JPH0933615A - 半導体メモリ試験装置のメモリ不良解析装置 - Google Patents
半導体メモリ試験装置のメモリ不良解析装置Info
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- JPH0933615A JPH0933615A JP7205342A JP20534295A JPH0933615A JP H0933615 A JPH0933615 A JP H0933615A JP 7205342 A JP7205342 A JP 7205342A JP 20534295 A JP20534295 A JP 20534295A JP H0933615 A JPH0933615 A JP H0933615A
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 title abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
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- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
-
- G—PHYSICS
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- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体メモリ試験装置のフェイル
メモリのフェイル個数計数時に、フェイルメモリ250
から複数ビットのデータを同時に読み出して並列にフェ
イルを計数してフェイル計数処理時間を短縮実現する。 【構成】 半導体メモリ試験装置のフェイルメモリのフ
ェイル数の計数装置において、MUT測定実施時は、単
一メモリと見なしてフェイルデータが書き込まれ、フェ
イル計数実施時は、Mブロックに分割してMビット並列
に同時読み出しするフェイルメモリブロック358を設
け、前記Mビットデータを受けて、このデータのハイ/
ロー何れかの論理レベルの個数を2進バイナリコードデ
ータにエンコード変換して累積加算するフェイルカウン
タ360を設ける。
メモリのフェイル個数計数時に、フェイルメモリ250
から複数ビットのデータを同時に読み出して並列にフェ
イルを計数してフェイル計数処理時間を短縮実現する。 【構成】 半導体メモリ試験装置のフェイルメモリのフ
ェイル数の計数装置において、MUT測定実施時は、単
一メモリと見なしてフェイルデータが書き込まれ、フェ
イル計数実施時は、Mブロックに分割してMビット並列
に同時読み出しするフェイルメモリブロック358を設
け、前記Mビットデータを受けて、このデータのハイ/
ロー何れかの論理レベルの個数を2進バイナリコードデ
ータにエンコード変換して累積加算するフェイルカウン
タ360を設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリ試験装
置において、被試験メモリデバイス(MUT)の不良ビ
ット解析用に使用する不良ビット数の計数装置に関す
る。
置において、被試験メモリデバイス(MUT)の不良ビ
ット解析用に使用する不良ビット数の計数装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】冗長救済機能を有するメモリデバイスで
は、内部回路の縦横のX/Yアドレス線において本来の
X/Yアドレス線以外に、X/Y両方向に単一あるいは
複数の救済用のアドレス線を有していて、レーザートリ
ミング等で不良アドレス線と入れ替えることでデバイス
の歩留まりを向上する。
は、内部回路の縦横のX/Yアドレス線において本来の
X/Yアドレス線以外に、X/Y両方向に単一あるいは
複数の救済用のアドレス線を有していて、レーザートリ
ミング等で不良アドレス線と入れ替えることでデバイス
の歩留まりを向上する。
【0003】半導体試験装置では、各種のMUT動作マ
ージン試験(電源電圧マージンや、アクセスタイム等の
試験)が行われ、この試験結果でMUTの不良ビット数
がいくつであるかを計数することは重要な試験項目であ
る。例えば、ウエハ試験において、不良数によってその
後のウエハ処理工程が選択される。不良数が所定値より
多ければ救済不可能なので、この時点で不良と判断し処
理され、所定値より少なければ救済のリペア処理が可能
となる。この為に、MUTの総不良ビット数を計数する
フェイルカウンタが使用される。
ージン試験(電源電圧マージンや、アクセスタイム等の
試験)が行われ、この試験結果でMUTの不良ビット数
がいくつであるかを計数することは重要な試験項目であ
る。例えば、ウエハ試験において、不良数によってその
後のウエハ処理工程が選択される。不良数が所定値より
多ければ救済不可能なので、この時点で不良と判断し処
理され、所定値より少なければ救済のリペア処理が可能
となる。この為に、MUTの総不良ビット数を計数する
フェイルカウンタが使用される。
【0004】メモリ・テストシステムの構成例を、図4
に示す。測定時に、複数のMUTからの出力信号とPD
S(Programable Data Selector)60からの期待値を
DC(digital comparator)75で比較し、結果のPA
SS/FAIL情報77failを、FM(fail analysis
memory)90内のAFM(address failure memory)2
00のフェイルメモリへ格納する。測定後にAFM20
0は、このフェイルメモリを読み出して不良解析実施す
る。
に示す。測定時に、複数のMUTからの出力信号とPD
S(Programable Data Selector)60からの期待値を
DC(digital comparator)75で比較し、結果のPA
SS/FAIL情報77failを、FM(fail analysis
memory)90内のAFM(address failure memory)2
00のフェイルメモリへ格納する。測定後にAFM20
0は、このフェイルメモリを読み出して不良解析実施す
る。
【0005】AFM200内には、図5に示すように、
MUT毎の総不良ビット数を計数する複数Qチャンネル
の回路部分がある。この回路構成は、コントローラ21
0と、アドレスポインタ220と、MUX230と、M
UX240と、フェイルメモリ250と、フェイルカウ
ンタ260とで成る。
MUT毎の総不良ビット数を計数する複数Qチャンネル
の回路部分がある。この回路構成は、コントローラ21
0と、アドレスポインタ220と、MUX230と、M
UX240と、フェイルメモリ250と、フェイルカウ
ンタ260とで成る。
【0006】フェイルメモリ250は、少なくともMU
Tと同一アドレス空間の格納メモリを有している。これ
は、第1に、測定実施によりMUT出力信号をDC75
で期待値と比較した結果のPASS/FAILデータを
このフェイルメモリ250に格納する。この時のアドレ
ス情報は、PG(pattern generator:パターン発生
器)50からのアドレス信号が使用される。
Tと同一アドレス空間の格納メモリを有している。これ
は、第1に、測定実施によりMUT出力信号をDC75
で期待値と比較した結果のPASS/FAILデータを
このフェイルメモリ250に格納する。この時のアドレ
ス情報は、PG(pattern generator:パターン発生
器)50からのアドレス信号が使用される。
【0007】第2に、不良解析時には、このフェイルメ
モリ250のデータを読み出して総不良ビット数を計数
実施する。この時のアドレス情報は、MUX230を切
り替えて、コントローラ210からのアドレスポインタ
220を使用する。そして、全アドレスを順次発生させ
て、フェイルカウンタ260でフェイルを計数する。こ
のフェイルカウンタ260は、フェイルが”1”の場合
にカウントアップするカウンタである。
モリ250のデータを読み出して総不良ビット数を計数
実施する。この時のアドレス情報は、MUX230を切
り替えて、コントローラ210からのアドレスポインタ
220を使用する。そして、全アドレスを順次発生させ
て、フェイルカウンタ260でフェイルを計数する。こ
のフェイルカウンタ260は、フェイルが”1”の場合
にカウントアップするカウンタである。
【0008】コントローラ210は、CPUからの解析
パラメータを受けて、フェイル計数時のアドレス発生順
序を制御をする。アドレスポインタ220は、フェイル
メモリ250に与えるアドレス発生用であって、Nビッ
トアドレス信号の中で所望のビット区間を高速にアップ
・カウントさせたアドレス信号をMUX230に供給す
る。
パラメータを受けて、フェイル計数時のアドレス発生順
序を制御をする。アドレスポインタ220は、フェイル
メモリ250に与えるアドレス発生用であって、Nビッ
トアドレス信号の中で所望のビット区間を高速にアップ
・カウントさせたアドレス信号をMUX230に供給す
る。
【0009】MUX230は、コントローラ210から
の選択信号を受けて、測定実施時には、PG50のアド
レス信号を出力し、不良解析時には、前記アドレスポイ
ンタ220のアドレス信号を出力するセレクタである。
MUX240は、フェイルメモリ250がMUTと同じ
アドレス空間となるように、供給するアドレス信号24
2adrを選択するセレクタである。例えば、使用しない
上位アドレス信号を0値固定にして供給する。
の選択信号を受けて、測定実施時には、PG50のアド
レス信号を出力し、不良解析時には、前記アドレスポイ
ンタ220のアドレス信号を出力するセレクタである。
MUX240は、フェイルメモリ250がMUTと同じ
アドレス空間となるように、供給するアドレス信号24
2adrを選択するセレクタである。例えば、使用しない
上位アドレス信号を0値固定にして供給する。
【0010】以上でAFM200の構成概要を説明し
た。次に、これによる計数動作について図を示して説明
する。図6は、MUTのアドレスビット数が8ビットと
した場合におけるフェイルメモリ250に格納されてい
るデータ例であり、ここでは、Xアドレスを4ビット、
Yアドレスを4ビットとした(X、Y)アドレスを印加
する場合とする。
た。次に、これによる計数動作について図を示して説明
する。図6は、MUTのアドレスビット数が8ビットと
した場合におけるフェイルメモリ250に格納されてい
るデータ例であり、ここでは、Xアドレスを4ビット、
Yアドレスを4ビットとした(X、Y)アドレスを印加
する場合とする。
【0011】この図において、全フェイルデータを計数
する為には、アドレス(X、Y)を(0、0)から
(F、F)迄順次変化させて256アドレス全てをアク
セスしてフェイル数を計数していく。ここの例では、計
数値”18”として得られる。このように全アドレスを
印加して読み出す必要がある為、メモリ容量に比例した
計数時間を要する。このことは、大容量のメモリデバイ
スでは計数処理時間がかかり、好ましくない。
する為には、アドレス(X、Y)を(0、0)から
(F、F)迄順次変化させて256アドレス全てをアク
セスしてフェイル数を計数していく。ここの例では、計
数値”18”として得られる。このように全アドレスを
印加して読み出す必要がある為、メモリ容量に比例した
計数時間を要する。このことは、大容量のメモリデバイ
スでは計数処理時間がかかり、好ましくない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記説明のように、全
フェイルデータを計数する為には、全アドレスを発生さ
せてデータ読みだして、フェイルデータの有無回数をカ
ウントアップする必要がある。このことは、メモリデバ
イス容量に比例してフェイル計数処理時間がかかる難点
となり、大容量の64Mビット、256Mビットデバイ
スでは、デバイス試験のスループットの低下を招く難点
になる。
フェイルデータを計数する為には、全アドレスを発生さ
せてデータ読みだして、フェイルデータの有無回数をカ
ウントアップする必要がある。このことは、メモリデバ
イス容量に比例してフェイル計数処理時間がかかる難点
となり、大容量の64Mビット、256Mビットデバイ
スでは、デバイス試験のスループットの低下を招く難点
になる。
【0013】そこで、本発明が解決しようとする課題
は、フェイル計数時に、フェイルメモリ250から複数
ビットのデータを同時に読み出して並列にフェイルを計
数する計数手段とすることでフェイル計数処理時間を短
縮実現することを目的とする。
は、フェイル計数時に、フェイルメモリ250から複数
ビットのデータを同時に読み出して並列にフェイルを計
数する計数手段とすることでフェイル計数処理時間を短
縮実現することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の構成では、半導体メモリ試験装置のフェイ
ルメモリのフェイル数の計数装置において、MUT測定
実施時は、単一メモリと見なしてフェイルデータが書き
込まれ、フェイル計数実施時は、Mブロックに分割して
Mビット並列に同時読み出しするフェイルメモリブロッ
ク358を設け、前記Mビットデータを受けて、このデ
ータのハイ/ロー何れかの論理レベルの個数を2進バイ
ナリコードデータにエンコード変換して累積加算するフ
ェイルカウンタ360を設ける構成手段にする。これに
より、フェイル計数時に、フェイルメモリから複数ビッ
トのフェイルデータを並列に読み出して短時間に総不良
ビット数を計数する半導体メモリ試験装置のメモリ不良
解析装置を実現する。
に、本発明の構成では、半導体メモリ試験装置のフェイ
ルメモリのフェイル数の計数装置において、MUT測定
実施時は、単一メモリと見なしてフェイルデータが書き
込まれ、フェイル計数実施時は、Mブロックに分割して
Mビット並列に同時読み出しするフェイルメモリブロッ
ク358を設け、前記Mビットデータを受けて、このデ
ータのハイ/ロー何れかの論理レベルの個数を2進バイ
ナリコードデータにエンコード変換して累積加算するフ
ェイルカウンタ360を設ける構成手段にする。これに
より、フェイル計数時に、フェイルメモリから複数ビッ
トのフェイルデータを並列に読み出して短時間に総不良
ビット数を計数する半導体メモリ試験装置のメモリ不良
解析装置を実現する。
【0015】フェイルカウンタ360としては、Mブロ
ックのフェイルメモリブロック358からM個のデータ
を受けて、このデータのハイ/ロー何れかの論理レベル
の個数を2進バイナリコードデータに変換するエンコー
ダ362を設け、前記エンコーダ362からのエンコー
ド値とカウントレジスタ366の値を加算して出力する
加算器364を設け、前記加算値をラッチ保持するカウ
ントレジスタ366を設ける実現手段がある。
ックのフェイルメモリブロック358からM個のデータ
を受けて、このデータのハイ/ロー何れかの論理レベル
の個数を2進バイナリコードデータに変換するエンコー
ダ362を設け、前記エンコーダ362からのエンコー
ド値とカウントレジスタ366の値を加算して出力する
加算器364を設け、前記加算値をラッチ保持するカウ
ントレジスタ366を設ける実現手段がある。
【0016】
【実施例】本実施例は、不良解析メモリを4つのブロッ
クに分割し、4ビット同時に読み出してフェイルカウン
トする場合の例で説明する。ここでMUTのアドレスビ
ット数は、従来説明と同様に8ビットとした場合とす
る。本発明では、MUT測定実施時には、従来と同様に
1つのメモリとして動作させて、フェイルメモリブロッ
ク358に格納させる。不良解析実施時には、4ビット
並列に読み出してフェイル計数処理する構成としてい
る。
クに分割し、4ビット同時に読み出してフェイルカウン
トする場合の例で説明する。ここでMUTのアドレスビ
ット数は、従来説明と同様に8ビットとした場合とす
る。本発明では、MUT測定実施時には、従来と同様に
1つのメモリとして動作させて、フェイルメモリブロッ
ク358に格納させる。不良解析実施時には、4ビット
並列に読み出してフェイル計数処理する構成としてい
る。
【0017】図1は、本発明によるフェイル計数手段の
1チャンネル分の回路構成を示していて、総不良ビット
数を4ビット並列で計数するフェイルメモリ350とフ
ェイルカウンタ360とで成る。フェイルメモリ350
の構成は、デコーダ352と、ORゲート356と、フ
ェイルメモリブロック358で成る。
1チャンネル分の回路構成を示していて、総不良ビット
数を4ビット並列で計数するフェイルメモリ350とフ
ェイルカウンタ360とで成る。フェイルメモリ350
の構成は、デコーダ352と、ORゲート356と、フ
ェイルメモリブロック358で成る。
【0018】フェイルメモリブロック358は、フェイ
ルメモリを4ブロックに分割した構成である。第1に、
MUT測定実施時には、メモリコントロールレジスタ3
54を”0”にセットし、このレジスタ出力により各メ
モリのCE端子がイネーブル状態とならない状態にして
おく。この状態で上位アドレスA6、A7をデコーダ3
52に入力して4つのデコード出力信号の何れか1つの
信号により1つのメモリブロックのCE端がイネーブル
になり、従来と同様に単一メモリと見なした書き込み動
作が行われる。図7はこの時のメモリアドレス空間を表
している。この図では、Yアドレス0〜3をメモリブロ
ック1、Yアドレス4〜7をメモリブロック2、Yアド
レス8〜Bをメモリブロック3、YアドレスC〜Fをメ
モリブロック4、が分担している。
ルメモリを4ブロックに分割した構成である。第1に、
MUT測定実施時には、メモリコントロールレジスタ3
54を”0”にセットし、このレジスタ出力により各メ
モリのCE端子がイネーブル状態とならない状態にして
おく。この状態で上位アドレスA6、A7をデコーダ3
52に入力して4つのデコード出力信号の何れか1つの
信号により1つのメモリブロックのCE端がイネーブル
になり、従来と同様に単一メモリと見なした書き込み動
作が行われる。図7はこの時のメモリアドレス空間を表
している。この図では、Yアドレス0〜3をメモリブロ
ック1、Yアドレス4〜7をメモリブロック2、Yアド
レス8〜Bをメモリブロック3、YアドレスC〜Fをメ
モリブロック4、が分担している。
【0019】第2に、不良解析実施時には、メモリコン
トロールレジスタ354を”1”にセットする。このレ
ジスタ出力が各々のORゲート356に与えられ、各メ
モリのCE端子が全てイネーブル状態になる。これによ
り4つのメモリを並列に同時読みだし可能になる。この
状態で、下位アドレスA0ー5を順次変えて、メモリブ
ロックの各アドレス空間のデータを同時に読み出す。
トロールレジスタ354を”1”にセットする。このレ
ジスタ出力が各々のORゲート356に与えられ、各メ
モリのCE端子が全てイネーブル状態になる。これによ
り4つのメモリを並列に同時読みだし可能になる。この
状態で、下位アドレスA0ー5を順次変えて、メモリブ
ロックの各アドレス空間のデータを同時に読み出す。
【0020】図2に、1チャンネル分のフェイルカウン
タ360の構成図を示す。フェイルカウンタ360は、
エンコーダ362と、加算器364と、カウントレジス
タ366とで成る。エンコーダ362は、フェイルメモ
リブロック358から4つの1ビットデータを受けて、
フェイル時に”1”値の個数を3ビットの2進バイナリ
コードデータ(0〜4の値)に変換するエンコーダであ
る。このエンコーダの論理データ変換コードを図3に示
す。
タ360の構成図を示す。フェイルカウンタ360は、
エンコーダ362と、加算器364と、カウントレジス
タ366とで成る。エンコーダ362は、フェイルメモ
リブロック358から4つの1ビットデータを受けて、
フェイル時に”1”値の個数を3ビットの2進バイナリ
コードデータ(0〜4の値)に変換するエンコーダであ
る。このエンコーダの論理データ変換コードを図3に示
す。
【0021】加算器364は、累積加算器であって、前
記エンコーダ362からのエンコード値とカウントレジ
スタ366の値を加算出力する。この出力をカウントレ
ジスタ366でラッチ保持する。ここでカウントレジス
タ366は、少なくともメモリ容量ビット数を保持可能
なラッチレジスタであり、初期クリアした後使用され
る。これらフェイル計数手段により、1/4のアドレス
発生で良く、計数処理時間も1/4に短縮できる効果が
得られる。
記エンコーダ362からのエンコード値とカウントレジ
スタ366の値を加算出力する。この出力をカウントレ
ジスタ366でラッチ保持する。ここでカウントレジス
タ366は、少なくともメモリ容量ビット数を保持可能
なラッチレジスタであり、初期クリアした後使用され
る。これらフェイル計数手段により、1/4のアドレス
発生で良く、計数処理時間も1/4に短縮できる効果が
得られる。
【0022】上記実施例の説明では、不良解析メモリを
4つのブロックに分割した場合の例で説明していたが、
これをM(例えば16、32、64)ブロックに分割
し、これに対応したエンコーダと加算器と、カウントレ
ジスタを設ける構成としても良く、同様にして実施でき
る。
4つのブロックに分割した場合の例で説明していたが、
これをM(例えば16、32、64)ブロックに分割
し、これに対応したエンコーダと加算器と、カウントレ
ジスタを設ける構成としても良く、同様にして実施でき
る。
【0023】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、下記に記載されるような効果を奏する。フ
ェイルメモリ構成をMブロックに分割して同時読みだし
可能なフェイルメモリブロック358構成とし、MUT
測定実施時には、単一メモリと見なした書き込み動作が
行われ、不良解析実施時には、Mブロックのメモリ全て
をイネーブル状態にしてM個のメモリデータを並列に同
時読みだし、これを2進バイナリコードデータにエンコ
ード変換して累積加算することでフェイル数を計数する
手段とした。これにより、1/Mのアドレス発生及び、
計数処理時間に短縮できる効果が得られる。
ているので、下記に記載されるような効果を奏する。フ
ェイルメモリ構成をMブロックに分割して同時読みだし
可能なフェイルメモリブロック358構成とし、MUT
測定実施時には、単一メモリと見なした書き込み動作が
行われ、不良解析実施時には、Mブロックのメモリ全て
をイネーブル状態にしてM個のメモリデータを並列に同
時読みだし、これを2進バイナリコードデータにエンコ
ード変換して累積加算することでフェイル数を計数する
手段とした。これにより、1/Mのアドレス発生及び、
計数処理時間に短縮できる効果が得られる。
【図1】本発明の、総不良ビット数を4ビット並列で計
数する場合のフェイルメモリ350とフェイルカウンタ
360の構成図である。
数する場合のフェイルメモリ350とフェイルカウンタ
360の構成図である。
【図2】本発明の、1チャンネル分のフェイルカウンタ
360の構成図である。
360の構成図である。
【図3】本発明の、2進バイナリコードに変換するエン
コーダの論理データ変換コード図である。
コーダの論理データ変換コード図である。
【図4】メモリ・テストシステムの測定構成例である。
【図5】従来の、MUTの総不良ビット数を計数するA
FM200の構成図例である。
FM200の構成図例である。
【図6】従来の、アドレスビット数が8ビットとした場
合におけるフェイル計数を説明するメモリ格納データの
一例である。
合におけるフェイル計数を説明するメモリ格納データの
一例である。
【図7】本発明の、書き込み時の単一メモリ空間のデー
タと、読みだし時の4つのメモリブロック分割のデータ
とを対比させた図である。
タと、読みだし時の4つのメモリブロック分割のデータ
とを対比させた図である。
50 PG(パターン発生器) 60 PDS 75 DC(digital comparator) 77fail PASS/FAIL情報 90 FM(fail analysis memory) 200 AFM 210 コントローラ 220 アドレスポインタ 230、240 MUX 242adr アドレス信号 250、350 フェイルメモリ 260、360 フェイルカウンタ 352 デコーダ 354 メモリコントロールレジスタ 356 ORゲート 358 フェイルメモリブロック 362 エンコーダ 364 加算器 366 カウントレジスタ
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体メモリ試験装置のフェイルメモリ
のフェイル数の計数装置において、 MUT測定実施時は、単一メモリと見なしてフェイルデ
ータが書き込まれ、フェイル計数実施時は、Mブロック
に分割してMビット並列に同時読み出しするフェイルメ
モリブロックを設け、 前記Mビットデータを受けて、このデータのハイ/ロー
何れかの論理レベルの個数を累積加算するフェイルカウ
ンタを設け、 以上を具備していることを特徴とした半導体メモリ試験
装置のメモリ不良解析装置。 - 【請求項2】 フェイルカウンタは、 MブロックのフェイルメモリブロックからM個のデータ
を受けて、このデータのハイ/ロー何れかの論理レベル
の個数を2進バイナリコードデータに変換するエンコー
ダを設け、 前記エンコーダからのエンコード値とカウントレジスタ
の値を加算して出力する加算器を設け、 前記加算値をラッチ保持するカウントレジスタを設け、 以上を具備していることを特徴とした請求項1記載の半
導体メモリ試験装置のメモリ不良解析装置。
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| JP7205342A JPH0933615A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 半導体メモリ試験装置のメモリ不良解析装置 |
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