JPH09331088A - ホール素子 - Google Patents
ホール素子Info
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- JPH09331088A JPH09331088A JP8149124A JP14912496A JPH09331088A JP H09331088 A JPH09331088 A JP H09331088A JP 8149124 A JP8149124 A JP 8149124A JP 14912496 A JP14912496 A JP 14912496A JP H09331088 A JPH09331088 A JP H09331088A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高感度でかつ耐熱性に優れたホール素子を提
供する。 【解決手段】 強磁性体基板上に形成された半導体薄膜
からなる感磁部と金属薄膜からなる電極部とを有し、さ
らに前記感磁部上にほぼ直方体の磁気集束用磁性体チッ
プが載置された構造のホール素子であって、前記感磁部
と前記電極部の境界の形状が曲線状であることを特徴と
するホール素子である。
供する。 【解決手段】 強磁性体基板上に形成された半導体薄膜
からなる感磁部と金属薄膜からなる電極部とを有し、さ
らに前記感磁部上にほぼ直方体の磁気集束用磁性体チッ
プが載置された構造のホール素子であって、前記感磁部
と前記電極部の境界の形状が曲線状であることを特徴と
するホール素子である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感度が高く、特に
耐熱性に優れたホール素子に関する。
耐熱性に優れたホール素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホール素子は、ＶＴＲ、フロッピーディ
スクやＣＤ−ＲＯＭ等のドライブモータ用の回転位置検
出センサとして広く用いられている。モータの小型化に
伴って、小型で高感度なホール素子の要求が益々強まっ
ている。
スクやＣＤ−ＲＯＭ等のドライブモータ用の回転位置検
出センサとして広く用いられている。モータの小型化に
伴って、小型で高感度なホール素子の要求が益々強まっ
ている。
【０００３】高感度ホール素子のペレットは、強磁性体
基板、その上に移動度の高い半導体薄膜が配置され、さ
らにその上に、ほぼ直方体の磁気集束用磁性体チップが
載せられている構造体をなしている。例えば、特公昭５
１−４５２３４号公報には、ホール移動度の高い薄膜を
この構造体中に配置するための方法が示されている。す
なわち、雲母等の結晶性基板上に化合物半導体薄膜を形
成した後、この薄膜をエポキシ等の接着剤を用いて強磁
性体基板に接着し、結晶性基板を除去、次いで接着剤で
該半導体薄膜の感磁部の上に磁気集束用磁性体を接着す
ることによって、上記の積層構造体を形成する方法であ
る。
基板、その上に移動度の高い半導体薄膜が配置され、さ
らにその上に、ほぼ直方体の磁気集束用磁性体チップが
載せられている構造体をなしている。例えば、特公昭５
１−４５２３４号公報には、ホール移動度の高い薄膜を
この構造体中に配置するための方法が示されている。す
なわち、雲母等の結晶性基板上に化合物半導体薄膜を形
成した後、この薄膜をエポキシ等の接着剤を用いて強磁
性体基板に接着し、結晶性基板を除去、次いで接着剤で
該半導体薄膜の感磁部の上に磁気集束用磁性体を接着す
ることによって、上記の積層構造体を形成する方法であ
る。
【０００４】また近年、ホール素子の高感度化の要求と
相まって、耐熱性への要求が強まってきている。
相まって、耐熱性への要求が強まってきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にして形成した構造をもつペレットによりホール素子の
耐熱性を調べると、極めて良好なものからかなりの特性
変動（入出力抵抗値の変動）を示すものまで種々存在し
た。
にして形成した構造をもつペレットによりホール素子の
耐熱性を調べると、極めて良好なものからかなりの特性
変動（入出力抵抗値の変動）を示すものまで種々存在し
た。
【０００６】そこで本発明は、耐熱性が改良された高感
度のホール素子を提供することを目的とするものであ
る。
度のホール素子を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記耐熱
性の差がなぜ起こるのかをペレットの構造を詳細に調査
し、重大な発見をなした。一つの知見として、ペレット
のまま、例えば、室温から急激に３００℃の半田槽に浸
漬しても特性変動（抵抗値の変動）は少ない。しかし、
モールド工程その他を経由して素子化して同様なテスト
を行うと、特性変動が１５％以上のものがあり、かつそ
の変動が全て抵抗値アップとして現れるという知見であ
る。本発明者らは、この理由を特にモールド工程でスト
レスがかかり、上記のようなテストをすると、そのスト
レスが解放されて電極部と感磁部に剥がれが発生し抵抗
値がアップするのではないかと考えた。それではなぜ変
動のないものとあるものが発生するのか。そこで、ペレ
ットの感磁部と磁気集束用磁性体チップの位置関係を調
べた結果、感磁部と電極部の境界に、磁気集束用磁性体
チップの角が接しているもののうちから、特性変動が大
きい素子がでるということがわかった。
性の差がなぜ起こるのかをペレットの構造を詳細に調査
し、重大な発見をなした。一つの知見として、ペレット
のまま、例えば、室温から急激に３００℃の半田槽に浸
漬しても特性変動（抵抗値の変動）は少ない。しかし、
モールド工程その他を経由して素子化して同様なテスト
を行うと、特性変動が１５％以上のものがあり、かつそ
の変動が全て抵抗値アップとして現れるという知見であ
る。本発明者らは、この理由を特にモールド工程でスト
レスがかかり、上記のようなテストをすると、そのスト
レスが解放されて電極部と感磁部に剥がれが発生し抵抗
値がアップするのではないかと考えた。それではなぜ変
動のないものとあるものが発生するのか。そこで、ペレ
ットの感磁部と磁気集束用磁性体チップの位置関係を調
べた結果、感磁部と電極部の境界に、磁気集束用磁性体
チップの角が接しているもののうちから、特性変動が大
きい素子がでるということがわかった。
【０００８】図３は、従来のホール素子ペレットの平面
である。基板１上に絶縁層２を介して十字状の感磁部３
とその四端に電極部４を有するパターンが形成され、こ
のパターン上に直方体の磁気集束用磁性体チップ７がそ
の先端を電極部と感磁部の辺に接するように載せられ、
上記のような特性変動につながる危険な状態を示してい
る。６はボンディング用電極層である。磁性体チップが
その対角線方向を感磁部の長さ方向と一致させているの
は磁気集束効果を高めるためである。このように危険な
状態になる確率は、感磁部の長さと磁性体チップの大き
さによるとともに、磁性体チップの配置の公差によって
決定される。ところで、磁性体チップを配置する方法に
は、いわゆるダイボンダーを使う方法や、特公平７−１
３９８７号公報に記載されているウェハー単位で多数の
ペレットに一度に載せる方法があるが、どの方法でも磁
性体チップ配置の公差は２０μｍ程度が限界であること
がわかっている。従って、上記のような特性変動上危険
な領域に入る確率は、図３のようなパターンである限り
常にかなりの確率で存在する。このような危険な状態に
なる確率を極小にする方法を鋭意考えて本発明をなすに
至った。
である。基板１上に絶縁層２を介して十字状の感磁部３
とその四端に電極部４を有するパターンが形成され、こ
のパターン上に直方体の磁気集束用磁性体チップ７がそ
の先端を電極部と感磁部の辺に接するように載せられ、
上記のような特性変動につながる危険な状態を示してい
る。６はボンディング用電極層である。磁性体チップが
その対角線方向を感磁部の長さ方向と一致させているの
は磁気集束効果を高めるためである。このように危険な
状態になる確率は、感磁部の長さと磁性体チップの大き
さによるとともに、磁性体チップの配置の公差によって
決定される。ところで、磁性体チップを配置する方法に
は、いわゆるダイボンダーを使う方法や、特公平７−１
３９８７号公報に記載されているウェハー単位で多数の
ペレットに一度に載せる方法があるが、どの方法でも磁
性体チップ配置の公差は２０μｍ程度が限界であること
がわかっている。従って、上記のような特性変動上危険
な領域に入る確率は、図３のようなパターンである限り
常にかなりの確率で存在する。このような危険な状態に
なる確率を極小にする方法を鋭意考えて本発明をなすに
至った。
【０００９】すなわち、本発明によるホール素子は、強
磁性体基板上に形成された半導体薄膜からなる感磁部と
金属薄膜からなる電極部とを有し、さらに前記感磁部上
にほぼ直方体の磁気集束用磁性体チップが載置された構
造のホール素子であって、前記感磁部と前記電極部の境
界の形状が曲線状であることを特徴とする。
磁性体基板上に形成された半導体薄膜からなる感磁部と
金属薄膜からなる電極部とを有し、さらに前記感磁部上
にほぼ直方体の磁気集束用磁性体チップが載置された構
造のホール素子であって、前記感磁部と前記電極部の境
界の形状が曲線状であることを特徴とする。
【００１０】ここで、半導体薄膜がインジウムアンチモ
ン系薄膜であることが好ましく、強磁性体基板が高透磁
率フェライトであることが好ましい。
ン系薄膜であることが好ましく、強磁性体基板が高透磁
率フェライトであることが好ましい。
【００１１】さらに強磁性体チップがシリコーン系樹脂
によって半導体薄膜に接着されていると好適である。
によって半導体薄膜に接着されていると好適である。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一例としてのホー
ル素子のペレットの平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ
部での切断面での断面図である。
ル素子のペレットの平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ
部での切断面での断面図である。
【００１３】図１および図２において、強磁性体基板１
上に絶縁層２（樹脂またはガラス、ＳｉＯ2 等の無機物
からなる）を介して、感磁部となる半導体層３が形成さ
れ、半導体層３の所定部分に電極４が接続され、半導体
層３上には接着層５を介して磁気集束用磁性体チップ７
が配置されている構造となっている。電極部４の一部に
ボンディング用電極部６がさらに付与されている態様に
なっている。電極部４と感磁部３の境界の形状が図３と
異なり曲線状になっているのが特徴である。こうした形
状にすることにより、上記したような磁性体チップ７の
角が電極部４と感磁部３の界面に接する確率は、直線状
の場合より大幅に減少させることができる。なお、感磁
部および電極部の構造は上記以外にも種々取りうるの
で、本発明を上記図に限定するものではない。例えば、
図１と違い感磁部の中心側に電極部が凸になっている態
様も本発明の概念の範囲内にある。
上に絶縁層２（樹脂またはガラス、ＳｉＯ2 等の無機物
からなる）を介して、感磁部となる半導体層３が形成さ
れ、半導体層３の所定部分に電極４が接続され、半導体
層３上には接着層５を介して磁気集束用磁性体チップ７
が配置されている構造となっている。電極部４の一部に
ボンディング用電極部６がさらに付与されている態様に
なっている。電極部４と感磁部３の境界の形状が図３と
異なり曲線状になっているのが特徴である。こうした形
状にすることにより、上記したような磁性体チップ７の
角が電極部４と感磁部３の界面に接する確率は、直線状
の場合より大幅に減少させることができる。なお、感磁
部および電極部の構造は上記以外にも種々取りうるの
で、本発明を上記図に限定するものではない。例えば、
図１と違い感磁部の中心側に電極部が凸になっている態
様も本発明の概念の範囲内にある。
【００１４】ところで、感磁部の長さＬとその幅Ｗが素
子の抵抗値と感度を決める。例えば、厚みが大で抵抗値
の低い半導体薄膜を基準抵抗値にするには、長さを大き
くし幅を小さくしなければならないが、そうすると感度
が低くなる。本発明のように、感磁部と電極部の境界が
曲線状の場合には、直線状の場合とは当然異なってく
る。この場合の長さは、最長と最短の長さのほぼ中間の
値を用いてパターンを設計することができる。
子の抵抗値と感度を決める。例えば、厚みが大で抵抗値
の低い半導体薄膜を基準抵抗値にするには、長さを大き
くし幅を小さくしなければならないが、そうすると感度
が低くなる。本発明のように、感磁部と電極部の境界が
曲線状の場合には、直線状の場合とは当然異なってく
る。この場合の長さは、最長と最短の長さのほぼ中間の
値を用いてパターンを設計することができる。
【００１５】感磁部を構成する半導体薄膜としては、イ
ンジウムアンチモン、インジウム砒素、ガリウム砒素等
の化合物半導体から選択できる。これらのうち、高感度
ホール素子として好ましいのは、ホール移動度の高いイ
ンジウムアンチモン系薄膜である。
ンジウムアンチモン、インジウム砒素、ガリウム砒素等
の化合物半導体から選択できる。これらのうち、高感度
ホール素子として好ましいのは、ホール移動度の高いイ
ンジウムアンチモン系薄膜である。
【００１６】ここにインジウムアンチモン系とは、一般
式Ｉｎ1-X ＶX Ｓｂ1-Y ＷY （ただし、ＶはＧａ、Ａ
ｌ、Ｗは燐、砒素から選ばれた一つ以上の元素で、Ｘと
Ｙは０〜０. ５）で表される化合物半導体である。これ
らの化合物半導体を感磁部とするホール素子がセンサと
して機能するためには、実用上の抵抗値を確保する必要
があり、厚みを０. ５〜１. ５μｍ程度に薄膜化するこ
とが必須の要件である。勿論、高感度を確保するため
に、高いホール移動度も当然必要である。本発明者ら
は、この系の高移動度化の方法を種々提案してきたが、
これらの方法により作製した半導体薄膜を本発明で好適
に適用できる（特公平１−１３２１１号公報、特公平１
−１５１３５号公報、特公平２−４７８４９号公報、特
公平２−４７８５０号公報、特公平３−５９５７１号公
報参照）。
式Ｉｎ1-X ＶX Ｓｂ1-Y ＷY （ただし、ＶはＧａ、Ａ
ｌ、Ｗは燐、砒素から選ばれた一つ以上の元素で、Ｘと
Ｙは０〜０. ５）で表される化合物半導体である。これ
らの化合物半導体を感磁部とするホール素子がセンサと
して機能するためには、実用上の抵抗値を確保する必要
があり、厚みを０. ５〜１. ５μｍ程度に薄膜化するこ
とが必須の要件である。勿論、高感度を確保するため
に、高いホール移動度も当然必要である。本発明者ら
は、この系の高移動度化の方法を種々提案してきたが、
これらの方法により作製した半導体薄膜を本発明で好適
に適用できる（特公平１−１３２１１号公報、特公平１
−１５１３５号公報、特公平２−４７８４９号公報、特
公平２−４７８５０号公報、特公平３−５９５７１号公
報参照）。
【００１７】強磁性体基板、磁気集束用磁性体チップの
材料としては、パーマロイ、鉄−ケイ素合金、フェライ
ト等の高透磁率磁性体を用いることが出来る。そのう
ち、切断のしやすさや、安価である等の理由で高透磁率
フェライト、特にＭｎ−Ｚｎフェライトが好適な素材と
して利用出来る。
材料としては、パーマロイ、鉄−ケイ素合金、フェライ
ト等の高透磁率磁性体を用いることが出来る。そのう
ち、切断のしやすさや、安価である等の理由で高透磁率
フェライト、特にＭｎ−Ｚｎフェライトが好適な素材と
して利用出来る。
【００１８】磁性体チップをペレット上に載せる際の接
着剤５としては、樹脂が好ましい。上記したように、磁
性体チップを有するホール素子の耐熱性は、ストレスに
関係するので、柔らかいシリコーン系樹脂を用いるのが
好適である。
着剤５としては、樹脂が好ましい。上記したように、磁
性体チップを有するホール素子の耐熱性は、ストレスに
関係するので、柔らかいシリコーン系樹脂を用いるのが
好適である。
【００１９】強磁性体基板上に担持された半導体薄膜
を、パターニング工程で所望の特性の得られる長さと幅
のマスクを用いてパターン形成を行う。その際、電極形
成も併せて行う。その後、特公平７−１３９８７号公報
に記載されているような方法でウェハー単位で多数のペ
レットに一度に磁性体チップ載せを行う。さらにダイシ
ング工程により、一個一個のペレットとし、これらのペ
レットをダイボンダ等でリードフレームに固着し、ペレ
ットの電極とリードフレームとをワイヤーボンダー等で
つなぎ、さらにモールド工程等によりホール素子とする
のが製造の一つの態様である。個別にチップ載せを行う
場合には、パターン形成後、ダイシングで一個一個のペ
レットとした後ダイボンダー等でリードフレームに固着
し、さらにダイボンダー等で一個のペレットにつき一個
のチップを載せていく態様もある。
を、パターニング工程で所望の特性の得られる長さと幅
のマスクを用いてパターン形成を行う。その際、電極形
成も併せて行う。その後、特公平７−１３９８７号公報
に記載されているような方法でウェハー単位で多数のペ
レットに一度に磁性体チップ載せを行う。さらにダイシ
ング工程により、一個一個のペレットとし、これらのペ
レットをダイボンダ等でリードフレームに固着し、ペレ
ットの電極とリードフレームとをワイヤーボンダー等で
つなぎ、さらにモールド工程等によりホール素子とする
のが製造の一つの態様である。個別にチップ載せを行う
場合には、パターン形成後、ダイシングで一個一個のペ
レットとした後ダイボンダー等でリードフレームに固着
し、さらにダイボンダー等で一個のペレットにつき一個
のチップを載せていく態様もある。
【００２０】このようにして作られたホール素子は耐熱
性を保証できる素子である。
性を保証できる素子である。
【００２１】次に、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
【００２２】（実施例１）３インチ（約７．６ｃｍ）角
の高透磁率フェライト、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトを
強磁性体基板とし、スパッタリングによりコーニング社
製の７０５９ガラスを０. ５μｍの厚さに付着し、これ
を蒸着基板にして、初めにＩｎ過剰のＩｎＳｂ複合結晶
（ＩｎＳｂ結晶とＩｎＳｂ膜から析出するＩｎから形成
される複合結晶）薄膜を蒸着により形成し、次いで過剰
のＳｂを蒸着してＩｎＳｂ薄膜を形成し、その後、Ｉｎ
Ｓｂ薄膜を所望の抵抗値になるまで研磨する方法でウェ
ハーを作製した。ホール素子パターンを形成するのに、
フォトリソグラフィーの手法を用いた。感磁部と電極部
の境界は図１に示すような曲線状で、感磁部の長さは最
長部分４４０μｍ、最短部分４００μｍ、幅は１７０μ
ｍであった。電極部はＣｕで形成し、ボンディングのた
めの電極としてＮｉおよびＡｕを積層した構造とした。
の高透磁率フェライト、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトを
強磁性体基板とし、スパッタリングによりコーニング社
製の７０５９ガラスを０. ５μｍの厚さに付着し、これ
を蒸着基板にして、初めにＩｎ過剰のＩｎＳｂ複合結晶
（ＩｎＳｂ結晶とＩｎＳｂ膜から析出するＩｎから形成
される複合結晶）薄膜を蒸着により形成し、次いで過剰
のＳｂを蒸着してＩｎＳｂ薄膜を形成し、その後、Ｉｎ
Ｓｂ薄膜を所望の抵抗値になるまで研磨する方法でウェ
ハーを作製した。ホール素子パターンを形成するのに、
フォトリソグラフィーの手法を用いた。感磁部と電極部
の境界は図１に示すような曲線状で、感磁部の長さは最
長部分４４０μｍ、最短部分４００μｍ、幅は１７０μ
ｍであった。電極部はＣｕで形成し、ボンディングのた
めの電極としてＮｉおよびＡｕを積層した構造とした。
【００２３】特公平７−１３９８７号公報に記載の方法
により、一辺の長さが２８５μｍの立方体の高透磁率フ
ェライトチップをシリコーン系樹脂を接着剤として図１
のような配置で載せ接着した。すなわち、磁性体チップ
７は感磁部３上にあり、感磁部と電極部との境界には接
していない。
により、一辺の長さが２８５μｍの立方体の高透磁率フ
ェライトチップをシリコーン系樹脂を接着剤として図１
のような配置で載せ接着した。すなわち、磁性体チップ
７は感磁部３上にあり、感磁部と電極部との境界には接
していない。
【００２４】ダイシングして一辺０．８ｍｍのペレット
とし、ダイボンディング、ワイヤーボンディング、モー
ルド等の工程を経てホール素子とした。この素子の感度
は印加電圧１Ｖ、素子平面に垂直な印加磁束密度５００
Ｇで平均２８０ｍＶであった。
とし、ダイボンディング、ワイヤーボンディング、モー
ルド等の工程を経てホール素子とした。この素子の感度
は印加電圧１Ｖ、素子平面に垂直な印加磁束密度５００
Ｇで平均２８０ｍＶであった。
【００２５】このようにして作製したホール素子の中か
ら１００ヶを抜き取り、特性を測定した後、３００℃の
溶融半田槽に１０秒浸漬して特性を測定（以下、耐熱性
テストという）し、浸漬前後の特性の変化を見た。入出
力抵抗値の特性が５％以上変動のある素子は皆無であっ
た。
ら１００ヶを抜き取り、特性を測定した後、３００℃の
溶融半田槽に１０秒浸漬して特性を測定（以下、耐熱性
テストという）し、浸漬前後の特性の変化を見た。入出
力抵抗値の特性が５％以上変動のある素子は皆無であっ
た。
【００２６】（比較例１）実施例１と同一バッチのウェ
ハーを用い、感磁部と電極部の境界が直線状で長さが４
００μｍ、幅が１７０μｍのパターニングを行い、実施
例１と同様に同様のフェライトチップを載せ、その後の
工程も実施例と同様にしてホール素子を作った。
ハーを用い、感磁部と電極部の境界が直線状で長さが４
００μｍ、幅が１７０μｍのパターニングを行い、実施
例１と同様に同様のフェライトチップを載せ、その後の
工程も実施例と同様にしてホール素子を作った。
【００２７】実施例１と同じ耐熱性テストをしたとこ
ろ、入出力抵抗値の特性が１５％以上のものが１００ヶ
中１０個発生した。
ろ、入出力抵抗値の特性が１５％以上のものが１００ヶ
中１０個発生した。
【００２８】（実施例２）その抵抗値が実施例１の場合
より約５０％低いＩｎＳｂ薄膜を使用し、感磁部の長さ
を最長部分５４０μｍ、最短部分４９０μｍとし、幅を
１４０μｍとする曲線状のマスクを用いてパターニング
し、辺の長さ３５０μｍ、厚み２００μｍの直方体の高
透磁率フェライトチップを実施例１と同様にして載せ
た。実施例１と同様にしてホール素子を作り、耐熱性テ
ストを行ったが、１００ヶ中の不良品は皆無であった。
より約５０％低いＩｎＳｂ薄膜を使用し、感磁部の長さ
を最長部分５４０μｍ、最短部分４９０μｍとし、幅を
１４０μｍとする曲線状のマスクを用いてパターニング
し、辺の長さ３５０μｍ、厚み２００μｍの直方体の高
透磁率フェライトチップを実施例１と同様にして載せ
た。実施例１と同様にしてホール素子を作り、耐熱性テ
ストを行ったが、１００ヶ中の不良品は皆無であった。
【００２９】（比較例２）感磁部と電極部の境界が直線
状で長さが４９０μｍ、幅が１４０μｍとする以外は実
施例２と同様にしてホール素子をつくった。耐熱性テス
トでは、１００ヶ中９ヶが特性変動１５％以上であっ
た。
状で長さが４９０μｍ、幅が１４０μｍとする以外は実
施例２と同様にしてホール素子をつくった。耐熱性テス
トでは、１００ヶ中９ヶが特性変動１５％以上であっ
た。
【００３０】（実施例３）雲母を蒸着基板にして、初め
にＩｎ過剰のＩｎＳｂ複合結晶薄膜を蒸着により形成
し、次いで過剰のＩｎと化合物を形成するＳｂを過剰に
蒸着する方法により化学量論組成の移動度４３、０００
ｃｍ2 ／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を作製した。
にＩｎ過剰のＩｎＳｂ複合結晶薄膜を蒸着により形成
し、次いで過剰のＩｎと化合物を形成するＳｂを過剰に
蒸着する方法により化学量論組成の移動度４３、０００
ｃｍ2 ／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を作製した。
【００３１】次に、５０ｍｍ角の高透磁率フェライトを
準備し、上記のＩｎＳｂ薄膜上にポリイミド樹脂を滴下
し、フェライトをその上に重ね、重しを置いて２００℃
で１２時間放置した。次に室温に戻し、雲母を剥ぎ取っ
た。このＩｎＳｂ薄膜を担持したウェハーにより実施例
２と同じパターンを作製し、同様に磁性体チップを接着
してホール素子を作り、半田槽に浸漬する耐熱性テスト
を行った。抜き取り品１００ヶ中、入出力抵抗値の特性
が５％以上変動する素子は皆無であった。
準備し、上記のＩｎＳｂ薄膜上にポリイミド樹脂を滴下
し、フェライトをその上に重ね、重しを置いて２００℃
で１２時間放置した。次に室温に戻し、雲母を剥ぎ取っ
た。このＩｎＳｂ薄膜を担持したウェハーにより実施例
２と同じパターンを作製し、同様に磁性体チップを接着
してホール素子を作り、半田槽に浸漬する耐熱性テスト
を行った。抜き取り品１００ヶ中、入出力抵抗値の特性
が５％以上変動する素子は皆無であった。
【００３２】（比較例３）実施例３と同一バッチのウェ
ハーを用いて比較例２と同じパターンで、同じようにし
てホール素子を作り耐熱テストを実施したところ、抜き
取り品１００ヶ中１５％以上変動する素子は１３ヶ発生
した。
ハーを用いて比較例２と同じパターンで、同じようにし
てホール素子を作り耐熱テストを実施したところ、抜き
取り品１００ヶ中１５％以上変動する素子は１３ヶ発生
した。
【００３３】（実施例４）実施例３のウェハーを磁性体
チップを載せる前にダイボンダーによりリードフレーム
に付け、ワイヤーボンダーによりペレット電極とリード
フレームを繋いでから、実施例２と同じサイズの磁性体
チップをダイボンダーにより載せ接着した。各工程を経
てホール素子を作製後の耐熱性テストで実施例３とほぼ
同様な結果になった。
チップを載せる前にダイボンダーによりリードフレーム
に付け、ワイヤーボンダーによりペレット電極とリード
フレームを繋いでから、実施例２と同じサイズの磁性体
チップをダイボンダーにより載せ接着した。各工程を経
てホール素子を作製後の耐熱性テストで実施例３とほぼ
同様な結果になった。
【００３４】（比較例４）比較例３のウェハーをチップ
載せ前にダイボンダーによりリードフレームに付け、ワ
イヤーボンダーによりペレット電極とリードフレームを
繋いでから、実施例２と同じサイズの磁性体チップをダ
イボンダーにより載せ接着した。各工程を経てホール素
子を作製後の耐熱性テストでは比較例３とほぼ同様な結
果になった。
載せ前にダイボンダーによりリードフレームに付け、ワ
イヤーボンダーによりペレット電極とリードフレームを
繋いでから、実施例２と同じサイズの磁性体チップをダ
イボンダーにより載せ接着した。各工程を経てホール素
子を作製後の耐熱性テストでは比較例３とほぼ同様な結
果になった。
【００３５】なお、高透磁率フェライトがＭｎ−Ｚｎフ
ェライトに限られないことはいうまでもない。
ェライトに限られないことはいうまでもない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高感度で耐熱性に優れたホール素子を得ることができ
る。
高感度で耐熱性に優れたホール素子を得ることができ
る。
【図１】本発明の一例としてのホール素子ペレットの平
面図である。
面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】従来のホール素子ペレットの平面図である。
１ 強磁性体基板 ２ 絶縁層 ３ 化合物半導体薄膜層（感磁部） ４ 電極層 ５ 接着剤層 ６ ボンディング用電極層 ７ 磁気集束用磁性体チップ
Claims (4)
- 【請求項１】 強磁性体基板上に形成された半導体薄膜
からなる感磁部と金属薄膜からなる電極部とを有し、さ
らに前記感磁部上にほぼ直方体の磁気集束用磁性体チッ
プが載置された構造のホール素子であって、前記感磁部
と前記電極部の境界の形状が曲線状であることを特徴と
するホール素子。 - 【請求項２】 前記半導体薄膜がインジウムアンチモン
系薄膜であることを特徴とする請求項１記載のホール素
子。 - 【請求項３】 前記強磁性体基板および磁性体チップが
高透磁率フェライトであることを特徴とする請求項１ま
たは２記載のホール素子。 - 【請求項４】 前記磁性体チップが前記半導体薄膜にシ
リコーン系樹脂によって接着されていることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載のホール素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8149124A JPH09331088A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | ホール素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8149124A JPH09331088A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | ホール素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331088A true JPH09331088A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15468259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8149124A Withdrawn JPH09331088A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | ホール素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09331088A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100449A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Vitec Co., Ltd. | Capteur magnetique et capteur de direction |
| CN107132497A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-09-05 | 西安工业大学 | 用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法 |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP8149124A patent/JPH09331088A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100449A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Vitec Co., Ltd. | Capteur magnetique et capteur de direction |
| CN107132497A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-09-05 | 西安工业大学 | 用于无损检测半导体薄膜霍尔效应的基片及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |