JPH09330534A - 相変化型光情報記録媒体 - Google Patents
相変化型光情報記録媒体Info
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- JPH09330534A JPH09330534A JP8171840A JP17184096A JPH09330534A JP H09330534 A JPH09330534 A JP H09330534A JP 8171840 A JP8171840 A JP 8171840A JP 17184096 A JP17184096 A JP 17184096A JP H09330534 A JPH09330534 A JP H09330534A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、記録層の上下に設ける誘電体層の材料
について検討されていたが、高消去比を得ることと、高
い経時安定性を得ることはトレードオフの関係にあっ
た。 【解決手段】 光ビームを透過する透明基板と、透明基
板の上面に設けられた第１の誘電体層と、第１の誘電体
層の上面に設けられ、光ビームの照射によって結晶相と
アモルファス相との間で可逆的状態変化を生じる記録層
と、記録層の上面に設けられた第２の誘電体層と、第２
の誘電体保護層の上面に設けられ、光ビームの一部を前
記記録層側に反射する反射層とを具備する相変化型光情
報記録媒体において、第２の誘電体層がＦｅ2Ｏ3である
ことを特徴とする。
について検討されていたが、高消去比を得ることと、高
い経時安定性を得ることはトレードオフの関係にあっ
た。 【解決手段】 光ビームを透過する透明基板と、透明基
板の上面に設けられた第１の誘電体層と、第１の誘電体
層の上面に設けられ、光ビームの照射によって結晶相と
アモルファス相との間で可逆的状態変化を生じる記録層
と、記録層の上面に設けられた第２の誘電体層と、第２
の誘電体保護層の上面に設けられ、光ビームの一部を前
記記録層側に反射する反射層とを具備する相変化型光情
報記録媒体において、第２の誘電体層がＦｅ2Ｏ3である
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する利用分野】本発明は光情報記録媒体に関
するものであって、特に、光ビームを照射することによ
って記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再
生、消去を行うことが可能な相変化型光情報記録媒体に
関する。
するものであって、特に、光ビームを照射することによ
って記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再
生、消去を行うことが可能な相変化型光情報記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、社会全体が急速にマルチメディア
化を進めている中で、フロッピーディスクに代わる大容
量の書換可能な光ディスクが重要な位置にある。書換可
能な光ディスクとしては、記録層に垂直磁化膜を用いた
光磁気ディスクと、記録層に結晶相ーアモルファス相間
あるいは結晶ー結晶間の転移をおこす材料を用いた相変
化型光ディスクがよく知られている。
化を進めている中で、フロッピーディスクに代わる大容
量の書換可能な光ディスクが重要な位置にある。書換可
能な光ディスクとしては、記録層に垂直磁化膜を用いた
光磁気ディスクと、記録層に結晶相ーアモルファス相間
あるいは結晶ー結晶間の転移をおこす材料を用いた相変
化型光ディスクがよく知られている。
【０００３】相変化型光ディスクは、単一の光ビームに
よるオーバライトが可能であり、ドライブ側の光学系も
より単純な構成でよいことから、最近、その研究開発が
より活発化している。特に、書換型コンパクトディスク
（ＣＤ−Ｅ：Compact Disk-Erasable）や書換型デジタ
ルビデオディスク（ＤＶＤ−ＲＡＭ：Digital Video Di
sk-Read After Memory）への応用が期待されている。
よるオーバライトが可能であり、ドライブ側の光学系も
より単純な構成でよいことから、最近、その研究開発が
より活発化している。特に、書換型コンパクトディスク
（ＣＤ−Ｅ：Compact Disk-Erasable）や書換型デジタ
ルビデオディスク（ＤＶＤ−ＲＡＭ：Digital Video Di
sk-Read After Memory）への応用が期待されている。
【０００４】相変化光ディスクの記録層に用いられてい
る材料の代表的な例として、特開昭６１−８９８８９号
公報及び特開平１−３２４３８号公報に開示されている
ＧｅＴｅＳｂ系材料と特開平６−３３３２６６号公報に
開示されているＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料がある。
る材料の代表的な例として、特開昭６１−８９８８９号
公報及び特開平１−３２４３８号公報に開示されている
ＧｅＴｅＳｂ系材料と特開平６−３３３２６６号公報に
開示されているＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料がある。
【０００５】また、実際の光ディスクは、記録層を誘電
体層で挟んで繰り返しのオーバーライト伴う劣化を防止
したり、干渉効果を利用して記録部と未記録部の反射率
差（変調度）や再生特性を改善するのが普通である。
体層で挟んで繰り返しのオーバーライト伴う劣化を防止
したり、干渉効果を利用して記録部と未記録部の反射率
差（変調度）や再生特性を改善するのが普通である。
【０００６】前述の特開平６−３３３２６６号公報に開
示されている相変化型光ディスクは、透明基板の上面に
第１の誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を設け、第１
の誘電体層の上面に記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ膜を
設け、記録層の上面に第２の誘電体層としてＡｌＮ、Ｓ
ｉ3Ｎ4、Ｃ−ＢＮ、ＳｉＯ2及びＺｎＳ−ＳｉＯ2のうち
のいずれか１つの材料を用いた膜を設け、さらに、第２
の誘電体層の上面に反射層としてＡｇ、Ａｕ、Ａｌ及び
Ａｌ−Ｔｉのうちいずれか１つの材料を用いた構造とし
ている。
示されている相変化型光ディスクは、透明基板の上面に
第１の誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2膜を設け、第１
の誘電体層の上面に記録層としてＡｇＩｎＳｂＴｅ膜を
設け、記録層の上面に第２の誘電体層としてＡｌＮ、Ｓ
ｉ3Ｎ4、Ｃ−ＢＮ、ＳｉＯ2及びＺｎＳ−ＳｉＯ2のうち
のいずれか１つの材料を用いた膜を設け、さらに、第２
の誘電体層の上面に反射層としてＡｇ、Ａｕ、Ａｌ及び
Ａｌ−Ｔｉのうちいずれか１つの材料を用いた構造とし
ている。
【０００７】
【発明が解決するための課題】しかしながら、上記第２
の誘電体層に用いられる材料において、ＡｌＮ、Ｓｉ3
Ｎ4、Ｃ−ＢＮ等の窒化金属膜は、硬度が高いために、
−３５ｄＢ以上の高い消去比を得ることができるが、記
録膜との密着性が十分でなく、ディスクの反りやねじれ
によってひび割れが発生したり、長期間の保存におい
て、記録膜との間で剥離が起こりやすいという問題があ
った。
の誘電体層に用いられる材料において、ＡｌＮ、Ｓｉ3
Ｎ4、Ｃ−ＢＮ等の窒化金属膜は、硬度が高いために、
−３５ｄＢ以上の高い消去比を得ることができるが、記
録膜との密着性が十分でなく、ディスクの反りやねじれ
によってひび割れが発生したり、長期間の保存におい
て、記録膜との間で剥離が起こりやすいという問題があ
った。
【０００８】また、ＳｉＯ2及びＺｎＳ−ＳｉＯ2は、記
録膜との密着性が高いが、消去比が−２５ｄＢ以下と低
く、窒化金属膜に較べて繰り返し特性に劣っているとい
う問題があった。
録膜との密着性が高いが、消去比が−２５ｄＢ以下と低
く、窒化金属膜に較べて繰り返し特性に劣っているとい
う問題があった。
【０００９】従って、高消去比を得ることと、高い経時
安定性を得ることはトレードオフの関係にあった。
安定性を得ることはトレードオフの関係にあった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１記載の発明は、光ビームを透過す
る透明基板と、透明基板の上面に設けられた第１の誘電
体層と、第１の誘電体層の上面に設けられ、光ビームの
照射によって結晶相とアモルファス相との間で可逆的状
態変化を生じる記録層と、記録層の上面に設けられた第
２の誘電体層と、第２の誘電体保護層の上面に設けら
れ、光ビームの一部を前記記録層側に反射する反射層と
を具備する相変化型光情報記録媒体において、第２の誘
電体層がＦｅ2Ｏ3であることを特徴とするものである。
に、本発明の請求項１記載の発明は、光ビームを透過す
る透明基板と、透明基板の上面に設けられた第１の誘電
体層と、第１の誘電体層の上面に設けられ、光ビームの
照射によって結晶相とアモルファス相との間で可逆的状
態変化を生じる記録層と、記録層の上面に設けられた第
２の誘電体層と、第２の誘電体保護層の上面に設けら
れ、光ビームの一部を前記記録層側に反射する反射層と
を具備する相変化型光情報記録媒体において、第２の誘
電体層がＦｅ2Ｏ3であることを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明の請求項２記載の発明は、請
求項１記載の相変化型光情報記録媒体であって、第１の
誘電体層は膜厚１１０乃至１５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ
2であり、記録層は膜厚２０乃至４０ｎｍのＡｇＩｎＳ
ｂＴｅであり、第２の誘電体層は膜厚１５乃至３５ｎｍ
のＦｅ2Ｏ3であり、反射層は膜厚６０乃至１００ｎｍの
Ａｌであることを特徴とするものである。
求項１記載の相変化型光情報記録媒体であって、第１の
誘電体層は膜厚１１０乃至１５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ
2であり、記録層は膜厚２０乃至４０ｎｍのＡｇＩｎＳ
ｂＴｅであり、第２の誘電体層は膜厚１５乃至３５ｎｍ
のＦｅ2Ｏ3であり、反射層は膜厚６０乃至１００ｎｍの
Ａｌであることを特徴とするものである。
【００１２】本発明の請求項１記載の発明によれば、第
２の誘電体層の材料を、金属酸化物の中でも機械的強度
が高く、かつ、窒化金属膜よりも記録膜との密着性が高
いＦｅ2Ｏ3としたので、高い消去比が得られ、かつ、経
時安定性に優れた相変化型光情報記録媒体を得ることが
できる。
２の誘電体層の材料を、金属酸化物の中でも機械的強度
が高く、かつ、窒化金属膜よりも記録膜との密着性が高
いＦｅ2Ｏ3としたので、高い消去比が得られ、かつ、経
時安定性に優れた相変化型光情報記録媒体を得ることが
できる。
【００１３】また、本発明の請求項２記載の発明によれ
ば、高い消去比が得られ、経時安定性に優れ、かつ、記
録信号のコントラストが大きくとれるために高いＣＮＲ
（Carrier to Noise Ratio）が得られる相変化型光情報
記録媒体を得ることができる。
ば、高い消去比が得られ、経時安定性に優れ、かつ、記
録信号のコントラストが大きくとれるために高いＣＮＲ
（Carrier to Noise Ratio）が得られる相変化型光情報
記録媒体を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面及び表を用いて本発明
を具体的に説明する。図１は本発明の相変化型光情報記
録媒体の一実施例の断面の構造を示す模式図である。直
径１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂からなる透明基板
１０１（グルーブ幅＝０．５μｍ、グルーブ深さ＝６０
ｎｍ）の上面に第１の誘電体層１０２としてＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2膜を２０ｎｍから２２０ｎｍの範囲の膜厚に各試
料毎に変化させて成膜した。第１の誘電体層１０２の成
膜は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用い、Ａｒ雰囲気
中でのＲＦスパッタリング法により行った。
を具体的に説明する。図１は本発明の相変化型光情報記
録媒体の一実施例の断面の構造を示す模式図である。直
径１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂からなる透明基板
１０１（グルーブ幅＝０．５μｍ、グルーブ深さ＝６０
ｎｍ）の上面に第１の誘電体層１０２としてＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2膜を２０ｎｍから２２０ｎｍの範囲の膜厚に各試
料毎に変化させて成膜した。第１の誘電体層１０２の成
膜は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用い、Ａｒ雰囲気
中でのＲＦスパッタリング法により行った。
【００１５】第１の誘電体層１０２の上面には、記録層
１０３としてＡｇＩｎＳｂＴｅ膜を各試料とも２０ｎｍ
の膜厚に成膜した。記録層１０３の成膜は、記録層の組
成がＡｇ1 2Ｉｎ1 3Ｓｂ2 6Ｔｅ4 9となるように調整したタ
ーゲットを用い、Ａｒ雰囲気中でのＲＦスパッタリング
法により行った。
１０３としてＡｇＩｎＳｂＴｅ膜を各試料とも２０ｎｍ
の膜厚に成膜した。記録層１０３の成膜は、記録層の組
成がＡｇ1 2Ｉｎ1 3Ｓｂ2 6Ｔｅ4 9となるように調整したタ
ーゲットを用い、Ａｒ雰囲気中でのＲＦスパッタリング
法により行った。
【００１６】記録層１０３の上面には第２の誘電体層１
０４としてＦｅ2Ｏ3膜を２０ｎｍから６０ｎｍの範囲の
膜厚に各試料毎に変化させて成膜した。第２の誘電体層
１０４の成膜はＦｅ2Ｏ3ターゲットを用い、Ａｒ雰囲気
中でのＲＦスパッタリング法により行った。
０４としてＦｅ2Ｏ3膜を２０ｎｍから６０ｎｍの範囲の
膜厚に各試料毎に変化させて成膜した。第２の誘電体層
１０４の成膜はＦｅ2Ｏ3ターゲットを用い、Ａｒ雰囲気
中でのＲＦスパッタリング法により行った。
【００１７】第２の誘電体層１０４の上面には、反射層
１０５としてＡｌ膜を６０ｎｍの膜厚に成膜した。反射
層の成膜は、Ａｌターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中での
ＲＦスパッタリングにより行った。
１０５としてＡｌ膜を６０ｎｍの膜厚に成膜した。反射
層の成膜は、Ａｌターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中での
ＲＦスパッタリングにより行った。
【００１８】また、反射層１０５の上面には、保護層１
０６として紫外線硬化樹脂をスピンコート法により膜厚
５μｍとなるように塗布形成し、紫外線を照射して硬化
させて成膜した。
０６として紫外線硬化樹脂をスピンコート法により膜厚
５μｍとなるように塗布形成し、紫外線を照射して硬化
させて成膜した。
【００１９】以上のようにして、第１の誘電体層１０２
及び第２の誘電体層１０４の膜厚を変えて作製した数種
類の相変化型光情報記録媒体について、初期化を波長７
８０ｎｍの半導体レーザを用いて、レーザ出力６ｍＷ、
線速度１．２ｍ／ｓで連続照射して行った。
及び第２の誘電体層１０４の膜厚を変えて作製した数種
類の相変化型光情報記録媒体について、初期化を波長７
８０ｎｍの半導体レーザを用いて、レーザ出力６ｍＷ、
線速度１．２ｍ／ｓで連続照射して行った。
【００２０】次に、初期化を行ったそれぞれの相変化型
光情報記録媒体に対し、波長７８０ｎｍの半導体レーザ
を用いて、レーザ出力１３ｍＷ、線速度１．２ｍ／ｓ
で、記録周波数７２０ｋＨｚ、デューティ５０％の信号
を記録し、さらに、周波数２００ｋＨｚ、デューティ５
０％の信号を記録してオーバライトを行ったときの周波
数２００ｋＨｚの信号の記録部反射率の未記録部反射率
に対する比率（コントラスト）を測定した。
光情報記録媒体に対し、波長７８０ｎｍの半導体レーザ
を用いて、レーザ出力１３ｍＷ、線速度１．２ｍ／ｓ
で、記録周波数７２０ｋＨｚ、デューティ５０％の信号
を記録し、さらに、周波数２００ｋＨｚ、デューティ５
０％の信号を記録してオーバライトを行ったときの周波
数２００ｋＨｚの信号の記録部反射率の未記録部反射率
に対する比率（コントラスト）を測定した。
【００２１】図２は、コントラストの第１の誘電体層及
び第２の誘電体層の膜厚依存性を示す特性図である。図
２からわかるように、第１の誘電体層１０２であるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2膜が膜厚１１０〜１５０ｎｍの範囲及び第
２の誘電体層１０４であるＦｅ2Ｏ3膜が膜厚１５〜３５
ｎｍの範囲のとき、０．６以上の大きなコントラストが
得られる。
び第２の誘電体層の膜厚依存性を示す特性図である。図
２からわかるように、第１の誘電体層１０２であるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2膜が膜厚１１０〜１５０ｎｍの範囲及び第
２の誘電体層１０４であるＦｅ2Ｏ3膜が膜厚１５〜３５
ｎｍの範囲のとき、０．６以上の大きなコントラストが
得られる。
【００２２】また、記録層１０３であるＡｇ1 2Ｉｎ1 3Ｓ
ｂ2 6Ｔｅ4 9膜の膜厚を２０〜４０ｎｍの範囲及び反射層
１０５であるＡｌ膜の膜厚を６０〜１２０ｎｍの範囲で
変化させた場合も同様の結果が得られた。
ｂ2 6Ｔｅ4 9膜の膜厚を２０〜４０ｎｍの範囲及び反射層
１０５であるＡｌ膜の膜厚を６０〜１２０ｎｍの範囲で
変化させた場合も同様の結果が得られた。
【００２３】しかしながら、記録層１０３の膜厚を上記
範囲以外の膜厚に設定すると、全体的にコントラストが
低下し、０．６以上のコントラストが得られなくなっ
た。また、反射層１０５の膜厚を６０ｎｍ以下の膜厚に
設定すると、Ａｌ膜の反射率が低いため、コントラスト
が低下し、１２０ｎｍ以上の膜厚に設定すると放熱効果
が大きく成りすぎるために、記録及び消去特性が低下す
る。
範囲以外の膜厚に設定すると、全体的にコントラストが
低下し、０．６以上のコントラストが得られなくなっ
た。また、反射層１０５の膜厚を６０ｎｍ以下の膜厚に
設定すると、Ａｌ膜の反射率が低いため、コントラスト
が低下し、１２０ｎｍ以上の膜厚に設定すると放熱効果
が大きく成りすぎるために、記録及び消去特性が低下す
る。
【００２４】次に、コントラストが０．６以上であっ
た、第１の誘電体層１０２の膜厚１２０ｎｍ、記録層１
０３の膜厚２０ｎｍ、第２の誘電体層１０４の膜厚２５
ｎｍ、反射層１０５の膜厚６０ｎｍの構造を有する相変
化型光情報記録媒体の２００ｋＨｚ信号のＣ／Ｎ（Carr
ier to Noise ratio）及び消去比を測定した。また、比
較例として、第２の誘電体層１０４が膜厚２０ｎｍのＡ
ｌＮ及び膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2とした構造の
相変化型光情報記録媒体についても２００ｋＨｚ信号の
Ｃ／Ｎ及び消去比を測定した。表１にその結果を示す。
た、第１の誘電体層１０２の膜厚１２０ｎｍ、記録層１
０３の膜厚２０ｎｍ、第２の誘電体層１０４の膜厚２５
ｎｍ、反射層１０５の膜厚６０ｎｍの構造を有する相変
化型光情報記録媒体の２００ｋＨｚ信号のＣ／Ｎ（Carr
ier to Noise ratio）及び消去比を測定した。また、比
較例として、第２の誘電体層１０４が膜厚２０ｎｍのＡ
ｌＮ及び膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2とした構造の
相変化型光情報記録媒体についても２００ｋＨｚ信号の
Ｃ／Ｎ及び消去比を測定した。表１にその結果を示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１からわかるように、第２の誘電体層１
０４がいずれの種類の材料の場合も、１０5回の繰り返
し特性は変化が見られなかった。しかし、第２の誘電体
層１０４にＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いた場合は、Ｃ／Ｎ及
び消去比特性が他の２つの材料よりも劣っていることが
わかる。
０４がいずれの種類の材料の場合も、１０5回の繰り返
し特性は変化が見られなかった。しかし、第２の誘電体
層１０４にＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いた場合は、Ｃ／Ｎ及
び消去比特性が他の２つの材料よりも劣っていることが
わかる。
【００２７】次に、Ｃ／Ｎ及び消去比特性が優れてい
る、第２の誘電体層１０４にＦｅ2Ｏ3膜及びＡｌＮ膜を
用いた相変化型光情報記録媒体に対し、経時安定性を測
定するために、線速度１．２ｍ／ｓ、レーザ出力１３ｍ
Ｗでマルチパルス方式を用いてＥＦＭ信号を記録し、７
０℃、８５％ＲＨの温湿度加速試験を実施したときのブ
ロックエラーの変化を測定した。図３は、温湿度加速試
験の結果を示す特性図である。
る、第２の誘電体層１０４にＦｅ2Ｏ3膜及びＡｌＮ膜を
用いた相変化型光情報記録媒体に対し、経時安定性を測
定するために、線速度１．２ｍ／ｓ、レーザ出力１３ｍ
Ｗでマルチパルス方式を用いてＥＦＭ信号を記録し、７
０℃、８５％ＲＨの温湿度加速試験を実施したときのブ
ロックエラーの変化を測定した。図３は、温湿度加速試
験の結果を示す特性図である。
【００２８】図３からも明白なように、本発明の第２の
誘電体層１０４にＦｅ2Ｏ3膜を用いた層変化型光情報記
録媒体は、長時間の温湿度加速試験後においても、記録
膜１０３と第２の誘電体層１０４の間に剥離が発生せ
ず、従来のＡｌＮ膜を用いたものよりも、経時安定性に
優れていることがわかった。
誘電体層１０４にＦｅ2Ｏ3膜を用いた層変化型光情報記
録媒体は、長時間の温湿度加速試験後においても、記録
膜１０３と第２の誘電体層１０４の間に剥離が発生せ
ず、従来のＡｌＮ膜を用いたものよりも、経時安定性に
優れていることがわかった。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明の第２の誘電体層
にＦｅ2Ｏ3膜を用いた相変化型光情報記録媒体は、高Ｃ
／Ｎ、高消去比及び優れた繰り返し特性を有し、かつ高
い経時安定性を有している。
にＦｅ2Ｏ3膜を用いた相変化型光情報記録媒体は、高Ｃ
／Ｎ、高消去比及び優れた繰り返し特性を有し、かつ高
い経時安定性を有している。
【図１】本発明の相変化型光情報記録媒体の一実施例の
断面の構造を示す模式図。
断面の構造を示す模式図。
【図２】記録部反射率の未記録部反射率に対する比率
（コントラスト）の第１の誘電体層及び第２の誘電体層
の膜厚依存性を示す特性図。
（コントラスト）の第１の誘電体層及び第２の誘電体層
の膜厚依存性を示す特性図。
【図３】温湿度加速試験の結果を示す特性図。
１０１ 透明基板 １０２ 第１の誘電体層 １０３ 記録層 １０４ 第２の誘電体層 １０５ 反射層 １０６ 保護層
Claims (2)
- 【請求項１】光ビームを透過する透明基板と、 前記透明基板の上面に設けられた第１の誘電体層と、 前記第１の誘電体層の上面に設けられ、光ビームの照射
によって結晶相とアモルファス相との間で可逆的状態変
化を生じる記録層と、 前記記録層の上面に設けられた第２の誘電体層と、 前記第２の誘電体保護層の上面に設けられ、前記光ビー
ムの一部を前記記録層側に反射する反射層とを具備する
相変化型光情報記録媒体において、 前記第２の誘電体層がＦｅ2Ｏ3であることを特徴とする
相変化型光情報記録媒体。 - 【請求項２】請求項１記載の相変化型光情報記録媒体で
あって、 前記第１の誘電体層は膜厚１１０乃至１５０ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2であり、 前記記録層は膜厚２０乃至４０ｎｍのＡｇＩｎＳｂＴｅ
であり、 前記第２の誘電体層は膜厚１５乃至３５ｎｍのＦｅ2Ｏ3
であり、 前記反射層は膜厚６０乃至１００ｎｍのＡｌであること
を特徴とする相変化型光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8171840A JPH09330534A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 相変化型光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8171840A JPH09330534A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 相変化型光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09330534A true JPH09330534A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15930742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8171840A Pending JPH09330534A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 相変化型光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09330534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100483522C (zh) | 2002-11-18 | 2009-04-29 | 三星电子株式会社 | 具有相变层的光记录介质和该光记录介质的制备方法 |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP8171840A patent/JPH09330534A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100483522C (zh) | 2002-11-18 | 2009-04-29 | 三星电子株式会社 | 具有相变层的光记录介质和该光记录介质的制备方法 |
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