JPH09325496A - 感光性組成物 - Google Patents
感光性組成物Info
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- JPH09325496A JPH09325496A JP8141897A JP14189796A JPH09325496A JP H09325496 A JPH09325496 A JP H09325496A JP 8141897 A JP8141897 A JP 8141897A JP 14189796 A JP14189796 A JP 14189796A JP H09325496 A JPH09325496 A JP H09325496A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 感光性組成物の失活、たとえば、光酸発生剤
等の光感応性化合物の失活を防止して、良好なパターン
形状を、効果的かつ容易に得ることができる感光性組成
物を提供する。 【解決手段】 光酸発生剤等の光感応性化合物を含有
する感光性組成物、たとえば2成分系、または3成分系
化学増幅型レジストにおいて、脂肪族系アミンあるいは
脂肪族系アミンの塩の少なくとも1種を含有させる。
等の光感応性化合物の失活を防止して、良好なパターン
形状を、効果的かつ容易に得ることができる感光性組成
物を提供する。 【解決手段】 光酸発生剤等の光感応性化合物を含有
する感光性組成物、たとえば2成分系、または3成分系
化学増幅型レジストにおいて、脂肪族系アミンあるいは
脂肪族系アミンの塩の少なくとも1種を含有させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光性組成物に関
する。本発明の感光性組成物は、たとえば、電子材料
(半導体装置等)の製造の際に用いるフォトリソグラフ
ィー技術に使用するフォトレジストとして、利用するこ
とができるものである。
する。本発明の感光性組成物は、たとえば、電子材料
(半導体装置等)の製造の際に用いるフォトリソグラフ
ィー技術に使用するフォトレジストとして、利用するこ
とができるものである。
【0002】
【従来の技術】たとえば、半導体装置等の電子材料の分
野では、ますますその微細化・集積化が進行している。
たとえば半導体集積回路装置について言えば、その最小
加工寸法は、いまやサブハーフミクロンと称される、
0.5μm未満の寸法の領域に入っている。これに伴っ
て、微細な加工が可能な露光光として、レーザー光を用
いたフォトリソグラフィー技術が注目されており、特
に、たとえば、KrFエキシマレーザーリソグラフィ技
術が注目されている。
野では、ますますその微細化・集積化が進行している。
たとえば半導体集積回路装置について言えば、その最小
加工寸法は、いまやサブハーフミクロンと称される、
0.5μm未満の寸法の領域に入っている。これに伴っ
て、微細な加工が可能な露光光として、レーザー光を用
いたフォトリソグラフィー技術が注目されており、特
に、たとえば、KrFエキシマレーザーリソグラフィ技
術が注目されている。
【0003】このように極微細な加工を可能とするフォ
トリソグラフィー技術、たとえば上記KrFエキシマレ
ーザーリソグラフィ技術については、この波長領域(波
長248nm)において感光する光感応性化合物であっ
て、感光して生成した物質が触媒のように働いて次々と
反応を引き起こす化合物が含有されている組成物材料が
おもに用いられている。このような感光性組成物材料
は、たとえば、化学増幅型レジストなどと称されている
ものである。
トリソグラフィー技術、たとえば上記KrFエキシマレ
ーザーリソグラフィ技術については、この波長領域(波
長248nm)において感光する光感応性化合物であっ
て、感光して生成した物質が触媒のように働いて次々と
反応を引き起こす化合物が含有されている組成物材料が
おもに用いられている。このような感光性組成物材料
は、たとえば、化学増幅型レジストなどと称されている
ものである。
【0004】このような感光性組成物材料には、代表的
には、光酸発生剤が材料中に含まれており、光照射によ
って発生した酸を、触媒的に利用することにより反応を
起こさせて、光照射部に現像剤(現像液)に可溶(ポジ
型レジストの場合)の部位、あるいは不溶(ネガ型レジ
ストの場合)の部位をつくり出すものである。
には、光酸発生剤が材料中に含まれており、光照射によ
って発生した酸を、触媒的に利用することにより反応を
起こさせて、光照射部に現像剤(現像液)に可溶(ポジ
型レジストの場合)の部位、あるいは不溶(ネガ型レジ
ストの場合)の部位をつくり出すものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この場合に
発生する酸は、量が少なく、かつ、不安定である。一
方、環境雰囲気(空気等)中や被加工材である基板上に
は、様々な物質が存在しており、発生した酸の機能を阻
害する性質を持つものもある。たとえば、雰囲気中の塩
基性ガス(アンモニアガスなど。あるいは、配管用樹脂
の可塑剤に由来すると考えられている各種塩基性ガス
等。)は、発生した酸を失活させる。また、基板上の物
質が触媒毒となって、酸の機能を阻害することがある。
たとえば、基板上の絶縁材料であるたとえばシリコンナ
イトライドや、塗布ガラスであるたとえばBPSGや、
あるいは金属化合物たとえばチタンナイトライドなど
に、アンモニアや水などが吸着されていて、これが酸を
失活させる場合がある。
発生する酸は、量が少なく、かつ、不安定である。一
方、環境雰囲気(空気等)中や被加工材である基板上に
は、様々な物質が存在しており、発生した酸の機能を阻
害する性質を持つものもある。たとえば、雰囲気中の塩
基性ガス(アンモニアガスなど。あるいは、配管用樹脂
の可塑剤に由来すると考えられている各種塩基性ガス
等。)は、発生した酸を失活させる。また、基板上の物
質が触媒毒となって、酸の機能を阻害することがある。
たとえば、基板上の絶縁材料であるたとえばシリコンナ
イトライドや、塗布ガラスであるたとえばBPSGや、
あるいは金属化合物たとえばチタンナイトライドなど
に、アンモニアや水などが吸着されていて、これが酸を
失活させる場合がある。
【0006】上記したように、従来の技術にあっては、
上記のごとき感光性組成物は、空気中のアミンなどの塩
基性物質や、被加工材である基板上の触媒毒などによっ
て失活しやすいと言う傾向がある。このような失活が起
こると、所望の加工は達成できない。たとえばこの失活
がレジスト表面で発生すると、ポジ型レジストの場合に
はT−topと呼ばれるひだ状の形状不正が発生する。
たとえば図1(a)に模式的に図示して符号1で示すの
は、理想的には側面矩形状に形成されるべきレジストパ
ターン2の上面にひさしのように生成したT−topで
ある。また、ポジ型レジストの場合に、被加工材である
基板においてこの失活が発生すると、裾引きの問題を引
き起こす。同じく図2(a)に模式的に図示して符号3
で示すのは、やはり理想的には側面矩形状に形成される
べきレジストパターン2の下部周辺に生成した裾引きで
ある。ネガ型レジストの場合には、失活がレジスト表面
で発生すると、図1(b)に模式的に図示して符号4で
示すようなトップラウンディング(上部における丸ま
り)が生じる。またネガ型レジストの場合に失活が基板
において発生すると、図2(b)に模式的に図示して符
号5で示すようなアンダーカットが生じる。各図中、符
号6で基板を示す。
上記のごとき感光性組成物は、空気中のアミンなどの塩
基性物質や、被加工材である基板上の触媒毒などによっ
て失活しやすいと言う傾向がある。このような失活が起
こると、所望の加工は達成できない。たとえばこの失活
がレジスト表面で発生すると、ポジ型レジストの場合に
はT−topと呼ばれるひだ状の形状不正が発生する。
たとえば図1(a)に模式的に図示して符号1で示すの
は、理想的には側面矩形状に形成されるべきレジストパ
ターン2の上面にひさしのように生成したT−topで
ある。また、ポジ型レジストの場合に、被加工材である
基板においてこの失活が発生すると、裾引きの問題を引
き起こす。同じく図2(a)に模式的に図示して符号3
で示すのは、やはり理想的には側面矩形状に形成される
べきレジストパターン2の下部周辺に生成した裾引きで
ある。ネガ型レジストの場合には、失活がレジスト表面
で発生すると、図1(b)に模式的に図示して符号4で
示すようなトップラウンディング(上部における丸ま
り)が生じる。またネガ型レジストの場合に失活が基板
において発生すると、図2(b)に模式的に図示して符
号5で示すようなアンダーカットが生じる。各図中、符
号6で基板を示す。
【0007】上記の問題点を回避する手段として、種々
の手段が考えられている。その一つに、はじめからアミ
ン、あるいはアミンと酸の中和物(塩)をレジストに添
加しておき、失活した酸を補ってやる方法が知られてい
る。(J.Photopolymer Science
and Technology,vol8,♯4(1
995)535−542)。
の手段が考えられている。その一つに、はじめからアミ
ン、あるいはアミンと酸の中和物(塩)をレジストに添
加しておき、失活した酸を補ってやる方法が知られてい
る。(J.Photopolymer Science
and Technology,vol8,♯4(1
995)535−542)。
【0008】この場合には、NMP(N−メチルピロリ
ドン)や、アミノフェノールなどを添加してやることに
なる。しかし、前者は、効果があまり高くない。また、
後者は、波長248nmに少しではあるが吸収を有する
ため、たとえばKrFエキシマレーザーリソグラフィ技
術については、感度的に有利でないという問題点を有す
る。
ドン)や、アミノフェノールなどを添加してやることに
なる。しかし、前者は、効果があまり高くない。また、
後者は、波長248nmに少しではあるが吸収を有する
ため、たとえばKrFエキシマレーザーリソグラフィ技
術については、感度的に有利でないという問題点を有す
る。
【0009】本発明は、上記従来技術の問題点を解決し
て、光感応性化合物を含有する感光性組成物において、
失活の問題を効果的に解決することができて、雰囲気に
よらず、また被加工材によらずに良好なパターンの形成
に用いることができる感光性組成物を提供することを目
的とする。たとえば、光酸発生剤の失活に対して効果的
に作用し、かつ、露光波長に対して吸収がなく、感度に
不利を及ぼさない感光性組成物を提供することを目的と
している。
て、光感応性化合物を含有する感光性組成物において、
失活の問題を効果的に解決することができて、雰囲気に
よらず、また被加工材によらずに良好なパターンの形成
に用いることができる感光性組成物を提供することを目
的とする。たとえば、光酸発生剤の失活に対して効果的
に作用し、かつ、露光波長に対して吸収がなく、感度に
不利を及ぼさない感光性組成物を提供することを目的と
している。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る感光性組成
物は、少なくとも1種の光感応性化合物を含有する感光
性組成物において、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系ア
ミンの塩の少なくとも1種を、単体あるいは混合物で、
1重量%以下の量で含有することを特徴とする感光性組
成物である。本明細書中、「脂肪族系アミン」とは、芳
香環を含まないアミンであることを言う。この発明にお
いて、アミンあるいはアミンの塩は、これが1種の場合
はその含有量が、2種以上の場合は、合わせた含有量
が、感光性組成物全体(バインダー樹脂、その他の添加
物がある場合はそれも含めて)の1重量%以下である。
好ましくは、1重量%以下、0.01重量%以上であ
る。
物は、少なくとも1種の光感応性化合物を含有する感光
性組成物において、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系ア
ミンの塩の少なくとも1種を、単体あるいは混合物で、
1重量%以下の量で含有することを特徴とする感光性組
成物である。本明細書中、「脂肪族系アミン」とは、芳
香環を含まないアミンであることを言う。この発明にお
いて、アミンあるいはアミンの塩は、これが1種の場合
はその含有量が、2種以上の場合は、合わせた含有量
が、感光性組成物全体(バインダー樹脂、その他の添加
物がある場合はそれも含めて)の1重量%以下である。
好ましくは、1重量%以下、0.01重量%以上であ
る。
【0011】この発明によれば、少なくとも1種の光感
応性化合物を含有する感光性組成物に対してアミンある
いはアミンの塩を含有させることの効果を、いかなる感
光性組成物に対しても発揮させることができる。すなわ
ち、従来は、光感応性化合物が光酸発生剤である場合
に、必ずしも十分な効果が得られなかったが、脂肪族系
アミンあるいは脂肪族系アミンの塩を含有することによ
り、光感応性化合物、たとえば光酸発生剤(が生じさせ
る酸)の失活に対して、十分な効果をもたらすことがで
きる。かつ、従来技術では、フォトリソグラフィー技術
によっては用いにくいもので、たとえばKrFエキシマ
レーザーリソグラフィ技術については、感度的に有利で
ないという難点があったが、脂肪族系アミンあるいは脂
肪族系アミンの塩は、そのような場合に問題となる波長
248nm領域での吸収がないので、感度低下も生じ
ず、有利である。なお、特開平1−163734号公報
には、エチレンジアミン化合物を配合した感光性組成物
が記載されているが、この公報ではレジストの形状不整
は問題とされておらず、不要な発色の防止に効果がある
とされているのみであり、実際、光感応性化合物の失
活、たとえば光酸発生剤の失活に対してはこの公報の技
術は効果がないと考えられる。また、特開平6−436
31号公報には、環境毒の影響の抑制のためにポリグリ
コール型界面活性剤をレジストに含有させる技術が開示
されているが、これは脂肪族系アミンあるいは脂肪族系
アミンの塩を含有させる場合の顕著な効果はもたらさな
い。またさらに、特開平7−196755号公報には、
ベース樹脂としてフェノールノボラック樹脂を用いてこ
れに3級アミンを添加して反応させる技術が記載されて
いるが、これはポジ型にもネガ型にも機能するレジスト
を得るための技術であって、本発明において脂肪族系ア
ミンあるいは脂肪族系アミンの塩によってもたらされる
効果と関係のないものである。
応性化合物を含有する感光性組成物に対してアミンある
いはアミンの塩を含有させることの効果を、いかなる感
光性組成物に対しても発揮させることができる。すなわ
ち、従来は、光感応性化合物が光酸発生剤である場合
に、必ずしも十分な効果が得られなかったが、脂肪族系
アミンあるいは脂肪族系アミンの塩を含有することによ
り、光感応性化合物、たとえば光酸発生剤(が生じさせ
る酸)の失活に対して、十分な効果をもたらすことがで
きる。かつ、従来技術では、フォトリソグラフィー技術
によっては用いにくいもので、たとえばKrFエキシマ
レーザーリソグラフィ技術については、感度的に有利で
ないという難点があったが、脂肪族系アミンあるいは脂
肪族系アミンの塩は、そのような場合に問題となる波長
248nm領域での吸収がないので、感度低下も生じ
ず、有利である。なお、特開平1−163734号公報
には、エチレンジアミン化合物を配合した感光性組成物
が記載されているが、この公報ではレジストの形状不整
は問題とされておらず、不要な発色の防止に効果がある
とされているのみであり、実際、光感応性化合物の失
活、たとえば光酸発生剤の失活に対してはこの公報の技
術は効果がないと考えられる。また、特開平6−436
31号公報には、環境毒の影響の抑制のためにポリグリ
コール型界面活性剤をレジストに含有させる技術が開示
されているが、これは脂肪族系アミンあるいは脂肪族系
アミンの塩を含有させる場合の顕著な効果はもたらさな
い。またさらに、特開平7−196755号公報には、
ベース樹脂としてフェノールノボラック樹脂を用いてこ
れに3級アミンを添加して反応させる技術が記載されて
いるが、これはポジ型にもネガ型にも機能するレジスト
を得るための技術であって、本発明において脂肪族系ア
ミンあるいは脂肪族系アミンの塩によってもたらされる
効果と関係のないものである。
【0012】また、別の発明に係る感光性組成物は、少
なくとも1種の光感応性化合物を含有する感光性組成物
において、光感応性化合物として光酸発生剤が少なくと
も1種と、活性基の少なくとも一部が保護基により保護
され、かつ上記光酸発生剤が感光して発生する酸によっ
てその保護基が外されて反応性が変化する保護基含有化
合物が少なくとも1種と、脂肪族系アミンあるいは脂肪
族系アミンの塩の少なくとも1種とが含有されることを
特徴とする感光性組成物である。この感光性組成物は、
一般にポジ型に機能するもので、2成分系ポジ型レジス
トと称されるものとして用いることができる。
なくとも1種の光感応性化合物を含有する感光性組成物
において、光感応性化合物として光酸発生剤が少なくと
も1種と、活性基の少なくとも一部が保護基により保護
され、かつ上記光酸発生剤が感光して発生する酸によっ
てその保護基が外されて反応性が変化する保護基含有化
合物が少なくとも1種と、脂肪族系アミンあるいは脂肪
族系アミンの塩の少なくとも1種とが含有されることを
特徴とする感光性組成物である。この感光性組成物は、
一般にポジ型に機能するもので、2成分系ポジ型レジス
トと称されるものとして用いることができる。
【0013】この発明によれば、光感応性化合物である
光酸発生剤に対し、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系ア
ミンの塩を含有させることによって、光酸発生剤(が生
じさせる酸)の失活に対して、十分な効果がもたらされ
る。かつ、従来技術のたとえばKrFエキシマレーザー
リソグラフィ技術について感度的に有利でないという難
点についても、上述した発明と同様、脂肪族系アミンあ
るいは脂肪族系アミンの塩を用いることで、感度低下が
生じないという利点がもたらされる。
光酸発生剤に対し、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系ア
ミンの塩を含有させることによって、光酸発生剤(が生
じさせる酸)の失活に対して、十分な効果がもたらされ
る。かつ、従来技術のたとえばKrFエキシマレーザー
リソグラフィ技術について感度的に有利でないという難
点についても、上述した発明と同様、脂肪族系アミンあ
るいは脂肪族系アミンの塩を用いることで、感度低下が
生じないという利点がもたらされる。
【0014】また、別の発明に係る感光性組成物は、少
なくとも1種の光感応性化合物を含有する感光性組成物
において、ベース樹脂と、光感応性化合物として光酸発
生剤が少なくとも1種と、上記光酸発生剤が感光して発
生する酸によって溶解抑止性が変化する溶解抑止剤と、
脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくと
も1種とが含有されることを特徴とする感光性組成物で
ある。この感光性組成物は、一般にポジ型に機能するも
ので、3成分系ポジ型レジスト称されるものとして用い
ることができる。
なくとも1種の光感応性化合物を含有する感光性組成物
において、ベース樹脂と、光感応性化合物として光酸発
生剤が少なくとも1種と、上記光酸発生剤が感光して発
生する酸によって溶解抑止性が変化する溶解抑止剤と、
脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくと
も1種とが含有されることを特徴とする感光性組成物で
ある。この感光性組成物は、一般にポジ型に機能するも
ので、3成分系ポジ型レジスト称されるものとして用い
ることができる。
【0015】この発明によれば、やはり光感応性化合物
である光酸発生剤に対し、その失活の対応を、十分効果
的にとることができる。その他、上記した発明と同様の
利点を有する。
である光酸発生剤に対し、その失活の対応を、十分効果
的にとることができる。その他、上記した発明と同様の
利点を有する。
【0016】また、別の発明に係る感光性組成物は、少
なくとも1種の光感応性化合物を含有する感光性組成物
において、光感応性化合物として光酸発生剤が少なくと
も1種と、樹脂成分と、上記光酸発生剤が感光して発生
する酸によって架橋反応を起こす架橋剤(たとえばヘキ
サメトキシメチルメラミン)が少なくとも1種と、脂肪
族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくとも1
種とが含有されることを特徴とする感光性組成物であ
る。この感光性組成物は、一般にネガ型に機能するもの
である。
なくとも1種の光感応性化合物を含有する感光性組成物
において、光感応性化合物として光酸発生剤が少なくと
も1種と、樹脂成分と、上記光酸発生剤が感光して発生
する酸によって架橋反応を起こす架橋剤(たとえばヘキ
サメトキシメチルメラミン)が少なくとも1種と、脂肪
族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくとも1
種とが含有されることを特徴とする感光性組成物であ
る。この感光性組成物は、一般にネガ型に機能するもの
である。
【0017】この発明によれば、やはり光感応性化合物
である光酸発生剤に対し、その失活の対応を、十分効果
的にとることができる。その他、上記した発明と同様の
利点を有する。
である光酸発生剤に対し、その失活の対応を、十分効果
的にとることができる。その他、上記した発明と同様の
利点を有する。
【0018】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
さらに詳細に説明し、また、本発明の好ましい実施の形
態の具体例について、説明する。但し当然のことではあ
るが、本発明は図示実施の形態例に限定されるものでは
ない。
さらに詳細に説明し、また、本発明の好ましい実施の形
態の具体例について、説明する。但し当然のことではあ
るが、本発明は図示実施の形態例に限定されるものでは
ない。
【0019】本発明においては、少なくとも1種の光感
応性化合物を含有する感光性組成物に、脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩の少なくとも1種を、単体
あるいは混合物で、1重量%以下の量で含有せしめる。
1重量%以下の量で含有させることにより、必要で、十
分な効果を得ることができる。好ましくは、0.01重
量%以上、1重量%以下である。
応性化合物を含有する感光性組成物に、脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩の少なくとも1種を、単体
あるいは混合物で、1重量%以下の量で含有せしめる。
1重量%以下の量で含有させることにより、必要で、十
分な効果を得ることができる。好ましくは、0.01重
量%以上、1重量%以下である。
【0020】あるいは、本発明においては、光感応性化
合物として光酸発生剤が少なくとも1種と、活性基の少
なくとも一部が保護基により保護され、かつ上記光酸発
生剤が感光して発生する酸によってその保護基が外され
て反応性が変化する保護基含有化合物が少なくとも1種
と、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少な
くとも1種を含有させて感光性組成物とする。これによ
り、光感応性化合物としての光酸発生剤の失活の問題を
解消した、感光性組成物とすることができる。この感光
性組成物は、一般にポジ型に機能するもので、光酸発生
剤とこれにより生じた酸によって保護基が外されて一般
に現像剤に対して可溶化するに至る化合物(一般にこの
ような性質をもつ樹脂成分)との2成分を必須とすると
ころから2成分系ポジ型レジストと称されるものとし
て、用いることができる。その場合、この発明は、2成
分系ポジ型レジストに脂肪族系アミンあるいは脂肪族系
アミンの塩の少なくとも1種を添加した形態で実施でき
るものということができる。この感光性組成物は、いわ
ゆる化学増幅型レジストとして、機能しうるものであ
る。
合物として光酸発生剤が少なくとも1種と、活性基の少
なくとも一部が保護基により保護され、かつ上記光酸発
生剤が感光して発生する酸によってその保護基が外され
て反応性が変化する保護基含有化合物が少なくとも1種
と、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少な
くとも1種を含有させて感光性組成物とする。これによ
り、光感応性化合物としての光酸発生剤の失活の問題を
解消した、感光性組成物とすることができる。この感光
性組成物は、一般にポジ型に機能するもので、光酸発生
剤とこれにより生じた酸によって保護基が外されて一般
に現像剤に対して可溶化するに至る化合物(一般にこの
ような性質をもつ樹脂成分)との2成分を必須とすると
ころから2成分系ポジ型レジストと称されるものとし
て、用いることができる。その場合、この発明は、2成
分系ポジ型レジストに脂肪族系アミンあるいは脂肪族系
アミンの塩の少なくとも1種を添加した形態で実施でき
るものということができる。この感光性組成物は、いわ
ゆる化学増幅型レジストとして、機能しうるものであ
る。
【0021】この発明の実施において、上記保護基含有
化合物が、ポリヒドロキシスチレンの水酸基の少なくと
も一部が保護基により保護された化合物であることは、
好ましい一つの実施の態様である。
化合物が、ポリヒドロキシスチレンの水酸基の少なくと
も一部が保護基により保護された化合物であることは、
好ましい一つの実施の態様である。
【0022】ポリヒドロキシスチレンの水酸基の少なく
とも一部を保護する保護基としては、たとえば、t−B
OC基(後記する例示の保護基の(1))、t−BOC
−CH2 基(後記する例示の保護基の(5))、THP
基(後記する例示の保護基の(3))、i−PrOCO
−基(後記する例示の保護基の(2))、(CH3 )3
−Si−基(後記する例示の保護基の(4))、エチル
ビニルエーテル基などを、好ましく採用することができ
る。
とも一部を保護する保護基としては、たとえば、t−B
OC基(後記する例示の保護基の(1))、t−BOC
−CH2 基(後記する例示の保護基の(5))、THP
基(後記する例示の保護基の(3))、i−PrOCO
−基(後記する例示の保護基の(2))、(CH3 )3
−Si−基(後記する例示の保護基の(4))、エチル
ビニルエーテル基などを、好ましく採用することができ
る。
【0023】また、光酸発生剤として、所望の波長にお
いて感光性を有し、酸を発生する各種の化合物を用いる
ことができ、たとえば、後記の例示光酸発生剤を好まし
く採用することができる。
いて感光性を有し、酸を発生する各種の化合物を用いる
ことができ、たとえば、後記の例示光酸発生剤を好まし
く採用することができる。
【0024】あるいは、本発明においては、ベース樹脂
と、光感応性化合物として光酸発生剤が少なくとも1種
と、上記光酸発生剤が感光して発生する酸によって溶解
抑止性が変化する溶解抑止剤と、脂肪族系アミンあるい
は脂肪族系アミンの塩の少なくとも1種とを含有させ
て、感光性組成物とする。これにより、光感応性化合物
としての光酸発生剤の失活の問題を解消した、感光性組
成物とすることができる。この感光性組成物は、一般に
ポジ型に機能するもので、ベース樹脂と光酸発生剤と溶
解抑止剤との3成分を必須とするところから3成分系ポ
ジ型レジストと称されるものとして用いることができ
る。その場合、この発明は、3成分系ポジ型レジストに
脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくと
も1種を添加した形態で実施できるものということがで
きる。この感光性組成物は、いわゆる化学増幅型レジス
トとして、機能しうるものである。
と、光感応性化合物として光酸発生剤が少なくとも1種
と、上記光酸発生剤が感光して発生する酸によって溶解
抑止性が変化する溶解抑止剤と、脂肪族系アミンあるい
は脂肪族系アミンの塩の少なくとも1種とを含有させ
て、感光性組成物とする。これにより、光感応性化合物
としての光酸発生剤の失活の問題を解消した、感光性組
成物とすることができる。この感光性組成物は、一般に
ポジ型に機能するもので、ベース樹脂と光酸発生剤と溶
解抑止剤との3成分を必須とするところから3成分系ポ
ジ型レジストと称されるものとして用いることができ
る。その場合、この発明は、3成分系ポジ型レジストに
脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくと
も1種を添加した形態で実施できるものということがで
きる。この感光性組成物は、いわゆる化学増幅型レジス
トとして、機能しうるものである。
【0025】この発明の実施において、ポリヒドロキシ
スチレンの水酸基の一部が保護されたもの、または無保
護のポリヒドロキシスチレンと、溶解抑止剤として、ビ
スフェノールAの水酸基が保護されたもの、あるいは、
コレステロールの水酸基が保護されたもの、あるいは、
N−Oアセタール誘導体(たとえば、−(O−CH(φ
R)−NR−CO−O−CH2 −CHR)−の構造をも
つアセタール誘導体。ここでRは、各々異なってもよい
アルキル基を表す。)のいずれかと、光酸発生剤とを含
有させた3成分系組成物に、脂肪族系アミンあるいは脂
肪族系アミンの塩の少なくとも1種を添加した形態で実
施できる。
スチレンの水酸基の一部が保護されたもの、または無保
護のポリヒドロキシスチレンと、溶解抑止剤として、ビ
スフェノールAの水酸基が保護されたもの、あるいは、
コレステロールの水酸基が保護されたもの、あるいは、
N−Oアセタール誘導体(たとえば、−(O−CH(φ
R)−NR−CO−O−CH2 −CHR)−の構造をも
つアセタール誘導体。ここでRは、各々異なってもよい
アルキル基を表す。)のいずれかと、光酸発生剤とを含
有させた3成分系組成物に、脂肪族系アミンあるいは脂
肪族系アミンの塩の少なくとも1種を添加した形態で実
施できる。
【0026】あるいは、本発明においては、光感応性化
合物として光酸発生剤が少なくとも1種と、樹脂成分
と、上記光酸発生剤が感光して発生する酸によって架橋
反応を起こす架橋剤(たとえばヘキサメトキシメチルメ
ラミンや、後記光酸発生剤として例示の4−2の化合物
や、また、C6 H4 (CCl3 )2 、C6 H4 (CBr
3 )2 など)が少なくとも1種と、脂肪族系アミンある
いは脂肪族系アミンの塩の少なくとも1種とを含有させ
て感光性組成物とする。これにより、光感応性化合物と
しての光酸発生剤の失活の問題を解消した、感光性組成
物とすることができる。この感光性組成物は、一般にネ
ガ型に機能するものである。この感光性組成物は、いわ
ゆる化学増幅型レジストとして、機能しうるものであ
る。
合物として光酸発生剤が少なくとも1種と、樹脂成分
と、上記光酸発生剤が感光して発生する酸によって架橋
反応を起こす架橋剤(たとえばヘキサメトキシメチルメ
ラミンや、後記光酸発生剤として例示の4−2の化合物
や、また、C6 H4 (CCl3 )2 、C6 H4 (CBr
3 )2 など)が少なくとも1種と、脂肪族系アミンある
いは脂肪族系アミンの塩の少なくとも1種とを含有させ
て感光性組成物とする。これにより、光感応性化合物と
しての光酸発生剤の失活の問題を解消した、感光性組成
物とすることができる。この感光性組成物は、一般にネ
ガ型に機能するものである。この感光性組成物は、いわ
ゆる化学増幅型レジストとして、機能しうるものであ
る。
【0027】本発明の実施に際して、脂肪族系アミンあ
るいは脂肪族系アミンの塩として、特に、多環性の化合
物を用いてこれを添加するようにすれば、ドライエッチ
ング耐性が大きい感光性組成物とすることができる。
るいは脂肪族系アミンの塩として、特に、多環性の化合
物を用いてこれを添加するようにすれば、ドライエッチ
ング耐性が大きい感光性組成物とすることができる。
【0028】本発明で用いる脂肪族系アミンあるいは脂
肪族系アミンの塩は、芳香族環を含まないことが必須で
あるが、加えて、適当な溶媒に対して溶解性があり、か
つ、樹脂のマトリックス中に展開したときに相分離して
固化することなく、また、適当な融点を有し、容易には
蒸発しないものであることが好ましい。
肪族系アミンの塩は、芳香族環を含まないことが必須で
あるが、加えて、適当な溶媒に対して溶解性があり、か
つ、樹脂のマトリックス中に展開したときに相分離して
固化することなく、また、適当な融点を有し、容易には
蒸発しないものであることが好ましい。
【0029】本発明の実施に際して、好ましく用いるこ
とができる脂肪族系アミン(または脂肪族系アミンの
塩)は、以下に例示されるものである。以下の例示で、
塩の形で表記していないものは、その塩も、好ましく用
いることができる。 2−アミノ−シクロヘキサノールハイドロクロライ
ド 2−アミノ−2−メチル−1,3−プロパンジオー
ル 2−アミノ−2−エチル−1,3−プロパンジオー
ル 6−アミノ−2−エチル−1−ヘキサノール TRIS(trimethane) 2−アミノ−2−(ヒドロキシメチル)−1,3−プロ
パンジオール 2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール 3−amino nor−adamantane ′3−amino nor−adamantane
hydrochloride 2−aminoadamantane 1−aminoadamantane 10 2−amino norbornene(hy
drochloride) 11 1,5−dimethyl−hexylami
n 12 1−(3−aminopropyl)−2−p
ipecoline 13 1−(3−aminopropyl)−2−p
yrrolidinone 以下に各化合物の構造式を示す。
とができる脂肪族系アミン(または脂肪族系アミンの
塩)は、以下に例示されるものである。以下の例示で、
塩の形で表記していないものは、その塩も、好ましく用
いることができる。 2−アミノ−シクロヘキサノールハイドロクロライ
ド 2−アミノ−2−メチル−1,3−プロパンジオー
ル 2−アミノ−2−エチル−1,3−プロパンジオー
ル 6−アミノ−2−エチル−1−ヘキサノール TRIS(trimethane) 2−アミノ−2−(ヒドロキシメチル)−1,3−プロ
パンジオール 2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール 3−amino nor−adamantane ′3−amino nor−adamantane
hydrochloride 2−aminoadamantane 1−aminoadamantane 10 2−amino norbornene(hy
drochloride) 11 1,5−dimethyl−hexylami
n 12 1−(3−aminopropyl)−2−p
ipecoline 13 1−(3−aminopropyl)−2−p
yrrolidinone 以下に各化合物の構造式を示す。
【0030】
【化1】
【0031】
【化2】
【0032】
【化3】
【0033】
【化4】
【0034】本発明の実施に際して、好ましく用いるこ
とができる保護基を、以下に例示する。以下に例示する
のは、水酸基、たとえばフェノール性水酸基の保護基で
あるが、その他保護すべき基に応じて、適宜の保護基を
用いることができる。 (1) t−BOC基 (2) i−PrOC基 (3) THP基 (4) TMS基 (5) t−BOC−CH2 基 以下に各基の構造式を示す。
とができる保護基を、以下に例示する。以下に例示する
のは、水酸基、たとえばフェノール性水酸基の保護基で
あるが、その他保護すべき基に応じて、適宜の保護基を
用いることができる。 (1) t−BOC基 (2) i−PrOC基 (3) THP基 (4) TMS基 (5) t−BOC−CH2 基 以下に各基の構造式を示す。
【0035】
【化5】
【0036】本発明の実施に際して、好ましく用いるこ
とができる光酸発生剤を、以下に例示する。 1−1 オニウム塩 2−1 O−ニトロベンジルエステル 3−1 N−iminosulfonates 3−2 1,2−diazonaphthoquino
ne−4−sulfonates 3−3 α−sulfonyloxyyketones 3−4 α−hydroxymethylbenzoi
n sulfonicacid esters 4−1 DDT誘導体 4−2 Tris−(trichloromethy
l)−S−triazines 4−3 trichloroacetophenone 5−1 disulfones 5−2 bis(arylsulfonyl)diaz
omethanes 5−3 arylcarbonyl arylsulf
onyl diazomethanes 以下に各化合物の構造式を示す。
とができる光酸発生剤を、以下に例示する。 1−1 オニウム塩 2−1 O−ニトロベンジルエステル 3−1 N−iminosulfonates 3−2 1,2−diazonaphthoquino
ne−4−sulfonates 3−3 α−sulfonyloxyyketones 3−4 α−hydroxymethylbenzoi
n sulfonicacid esters 4−1 DDT誘導体 4−2 Tris−(trichloromethy
l)−S−triazines 4−3 trichloroacetophenone 5−1 disulfones 5−2 bis(arylsulfonyl)diaz
omethanes 5−3 arylcarbonyl arylsulf
onyl diazomethanes 以下に各化合物の構造式を示す。
【0037】
【化6】
【0038】
【化7】
【0039】
【化8】
【0040】
【化9】
【0041】以下に具体的な実施の形態例について詳述
することにより、本発明をさらに説明する。ただし本発
明は、以下の形態例に限定されない。 実施の形態例1 この実施の形態例においては、2成分系化学増幅型ポジ
レジストとして、PHS(ポリヒドロキシスチレン、分
子量10,000)の30%のフェノール性水酸基が、
tBOC基(例示保護基の(1))で保護されたもの
に、光酸発生剤として、トリフェニルホスホトリフラー
ト(例示の光酸発生剤の1−1において、n=3、X=
CF3 SO3 の場合の化合物)を5重量%含有させたも
のを用いた。
することにより、本発明をさらに説明する。ただし本発
明は、以下の形態例に限定されない。 実施の形態例1 この実施の形態例においては、2成分系化学増幅型ポジ
レジストとして、PHS(ポリヒドロキシスチレン、分
子量10,000)の30%のフェノール性水酸基が、
tBOC基(例示保護基の(1))で保護されたもの
に、光酸発生剤として、トリフェニルホスホトリフラー
ト(例示の光酸発生剤の1−1において、n=3、X=
CF3 SO3 の場合の化合物)を5重量%含有させたも
のを用いた。
【0042】現像は、2.38重量%TMAH(トリメ
チルアンモニウムハイドロオキサイト)現像液を用いた
パドル現像で行い、PEB(露光後ベーク)は、すべ
て、120℃、1分とした。
チルアンモニウムハイドロオキサイト)現像液を用いた
パドル現像で行い、PEB(露光後ベーク)は、すべ
て、120℃、1分とした。
【0043】露光は、KrFエキシマレーザー光(波長
248nm)を用いて、レチクルのパターンの縮小投影
露光を行った。具体的には、ニコン株式会社製KrFエ
キシマレーザーステッパXSR1505EX(NA=
0.42、σ=0.5)を用い、0.35μmライン・
アンド・パターンを有する5:1のレチクルを用いて、
パターン転写露光を行った。
248nm)を用いて、レチクルのパターンの縮小投影
露光を行った。具体的には、ニコン株式会社製KrFエ
キシマレーザーステッパXSR1505EX(NA=
0.42、σ=0.5)を用い、0.35μmライン・
アンド・パターンを有する5:1のレチクルを用いて、
パターン転写露光を行った。
【0044】基板としては、参照用にベアシリコン基板
を用いた。裾引き、あるいはアンダーカットの発生しや
すい基板として、シリコンの上に、TiN(チタンナイ
トライド)を成膜したものを用いた。TiNは、光酸発
生剤(がもたらす酸)に対してこれを失活させる傾向が
かなり大きいものである。具体的にはここでは、シリコ
ンの上にTiN(チタンナイトライド)を300Å積層
したものを用いた。評価としては、この例はポジ型レジ
ストの場合であるので、レジストの裾引き(両側に発
生)について、その裾引きの片側の長さ(μm)で示し
た(図2にL1で示す部分の長さである)。
を用いた。裾引き、あるいはアンダーカットの発生しや
すい基板として、シリコンの上に、TiN(チタンナイ
トライド)を成膜したものを用いた。TiNは、光酸発
生剤(がもたらす酸)に対してこれを失活させる傾向が
かなり大きいものである。具体的にはここでは、シリコ
ンの上にTiN(チタンナイトライド)を300Å積層
したものを用いた。評価としては、この例はポジ型レジ
ストの場合であるので、レジストの裾引き(両側に発
生)について、その裾引きの片側の長さ(μm)で示し
た(図2にL1で示す部分の長さである)。
【0045】また、環境雰囲気に対する試験としては、
HMDS(ヘキサメチルジシラザン)を充満させたデシ
ケーターに、1分放置することで、行った。評価として
は、この例はポジ型レジストの場合であるので、レジス
トのT−top(両側に発生)について、そのT−to
pの片側の長さ(μm)で示した(図1にL3で示す部
分の長さである)。
HMDS(ヘキサメチルジシラザン)を充満させたデシ
ケーターに、1分放置することで、行った。評価として
は、この例はポジ型レジストの場合であるので、レジス
トのT−top(両側に発生)について、そのT−to
pの片側の長さ(μm)で示した(図1にL3で示す部
分の長さである)。
【0046】上記したポジレジストに、脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩を添加したものと、これを
添加しない場合(比較)のレジストを用いて、上記した
条件で露光、現像を行い、得られたレジストの形状を比
較した。次の表1及び表2に、添加した脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩の種類(前記例示の化合物
ナンバーで示す。以下の表においても同じ)と、得られ
た結果を示す。脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミン
の塩の添加量は、すべて0.5重量%とした。なお別
途、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加
量を、0.1重量%とした場合についても実施したが、
ほぼ同様の結果が得られた。ただし、添加量を、0.0
1重量%とした場合の実施結果では、やや裾引きが多く
なる傾向があった。
あるいは脂肪族系アミンの塩を添加したものと、これを
添加しない場合(比較)のレジストを用いて、上記した
条件で露光、現像を行い、得られたレジストの形状を比
較した。次の表1及び表2に、添加した脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩の種類(前記例示の化合物
ナンバーで示す。以下の表においても同じ)と、得られ
た結果を示す。脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミン
の塩の添加量は、すべて0.5重量%とした。なお別
途、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加
量を、0.1重量%とした場合についても実施したが、
ほぼ同様の結果が得られた。ただし、添加量を、0.0
1重量%とした場合の実施結果では、やや裾引きが多く
なる傾向があった。
【0047】
【表1】
【0048】
【表2】
【0049】表より、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系
アミンの塩の添加の無い比較の場合には、裾引きについ
ては裾引きが長く延びてボトム(レジストパターン間の
底部)がつながってしまい、T−Topについてはやは
りレジストパターンの頭頂部に生じたひさし状の不整部
がつながってしまって所望のパターン形状が得られない
のに対し、本発明を適用した場合は、裾引き、食い込み
といった形状不整が大幅に解消されていることがわか
る。
アミンの塩の添加の無い比較の場合には、裾引きについ
ては裾引きが長く延びてボトム(レジストパターン間の
底部)がつながってしまい、T−Topについてはやは
りレジストパターンの頭頂部に生じたひさし状の不整部
がつながってしまって所望のパターン形状が得られない
のに対し、本発明を適用した場合は、裾引き、食い込み
といった形状不整が大幅に解消されていることがわか
る。
【0050】また、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系ア
ミンの塩のうちでも、、、、、(10)を添加
したものは、ドライエッチング耐性が、5%向上(つま
りその分、エッチング速度が遅くなる)していた。
ミンの塩のうちでも、、、、、(10)を添加
したものは、ドライエッチング耐性が、5%向上(つま
りその分、エッチング速度が遅くなる)していた。
【0051】なお、脂肪族系アミンあるいは脂肪族系ア
ミンの塩の添加量と効果の関係は、次のようであった。
すなわち、0.2重量%、0.35重量%の添加では、
0.5重量%の場合とほぼ同様の感度が得られ、形状不
整防止効果も同様であった。0.65重量%、0.8重
量%、0.95重量%の添加で、形状不整防止効果は同
様であったが、感度がやや劣化する傾向があったが、実
用上差し差支えない程度であった。1重量%を超える
と、感度はかなり悪化し、0.5重量%の場合の10倍
の感度劣化がみられた。
ミンの塩の添加量と効果の関係は、次のようであった。
すなわち、0.2重量%、0.35重量%の添加では、
0.5重量%の場合とほぼ同様の感度が得られ、形状不
整防止効果も同様であった。0.65重量%、0.8重
量%、0.95重量%の添加で、形状不整防止効果は同
様であったが、感度がやや劣化する傾向があったが、実
用上差し差支えない程度であった。1重量%を超える
と、感度はかなり悪化し、0.5重量%の場合の10倍
の感度劣化がみられた。
【0052】本実施の形態例によれば、以上のようにす
ることによって、耐環境性や、耐基板性のすぐれた、化
学増幅型ポジ型感光性組成物を提供することができた。
多環式化合物を利用すれば、ドライエッチング耐性の向
上も可能だった。これらの材料を使用することにより、
環境の清浄化処理(たとえばフィルター処理)の省略
や、簡略化を行うことができる。また、基板の処理など
を省略したり、簡単に済ませても、問題は生じない。す
なわち、このような処理を省略ないしは、簡略化して
も、寸法精度にすぐれ、かつ、断面形状にもT−top
や裾引きなどの異常が生じない、レジストプロセスを実
現することが、可能となったのである。
ることによって、耐環境性や、耐基板性のすぐれた、化
学増幅型ポジ型感光性組成物を提供することができた。
多環式化合物を利用すれば、ドライエッチング耐性の向
上も可能だった。これらの材料を使用することにより、
環境の清浄化処理(たとえばフィルター処理)の省略
や、簡略化を行うことができる。また、基板の処理など
を省略したり、簡単に済ませても、問題は生じない。す
なわち、このような処理を省略ないしは、簡略化して
も、寸法精度にすぐれ、かつ、断面形状にもT−top
や裾引きなどの異常が生じない、レジストプロセスを実
現することが、可能となったのである。
【0053】実施の形態例2 この実施の形態例においては、3成分系化学増幅型ポジ
レジストとして、保護していないPHS(ポリヒドロキ
シスチレン、分子量12,000)に、上記実施の形態
例1におけると同じ光酸発生剤を添加し、溶解抑止剤と
して、ビスフェノールAの水酸基をtBOC基(例示保
護基の(1))で保護したものを、30重量%加えたも
のを用いた。
レジストとして、保護していないPHS(ポリヒドロキ
シスチレン、分子量12,000)に、上記実施の形態
例1におけると同じ光酸発生剤を添加し、溶解抑止剤と
して、ビスフェノールAの水酸基をtBOC基(例示保
護基の(1))で保護したものを、30重量%加えたも
のを用いた。
【0054】基板としては、実施の形態例1と同じく、
参照用にベアシリコン基板を用い、裾引き、あるいはア
ンダーカットの発生しやすい基板として、シリコンの上
に、TiN(チタンナイトライド)を成膜したものを用
いた。具体的にはここでも、シリコンの上にTiN(チ
タンナイトライド)を300Å積層したものを用いた。
評価としては、この例はポジ型レジストの場合であるの
で、レジストの裾引き(両側に発生)について、その裾
引きの片側の長さ(μm)で示した(図2にL1で示す
部分の長さである)。
参照用にベアシリコン基板を用い、裾引き、あるいはア
ンダーカットの発生しやすい基板として、シリコンの上
に、TiN(チタンナイトライド)を成膜したものを用
いた。具体的にはここでも、シリコンの上にTiN(チ
タンナイトライド)を300Å積層したものを用いた。
評価としては、この例はポジ型レジストの場合であるの
で、レジストの裾引き(両側に発生)について、その裾
引きの片側の長さ(μm)で示した(図2にL1で示す
部分の長さである)。
【0055】また、環境雰囲気に対する試験としては、
実施の形態例1と同じく、HMDS(ヘキサメチルジシ
ラザン)を充満させたデシケーターに、1分放置するこ
とで、行った。評価としては、ポジ型レジストの場合は
レジストのT−top(両側に発生)について、そのT
−topの片側の長さ(μm)で示した(図1にL3で
示す部分の長さである)。
実施の形態例1と同じく、HMDS(ヘキサメチルジシ
ラザン)を充満させたデシケーターに、1分放置するこ
とで、行った。評価としては、ポジ型レジストの場合は
レジストのT−top(両側に発生)について、そのT
−topの片側の長さ(μm)で示した(図1にL3で
示す部分の長さである)。
【0056】上記したポジレジストに、脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩を添加したものと、これを
添加しない場合(比較)のレジストを用いて、上記した
条件で露光、現像を行い、得られたレジストの形状を比
較した。次の表3及び表4に、添加した脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩の種類と、得られた結果を
示す。脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添
加量は、すべて0.5重量%とした。なお別途、脂肪族
系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加量を、0.
1重量%とした場合についても実施したが、ほぼ同様の
結果が得られた。ただし、添加量を、0.01重量%と
した場合の実施結果では、やや裾引きが多くなる傾向が
あった。
あるいは脂肪族系アミンの塩を添加したものと、これを
添加しない場合(比較)のレジストを用いて、上記した
条件で露光、現像を行い、得られたレジストの形状を比
較した。次の表3及び表4に、添加した脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩の種類と、得られた結果を
示す。脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添
加量は、すべて0.5重量%とした。なお別途、脂肪族
系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加量を、0.
1重量%とした場合についても実施したが、ほぼ同様の
結果が得られた。ただし、添加量を、0.01重量%と
した場合の実施結果では、やや裾引きが多くなる傾向が
あった。
【0057】
【表3】
【0058】
【表4】
【0059】本実施の形態例においても、表より、脂肪
族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加の無い比
較の場合には、裾引きについては裾引きが長く延びてボ
トム(レジストパターン間の底部)がつながってしま
い、T−Topについてはやはりレジストパターンの頭
頂部に生じたひさし状の不整部がつながってしまって所
望のパターン形状が得られないのに対し、本発明を適用
した場合は、裾引き、食い込みといった形状不整が大幅
に解消されていることがわかる。
族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加の無い比
較の場合には、裾引きについては裾引きが長く延びてボ
トム(レジストパターン間の底部)がつながってしま
い、T−Topについてはやはりレジストパターンの頭
頂部に生じたひさし状の不整部がつながってしまって所
望のパターン形状が得られないのに対し、本発明を適用
した場合は、裾引き、食い込みといった形状不整が大幅
に解消されていることがわかる。
【0060】また、本実施の形態例においても、脂肪族
系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩のうちでも、、
、、、(10)を添加したものは、ドライエッチ
ング耐性が、5%向上していた。
系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩のうちでも、、
、、、(10)を添加したものは、ドライエッチ
ング耐性が、5%向上していた。
【0061】なお、添加量を増やすと、感度低下が著し
くなった。最大、1重量%添加した場合、感度は、10
倍に、悪くなった。
くなった。最大、1重量%添加した場合、感度は、10
倍に、悪くなった。
【0062】本実施の形態例によれば、以上のようにす
ることによって、耐環境性や、耐基板性のすぐれた、化
学増幅型ポジ型感光性組成物を提供することができた。
多環式化合物を利用すれば、ドライエッチング耐性の向
上も可能だった。これらの材料を使用することにより、
環境の清浄化処理(たとえばフィルター処理)の省略
や、簡略化を行うことができる。また、基板の処理など
を省略したり、簡単に済ませても、問題は生じない。す
なわち、このような処理を省略ないしは、簡略化して
も、寸法精度にすぐれ、かつ、断面形状にもT−top
や裾引きなどの異常が生じない、レジストプロセスを実
現することが、可能となったのである。
ることによって、耐環境性や、耐基板性のすぐれた、化
学増幅型ポジ型感光性組成物を提供することができた。
多環式化合物を利用すれば、ドライエッチング耐性の向
上も可能だった。これらの材料を使用することにより、
環境の清浄化処理(たとえばフィルター処理)の省略
や、簡略化を行うことができる。また、基板の処理など
を省略したり、簡単に済ませても、問題は生じない。す
なわち、このような処理を省略ないしは、簡略化して
も、寸法精度にすぐれ、かつ、断面形状にもT−top
や裾引きなどの異常が生じない、レジストプロセスを実
現することが、可能となったのである。
【0063】実施の形態例3 この実施の形態例においては、ネガ型化学増幅型レジス
トとして、PHS(ポリヒドロキシスチレン、分子量
4,000)に、架橋剤としてHMMM(ヘキサメトキ
シメチルメラミン)を20重量%、光酸発生剤として、
トリストリクロロメチル−s−トリアジンを5重量%加
えたものを用いた。この光酸発生剤であるトリクロロメ
チル−s−トリアジンは、例示の4−2のRがCCl3
の場合の化合物である。
トとして、PHS(ポリヒドロキシスチレン、分子量
4,000)に、架橋剤としてHMMM(ヘキサメトキ
シメチルメラミン)を20重量%、光酸発生剤として、
トリストリクロロメチル−s−トリアジンを5重量%加
えたものを用いた。この光酸発生剤であるトリクロロメ
チル−s−トリアジンは、例示の4−2のRがCCl3
の場合の化合物である。
【0064】基板としては、実施の形態例1と同じく、
参照用にベアシリコン基板を用い、裾引き、あるいはア
ンダーカットの発生しやすい基板として、シリコンの上
に、TiN(チタンナイトライド)を成膜したものを用
いた。具体的にはここでも、シリコンの上にTiN(チ
タンナイトライド)を300Å積層したものを用いた。
評価としては、この例はネガ型レジストの場合であるの
で、レジスト下部のアンダーカット(食い込み)(両側
に発生)について、そのアンダーカットの片側の長さ
(μm)で示した(図2にL2で示す部分の長さであ
る)。
参照用にベアシリコン基板を用い、裾引き、あるいはア
ンダーカットの発生しやすい基板として、シリコンの上
に、TiN(チタンナイトライド)を成膜したものを用
いた。具体的にはここでも、シリコンの上にTiN(チ
タンナイトライド)を300Å積層したものを用いた。
評価としては、この例はネガ型レジストの場合であるの
で、レジスト下部のアンダーカット(食い込み)(両側
に発生)について、そのアンダーカットの片側の長さ
(μm)で示した(図2にL2で示す部分の長さであ
る)。
【0065】また、環境雰囲気に対する試験としては、
実施の形態例1と同様に、HMDS(ヘキサメチルジシ
ラザン)を充満させたデシケーターに、1分放置するこ
とで、行った。評価としては、ネガ型レジストの場合で
あるので、レジスト上部のラウンディング(丸まり)
(両側に発生)について、そのラウンディングの片側の
長さ(μm)で示した(図1にL4で示す部分の長さで
ある)。
実施の形態例1と同様に、HMDS(ヘキサメチルジシ
ラザン)を充満させたデシケーターに、1分放置するこ
とで、行った。評価としては、ネガ型レジストの場合で
あるので、レジスト上部のラウンディング(丸まり)
(両側に発生)について、そのラウンディングの片側の
長さ(μm)で示した(図1にL4で示す部分の長さで
ある)。
【0066】上記したネガレジストに、脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩を添加したものと、これを
添加しない場合(比較)のレジストを用いて、上記した
条件で露光、現像を行い、得られたレジストの形状を比
較した。次の表5及び表6に、添加した脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩の種類と、得られた結果を
示す。脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添
加量は、すべて0.5重量%とした。なお別途、脂肪族
系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加量を、0.
1重量%とした場合についても実施したが、ほぼ同様の
結果が得られた。ただし、添加量を、0.01重量%と
した場合の実施結果では、ややアンダーカットが多くな
る傾向があった。
あるいは脂肪族系アミンの塩を添加したものと、これを
添加しない場合(比較)のレジストを用いて、上記した
条件で露光、現像を行い、得られたレジストの形状を比
較した。次の表5及び表6に、添加した脂肪族系アミン
あるいは脂肪族系アミンの塩の種類と、得られた結果を
示す。脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添
加量は、すべて0.5重量%とした。なお別途、脂肪族
系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加量を、0.
1重量%とした場合についても実施したが、ほぼ同様の
結果が得られた。ただし、添加量を、0.01重量%と
した場合の実施結果では、ややアンダーカットが多くな
る傾向があった。
【0067】
【表5】
【0068】
【表6】
【0069】本実施の形態例においては、表より、脂肪
族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加の無い比
較の場合には、レジストパターン底部の食い込み(アン
ダーカット)については、ボトムの食い込みによりレジ
ストパターンが倒れてしまい、レジストパターンの頭頂
部のラウンディングについては、顕著な丸まりが生じ
て、所望のパターン形状が得られないのに対し、本発明
を適用した場合は、レジストパターン底部の食い込み、
レジストパターンの頭頂部のラウンディングといった形
状不整が大幅に解消されていることがわかる。
族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加の無い比
較の場合には、レジストパターン底部の食い込み(アン
ダーカット)については、ボトムの食い込みによりレジ
ストパターンが倒れてしまい、レジストパターンの頭頂
部のラウンディングについては、顕著な丸まりが生じ
て、所望のパターン形状が得られないのに対し、本発明
を適用した場合は、レジストパターン底部の食い込み、
レジストパターンの頭頂部のラウンディングといった形
状不整が大幅に解消されていることがわかる。
【0070】また、本実施の形態例においても、脂肪族
系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩のうちでも、、
、、、(10)を添加したものは、ドライエッチ
ング耐性が、5%向上していた。
系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩のうちでも、、
、、、(10)を添加したものは、ドライエッチ
ング耐性が、5%向上していた。
【0071】なお、添加量を増やすと、感度低下が著し
くなった。最大、1重量%をわずかに超えて添加した場
合、感度は、10倍に、悪くなった。
くなった。最大、1重量%をわずかに超えて添加した場
合、感度は、10倍に、悪くなった。
【0072】本実施の形態例によれば、以上のようにす
ることによって、耐環境性や、耐基板性のすぐれた、化
学増幅型ネガ型感光性組成物を提供することができた。
ここでも、多環式化合物を利用すれば、ドライエッチン
グ耐性の向上も可能だった。これらの材料を使用するこ
とにより、環境の清浄化処理(たとえばフィルター処
理)や、基板の処理などを省略したり、簡単に済ませて
も、寸法精度にすぐれ、かつ、断面形状にも底部の食い
込みや、頭頂部の丸まりなどの異常が生じない、レジス
トプロセスが、提供できる。
ることによって、耐環境性や、耐基板性のすぐれた、化
学増幅型ネガ型感光性組成物を提供することができた。
ここでも、多環式化合物を利用すれば、ドライエッチン
グ耐性の向上も可能だった。これらの材料を使用するこ
とにより、環境の清浄化処理(たとえばフィルター処
理)や、基板の処理などを省略したり、簡単に済ませて
も、寸法精度にすぐれ、かつ、断面形状にも底部の食い
込みや、頭頂部の丸まりなどの異常が生じない、レジス
トプロセスが、提供できる。
【0073】実施の形態例4 この実施の形態例は実施の形態例1の変形例であって、
ここでは、2成分系化学増幅型ポジレジストとして、P
HS(ポリヒドロキシスチレン、分子量10,000)
の30%のフェノール性水酸基を、tBOC基(例示保
護基の(1))に替えて、t−BOC−CH2 基(例示
の保護基の(5))、THP基(例示の保護基の
(3))、i−PrOCO−基(例示の保護基の
(2))、(CH3 )3 −Si−基(例示の保護基の
(4))、またはエチルビニルエーテル基で保護された
ものをそれぞれ用い、光酸発生剤として、実施の形態例
1と同じくトリフェニルホスホトリフラート(例示の光
酸発生剤の1−1において、n=3、X=CF3 SO3
の場合の化合物)、または、例示の光酸発生剤の2−
1、3−1〜3−4、4−1〜4−3、5−1〜5−3
をそれぞれ用いて0.5重量%含有させた組成物を用い
て、実施の形態例1と同様に実施した。この結果、脂肪
族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加の効果に
ついて、実施の形態例1とほぼ同様の結果が得られた。
ここでは、2成分系化学増幅型ポジレジストとして、P
HS(ポリヒドロキシスチレン、分子量10,000)
の30%のフェノール性水酸基を、tBOC基(例示保
護基の(1))に替えて、t−BOC−CH2 基(例示
の保護基の(5))、THP基(例示の保護基の
(3))、i−PrOCO−基(例示の保護基の
(2))、(CH3 )3 −Si−基(例示の保護基の
(4))、またはエチルビニルエーテル基で保護された
ものをそれぞれ用い、光酸発生剤として、実施の形態例
1と同じくトリフェニルホスホトリフラート(例示の光
酸発生剤の1−1において、n=3、X=CF3 SO3
の場合の化合物)、または、例示の光酸発生剤の2−
1、3−1〜3−4、4−1〜4−3、5−1〜5−3
をそれぞれ用いて0.5重量%含有させた組成物を用い
て、実施の形態例1と同様に実施した。この結果、脂肪
族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加の効果に
ついて、実施の形態例1とほぼ同様の結果が得られた。
【0074】実施の形態例5 この実施の形態例は実施の形態例2の変形例であって、
ここでは、3成分系化学増幅型ポジレジストとして、保
護していないPHS(ポリヒドロキシスチレン、分子量
12,000)に、上記実施の形態例4におけると同じ
く各種の例示の光酸発生剤を添加するとともに、溶解抑
止剤としては、ビスフェノールAの水酸基をtBOC基
で保護したものに替えて、コレステロールの水酸基が同
様に保護されたものを用いて、その他は実施の形態例2
と同じく、実施した。この結果、脂肪族系アミンあるい
は脂肪族系アミンの塩の添加の効果について、実施の形
態例1とほぼ同様の結果が得られた。
ここでは、3成分系化学増幅型ポジレジストとして、保
護していないPHS(ポリヒドロキシスチレン、分子量
12,000)に、上記実施の形態例4におけると同じ
く各種の例示の光酸発生剤を添加するとともに、溶解抑
止剤としては、ビスフェノールAの水酸基をtBOC基
で保護したものに替えて、コレステロールの水酸基が同
様に保護されたものを用いて、その他は実施の形態例2
と同じく、実施した。この結果、脂肪族系アミンあるい
は脂肪族系アミンの塩の添加の効果について、実施の形
態例1とほぼ同様の結果が得られた。
【0075】実施の形態例6 この実施の形態例も実施の形態例2の変形例であって、
ここでは、3成分系化学増幅型ポジレジストとして、保
護していないPHS(ポリヒドロキシスチレン、分子量
12,000)に、上記実施の形態例4におけると同じ
く各種の例示の光酸発生剤を添加するとともに、溶解抑
止剤としては、N−Oアセタール誘導体を用いて、その
他は実施の形態例2と同じく、実施した。この結果、脂
肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加の効果
について、実施の形態例1とほぼ同様の結果が得られ
た。
ここでは、3成分系化学増幅型ポジレジストとして、保
護していないPHS(ポリヒドロキシスチレン、分子量
12,000)に、上記実施の形態例4におけると同じ
く各種の例示の光酸発生剤を添加するとともに、溶解抑
止剤としては、N−Oアセタール誘導体を用いて、その
他は実施の形態例2と同じく、実施した。この結果、脂
肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の添加の効果
について、実施の形態例1とほぼ同様の結果が得られ
た。
【0076】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、光酸
発生剤等の光感応性化合物を含有する感光性組成物にお
いて、失活の問題を効果的に解決することができて、雰
囲気によらず、また被加工材によらずに良好なパターン
の形成に用いることができる組成物が得られた。また本
発明によれば、光酸発生剤の失活に対して効果的に作用
し、かつ、露光波長に対して吸収がなく、感度に不利を
及ぼさない感光性組成物を提供することが可能ならしめ
られた。
発生剤等の光感応性化合物を含有する感光性組成物にお
いて、失活の問題を効果的に解決することができて、雰
囲気によらず、また被加工材によらずに良好なパターン
の形成に用いることができる組成物が得られた。また本
発明によれば、光酸発生剤の失活に対して効果的に作用
し、かつ、露光波長に対して吸収がなく、感度に不利を
及ぼさない感光性組成物を提供することが可能ならしめ
られた。
【図1】 レジストパターンの形状不整を説明する模式
的断面図であり、ポジ型レジストの場合についての説明
図である。
的断面図であり、ポジ型レジストの場合についての説明
図である。
【図2】 レジストパターンの形状不整を説明する模式
的断面図であり、ネガ型レジストの場合についての説明
図である。
的断面図であり、ネガ型レジストの場合についての説明
図である。
1・・・レジストパターンの形状不整(T−top)、
2・・・レジストパターン、3・・・レジストパターン
の形状不整(裾引き)、4・・・レジストパターンの形
状不整(ラウンディング、丸まり)、5・・・レジスト
パターンの形状不整(アンダーカット、食い込み)、6
・・・基板。
2・・・レジストパターン、3・・・レジストパターン
の形状不整(裾引き)、4・・・レジストパターンの形
状不整(ラウンディング、丸まり)、5・・・レジスト
パターンの形状不整(アンダーカット、食い込み)、6
・・・基板。
Claims (11)
- 【請求項1】少なくとも1種の光感応性化合物を含有す
る感光性組成物において、 脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくと
も1種を、単体あるいは混合物で、1重量%以下の量で
含有することを特徴とする感光性組成物。 - 【請求項2】少なくとも1種の光感応性化合物を含有す
る感光性組成物において、 光感応性化合物として光酸発生剤が少なくとも1種と、 活性基の少なくとも一部が保護基により保護され、かつ
上記光酸発生剤が感光して発生する酸によってその保護
基が外されて反応性が変化する保護基含有化合物が少な
くとも1種と、 脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくと
も1種とが含有されることを特徴とする感光性組成物。 - 【請求項3】上記脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミ
ンの塩が、単体あるいは混合物で、1重量%以下の量で
含有されることを特徴とする請求項2に記載の感光性組
成物。 - 【請求項4】上記保護基含有化合物が、ポリヒドロキシ
スチレンの水酸基の少なくとも一部が保護基により保護
された化合物であることを特徴とする請求項2に記載の
感光性組成物。 - 【請求項5】少なくとも1種の光感応性化合物を含有す
る感光性組成物において、 ベース樹脂と、 光感応性化合物として光酸発生剤が少なくとも1種と、 上記光酸発生剤が感光して発生する酸によって溶解抑止
性が変化する溶解抑止剤と、 脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくと
も1種とが含有されることを特徴とする感光性組成物。 - 【請求項6】上記脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミ
ンの塩が、単体あるいは混合物で、1重量%以下の量で
含有されることを特徴とする請求項5に記載の感光性組
成物。 - 【請求項7】上記溶解抑止剤が、活性基の少なくとも一
部が保護基により保護され、かつ上記光酸発生剤が感光
して発生する酸によってその保護基が外されて反応性が
変化する保護基含有化合物であることを特徴とする請求
項5に記載の感光性組成物。 - 【請求項8】上記溶解抑止剤が、ポリヒドロキシスチレ
ンの水酸基の少なくとも一部が保護基により保護された
化合物、もしくは、コレステロールの水酸基が保護基に
より保護された化合物であることを特徴とする請求項7
に記載の感光性組成物。 - 【請求項9】上記溶解抑止剤が、N−Oアセタール誘導
体であることを特徴とする請求項7に記載の感光性組成
物。 - 【請求項10】少なくとも1種の光感応性化合物を含有
する感光性組成物において、 光感応性化合物として光酸発生剤が少なくとも1種と、 樹脂成分と、 上記光酸発生剤が感光して発生する酸によって架橋反応
を起こす架橋剤が少なくとも1種と、 脂肪族系アミンあるいは脂肪族系アミンの塩の少なくと
も1種とが含有されることを特徴とする感光性組成物。 - 【請求項11】上記脂肪族系アミンあるいは脂肪族系ア
ミンの塩が、単体あるいは混合物で、1重量%以下の量
で含有されることを特徴とする請求項10に記載の感光
性組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8141897A JPH09325496A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 感光性組成物 |
| US08/867,945 US5981139A (en) | 1996-06-04 | 1997-06-03 | Photosensitive composition containing an aliphaticamine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8141897A JPH09325496A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 感光性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09325496A true JPH09325496A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15302716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8141897A Pending JPH09325496A (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | 感光性組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5981139A (ja) |
| JP (1) | JPH09325496A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005003193A1 (ja) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| EP1522891A1 (en) | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive resist composition and pattern forming method using the same |
| EP1628159A2 (en) | 2004-08-18 | 2006-02-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical amplification resist composition and pattern-forming method using the same |
| JP2007522524A (ja) * | 2004-02-11 | 2007-08-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | クロム基板又は感応性基板上のパターン形成されたレジスト・プロファイルを向上させるための混合基の使用 |
| US7575851B2 (en) | 2004-06-28 | 2009-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Cationic photopolymerizable epoxy resin composition, minute structural member using the same and method for manufacturing minute structural member |
| EP2296040A1 (en) | 2001-07-05 | 2011-03-16 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3998105B2 (ja) * | 1998-02-04 | 2007-10-24 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| EP1828847B1 (en) * | 2004-12-22 | 2008-08-20 | Telecom Italia S.p.A. | Three-dimensional structures for an ink jet printhead and relevant manufacturing process |
| US20080292993A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-cationic polymerizable epoxy resin composition, liquid discharge head, and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3010607B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2000-02-21 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| DE4222968A1 (de) * | 1992-07-13 | 1994-01-20 | Hoechst Ag | Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial |
| JP3549592B2 (ja) * | 1994-11-02 | 2004-08-04 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 放射線感応性組成物 |
-
1996
- 1996-06-04 JP JP8141897A patent/JPH09325496A/ja active Pending
-
1997
- 1997-06-03 US US08/867,945 patent/US5981139A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2296040A1 (en) | 2001-07-05 | 2011-03-16 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition |
| EP2296039A1 (en) | 2001-07-05 | 2011-03-16 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition |
| WO2005003193A1 (ja) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| EP1522891A1 (en) | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive resist composition and pattern forming method using the same |
| JP2007522524A (ja) * | 2004-02-11 | 2007-08-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | クロム基板又は感応性基板上のパターン形成されたレジスト・プロファイルを向上させるための混合基の使用 |
| US7960095B2 (en) | 2004-02-11 | 2011-06-14 | International Business Machines Corporation | Use of mixed bases to enhance patterned resist profiles on chrome or sensitive substrates |
| US7575851B2 (en) | 2004-06-28 | 2009-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Cationic photopolymerizable epoxy resin composition, minute structural member using the same and method for manufacturing minute structural member |
| EP1628159A2 (en) | 2004-08-18 | 2006-02-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical amplification resist composition and pattern-forming method using the same |
| EP2031445A2 (en) | 2004-08-18 | 2009-03-04 | FUJIFILM Corporation | Chemical amplification resist composition and pattern-forming method using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5981139A (en) | 1999-11-09 |
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