JPH0936016A - メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 - Google Patents
メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法Info
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- JPH0936016A JPH0936016A JP18168595A JP18168595A JPH0936016A JP H0936016 A JPH0936016 A JP H0936016A JP 18168595 A JP18168595 A JP 18168595A JP 18168595 A JP18168595 A JP 18168595A JP H0936016 A JPH0936016 A JP H0936016A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 物理的、機械的強度に優れ、表面状態や光透
過性にも優れたメンブレン、及びこれを用いた優れたマ
スクを提供すること。 【解決手段】 Ｘ線または真空紫外線を透過するマスク
メンブレンを、ＳiＣとＳiＣＮの積層膜で構成する。該
積層膜はＳi膜の片面又は両面にＳiＮ膜を形成したもの
である。
過性にも優れたメンブレン、及びこれを用いた優れたマ
スクを提供すること。 【解決手段】 Ｘ線または真空紫外線を透過するマスク
メンブレンを、ＳiＣとＳiＣＮの積層膜で構成する。該
積層膜はＳi膜の片面又は両面にＳiＮ膜を形成したもの
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体等のデバイ
スを製造するためのリソグラフィにおいて使用されるマ
スクの技術分野に属する。
スを製造するためのリソグラフィにおいて使用されるマ
スクの技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィ技術を用いて被加工材表面
を部分的に変質せしめることにより各種製品を製造する
ことが工業上、特に電子工業の分野において広く利用さ
れており、この方法によればパターンが同一の表面変質
部を有する製品を大量に製造できる。被加工材料の表面
変質は各種エネルギ線の照射により行なわれ、この際の
パターン形成のため、部分的にエネルギ遮断材を配置し
てなるマスクが用いられる。このようなマスクとして
は、照射エネルギが可視光もしくは紫外光の場合には、
ガラス又は石英等の透明基板上に銀やクロム等の黒色の
不透明パターンを設けたものが用いられる。
を部分的に変質せしめることにより各種製品を製造する
ことが工業上、特に電子工業の分野において広く利用さ
れており、この方法によればパターンが同一の表面変質
部を有する製品を大量に製造できる。被加工材料の表面
変質は各種エネルギ線の照射により行なわれ、この際の
パターン形成のため、部分的にエネルギ遮断材を配置し
てなるマスクが用いられる。このようなマスクとして
は、照射エネルギが可視光もしくは紫外光の場合には、
ガラス又は石英等の透明基板上に銀やクロム等の黒色の
不透明パターンを設けたものが用いられる。
【０００３】しかし、より微細なパターン形成が求めら
れにつれて、より波長の短い真空紫外線やＸ線が注目さ
れるようになってきた。これらのエネルギ線は上記可視
光や紫外光の場合にマスク基板部材として用いられてき
たガラスや石英板ではエネルギ線を通過せしめることが
できず、マスクの基板材料として適していない。
れにつれて、より波長の短い真空紫外線やＸ線が注目さ
れるようになってきた。これらのエネルギ線は上記可視
光や紫外光の場合にマスク基板部材として用いられてき
たガラスや石英板ではエネルギ線を通過せしめることが
できず、マスクの基板材料として適していない。
【０００４】そこで真空紫外線やＸ線を用いるリソグラ
フィにおいては、各種の無機薄膜、例えばシリコン、チ
ッ化シリコン、炭化シリコン、ダイヤモンド等のセラミ
ックス薄膜、あるいはポリイミド、ポリアミド、ポリエ
ステル等の有機高分子薄膜、更にこれらの積層薄膜をエ
ネルギ線透過体として用い、これらの膜面上に金、白
金、タングステン、タンタル等の金属をエネルギ線吸収
体としてパターン状に形成してマスクを作成している。
フィにおいては、各種の無機薄膜、例えばシリコン、チ
ッ化シリコン、炭化シリコン、ダイヤモンド等のセラミ
ックス薄膜、あるいはポリイミド、ポリアミド、ポリエ
ステル等の有機高分子薄膜、更にこれらの積層薄膜をエ
ネルギ線透過体として用い、これらの膜面上に金、白
金、タングステン、タンタル等の金属をエネルギ線吸収
体としてパターン状に形成してマスクを作成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】マスクメンブレン材料
としての候補の中で、無機材料として実用化に近い位置
にあるものとして、Ｓi、ＢＮ、ＳiＮ、ＳiＣを挙げる
ことができる。中でも特に最近注目されているのがＳi
である。
としての候補の中で、無機材料として実用化に近い位置
にあるものとして、Ｓi、ＢＮ、ＳiＮ、ＳiＣを挙げる
ことができる。中でも特に最近注目されているのがＳi
である。
【０００６】Ｓiの単結晶は半導体の基板材料として広
く使われてきており、その地位はここ当分変わることは
無いと考えられる。リソグラフィ用のマスク材料として
理想的なことは、マスクメンブレン材料が被転写基板材
料と同じもの、即ち熱膨張係数が全く同じであり、しか
も熱伝導性も同等であることであり、Ｓiを用いたマス
クメンブレンはこの点で理想に近い。
く使われてきており、その地位はここ当分変わることは
無いと考えられる。リソグラフィ用のマスク材料として
理想的なことは、マスクメンブレン材料が被転写基板材
料と同じもの、即ち熱膨張係数が全く同じであり、しか
も熱伝導性も同等であることであり、Ｓiを用いたマス
クメンブレンはこの点で理想に近い。
【０００７】Ｓiメンブレン膜の成膜方法としてはＣＶ
Ｄ法、スパッタ法、結晶シリコンのボロンドープ法等が
報告されている。しかし成膜された膜について調べてみ
る各々の成膜法によってその性状は著しく異なる。即ち
Ｓiウエハの単結晶状態、ポリシリコンそしてアモルフ
ァス状シリコン等である。これらの膜については未だ数
々の問題点が残されており、製法あるいは付加手段を講
じて改良に勤めてはいるものの基本的な解決には至って
いない。
Ｄ法、スパッタ法、結晶シリコンのボロンドープ法等が
報告されている。しかし成膜された膜について調べてみ
る各々の成膜法によってその性状は著しく異なる。即ち
Ｓiウエハの単結晶状態、ポリシリコンそしてアモルフ
ァス状シリコン等である。これらの膜については未だ数
々の問題点が残されており、製法あるいは付加手段を講
じて改良に勤めてはいるものの基本的な解決には至って
いない。
【０００８】Ｓiメンブレン膜の課題を列挙してみる
と、 （１）表面状態が悪い（スパッタ成膜等の場合、微結晶
の成長による） （２）アライメント光の透過性が悪い（固有吸収、膜内
及び表面での散乱） （３）膜厚の不均一（面内、ロット内、ロット間のコン
トロールが難しい） 等がある。
と、 （１）表面状態が悪い（スパッタ成膜等の場合、微結晶
の成長による） （２）アライメント光の透過性が悪い（固有吸収、膜内
及び表面での散乱） （３）膜厚の不均一（面内、ロット内、ロット間のコン
トロールが難しい） 等がある。
【０００９】この対策として、成膜後の膜表面の研磨
や、増透処理としてＳi０2を蒸着することが提案されて
いる。しかしながら煩雑で難しい後処理や、物性及び機
械的強度そして化学的強度を犠牲にした透光化は本質的
な解決策ではない。
や、増透処理としてＳi０2を蒸着することが提案されて
いる。しかしながら煩雑で難しい後処理や、物性及び機
械的強度そして化学的強度を犠牲にした透光化は本質的
な解決策ではない。
【００１０】本発明は、上記従来の技術が有する課題を
解決すべくなされたものであって、物理的、機械的強度
に優れ、表面状態や透過性にも優れたメンブレン、及び
これを用いた優れたマスクを提供すること、さらにはこ
のマスクを使用した露光装置やデバイス生産方法を提供
することを目的とするものである。
解決すべくなされたものであって、物理的、機械的強度
に優れ、表面状態や透過性にも優れたメンブレン、及び
これを用いた優れたマスクを提供すること、さらにはこ
のマスクを使用した露光装置やデバイス生産方法を提供
することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明のメンブレンは、ＳiとＳiＮの積層膜で構成されてい
ることを特徴とするものである。
明のメンブレンは、ＳiとＳiＮの積層膜で構成されてい
ることを特徴とするものである。
【００１２】また本発明のマスクは、上記メンブレンの
上にマスクパターンが形成されていることを特徴とする
ものである。
上にマスクパターンが形成されていることを特徴とする
ものである。
【００１３】ここで、Ｓi膜の片面または両面にＳiＮ膜
が積層されていることが好ましい。
が積層されていることが好ましい。
【００１４】また本発明のマスク製造方法は、基板上に
ＳiとＳiＮの積層膜を形成する工程と、該基板の裏面の
所定領域を除去する工程とを有することを特徴とするも
のである。
ＳiとＳiＮの積層膜を形成する工程と、該基板の裏面の
所定領域を除去する工程とを有することを特徴とするも
のである。
【００１５】ここで、更に放射線吸収体パターンを前記
積層膜上に形成する工程を有することが好ましい。ま
た、積層膜の形成はスパッタ蒸着法及び／又はＣＶＤ法
で行うことが好ましい。
積層膜上に形成する工程を有することが好ましい。ま
た、積層膜の形成はスパッタ蒸着法及び／又はＣＶＤ法
で行うことが好ましい。
【００１６】また本発明の露光装置は、上記マスクを用
いて露光を行う手段を有することを特徴とするものであ
る。
いて露光を行う手段を有することを特徴とするものであ
る。
【００１７】また本発明のデバイス生産方法は、上記マ
スクを用いてデバイスを生産することを特徴とするもの
である。
スクを用いてデバイスを生産することを特徴とするもの
である。
【００１８】
＜実施例１＞以下、Ｘ線や真空紫外線のリソグラフィに
適したマスク構造体の製造方法の実施例について説明す
る。
適したマスク構造体の製造方法の実施例について説明す
る。
【００１９】図１(A)に示すように、３インチΦ、厚さ
１ｍｍのシリコン基板１を用意した。成膜装置にはＳＢ
Ｒスパッタ装置を用い、スパッタターゲットとしてＳi
の結晶体、スパッタガスとして純アルゴン及び純窒素の
ガスを用意した。
１ｍｍのシリコン基板１を用意した。成膜装置にはＳＢ
Ｒスパッタ装置を用い、スパッタターゲットとしてＳi
の結晶体、スパッタガスとして純アルゴン及び純窒素の
ガスを用意した。
【００２０】先ずアルゴン及び窒素のガス流量の比を
２：１にセット、入力パワー２００Ｗ、ガス圧２Ｐaで
スパッタを行った。３０分で約０．４μ厚のＳiＣＮ膜
２を形成した。さらに連続して１００％アルゴンガスを
用いてスパッタを行い、同一のパワーで且つガス圧０．
５Ｐａで１２０分間成膜、約１．２μ厚のＳi膜３を形
成した。再びＳi膜上に連続してＳiＮ膜を同条件で約
０．４μｍ形成した。こうして出来た積層膜の応力を測
定したところ、１×１０-9dyne/cm2の引っ張り応力を示
した。なお、本実施例ではＳi膜の両面をＳiＮ膜でサン
ドイッチする構造としたが、Ｓi膜の片面にのみＳiＮ膜
を設けるようにしても良い。
２：１にセット、入力パワー２００Ｗ、ガス圧２Ｐaで
スパッタを行った。３０分で約０．４μ厚のＳiＣＮ膜
２を形成した。さらに連続して１００％アルゴンガスを
用いてスパッタを行い、同一のパワーで且つガス圧０．
５Ｐａで１２０分間成膜、約１．２μ厚のＳi膜３を形
成した。再びＳi膜上に連続してＳiＮ膜を同条件で約
０．４μｍ形成した。こうして出来た積層膜の応力を測
定したところ、１×１０-9dyne/cm2の引っ張り応力を示
した。なお、本実施例ではＳi膜の両面をＳiＮ膜でサン
ドイッチする構造としたが、Ｓi膜の片面にのみＳiＮ膜
を設けるようにしても良い。
【００２１】次に、図１(B)に示すように、シリコン基
板１の裏面のパターンに対応した矩形部分以外の領域
に、ＳiＮ膜４を約２μｍ厚で形成した。これは２０×
２０ｍｍの矩形アルミ板を基板上に固定してＳiＮ成膜
を行い、その後アルミ板を取り除く工程によって行う。
そして、シリコンバックエッチング装置に３０％ＫＯＨ
液をセット１１０℃で約３時間、基板背面からＳiＮ膜
をマスクにしてＳiをエッチング除去し、放射線透過部
を形成した。
板１の裏面のパターンに対応した矩形部分以外の領域
に、ＳiＮ膜４を約２μｍ厚で形成した。これは２０×
２０ｍｍの矩形アルミ板を基板上に固定してＳiＮ成膜
を行い、その後アルミ板を取り除く工程によって行う。
そして、シリコンバックエッチング装置に３０％ＫＯＨ
液をセット１１０℃で約３時間、基板背面からＳiＮ膜
をマスクにしてＳiをエッチング除去し、放射線透過部
を形成した。
【００２２】次に、図１(C)に示すように、上記形成し
た積層膜上に同様のスパッタ蒸着法を用いてタングステ
ンターゲットとアルゴンガスとで放射線の吸収体膜５を
形成した。成膜条件は入力パワー７５Ｗ、ガス圧４Ｐa
成膜時間１時間でタングステン膜厚０．８μｍとし
た。そして吸収体膜５の更に上に、クロム膜６を０．１
μｍ厚で蒸着した。
た積層膜上に同様のスパッタ蒸着法を用いてタングステ
ンターゲットとアルゴンガスとで放射線の吸収体膜５を
形成した。成膜条件は入力パワー７５Ｗ、ガス圧４Ｐa
成膜時間１時間でタングステン膜厚０．８μｍとし
た。そして吸収体膜５の更に上に、クロム膜６を０．１
μｍ厚で蒸着した。
【００２３】次に、図１(D)に示すように、ＥＢ用レジ
スト７をスピンコーターを用いて０．４μｍ塗布した。
そして該レジストをプリベークした後、ＥＢ描画装置を
用いて０．３μｍの線幅でマスクパターンを描画し、所
定の現像プロセスを経て０．３μｍのレジストパターン
を形成した。続いてドライエッチング装置でエッチング
ガスとしてＣl4用いて、レジストパターン７をマスクに
０．３μｍのＣrの中間マスクパターン６を形成した。
続いて、Ｏ2ガスプラズマでレジストを除去した後、Ｓ
Ｆ6ガスプラズマにてタングステン層５のパターンエッ
チングを行い、０．３μｍ線幅、高さ０．８μｍのタン
グステン材の放射線吸収体パターンを形成した。最後に
３インチΦ、厚さ８ｍｍのパイレックスガラス製のドー
ナツ状フレーム８をエポシキ系接着剤９を用いて接着
し、図１(E)に示すようなリソグラフィ用マスク構造体
を作成した。
スト７をスピンコーターを用いて０．４μｍ塗布した。
そして該レジストをプリベークした後、ＥＢ描画装置を
用いて０．３μｍの線幅でマスクパターンを描画し、所
定の現像プロセスを経て０．３μｍのレジストパターン
を形成した。続いてドライエッチング装置でエッチング
ガスとしてＣl4用いて、レジストパターン７をマスクに
０．３μｍのＣrの中間マスクパターン６を形成した。
続いて、Ｏ2ガスプラズマでレジストを除去した後、Ｓ
Ｆ6ガスプラズマにてタングステン層５のパターンエッ
チングを行い、０．３μｍ線幅、高さ０．８μｍのタン
グステン材の放射線吸収体パターンを形成した。最後に
３インチΦ、厚さ８ｍｍのパイレックスガラス製のドー
ナツ状フレーム８をエポシキ系接着剤９を用いて接着
し、図１(E)に示すようなリソグラフィ用マスク構造体
を作成した。
【００２４】なお、変形例として、シリコン基板の所定
部分をバックエッチングして除去する工程をマスクパタ
ーン形成後に行うようにしても良い。また、放射線吸収
体の材料としてはタングステンに限らず、金、白金、タ
ンタル、モリブデン、ニッケルなどの重金属の単体もし
くは合金とすることもできる。
部分をバックエッチングして除去する工程をマスクパタ
ーン形成後に行うようにしても良い。また、放射線吸収
体の材料としてはタングステンに限らず、金、白金、タ
ンタル、モリブデン、ニッケルなどの重金属の単体もし
くは合金とすることもできる。
【００２５】＜実施例２＞以下、第２実施例のマスク製
造方法について説明する。本実施例はメンブレンの積層
膜の形成にＣＶＤ法を用いたことを特徴とする。なお、
上記実施例１と同様の工程については説明を簡略化す
る。
造方法について説明する。本実施例はメンブレンの積層
膜の形成にＣＶＤ法を用いたことを特徴とする。なお、
上記実施例１と同様の工程については説明を簡略化す
る。
【００２６】３インチΦ、厚さ１ｍｍのシリコン基板上
にＣＶＤ法により約０．５μｍのＳiＮを成膜。更にＣ
ＶＤ法で同様にＳi膜を約１μｍ積層成膜、続いて約
０．５μｍのＳiＮを積層した。
にＣＶＤ法により約０．５μｍのＳiＮを成膜。更にＣ
ＶＤ法で同様にＳi膜を約１μｍ積層成膜、続いて約
０．５μｍのＳiＮを積層した。
【００２７】続いてエッチングストッパ層としてＣr ５
００Åを表面に蒸着した。上記実施例１と同様の条件で
更にＷとＣr層を各０．８μｍ、０．１μｍ設けた。そ
の後は上記実施例１と同様の工程を経て放射線吸収体パ
ターンを形成した。最後に酸素プラズマを作用させてＣ
rの酸化透光処理を行なった。
００Åを表面に蒸着した。上記実施例１と同様の条件で
更にＷとＣr層を各０．８μｍ、０．１μｍ設けた。そ
の後は上記実施例１と同様の工程を経て放射線吸収体パ
ターンを形成した。最後に酸素プラズマを作用させてＣ
rの酸化透光処理を行なった。
【００２８】＜実施例３＞本発明の第３実施例について
説明する。本実施例ではＳiＮ膜はスパッタ法で、Ｓi膜
はＣＶＤ法で成膜することを特徴とする。
説明する。本実施例ではＳiＮ膜はスパッタ法で、Ｓi膜
はＣＶＤ法で成膜することを特徴とする。
【００２９】シリコン基板上に反応性スパッタ法でＳi
Ｎ膜を０．１μｍ成膜し、次にＬＰ−ＣＶＤ法を用いて
Ｓi膜を約１．８μｍ積層成膜し、更に反応性スパッタ
法でＳiＮ膜を０．１μｍ成膜した。
Ｎ膜を０．１μｍ成膜し、次にＬＰ−ＣＶＤ法を用いて
Ｓi膜を約１．８μｍ積層成膜し、更に反応性スパッタ
法でＳiＮ膜を０．１μｍ成膜した。
【００３０】ＳiＮはＳiの反射防止膜としても作用する
ためアライメント透過率も良く、且つ表面性の良好なメ
ンブレン膜を形成することができた。この後の工程は上
記実施例と同様であるため説明は省略する。
ためアライメント透過率も良く、且つ表面性の良好なメ
ンブレン膜を形成することができた。この後の工程は上
記実施例と同様であるため説明は省略する。
【００３１】以上説明した各実施例によれば、次のよう
な優れた作用効果を得ることが出来る。 （１）Ｓi膜表面にＳiＮ膜を設けることによって、メン
ブレン膜表面の表面状態を改善することができる。Ｓi
Ｎはアモルファス膜であり結晶の析出による表面状態の
劣化が防止できる。 （２）アモルファス膜上に連続してＳi膜を成膜するた
めに結晶の粗大化が改善できる、これはすなわちアライ
メント光の膜表面のみならず、内部散乱による低下も改
善できることを意味している。 （３）ＳiＮをＳiの反射膜となるよう成膜することによ
り、アライメント光の透過性、そして散乱による損失も
大幅に改善できる。 （４）Ｓi膜及びＳiＮ膜は引っ張りや圧縮の応力を成膜
条件により任意に得ることができるため、積層により小
さい引っ張り応力の膜を得ることができる。 （５）スパッタ蒸着法においては、同一ターゲットを用
いてガス種類を変えることにより連続的に成膜が可能で
あり、積層膜を容易に形成することができる。
な優れた作用効果を得ることが出来る。 （１）Ｓi膜表面にＳiＮ膜を設けることによって、メン
ブレン膜表面の表面状態を改善することができる。Ｓi
Ｎはアモルファス膜であり結晶の析出による表面状態の
劣化が防止できる。 （２）アモルファス膜上に連続してＳi膜を成膜するた
めに結晶の粗大化が改善できる、これはすなわちアライ
メント光の膜表面のみならず、内部散乱による低下も改
善できることを意味している。 （３）ＳiＮをＳiの反射膜となるよう成膜することによ
り、アライメント光の透過性、そして散乱による損失も
大幅に改善できる。 （４）Ｓi膜及びＳiＮ膜は引っ張りや圧縮の応力を成膜
条件により任意に得ることができるため、積層により小
さい引っ張り応力の膜を得ることができる。 （５）スパッタ蒸着法においては、同一ターゲットを用
いてガス種類を変えることにより連続的に成膜が可能で
あり、積層膜を容易に形成することができる。
【００３２】＜実施例４＞次に上記のようにして作成し
たＸ線マスクを用いたＸ線露光装置の実施例を説明す
る。図２はＸ線露光装置の全体図であり、図中、シンク
ロトロン放射源１０の発光点１１から放射されたシート
ビーム形状のシンクロトロン放射光１２は、僅かな曲率
を有する凸面ミラー１３によって放射光軌道面に対して
垂直な方向に拡大される。拡大された放射光は移動シャ
ッタ１４によって照射領域内で露光量が均一となるよう
に調整し、シャッタ１４を経た放射光はＸ線マスク１５
に導かれる。Ｘ線マスク１５は上記説明した実施例のい
ずれかで説明した方法によって作成されたものである。
ウエハ１６はスピンコート法によって１μｍ厚のレジス
トを塗布し、既定の条件でプリベークを行ったもので、
Ｘ線マスク１５とは３０μｍ程度の近接した間隔で配置
されている。ステッピング露光によって、ウエハ１６の
複数のショット領域にマスクパターンを並べて露光転写
したら、ウエハを回収し、現像処理を行う。これによっ
て線幅３０μｍ、高さ１μｍのネガ型のレジストパター
ンを得た。
たＸ線マスクを用いたＸ線露光装置の実施例を説明す
る。図２はＸ線露光装置の全体図であり、図中、シンク
ロトロン放射源１０の発光点１１から放射されたシート
ビーム形状のシンクロトロン放射光１２は、僅かな曲率
を有する凸面ミラー１３によって放射光軌道面に対して
垂直な方向に拡大される。拡大された放射光は移動シャ
ッタ１４によって照射領域内で露光量が均一となるよう
に調整し、シャッタ１４を経た放射光はＸ線マスク１５
に導かれる。Ｘ線マスク１５は上記説明した実施例のい
ずれかで説明した方法によって作成されたものである。
ウエハ１６はスピンコート法によって１μｍ厚のレジス
トを塗布し、既定の条件でプリベークを行ったもので、
Ｘ線マスク１５とは３０μｍ程度の近接した間隔で配置
されている。ステッピング露光によって、ウエハ１６の
複数のショット領域にマスクパターンを並べて露光転写
したら、ウエハを回収し、現像処理を行う。これによっ
て線幅３０μｍ、高さ１μｍのネガ型のレジストパター
ンを得た。
【００３３】＜実施例５＞次に上記Ｘ線マスクおよび上
記Ｘ線露光装置を用いた微小デバイスの生産方法につい
て説明する。ここでいう微小デバイスとはいＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体チップ、液晶デバイス、マイクロマシン、
薄膜磁気ヘッドなどが挙げられる。以下は半導体デバイ
スの例を示す。
記Ｘ線露光装置を用いた微小デバイスの生産方法につい
て説明する。ここでいう微小デバイスとはいＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体チップ、液晶デバイス、マイクロマシン、
薄膜磁気ヘッドなどが挙げられる。以下は半導体デバイ
スの例を示す。
【００３４】図３は半導体デバイスの生産の全体フロー
を示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの
回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用い
てウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は
前工程と呼ばれ、上記用意したＸ線マスクとウエハを用
いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路
を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼
ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半
導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイ
シング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ
封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステッ
プ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐
久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導
体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。
を示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの
回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用い
てウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は
前工程と呼ばれ、上記用意したＸ線マスクとウエハを用
いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路
を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼
ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半
導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイ
シング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ
封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステッ
プ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐
久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導
体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。
【００３５】図４は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。この工程
では予め化学増幅型レジストに特有なＰＥＢ(Post Expo
sure Bake)工程を含む。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体デバイスを生産することがで
きる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。この工程
では予め化学増幅型レジストに特有なＰＥＢ(Post Expo
sure Bake)工程を含む。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体デバイスを生産することがで
きる。
【００３６】
【発明の効果】以上の本発明によれば、物理的、機械的
強度に優れ、表面状態や光透過性にも優れたメンブレ
ン、及びこれを用いた優れたマスクを提供することがで
きる。
強度に優れ、表面状態や光透過性にも優れたメンブレ
ン、及びこれを用いた優れたマスクを提供することがで
きる。
【００３７】また、本発明のマスクを用いた露光装置や
デバイス生産方法によれば、従来以上に高精度な露光や
デバイス生産が可能となる。
デバイス生産方法によれば、従来以上に高精度な露光や
デバイス生産が可能となる。
【図１】本発明の実施例のマスク構造体の構造及び製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図２】Ｘ線露光装置の実施例の全体構成図である。
【図３】半導体デバイス生産の全体フローを示す図であ
る。
る。
【図４】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ シリコン基板 ２ ＳｉＮメンブレン層 ３ Ｓｉメンブレン層 ４ バックエッチングの窓 ５ Ｘ線吸収体層（タングステン） ６ 中間マスク層（クロム） ７ レジスト層（ＥＢ用） ８ リングフレーム ９ 接着材
Claims (8)
- 【請求項１】 ＳiとＳiＮの積層膜で構成されているこ
とを特徴とするメンブレン。 - 【請求項２】 請求項１のメンブレンの上にマスクパタ
ーンが形成されていることを特徴とするマスク。 - 【請求項３】 Ｓi膜の片面または両面にＳiＮ膜が積層
されていること特徴とする請求項１記載のメンブレン又
は請求項２記載のマスク。 - 【請求項４】 基板上にＳiとＳiＮの積層膜を形成する
工程と、該基板の裏面の所定領域を除去する工程とを有
することを特徴とするマスク製造方法。 - 【請求項５】 更に放射線吸収体パターンを前記積層膜
上に形成する工程を有することを特徴とする請求項４記
載のマスク製造方法。 - 【請求項６】 前記積層膜の形成はスパッタ蒸着法及び
／又はＣＶＤ法で行うことを特徴とする請求項１記載の
メンブレン又は請求項２記載のマスク。 - 【請求項７】 請求項２又は３記載のマスクを用いて露
光を行う手段を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項８】 請求項２又は３記載のマスクを用いてデ
バイスを生産することを特徴とするデバイス生産方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18168595A JPH0936016A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18168595A JPH0936016A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936016A true JPH0936016A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16105087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18168595A Withdrawn JPH0936016A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936016A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949538A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-13 | Lucent Technologies Inc. | Membrane mask for projection lithography |
| WO2001002908A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP18168595A patent/JPH0936016A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949538A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-13 | Lucent Technologies Inc. | Membrane mask for projection lithography |
| EP0949538B1 (en) * | 1998-04-08 | 2012-07-04 | Lucent Technologies Inc. | Mask for scattering-type charged-particle beam lithography, charged-particle beam lithography apparatus comprising the same, and lithography process using the same |
| WO2001002908A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US7125651B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-10-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device optical mask therefor, its manufacturing method, and mask blanks |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |