JPH09326318A - 積層型インピーダンス素子 - Google Patents
積層型インピーダンス素子Info
- Publication number
- JPH09326318A JPH09326318A JP8142969A JP14296996A JPH09326318A JP H09326318 A JPH09326318 A JP H09326318A JP 8142969 A JP8142969 A JP 8142969A JP 14296996 A JP14296996 A JP 14296996A JP H09326318 A JPH09326318 A JP H09326318A
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- JP
- Japan
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- coil
- laminated
- impedance element
- powder
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノイズ吸収に有効で歪みや位相遅れを生じさ
せない積層型インピーダンス素子を提供すること。 【解決手段】 セラミック粉末及び金属粉末をペースト
化し、これらペーストを交互に積層して成る積層体６内
に金属粉末ペーストから成る第１のコイル２を形成し、
第１のコイル２に接続される外部端子７を積層体６の表
面に形成し、積層体６を一体焼成して成る積層型インピ
ーダンス素子１において、第１のコイル２と磁気的に結
合すると共に容量素子５及び抵抗素子と閉回路を成す第
２のコイル４を設けたことを特徴とする。
せない積層型インピーダンス素子を提供すること。 【解決手段】 セラミック粉末及び金属粉末をペースト
化し、これらペーストを交互に積層して成る積層体６内
に金属粉末ペーストから成る第１のコイル２を形成し、
第１のコイル２に接続される外部端子７を積層体６の表
面に形成し、積層体６を一体焼成して成る積層型インピ
ーダンス素子１において、第１のコイル２と磁気的に結
合すると共に容量素子５及び抵抗素子と閉回路を成す第
２のコイル４を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号回路内のノイ
ズ吸収を目的にし、信号波の歪みや遅延の少ない積層型
インピーダンス素子に関する。
ズ吸収を目的にし、信号波の歪みや遅延の少ない積層型
インピーダンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器のＥＭＩ対策の手法とし
て信号系にインピーダンス素子を直列に挿入してノイズ
を遮断することが一般的に行われている。またパワーア
ンプ等の電源ライン系に対してもインピーダンス素子を
直列に挿入してアクチブ素子から信号系のノイズが電源
ラインに漏洩する事を抑制する事も行われている。
て信号系にインピーダンス素子を直列に挿入してノイズ
を遮断することが一般的に行われている。またパワーア
ンプ等の電源ライン系に対してもインピーダンス素子を
直列に挿入してアクチブ素子から信号系のノイズが電源
ラインに漏洩する事を抑制する事も行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらインピー
ダンス素子によるＥＭＩ対策は、リアクタンス分が信号
波形に歪みを与えたり、位相の遅れを生じさせるマイナ
スの効果も認められる。
ダンス素子によるＥＭＩ対策は、リアクタンス分が信号
波形に歪みを与えたり、位相の遅れを生じさせるマイナ
スの効果も認められる。
【０００４】ノイズ吸収に有効で歪みや位相遅れを生じ
させないインピーダンス素子は、ノイズ成分である高い
特定の周波数域で大きなＲ成分を示し、信号域の周波数
域ではリアクタンス分も、Ｒ分もできる限り小さい値を
示す周波数特性が理想である。
させないインピーダンス素子は、ノイズ成分である高い
特定の周波数域で大きなＲ成分を示し、信号域の周波数
域ではリアクタンス分も、Ｒ分もできる限り小さい値を
示す周波数特性が理想である。
【０００５】今日この目的で用いられている素子におい
て、所望の周波数特性に近づける手段としては、磁性材
料の持つ固有の損失の周波数特性を利用しているが、フ
ェライトのような材料の持つ損失特性の自由度は低く、
目的の特性が実現し難いことが問題となっている。
て、所望の周波数特性に近づける手段としては、磁性材
料の持つ固有の損失の周波数特性を利用しているが、フ
ェライトのような材料の持つ損失特性の自由度は低く、
目的の特性が実現し難いことが問題となっている。
【０００６】それ故に、本発明の課題は、ノイズ吸収に
有効で歪みや位相遅れを生じさせない積層型インピーダ
ンス素子を提供することにある。
有効で歪みや位相遅れを生じさせない積層型インピーダ
ンス素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明によ
れば、セラミック粉末及び金属粉末をペースト化し、こ
れらのペーストを交互に積層して成る積層体内に金属粉
末ペーストから成る第１のコイルを形成し、該第１のコ
イルに接続される外部端子を前記積層体の表面に形成
し、該積層体を一体焼成して成る積層型インピーダンス
素子において、前記第１のコイルと磁気的に結合すると
共に容量素子及び抵抗素子と閉回路を成す第２のコイル
を設けたことを特徴とする積層型インピーダンス素子が
得られる。
れば、セラミック粉末及び金属粉末をペースト化し、こ
れらのペーストを交互に積層して成る積層体内に金属粉
末ペーストから成る第１のコイルを形成し、該第１のコ
イルに接続される外部端子を前記積層体の表面に形成
し、該積層体を一体焼成して成る積層型インピーダンス
素子において、前記第１のコイルと磁気的に結合すると
共に容量素子及び抵抗素子と閉回路を成す第２のコイル
を設けたことを特徴とする積層型インピーダンス素子が
得られる。
【０００８】請求項２記載の発明によれば、前記第２の
コイルが、金属粉末ペーストから成り、前記積層体内に
形成され焼成されていることを特徴とする請求項１記載
の積層型インピーダンス素子が得られる。
コイルが、金属粉末ペーストから成り、前記積層体内に
形成され焼成されていることを特徴とする請求項１記載
の積層型インピーダンス素子が得られる。
【０００９】請求項３記載の発明によれば、前記容量素
子及び抵抗素子が、積層印刷により前記積層体と一体に
形成され且つ一体焼成されていることを特徴とする請求
項２記載の積層型インピーダンス素子が得られる。
子及び抵抗素子が、積層印刷により前記積層体と一体に
形成され且つ一体焼成されていることを特徴とする請求
項２記載の積層型インピーダンス素子が得られる。
【００１０】請求項４記載の発明によれば、前記第２の
コイルが、前記抵抗素子を兼ねたものであることを特徴
とする請求項３記載の積層型インピーダンス素子が得ら
れる。
コイルが、前記抵抗素子を兼ねたものであることを特徴
とする請求項３記載の積層型インピーダンス素子が得ら
れる。
【００１１】請求項５記載の発明によれば、前記第２の
コイルを形成する金属粉末に抵抗率の高い物質を用いて
いることを特徴とする請求項４記載の積層型インピーダ
ンス素子が得られる。
コイルを形成する金属粉末に抵抗率の高い物質を用いて
いることを特徴とする請求項４記載の積層型インピーダ
ンス素子が得られる。
【００１２】請求項６記載の発明によれば、前記第２の
コイルを形成する金属粉末に、セラミック粉末又は導電
性の低い物質の粉末を混入することにより、前記第２の
コイルの抵抗値を増大させたことを特徴とする請求項４
記載の積層型インピーダンス素子が得られる。
コイルを形成する金属粉末に、セラミック粉末又は導電
性の低い物質の粉末を混入することにより、前記第２の
コイルの抵抗値を増大させたことを特徴とする請求項４
記載の積層型インピーダンス素子が得られる。
【００１３】請求項７記載の発明によれば、前記セラミ
ック粉末が、圧電磁器材料粉末又は酸化物磁性材料粉末
であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれ
か一つに記載の積層型インピーダンス素子が得られる。
ック粉末が、圧電磁器材料粉末又は酸化物磁性材料粉末
であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれ
か一つに記載の積層型インピーダンス素子が得られる。
【００１４】
【作用】本発明では、外部端子とつながる第１のコイル
の他に、これと磁気的に結合する第２のコイルを設けて
あり、この第２のコイルは、容量素子及び抵抗素子と結
線され、共振回路を構成している。ノイズ成分に対応す
る高い特定の周波数域にこの共振周波数を調整しておく
と、端子間にこの域の周波数が入ると磁気的に結合して
いる共振回路では大きな電流が流れることにより回路内
のＲで消失するエネルギーは最大になる。したがって端
子間からインピーダンスを見るとエネルギー消失の大き
いこの周波数域でインピーダンスの実数部分が急増する
ことになる。このようにして所望のインピーダンスの周
波数特性を実現する事が可能になる。
の他に、これと磁気的に結合する第２のコイルを設けて
あり、この第２のコイルは、容量素子及び抵抗素子と結
線され、共振回路を構成している。ノイズ成分に対応す
る高い特定の周波数域にこの共振周波数を調整しておく
と、端子間にこの域の周波数が入ると磁気的に結合して
いる共振回路では大きな電流が流れることにより回路内
のＲで消失するエネルギーは最大になる。したがって端
子間からインピーダンスを見るとエネルギー消失の大き
いこの周波数域でインピーダンスの実数部分が急増する
ことになる。このようにして所望のインピーダンスの周
波数特性を実現する事が可能になる。
【００１５】図３は本発明の原理を数式的に説明するた
めの等価回路である。Ｌ1 は外部端子とつながる第１の
コイルで構成されるインダクタンス、Ｌ2 はその近傍に
設けられた第２のコイルで、Ｌ1 との磁気結合分は相互
インダクタンスＭで示している。Ｃ及びＲはＬ2 と結線
される容量及び抵抗素子である。
めの等価回路である。Ｌ1 は外部端子とつながる第１の
コイルで構成されるインダクタンス、Ｌ2 はその近傍に
設けられた第２のコイルで、Ｌ1 との磁気結合分は相互
インダクタンスＭで示している。Ｃ及びＲはＬ2 と結線
される容量及び抵抗素子である。
【００１６】端子間にＶで表現される交流信号が印加さ
れている時、一次側の回路に流れる電流をＩ1 、二次側
の回路に流れる電流をＩ2 とする時、それぞれの回路に
ついて下記の数１式及び数２式が成り立つ。各々の式の
微分信号をｊω、積分記号を１／ｊωに置き換えると下
記の数３式及び数４式を得る。Ｉ2 を消去してＶとＩ1
の関係を求めると下記の数５式を得る。ＶとＩ1 の比が
端子間のインピーダンスＺを与え、これを下記の数６式
とする。
れている時、一次側の回路に流れる電流をＩ1 、二次側
の回路に流れる電流をＩ2 とする時、それぞれの回路に
ついて下記の数１式及び数２式が成り立つ。各々の式の
微分信号をｊω、積分記号を１／ｊωに置き換えると下
記の数３式及び数４式を得る。Ｉ2 を消去してＶとＩ1
の関係を求めると下記の数５式を得る。ＶとＩ1 の比が
端子間のインピーダンスＺを与え、これを下記の数６式
とする。
【００１７】
【数１】
【数２】
【数３】
【数４】
【数５】
【数６】
【００１８】今各素子について下記の表１の値を持つも
のとしてＺの周波数依存性を実数部分Ｒと、虚数部分Ｘ
に分けて求めてみる。図４は周波数１０ＭＨｚから１０
０ＭＨｚにかけてのＲとＸの変化を（６）式を用いて計
算した結果である。
のとしてＺの周波数依存性を実数部分Ｒと、虚数部分Ｘ
に分けて求めてみる。図４は周波数１０ＭＨｚから１０
０ＭＨｚにかけてのＲとＸの変化を（６）式を用いて計
算した結果である。
【００１９】
【表１】
【００２０】図４から分かるように、インピーダンスの
実数部Ｒは５０ＭＨｚ近辺で大きく増大していることが
認められる。これはＬ2 とＣで決まる共振周波数が５０
ＭＨｚに設定してあるからである。このようにインピー
ダンスの周波数特性は構成で決まる各素子の値でコント
ロールが可能である。これをもちいると材料の持つ周波
数特性のみならず素子の形状設計で必要とするインピー
ダンスの周波数特性の調整が可能となる。
実数部Ｒは５０ＭＨｚ近辺で大きく増大していることが
認められる。これはＬ2 とＣで決まる共振周波数が５０
ＭＨｚに設定してあるからである。このようにインピー
ダンスの周波数特性は構成で決まる各素子の値でコント
ロールが可能である。これをもちいると材料の持つ周波
数特性のみならず素子の形状設計で必要とするインピー
ダンスの周波数特性の調整が可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１に基づき本発明の一実施形態
による積層型インピーダンス素子について説明する。
による積層型インピーダンス素子について説明する。
【００２２】先ず、セラミック粉末としてＮｉ−Ｃｕフ
ェライト及びＢａ−Ｔｉ系誘電体の粉末を用意した。こ
れらの粉末を、それぞれ、バインダ、溶剤と下記の表２
の比率で配合し、この配合物を三本ロールで混練して磁
性体粉末ペーストＡ、及び誘電体粉末ペーストＢを作成
した。導体用粉末として、平均粒径０．５μｍのＡｇと
Ｐｄの混合粉（Ａｇ７０％・Ｐｄ３０％）を用意した。
この粉末を下記の表３の比率でバインダ、溶剤と配合
し、三本ロールで混練して、２種類の導体用ペースト
Ｃ，Ｄを作成した。本実施形態では、下記の表２，表３
の配合比でペーストを作成したが、これ以外の成分、配
合比でも印刷可能なペーストが得られるものであればな
にを使用しても良い。また本実施形態では配合物の混練
に三本ロールを用いたが、これ以外にもホモジナイザー
やサンドミル等を用いても良い。
ェライト及びＢａ−Ｔｉ系誘電体の粉末を用意した。こ
れらの粉末を、それぞれ、バインダ、溶剤と下記の表２
の比率で配合し、この配合物を三本ロールで混練して磁
性体粉末ペーストＡ、及び誘電体粉末ペーストＢを作成
した。導体用粉末として、平均粒径０．５μｍのＡｇと
Ｐｄの混合粉（Ａｇ７０％・Ｐｄ３０％）を用意した。
この粉末を下記の表３の比率でバインダ、溶剤と配合
し、三本ロールで混練して、２種類の導体用ペースト
Ｃ，Ｄを作成した。本実施形態では、下記の表２，表３
の配合比でペーストを作成したが、これ以外の成分、配
合比でも印刷可能なペーストが得られるものであればな
にを使用しても良い。また本実施形態では配合物の混練
に三本ロールを用いたが、これ以外にもホモジナイザー
やサンドミル等を用いても良い。
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】次に作成したセラミックペーストＡを、印
刷法により所定の厚さ５００μｍに積層した。この上に
セラミックペーストＡと導体ペーストＣを用いて、３．
５ターンの導電体の第１のコイル（スパイラルコイル）
２を形成するように順次積層を行い、更にこの上にセラ
ミックペーストＡを３００μｍ印刷法で積層し、フェラ
イト部３を形成した。次にセラミックペーストＡと、導
体ペーストＤを用いて１．５ターンの第２のコイル（ス
パイラルコイル）４を形成した。つぎにセラミックペー
ストＡを１００μｍ印刷し、この上にセラミックコンデ
ンサの電極５０として導体ペーストＣ、及びセラミック
コンデンサの誘電体５１としてセラミックペーストＢを
交互に積層してコンデンサ部５を形成した。
刷法により所定の厚さ５００μｍに積層した。この上に
セラミックペーストＡと導体ペーストＣを用いて、３．
５ターンの導電体の第１のコイル（スパイラルコイル）
２を形成するように順次積層を行い、更にこの上にセラ
ミックペーストＡを３００μｍ印刷法で積層し、フェラ
イト部３を形成した。次にセラミックペーストＡと、導
体ペーストＤを用いて１．５ターンの第２のコイル（ス
パイラルコイル）４を形成した。つぎにセラミックペー
ストＡを１００μｍ印刷し、この上にセラミックコンデ
ンサの電極５０として導体ペーストＣ、及びセラミック
コンデンサの誘電体５１としてセラミックペーストＢを
交互に積層してコンデンサ部５を形成した。
【００２６】以上のようにして作成された積層体６は所
定の寸法（２．４ｍｍ×１．５ｍｍ）に切断し、これを
脱脂した後、９５０℃で一体焼成した。第１のコイル２
のリード部２０が露出している面にＡｇを主とする導電
性ペーストを塗布して外部端子７とした。同時に、第２
のコイル４のリード部４０が露出している部分とコンデ
ンサ部５の電極露出部分５０ａとを、上述のＡｇを主と
する導電性ペーストにより形成された端子８で電気的に
閉回路を構成するようにつないで、これらの端子７，８
を約５００℃で焼き付けした。
定の寸法（２．４ｍｍ×１．５ｍｍ）に切断し、これを
脱脂した後、９５０℃で一体焼成した。第１のコイル２
のリード部２０が露出している面にＡｇを主とする導電
性ペーストを塗布して外部端子７とした。同時に、第２
のコイル４のリード部４０が露出している部分とコンデ
ンサ部５の電極露出部分５０ａとを、上述のＡｇを主と
する導電性ペーストにより形成された端子８で電気的に
閉回路を構成するようにつないで、これらの端子７，８
を約５００℃で焼き付けした。
【００２７】上述のようにして作成した積層型インピー
ダンス素子（積層インダクター）１のインピーダンスの
周波数特性をＹＨＰ製インピーダンスアナライザーＨＰ
４１９１Ａを用いて評価した。この結果を図２に示す。
ダンス素子（積層インダクター）１のインピーダンスの
周波数特性をＹＨＰ製インピーダンスアナライザーＨＰ
４１９１Ａを用いて評価した。この結果を図２に示す。
【００２８】尚、本実施形態（Ｘ，Ｒ）の効果を確認す
るために、第２のコイル及びコンデンサ部を取り除いた
もの（Ｘ０，Ｒ０）についても同時に評価した。また、
第１のコイル２、第２のコイル４及びコンデンサ部５に
ついて別々に周波数１ＫＨｚのＬＣＲメーターで測定し
た結果を下記の表４に示す。第２のコイル４とコンデン
サ部５から決まる共振周波数ｆｒ＝１／２π・ＬＣは計
算すると４３ＭＨｚになる。図２から明らかなように３
０ＭＨｚから５０ＭＨｚに至る領域におけるＲの急激な
増大は第２のコイル４とこれと接続したコンデンサ部５
からなる閉回路の共振に応じて第２のコイル４の抵抗で
発生するジュール熱によって生じたエネルギー吸収によ
るものと推定できる。
るために、第２のコイル及びコンデンサ部を取り除いた
もの（Ｘ０，Ｒ０）についても同時に評価した。また、
第１のコイル２、第２のコイル４及びコンデンサ部５に
ついて別々に周波数１ＫＨｚのＬＣＲメーターで測定し
た結果を下記の表４に示す。第２のコイル４とコンデン
サ部５から決まる共振周波数ｆｒ＝１／２π・ＬＣは計
算すると４３ＭＨｚになる。図２から明らかなように３
０ＭＨｚから５０ＭＨｚに至る領域におけるＲの急激な
増大は第２のコイル４とこれと接続したコンデンサ部５
からなる閉回路の共振に応じて第２のコイル４の抵抗で
発生するジュール熱によって生じたエネルギー吸収によ
るものと推定できる。
【００２９】
【表４】
【００３０】
【発明の効果】以上のとおり、特定の周波数域でのみ、
インピーダンスの実数部の値が一定値以上を有する積層
型インピーダンス素子を実現する場合、従来は構成する
磁性材料の固有の周波数特性を利用していたが材料特性
には自由度に制限があり、かならずしも目的の特性が実
現できるとは限らなかった。一方、本発明では材料の周
波数特性のみならず、第１のコイルのインダクタンスＬ
1 、第１のコイルと第２のコイルの相互インダクタンス
Ｍ、第２のコイルのインダクタンスＬ2 及び抵抗Ｒ、及
びコンデンサの容量Ｃの値を調整することで、インピー
ダンス特性を制御できるため、所望のインピーダンスの
周波数特性を実現し易い積層型インピーダンス素子が提
供できるようになった。
インピーダンスの実数部の値が一定値以上を有する積層
型インピーダンス素子を実現する場合、従来は構成する
磁性材料の固有の周波数特性を利用していたが材料特性
には自由度に制限があり、かならずしも目的の特性が実
現できるとは限らなかった。一方、本発明では材料の周
波数特性のみならず、第１のコイルのインダクタンスＬ
1 、第１のコイルと第２のコイルの相互インダクタンス
Ｍ、第２のコイルのインダクタンスＬ2 及び抵抗Ｒ、及
びコンデンサの容量Ｃの値を調整することで、インピー
ダンス特性を制御できるため、所望のインピーダンスの
周波数特性を実現し易い積層型インピーダンス素子が提
供できるようになった。
【図１】本発明の一実施形態による積層型インピーダン
ス素子の構成を示す透視図である。
ス素子の構成を示す透視図である。
【図２】図１に示す積層型インピーダンス素子の周波数
特性と、この素子から第２のコイル及びコンデンサ部を
除いた場合の周波数特性を示すグラフである。
特性と、この素子から第２のコイル及びコンデンサ部を
除いた場合の周波数特性を示すグラフである。
【図３】本発明の原理を示す等価回路である。
【図４】図３に示す等価回路で表１の具体的数値を入れ
て第１のコイルの両端からみたインピーダンスの周波数
特性のシュミレーションを示すグラフである。
て第１のコイルの両端からみたインピーダンスの周波数
特性のシュミレーションを示すグラフである。
１ 積層型インピーダンス素子 ２ 第１のコイル ３ フェライト部 ４ 第２のコイル ５ コンデンサ部 ６ 積層体 ７ 外部端子 ８ 端子 ２０ リード部 ４０ リード部 ５０ 電極 ５１ 誘電体
Claims (7)
- 【請求項１】 セラミック粉末及び金属粉末をペースト
化し、これらのペーストを交互に積層して成る積層体内
に金属粉末ペーストから成る第１のコイルを形成し、該
第１のコイルに接続される外部端子を前記積層体の表面
に形成し、該積層体を一体焼成して成る積層型インピー
ダンス素子において、前記第１のコイルと磁気的に結合
すると共に容量素子及び抵抗素子と閉回路を成す第２の
コイルを設けたことを特徴とする積層型インピーダンス
素子。 - 【請求項２】 前記第２のコイルが、金属粉末ペースト
から成り、前記積層体内に形成され焼成されていること
を特徴とする請求項１記載の積層型インピーダンス素
子。 - 【請求項３】 前記容量素子及び抵抗素子が、積層印刷
により前記積層体と一体に形成され且つ一体焼成されて
いることを特徴とする請求項２記載の積層型インピーダ
ンス素子。 - 【請求項４】 前記第２のコイルが、前記抵抗素子を兼
ねたものであることを特徴とする請求項３記載の積層型
インピーダンス素子。 - 【請求項５】 前記第２のコイルを形成する金属粉末に
抵抗率の高い物質を用いていることを特徴とする請求項
４記載の積層型インピーダンス素子。 - 【請求項６】 前記第２のコイルを形成する金属粉末
に、セラミック粉末又は導電性の低い物質の粉末を混入
することにより、前記第２のコイルの抵抗値を増大させ
たことを特徴とする請求項４記載の積層型インピーダン
ス素子。 - 【請求項７】 前記セラミック粉末が、圧電磁器材料粉
末又は酸化物磁性材料粉末であることを特徴とする請求
項１乃至請求項６のいずれか一つに記載の積層型インピ
ーダンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8142969A JPH09326318A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 積層型インピーダンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8142969A JPH09326318A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 積層型インピーダンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326318A true JPH09326318A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15327878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8142969A Withdrawn JPH09326318A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 積層型インピーダンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09326318A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012079918A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Showa Aircraft Ind Co Ltd | チョークコイル |
| JP2022014982A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品 |
| JP2022062571A (ja) * | 2020-10-08 | 2022-04-20 | 株式会社東芝 | 電気機器及び電力変換装置 |
-
1996
- 1996-06-05 JP JP8142969A patent/JPH09326318A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2022014982A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品 |
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