JPH09326232A - プラズマディスプレイパネル基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガラス基板上に形成された電極とリブの間の
寸法バラツキの発生を防止すること。 【解決手段】 （イ）基板上に形成されたパタ−ン化電
極の上に、感光性レジスト膜を形成する工程、（ロ）前
記感光性レジスト膜を、前記パタ−ン化電極をマスクに
してパタ−ン化する工程、（ハ）前記パターン化して感
光性レジスト膜の除去された部分に無機ペ−ストを充填
する工程、（ニ）感光性レジスト膜を除去する工程、を
順次施すプラズマディスプレイパネル基板の製造方法。
また、感光性無機ペースト膜を、パターン化電極そのも
のをマスクにして露光、現像して、リブを形成するこ
と。更に、感光性ペースト反応拡散膜と拡散型無機ペー
スト膜を使用してリブを形成すること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネル基板の製造方法に関し、さらに詳しくは、リブ
（隔壁）を精度良く製造する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（以下、Ｐ
ＤＰと記する）は、図５に示すように、２枚の基板（前
面板である表示板１１と背面板１）とその基板間に設け
られたリブ４によって形成される微小空間内に、表示す
るための電極（透明電極１２、バス電極１３）、誘電層
１４、ＭｇＯ保護膜１５、アドレスするための電極２、
蛍光体１０、放電ガス（図示せず）を封入した放電空間
から成るセルが多数設けられて、各セル内の電極間の放
電により放電ガスを励起させ、この励起された放電ガス
が基底状態に戻る際に放出する紫外線により蛍光体１０
が発光し、画素を形成する表示装置である。

【０００３】従来のＰＤＰ基板の製造方法としては、図
４に示す様に、所定パタ−ンの電極２が形成されたガラ
ス基板上に、（ａ）セラミックス材料をバインダ−中に
分散させたリブ材を、スクリ−ン印刷法により直接パタ
−ン化し、重ね塗りにより（ホ）に示すリブ４を直接的
に形成するか、（ｂ）セラミックス材料をバインダ−中
に分散させたリブ材を、スクリ−ン印刷法により重ね塗
りして所定膜厚のリブ材層を形成した後（イ）、リブ材
層上に放電空間領域に対応したマスクを形成し（ロ）
（ハ）、露出したリブ材層をサンドブラスト法により除
去することにより（ニ）、所望するリブ４を形成した後
（ホ）、リブ４と電極２により形成された放電空間領域
内に蛍光体ペ−ストをスクリ−ン印刷法により直接パタ
−ン化するか、或いは、蛍光体ペ−ストを充填、乾燥
し、次いで実際の放電空間に対応したマスクを介して蛍
光体ペ−ストを電極が露出するまでサンドブラスト法に
より除去することでリブの内側に蛍光体が残存したＰＤ
Ｐ基板を製造する方法が知られている（特開平５−１８
２５９２号公報）。

【０００４】しかしながら、上記の方法で得られたＰＤ
Ｐ基板は、ガラス基板上に形成された電極とリブの間の
寸法バラツキ（図４（ホ）’）が発生しやすく、発光輝
度及び動作電圧のバラツキなどの問題が生じやすく高品
質の表示装置が得られないという欠点を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ガラス基板上に形成さ
れた電極とリブの間の寸法バラツキの発生原因は、電極
を形成する際の焼成温度がガラス基板の使用上限温度付
近のためにガラス基板が数十μｍのオ−ダ−で熱変形す
ることにある。即ち、電極が形成された時点では、少な
くとも電極形成に使用されたマスクパタン（或いはスク
リ−ンパタン）と実際の電極パタンにはズレが発生して
いる（対角１ｍで５０〜１００μｍ）。

【０００６】このズレが再現性を有しているなら、予め
熱変形を見込んで電極のマスクパタン（或いはスクリ−
ンパタン）を作成することで対策可能であるが、現実的
にはガラス基板のロット間バラツキがあるため、困難で
ある。

【０００７】本発明は、このような従来のＰＤＰ基板の
製造方法が有する欠点を克服し、ガラス基板上に形成さ
れた電極とリブの間の寸法バラツキが発生しにくく、発
光輝度及び動作電圧のバラツキのない高品質の表示装置
を与えるＰＤＰ基板を効率良く製造する方法を提供する
ことを目的としてなされたものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によると、電極と
リブの間の寸法バラツキを防止するためには、まず基板
上に形成されたパタ−ン化電極の上に感光性レジスト膜
を形成し、前記感光性レジスト膜を、パタ−ン化電極そ
のものをマスクにし、パタ−ン化すること等により、そ
の課題を解決することを見出し他。

【０００９】即ち、本発明は、（イ）基板上に形成され
たパタ−ン化電極の上に、感光性レジスト膜を形成する
工程、（ロ）前記感光性レジスト膜を、パタ−ン化電極
をマスクにしてパタ−ン化する工程、（ハ）前記パター
ン化して感光性レジスト膜の除去された部分に無機ペ−
ストを充填する工程、（ニ）感光性レジスト膜を除去す
る工程、を順次施すことを特徴とするプラズマディスプ
レイパネル基板の製造方法を提供するものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明の
詳細を説明する。

【００１１】図１は本発明方法の各工程を説明するプラ
ズマディスプレイパネル基板の断面図であり、（イ）工
程は、背面ガラス基板１上に形成されたアドレス電極２
の上に、レジスト膜３を形成する工程であって、この工
程においては、例えばガラスなどの基板上に、銀やニッ
ケル、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒなどの金属電極をスクリ−ン印
刷、或いはスパッタ蒸着などにより形成したのち、レジ
スト溶液、ドライフィルムを金属電極上にスクリ−ン印
刷、或いはラミネ−タ−等によりレジスト膜を形成す
る。

【００１２】この場合、使用されるレジスト膜は、ポジ
型であればどのようなものでも使用可能であるが、前記
レジスト膜の厚みがリブ厚みの上限となるため、所望す
るリブ厚み以上の膜が形成できなければならない。

【００１３】今回は、背面ガラス基板１上に所定パタ−
ンのアドレス電極であるＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ金属電極をス
パッタ蒸着で膜厚１．４μｍ（０．２／１．０／０．
２）で形成した後、膜厚が５０μｍのポジ型ドライフィ
ルムを３枚積層することでレジスト膜を形成した。ラミ
ネ−トは、自動ラミネ−ト機を使用し、処理条件はラミ
ネ−ト処理の前にガラス基板を７０〜１００℃で１０分
間予備加熱した後、ラミネ−トロ−ダ−を１１０〜１３
０℃に加熱し、毎分０．５〜１．０ｍで行った。その
後、ラミネ−ト処理したガラス基板を８０〜１００℃の
温度で１０分間プリベ−クを行った。

【００１４】本発明方法における（ロ）工程は、前記
（イ）工程で得られたレジスト膜３を、背面ガラス基板
１上に設けられた銀やニッケル、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒなど
の金属電極そのものをマスクにして露光（背面ガラス基
板側からの露光）、現像する工程である。今回は、平行
光露光装置で露光を行った。

【００１５】処理条件は、５ｋＷのメタルハライドラン
プを使用し、１４０ｃｍの距離で露光し、湿度４０％Ｒ
Ｈの条件下に５分以上静置し、その後、脱イオン水で希
釈したアルカリ性の現像液で現像した。基板は現像直後
によく水洗いし、その後完全に乾燥した。その後、１５
０℃で１０分間ポストベ−クを行った。

【００１６】本発明方法における（ハ）工程は、前記
（ロ）工程においてレジスト膜の除去された部分にリブ
材を充填する工程である。

【００１７】リブ材としては、例えば低融点ガラスとバ
インダ−と有機溶剤とから成るものが好ましく用いら
れ、この場合のバインダ−としては例えばメチルセルロ
−ス、エチルセルロ−スなどのセルロ−ス系、ポリビニ
ルアルコ−ル、ブチラ−ル化ポリビニルアルコ−ルなど
のビニル系、或いはアクリル酸エステル、メタクリル酸
エステルなどを単量体とするアクリル系の水溶性樹脂な
どが用いられる。

【００１８】これらのリブ材はスクリ−ン印刷などで形
成する。今回は、低融点ガラス７９．０重量部とエチル
セルロ−ス１．０重量部とをタ−ピネオ−ルとプロピレ
ングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トとの混合物
（重量比３：１）２０．０重量部に溶解、分散して成る
リブ用ペ−ストを、ステンレスのスクリ−ンを用いたス
クリ−ン印刷により、重ね塗りして乾燥、硬化し、膜厚
１７０μｍのリブペ−スト層４を形成した。その後、レ
ジスト膜３の表面に付着したリブ材を研磨して除去し
た。

【００１９】本発明方法における（ニ）工程は、レジス
ト膜３を除去する工程である。除去方法としては、リブ
を焼成しガラス化する際にレジスト膜３を同時に焼却す
る、或いは溶剤に浸漬して剥離するなどがある。今回
は、２０％のＮａＯＨ水溶液に浸漬してレジスト膜３を
剥離した。その後、リブをピ−ク温度５５０℃、１０分
間で焼成しガラス化した。

【００２０】図２は本発明方法において、感光性無機ペ
−スト膜を使用した場合の各工程を説明するプラズマデ
ィスプレイパネル基板の断面図であり、（イ）工程は、
背面ガラス基板１上に形成されたアドレス電極２の上
に、感光性無機ペ−スト膜５を形成する工程であって、
この工程においては、前述と同様な方法で金属電極を形
成したのち、感光性無機ペ−スト膜５を金属電極上にス
クリ−ン印刷、或いはラミネ−タ−等により形成する。

【００２１】この場合、使用される感光性無機ペ−スト
膜５は、ネガ型であればどのようなものでも使用可能で
あるが、前記感光性無機ペ−スト膜５の厚みがリブ厚み
の上限となるため、所望するリブ厚み以上の膜が形成で
きなければ成らない。

【００２２】今回は、背面ガラス基板１上に所定パタ−
ンのアドレス電極であるＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ金属電極をス
パッタ蒸着で膜厚１．４μｍ（０．２／１．０／０．
２）で形成した後、ネガ型感光性無機ペ−スト膜をスク
リ−ン印刷により１５０μｍの膜厚で形成した。

【００２３】本発明方法における（ロ）工程は、前記
（イ）工程で得られた感光性無機ペ−スト膜５を、ガラ
ス基板上に設けられた銀やニッケル、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ
などの金属電極をマスクにして露光、現像する工程であ
る。

【００２４】今回は、平行光露光装置で露光を行った。
処理条件は、５ｋＷのメタルハライドランプを使用し、
１４０ｃｍの距離で露光し、湿度４０％ＲＨの条件下に
５分以上静置し、その後、脱イオン水で希釈したアルカ
リ性の現像液で現像した。基板は現像直後によく水洗い
し、その後完全に乾燥した。その後、５５０℃（ピ−ク
保持１５分間）で焼成を行なった。

【００２５】図３は本発明方法において、感光性ペ−ス
ト反応拡散膜６と拡散型無機ペ−スト膜７を使用した場
合の各工程を説明するプラズマディスプレイパネル基板
の断面図である。ここで言う感光性ペ−スト反応拡散膜
とは、加熱などにより拡散型無機ペ−スト膜と反応し、
前記反応部が水和化等して、溶剤に流出する材料を指
す。

【００２６】（イ）工程は、背面ガラス基板１上に形成
されたアドレス電極２の上に、感光性ペ−スト反応拡散
膜６を形成する工程であって、この工程においては、前
述と同様な方法で金属電極を形成したのち、感光性ペ−
スト反応拡散膜６を金属電極上にスクリ−ン印刷、或い
はラミネ−タ−等により形成する。この場合、使用され
る感光性ペ−スト反応拡散膜６は、ポジ型であればどの
ようなものでも使用可能である。

【００２７】今回は、背面ガラス基板１上に所定パタ−
ンのアドレス電極であるＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ金属電極をス
パッタ蒸着で膜厚１．４μｍ（０．２／１．０／０．
２）で形成した後、ポジ型感光性ペ−スト反応拡散膜６
をスクリ−ン印刷により１０μｍの膜厚で形成した。

【００２８】（ロ）工程は、前記（イ）工程で得られた
感光性ペ−スト反応拡散膜６を、背面ガラス基板１上に
設けたアドレス電極２をマスクにして露光、現像する工
程である。今回は、平行光露光装置で露光を行った。処
理条件は、５ｋＷのメタルハライドランプを使用し、１
４０ｃｍの距離で露光し、湿度４０％ＲＨの条件下に５
分以上静置し、その後、脱イオン水で希釈したアルカリ
性の現像液で現像した。基板は現像直後によく水洗い
し、その後完全に乾燥した。

【００２９】（ハ）工程は、リブ材である拡散型無機ペ
−スト膜７を形成する工程である。拡散型無機ペ−スト
膜７は、前記した感光性ペ−スト反応拡散膜６と反応
し、反応した部分が水和化し、溶出する材料である。今
回は、拡散型無機ペ−スト膜７をスクリ−ン印刷により
１５０μｍの膜厚で形成した。

【００３０】（ニ）工程は、感光性ペ−スト反応拡散膜
６を拡散型無機ペ−スト膜７と反応させる工程である。
今回使用した感光性ペ−スト反応拡散膜と拡散型無機ペ
−スト膜は１２０℃以上で反応するように添加剤を調合
した。このため、１３０〜１４０℃のクリ−ンオ−ブン
中で６０分間反応させた。

【００３１】（ホ）工程は、（ニ）工程で反応させた無
機ペ−スト膜を除去する工程である。今回は、基板をよ
く水洗いし、その後完全に乾燥した。その後、５５０℃
（ピ−ク保持１５分間）で焼成を行なった。

【００３２】以上説明したような各製造工程で製作した
背面ガラス基板に、ＲＧＢの各蛍光体（平均粒径３μ
ｍ：蛍光体３０重量部、スクリ−ンオイル７０重量部を
ボ−ルミル中で３０分間かきまぜてペ−スト化）をスク
リ−ン印刷で形成し、５００℃で焼成した。その後、表
示電極、誘電体、ＭｇＯ保護膜の形成されたガラス基板
と本発明方法で形成した各ガラス基板を封着用ガラスを
用い、４５０℃で焼成、封着した。その後、排気しなが
らＭｇＯを活性化加熱（３５０℃×２時間）し、Ｎｅ−
Ｘｅ混合ガスを３００Ｔｏｒｒ封入し、ＰＤＰ基板を作
成した。

【００３３】以上のようにして得られたＰＤＰ基板につ
いて、アドレス電極とリブを観察したところ、いずれの
製造方法で形成した場合もパタ−ンのズレがなく、駆
動、発光させた結果、各放電セルが誤放電すること無く
駆動することが出来た。また、発光輝度及び動作電圧の
バラツキも無く、高品質の性能が得られた。

【００３４】

【発明の効果】本発明方法により、ガラス基板上に形成
された電極とリブの間の寸法バラツキの無い、発光輝度
及び動作電圧のバラツキの無い高品質の表示装置を与え
るＰＤＰ基板を効率良く製造することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】レジスト膜を使用した場合の各工程の一例を説
明するためのＰＤＰ基板製造工程図である。

【図２】感光性無機ペースト膜を使用した場合の各工程
の一例を説明するためのＰＤＰ基板製造工程図である。

【図３】感光性ペースト反応拡散膜と拡散型無機ペース
ト膜を使用した場合の各工程の一例を説明するためのＰ
ＤＰ基板製造工程図である。

【図４】従来方法の各工程の一例を説明するためのＰＤ
Ｐ基板製造工程図である。

【図５】ＰＤＰの構造説明図である。

【符号の説明】

１ 背面ガラス基板 ２ アドレス電極 ３ レジスト膜 ４ リブ、無機ペ−スト膜 ５ リブ、感光性無機ペ−スト膜 ６ 感光性ペ−スト反応拡散膜 ７ リブ、拡散型無機ペ−スト膜 ８ レジスト膜 ９ ガラスマスク １０ 蛍光体 １１ 前面ガラス基板 １２ 透明電極 １３ バス電極 １４ 誘電体 １５ ＭｇＯ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （イ）基板上に形成されたパタ−ン化電
   極の上に、感光性レジスト膜を形成する工程、（ロ）前
   記感光性レジスト膜を、前記パタ−ン化電極をマスクに
   してパタ−ン化する工程、（ハ）前記パターン化して感
   光性レジスト膜の除去された部分に無機ペ−ストを充填
   する工程、（ニ）感光性レジスト膜を除去する工程、を
   順次施すことを特徴とするプラズマディスプレイパネル
   基板の製造方法。
2. 【請求項２】 （イ）基板上に形成されたパタ−ン化電
   極の上に、感光性無機ペ−スト膜を形成する工程、
   （ロ）前記感光性無機ペ−スト膜を、パタ−ン化電極を
   マスクにしてパタ−ン化し、リブを形成する工程、を順
   次施すことを特徴とするプラズマディスプレイパネル基
   板の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のプラズマディスプレイ
   パネル基板の製造方法において、 前記感光性レジスト膜がポジ型ドライフィルムであるこ
   とを特徴とするプラズマディスプレイパネル基板の製造
   方法。
4. 【請求項４】 （イ）基板上に形成されたパタ−ン化電
   極の上に、無機ペ−スト膜と反応する感光性ペ−スト反
   応拡散膜を形成する工程、（ロ）前記感光性ペ−スト反
   応拡散膜を、パタ−ン化電極をマスクにしてパタ−ン化
   する工程、（ハ）前記感光性ペ−スト反応拡散膜と反応
   する拡散型無機ペ−スト膜を形成する工程、（ニ）感光
   性ペ−スト反応拡散膜を拡散型無機ペ−スト膜と反応さ
   せる工程、（ホ）反応させた拡散型無機ペ−スト膜を除
   去する工程、を順次施すことを特徴とするプラズマディ
   スプレイパネル基板の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１つの請求
   項に記載のプラズマディスプレイパネル基板の製造方法
   において、 前記パタ−ン化電極はアドレスするための電極であるこ
   とを特徴とするプラズマディスプレイパネル基板の製造
   方法。