JPH0645690A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH0645690A JPH0645690A JP19801092A JP19801092A JPH0645690A JP H0645690 A JPH0645690 A JP H0645690A JP 19801092 A JP19801092 A JP 19801092A JP 19801092 A JP19801092 A JP 19801092A JP H0645690 A JPH0645690 A JP H0645690A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ素子の電極面に透明膜が形成されるの
を確実に防止することができる半導体レーザの製造方法
を提供する。 【構成】 半導体ウェーハ（８）の表面及び裏面に形成
された電極面にレジスト膜やポリイミド樹脂膜等の保護
膜を形成した後、半導体ウェーハ（８）を複数のレーザ
素子にへき開し、このレーザ素子を整列治具で整列保持
した状態で、レーザ素子（１）のへき開面（３）
（３’）にスパッタにより透明膜（５）を形成する。し
かる後、レーザ素子の電極面（６）（７）上の保護膜
を、有機溶剤やプラズマアッシングにより除去すると、
へき開面に対する透明膜の形成時に保護膜上に形成され
た透明膜（５）は、保護膜と一緒に除去される。
を確実に防止することができる半導体レーザの製造方法
を提供する。 【構成】 半導体ウェーハ（８）の表面及び裏面に形成
された電極面にレジスト膜やポリイミド樹脂膜等の保護
膜を形成した後、半導体ウェーハ（８）を複数のレーザ
素子にへき開し、このレーザ素子を整列治具で整列保持
した状態で、レーザ素子（１）のへき開面（３）
（３’）にスパッタにより透明膜（５）を形成する。し
かる後、レーザ素子の電極面（６）（７）上の保護膜
を、有機溶剤やプラズマアッシングにより除去すると、
へき開面に対する透明膜の形成時に保護膜上に形成され
た透明膜（５）は、保護膜と一緒に除去される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光集積回路や光ＩＣメ
モリ等に使用される半導体レーザの製造方法に関するも
のである。
モリ等に使用される半導体レーザの製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、レーザ素子（１）は、図５に示
すように、その表裏面に形成した電極（図示せず）によ
り、レーザ素子内部の活性層に所定の電流を注入するこ
とによって、その活性層で生成されたレーザ光（２）を
両側のへき開面（３）（３’）から側方に導出させるよ
うにしている。上記レーザ素子（１）のへき開面（３）
（３’）には、ＳｉＯ2やＳｉＮ等からなる絶縁性の透
明膜（５）（５’）が形成されており、この透明膜
（５）（５’）により、へき開面（３）（３’）を保護
すると共に、レーザ光（２）の導出時、レーザ光（２）
がへき開面（３）（３’）で反射して、発光効率が悪く
なるのを防止している。
すように、その表裏面に形成した電極（図示せず）によ
り、レーザ素子内部の活性層に所定の電流を注入するこ
とによって、その活性層で生成されたレーザ光（２）を
両側のへき開面（３）（３’）から側方に導出させるよ
うにしている。上記レーザ素子（１）のへき開面（３）
（３’）には、ＳｉＯ2やＳｉＮ等からなる絶縁性の透
明膜（５）（５’）が形成されており、この透明膜
（５）（５’）により、へき開面（３）（３’）を保護
すると共に、レーザ光（２）の導出時、レーザ光（２）
がへき開面（３）（３’）で反射して、発光効率が悪く
なるのを防止している。
【０００３】ところで、上記レーザ素子（１）のへき開
面（３）（３’）に形成される透明膜（５）（５’）
は、図６乃至図８に示す手順で形成される。先ず、表裏
に電極面（６）（７）が形成されているＩｎＰやＧａＡ
ｓ等からなる矩形状の半導体ウェーハ（８）を、結晶方
向にそって棒状にへき開して、複数のレーザ素子（１）
を分割形成する。このへき開したレーザ素子（１）を、
両側対称位置に配設して適宜の圧縮スプリングにより、
常時内側方に付勢したシリコン製の整列治具（９）
（９）間に、へき開面（３）（３’）を上下に位置させ
て挾圧保持する。このとき上記レーザ素子（１）の一方
のへき開面（３）（３’）は整列治具（９）（９）の上
面より僅かに上方へ突出する。しかる後、上記レーザ素
子（１）の一方のへき開面（３）に、上方からスパッタ
あるいは蒸着等により透明膜（５）を形成する。一方の
へき開面（３）に対する透明膜（５）の形成が終わる
と、レーザ素子（１）を上下に反転させ、他方のへき開
面（３’）にスパッタ等により透明膜（５’）を形成す
る。
面（３）（３’）に形成される透明膜（５）（５’）
は、図６乃至図８に示す手順で形成される。先ず、表裏
に電極面（６）（７）が形成されているＩｎＰやＧａＡ
ｓ等からなる矩形状の半導体ウェーハ（８）を、結晶方
向にそって棒状にへき開して、複数のレーザ素子（１）
を分割形成する。このへき開したレーザ素子（１）を、
両側対称位置に配設して適宜の圧縮スプリングにより、
常時内側方に付勢したシリコン製の整列治具（９）
（９）間に、へき開面（３）（３’）を上下に位置させ
て挾圧保持する。このとき上記レーザ素子（１）の一方
のへき開面（３）（３’）は整列治具（９）（９）の上
面より僅かに上方へ突出する。しかる後、上記レーザ素
子（１）の一方のへき開面（３）に、上方からスパッタ
あるいは蒸着等により透明膜（５）を形成する。一方の
へき開面（３）に対する透明膜（５）の形成が終わる
と、レーザ素子（１）を上下に反転させ、他方のへき開
面（３’）にスパッタ等により透明膜（５’）を形成す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記整列治具（９）
（９）はシリコン製であるため、反りや欠けが発生しや
すい。このため整列治具（９）（９）でレーザ素子
（１）を挾持すると、整列治具（９）（９）の反りや欠
け等により、あるいはレ−ザ素子（１）自体の反り等に
より、図９に示すように、整列治具（９）（９）とレー
ザ素子（１）との間に隙間（１１）が発生し、この隙間
（１１）を介して、レーザ素子（１）の電極面（６）
（７）に絶縁性の透明膜（５）（５’）が形成され、そ
の結果、レーザ素子（１）が、導通不良になるという問
題があった。
（９）はシリコン製であるため、反りや欠けが発生しや
すい。このため整列治具（９）（９）でレーザ素子
（１）を挾持すると、整列治具（９）（９）の反りや欠
け等により、あるいはレ−ザ素子（１）自体の反り等に
より、図９に示すように、整列治具（９）（９）とレー
ザ素子（１）との間に隙間（１１）が発生し、この隙間
（１１）を介して、レーザ素子（１）の電極面（６）
（７）に絶縁性の透明膜（５）（５’）が形成され、そ
の結果、レーザ素子（１）が、導通不良になるという問
題があった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑み提案されたも
ので、レーザ素子の電極面に透明膜が形成されるのを確
実に防止することのできる半導体レーザの製造方法を提
供することを目的としている。
ので、レーザ素子の電極面に透明膜が形成されるのを確
実に防止することのできる半導体レーザの製造方法を提
供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明方法は、半導体ウェーハの
表裏に形成された電極面に保護膜を形成した後、半導体
ウェーハを複数のレーザ素子にへき開し、このレーザ素
子を整列治具で整列保持した状態で、レーザ素子のへき
開面にスパッタ等により透明膜を形成し、しかる後、上
記電極面上の保護膜を除去することを特徴とする。
の技術的手段として、本発明方法は、半導体ウェーハの
表裏に形成された電極面に保護膜を形成した後、半導体
ウェーハを複数のレーザ素子にへき開し、このレーザ素
子を整列治具で整列保持した状態で、レーザ素子のへき
開面にスパッタ等により透明膜を形成し、しかる後、上
記電極面上の保護膜を除去することを特徴とする。
【０００７】また、本発明方法において、保護膜として
レジスト膜を形成すると共に、この保護膜を有機溶剤や
プラズマアッシングにより除去することができる。さら
に保護膜の形成後、半導体ウェーハのへき開部位にそっ
て保護膜にスクライブ溝を形成することができる。
レジスト膜を形成すると共に、この保護膜を有機溶剤や
プラズマアッシングにより除去することができる。さら
に保護膜の形成後、半導体ウェーハのへき開部位にそっ
て保護膜にスクライブ溝を形成することができる。
【０００８】
【作用】本発明では、レーザ素子のへき開面に透明膜を
形成するのに先立って、電極面に保護膜を形成してある
ので、スパッタによる透明膜の形成時に保護膜上に透明
膜が形成されても、上記透明膜の形成後、上記保護膜を
除去することにより電極面上に透明膜が形成されるのを
防止することができる。
形成するのに先立って、電極面に保護膜を形成してある
ので、スパッタによる透明膜の形成時に保護膜上に透明
膜が形成されても、上記透明膜の形成後、上記保護膜を
除去することにより電極面上に透明膜が形成されるのを
防止することができる。
【０００９】
【実施例】本発明に係る半導体レーザの製造方法の実施
例を図１乃至図４を参照しながら説明すると次の通りで
ある。尚、図５乃至図８と同一部分又は相当部分には同
一参照符号を付して重複説明は省略する。
例を図１乃至図４を参照しながら説明すると次の通りで
ある。尚、図５乃至図８と同一部分又は相当部分には同
一参照符号を付して重複説明は省略する。
【００１０】上記半導体ウェーハ（８）の表裏に形成さ
れた電極面（６）（７）に、耐熱性及び剥離性の良好な
保護膜、例えば、レジスト膜（２１）（２１’）を夫々
被着形成する。上記レジスト膜（２１）（２１’）の形
成時、電極面（６）（７）にフォトレジストを塗布して
露光したのち、現像処理によってフォトレジストの不所
望部分を除去して、半導体ウェーハ（８）のへき開部に
対応する部位にスクライブ溝（２２）を定ピッチに形成
する。
れた電極面（６）（７）に、耐熱性及び剥離性の良好な
保護膜、例えば、レジスト膜（２１）（２１’）を夫々
被着形成する。上記レジスト膜（２１）（２１’）の形
成時、電極面（６）（７）にフォトレジストを塗布して
露光したのち、現像処理によってフォトレジストの不所
望部分を除去して、半導体ウェーハ（８）のへき開部に
対応する部位にスクライブ溝（２２）を定ピッチに形成
する。
【００１１】上記半導体ウェーハ（８）の電極面（６）
（７）にレジスト膜（２１）（２１’）を形成したの
ち、半導体ウェーハ（８）を、結晶方向にそって棒状に
へき開して、複数のレーザ素子（１）を分割形成する。
この半導体ウェーハ（８）のへき開時、レジスト膜（２
１）（２１’）には、半導体ウェーハ（８）のへき開部
にそってスクライブ溝（２２）を形成してあるので、レ
ジスト膜（２１）（２１’）は、上記スクライブ溝（２
２）によりレーザ素子（１）のへき開面（３）（３’）
にそって確実に分離される。
（７）にレジスト膜（２１）（２１’）を形成したの
ち、半導体ウェーハ（８）を、結晶方向にそって棒状に
へき開して、複数のレーザ素子（１）を分割形成する。
この半導体ウェーハ（８）のへき開時、レジスト膜（２
１）（２１’）には、半導体ウェーハ（８）のへき開部
にそってスクライブ溝（２２）を形成してあるので、レ
ジスト膜（２１）（２１’）は、上記スクライブ溝（２
２）によりレーザ素子（１）のへき開面（３）（３’）
にそって確実に分離される。
【００１２】しかる後、へき開した複数のレーザ素子
（１）を、整列治具（９）（９）間に、へき開面（３）
（３’）を上下に位置させて整列保持する。このとき上
記各レーザ素子（１）の一方のへき開面（３）は整列治
具（９）（９）の上面より僅かに上方に突出する。この
状態で、整列した各レーザ素子（１）の一方のへき開面
（３）に、上方からスパッタあるいは蒸着等によりＳｉ
Ｏ2、ＳｉＮ等からなる絶縁性の透明膜（５）を形成す
る。一方のへき開面（３）に対する透明膜（５）の形成
が終わると、レーザ素子（１）を上下に反転させ、他方
のへき開面（３’）にスパッタ等により透明膜（５’）
を形成する。この透明膜（５）（５’）の形成時、整列
治具（９）（９）の反り、欠け、あるいはレーザ素子
（１）自体の反り等により、整列治具（９）（９）とレ
ーザ素子（１）間、あるいは各レーザ素子（１）間に隙
間が生じた場合、透明膜（５）（５’）はこの隙間に侵
入して、レーザ素子（１）の電極面（６）（７）上に形
成されたレジスト膜（２１）（２１’）上に形成され
る。
（１）を、整列治具（９）（９）間に、へき開面（３）
（３’）を上下に位置させて整列保持する。このとき上
記各レーザ素子（１）の一方のへき開面（３）は整列治
具（９）（９）の上面より僅かに上方に突出する。この
状態で、整列した各レーザ素子（１）の一方のへき開面
（３）に、上方からスパッタあるいは蒸着等によりＳｉ
Ｏ2、ＳｉＮ等からなる絶縁性の透明膜（５）を形成す
る。一方のへき開面（３）に対する透明膜（５）の形成
が終わると、レーザ素子（１）を上下に反転させ、他方
のへき開面（３’）にスパッタ等により透明膜（５’）
を形成する。この透明膜（５）（５’）の形成時、整列
治具（９）（９）の反り、欠け、あるいはレーザ素子
（１）自体の反り等により、整列治具（９）（９）とレ
ーザ素子（１）間、あるいは各レーザ素子（１）間に隙
間が生じた場合、透明膜（５）（５’）はこの隙間に侵
入して、レーザ素子（１）の電極面（６）（７）上に形
成されたレジスト膜（２１）（２１’）上に形成され
る。
【００１３】各レーザ素子（１）のへき開面（３）
（３’）に対する透明膜（５）（５’）の形成が完了す
ると、整列治具（９）（９）間からレーザ素子（１）を
取り出し、各レーザ素子（１）の電極面（６）（７）に
形成されたレジスト膜（２１）（２１’）を有機溶剤、
あるいはプラズマアッシングにより除去する。上記レジ
スト膜（２１）（２１’）の除去により、レジスト膜
（２１）（２１’）上に形成されていた透明膜（５）
（５’）がレジスト膜（２１）（２１’）と共に除去さ
れ、その結果、各レーザ素子（１）の各電極面（６）
（７）に、透明膜（５）（５’）が形成されることがな
く、レーザ素子（１）が導通不良となるのを確実に防止
することができる。
（３’）に対する透明膜（５）（５’）の形成が完了す
ると、整列治具（９）（９）間からレーザ素子（１）を
取り出し、各レーザ素子（１）の電極面（６）（７）に
形成されたレジスト膜（２１）（２１’）を有機溶剤、
あるいはプラズマアッシングにより除去する。上記レジ
スト膜（２１）（２１’）の除去により、レジスト膜
（２１）（２１’）上に形成されていた透明膜（５）
（５’）がレジスト膜（２１）（２１’）と共に除去さ
れ、その結果、各レーザ素子（１）の各電極面（６）
（７）に、透明膜（５）（５’）が形成されることがな
く、レーザ素子（１）が導通不良となるのを確実に防止
することができる。
【００１４】尚、上記実施例では、レーザ素子（１）の
電極面（６）（７）には保護膜としてレジスト膜（２
１）（２１’）を形成したが、本考案はこれに限定され
るわけではなく、レジスト膜の代りにポリイミド樹脂膜
を形成してもよい。
電極面（６）（７）には保護膜としてレジスト膜（２
１）（２１’）を形成したが、本考案はこれに限定され
るわけではなく、レジスト膜の代りにポリイミド樹脂膜
を形成してもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ素子のへき開面
に対する絶縁性を有する透明膜の形成時に、整列治具の
反りや欠け等によってレーザ素子と整列治具との間等に
隙間が発生して、保護膜上に透明膜が形成されても、こ
の透明膜は保護膜の除去時に保護膜と一緒に除去される
ので、レーザ素子の電極面に透明膜が形成されることが
なく、レーザ素子が導通不良となるのを確実に防止する
ことができ、製品の品質が大幅に向上する。
に対する絶縁性を有する透明膜の形成時に、整列治具の
反りや欠け等によってレーザ素子と整列治具との間等に
隙間が発生して、保護膜上に透明膜が形成されても、こ
の透明膜は保護膜の除去時に保護膜と一緒に除去される
ので、レーザ素子の電極面に透明膜が形成されることが
なく、レーザ素子が導通不良となるのを確実に防止する
ことができ、製品の品質が大幅に向上する。
【図１】本発明に係る半導体レーザの製造方法の実施例
を説明するためのもので、半導体ウェーハの表裏の電極
面に保護膜を形成した半導体ウェーハの斜視図。
を説明するためのもので、半導体ウェーハの表裏の電極
面に保護膜を形成した半導体ウェーハの斜視図。
【図２】保護膜にスクライブ溝を形成した半導体ウェー
ハの正面図。
ハの正面図。
【図３】へき開したレーザ素子の斜視図。
【図４】レーザ素子のへき開面に対する透明膜の形成要
領を示す正面図。
領を示す正面図。
【図５】へき開面に透明膜を形成したレーザ素子の正面
図。
図。
【図６】従来のレーザ素子の製造方法を説明するための
もので、半導体ウェーハの斜視図。
もので、半導体ウェーハの斜視図。
【図７】へき開したレーザ素子の斜視図。
【図８】レーザ素子のへき開面に対する透明膜の形成要
領を示す斜視図。
領を示す斜視図。
【図９】従来の半導体レーザの製造方法の問題点を説明
するための正面図。
するための正面図。
１ レーザ素子 ３、３’ へき開面 ５ 透明膜 ６、７ 電極面 ８ 半導体ウェーハ ９、９ 整列治具 ２１、２１’ 保護膜 ２２ スクライブ溝
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの表裏に形成された電極
面に保護膜を形成した後、半導体ウェーハを複数のレー
ザ素子にへき開し、このレーザ素子を整列治具で整列保
持した状態で、レーザ素子のへき開面にスパッタ等によ
り透明膜を形成し、しかる後、上記電極面上の保護膜を
除去することを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 保護膜がレジスト膜であることを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 保護膜を有機溶剤で除去することを特徴
とする請求項１又は２記載の半導体レーザの製造方法 - 【請求項４】 保護膜をプラズマアッシングにより除去
することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体レー
ザの製造方法。 - 【請求項５】 保護膜の形成時に、半導体ウェーハのへ
き開部位にそって保護膜にスクライブ溝を形成したこと
を特徴とする請求項１又は２記載の半導体レーザの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19801092A JPH0645690A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19801092A JPH0645690A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645690A true JPH0645690A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16384013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19801092A Withdrawn JPH0645690A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645690A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4879335A (en) * | 1986-09-30 | 1989-11-07 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Black liquid colorant and polyester fibers dope-dyed therewith |
| JPH10125994A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Nec Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2013502622A (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-24 | キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド | 光変調用浮動ロッカーｍｅｍｓデバイスの製造 |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP19801092A patent/JPH0645690A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4879335A (en) * | 1986-09-30 | 1989-11-07 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Black liquid colorant and polyester fibers dope-dyed therewith |
| JPH10125994A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Nec Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2013502622A (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-24 | キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド | 光変調用浮動ロッカーｍｅｍｓデバイスの製造 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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