに窒素ガス雰囲気で加熱処理して
その残留レジストを炭化させることによって生じた炭化
物を光吸収材として用いればよい。また、上記の基板分
割方法は、図４の分割溝パターンに示すように、シリコ
ン基板あるいはＧaＡs基板のウエハ主面を｛１００｝面
３０とするものに適用して平面視矩形のチップ製造を行
うことができる。
吸収材を溝底部に塗布しているが、従前より半導体製造
プロセスに使用されているフォトレジスト材料を用いて
もよい。即ち、溝形成後、スピンコート法によって塗布
し、ついで溝底部にのみ残留するようにアッシング(ash
ing)処理を施し、さらに窒素ガス雰囲気で加熱処理して
その残留レジストを炭化させることによって生じた炭化
物を光吸収材として用いればよい。また、上記の基板分
割方法は、図４の分割溝パターンに示すように、シリコ
ン基板あるいはＧaＡs基板のウエハ主面を｛１００｝面
３０とするものに適用して平面視矩形のチップ製造を行
うことができる。
【００１９】さらに、本発明は図３に示すように｛１１
１｝面のウエハ主面の基板にも適用できる。つまり、図
４の場合、へき開方位は＜１１０＞となり直角方向での
矩形分割が適するが、図３の場合にはへき開方位が図４
と比較して６０度の方向に傾斜するため、ハニカム形状
の分割が適する。そのためには、そのへき開方位にそっ
た図３のハニカム状の分割溝パターン２０を予め形成し
ておくことによって、上記図１または図２の実施例の分
割手順に従い平面視６角形のチップ分割を行うことがで
きる。勿論、６角形以外にも３角形の繰り返しパターン
で溝形成を行えば、平面視３角形のチップを製造でき
る。なお、このような碁盤目と異なるハニカム形状の他
に、より複雑な溝パターンであってもエッチング技術を
用いて任意に形成することにより、所望の平面形状のチ
ップ分割も可能になる。
１｝面のウエハ主面の基板にも適用できる。つまり、図
４の場合、へき開方位は＜１１０＞となり直角方向での
矩形分割が適するが、図３の場合にはへき開方位が図４
と比較して６０度の方向に傾斜するため、ハニカム形状
の分割が適する。そのためには、そのへき開方位にそっ
た図３のハニカム状の分割溝パターン２０を予め形成し
ておくことによって、上記図１または図２の実施例の分
割手順に従い平面視６角形のチップ分割を行うことがで
きる。勿論、６角形以外にも３角形の繰り返しパターン
で溝形成を行えば、平面視３角形のチップを製造でき
る。なお、このような碁盤目と異なるハニカム形状の他
に、より複雑な溝パターンであってもエッチング技術を
用いて任意に形成することにより、所望の平面形状のチ
ップ分割も可能になる。
【図１】図１は本発明の実施例であるレーザダイオード
用基板の分割方法を示す模式断面図である。
用基板の分割方法を示す模式断面図である。
【図２】図２は本発明の実施例であるサファイア基板の
分割方法を示す模式断面図であ
分割方法を示す模式断面図であ
【図３】図３は本発明のハニカム分割例を示すウエハ平
面図である。
面図である。
【図４】図４は本発明の矩形分割例を示すウエハ平面図
である。
である。
【図５】図５は従来のレーザダイオード基板の分割例を
示すウエハ断面図である。
示すウエハ断面図である。
１ 基板 ２ エピタキシャル層 ３ 溝 ４ 光吸収材 ５ レーザ光 １２ 溝 １５ 光吸収材 １６ レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｑ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板に溝を形成し、所定波長の光を吸収
する光学特性を有した光吸収材を前記溝の底部に入れ、
ついで前記光を照射して前記溝の底部の前記光吸収材に
吸収させ、そのときの前記光吸収材およびその底部近傍
の体積熱膨張によって前記基板を前記溝にそって分割す
ることを特徴とする基板分割方法。 - 【請求項２】 前記溝を形成した後、レジストを塗布し
て前記溝の底部に埋設し、ついで加熱処理によって生じ
た炭化物を残留させ、前記光吸収材として前記炭化物を
用いることを特徴とする請求項１記載の基板分割方法。 - 【請求項３】 へき開方位が直角と異なる基板を用い、
そのへき開方位にそって前記溝を形成することによっ
て、平面視長方形と異なる形状に分割することを特徴と
する請求項１または２記載の基板分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14554896A JP3816147B2 (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 基板分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14554896A JP3816147B2 (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 基板分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09323300A true JPH09323300A (ja) | 1997-12-16 |
| JP3816147B2 JP3816147B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=15387733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14554896A Expired - Fee Related JP3816147B2 (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 基板分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3816147B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001827A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Disco Corporation | 半導体ウエーハの分割方法および分割装置 |
| JP2005252178A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| JP2006082232A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fujitsu Ltd | レーザ加工方法 |
| JP2008062547A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Hiroshima Univ | レーザ照射による脆性材板割断の方法および装置。 |
| JP2009130128A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Denso Corp | ウエハの分割方法 |
| JP2010021174A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Denso Corp | 基板の製造方法 |
| JP2012142484A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭化珪素半導体デバイスの作製方法 |
| JP2014007288A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工方法および加工装置 |
| WO2014050322A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | ローム株式会社 | チップ部品およびその製造方法 |
| CN105150397A (zh) * | 2015-10-27 | 2015-12-16 | 天津英利新能源有限公司 | 一种减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺 |
| JP2016058741A (ja) * | 2015-10-28 | 2016-04-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
| JP2016058474A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
-
1996
- 1996-06-07 JP JP14554896A patent/JP3816147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7294558B2 (en) | 2004-03-08 | 2007-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for cleaving a wafer through expansion resulting from vaporization or freezing of liquid |
| JP2006082232A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fujitsu Ltd | レーザ加工方法 |
| JP2008062547A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Hiroshima Univ | レーザ照射による脆性材板割断の方法および装置。 |
| JP2009130128A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Denso Corp | ウエハの分割方法 |
| JP2010021174A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Denso Corp | 基板の製造方法 |
| JP2012142484A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭化珪素半導体デバイスの作製方法 |
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| WO2014050322A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | ローム株式会社 | チップ部品およびその製造方法 |
| JP2014072242A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Rohm Co Ltd | チップ部品およびその製造方法 |
| US9583238B2 (en) | 2012-09-27 | 2017-02-28 | Rohm Co., Ltd. | Chip component and production method therefor |
| US10312002B2 (en) | 2012-09-27 | 2019-06-04 | Rohm Co., Ltd. | Chip component and production method therefor |
| JP2016058474A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
| CN105150397A (zh) * | 2015-10-27 | 2015-12-16 | 天津英利新能源有限公司 | 一种减少硅块切割崩边的玻璃及粘接工艺 |
| JP2016058741A (ja) * | 2015-10-28 | 2016-04-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
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| JP3816147B2 (ja) | 2006-08-30 |
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