JPH0935346A - 光磁気記録媒体及び該媒体の情報記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び該媒体の情報記録方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静磁結合２層膜における、磁区の転写性の向
上、外部磁界に対する磁区の安定性の向上を図る。 【解決手段】 ランド部とグルーブとで磁化の向きが互
いに逆向きになるように予め初期化しておく。
上、外部磁界に対する磁区の安定性の向上を図る。 【解決手段】 ランド部とグルーブとで磁化の向きが互
いに逆向きになるように予め初期化しておく。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ビームを用いて光
学的に情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体及び該
媒体の情報記録方法に関するものである。
学的に情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体及び該
媒体の情報記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学的に情報を記録、再生するた
めの媒体としては、ＲＯＭ（再生専用）型、ＷＯＲＭ
（追記）型、Ｒ／Ｗ（書き換え可能）型などがある。こ
れらの媒体は、いずれもガラスまたはポリカーボネート
のような透明な材料を基板とし、この基板上に塗布、成
膜する材料の違いにより区別される。即ち、基板上にＡ
ｌのように反射率が高く熱安定性が高い物質を用いると
ＲＯＭ型、有機色素のように熱によって不可逆反応を起
こす材料を用いるとＷＯＲＭ型、磁性材料や相変化（結
晶及び非晶質の状態を取り得る）材料のように熱的、磁
気的に可逆反応を生じる材料を用いるとＲ／Ｗ型とな
る。
めの媒体としては、ＲＯＭ（再生専用）型、ＷＯＲＭ
（追記）型、Ｒ／Ｗ（書き換え可能）型などがある。こ
れらの媒体は、いずれもガラスまたはポリカーボネート
のような透明な材料を基板とし、この基板上に塗布、成
膜する材料の違いにより区別される。即ち、基板上にＡ
ｌのように反射率が高く熱安定性が高い物質を用いると
ＲＯＭ型、有機色素のように熱によって不可逆反応を起
こす材料を用いるとＷＯＲＭ型、磁性材料や相変化（結
晶及び非晶質の状態を取り得る）材料のように熱的、磁
気的に可逆反応を生じる材料を用いるとＲ／Ｗ型とな
る。
【０００３】また一方、光学的情報記録媒体をその形状
により分類すると大きく分けてディスク型、カード型、
テープ型に分けられる。それぞれ特長があり用途によっ
て使い分けられるが、中でもディスク型は情報転送の高
速性に優れているために、最も一般的となっている。
により分類すると大きく分けてディスク型、カード型、
テープ型に分けられる。それぞれ特長があり用途によっ
て使い分けられるが、中でもディスク型は情報転送の高
速性に優れているために、最も一般的となっている。
【０００４】図１４は、従来のＲ／Ｗ型光ディスクであ
る光磁気記録媒体の一例を示す図である。媒体の主要な
部分は第一の磁性層3（以下再生層と称する）、中間層
2、第二の磁性層5（以下メモリ層と称する）の３層から
なる。メモリ層5は例えばＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏ
などの垂直磁気異方性の大きい膜で、記録情報はこの層
の磁化が膜面に対して上向きか下向きかによって磁区を
形成し、保持される。再生層3は例えばＧｄＦｅＣｏな
ど保磁力が小さく、キュリー温度が高い膜である。中間
層4はSiNなどの誘電体で、メモリ層５と再生層３を静磁
結合させるために設けられている。情報再生は、静磁結
合力によりメモリ層５から再生層３に転写された磁区を
読み出し用のレーザ光によって検出することにより行わ
れる。再生層及び中間層を省略した形（メモリ層単層）
であっても情報の記録再生は可能であるが、その場合記
録感度と信号品位を両立させることが難しい。即ち、上
述の従来例においては、メモリ層５には、低パワーで情
報記録が行える材料が、そして、再生層３には、高ＣＮ
Ｒで情報再生が可能な材料が選択されている。
る光磁気記録媒体の一例を示す図である。媒体の主要な
部分は第一の磁性層3（以下再生層と称する）、中間層
2、第二の磁性層5（以下メモリ層と称する）の３層から
なる。メモリ層5は例えばＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏ
などの垂直磁気異方性の大きい膜で、記録情報はこの層
の磁化が膜面に対して上向きか下向きかによって磁区を
形成し、保持される。再生層3は例えばＧｄＦｅＣｏな
ど保磁力が小さく、キュリー温度が高い膜である。中間
層4はSiNなどの誘電体で、メモリ層５と再生層３を静磁
結合させるために設けられている。情報再生は、静磁結
合力によりメモリ層５から再生層３に転写された磁区を
読み出し用のレーザ光によって検出することにより行わ
れる。再生層及び中間層を省略した形（メモリ層単層）
であっても情報の記録再生は可能であるが、その場合記
録感度と信号品位を両立させることが難しい。即ち、上
述の従来例においては、メモリ層５には、低パワーで情
報記録が行える材料が、そして、再生層３には、高ＣＮ
Ｒで情報再生が可能な材料が選択されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例においては、メモリ層と再生層とが静磁結合す
る場合に、記録マークの大きさにより静磁結合力に差が
生じるという問題点があった。このことを、図１５を用
いて説明する。
た従来例においては、メモリ層と再生層とが静磁結合す
る場合に、記録マークの大きさにより静磁結合力に差が
生じるという問題点があった。このことを、図１５を用
いて説明する。
【０００６】図１５（ｃ）は円形磁区及び長方形磁区に
よって生じる静磁界の大きさＨｓｔを計算した結果であ
る。曲線（ａ）は、直径０．４μｍ、厚さ３０ｎｍ、飽
和磁化２００ｅｍｕ／ｃｃの円筒形磁区の上方３０ｎｍ
における静磁界の強さを表している。このように、磁壁
付近でピークを持つものの磁区中心付近においても約３
００Ｏｅの静磁界が存在することが分かる。それに対
し、曲線（ｂ）に示す１．６×０．８μｍ、厚さ３０ｎ
ｍ、飽和磁化２００ｅｍｕ／ｃｃの直方体磁区の場合に
は、全体的に静磁界が弱くなると共に磁区中心付近では
約１００Ｏｅしか静磁界が働かないので、メモリ層から
再生層への磁区の転写性が悪くなり、また外部磁界に対
する安定性にも問題があることが分かる。
よって生じる静磁界の大きさＨｓｔを計算した結果であ
る。曲線（ａ）は、直径０．４μｍ、厚さ３０ｎｍ、飽
和磁化２００ｅｍｕ／ｃｃの円筒形磁区の上方３０ｎｍ
における静磁界の強さを表している。このように、磁壁
付近でピークを持つものの磁区中心付近においても約３
００Ｏｅの静磁界が存在することが分かる。それに対
し、曲線（ｂ）に示す１．６×０．８μｍ、厚さ３０ｎ
ｍ、飽和磁化２００ｅｍｕ／ｃｃの直方体磁区の場合に
は、全体的に静磁界が弱くなると共に磁区中心付近では
約１００Ｏｅしか静磁界が働かないので、メモリ層から
再生層への磁区の転写性が悪くなり、また外部磁界に対
する安定性にも問題があることが分かる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、メモリ層から再生層への磁区の転写性、及び外部磁
界に対する磁区の安定性に優れた光磁気記録媒体及び該
媒体の情報記録再生方法の提供を目的とするものであ
る。
み、メモリ層から再生層への磁区の転写性、及び外部磁
界に対する磁区の安定性に優れた光磁気記録媒体及び該
媒体の情報記録再生方法の提供を目的とするものであ
る。
【０００８】そして、上記目的は、情報トラック案内用
のグルーブ及びランドが形成されている基板上に、少な
くとも再生層とメモリ層を積層してなり、前記メモリ層
に記録されている磁化情報を静磁結合力により再生層に
転写して、情報の再生を行う光磁気記録媒体において、
前記ランド部とグルーブ部とで磁化の向きが互いに逆向
きになるように初期化されていることによって達成され
る。
のグルーブ及びランドが形成されている基板上に、少な
くとも再生層とメモリ層を積層してなり、前記メモリ層
に記録されている磁化情報を静磁結合力により再生層に
転写して、情報の再生を行う光磁気記録媒体において、
前記ランド部とグルーブ部とで磁化の向きが互いに逆向
きになるように初期化されていることによって達成され
る。
【０００９】又、情報トラック案内用のグルーブ及びラ
ンドが形成されている基板上に、少なくとも再生層とメ
モリ層を積層してなり、前記メモリ層に記録されている
磁化情報を静磁結合力により再生層に転写して、情報の
再生を行い、且つ前記ランド部とグルーブ部とで磁化の
向きが互いに逆向きになるように初期化されている光磁
気記録媒体に対して情報の記録を行う情報記録方法にお
いて、情報の記録に先だって、前記メモリ層のランド上
の磁化の向きを一定方向に揃え、グルーブ上の磁化の向
きをランド上の磁化の向きとは逆向きに揃える初期化を
実行することによって達成される。
ンドが形成されている基板上に、少なくとも再生層とメ
モリ層を積層してなり、前記メモリ層に記録されている
磁化情報を静磁結合力により再生層に転写して、情報の
再生を行い、且つ前記ランド部とグルーブ部とで磁化の
向きが互いに逆向きになるように初期化されている光磁
気記録媒体に対して情報の記録を行う情報記録方法にお
いて、情報の記録に先だって、前記メモリ層のランド上
の磁化の向きを一定方向に揃え、グルーブ上の磁化の向
きをランド上の磁化の向きとは逆向きに揃える初期化を
実行することによって達成される。
【００１０】詳しくは後述の実施例にて説明する。
【００１１】
（第一の実施例）以下、本発明の第一の実施例について
図面を用いて詳細に説明する。
図面を用いて詳細に説明する。
【００１２】図１は本実施例における光ディスクの断面
図を示す。図１に示すように、本実施例に用いる光ディ
スクでは、基板１上に干渉層２、第一の磁性層（以下再
生層と称する）３、誘電体層（以下中間層と称する）
４、第二の磁性層（以下メモリ層と称する）５、保護層
６の順に積層している。基板１は通常ガラスあるいはポ
リカーボネートの様な透明な材料が使われ、情報トラッ
クの案内溝となる凹凸が形成されている。基板１上に積
層する各層は、マグネトロンスパッタ装置による連続ス
パッタリング、あるいは連続蒸着などによって被着形成
できる。干渉層２は磁気光学効果を高めるために設けら
れ、例えばＳｉ３N４、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ 、Ｚ
ｎＳ 、ＭｇＦ２などの透明な誘電体材料が用いられ
る。保護層６は磁性層の保護のために用いられるもの
で、干渉層２と同様の材料が用いられる。干渉層２及び
保護層６は本発明の本質とは無関係であるので、構成上
省略しても差し支えなく、又、ここでは詳細な説明は省
略する。又、図示していないが、膜の保護のために保護
層６にさらに紫外線硬化樹脂などのハードコート材を塗
布しても良い。
図を示す。図１に示すように、本実施例に用いる光ディ
スクでは、基板１上に干渉層２、第一の磁性層（以下再
生層と称する）３、誘電体層（以下中間層と称する）
４、第二の磁性層（以下メモリ層と称する）５、保護層
６の順に積層している。基板１は通常ガラスあるいはポ
リカーボネートの様な透明な材料が使われ、情報トラッ
クの案内溝となる凹凸が形成されている。基板１上に積
層する各層は、マグネトロンスパッタ装置による連続ス
パッタリング、あるいは連続蒸着などによって被着形成
できる。干渉層２は磁気光学効果を高めるために設けら
れ、例えばＳｉ３N４、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ 、Ｚ
ｎＳ 、ＭｇＦ２などの透明な誘電体材料が用いられ
る。保護層６は磁性層の保護のために用いられるもの
で、干渉層２と同様の材料が用いられる。干渉層２及び
保護層６は本発明の本質とは無関係であるので、構成上
省略しても差し支えなく、又、ここでは詳細な説明は省
略する。又、図示していないが、膜の保護のために保護
層６にさらに紫外線硬化樹脂などのハードコート材を塗
布しても良い。
【００１３】メモリ層５は記録情報を保持する層で、１
ｕｍ以下の微小な磁区を安定に保持できることが必要で
ある。メモリ層５の材料としては、垂直磁気異方性が大
きく安定に磁化状態が保持できるもの、例えばＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−
鉄族非晶質合金、ガーネット、あるいは、白金族−鉄族
周期構造膜、例えばＰｔ／Ｃｏ 、Ｐｄ／Ｃｏ 、また
白金族−鉄族合金、例えばＰｔＣｏ、ＰｄＣｏなどであ
っても良い。メモリ層５のキュリー温度は情報の記録に
必要なレーザパワーに直接関わるもので、あまり高すぎ
ると記録感度が悪化するため、望ましくは２８０℃以
下、より望ましくは２４０℃以下がよい。
ｕｍ以下の微小な磁区を安定に保持できることが必要で
ある。メモリ層５の材料としては、垂直磁気異方性が大
きく安定に磁化状態が保持できるもの、例えばＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−
鉄族非晶質合金、ガーネット、あるいは、白金族−鉄族
周期構造膜、例えばＰｔ／Ｃｏ 、Ｐｄ／Ｃｏ 、また
白金族−鉄族合金、例えばＰｔＣｏ、ＰｄＣｏなどであ
っても良い。メモリ層５のキュリー温度は情報の記録に
必要なレーザパワーに直接関わるもので、あまり高すぎ
ると記録感度が悪化するため、望ましくは２８０℃以
下、より望ましくは２４０℃以下がよい。
【００１４】再生層３は、メモリ層５に保持した磁化情
報の再生を担う層で、メモリ層５に比べて光の入射に近
い側に位置し、再生時にカー回転角が劣化しないように
キュリー温度は少なくともメモリ層５よりも高く２７０
℃以上、より望ましくは３００℃以上がよい。再生層３
は希土類−鉄族元素非晶質合金で垂直磁気異方性が小さ
いもの、具体的にはＧｄＦｅＣｏが望ましい。また、こ
れに短波長でのカー回転角を大きくするためにＮｄ，Ｐ
ｒ，Ｓｍなどの軽希土類金属を添加してもよい。
報の再生を担う層で、メモリ層５に比べて光の入射に近
い側に位置し、再生時にカー回転角が劣化しないように
キュリー温度は少なくともメモリ層５よりも高く２７０
℃以上、より望ましくは３００℃以上がよい。再生層３
は希土類−鉄族元素非晶質合金で垂直磁気異方性が小さ
いもの、具体的にはＧｄＦｅＣｏが望ましい。また、こ
れに短波長でのカー回転角を大きくするためにＮｄ，Ｐ
ｒ，Ｓｍなどの軽希土類金属を添加してもよい。
【００１５】再生層３とメモリ層５には、Ａｌ，Ｔｉ，
Ｐｔ，Ｎｂ，Ｃｒなどの耐食性改善のための元素添加を
行なっても良い。また、熱伝導性改良のためＡｌ，Ａｌ
Ｔａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，Ｃｕなどの熱伝導性の良い
層を設けても良い。
Ｐｔ，Ｎｂ，Ｃｒなどの耐食性改善のための元素添加を
行なっても良い。また、熱伝導性改良のためＡｌ，Ａｌ
Ｔａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，Ｃｕなどの熱伝導性の良い
層を設けても良い。
【００１６】中間層４は、メモリ層５と再生層３の交換
結合を遮断し、両層を静磁結合させる目的で設けられる
誘電体層で、製造装置を簡略化するために干渉層２や保
護層６と同じ材料を用いることが望ましい。これによ
り、メモリ層５と再生層３は、静磁結合によってのみ結
合する。
結合を遮断し、両層を静磁結合させる目的で設けられる
誘電体層で、製造装置を簡略化するために干渉層２や保
護層６と同じ材料を用いることが望ましい。これによ
り、メモリ層５と再生層３は、静磁結合によってのみ結
合する。
【００１７】図２は、本実施例における各磁性層の磁化
の向きを表したものである。図中、白い部分は磁化が下
向き、灰色の部分は上向きの部分で、ランド上に記録さ
れた磁区は上向き、周囲が下向きの磁化になっている。
また、グルーブは一様に上向きすなわちランド上の消去
部分とは逆向きになっている。
の向きを表したものである。図中、白い部分は磁化が下
向き、灰色の部分は上向きの部分で、ランド上に記録さ
れた磁区は上向き、周囲が下向きの磁化になっている。
また、グルーブは一様に上向きすなわちランド上の消去
部分とは逆向きになっている。
【００１８】図２のように磁化を配向させることによっ
てメモリ層から再生層への磁区の転写性が向上する。こ
の理由を図３、図４を用いて説明する。
てメモリ層から再生層への磁区の転写性が向上する。こ
の理由を図３、図４を用いて説明する。
【００１９】図３は従来例で、ランド上の消去部分とグ
ルーブ上の磁化が同じ方向を向いている場合である。こ
のようなディスクのランド上に、比較的小さいマーク
を、比較的大きい間隔を空けて記録した場合を考える。
図３（ａ）中のトラック中心を表す線Ａでのメモリ層の
断面図及びメモリ層により生じる静磁界の大きさは、図
３（ｂ）で示されるようにマーク上では大きく、マーク
間、特に点Ｃ付近では小さくなる。これはラジアル方向
の同様の図３（ｃ）で見ても明らかなように、記録マー
ク間のブランク部分から生じる静磁界は、ブランクが大
きいほど、またブランク中心に近づくほど静磁界は小さ
くなる。従って、従来例の場合、メモリ層５に記録され
た記録マークは再生層３に転写するが、マーク以外のブ
ランク部分は静磁結合力が弱く、転写性が弱いので、そ
の部分には再生層上でメイズが出来やすく、外部磁界が
加わると特に転写性が落ちる。
ルーブ上の磁化が同じ方向を向いている場合である。こ
のようなディスクのランド上に、比較的小さいマーク
を、比較的大きい間隔を空けて記録した場合を考える。
図３（ａ）中のトラック中心を表す線Ａでのメモリ層の
断面図及びメモリ層により生じる静磁界の大きさは、図
３（ｂ）で示されるようにマーク上では大きく、マーク
間、特に点Ｃ付近では小さくなる。これはラジアル方向
の同様の図３（ｃ）で見ても明らかなように、記録マー
ク間のブランク部分から生じる静磁界は、ブランクが大
きいほど、またブランク中心に近づくほど静磁界は小さ
くなる。従って、従来例の場合、メモリ層５に記録され
た記録マークは再生層３に転写するが、マーク以外のブ
ランク部分は静磁結合力が弱く、転写性が弱いので、そ
の部分には再生層上でメイズが出来やすく、外部磁界が
加わると特に転写性が落ちる。
【００２０】それに対し本実施例では、図４（ａ）のよ
うにグルーブ上の磁化をランド上のブランク部分とは逆
向きにしている。この場合、トラック方向に見たときは
図３（ｂ）と同様であるが、ラジアル方向に関しては、
図４（ｃ）に示すように微小マークが並んでいるのと等
価に考えることができ、その結果、隣接グルーブの磁化
が逆向きであることによりブランク中心付近であって
も、磁区の転写に十分な静磁界を生じさせることができ
る。即ち、メモリ層５と再生層３の静磁結合力が増加す
るので、信号品位が向上し、また外部磁界によっても信
号が乱されることはない。
うにグルーブ上の磁化をランド上のブランク部分とは逆
向きにしている。この場合、トラック方向に見たときは
図３（ｂ）と同様であるが、ラジアル方向に関しては、
図４（ｃ）に示すように微小マークが並んでいるのと等
価に考えることができ、その結果、隣接グルーブの磁化
が逆向きであることによりブランク中心付近であって
も、磁区の転写に十分な静磁界を生じさせることができ
る。即ち、メモリ層５と再生層３の静磁結合力が増加す
るので、信号品位が向上し、また外部磁界によっても信
号が乱されることはない。
【００２１】実際に本実施例のような磁化状態を実現す
るためには、通常の消去動作と同様の操作をランド／グ
ルーブそれぞれに対して行えばよい。すなわち、外部磁
界を所定の向き（消去側）に加えながらランド上にトラ
ッキングサーボをかけ、メモリ層がキュリー温度付近に
達する程度にレーザパワーを上げる。そのままディスク
の全周に渡ってトレースすることにより、ランドの磁化
を一方向に揃える消去動作が完了する。次にトラッキン
グサーボの極性を反転させてグルーブにトラッキングを
かけ、ランドの場合とは外部磁界の向きを逆にして、レ
ーザパワーを消去パワーに上げる。そして、やはりディ
スクの全周に渡って消去動作を行うことで、本実施例の
ような媒体が実現できる。
るためには、通常の消去動作と同様の操作をランド／グ
ルーブそれぞれに対して行えばよい。すなわち、外部磁
界を所定の向き（消去側）に加えながらランド上にトラ
ッキングサーボをかけ、メモリ層がキュリー温度付近に
達する程度にレーザパワーを上げる。そのままディスク
の全周に渡ってトレースすることにより、ランドの磁化
を一方向に揃える消去動作が完了する。次にトラッキン
グサーボの極性を反転させてグルーブにトラッキングを
かけ、ランドの場合とは外部磁界の向きを逆にして、レ
ーザパワーを消去パワーに上げる。そして、やはりディ
スクの全周に渡って消去動作を行うことで、本実施例の
ような媒体が実現できる。
【００２２】この操作は、ディスクを作成してから最初
に情報の記録を行うまでの間に一度だけ行えば良く、あ
とは通常の手順に従って記録再生を行えば、本発明の磁
化状態を保つことができる。
に情報の記録を行うまでの間に一度だけ行えば良く、あ
とは通常の手順に従って記録再生を行えば、本発明の磁
化状態を保つことができる。
【００２３】図５は、本実施例の光磁気記録媒体に0.8
μｍの長さのマークを記録したときの外部磁界安定性を
測定した結果である。従来の、グルーブとランドを同一
方向に消去した場合であっても外部磁界が０の場合は約
５０ｄＢと十分なＣＮＲが得られているが、外部磁界を
加えると特に記録側の磁界に対して弱く、記録マークの
ブランク部分で安定した磁区の転写が行われていないこ
とが分かる。それに対して、本発明のようにグルーブの
磁化をランドの消去部分と逆にした場合には、記録側の
外部磁界に対しても安定性が増し、消去側と同程度の磁
界に対して高いＣＮＲが得られることが分かった。
μｍの長さのマークを記録したときの外部磁界安定性を
測定した結果である。従来の、グルーブとランドを同一
方向に消去した場合であっても外部磁界が０の場合は約
５０ｄＢと十分なＣＮＲが得られているが、外部磁界を
加えると特に記録側の磁界に対して弱く、記録マークの
ブランク部分で安定した磁区の転写が行われていないこ
とが分かる。それに対して、本発明のようにグルーブの
磁化をランドの消去部分と逆にした場合には、記録側の
外部磁界に対しても安定性が増し、消去側と同程度の磁
界に対して高いＣＮＲが得られることが分かった。
【００２４】以上説明したように、本発明においては、
磁区が形成されている部位及びそれ以外の部位におい
て、メモリ層と再生層間に働く静磁結合力を向上させる
ことが可能で、その結果、記録パターンに依らない転写
性を得ることができ、再生信号品位の向上、外部磁界に
対する安定性を図ることができる。
磁区が形成されている部位及びそれ以外の部位におい
て、メモリ層と再生層間に働く静磁結合力を向上させる
ことが可能で、その結果、記録パターンに依らない転写
性を得ることができ、再生信号品位の向上、外部磁界に
対する安定性を図ることができる。
【００２５】（第二の実施例）本発明の第二の実施例を
図６〜８を用いて説明する。
図６〜８を用いて説明する。
【００２６】本実施例の光磁気記録媒体は、再生層３を
温度変化に従って面内磁化膜から垂直磁化膜に遷移さ
せ、メモリ層５との静磁結合による磁区の転写を利用し
てアパーチャ１６を形成し、情報再生用スポット１１の
中の一部分のみで情報再生する超解像再生を行うこと
で、再生光の回折限界以上の微小マークの再生を可能に
するものである。
温度変化に従って面内磁化膜から垂直磁化膜に遷移さ
せ、メモリ層５との静磁結合による磁区の転写を利用し
てアパーチャ１６を形成し、情報再生用スポット１１の
中の一部分のみで情報再生する超解像再生を行うこと
で、再生光の回折限界以上の微小マークの再生を可能に
するものである。
【００２７】図６（ａ）は本実施例の光ディスクにレー
ザ光を照射しながら、向かって右にディスクが移動した
ときのスポットの様子及び各磁性層の磁化状態を示して
いる。図中、各磁性層中の黒矢印は鉄族元素副格子磁化
の向き、白抜きの矢印は正味の磁化の向きを表してい
る。この時ディスクはおよそ５〜１５ｍ／ｓ程度で移動
しており、レーザ照射による熱の蓄積効果によって、図
６（ｃ）に示されるように膜温度が最大となる位置はレ
ーザスポットの中心よりも後ろ側になる。
ザ光を照射しながら、向かって右にディスクが移動した
ときのスポットの様子及び各磁性層の磁化状態を示して
いる。図中、各磁性層中の黒矢印は鉄族元素副格子磁化
の向き、白抜きの矢印は正味の磁化の向きを表してい
る。この時ディスクはおよそ５〜１５ｍ／ｓ程度で移動
しており、レーザ照射による熱の蓄積効果によって、図
６（ｃ）に示されるように膜温度が最大となる位置はレ
ーザスポットの中心よりも後ろ側になる。
【００２８】図７は再生層３の異方性エネルギーの温度
依存性を表す図である。本実施例では、室温で希土類元
素副格子磁化優勢で飽和磁化Ｍｓ１を比較的大きくして
いるので、キュリー温度との間の補償温度に向かって飽
和磁化が急激に減少し、したがって磁化を膜面内に向け
ようとするエネルギー２πＭｓ１2も室温から補償温度
に向かって急激に減少する。一方、再生層３の垂直磁気
異方性Ｋｕ１は室温からキュリー温度に向かって緩やか
に減少していく。この時、再生層のエネルギーと磁化の
方向は、 （数１） ２πＭｓ１2＞Ｋｕ１ が成り立つ場合に再生層３の磁化が膜面内となる。すな
わち、磁性層の温度を上昇させていくと、図７に示すよ
うにＴｔｈ１の温度を境界として面内磁化膜から垂直磁
化膜に遷移する。また、この再生層３の極カー効果によ
るカー回転角の温度依存性を図８に示す。このように室
温付近では面内磁化膜となっているためにカー回転角θ
ｋはほとんど現れず、Ｔｔｈ１まで温度が上がると再生
層３の磁化は垂直に遷移して急激にカー回転角が現れ
る。したがって、Ｔｔｈ１以下の温度領域ではカー回転
角がほぼ０なので情報再生には寄与せず、Ｔｔｈ１以上
の部分のみカー効果による情報再生が行えるので、実質
的にＴｔｈ１以上の小さい領域のみで情報再生するのと
等価になる。
依存性を表す図である。本実施例では、室温で希土類元
素副格子磁化優勢で飽和磁化Ｍｓ１を比較的大きくして
いるので、キュリー温度との間の補償温度に向かって飽
和磁化が急激に減少し、したがって磁化を膜面内に向け
ようとするエネルギー２πＭｓ１2も室温から補償温度
に向かって急激に減少する。一方、再生層３の垂直磁気
異方性Ｋｕ１は室温からキュリー温度に向かって緩やか
に減少していく。この時、再生層のエネルギーと磁化の
方向は、 （数１） ２πＭｓ１2＞Ｋｕ１ が成り立つ場合に再生層３の磁化が膜面内となる。すな
わち、磁性層の温度を上昇させていくと、図７に示すよ
うにＴｔｈ１の温度を境界として面内磁化膜から垂直磁
化膜に遷移する。また、この再生層３の極カー効果によ
るカー回転角の温度依存性を図８に示す。このように室
温付近では面内磁化膜となっているためにカー回転角θ
ｋはほとんど現れず、Ｔｔｈ１まで温度が上がると再生
層３の磁化は垂直に遷移して急激にカー回転角が現れ
る。したがって、Ｔｔｈ１以下の温度領域ではカー回転
角がほぼ０なので情報再生には寄与せず、Ｔｔｈ１以上
の部分のみカー効果による情報再生が行えるので、実質
的にＴｔｈ１以上の小さい領域のみで情報再生するのと
等価になる。
【００２９】ここで、本実施例の光磁気記録媒体におい
ては、再生層３が垂直磁化となった部分において、静磁
結合力によりメモリ層５の磁区が再生層３に転写され
る。従って、第一の実施例で説明したのと同様に、メモ
リ層から安定した静磁界を発生させることが重要であ
る。そのためにランド上の消去部分の磁化の向きと、グ
ルーブ上の磁化の向きを逆向きにすることが大きな効果
を生む。
ては、再生層３が垂直磁化となった部分において、静磁
結合力によりメモリ層５の磁区が再生層３に転写され
る。従って、第一の実施例で説明したのと同様に、メモ
リ層から安定した静磁界を発生させることが重要であ
る。そのためにランド上の消去部分の磁化の向きと、グ
ルーブ上の磁化の向きを逆向きにすることが大きな効果
を生む。
【００３０】（第三の実施例）本発明の第三の実施例を
図９〜１０を用いて説明する。
図９〜１０を用いて説明する。
【００３１】本実施例の媒体の構成は第二実施例とほぼ
同様である。第二実施例と異なるのは、再生層に転写さ
れた磁区が所定温度Ｔｔｈ２以上に昇温したときに消滅
してリアマスクを形成し、ダブルマスクタイプの超解像
になることである。リアマスクにおいて磁区が消滅する
現象について図１０を用いて説明する。
同様である。第二実施例と異なるのは、再生層に転写さ
れた磁区が所定温度Ｔｔｈ２以上に昇温したときに消滅
してリアマスクを形成し、ダブルマスクタイプの超解像
になることである。リアマスクにおいて磁区が消滅する
現象について図１０を用いて説明する。
【００３２】図１０はメモリ層５の磁区が再生層３に転
写された状態を示し、転写された磁区には図中の３つの
磁界が加わる。まず、Ｈｌｅａｋは再生層３の消去方向
の磁区から発生する漏れ磁界で、磁区が転写されている
ときに磁気回路が閉じるので、磁区の転写を助長する方
向に働く。Ｈｗｂはブロッホ磁壁エネルギーにより生じ
る磁界であり、具体的には （数２） Ｈｗｂ＝σｗｂ／２Ｍｓ１ｒ で表される。ここで、σｗｂはブロッホ磁壁エネルギ
ー、ｒは磁区の半径である。ブロッホ磁壁エネルギー
は、ブロッホ磁壁の体積が減少する方向がエネルギー的
に安定なので、Ｈｗｂは転写された磁区を収縮させる方
向となる。これらの磁界と、メモリ層５からの静磁界Ｈ
ｓｔを合わせたエネルギーバランスを考えると、 （数３） Ｈｓｔ＋Ｈｌｅａｋ＞Ｈｗｂ が成立する場合は、昇温しながら再生層３が面内磁化膜
から垂直に遷移するときにメモリ層５の磁区が再生層３
に転写される。逆に（数３）が成立しない場合は再生層
３に記録磁区は転写されず、再生層３の磁区はメモリ層
５の磁化の方向とは無関係に一様に消去方向を向く。
写された状態を示し、転写された磁区には図中の３つの
磁界が加わる。まず、Ｈｌｅａｋは再生層３の消去方向
の磁区から発生する漏れ磁界で、磁区が転写されている
ときに磁気回路が閉じるので、磁区の転写を助長する方
向に働く。Ｈｗｂはブロッホ磁壁エネルギーにより生じ
る磁界であり、具体的には （数２） Ｈｗｂ＝σｗｂ／２Ｍｓ１ｒ で表される。ここで、σｗｂはブロッホ磁壁エネルギ
ー、ｒは磁区の半径である。ブロッホ磁壁エネルギー
は、ブロッホ磁壁の体積が減少する方向がエネルギー的
に安定なので、Ｈｗｂは転写された磁区を収縮させる方
向となる。これらの磁界と、メモリ層５からの静磁界Ｈ
ｓｔを合わせたエネルギーバランスを考えると、 （数３） Ｈｓｔ＋Ｈｌｅａｋ＞Ｈｗｂ が成立する場合は、昇温しながら再生層３が面内磁化膜
から垂直に遷移するときにメモリ層５の磁区が再生層３
に転写される。逆に（数３）が成立しない場合は再生層
３に記録磁区は転写されず、再生層３の磁区はメモリ層
５の磁化の方向とは無関係に一様に消去方向を向く。
【００３３】図９（ｃ）に示した温度Ｔｔｈ２は（数
３）が成立する境界の温度であり、Ｔｔｈ２以下では
（数３）を満足し、Ｔｔｈ２以上では満足しない。すな
わち、Ｔｔｈ１からＴｔｈ２の間の温度では再生層の磁
化が垂直であると同時にメモリ層との静磁結合により磁
区を転写しており、Ｔｔｈ２以上の温度になるとブロッ
ホ磁壁エネルギーが支配的になってメモリ層から転写さ
れた記録磁区を再生層で保持することができなくなり、
一様に消去方向を向いてしまう。これにより、アパーチ
ャ１６の進行方向の前後は、フロントマスク１５、リア
マスク１７によってマスキングされることとなる。
３）が成立する境界の温度であり、Ｔｔｈ２以下では
（数３）を満足し、Ｔｔｈ２以上では満足しない。すな
わち、Ｔｔｈ１からＴｔｈ２の間の温度では再生層の磁
化が垂直であると同時にメモリ層との静磁結合により磁
区を転写しており、Ｔｔｈ２以上の温度になるとブロッ
ホ磁壁エネルギーが支配的になってメモリ層から転写さ
れた記録磁区を再生層で保持することができなくなり、
一様に消去方向を向いてしまう。これにより、アパーチ
ャ１６の進行方向の前後は、フロントマスク１５、リア
マスク１７によってマスキングされることとなる。
【００３４】本実施例においても、やはりメモリ層から
再生層への磁区の転写に静磁結合を利用しているので、
ランド上の消去部分の磁化の向きと、グルーブ上の磁化
の向きを逆向きにすることにより安定した情報再生が行
える。
再生層への磁区の転写に静磁結合を利用しているので、
ランド上の消去部分の磁化の向きと、グルーブ上の磁化
の向きを逆向きにすることにより安定した情報再生が行
える。
【００３５】（第四の実施例）本発明の第四の実施例を
図１１を用いて説明する。
図１１を用いて説明する。
【００３６】本実施例の媒体の構成は第二実施例とほぼ
同様であるが、異なる点は中間層に磁性体を用いている
点である。磁性体である中間層４の持つ作用は、以下の
２つである。 （１）室温から中間層４のキュリー温度Ｔｃ３付近まで
の温度範囲において、再生層３とメモリ層５の間の界面
磁壁エネルギーを緩和し、再生層３が面内磁化膜となる
のを助ける。これは結果として再生層３の膜厚低減にも
寄与する。 （２）中間層４のキュリー温度Ｔｃ３付近以上では、再
生層３とメモリ層５の間の交換結合を切断する。
同様であるが、異なる点は中間層に磁性体を用いている
点である。磁性体である中間層４の持つ作用は、以下の
２つである。 （１）室温から中間層４のキュリー温度Ｔｃ３付近まで
の温度範囲において、再生層３とメモリ層５の間の界面
磁壁エネルギーを緩和し、再生層３が面内磁化膜となる
のを助ける。これは結果として再生層３の膜厚低減にも
寄与する。 （２）中間層４のキュリー温度Ｔｃ３付近以上では、再
生層３とメモリ層５の間の交換結合を切断する。
【００３７】これらの目的を達成するために、中間層４
のキュリー温度Ｔｃ３を室温より高く、再生層３及びメ
モリ層５のキュリー温度Ｔｃ１，Ｔｃ２より低くする。
中間層４のキュリー温度Ｔｃ３は、再生時程度のパワー
の光スポットで交換結合力を切断できる程度に低く、具
体的には８０ ℃以上で２２０ ℃以下が良く、より望
ましくは１００ ℃以上で１８０ ℃以下が良い。中間
層４の材料としては、例えば希土類−鉄族非晶質合金、
具体的にはＧｄＦｅＣｏが良い。又キュリー温度を低減
するためにＣｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｕ などの非磁性元素
を添加しても良い。
のキュリー温度Ｔｃ３を室温より高く、再生層３及びメ
モリ層５のキュリー温度Ｔｃ１，Ｔｃ２より低くする。
中間層４のキュリー温度Ｔｃ３は、再生時程度のパワー
の光スポットで交換結合力を切断できる程度に低く、具
体的には８０ ℃以上で２２０ ℃以下が良く、より望
ましくは１００ ℃以上で１８０ ℃以下が良い。中間
層４の材料としては、例えば希土類−鉄族非晶質合金、
具体的にはＧｄＦｅＣｏが良い。又キュリー温度を低減
するためにＣｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｕ などの非磁性元素
を添加しても良い。
【００３８】本実施例によれば、図１１に示すように再
生層が面内磁化膜から垂直磁化膜に遷移する温度Ｔｔｈ
１を中間層のキュリー温度Ｔｃ３にほぼ近い温度にして
おくことで、Ｔｃ３以下では再生層３は面内磁化状態、
Ｔｃ３以上では静磁結合によるアパーチャを形成する事
ができる。従って、微小磁区の超解像再生が可能にな
る。この場合も、ランド上の消去部分の磁化の向きと、
グルーブ上の磁化の向きを逆向きにすることにより安定
した情報再生が行える。
生層が面内磁化膜から垂直磁化膜に遷移する温度Ｔｔｈ
１を中間層のキュリー温度Ｔｃ３にほぼ近い温度にして
おくことで、Ｔｃ３以下では再生層３は面内磁化状態、
Ｔｃ３以上では静磁結合によるアパーチャを形成する事
ができる。従って、微小磁区の超解像再生が可能にな
る。この場合も、ランド上の消去部分の磁化の向きと、
グルーブ上の磁化の向きを逆向きにすることにより安定
した情報再生が行える。
【００３９】また、本実施例でも更に高温部分を用いて
第三の実施例と同様の原理によるリアマスクを形成する
ことにより、超解像をダブルマスク構造とすることもで
きる。
第三の実施例と同様の原理によるリアマスクを形成する
ことにより、超解像をダブルマスク構造とすることもで
きる。
【００４０】（第五の実施例）本発明の第五の実施例を
図１２を用いて説明する。
図１２を用いて説明する。
【００４１】本実施例は、光ディスクの記録容量を増加
させるためにランド・グルーブ双方に情報記録を行う場
合である。この場合も、消去方向の磁化の向きをディス
ク全面に渡って一様にすると、記録パターンによりブラ
ンク部分の結合が弱くなる。従って、ランドとグルーブ
で消去部分の磁化の向きを逆にし、記録時の外部磁界も
逆にしてやることで図１２に示すような記録ができる。
このような記録方法を採ることにより、記録パターンに
関わらずブランク部分であっても磁区の大きさが制限さ
れるので、ランド・グルーブ共に安定した静磁結合、情
報再生が実現できる。
させるためにランド・グルーブ双方に情報記録を行う場
合である。この場合も、消去方向の磁化の向きをディス
ク全面に渡って一様にすると、記録パターンによりブラ
ンク部分の結合が弱くなる。従って、ランドとグルーブ
で消去部分の磁化の向きを逆にし、記録時の外部磁界も
逆にしてやることで図１２に示すような記録ができる。
このような記録方法を採ることにより、記録パターンに
関わらずブランク部分であっても磁区の大きさが制限さ
れるので、ランド・グルーブ共に安定した静磁結合、情
報再生が実現できる。
【００４２】なお、本実施例は第一乃至第四の全ての実
施例で述べた膜構成に関して成り立つことは勿論であ
る。特に第二乃至第四の実施例で述べた膜構成を採用し
た場合、微小磁区の再生が可能になるだけでなく、面内
磁化膜によるマスク効果によって隣接トラックからのク
ロストークを抑制する効果も備えているため、本実施例
にとってより好適である。
施例で述べた膜構成に関して成り立つことは勿論であ
る。特に第二乃至第四の実施例で述べた膜構成を採用し
た場合、微小磁区の再生が可能になるだけでなく、面内
磁化膜によるマスク効果によって隣接トラックからのク
ロストークを抑制する効果も備えているため、本実施例
にとってより好適である。
【００４３】（第六実施例）本発明の第六の実施例を図
１３を用いて説明する。
１３を用いて説明する。
【００４４】本実施例の媒体構造は、メモリ層５と保護
層６の間に第四磁性層（以下記録補助層と称する）、第
五磁性層（以下制御層と称する）、第六磁性層（以下初
期化層と称する）を積層したものである。これらにメモ
リ層を加えた４層磁性層の構成は、例えば特開平３ー２
１９４４９号に記載されているレーザパワー強度変調に
よるオーバーライト機能を実現させるものである。すな
わち、準備として初期化層の磁化の向きを一様に揃えて
おき、記録時には初期化層と逆向きの外部磁界を印加し
ながら、Ｐｈ，Ｐｌ（Ｐｈ＞Ｐｌ）の２段階でレーザ強
度を変調する。レーザパワーがＰｈの時は、以前記録さ
れていた情報に関わらず、メモリ層の磁化は外部磁界の
向き、Ｐｌの時は初期化層と同じ向きに倣い、オーバー
ライトが可能となる。これにより記録されたマークと、
前述の実施例で説明した媒体に於ける記録マークを比較
すると、外部磁界の向きは記録方向、初期化層の向きは
消去方向に相当する。
層６の間に第四磁性層（以下記録補助層と称する）、第
五磁性層（以下制御層と称する）、第六磁性層（以下初
期化層と称する）を積層したものである。これらにメモ
リ層を加えた４層磁性層の構成は、例えば特開平３ー２
１９４４９号に記載されているレーザパワー強度変調に
よるオーバーライト機能を実現させるものである。すな
わち、準備として初期化層の磁化の向きを一様に揃えて
おき、記録時には初期化層と逆向きの外部磁界を印加し
ながら、Ｐｈ，Ｐｌ（Ｐｈ＞Ｐｌ）の２段階でレーザ強
度を変調する。レーザパワーがＰｈの時は、以前記録さ
れていた情報に関わらず、メモリ層の磁化は外部磁界の
向き、Ｐｌの時は初期化層と同じ向きに倣い、オーバー
ライトが可能となる。これにより記録されたマークと、
前述の実施例で説明した媒体に於ける記録マークを比較
すると、外部磁界の向きは記録方向、初期化層の向きは
消去方向に相当する。
【００４５】ここで、この媒体においても本発明の効果
を得るために、図１３に示すようにランド上とグルーブ
上で初期化層の磁化の向きを逆にしておく。この初期化
層の処理は、第一実施例で述べた手順とほぼ同様に行う
ことができるが、通常初期化層は全ての磁性層の中で最
も保磁力が強く、キュリー温度も高く設定されているの
で、通常の記録条件よりも媒体を高温にする必要があ
り、少なくともＰｌよりも高いパワーをＤＣ的に照射す
る必要がある。又、外部磁界も記録条件より強くする。
この媒体処理も、第一実施例と同様ディスク作成後に一
度だけ行えばよいので、通常の記録再生装置の仕様を超
えたパワー、磁界が必要であっても、工場出荷時に専用
のジグを用意して初期化処理を行うとしても特に問題は
ない。むしろ専用のジグで処理する方が、実使用中の誤
動作による事故を防げるというメリットもある。
を得るために、図１３に示すようにランド上とグルーブ
上で初期化層の磁化の向きを逆にしておく。この初期化
層の処理は、第一実施例で述べた手順とほぼ同様に行う
ことができるが、通常初期化層は全ての磁性層の中で最
も保磁力が強く、キュリー温度も高く設定されているの
で、通常の記録条件よりも媒体を高温にする必要があ
り、少なくともＰｌよりも高いパワーをＤＣ的に照射す
る必要がある。又、外部磁界も記録条件より強くする。
この媒体処理も、第一実施例と同様ディスク作成後に一
度だけ行えばよいので、通常の記録再生装置の仕様を超
えたパワー、磁界が必要であっても、工場出荷時に専用
のジグを用意して初期化処理を行うとしても特に問題は
ない。むしろ専用のジグで処理する方が、実使用中の誤
動作による事故を防げるというメリットもある。
【００４６】また、初期化層は他の層よりもキュリー温
度が高く、保磁力が大きいので、上記の初期化層処理を
するときにメモリ層の磁化も初期化層と同じ向きに倣う
ので、初期化層の処理後に改めてメモリ層を初期化層に
倣わせるような操作は必要ない。
度が高く、保磁力が大きいので、上記の初期化層処理を
するときにメモリ層の磁化も初期化層と同じ向きに倣う
ので、初期化層の処理後に改めてメモリ層を初期化層に
倣わせるような操作は必要ない。
【００４７】また、本媒体でランド・グルーブ記録を行
う場合は、記録する場所がランドかグルーブかによって
外部磁界の向きを反転させてやれば、あとは通常の記録
方法に従って行えば、常に図１３に示したような形に情
報記録することができる。
う場合は、記録する場所がランドかグルーブかによって
外部磁界の向きを反転させてやれば、あとは通常の記録
方法に従って行えば、常に図１３に示したような形に情
報記録することができる。
【００４８】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体を用いることで
各磁性層間の静磁結合力が増加し、良好な信号品位で外
部磁界に対しても安定した情報再生が実現できた。ま
た、膜構成を工夫することによってより微小なマークを
再生することが出来、情報記録媒体の記録容量を増加さ
せることが可能になった。
各磁性層間の静磁結合力が増加し、良好な信号品位で外
部磁界に対しても安定した情報再生が実現できた。ま
た、膜構成を工夫することによってより微小なマークを
再生することが出来、情報記録媒体の記録容量を増加さ
せることが可能になった。
【図１】本発明の第一実施例の情報記録媒体の断面図
【図２】本発明の図１図示の媒体の磁化状態を示す図
【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、従来の媒体における静
磁界の大きさを示す図
磁界の大きさを示す図
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の媒体における
静磁界の大きさを示す図
静磁界の大きさを示す図
【図５】本発明の媒体の外部磁界安定性を示す図
【図６】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の第二実施例の
情報記録媒体の断面図
情報記録媒体の断面図
【図７】本発明の第二実施例の媒体における再生層のエ
ネルギーを示す図
ネルギーを示す図
【図８】本発明の第２実施例の媒体における再生層のカ
ー回転角の温度依存性を示す図
ー回転角の温度依存性を示す図
【図９】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の第三実施例の
情報記録媒体の断面図
情報記録媒体の断面図
【図１０】本発明の第三実施例の媒体における高温部分
に発生する磁界の状態を示した図
に発生する磁界の状態を示した図
【図１１】本発明の第四実施例の情報記録媒体の断面図
【図１２】本発明の第五実施例の情報記録媒体の磁化状
態を示す図
態を示す図
【図１３】本発明の第六実施例の情報記録媒体の断面図
【図１４】従来の情報記録媒体の断面図
【図１５】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、記録磁区の大きさに
よる静磁界の大きさを説明するための図
よる静磁界の大きさを説明するための図
１ 基板 ２ 干渉層 ３ 再生層 ４ 中間層 ５ メモリ層 ６ 保護層 ７ ランド ８ グルーブ ９ 記録マーク １１ 再生スポット １５ フロントマスク １６ アパーチャ １７ リアマスク
Claims (9)
- 【請求項１】 情報トラック案内用のグルーブ及びラン
ドが形成されている基板上に、少なくとも再生層とメモ
リ層を積層してなり、前記メモリ層に記録されている磁
化情報を静磁結合力により再生層に転写して、情報の再
生を行う光磁気記録媒体において、 前記ランド部とグルーブ部とで磁化の向きが互いに逆向
きになるように初期化されていることを特徴とする光磁
気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記再生層と前記メモリ層間に誘電体からなる中間層を
備えている。 - 【請求項３】 請求項２において、 前記再生層は、室温で面内磁化膜であり、室温とキュリ
ー温度の間の所定の温度以上では垂直磁化膜になる。 - 【請求項４】 請求項１において、 前記再生層と前記メモリ層間に第三磁性層を備えてい
る。 - 【請求項５】 請求項４において、 前記再生層は室温で面内磁化膜であり、前記第三磁性層
のキュリー温度以上の所定の温度Ｔｔｈ以上では垂直磁
化膜になる。 - 【請求項６】 請求項１において、 前記ランド上及び前記グルーブ上に記録ビットは形成さ
れる。 - 【請求項７】 請求項１において、 前記メモリ層に隣接して第四、第五、第六磁性層を備え
ている。 - 【請求項８】 請求項７において、 前記ランド上と前記グルーブ上で、前記第六磁性層の磁
化の向きが逆である。 - 【請求項９】 情報トラック案内用のグルーブ及びラン
ドが形成されている基板上に、少なくとも再生層とメモ
リ層を積層してなり、前記メモリ層に記録されている磁
化情報を静磁結合力により再生層に転写して、情報の再
生を行い、且つ前記ランド部とグルーブ部とで磁化の向
きが互いに逆向きになるように初期化されている光磁気
記録媒体に対して情報の記録を行う情報記録方法におい
て、 情報の記録に先だって、前記メモリ層のランド上の磁化
の向きを一定方向に揃え、グルーブ上の磁化の向きをラ
ンド上の磁化の向きとは逆向きに揃える初期化を実行す
ることを特徴とする情報記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18169295A JP3554083B2 (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報記録方法 |
| US08/682,013 US5976667A (en) | 1995-07-18 | 1996-07-16 | Magneto-optical recording medium utilizing magnetostatic coupling, and method of recording information on the medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18169295A JP3554083B2 (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935346A true JPH0935346A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3554083B2 JP3554083B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=16105208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18169295A Expired - Fee Related JP3554083B2 (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報記録方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5976667A (ja) |
| JP (1) | JP3554083B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001739A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Sony Corporation | ディスク状記録媒体及びその製造方法並びにディスクドライブ装置 |
| KR100581487B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2006-05-23 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 함몰부, 융기된 형상, 또는 함몰부와 융기된 형상을 포함하는 저장 디스크 |
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| US6670016B1 (en) * | 2000-11-24 | 2003-12-30 | Korea Institute Of Science & Technology | High density optical information recording medium |
| JP2004022056A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体初期化方法、磁気記録媒体信号転写方法、磁気記録媒体信号処理装置及び両面垂直磁気記録媒体 |
| JP2005243186A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Tdk Corp | 磁気記録再生装置及び磁気記録媒体 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2503708B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1996-06-05 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体及び装置 |
| EP1143434A3 (en) * | 1992-08-28 | 2001-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| JP2986622B2 (ja) * | 1992-09-02 | 1999-12-06 | シャープ株式会社 | 光磁気メモリー素子およびその記録再生方法 |
| US6261707B1 (en) * | 1992-11-06 | 2001-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP18169295A patent/JP3554083B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-16 US US08/682,013 patent/US5976667A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100581487B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2006-05-23 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 함몰부, 융기된 형상, 또는 함몰부와 융기된 형상을 포함하는 저장 디스크 |
| WO2004001739A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Sony Corporation | ディスク状記録媒体及びその製造方法並びにディスクドライブ装置 |
| US7233547B2 (en) | 2002-06-19 | 2007-06-19 | Sony Corporation | Disc-shaped recording medium, manufacturing method thereof, and disc drive device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3554083B2 (ja) | 2004-08-11 |
| US5976667A (en) | 1999-11-02 |
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