JPH0935267A - 光学記録媒体の初期化方法とこれに用いる初期化装置 - Google Patents
光学記録媒体の初期化方法とこれに用いる初期化装置Info
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- JPH0935267A JPH0935267A JP18288495A JP18288495A JPH0935267A JP H0935267 A JPH0935267 A JP H0935267A JP 18288495 A JP18288495 A JP 18288495A JP 18288495 A JP18288495 A JP 18288495A JP H0935267 A JPH0935267 A JP H0935267A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学記録媒体における初期化において、確
実、安定に良好な初期状態を、短時間で達成できるよう
にする。 【解決手段】 相変化光学記録媒体７６の相変化記録層
７２に対してこの相変化記録層の融点よりそれぞれ低い
温度の加熱を行う光学記録媒体の加熱温度の異なる複数
の加熱部１１Ａ，１１Ｂが設けられ、光学記録媒体７６
上の複数の加熱が順次行われる構成とする。
実、安定に良好な初期状態を、短時間で達成できるよう
にする。 【解決手段】 相変化光学記録媒体７６の相変化記録層
７２に対してこの相変化記録層の融点よりそれぞれ低い
温度の加熱を行う光学記録媒体の加熱温度の異なる複数
の加熱部１１Ａ，１１Ｂが設けられ、光学記録媒体７６
上の複数の加熱が順次行われる構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化によって記
録がなされ、この相変化による光学特性の変化によって
記録の読み出しを行うようにされた相変化光ディスク等
の相変化光学記録媒体に対する光学記録媒体の初期化方
法とこれに用いる初期化装置に係わる。
録がなされ、この相変化による光学特性の変化によって
記録の読み出しを行うようにされた相変化光ディスク等
の相変化光学記録媒体に対する光学記録媒体の初期化方
法とこれに用いる初期化装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】相変化光学記録媒体例えば相変化光ディ
スクは、その記録層における状態変化すなわち相変化に
よって記録がなされ、光照射によってこの相変化に基く
光学特性例えば反射率、透過率等の変化を利用して光学
的に検出することによって記録情報の読み出しがなされ
る。
スクは、その記録層における状態変化すなわち相変化に
よって記録がなされ、光照射によってこの相変化に基く
光学特性例えば反射率、透過率等の変化を利用して光学
的に検出することによって記録情報の読み出しがなされ
る。
【０００３】オーバーライト可能な相変化光学記録媒体
においては、結晶状態を初期状態とし、非晶質状態を記
録状態とするものが一般的である。この場合、通常記録
層の成膜後の記録を行う前に初期化作業、すなわち初期
結晶膜の形成がなされる。従来、この初期化作業には、
ハロゲンランプによるフラッシュ初期化、半導体レーザ
ー等によるレーザー光照射によるレーザービーム初期化
が用いられるのが通例である。しかし、これらの方法に
よる場合、その初期化後の結晶粒径の制御等、初期結晶
膜の特性を最適な状態にすることが困難であり、またそ
れに多くの時間を要した。
においては、結晶状態を初期状態とし、非晶質状態を記
録状態とするものが一般的である。この場合、通常記録
層の成膜後の記録を行う前に初期化作業、すなわち初期
結晶膜の形成がなされる。従来、この初期化作業には、
ハロゲンランプによるフラッシュ初期化、半導体レーザ
ー等によるレーザー光照射によるレーザービーム初期化
が用いられるのが通例である。しかし、これらの方法に
よる場合、その初期化後の結晶粒径の制御等、初期結晶
膜の特性を最適な状態にすることが困難であり、またそ
れに多くの時間を要した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した光
学記録媒体における初期化において、確実、安定に良好
な初期状態を、短時間で達成できるようにする。
学記録媒体における初期化において、確実、安定に良好
な初期状態を、短時間で達成できるようにする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による初期化方法
においては、相変化光学記録媒体の初期化に当たって、
その相変化記録層に対して、この相変化記録層の融点よ
り低い温度による複数の加熱過程を経てその初期化を行
う。
においては、相変化光学記録媒体の初期化に当たって、
その相変化記録層に対して、この相変化記録層の融点よ
り低い温度による複数の加熱過程を経てその初期化を行
う。
【０００６】また、本発明による初期化装置は、相変化
光学記録媒体の相変化記録層に対してこの相変化記録層
の融点よりそれぞれ低い温度の加熱を行う光学記録媒体
の複数の加熱部が設けられ、加熱が順次行われる構成と
する。
光学記録媒体の相変化記録層に対してこの相変化記録層
の融点よりそれぞれ低い温度の加熱を行う光学記録媒体
の複数の加熱部が設けられ、加熱が順次行われる構成と
する。
【０００７】上述の本発明方法および装置によるとき
は、相変化光学記録媒体における相変化記録層の初期化
すなわち結晶化状態を確実、安定に、良好な状態すなわ
ち結晶性にすぐれ均質な結晶粒が生成された状態を短時
間で形成することができた。すなわち、本発明では、そ
れぞれ相変化記録層の融点より低い温度での複数の加熱
過程を経ることから、まず主として結晶核の生成が良好
になされる過程と、このようにして生成された結晶核に
基いて主として結晶の育成が良好になされる過程とを経
ることができることによって、言い換えれば結晶核発生
に最適な温度条件下で結晶核の生成をなし、この結晶核
による結晶育成に最適な温度条件下での結晶成長を成す
ことができるものであり、これによって良好な初期化を
行うことができるものである。
は、相変化光学記録媒体における相変化記録層の初期化
すなわち結晶化状態を確実、安定に、良好な状態すなわ
ち結晶性にすぐれ均質な結晶粒が生成された状態を短時
間で形成することができた。すなわち、本発明では、そ
れぞれ相変化記録層の融点より低い温度での複数の加熱
過程を経ることから、まず主として結晶核の生成が良好
になされる過程と、このようにして生成された結晶核に
基いて主として結晶の育成が良好になされる過程とを経
ることができることによって、言い換えれば結晶核発生
に最適な温度条件下で結晶核の生成をなし、この結晶核
による結晶育成に最適な温度条件下での結晶成長を成す
ことができるものであり、これによって良好な初期化を
行うことができるものである。
【０００８】そして、この加熱過程は、本発明装置にお
けるように、複数の加熱部を光学記録媒体の同一軌跡上
にすなわち同一円周上で順次加熱される構成としたこと
から、その結晶核の生成とこの結晶核による結晶育成と
による初期化を短時間で達成できるものである。
けるように、複数の加熱部を光学記録媒体の同一軌跡上
にすなわち同一円周上で順次加熱される構成としたこと
から、その結晶核の生成とこの結晶核による結晶育成と
による初期化を短時間で達成できるものである。
【０００９】また、多数回ある一定温度以上に記録層を
さらすことで成膜直後の各元素の拡散を促し、応力を緩
和する効果もある。
さらすことで成膜直後の各元素の拡散を促し、応力を緩
和する効果もある。
【００１０】尚、本明細書において、主として結晶核の
生成とは、この結晶核の生成と同時に少しの結晶育成が
発生すること、また主として結晶の育成とは、結晶の育
成とともに少しの結晶核の発生が生じる場合があること
を含むことを意味するものである。
生成とは、この結晶核の生成と同時に少しの結晶育成が
発生すること、また主として結晶の育成とは、結晶の育
成とともに少しの結晶核の発生が生じる場合があること
を含むことを意味するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による光学記録媒
体の初期化装置の一実施例の概略構成を示す。 先ず、
本発明で対象とする相変化光学記録媒体の一例を説明す
る。図２はこの光学記録媒体７６の一例この例では相変
化光ディスクの一部の概略断面図で、この例において
は、例えばポリカーボネート基板等の透明基板７０の一
主面上に、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合体の誘電体膜よ
りなる第１の保護膜７１を厚さ１１０ｎｍに被着形成
し、これの上に例えばＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の３元合金よ
りなる相変化記録層７２を厚さ２５ｎｍに被着形成し、
これの上に例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合体の誘電体膜よ
りなる第２の保護膜７３を厚さ１８ｎｍに被着形成し、
さらにこれの上に例えばＡｌよりなる反射膜７４を厚さ
１５０ｎｍに被着形成し、これの上に例えば紫外線硬化
樹脂（ＵＶ樹脂）をスピンコートによって塗布し、これ
を紫外線硬化して厚さ７μｍの保護膜７５を被着形成し
てなる構成とし得る。
体の初期化装置の一実施例の概略構成を示す。 先ず、
本発明で対象とする相変化光学記録媒体の一例を説明す
る。図２はこの光学記録媒体７６の一例この例では相変
化光ディスクの一部の概略断面図で、この例において
は、例えばポリカーボネート基板等の透明基板７０の一
主面上に、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合体の誘電体膜よ
りなる第１の保護膜７１を厚さ１１０ｎｍに被着形成
し、これの上に例えばＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の３元合金よ
りなる相変化記録層７２を厚さ２５ｎｍに被着形成し、
これの上に例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合体の誘電体膜よ
りなる第２の保護膜７３を厚さ１８ｎｍに被着形成し、
さらにこれの上に例えばＡｌよりなる反射膜７４を厚さ
１５０ｎｍに被着形成し、これの上に例えば紫外線硬化
樹脂（ＵＶ樹脂）をスピンコートによって塗布し、これ
を紫外線硬化して厚さ７μｍの保護膜７５を被着形成し
てなる構成とし得る。
【００１２】図１に示す本発明による光学記録媒体の初
期化装置においては、光学記録媒体７６の上述の相変化
記録層７２を加熱する第１および第２の１対の加熱部１
１Ａおよび１１Ｂを、矢印ａで示す光学記録媒体の回転
方向すなわち進行方向に沿って同一軌跡上すなわち同一
円周トラック上に沿って加熱する配置関係に配列した場
合である。
期化装置においては、光学記録媒体７６の上述の相変化
記録層７２を加熱する第１および第２の１対の加熱部１
１Ａおよび１１Ｂを、矢印ａで示す光学記録媒体の回転
方向すなわち進行方向に沿って同一軌跡上すなわち同一
円周トラック上に沿って加熱する配置関係に配列した場
合である。
【００１３】第１および第２の加熱部１１Ａおよび１１
Ｂは、それぞれ異なるパワーに構成されるものの、図１
の例ではその基本的構成は同一に構成した場合で、この
場合各第１および第２の加熱部１１Ａおよび１１Ｂが、
半導体レーザー１Ａおよび１Ｂと、これよりの各レーザ
ー光を各コリメータレンズ２Ａおよび２Ｂ、偏光ビーム
スプリッタ３Ａおよび３Ｂ、１／４波長板４Ａおよび４
Ｂ、対物レンズ５Ａおよび５Ｂを通じて光学記録媒体７
６の相変化記録層７２にフォーカシングされ、それぞれ
ビームスポット６Ａおよび６Ｂとして照射し、それぞれ
のビーム照射部においてそれぞれ所定の温度に加熱する
ようになされる。一方、光学記録媒体７６から反射され
た光ビームは、対物レンズ５Ａおよび５Ｂ、１／４波長
板４Ａおよび４Ｂを介して偏光ビームスプリッタ３Ａお
よび３Ｂに導入され、ここで反射された光が例えば非点
収差法によるフォーカスサーボ用光学系を構成する集光
レンズ７Ａおよび７Ｂ、シリンドリカルレンズ８Ａおよ
び８Ｂを通じて光検出素子例えばフォトダイオード９Ａ
および９Ｂに至る構成とされる。
Ｂは、それぞれ異なるパワーに構成されるものの、図１
の例ではその基本的構成は同一に構成した場合で、この
場合各第１および第２の加熱部１１Ａおよび１１Ｂが、
半導体レーザー１Ａおよび１Ｂと、これよりの各レーザ
ー光を各コリメータレンズ２Ａおよび２Ｂ、偏光ビーム
スプリッタ３Ａおよび３Ｂ、１／４波長板４Ａおよび４
Ｂ、対物レンズ５Ａおよび５Ｂを通じて光学記録媒体７
６の相変化記録層７２にフォーカシングされ、それぞれ
ビームスポット６Ａおよび６Ｂとして照射し、それぞれ
のビーム照射部においてそれぞれ所定の温度に加熱する
ようになされる。一方、光学記録媒体７６から反射され
た光ビームは、対物レンズ５Ａおよび５Ｂ、１／４波長
板４Ａおよび４Ｂを介して偏光ビームスプリッタ３Ａお
よび３Ｂに導入され、ここで反射された光が例えば非点
収差法によるフォーカスサーボ用光学系を構成する集光
レンズ７Ａおよび７Ｂ、シリンドリカルレンズ８Ａおよ
び８Ｂを通じて光検出素子例えばフォトダイオード９Ａ
および９Ｂに至る構成とされる。
【００１４】この構成において、対物レンズ５Ａおよび
５Ｂの開口数Ｎ．Ａ．はともに０．５とした。また、半
導体レーザ１Ａおよび１Ｂは、ともに波長８１０ｎｍの
発光がなされる半導体レーザを用いた。
５Ｂの開口数Ｎ．Ａ．はともに０．５とした。また、半
導体レーザ１Ａおよび１Ｂは、ともに波長８１０ｎｍの
発光がなされる半導体レーザを用いた。
【００１５】ここで、ビームスポット６Ａおよび６Ｂ
は、光学記録媒体７６の初期化を要する部分の最内周部
にくるように設定し、スピンドルモータとスライドサー
ボにより、光学記録媒体７６の、各ビームスポット６Ａ
および６Ｂとの相対線速度が９．４ｍ／ｓの一定線速と
なるように制御する。これらビームスポット６Ａおよび
６Ｂは、光学記録媒体７６の初期化を要する部分の最内
周部から最外周部まで、もしくは最外周部から最内周部
まで走査できるようになされる。
は、光学記録媒体７６の初期化を要する部分の最内周部
にくるように設定し、スピンドルモータとスライドサー
ボにより、光学記録媒体７６の、各ビームスポット６Ａ
および６Ｂとの相対線速度が９．４ｍ／ｓの一定線速と
なるように制御する。これらビームスポット６Ａおよび
６Ｂは、光学記録媒体７６の初期化を要する部分の最内
周部から最外周部まで、もしくは最外周部から最内周部
まで走査できるようになされる。
【００１６】光学記録媒体７６上で先行する第１の加熱
部１１Ａのビームスポット６Ａは、続く第２の加熱部１
１Ｂのビームスポット６Ｂに比して小なるパワーとす
る。そして、先行するビームスポット６Ａのパワーを、
これの照射による第１の加熱過程によって主として結晶
核の生成が良好になされるに必要なすなわち結晶核の生
成に最適な温度条件の加熱を行うことのできる例えば８
ｍＷとし、続くビームスポット６Ｂのパワーを、これの
照射による第２の加熱過程によって主として先のビーム
スポット６Ａの照射によって生成された結晶核に基いて
主として結晶の育成が良好に行うことのできる加熱を行
うための１５ｍＷとする。
部１１Ａのビームスポット６Ａは、続く第２の加熱部１
１Ｂのビームスポット６Ｂに比して小なるパワーとす
る。そして、先行するビームスポット６Ａのパワーを、
これの照射による第１の加熱過程によって主として結晶
核の生成が良好になされるに必要なすなわち結晶核の生
成に最適な温度条件の加熱を行うことのできる例えば８
ｍＷとし、続くビームスポット６Ｂのパワーを、これの
照射による第２の加熱過程によって主として先のビーム
スポット６Ａの照射によって生成された結晶核に基いて
主として結晶の育成が良好に行うことのできる加熱を行
うための１５ｍＷとする。
【００１７】この図１で示した初期化装置によって、す
なわち第１および第２の加熱部によってそれぞれ相変化
記録層の融点より低い温度での少なくとも主として結晶
化核の生成を行う加熱過程と、その後に主として結晶成
長を行う加熱過程とによって光学記録媒体７６の初期化
を行う。
なわち第１および第２の加熱部によってそれぞれ相変化
記録層の融点より低い温度での少なくとも主として結晶
化核の生成を行う加熱過程と、その後に主として結晶成
長を行う加熱過程とによって光学記録媒体７６の初期化
を行う。
【００１８】このようにして行った初期化作業は、安定
した高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）と高消去率を達成することがで
き、オーバーライトの繰り返し可能回数の大幅な改善が
はかられた。
した高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）と高消去率を達成することがで
き、オーバーライトの繰り返し可能回数の大幅な改善が
はかられた。
【００１９】また、この初期化方法によるときは、加熱
を２工程とするにもかかわらず、これら工程が並行して
なされることから作業時間が倍加することなく、冒頭に
のべた従来のレーザー照射による１加熱工程による初期
化の作業時間と同等とすることができる。
を２工程とするにもかかわらず、これら工程が並行して
なされることから作業時間が倍加することなく、冒頭に
のべた従来のレーザー照射による１加熱工程による初期
化の作業時間と同等とすることができる。
【００２０】そして、図１で説明した初期化装置によれ
ば、第１および第２の加熱過程を、それぞれ独立した第
１および第２の加熱部１１Ａおよび１１Ｂによって行う
ようにしたことから、各対物レンズ５Ａおよび５Ｂの
Ｎ．Ａ．や、各半導体レーザの波長およびレーザーパワ
ーの選定によって、それぞれ最適の加熱条件に設定する
ことができるという利点がある。
ば、第１および第２の加熱過程を、それぞれ独立した第
１および第２の加熱部１１Ａおよび１１Ｂによって行う
ようにしたことから、各対物レンズ５Ａおよび５Ｂの
Ｎ．Ａ．や、各半導体レーザの波長およびレーザーパワ
ーの選定によって、それぞれ最適の加熱条件に設定する
ことができるという利点がある。
【００２１】上述した例では、第１および第２の加熱過
程を、それぞれ独立した第１および第２の加熱部１１Ａ
および１１Ｂによって行うようにしたものであるが、例
えば図３にその概略構成図を示すように、第１および第
２の加熱部１１Ａおよび１１Ｂを一部において共通の構
成とすることもできる。この例においては、第１および
第２の加熱部１１Ａおよび１１Ｂを、半導体レーザ１
と、コリメータレンズ２と、１／２波長板１０と、偏光
ビームスプリッタ３とを共通に構成し、半導体レーザ１
からの一部のレーザー光を偏光ビームスプリッタ３によ
って分離し、このレーザー光を、ミラー１２、１／４波
長板４Ａ、対物レンズ５Ａを通じて光学記録媒体７６の
相変化記録層７２にフォーカシングしてビームスポット
６Ａを照射する第１の加熱部１１Ａを構成し、偏光ビー
ムスプリッタ３を透過したレーザー光を、１／４波長板
４Ｂ、対物レンズ５Ｂを通じて光学記録媒体７６の相変
化記録層７２にフォーカシングしてビームスポット６Ｂ
を照射する第２の加熱部１１Ｂを構成するようにした場
合である。一方、この場合ビームスプリッタ１３を配置
し、各ビームスポット６Ａおよび６Ｂの照射による反射
戻り光をそれぞれ偏光ビームスプリッタ３によって、ビ
ームスプリッタ１３に導入し、それぞれフォーカスサー
ボ用光学系を構成する集光レンズ７Ａおよび７Ｂ、シリ
ンドリカルレンズ８Ａおよび８Ｂを通じて光検出素子例
えばフォトダイオード９Ａおよび９Ｂに導入するように
なされる。
程を、それぞれ独立した第１および第２の加熱部１１Ａ
および１１Ｂによって行うようにしたものであるが、例
えば図３にその概略構成図を示すように、第１および第
２の加熱部１１Ａおよび１１Ｂを一部において共通の構
成とすることもできる。この例においては、第１および
第２の加熱部１１Ａおよび１１Ｂを、半導体レーザ１
と、コリメータレンズ２と、１／２波長板１０と、偏光
ビームスプリッタ３とを共通に構成し、半導体レーザ１
からの一部のレーザー光を偏光ビームスプリッタ３によ
って分離し、このレーザー光を、ミラー１２、１／４波
長板４Ａ、対物レンズ５Ａを通じて光学記録媒体７６の
相変化記録層７２にフォーカシングしてビームスポット
６Ａを照射する第１の加熱部１１Ａを構成し、偏光ビー
ムスプリッタ３を透過したレーザー光を、１／４波長板
４Ｂ、対物レンズ５Ｂを通じて光学記録媒体７６の相変
化記録層７２にフォーカシングしてビームスポット６Ｂ
を照射する第２の加熱部１１Ｂを構成するようにした場
合である。一方、この場合ビームスプリッタ１３を配置
し、各ビームスポット６Ａおよび６Ｂの照射による反射
戻り光をそれぞれ偏光ビームスプリッタ３によって、ビ
ームスプリッタ１３に導入し、それぞれフォーカスサー
ボ用光学系を構成する集光レンズ７Ａおよび７Ｂ、シリ
ンドリカルレンズ８Ａおよび８Ｂを通じて光検出素子例
えばフォトダイオード９Ａおよび９Ｂに導入するように
なされる。
【００２２】この実施例において、半導体レーザ１は、
波長８１０ｎｍの半導体レーザを用いた。そして、この
場合、各対物レンズ５Ａおよび５Ｂは、ともにその開口
数Ｎ．Ａ．を０．５とした。
波長８１０ｎｍの半導体レーザを用いた。そして、この
場合、各対物レンズ５Ａおよび５Ｂは、ともにその開口
数Ｎ．Ａ．を０．５とした。
【００２３】この場合においても、ビームスポット６Ａ
および６Ｂは、光学記録媒体７６の初期化を要する部分
の最内周部にくるように設定し、スピンドルモータとス
ライドサーボにより、光学記録媒体７６の、各ビームス
ポット６Ａおよび６Ｂとの相対線速度が９．４ｍ／ｓの
一定線速となるように制御する。これらビームスポット
６Ａおよび６Ｂは、光学記録媒体７６の初期化を要する
部分の最内周部から最外周部まで、もしくは最外周部か
ら最内周部まで走査できるようになされる。
および６Ｂは、光学記録媒体７６の初期化を要する部分
の最内周部にくるように設定し、スピンドルモータとス
ライドサーボにより、光学記録媒体７６の、各ビームス
ポット６Ａおよび６Ｂとの相対線速度が９．４ｍ／ｓの
一定線速となるように制御する。これらビームスポット
６Ａおよび６Ｂは、光学記録媒体７６の初期化を要する
部分の最内周部から最外周部まで、もしくは最外周部か
ら最内周部まで走査できるようになされる。
【００２４】光学記録媒体７６上で先行する第１の加熱
部１１Ａのビームスポット６Ａは、続く第２の加熱部１
１Ｂのビームスポット６Ｂに比して小なるパワーとす
る。そして、先行するビームスポット６Ａのパワーを、
これの照射による第１の加熱過程によって主として結晶
核の生成が良好になされるに必要なすなわち結晶核の生
成に最適な温度条件の加熱を行うことのできる例えば８
ｍＷとし、続くビームスポット６Ｂのパワーを、これの
照射による第２の加熱過程によって主として先のビーム
スポット６Ａの照射によって生成された結晶核に基いて
主として結晶の育成が良好に行うことのできる加熱を行
うための１５ｍＷとする。これら、パワーの選定は、半
導体レーザ１のパワーと、１／２波長板１０との制御に
よって選定することができる。
部１１Ａのビームスポット６Ａは、続く第２の加熱部１
１Ｂのビームスポット６Ｂに比して小なるパワーとす
る。そして、先行するビームスポット６Ａのパワーを、
これの照射による第１の加熱過程によって主として結晶
核の生成が良好になされるに必要なすなわち結晶核の生
成に最適な温度条件の加熱を行うことのできる例えば８
ｍＷとし、続くビームスポット６Ｂのパワーを、これの
照射による第２の加熱過程によって主として先のビーム
スポット６Ａの照射によって生成された結晶核に基いて
主として結晶の育成が良好に行うことのできる加熱を行
うための１５ｍＷとする。これら、パワーの選定は、半
導体レーザ１のパワーと、１／２波長板１０との制御に
よって選定することができる。
【００２５】また、フォトダイオード９Ａおよび９Ｂで
受けた２つのレーザービームは、フォーカスサーボの極
性を反転させるなどにより判別できる。
受けた２つのレーザービームは、フォーカスサーボの極
性を反転させるなどにより判別できる。
【００２６】この構成による初期化装置によって初期化
を行う場合においても、図１の構成による場合と同等の
効果を奏することができた。
を行う場合においても、図１の構成による場合と同等の
効果を奏することができた。
【００２７】尚、上述した各例においては、第１および
第２の２つの加熱部、すなわち２段階の加熱過程がなさ
れる場合について説明したが、３つ以上の加熱部を配置
して、３段階以上の加熱過程すなわち例えば主として結
晶化核の生成を行う加熱過程もしくはこの結晶核からの
結晶の育成を行う加熱過程をそれぞれもしくは一方の過
程についてのみ複数回行うようにすることもできる。
第２の２つの加熱部、すなわち２段階の加熱過程がなさ
れる場合について説明したが、３つ以上の加熱部を配置
して、３段階以上の加熱過程すなわち例えば主として結
晶化核の生成を行う加熱過程もしくはこの結晶核からの
結晶の育成を行う加熱過程をそれぞれもしくは一方の過
程についてのみ複数回行うようにすることもできる。
【００２８】図４に、結晶育成の加熱過程を２段階行う
全３段階の加熱過程を経るようにした本発明方法を実施
するための本発明による初期化装置の一例の概略構成図
を示す。図４において、図１と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略するが、この場合、互いに独
立の第１および第２の加熱手段１１Ａおよび１１Ｂの他
にさらに第３の加熱手段１１Ｃを配置した場合で、この
第３の加熱手段１１Ｃも、例えば第１および第２の加熱
手段１１Ａおよび１１Ｂに対応する構成を採ることがで
きるものであり、この第３の加熱手段１１Ｃにおいて上
述の第１および第２の加熱手段１１Ａおよび１１Ｂおけ
る各構成部分に付した符号において、対応する部分の各
記号におけるＡおよびＢの各添字に変えてＣを添えて付
すことによって重複説明を省略する。
全３段階の加熱過程を経るようにした本発明方法を実施
するための本発明による初期化装置の一例の概略構成図
を示す。図４において、図１と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略するが、この場合、互いに独
立の第１および第２の加熱手段１１Ａおよび１１Ｂの他
にさらに第３の加熱手段１１Ｃを配置した場合で、この
第３の加熱手段１１Ｃも、例えば第１および第２の加熱
手段１１Ａおよび１１Ｂに対応する構成を採ることがで
きるものであり、この第３の加熱手段１１Ｃにおいて上
述の第１および第２の加熱手段１１Ａおよび１１Ｂおけ
る各構成部分に付した符号において、対応する部分の各
記号におけるＡおよびＢの各添字に変えてＣを添えて付
すことによって重複説明を省略する。
【００２９】この場合においても、ビームスポット６
Ａ、６Ｂおよび６Ｃは、光学記録媒体７６の初期化を要
する部分の最内周部にくるように設定し、スピンドルモ
ータとスライドサーボにより、光学記録媒体７６の、各
ビームスポット６Ａおよび６Ｂとの相対線速度が９．４
ｍ／ｓの一定線速となるように制御する。これらビーム
スポット６Ａ、６Ｂおよび６Ｃは、光学記録媒体７６の
初期化を要する部分の最内周部から最外周部まで、もし
くは最外周部から最内周部まで走査できるようになされ
る。
Ａ、６Ｂおよび６Ｃは、光学記録媒体７６の初期化を要
する部分の最内周部にくるように設定し、スピンドルモ
ータとスライドサーボにより、光学記録媒体７６の、各
ビームスポット６Ａおよび６Ｂとの相対線速度が９．４
ｍ／ｓの一定線速となるように制御する。これらビーム
スポット６Ａ、６Ｂおよび６Ｃは、光学記録媒体７６の
初期化を要する部分の最内周部から最外周部まで、もし
くは最外周部から最内周部まで走査できるようになされ
る。
【００３０】そして、この場合のビームスポット６Ａお
よび６Ｃは、続くビームスポット６Ｂに比して小なるパ
ワー、すなわちこれらの照射による加熱過程によって主
として結晶核の生成が良好になされるに必要なすなわち
結晶核の生成に最適な温度条件の加熱を行うことのでき
る例えば８ｍＷとし、続くビームスポット６Ｂのパワー
を、これの照射による第２の加熱過程によって主として
先のビームスポット６Ａおよび６Ｃの照射によって生成
された結晶核に基いて主として結晶の育成が良好に行う
ことのできる加熱を行うための１５ｍＷとする。
よび６Ｃは、続くビームスポット６Ｂに比して小なるパ
ワー、すなわちこれらの照射による加熱過程によって主
として結晶核の生成が良好になされるに必要なすなわち
結晶核の生成に最適な温度条件の加熱を行うことのでき
る例えば８ｍＷとし、続くビームスポット６Ｂのパワー
を、これの照射による第２の加熱過程によって主として
先のビームスポット６Ａおよび６Ｃの照射によって生成
された結晶核に基いて主として結晶の育成が良好に行う
ことのできる加熱を行うための１５ｍＷとする。
【００３１】この構成による初期化装置によって初期化
を行う場合において、より安定して初期化を行うことが
でき、高Ｃ／Ｎ、高消去率の達成、オーバーライト繰り
返し可能回数の大幅な改善をはかることができた。そし
て、この構成によるときは、各対物レンズのＮ．Ａ．
や、各半導体レーザーのレーザーパワーを任意に設定で
きるものである。
を行う場合において、より安定して初期化を行うことが
でき、高Ｃ／Ｎ、高消去率の達成、オーバーライト繰り
返し可能回数の大幅な改善をはかることができた。そし
て、この構成によるときは、各対物レンズのＮ．Ａ．
や、各半導体レーザーのレーザーパワーを任意に設定で
きるものである。
【００３２】尚、上述した各例において、各１／４波長
板はこれらを省略する構成とすることもできる。
板はこれらを省略する構成とすることもできる。
【００３３】また、上述の各例において、その初期化は
前述したように、光学記録媒体の内周から外周へ、外周
から内周へと行うことができるのみならず、光学記録媒
体任意の半径から任意の半径を初期化できるようにする
こともできる。
前述したように、光学記録媒体の内周から外周へ、外周
から内周へと行うことができるのみならず、光学記録媒
体任意の半径から任意の半径を初期化できるようにする
こともできる。
【００３４】また、言うまでもなく光学記録媒体と加熱
部との配置関係は、図示の例に限られるものではなく、
相互の配置関係を図示とは上下逆の配置関係とすること
もできるなど種々の配置構成をとることができる。
部との配置関係は、図示の例に限られるものではなく、
相互の配置関係を図示とは上下逆の配置関係とすること
もできるなど種々の配置構成をとることができる。
【００３５】さらに、例えばフォーカスサーボの方法に
ついても、上述した非点収差法に限られるものではな
く、ナイフエッジ法など種々の方法をとることができ
る。
ついても、上述した非点収差法に限られるものではな
く、ナイフエッジ法など種々の方法をとることができ
る。
【００３６】また、本発明で対象とする光学記録媒体と
しては、相変化光ディスクに限らずカード等の形態を採
るなど種々の形態をとるものに適用することができるも
のである。また本発明で対象とする光学記録媒体として
は、例えば特開平３−２９２６３２号公報、特開平５−
８９５１１号公報に開示された光学記録媒体におけるよ
うに、凹凸記録ピット上に相変化記録層が形成された再
生専用いわゆるＲＯＭ型の光学記録媒体においても、そ
の読み出しにおいて初期化工程を必要とする各種光学記
録媒体を対象とすることができる。
しては、相変化光ディスクに限らずカード等の形態を採
るなど種々の形態をとるものに適用することができるも
のである。また本発明で対象とする光学記録媒体として
は、例えば特開平３−２９２６３２号公報、特開平５−
８９５１１号公報に開示された光学記録媒体におけるよ
うに、凹凸記録ピット上に相変化記録層が形成された再
生専用いわゆるＲＯＭ型の光学記録媒体においても、そ
の読み出しにおいて初期化工程を必要とする各種光学記
録媒体を対象とすることができる。
【００３７】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、相変
化光学記録媒体における相変化記録層の初期化すなわち
結晶化状態を確実、安定に、良好な状態すなわち結晶性
にすぐれ均質な結晶粒の生成すなわち本発明による初期
化作業は、安定した高Ｃ／Ｎないしは高Ｓ／Ｎと高消去
率を達成することができ、オーバーライトの繰り返し可
能回数の大幅な改善がはかられた。すなわち、本発明で
は、それぞれ相変化記録層の融点より低い温度での複数
の加熱過程を経ることと、まず主として結晶核の生成が
良好になされる過程と、このようにして生成された結晶
核に基いて主として結晶の育成が良好になされる過程と
を経るようにしたことによって、言い換えれば結晶核に
最適な温度条件下で結晶核の生成をなし、この結晶核に
よる結晶育成に最適な温度条件下での結晶成長を成すこ
とができることによって良好な初期化を行うことができ
たものである。
化光学記録媒体における相変化記録層の初期化すなわち
結晶化状態を確実、安定に、良好な状態すなわち結晶性
にすぐれ均質な結晶粒の生成すなわち本発明による初期
化作業は、安定した高Ｃ／Ｎないしは高Ｓ／Ｎと高消去
率を達成することができ、オーバーライトの繰り返し可
能回数の大幅な改善がはかられた。すなわち、本発明で
は、それぞれ相変化記録層の融点より低い温度での複数
の加熱過程を経ることと、まず主として結晶核の生成が
良好になされる過程と、このようにして生成された結晶
核に基いて主として結晶の育成が良好になされる過程と
を経るようにしたことによって、言い換えれば結晶核に
最適な温度条件下で結晶核の生成をなし、この結晶核に
よる結晶育成に最適な温度条件下での結晶成長を成すこ
とができることによって良好な初期化を行うことができ
たものである。
【００３８】また、本発明においては、加熱を少なくと
も２工程とするにもかかわらず、その加熱を並行して行
うので従来のレーザー照射による１加熱工程のみによる
初期化の作業時間と同等に短時間で形成することができ
る。
も２工程とするにもかかわらず、その加熱を並行して行
うので従来のレーザー照射による１加熱工程のみによる
初期化の作業時間と同等に短時間で形成することができ
る。
【図１】本発明による光学記録媒体の初期化装置の一実
施例の概略構成図である。
施例の概略構成図である。
【図２】相変化光学記録媒体の一例の概略断面図であ
る。
る。
【図３】本発明による光学記録媒体の初期化装置の他の
実施例の概略構成図である。
実施例の概略構成図である。
【図４】本発明による光学記録媒体の初期化装置の他の
実施例の概略構成図である。
実施例の概略構成図である。
７２ 相変化記録層 ７６ 光学記録媒体 ６Ａ，６Ｂ，６Ｃ ビームスポット １，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ 半導体レーザ １１Ａ 第１の加熱部 １１Ｂ 第２の加熱部 １１Ｃ 第３の加熱部
Claims (4)
- 【請求項１】 相変化光学記録媒体の初期化に当たっ
て、 相変化記録層に対して、該相変化記録層の融点より低い
温度による複数の加熱過程を経て初期化を行うことを特
徴とする光学記録媒体の初期化方法。 - 【請求項２】 上記複数の加熱過程が、少なくとも主と
してまず低温度における結晶化核の生成を行う加熱過程
と、その後に主として高温度における結晶成長を行う加
熱過程とを有することを特徴とする請求項１に記載の光
学記録媒体の初期化方法。 - 【請求項３】 相変化光学記録媒体の相変化記録層に対
して該相変化記録層の融点よりそれぞれ低い温度の加熱
を行う複数の加熱部が設けられ、 上記光学記録媒体上の上記複数の加熱部による加熱が順
次行われる構成とされたことを特徴とする光学記録媒体
の初期化装置。 - 【請求項４】 上記複数の加熱部が、レーザー加熱によ
る加熱部とされたことを特徴とする請求項３に記載の光
学記録媒体の初期化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18288495A JPH0935267A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 光学記録媒体の初期化方法とこれに用いる初期化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18288495A JPH0935267A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 光学記録媒体の初期化方法とこれに用いる初期化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935267A true JPH0935267A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16126100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18288495A Pending JPH0935267A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 光学記録媒体の初期化方法とこれに用いる初期化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0935267A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6256286B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Method for initiating a phase change recording medium |
| WO2003010763A1 (fr) * | 2001-07-23 | 2003-02-06 | Sony Corporation | Appareil et procede d'effacement par prechauffage d'un support d'enregistrement optique et support d'enregistrement optique |
-
1995
- 1995-07-19 JP JP18288495A patent/JPH0935267A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6256286B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Method for initiating a phase change recording medium |
| WO2003010763A1 (fr) * | 2001-07-23 | 2003-02-06 | Sony Corporation | Appareil et procede d'effacement par prechauffage d'un support d'enregistrement optique et support d'enregistrement optique |
| US7193933B2 (en) | 2001-07-23 | 2007-03-20 | Sony Corporation | Preheating bulk erasing device for magneto-optical disk |
| US7643382B2 (en) | 2001-07-23 | 2010-01-05 | Sony Corporation | Preheat bulk erasing device for phase-change type optical disk |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040406 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040607 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040621 |
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| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20050210 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 |
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| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051020 |