JPH09327188A - ワークピースの支持チャックの支持面に離間してワークピースを支持する装置及び離間マスクの製造方法 - Google Patents

ワークピースの支持チャックの支持面に離間してワークピースを支持する装置及び離間マスクの製造方法

Info

Publication number
JPH09327188A
JPH09327188A JP5125597A JP5125597A JPH09327188A JP H09327188 A JPH09327188 A JP H09327188A JP 5125597 A JP5125597 A JP 5125597A JP 5125597 A JP5125597 A JP 5125597A JP H09327188 A JPH09327188 A JP H09327188A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support
chuck
wafer
support surface
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5125597A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3266537B2 (ja
Inventor
Vincent E Burkhart
イー バークハート ヴィンセント
Michael N Sugarman
エヌ シュガーマン マイケル
Howard E Grunes
イー グルーネス ハワード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH09327188A publication Critical patent/JPH09327188A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3266537B2 publication Critical patent/JP3266537B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/72—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S269/00—Work holders
    • Y10S269/903—Work holder for electrical circuit assemblages or wiring systems
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Prostheses (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ワークピース支持チャックに離間してワークピ
ースを支持するためのウェハ離間マスクを得ること。 【解決手段】このウェハ離間マスクは、チャック本体１
０８の支持面上に堆積された複数の金属支持部材１１２
を有する。この支持部材は、チャックの支持面に離間し
てウェハ１１６、或いは他のワークピースをを保持しす
る。ウェハの裏面とチャック間の距離は支持部材１１２
の厚さによって規定される。この距離は、チャックの表
面上にある汚染粒子１１０の予期された直径より大きく
なければならない。このようにすれば、汚染粒子は、処
理中にウェハの裏面に付着することがない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】本願発明は、半導体ウェーハ処理
装置内で半導体ウェハを支持するための、基板支持チャ
ックに関する。特に、本願発明は、チャックに面するウ
ェハの面がチャックの表面から間隔があけられ、且つそ
の表面に実質的に平行であるように、半導体ウェハを支
持するための基板支持チャックの表面上に堆積され、ウ
ェハを間隔をあけて配置するためのマスクに関する。
【０００２】
【発明の背景】基板支持チャックは、半導体処理装置内
で基板を支持するために広く用いられている。高温のＰ
ＶＤ(physical vapor deposition: 物理蒸着法) のよう
な高温半導体処理装置に用いられるチャックの特定の形
式はセラミックの静電チャックである。これらのチャッ
クは処理中に静止した位置に半導体ウェハ或いは他のワ
ークピースを保持するために用いられる。この静電チャ
ックはセラミックのチャック本体に内に埋め込まれた１
以上の電極を有している。このセラミック材料は、代表
的には、例えば酸化チタン（TiO2) 或いは同じような抵
抗特性を有する他のセラミック材料のようなメタルオキ
サイドでドープされた窒化アルミニューム或いはアルミ
ナである。この型のセラミックは高温で半導電性にな
る。
【０００３】使用する場合、ウェハは、チャック電圧が
電極に印加されると、チャック本体の表面に対して水平
に載る。高温におけるセラミック材料の導電性の性質の
ために、ウェハはジョンソン−ラーベック効果によって
セラミック支持体に対して保持される。このようなチャ
ックは、１９９２年５月２６日に発行された米国特許第
5,117,121号に開示されている。セラミックから作られ
たチャック本体を用いる欠点の一つは、支持装置の製造
中に、セラミック材料が比較的滑らかな表面を生成する
ために“ラップされる（磨かれる）" ことである。この
ようなラッピング(lapping) は支持装置の表面に付着す
る粒子を生成させる。これらの粒子は表面から完全に取
り除くことは非常に困難である。更に、このラッピング
プロセスはチャック本体の表面を砕くかも知れない。結
果的に、チャックが用いられると、粒子がこれらの砕け
によって連続的に生成される。また、ウェハ処理中に、
セラミック材料がプロセス環境に粒子汚染を生じさせて
ウェハの下側からウェハの酸化物を磨滅する。チャック
の使用中に、粒子がウェハの下側に付着し、他の処理チ
ャンバに運ばれたり、ウェハ上に形成される回路に欠陥
を生じさせたりする。セラミックの静電チャックに保持
された後のウェハの背面上には数万の汚染粒子があるこ
とが分かった。
【０００４】１９８５年１２月２４日に公開された特開
昭６０−２６１３７７号公報（発明の名称：静電チャッ
クの製造方法）は、エンボス加工された支持表面を有す
るセラミックの静電チャックを開示している。このエン
ボス加工はウェハに接触するセラミック支持体の表面積
を減少する。結果的に、ウェハに移される汚染粒子の数
が減少する。しかし、このようなエンボス加工された表
面は、セラミック材料とウェハの下面の間である程度の
接触が保たれる。従って、汚染粒子の数は減少するけれ
ども、汚染はまだ実質的にある。同様に、低温処理（例
えば、３００℃以下）に用いられる基板支持チャックは
ウェハ処理を妨げる汚染粒子を生成することもある。こ
の低温チャックは、代表的にはアルミナのような誘電体
材料から製造されるウェハ支持表面を有する、機械的締
めつけチャック及び静電チャックを有する。これらの形
式のチャックは、使用中に、処理中にウェハの下面に付
着する粒子汚染を生成することも分かった。
【０００５】従って、この分野において、チャック上に
支持されている間、ウェハの下面に付着する汚染粒子の
量を減少する装置に対する必要性がある。
【０００６】
【発明の概要】従来装置の欠点は、本願発明による、チ
ャックに離間してウェハ、或いは他のワークピースを支
持するためのウェハを間隔をあけて配置するマスクによ
って、克服される。より詳細には、本願発明はチャック
の支持表面上に堆積された複数の支持部材を含む、ウェ
ハを間隔をあけて配置するマスクである。この間隔マス
クはチャック表面の材料とは異なる材料から製造され
る。ウェハを間隔をあけて配置するマスクの材料は、研
磨の少ない且つ柔軟性の多いチャック表面材料と比較し
て、非常に多くの接触特性を有している。これらのウェ
ハを間隔をあけて配置するマスクの製造材料は、例え
ば、チタン、窒化チタン、ステンレス綱等の金属を含
む。
【０００７】支持部材は、チャックの支持面に間隔をあ
けて、ウェハ或いは他のワークピースを保持する。ウェ
ハの下面とチャック間の距離は支持部材の厚さによって
規定される。この距離は、チャックの表面上にある汚染
粒子の予想される直径より大きくなければならない。こ
のようにして、汚染粒子は、処理中にウェハの下側に付
着することがない。また、ウェハに接触する支持部材の
面は容易にきれいにされるので多くの粒子はこれらの面
から除かれ、支持部材間の空間にトラップされる。本願
発明の特定の実施の形態において、ウェハを間隔をあけ
て配置するマスクは、例えば、ＰＶＤプロセスをもちい
て、セラミックのチャック上に金属の支持部材を堆積す
ることによって製造される。ウェハを間隔をあけて配置
するマスクは、また、ＣＶＤ(chemical vapor depositi
on: 化学蒸着法) 、プラズマスプレイ堆積(plasma spra
y depositionJ)、ブレージング(brazing) 、フレームス
プレイ堆積(flame spray deposition)等を用いて堆積さ
れる。支持部材は、複数の離間パッド、放射状ストリッ
プ、同心リング、或いは放射状リングと同心リングの組
み合わせのような事前に規定されたパターンで堆積され
る。
【０００８】半導体ウェハの処理中に本願発明を用いる
結果として、処理後のウェハの下側に付着される粒子の
汚染物質の数は、数万から数百の粒子に減少された。こ
の粒子数の実質的な改善は、処理中に欠陥が見つけられ
るウェハの数を著しく減少した。この改善は、チャック
上にウェハを保持する、ウェハを締めつけ力に対して実
質的な悪化もなく行われる。
【０００９】
【実施の形態】理解を容易にするために、図面に共通の
同一の素子を示すために、可能な限り同一の参照番号が
用いられている。図１は、セラミックの静電チャック１
０４の支持面１０２の上に配置された、ウェハを間隔を
あけて配置するためのマスク（以下、「ウェハ離間マス
ク」、或いは単に「離間マスク」と言う）１００の垂直
断面図を示す。本願発明の使用を図示するために、図１
は半導体ウェハ１１６を支持する離間マスク１００を示
している。図２は、図１（ウェハ１１６のない）のウェ
ハ離間マスク１００の上面図を示す。本願発明をより良
く理解するために、図１及び図２を参照して、以下の記
載を読まれたい。
【００１０】セラミックの静電チャックと共同して用い
られる本願発明の好適な実施の形態が述べられているけ
れども、本発明は、非セラミックの静電チャック、機械
的な締めつけチャック等を含むあらゆる形状のチャック
の上部に基板を支持するために用いることができる。本
願発明の重要な特徴の一つは、離間マスクは、チャック
面の材料がウェハの下面に接触しないように、チャック
材料とは異なる接触特性を有する、例えば金属のような
材料から製造されることである。好適な実施の形態にお
いて、静電チャック１０４は、セラミック本体１０８内
に埋め込まれた１つ以上の電極１０６を有する。セラミ
ックのチャック本体は、例えば窒化アルミニューム或い
は窒化ホウ素から製造される。このような半導電性のセ
ラミック材料は、高温処理中にジョンソン−ラーベック
効果を増進する。他の半導電性セラミックスも酸化チタ
ン或いは酸化クロムでドープしたアルミナのような有用
な高温チャック材料を形成する。もし、チャックが低温
のみに用いられるべきであるとすると、他のセラミック
及び／又はアルミナのような誘電体材料がチャック本体
を形成するために用いられる。図示したセラミックの静
電チャックは１９９３年６月７日に出願された米国特許
出願08/073,028に開示されている。非セラミック静電チ
ャックの例は、１９８０年１月１５日に発行された米国
特許第 4,184,188号及び１９８３年５月２４日に発行さ
れた米国特許第 4,384,918号に開示され、それぞれに参
照により記載されている。
【００１１】ウェハ離間マスク１００は、代表的にはＰ
ＶＤプロセスも用いて、チャック本体１０８の支持面上
に堆積される。この材料はＣＶＤ、プラズマスプレイ堆
積、ブレージング、フレームスプレイ堆積等によっても
堆積される。ウェハ離間マスクの材料は、チャックの表
面材料と比較して優れた接触特性を有する。例えば、マ
スクの材料は、チャックの表面材料より研磨が少なく、
且つ柔軟性が多い（少ない粒子を生成する）。代表的に
は、マスクを形成するため用いられる材料はチタン、窒
化チタン、ステンレス綱のような金属である。優れた接
触特性を有する、導電体を含む他の材料、絶縁体及び半
導体を離間マスクを作るために用いることもできる。離
間マスクの材料は、支持面上の粒子１１０がウェハの表
面に接触しないように、支持面上にウェハ１１６、或い
は他のワークピースを保持する、事前に規定された厚さ
に堆積される。図示の厚さは、およそ２μｍである。金
属の支持部材は容易に清浄され、ウェハ１１６に接触す
るあらゆる面が実質的に汚染物質のないことを保証す
る。重要なことには、汚染物質は支持部材１１２間の空
間１１４に捕獲される傾向にある。
【００１２】図２は、堆積された材料の複数の離間パッ
ド１１２として形成された支持部材を有する図解マスク
パターンを示している。各パッド１１２はおよそ0.25cm
（0.1 インチ) の直径を有している。点線で示された同
心リングが0.64cm(0.25 インチ) だけ間隔をあけて配置
され、各リング内のパッドは、およそ0.64cm(0.25 イン
チ) だけ互いに間隔があけられている。一般的に言え
ば、パッドの数、間隔、サイズは静電チャックによって
与えらえるクランプ力の量によって決定される。例え
ば、もし力の大きさが大きく、パッドが互いに比較的大
きく離されているならば、ウェハはパッド間で曲がるか
も知れない。一方、チャックの面上に非常に多くのパッ
ドを置くことは、クランプ力を容易にする静電界を妨げ
る。従って、パッドは、支持装置がクランプ力の妨げと
ならないように、慎重に配置されなければならない。
【００１３】セラミックのチャックは高温（例えば３０
０℃以上）で半導電性になるので、導電性パッドは電極
の上部に配置されるべきではない。クランプ力を発生す
るジョンソン−ラーベック効果を生成するために、電流
がウェハからセラミックのチャックへ導通されなければ
ならない。しかし、これらの電流は、ウェハの損傷を避
けるために、比較的低レベルに維持されなければならな
い。このように、最も高い電界内にあり、且つ電流の実
質的な量がマスクからウェハへの接触点でウェハを通っ
て流れるのを避けるために、パッドは、一般に電極のあ
る位置の間に配置される。図１及び図２に示された本願
発明の実施の形態において、電極構造（例えば、２つの
半月型の電極）は離間マスクのパッド１１２と同心円に
整列された孔１１８を有している。各々の孔１１８の直
径は、対応するパッド１１２の直径より少し大きい（例
えば、略0.25cm(0.1インチ) だけ) 。更に、マスクとウ
ェハ間の接触面積の大きさを最小にすることは、ウェハ
と通して流れる電流を減少することに役立つ。
【００１４】一方、低温（例えば、３００℃以下）にお
いて、セラミックのチャックは僅かな電流を流し、且つ
本願発明のこれらの応用に対して、支持部材をチャック
支持面上の如何なる所にも配置することができる。更
に、誘電体チャック或いは機械的締めつけチャック上の
離間マスクの応用に対して、電極（もし、あるなら）に
関して支持部材の位置決めは一般に問題でない。チャッ
ク上のウェハの適切な、そして均一な支持を確かなもの
にするために、支持部材は、離間マスクなしで、ウェハ
の下側に接触するチャックの全面に平らに分布されなけ
ればならない。ウェハからチャック本体への熱伝達を容
易にするために、熱伝達媒体、例えばヘリュームガス、
がウェハ１１６の背面とチャック本体１０８の支持面間
の空間１１４に送り込まれる。この冷却技術は、裏面冷
却として知られている。熱伝達媒体は、チャック本体１
０８を通して形成されるポート１２０を介して与えられ
る。この媒体は、代表的には、２−３０sccmの割合でウ
ェハの下側に供給される。この媒体はポート１２０から
ウェハの端に向かって外方に流れ、反応チャンバの周囲
に逃げる。この裏側冷却は公知であり、一般に、１９９
３年７月２０にTepman他に対して発行された、共通に譲
渡された米国特許第 5,228,501号に開示されている。重
要なことに、裏側冷却が行われると、ウェハ離間マスク
パターンは二つの目的を有している：(1) 裏側への粒子
の付着を減少するようにウェハを支持するため、及び
(2) チャックの支持面上に熱伝達媒体の分布チャネルを
形成するため、である。しかし、ウェハの下側を横切っ
て熱伝達媒体の分布を更に助長するために、追加の熱伝
達媒体の分布チャネル（図示せず）をチャック本体の面
に形成することもできる。
【００１５】図３は、他のマスクレイアウト３００を示
しており、このマスクは、複数の同心リング３０２ばか
りでなく、リングを相互接続する放射状に延びるストリ
ップ３０４を有している。例えば、リングは互いにおよ
そ0.64cm(0.25 インチ) だけ間隔があけられている。代
わりに、リングと放射状ストリップを離間マスクとして
分離して用いることもできる。この実施の形態のための
材料は、ＰＶＤプロセス或いはマスク材料を堆積するた
めに適した他の堆積技術を用いて、堆積される。他のマ
スクパターンが用いられてもよい。本願発明の主な特徴
は、ウェハが離間マスクによってチャックの表面に間隔
があけられて支持されることである。特定のマスクパタ
ーンとマスク材料は、チャック電圧、チャック力、ウェ
ハ厚、チャックの電極パターン、ウェハが受けるべき特
定のプロセス等のようなファクターを含むチャックのた
めの特別な適用によって規定される。
【００１６】セラミックのチャックと共同して離間マス
クを用いることは、ウェハの粒子汚染を実質的に減少す
る。実験データは、その支持面上にウェハを直接支持す
る従来のセラミックチャックは数万の粒子をウェハの下
側に転移することを示している。しかし、本願発明の離
間マスクを用いれば、ウェハの下側に付着する粒子の数
は数百に減少する。重要なことは、離間マスクはクラン
ピングプロセスの邪魔にならないし、チャック上にウェ
ハを保持するクランプ力に影響を与えない。本願発明の
教示を含むいろいろな実施の形態が示され、詳細に説明
されたが、この分野の通常の知識を有するものは、これ
らの教示を含む他の多くの実施の形態を容易に考えるこ
とができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明のウェハ離間マスクを含むセラミック
の静電チャックの垂直断面図を示す。
【図２】ウェハ離間マスク用パターンの上面図を示す。
【図３】ウェハ離間マスク用の他のパターンの上面図を
示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル エヌ シュガーマン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94117 サン フランシスコ ベルヴェデ ア ストリート 134 (72)発明者 ハワード イー グルーネス アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95062 サンタ クルーズ トリヴァサン アベニュー 237

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ワークピースの支持チャックの支持面に離
    間してワークピースを支持するための装置であって、 離間マスクを備え、前記離間マスクが金属材料から製造
    される場合、前記ワークピースの支持チャックの支持面
    上に堆積され、前記支持面に離間して前記ワークピース
    を支持することを特徴とする装置。
  2. 【請求項２】前記金属材料は、チタン、窒化チタン、或
    いはステンレス綱であることを特徴とする請求項１に記
    載の装置。
  3. 【請求項３】前記支持面は、セラミック材料から作られ
    ていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】前記セラミック材料は約３００℃以上の温
    度において半導電性であることを特徴とする請求項３に
    記載の装置。
  5. 【請求項５】前記セラミック材料は、窒化アルミニュー
    ム、窒化フッ素、或いは導電性酸化物でドープされたア
    ルミナであることを特徴とする請求項３に記載の装置。
  6. 【請求項６】前記支持面は誘電体材料から作られている
    ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
  7. 【請求項７】前記ワークピースの支持チャックは静電チ
    ャックであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  8. 【請求項８】前記離間マスクは、パターンを形成する支
    持部材を有することを特徴とする請求項１に記載の装
    置。
  9. 【請求項９】前記ワークピースの支持チャックは前記支
    持面の下に埋め込まれた複数の電極を有する静電チャッ
    クであり、且つ前記支持部材は、前記支持面上で前記複
    数の電極間に前記パターンで形成され、それにより前記
    支持部材は、前記複数の電極と重ならないことを特徴と
    する請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】前記パターンは、複数のパッドを有する
    ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
  11. 【請求項１１】前記パターンは、複数の放射状支持スト
    リップと複数の同心リングを有することを特徴とする請
    求項８に記載の装置。
  12. 【請求項１２】セラミックの静電チャックの支持面に離
    間してワークピースを支持するための装置であって、 離間マスクを備え、前記離間マスクが金属材料から作ら
    れる場合、前記セラミックの支持チャックの支持面上に
    堆積され、前記支持面に離間して前記ワークピースを支
    持することを特徴とする装置。
  13. 【請求項１３】前記金属材料は、チタン、窒化チタン、
    或いはステンレス綱であることを特徴とする請求項１２
    に記載の装置。
  14. 【請求項１４】前記セラミックの静電チャックは、約３
    ００℃以上の温度において半導電性であることを特徴と
    する請求項１２に記載の装置。
  15. 【請求項１５】前記セラミックの静電チャックは、窒化
    アルミニューム、窒化フッ素、或いは導電性酸化物でド
    ープされたアルミナで作られていることを特徴とする請
    求項１２に記載の装置。
  16. 【請求項１６】前記離間マスクは、パターンを形成する
    支持部材を有することを特徴とする請求項１２に記載の
    装置。
  17. 【請求項１７】前記セラミックの支持チャックは、前記
    支持面の下に埋め込まれた複数の電極を有し、且つ前記
    支持部材は、前記支持面上で前記複数の電極間に、前記
    パターンで形成され、それにより前記支持部材は、前記
    複数の電極と重ならないことを特徴とする請求項８に記
    載の装置。
  18. 【請求項１８】前記パターンは、複数のパッドを有する
    ことを特徴とする請求項１６に記載の装置。
  19. 【請求項１９】前記パターンは、複数の放射状支持スト
    リップと複数の同心リングを有することを特徴とする請
    求項１５に記載の装置。
  20. 【請求項２０】ウェハ離間マスクを製造する方法であっ
    て、 支持部材を有するワークピース支持チャックを与えるス
    テップと、 ウェハ離間マスクを形成するために、前記支持部材の支
    持面上に事前に規定されたパターンで金属材料を堆積す
    るステップ、を有することを特徴とする方法。
  21. 【請求項２１】前記堆積するステップは、金属材料を堆
    積するために、ＰＶＤプロセスを用いるステップを有す
    ることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  22. 【請求項２２】前記金属材料は、チタン、窒化チタン、
    或いはステンレス綱であることを特徴とする請求綱２０
    に記載の方法。
  23. 【請求項２３】前記支持部材は、セラミック材料で作ら
    れることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  24. 【請求項２４】前記セラミック材料は、約３００℃以上
    の温度で半導電性であることを特徴とする請求項２３に
    記載の方法。
  25. 【請求項２５】前記セラミック材料は、窒化アルミニュ
    ーム、窒化フッ素、或いは導電性酸化物でドープされた
    アルミナで作られていることを特徴とする請求項２３に
    記載の装置。
  26. 【請求項２６】前記支持部材は、誘電体材料で作られる
    ことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  27. 【請求項２７】前記事前に規定されたパターンは、複数
    のパッドを有することを特徴とする請求項２０に記載の
    方法。
  28. 【請求項２８】前記事前に規定されたパターンは、複数
    の放射状支持ストリップと複数の同心リングを有するこ
    とを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  29. 【請求項２９】前記ワークピース支持チャックは、前記
    支持面の下に埋め込まれた複数の電極を有する静電チャ
    ックであり、且つ前記金属材料は、前記支持面上で前記
    複数の電極間に、前記事前に規定されたパターンで堆積
    され、それにより前記ウェハ離間マスクは、前記複数の
    電極と重ならないことを特徴とする請求項２０に記載の
    装置。
JP5125597A 1996-03-08 1997-03-06 ワークピースの支持チャックの支持面に離間してワークピースを支持する装置及び離間マスクの製造方法 Expired - Fee Related JP3266537B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/612652 1996-03-08
US08/612,652 US5656093A (en) 1996-03-08 1996-03-08 Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09327188A true JPH09327188A (ja) 1997-12-16
JP3266537B2 JP3266537B2 (ja) 2002-03-18

Family

ID=24454076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5125597A Expired - Fee Related JP3266537B2 (ja) 1996-03-08 1997-03-06 ワークピースの支持チャックの支持面に離間してワークピースを支持する装置及び離間マスクの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5656093A (ja)
EP (1) EP0794566B1 (ja)
JP (1) JP3266537B2 (ja)
KR (1) KR100274768B1 (ja)
AT (1) ATE227471T1 (ja)
DE (1) DE69716796T2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313898A (ja) * 2001-02-08 2002-10-25 Tokyo Electron Ltd 基板載置台およびその製造方法ならびに処理装置
JP2007266611A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag 一時的に基板を支持する支持構造
WO2008111752A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Komico Ltd. Apparatus for transferring a wafer
US7623334B2 (en) 2002-06-18 2009-11-24 Canon Anelva Corporation Electrostatic chuck device
WO2010004915A1 (ja) * 2008-07-08 2010-01-14 株式会社クリエイティブ テクノロジー 双極型静電チャック
JP2019121748A (ja) * 2018-01-11 2019-07-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
WO2023190247A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 株式会社クリエイティブテクノロジー ワーク吸着装置
US11823872B2 (en) 2020-10-05 2023-11-21 Kioxia Corporation Electrostatic chuck apparatus and semiconductor manufacturing apparatus
JP2024510226A (ja) * 2021-03-18 2024-03-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静電チャッキングにおける低減された局在的な力

Families Citing this family (603)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW277139B (ja) * 1993-09-16 1996-06-01 Hitachi Seisakusyo Kk
US6544379B2 (en) 1993-09-16 2003-04-08 Hitachi, Ltd. Method of holding substrate and substrate holding system
US5885469B1 (en) * 1996-11-05 2000-08-08 Applied Materials Inc Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same
US5883778A (en) * 1994-02-28 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with fluid flow regulator
US6086680A (en) * 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
US6113702A (en) 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
WO1997009737A1 (en) 1995-09-01 1997-03-13 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Wafer support system
TW303505B (en) * 1996-05-08 1997-04-21 Applied Materials Inc Substrate support chuck having a contaminant containment layer and method of fabricating same
US5745332A (en) * 1996-05-08 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Monopolar electrostatic chuck having an electrode in contact with a workpiece
US5825607A (en) * 1996-05-08 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Insulated wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
KR100267155B1 (ko) * 1996-09-13 2000-10-16 아끼구사 나오유끼 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치
US6189482B1 (en) 1997-02-12 2001-02-20 Applied Materials, Inc. High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods
US6217655B1 (en) * 1997-01-31 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck
US5994678A (en) * 1997-02-12 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus for ceramic pedestal and metal shaft assembly
US6303879B1 (en) 1997-04-01 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Laminated ceramic with multilayer electrodes and method of fabrication
JP3160229B2 (ja) * 1997-06-06 2001-04-25 日本エー・エス・エム株式会社 プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法
US5841624A (en) * 1997-06-09 1998-11-24 Applied Materials, Inc. Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US6576064B2 (en) * 1997-07-10 2003-06-10 Sandia Corporation Support apparatus for semiconductor wafer processing
US6162297A (en) * 1997-09-05 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Embossed semiconductor fabrication parts
US5903428A (en) * 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
WO1999023691A2 (en) * 1997-11-03 1999-05-14 Asm America, Inc. Improved low mass wafer support system
US6026589A (en) * 1998-02-02 2000-02-22 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Wafer carrier and semiconductor apparatus for processing a semiconductor substrate
US6077404A (en) 1998-02-17 2000-06-20 Applied Material, Inc. Reflow chamber and process
US6081414A (en) * 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
US6219219B1 (en) * 1998-09-30 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Cathode assembly containing an electrostatic chuck for retaining a wafer in a semiconductor wafer processing system
US6180926B1 (en) 1998-10-19 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Heat exchanger apparatus for a semiconductor wafer support and method of fabricating same
US6115232A (en) * 1998-12-03 2000-09-05 Lsi Logic Corporation Method for forming an ion implanted electrostatic chuck
US6214413B1 (en) 1999-01-13 2001-04-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
US6258227B1 (en) 1999-03-13 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
DE10050413A1 (de) * 1999-10-14 2001-04-19 Schlumberger Technologies Inc Elektrostatische Spannvorrichtung
JP2001237053A (ja) * 1999-12-14 2001-08-31 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミックヒータおよび支持ピン
US7011874B2 (en) * 2000-02-08 2006-03-14 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for semiconductor production and inspection devices
JP2001338878A (ja) * 2000-03-21 2001-12-07 Sharp Corp サセプタおよび表面処理方法
US6567257B2 (en) 2000-04-19 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for conditioning an electrostatic chuck
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6795292B2 (en) 2001-05-15 2004-09-21 Dennis Grimard Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
KR100422444B1 (ko) * 2001-05-29 2004-03-12 삼성전자주식회사 정전 척에 설치되는 웨이퍼 공간 지지장치 및 그 제조방법
US6506291B2 (en) 2001-06-14 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Substrate support with multilevel heat transfer mechanism
US6490145B1 (en) 2001-07-18 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
US6623605B2 (en) 2001-12-06 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
US6933508B2 (en) 2002-03-13 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US6812471B2 (en) * 2002-03-13 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US20040055709A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
US20040065656A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Makoto Inagawa Heated substrate support
US20050170314A1 (en) * 2002-11-27 2005-08-04 Richard Golden Dental pliers design with offsetting jaw and pad elements for assisting in removing upper and lower teeth and method for removing teeth utilizing the dental plier design
JP3886046B2 (ja) * 2002-12-18 2007-02-28 シャープ株式会社 プラズマｃｖｄ装置と、それを用いた成膜方法および半導体装置の製造方法
USD489739S1 (en) 2002-12-20 2004-05-11 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
USD490093S1 (en) 2002-12-20 2004-05-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
USD490095S1 (en) 2002-12-20 2004-05-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
USD490827S1 (en) 2002-12-20 2004-06-01 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
USD491206S1 (en) 2002-12-20 2004-06-08 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
USD489740S1 (en) 2002-12-20 2004-05-11 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
USD490094S1 (en) 2002-12-20 2004-05-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
CN1311301C (zh) * 2002-12-23 2007-04-18 Asml荷兰有限公司 一种光刻投影装置
US6835415B2 (en) * 2003-01-07 2004-12-28 Euv Llc Compliant layer chucking surface
US20040226516A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-18 Daniel Timothy J. Wafer pedestal cover
US7072166B2 (en) * 2003-09-12 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. Clamping and de-clamping semiconductor wafers on a J-R electrostatic chuck having a micromachined surface by using force delay in applying a single-phase square wave AC clamping voltage
US7396412B2 (en) * 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7718007B2 (en) * 2005-03-17 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Substrate supporting member and substrate processing apparatus
US20060292310A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Applied Materials, Inc. Process kit design to reduce particle generation
US8003919B2 (en) * 2005-12-06 2011-08-23 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate heat treatment apparatus
US7715170B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic chuck with separated electrodes
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
US8198567B2 (en) 2008-01-15 2012-06-12 Applied Materials, Inc. High temperature vacuum chuck assembly
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 恩特格林斯公司 靜電夾頭
KR101006848B1 (ko) * 2008-05-28 2011-01-14 주식회사 코미코 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US8064185B2 (en) * 2008-09-05 2011-11-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck electrical balancing circuit repair
US8801857B2 (en) * 2008-10-31 2014-08-12 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
CN102449754B (zh) 2009-05-15 2015-10-21 恩特格林斯公司 具有聚合物突出物的静电吸盘
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
CN102986017B (zh) 2010-05-28 2015-09-16 恩特格林斯公司 高表面电阻率静电吸盘
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) * 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9835388B2 (en) * 2012-01-06 2017-12-05 Novellus Systems, Inc. Systems for uniform heat transfer including adaptive portions
JP5975755B2 (ja) * 2012-06-28 2016-08-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9543186B2 (en) * 2013-02-01 2017-01-10 Applied Materials, Inc. Substrate support with controlled sealing gap
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
KR102042083B1 (ko) 2013-03-15 2019-11-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 정전 척의 수리 및 복원을 위한 방법 및 장치
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9622375B2 (en) 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
JP6349228B2 (ja) * 2014-10-22 2018-06-27 新光電気工業株式会社 静電チャック及びその静電チャックに使用されるベース部材
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US20170002465A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Lam Research Corporation Separation of Plasma Suppression and Wafer Edge to Improve Edge Film Thickness Uniformity
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US9640514B1 (en) 2016-03-29 2017-05-02 Globalfoundries Inc. Wafer bonding using boron and nitrogen based bonding stack
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10347547B2 (en) 2016-08-09 2019-07-09 Lam Research Corporation Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102339350B1 (ko) * 2017-04-03 2021-12-16 주식회사 미코세라믹스 세라믹 히터
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7012454B2 (ja) * 2017-04-27 2022-01-28 株式会社岡本工作機械製作所 静電吸着チャックの製造方法並びに半導体装置の製造方法
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN108060405B (zh) * 2018-01-18 2024-04-16 上海应用技术大学 一种针对轴承滚动体进行涂层的柔性夹具
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20250134000A (ko) 2018-06-27 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11114330B2 (en) * 2018-08-24 2021-09-07 Axcelis Technologies, Inc. Substrate support having customizable and replaceable features for enhanced backside contamination performance
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
CN111446185A (zh) 2019-01-17 2020-07-24 Asm Ip 控股有限公司 通风基座
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
TWI845682B (zh) 2019-05-22 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 工件基座主體
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR102955799B1 (ko) 2019-07-17 2026-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US12622218B2 (en) 2019-07-31 2026-05-05 Asm Ip Holding B.V. Cassette lid opening device
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
CN112442674A (zh) 2019-09-03 2021-03-05 Asm Ip私人控股有限公司 用于沉积硫族化物膜的方法和设备以及包括膜的结构
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
US12428726B2 (en) 2019-10-08 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Gas injection system and reactor system including same
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7703317B2 (ja) 2019-12-17 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI901623B (zh) 2020-01-06 2025-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
TWI914330B (zh) 2020-03-04 2026-02-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、及對準夾具
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TWI915365B (zh) 2020-05-15 2026-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TWI911214B (zh) 2020-05-19 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI888578B (zh) 2020-06-23 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基座及反應腔室
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
TW202605918A (zh) 2020-08-11 2026-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 閘極堆疊
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114388427A (zh) 2020-10-06 2022-04-22 Asm Ip私人控股有限公司 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
USD1031676S1 (en) 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4184188A (en) * 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
DD143131A1 (de) * 1979-04-26 1980-07-30 Ute Bergner Vorrichtung zum elektrostatischen halten von werkstuecken,insbesondere halbleiterscheiben
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
US4361643A (en) * 1981-01-05 1982-11-30 Western Electric Co., Inc. Photomask and method of using same
GB2106325A (en) * 1981-09-14 1983-04-07 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck
US4603466A (en) * 1984-02-17 1986-08-05 Gca Corporation Wafer chuck
JPS60261377A (ja) * 1984-06-08 1985-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 静電チャックの製造方法
US4599970A (en) * 1985-03-11 1986-07-15 Rca Corporation Apparatus for coating a selected area of the surface of an object
JPS63150918A (ja) * 1986-12-16 1988-06-23 Toshiba Corp Ｘ線露光用マスク
JPH0652758B2 (ja) * 1987-02-09 1994-07-06 日本電信電話株式会社 静電チヤツク
JP2779950B2 (ja) * 1989-04-25 1998-07-23 東陶機器株式会社 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置
FR2661039B1 (fr) * 1990-04-12 1997-04-30 Commissariat Energie Atomique Porte-substrat electrostatique.
US5192371A (en) * 1991-05-21 1993-03-09 Asm Japan K.K. Substrate supporting apparatus for a CVD apparatus
US5184398A (en) * 1991-08-30 1993-02-09 Texas Instruments Incorporated In-situ real-time sheet resistance measurement method
JPH05299385A (ja) * 1992-02-20 1993-11-12 Matsushita Electron Corp プラズマエッチング装置用電極およびそれを用いたプラズマエッチング装置
KR100238629B1 (ko) * 1992-12-17 2000-01-15 히가시 데쓰로 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치
DE4305750C2 (de) * 1993-02-25 2002-03-21 Unaxis Deutschland Holding Vorrichtung zum Halten von flachen, kreisscheibenförmigen Substraten in der Vakuumkammer einer Beschichtungs- oder Ätzanlage
JPH06326175A (ja) * 1993-04-22 1994-11-25 Applied Materials Inc 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法
JPH0718438A (ja) * 1993-06-17 1995-01-20 Anelva Corp 静電チャック装置
JPH07153825A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Toto Ltd 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法
US5463526A (en) * 1994-01-21 1995-10-31 Lam Research Corporation Hybrid electrostatic chuck
US5531835A (en) * 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
US5474614A (en) * 1994-06-10 1995-12-12 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for releasing a semiconductor wafer from an electrostatic clamp
US5456756A (en) * 1994-09-02 1995-10-10 Advanced Micro Devices, Inc. Holding apparatus, a metal deposition system, and a wafer processing method which preserve topographical marks on a semiconductor wafer
US5528451A (en) * 1994-11-02 1996-06-18 Applied Materials, Inc Erosion resistant electrostatic chuck
US5583736A (en) * 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313898A (ja) * 2001-02-08 2002-10-25 Tokyo Electron Ltd 基板載置台およびその製造方法ならびに処理装置
US7791857B2 (en) 2002-06-18 2010-09-07 Canon Anelva Corporation Electrostatic chuck device
US7623334B2 (en) 2002-06-18 2009-11-24 Canon Anelva Corporation Electrostatic chuck device
US7724493B2 (en) 2002-06-18 2010-05-25 Canon Anelva Corporation Electrostatic chuck device
US7848077B2 (en) 2002-06-18 2010-12-07 Canon Anelva Corporation Electrostatic chuck device
JP2007266611A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag 一時的に基板を支持する支持構造
WO2008111752A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Komico Ltd. Apparatus for transferring a wafer
WO2010004915A1 (ja) * 2008-07-08 2010-01-14 株式会社クリエイティブ テクノロジー 双極型静電チャック
JP5283699B2 (ja) * 2008-07-08 2013-09-04 株式会社クリエイティブ テクノロジー 双極型静電チャック
US8730644B2 (en) 2008-07-08 2014-05-20 Creative Technology Corporation Bipolar electrostatic chuck
JP2019121748A (ja) * 2018-01-11 2019-07-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US11823872B2 (en) 2020-10-05 2023-11-21 Kioxia Corporation Electrostatic chuck apparatus and semiconductor manufacturing apparatus
JP2024510226A (ja) * 2021-03-18 2024-03-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静電チャッキングにおける低減された局在的な力
WO2023190247A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 株式会社クリエイティブテクノロジー ワーク吸着装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3266537B2 (ja) 2002-03-18
EP0794566B1 (en) 2002-11-06
KR100274768B1 (ko) 2001-01-15
US5656093A (en) 1997-08-12
DE69716796D1 (de) 2002-12-12
KR970067579A (ko) 1997-10-13
ATE227471T1 (de) 2002-11-15
EP0794566A1 (en) 1997-09-10
DE69716796T2 (de) 2003-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3266537B2 (ja) ワークピースの支持チャックの支持面に離間してワークピースを支持する装置及び離間マスクの製造方法
US5841624A (en) Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5825607A (en) Insulated wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
JP4007640B2 (ja) 静電チャック用シールド
JP5492875B2 (ja) 静電チャック
US10236201B2 (en) Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces
US6217655B1 (en) Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck
US5982607A (en) Monopolar electrostatic chuck having an electrode in contact with a workpiece
US6258227B1 (en) Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
JPH1064986A (ja) 汚染抑制層を有する基板支持チャック及びその製造方法
EP1001455A1 (en) Apparatus for protecting a substrate support surface and method of fabricating same
US6835415B2 (en) Compliant layer chucking surface
CN115053323A (zh) 用于衬底处理的静电边缘环安置系统
US5863396A (en) Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
US6214413B1 (en) Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
JP2000164684A (ja) 静電チャックのワ―クピ―ス支持面上でワ―クピ―スを支持するための導電性ポリマ―パッド
TWI440123B (zh) 用於承載基材之裝置與方法
KR20130123268A (ko) 반도체 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위한 척 제조방법
Blaedel et al. Compliant layer chucking surface

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20011203

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100111

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees