JPH09331151A - バットリードタイプlsi端子の半田付けチェック方式 - Google Patents
バットリードタイプlsi端子の半田付けチェック方式Info
- Publication number
- JPH09331151A JPH09331151A JP15079996A JP15079996A JPH09331151A JP H09331151 A JPH09331151 A JP H09331151A JP 15079996 A JP15079996 A JP 15079996A JP 15079996 A JP15079996 A JP 15079996A JP H09331151 A JPH09331151 A JP H09331151A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead type
- lsi
- butt
- check method
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 LSI本体に均等に熱を加え、各対応スルー
ホールの温度上昇率を測定する方法により、LSIの全
端子がプリント配線基板のランドに正しく半田付けされ
ているかどうかをチェックできる、バットリードタイプ
LSI端子の半田付けのチェック方式を提供する。 【解決手段】 基板に実装されたLSI本体に均等に熱
を加える手段と、基板の裏面における各スルーホールの
部分の温度を測定する手段とを有し、なお、温度測定手
段としては、赤外線感光画像処理装置または熱電対装置
もしくは両者併用の場合がある。
ホールの温度上昇率を測定する方法により、LSIの全
端子がプリント配線基板のランドに正しく半田付けされ
ているかどうかをチェックできる、バットリードタイプ
LSI端子の半田付けのチェック方式を提供する。 【解決手段】 基板に実装されたLSI本体に均等に熱
を加える手段と、基板の裏面における各スルーホールの
部分の温度を測定する手段とを有し、なお、温度測定手
段としては、赤外線感光画像処理装置または熱電対装置
もしくは両者併用の場合がある。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バットリードタイ
プLSI端子の半田付けチェック方式に関し、特に、熱
伝導による温度分布の測定及び解析による半田付けチェ
ック方式に関する。
プLSI端子の半田付けチェック方式に関し、特に、熱
伝導による温度分布の測定及び解析による半田付けチェ
ック方式に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、一般にLSI端子の半田付けチェ
ック方式としては、LSIのリード端子とプリント配線
基板(PWB)上のランド間の抵抗を測定することによ
り、端子がプリント基板に正しく半田付けされているか
どうかを確認する方法が採られてきた。しかし、図1お
よび2に示すようなバットリードタイプのLSIの場
合、内側の端子については、構造上触れることができな
いので抵抗値を測定する方法を採ることが困難であり、
X線による透視およびファイバースコープを使用した目
視によって半田付けの確認行われてきた。
ック方式としては、LSIのリード端子とプリント配線
基板(PWB)上のランド間の抵抗を測定することによ
り、端子がプリント基板に正しく半田付けされているか
どうかを確認する方法が採られてきた。しかし、図1お
よび2に示すようなバットリードタイプのLSIの場
合、内側の端子については、構造上触れることができな
いので抵抗値を測定する方法を採ることが困難であり、
X線による透視およびファイバースコープを使用した目
視によって半田付けの確認行われてきた。
【0003】なお、そのほかに、特開平1−26245
5および特開昭62−237346に示されるような、
プリント回路回路板上の表面実装部品に接続されたパタ
ーンに接触子に熱を与え、表面実装部品のリード部分の
温度をサーモビュアにより測定する方法もあるが、リー
ド端子がLSIの下側に隠れるので、リード端子の温度
測定が困難であり、バットリードタイプのLSIの場合
に適用できない。
5および特開昭62−237346に示されるような、
プリント回路回路板上の表面実装部品に接続されたパタ
ーンに接触子に熱を与え、表面実装部品のリード部分の
温度をサーモビュアにより測定する方法もあるが、リー
ド端子がLSIの下側に隠れるので、リード端子の温度
測定が困難であり、バットリードタイプのLSIの場合
に適用できない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述のX線による透視
およびファイバースコープを使用した目視による測定方
法では、バットリードタイプのLSIの構造上、やはり
内側の端子が隠れて目視が完全には行われず、完璧な測
定を期待することが困難であった。
およびファイバースコープを使用した目視による測定方
法では、バットリードタイプのLSIの構造上、やはり
内側の端子が隠れて目視が完全には行われず、完璧な測
定を期待することが困難であった。
【0005】そこで本発明の目的は、上述の各方法の問
題点を克服した、LSI本体に均等に熱を加え、各対応
スルーホールの温度上昇率を測定する方法によりLSI
の全端子がプリント配線基板のランドに正しく半田付け
されているかをチェックできる、バットリードタイプL
SI端子の半田付けチェック方式を提供することであ
る。
題点を克服した、LSI本体に均等に熱を加え、各対応
スルーホールの温度上昇率を測定する方法によりLSI
の全端子がプリント配線基板のランドに正しく半田付け
されているかをチェックできる、バットリードタイプL
SI端子の半田付けチェック方式を提供することであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のバットリードタ
イプLSI端子の半田付けチェック方式は、プリント配
線基板に実装されたバットリードタイプのLSI本体に
均等に熱を加える手段と、プリント配線基板の裏面にお
ける各対応スルーホールの部分の温度を測定する手段と
を有する。
イプLSI端子の半田付けチェック方式は、プリント配
線基板に実装されたバットリードタイプのLSI本体に
均等に熱を加える手段と、プリント配線基板の裏面にお
ける各対応スルーホールの部分の温度を測定する手段と
を有する。
【0007】なお、温度測定手段としては、赤外線感光
画像処理装置を用いる場合、熱電対装置を用いる場合、
および両者の併用による場合がある。
画像処理装置を用いる場合、熱電対装置を用いる場合、
および両者の併用による場合がある。
【0008】プリント配線基板の裏の各対応スルーホー
ルの温度上昇率を測定し、正常に半田付けがされている
場合の同じ位置の温度上昇率を比較することによって、
バットリードタイプ端子がランドにしっかりと半田付け
されているか、或は半田ルーズとなって、リード端子が
浮いているかをチェックできる。これは、半田ルーズと
なっている箇所の対応スルーホールの温度上昇率が、正
常な半田付け箇所の温度上昇率よりも小さくなることに
よる。
ルの温度上昇率を測定し、正常に半田付けがされている
場合の同じ位置の温度上昇率を比較することによって、
バットリードタイプ端子がランドにしっかりと半田付け
されているか、或は半田ルーズとなって、リード端子が
浮いているかをチェックできる。これは、半田ルーズと
なっている箇所の対応スルーホールの温度上昇率が、正
常な半田付け箇所の温度上昇率よりも小さくなることに
よる。
【0009】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【0010】図1(a)は、バットリードタイプのLS
Iの側面図、(b)は、(a)の下面図、図2は、図1
のLSIがプリント配線基板に取り付けられた斜視図、
図3は、図2における1本の端子がプリント配線基板の
ランド部に半田付けされた状態の拡大斜視図、図4は、
図3の1本の端子および対応スルーホールを熱が伝わる
様子を示す斜視図、図5は、請求項2に示す本発明のバ
ットリードタイプLSI端子の半田付けチェック方式の
一実施形態例の赤外線画像処理装置を用いる場合の概略
説明図である。
Iの側面図、(b)は、(a)の下面図、図2は、図1
のLSIがプリント配線基板に取り付けられた斜視図、
図3は、図2における1本の端子がプリント配線基板の
ランド部に半田付けされた状態の拡大斜視図、図4は、
図3の1本の端子および対応スルーホールを熱が伝わる
様子を示す斜視図、図5は、請求項2に示す本発明のバ
ットリードタイプLSI端子の半田付けチェック方式の
一実施形態例の赤外線画像処理装置を用いる場合の概略
説明図である。
【0011】本実施形態例のバットリードタイプLSI
端子の半田付けチェック方式は、プリント配線基板(以
下PWBと表現する)3に実装されたバットリードタイ
プのLSI本体1に均等に熱を加える手段として熱湯袋
13を利用する。そして、PWBの裏側から各端子2に
対応するスルーホール5の部分の温度を測定、表示する
装置7として赤外線カメラ8等の赤外線感光画像処理装
置(8〜10)を用いる。
端子の半田付けチェック方式は、プリント配線基板(以
下PWBと表現する)3に実装されたバットリードタイ
プのLSI本体1に均等に熱を加える手段として熱湯袋
13を利用する。そして、PWBの裏側から各端子2に
対応するスルーホール5の部分の温度を測定、表示する
装置7として赤外線カメラ8等の赤外線感光画像処理装
置(8〜10)を用いる。
【0012】528本のピンのバットリード(butt
lead)タイプのLSIが、厚さ2、4mmのPW
B3の上に実装されている。
lead)タイプのLSIが、厚さ2、4mmのPW
B3の上に実装されている。
【0013】70゜C〜90゜Cの湯約200ccを熱
湯袋13に入れ、LSI本体1に均等に熱が伝わるよう
にLSI本体1の上側に重ねる。加わった熱は、LSI
本体1から各バットリードタイプ端子2に伝わり、図4
のように、リード端子から、熱伝導の良い材質である銅
箔を用いたランド4、各リード端子毎に必ず備えられて
いる対応スルーホール5へと伝わって行く。
湯袋13に入れ、LSI本体1に均等に熱が伝わるよう
にLSI本体1の上側に重ねる。加わった熱は、LSI
本体1から各バットリードタイプ端子2に伝わり、図4
のように、リード端子から、熱伝導の良い材質である銅
箔を用いたランド4、各リード端子毎に必ず備えられて
いる対応スルーホール5へと伝わって行く。
【0014】したがって、この対応スルーホールの裏側
で、この伝わった熱による温度上昇率を測定し、正常な
ものと比較すれば、ランド4にしっかりと半田付けされ
ているか、あるいは半田ルーズとなってリード端子が浮
いているかをチェックできる。
で、この伝わった熱による温度上昇率を測定し、正常な
ものと比較すれば、ランド4にしっかりと半田付けされ
ているか、あるいは半田ルーズとなってリード端子が浮
いているかをチェックできる。
【0015】3分後および5分後に各箇所の温度を測定
し、温度上昇率(゜C/分)を求め、正常に取付られて
いるLSIと同じ温度上昇率を参考に問題箇所を検出す
る。
し、温度上昇率(゜C/分)を求め、正常に取付られて
いるLSIと同じ温度上昇率を参考に問題箇所を検出す
る。
【0016】この各スルーホールの温度上昇状況は、赤
外線用カメラ8、感光素子9を経て、コンピュータ画像
10に表示される。この画像10において異常値10b
は、正常値10aと区別される。
外線用カメラ8、感光素子9を経て、コンピュータ画像
10に表示される。この画像10において異常値10b
は、正常値10aと区別される。
【0017】なお、LSIの端子種類として、信号端子
とGND端子(および電源端子)があるが、信号端子
は、対応するスルーホールを経て、裏側に熱を伝え易い
が、GND端子は、対応スルーホールが途中で内装のシ
ールド板に接続されているので、熱が吸収され、裏側に
伝わりにくくなっている。したがって、端子の種類によ
り、異なった温度上昇特性を示すので、これを考慮して
正常な場合の同じ端子位置の温度上昇率の比較が必要と
なる。
とGND端子(および電源端子)があるが、信号端子
は、対応するスルーホールを経て、裏側に熱を伝え易い
が、GND端子は、対応スルーホールが途中で内装のシ
ールド板に接続されているので、熱が吸収され、裏側に
伝わりにくくなっている。したがって、端子の種類によ
り、異なった温度上昇特性を示すので、これを考慮して
正常な場合の同じ端子位置の温度上昇率の比較が必要と
なる。
【0018】本実施形態例は、設備が比較的単純である
反面、検出時間および検出精度の面で若干難点があ
る。、次に、第2の実施形態例について説明する。
反面、検出時間および検出精度の面で若干難点があ
る。、次に、第2の実施形態例について説明する。
【0019】図6(a)は、請求項3に示す本発明の第
2の実施形態例の熱電対装置を用いる場合の概略説明
図、(b)は、(a)の部分拡大図である。
2の実施形態例の熱電対装置を用いる場合の概略説明
図、(b)は、(a)の部分拡大図である。
【0020】本実施形態例においては、熱電対11が対
応するスルーホール5毎に備えられている。熱電対11
がスプリング12によりPWB3裏側の対応スルーホー
ル5に当接するようになっていて、同時に、ある瞬間時
におけるすべての箇所の温度が測定できる。本例は、瞬
時、精確に検出できるが、熱伝対の数が非常に多く必要
であり、所要場所の面において難点がある。
応するスルーホール5毎に備えられている。熱電対11
がスプリング12によりPWB3裏側の対応スルーホー
ル5に当接するようになっていて、同時に、ある瞬間時
におけるすべての箇所の温度が測定できる。本例は、瞬
時、精確に検出できるが、熱伝対の数が非常に多く必要
であり、所要場所の面において難点がある。
【0021】次に、上述の第1、第2の実施形態例のそ
れぞれの長所を活用した両形態を2段階に併用する第3
の実施形態例を説明する。これについての図示は省略す
る。
れぞれの長所を活用した両形態を2段階に併用する第3
の実施形態例を説明する。これについての図示は省略す
る。
【0022】本実施形態例においては、先ず、赤外線を
用いる方法により、半田不良と疑わしい端子の対応スル
ーホールを検出し、次に、縦横4個計16個の一群のス
ルーホールに対応する熱電対を、上述の対応スルーホー
ルを含んだ場所に用いることにより、半田不良と疑わし
いと思われていた端子について半田不良であるかどうか
が精確に検出できる。なお、本例の熱電対の数16は、
全スルーホールの数528に対し約3%であるので第1
の例に対する負担増は僅かで済む。
用いる方法により、半田不良と疑わしい端子の対応スル
ーホールを検出し、次に、縦横4個計16個の一群のス
ルーホールに対応する熱電対を、上述の対応スルーホー
ルを含んだ場所に用いることにより、半田不良と疑わし
いと思われていた端子について半田不良であるかどうか
が精確に検出できる。なお、本例の熱電対の数16は、
全スルーホールの数528に対し約3%であるので第1
の例に対する負担増は僅かで済む。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、PWBの
裏面において赤外線、熱電対、あるいはこれらを併用す
る方式により、バットリードタイプのLSIの全端子が
プリント配線基板のランドに正しく半田付けされている
かどうかを、簡単な方法でかつ確実に判定できる方式を
提供できるという効果がある。
裏面において赤外線、熱電対、あるいはこれらを併用す
る方式により、バットリードタイプのLSIの全端子が
プリント配線基板のランドに正しく半田付けされている
かどうかを、簡単な方法でかつ確実に判定できる方式を
提供できるという効果がある。
【図1】(a)は、バットリードタイプのLSIの側面
図、(b)は、(a)の下面図である。
図、(b)は、(a)の下面図である。
【図2】図1のLSIがプリント配線基板に取り付けら
れた斜視図である。
れた斜視図である。
【図3】図2における1本の端子がプリント配線基板の
ランド部に半田付けされた状態の拡大斜視図である。
ランド部に半田付けされた状態の拡大斜視図である。
【図4】図3の1本の端子および対応スルーホールを熱
が伝わる様子を示す斜視図である。
が伝わる様子を示す斜視図である。
【図5】本発明のバットリードタイプLSI端子の半田
付けチェック方式の一実施形態例の赤外線画像処理装置
を用いる場合の概略説明図である。
付けチェック方式の一実施形態例の赤外線画像処理装置
を用いる場合の概略説明図である。
【図6】(a)は、本発明の第2の実施形態例の熱電対
装置を用いる場合の概略説明図、(b)は、(a)の部
分拡大図である。
装置を用いる場合の概略説明図、(b)は、(a)の部
分拡大図である。
1 バットリードタイプのLSI本体 1a LSI本体の裏面 2 バットリードタイプの端子 3 プリント配線基板(PWB) 3a PWBの裏面 3b GND層 4 ランド(銅箔) 5 スルーホール 6 半田 7 温度測定表示装置 8 赤外線用カメラ 9 感光素子 10 コンピュータ画像 10a 正常値 10b 異常値 11 熱電対 12 スプリング 13 熱湯袋 14 湯(70゜C〜90゜C) 15 熱の流れ
Claims (4)
- 【請求項1】 プリント配線基板に実装されたバットリ
ードタイプのLSI本体に均等に熱を加える手段と、前
記プリント配線基板の裏面における各対応スルーホール
の部分の温度を測定する手段とを有する、バットリード
タイプLSI端子の半田付けチェック方式。 - 【請求項2】 前記温度測定手段が赤外線感光画像処理
装置である、請求項1記載のバットリードタイプLSI
端子の半田付けチェック方式。 - 【請求項3】 前記温度測定手段が熱電対装置である、
請求項1記載のバットリードタイプLSI端子の半田付
けチェック方式。 - 【請求項4】 前記温度測定手段が赤外線感光画像処理
装置及び熱電対装置を併用するものである、請求項1記
載のバットリードタイプLSI端子の半田付けチェック
方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15079996A JPH09331151A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | バットリードタイプlsi端子の半田付けチェック方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15079996A JPH09331151A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | バットリードタイプlsi端子の半田付けチェック方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331151A true JPH09331151A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15504690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15079996A Pending JPH09331151A (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | バットリードタイプlsi端子の半田付けチェック方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09331151A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104200A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | 富士通株式会社 | 面実装デイバイス接続部の検査方法 |
| JPS62282770A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Nec Corp | はんだ付検査方法 |
| JPS6391542A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハンダ付け検査装置 |
-
1996
- 1996-06-12 JP JP15079996A patent/JPH09331151A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104200A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | 富士通株式会社 | 面実装デイバイス接続部の検査方法 |
| JPS62282770A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Nec Corp | はんだ付検査方法 |
| JPS6391542A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハンダ付け検査装置 |
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