JPH0936048A

JPH0936048A - 真空処理方法と装置

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Publication number: JPH0936048A
Application number: JP18569995A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Wada; 久和田
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1995-07-21
Filing date: 1995-07-21
Publication date: 1997-02-07
Anticipated expiration: 2015-07-21
Also published as: JP3388654B2

Abstract

(57)【要約】【課題】プロセス室からロード室へ反応性のあるプロセ
スガスの流出を防ぎ、ロード室内の汚染を防止すること
及びプロセス室内の圧力調整とプロセスガスの排除の時
間を短縮して被処理物の処理能力を向上させる【解決手段】ロード室１にキャリアガス又は該ロード室
を汚染しないプロセスガス又はその汚染しないプロセス
ガスを含む混合ガスを導入すると共に、これと同種のガ
スを別系統から該プロセス室に導入しておき、被処理物
Ａの搬送のためのゲートバルブ３の開弁に先立ち、該プ
ロセス室に導入している前記キャリアガス又は汚染しな
いプロセスガス又はその混合ガスをそのまま該ロード室
へ振替え導入する【効果】ロード室が該残留ガスで汚染されることがな
く、プロセス室からロード室へ振替え導入する操作は簡
単且つ迅速に行え、しかも被処理物の処理時の圧力調整
も省略もしくは短時間に行えるから処理能率が向上する

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プロセスガスの物
理的作用、化学的作用を利用して半導体ウエハ等の被処
理物の処理を真空中で行う真空処理方法とこれに使用さ
れる処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウエハ等の被処理物に、プ
ロセスガスの物理的作用、化学的作用を利用して成膜、
エッチング、アニール等の処理を施すことが行われてお
り、これを実施する装置として、例えばロードロック式
の真空処理装置が知られている。このロードロック式の
真空処理装置は、一般に、成膜等の処理を行うプロセス
室と、被処理物とこれを搬送する搬送ロボットが収容さ
れたロード室と、これらの室を連通させるゲートバルブ
とで構成され、プロセス室をメンテナンス時以外には大
気に開放せずに済むので、処理が安定化し処理時間が節
約できる利点がある。このロードロック式の装置は、ま
ず１もしくは複数の被処理物をロード室に収容し、該ロ
ード室内が真空に排気されると該被処理物を搬送ロボッ
トがつかみ、予め真空に排気されたプロセス室内へ開い
たゲートバルブを介して搬入し、該ゲートバルブを閉じ
る。続いて該プロセス室内にプロセスガスを導入し、そ
の室内の圧力を調整したのち、プロセスガスの物理的作
用、化学的作用を利用して被処理物に成膜等の処理を施
す。この処理が終わると、プロセスガスを遮断し、プロ
セス室に残留したプロセスガスを排気する。そして、ゲ
ートバルブを開け、搬送ロボットで処理の終えた被処理
物をプロセス室からロード室へ運びだし、ゲートバルブ
を閉じる。多数の処理物を処理する場合には、上記の工
程を繰り返し、該ロード室内に多数枚の被処理物を収容
するために例えばカセットケースが用意される。一連の
処理工程が終わると、ロード室を大気圧に戻し、処理の
終えた被処理物を外部へ取り出す。

【０００３】一方、ロード室とプロセス室に同一の反応
ガスを供給して両室の圧力を調整しておき、ゲートバル
ブを開閉して被処理物を両室間で搬送する真空処理方法
も公知である（特公平６−７６６６３号公報）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記前者の一般的な装
置では、処理の終えた被処理物をプロセス室から取り出
す前に、その室内に残留するプロセスガスを排気してい
るが、被処理物は、その生産性の向上のために次々と短
時間で交換されるので、その処理終了時からゲートバル
ブを開くまでの時間は比較的短時間しか許容されず、そ
の時間内にプロセスガスを十分に排気することは困難
で、該ゲートバルブを開いて被処理物を取り出す際にロ
ード室へプロセスガスが流入し、プロセスガスが反応性
に富む場合、待機している未処理の被処理物や搬送ロボ
ット、ロード室内を汚染する不都合がある。また、プロ
セスガスを導入してプロセス室内の圧力を調整する工程
と、前記プロセス室内のプロセスガスを排気する工程に
は、かなりの時間を要するため、被処理物の処理能力は
良好でない欠点がある。

【０００５】上記後者の公知の方法では、プロセスガス
をロード室にも供給するので、プロセスガスがロード室
内を汚染するガスである場合には、ロード室内が汚染さ
れるのみならず、被処理物を取り出すときに予めプロセ
スガスが残留しないようにロード室内を十分排気し、ロ
ード室を被処理物の取出しのために開いたときにプロセ
スガスがその外部へ放出されることを防止しなければな
らず、この方法はロード室の汚染と排気時間が長くなる
ので不適当である。

【０００６】本発明は、プロセス室からロード室へ反応
性のあるプロセスガスの流出を防ぎ、ロード室内の汚染
を防止すること及びプロセス室内の圧力調整とプロセス
ガスの排除の時間を短縮して被処理物の処理能力を向上
させる方法を提供することを第１の目的とし、この方法
の実施に適した装置を提供することを第２の目的とする
ものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明では、被処理物を
収容した真空排気自在のロード室にゲートバルブを介し
て該被処理物にプロセスガスにより成膜等の処理を施す
真空排気自在のプロセス室を連設し、該被処理物をロー
ド室とプロセス室との間を往復搬送する処理方法に於い
て、該ロード室にキャリアガス又は該ロード室を汚染し
ないプロセスガス又はその汚染しないプロセスガスを含
む混合ガスを導入すると共に、これと同種のガスを別系
統から該プロセス室に導入しておき、該被処理物の搬送
のためのゲートバルブの開弁に先立ち、該プロセス室に
導入している前記キャリアガス又は汚染しないプロセス
ガス又はその混合ガスをそのまま該ロード室へ振替え導
入することにより、上記の第１の目的を達成するように
した。

【０００８】上記第２の目的は、真空排気系を有し且つ
被処理物を収容するロード室に、ゲートバルブを介して
真空排気系とプロセスガスの導入系を有した該被処理物
にプロセスガスにより成膜等の処理を施すプロセス室を
連設し、該被処理物をロード室とプロセス室との間で往
復搬送する搬送手段を備えた装置に於いて、該ロード室
にキャリアガス又は該ロード室を汚染しないプロセスガ
ス又はその汚染しないプロセスガスを含む混合ガスを供
給するロード室用ガス導入系を設け、該ロード室及びプ
ロセス室に該ロード室に導入したガスと同種のガスをそ
のまま交互に振替え供給するガス交互導入系を設け、該
ロード室とプロセス室にその圧力を制御する圧力制御手
段を設けたことにより達成される。

【０００９】該ロード室には、キャリアガス等のガスが
独立して導入されており、被処理物の搬送のためにゲー
トバルブが開かれるときに先立ち、プロセス室に導入さ
れていたキャリアガス等がそのままロード室に振替え導
入されるようになるので、該ゲートバルブが開いたとき
にはロード室からプロセス室へキャリアガス等が流れ、
プロセス室に汚染性、反応性に富むプロセスガスが残留
していてもロード室が汚染されることを防げ、ロード室
から被処理物を取出す際の清浄化時間が不要になり、ゲ
ートバルブが閉じられたのち再びプロセス室にキャリア
ガス等がそのまま導入されるので、プロセス室内を被処
理物の処理に適した圧力と流量に調整するための時間が
短縮できる。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１はロードロック式の真空処理
装置に適用した本発明の実施の形態を示し、同図に於い
て符号１はシリコンウエハやガラス基板等の被処理物Ａ
を待機させておくロード室、２はプロセスガスにより該
被処理物Ａに成膜、エッチング、アニール等の処理を施
すプロセス室で、これらの室１、２は公知の自動式のゲ
ートバルブ３により互いに連通され或いはその連通が遮
断される。

【００１１】該ロード室１には、室内に待機した被処理
物Ａをプロセス室２との間で搬送する搬送ロボット等の
搬送手段４を設けると共に、その室壁に外部と被処理物
Ａを出し入れするための扉１ａを設け、該室内を真空に
排気するためにストップバルブ５ａと真空ポンプ５ｂを
備えた真空排気系５を設けた。また、該プロセス室２の
内部には、そこで行う処理がプロセスガスの熱や光によ
る化学的反応である場合には、ヒーターや光源が設置さ
れ、プロセスガスのプラズマによる物理的反応や化学的
反応による場合には、高周波電極や直流高電圧電極が設
置される。該プロセス室２には、被処理物Ａの処理用の
プロセスガスを導入するために、２系統のプロセスガス
導入系６を接続し、各プロセスガス導入系に、マスフロ
ーコントローラー６ａ、６ｂとガスストップバルブ６
ｃ、６ｄを設け、室内の圧力調整と真空排気のために、
バリアブルコンダクタンスバルブからなる圧力制御手段
７とこれにストップバルブ８ａとドライポンプやメカニ
カルブースタポンプ等の真空ポンプ８ｂで構成した真空
排気系８を接続した。該搬送手段４は、被処理物Ａを持
って旋回と伸縮を行ない、ロード室１とプロセス室２と
の間で被処理物Ａの搬送を行う。該ロード室１に複数の
被処理物Ａを待機させるときは、多段のカセットケース
等に収めて用意される。

【００１２】こうした構成は従来のロードロック式の真
空処理装置の構成と略同様であるが、本発明では、該ロ
ード室１に、バリアブルコンダクタンスバルブからなる
圧力制御手段９を設けると共にキャリアガス、又はプロ
セス室２で使用されるプロセスガスが該ロード室を汚染
しないものであるときはそのプロセスガス、又はその汚
染しないプロセスガス含む混合ガスを供給するロード室
用ガス導入系１０を設け、更に、該ロード室１及びプロ
セス室２に、これら両室へ交互にキャリアガス、又はプ
ロセス室２で使用されるプロセスガスが該ロード室を汚
染しないものであるときはそのプロセスガス、又はその
汚染しないプロセスガスを含む混合ガスをその流量を変
えずにそのまま供給するガス交互導入系１１を設けるよ
うにした。該ロード室１の圧力制御手段９は真空排気系
５の前方に接続し、ロード室用ガス導入系１０をマスフ
ローコントローラー１０ａとストップバルブ１０ｂで構
成した。また、該ガス交互導入系１１は、１つのマスフ
ローコントローラ１１ａとこれからロード室１及びプロ
セス室２へ分岐した管路にストップバルブ１１ｂ、１１
ｃを夫々設けて構成した。

【００１３】上記の装置を使用して本発明の真空処理方
法の実施の形態を説明すると、被処理物Ａを処理するプ
ロセスガスが、希ガス、Ｎ₂、Ｏ₂、Ｈ₂等のロード室
１を汚染しないガスである場合、ロード室用ガス導入系
１０とガス交互導入系１１にその汚染しないプロセスガ
ス又はその汚染しないプロセスガスと他のガスとの混合
ガスのガス源を接続しておく。そして、複数の被処理物
Ａをロード室１の所定の位置に用意すると共に該ロード
室１内をその真空排気系５により真空に排気し、ゲート
バルブ３を閉じて密閉されたプロセス室２の内部も真空
排気系８により真空に排気する。このあと、ロード室１
にロード室用ガス導入系１０から上記プロセスガス又は
これを含む混合ガスを導入すると共に該プロセス室にガ
ス交互導入系１１のストップバルブ１１ｃを開いて上記
プロセスガス又はこれを含む混合ガスを導入する。この
場合、該プロセス室２に流すプロセスガス等の流量は、
実際に被処理物Ａを処理する際のガス流量と同じか近い
値であることが望ましい。

【００１４】続いて該ロード室１及びプロセス室２の圧
力を同圧で且つ被処理物Ａをプロセス室で処理する時の
圧力に近くなるように、圧力制御手段７、９を用いて圧
力調整し、これが終了したらガス交互導入系１１のスト
ップバルブ１１ｃを閉じると同時にストップバルブ１１
ｂを開いてプロセスガス等を一旦そのままロード室１へ
振替え導入し、その直後にゲートバルブ３を開き、搬送
手段４により被処理物Ａをロード室１からプロセス室２
へ搬送する。該プロセス室２に以前の被処理物の処理で
使用した反応性に富むプロセスガスが残留していても、
該ゲートバルブ３を開いた際に、ガス交互導入系１１の
キャリアガス等はロード室１を介してプロセス室２へ流
れるので、残留した反応性に富むプロセスガスがロード
室１へ漏れ出すことがない。そしてゲートバルブ３を閉
じ、その直後にストップバルブ１１ｂを閉じ１１ｃを開
いてプロセス室２にプロセスガス等をそのまま導入し、
該被処理物Ａの処理を行う。この場合、プロセス室２の
プロセスガスの流量と圧力は、直ちに処理可能かそれに
近い状態であるので、迅速に被処理物Ａの処理を開始で
きる。

【００１５】該被処理物Ａの処理方法が、熱や光による
化学的反応である場合には、プロセス室内のヒーターや
光源をランプアップし、処理方法がプラズマによる物理
的作用や化学的作用による場合には、プロセス室内の高
周波電極や直流高電圧電極に電力を投入し、被処理物Ａ
に成膜、エッチング、アニール等の処理を施す。

【００１６】被処理物Ａの処理が終わると、ヒーターや
電極への電力の投入を停止し、その処理中開いていたガ
ス交互導入系１１のストップバルブ１１ｃを閉じてスト
ップバルブ１１ｂを開け、その直後にゲートバルブ３を
開いて処理済みの被処理物Ａを搬送手段４によりロード
室１へ取り出す。この時も、プロセス室２に汚染性、反
応性のプロセスガスが残留していても、ロード室１へ流
れ出す不都合はない。また、このゲートバルブ３を開け
た際、該搬送手段４でロード室１に用意されている被処
理物Ａをプロセス室２へ搬入し、上記の操作を繰り返せ
ば、連続して被処理物Ａの処理を行える。全ての被処理
物Ａの処理が終わると、ゲートバルブ３を閉じ、ロード
室１へのロード室用ガス導入系１０及びガス交互導入系
１１のストップバルブ１１ｂを閉じ、真空排気系５によ
りロード室１内を真空に排気し、該ロード室１を大気圧
に戻して処理済みの被処理物Ａを外部へ取り出す。該ロ
ード室内は汚染されることがないので、その取出しの際
に十分に時間をかけて真空排気する必要がなく、取出し
の時間が短縮できる。

【００１７】該被処理物Ａの処理に使用するプロセスガ
スが、ＳｉＨ₄等のロード室１を汚染するガスである場
合には、ロード室用ガス導入系１０とガス交互導入系１
１に希ガスやＨ₂ガス等のロード室を汚染しないガスを
キャリアガスのガス源として接続しておき、プロセスガ
ス導入系６にＳｉＨ₄等の汚染性のあるプロセスガスの
ガス源を接続する。そして、前記の場合と同様に複数の
被処理物Ａをロード室１の所定の位置に用意すると共に
該ロード室１内をその真空排気系５により真空に排気
し、ゲートバルブ３を閉じて密閉されたプロセス室２の
内部も真空排気系８により真空に排気する。続いてロー
ド室１にロード室用ガス導入系１０からキャリアガスを
導入すると共に該プロセス室にガス交互導入系１１のス
トップバルブ１１ｃを開いてキャリアガスを導入する。
この場合も該プロセス室２に流すキャリアの流量は、実
際に被処理物Ａを処理する際のガス流量と同じか近い値
であることが望ましい。

【００１８】このあと該ロード室１及びプロセス室２の
圧力を同圧で且つ被処理物Ａをプロセス室で処理する時
の圧力に近くなるように、圧力制御手段７、９を用いて
圧力調整し、これが終了したらガス交互導入系１１のス
トップバルブ１１ｃを閉じると同時にストップバルブ１
１ｂを開いてキャリアガスを一旦そのままロード室１へ
導入し、その直後にゲートバルブ３を開き、搬送手段４
により被処理物Ａをロード室１からプロセス室２へ搬送
する。該プロセス室２に被処理物の処理で使用した反応
性や汚染性のあるプロセスガスが残留していても、該ゲ
ートバルブ３を開いた際に、ガス交互導入系１１のキャ
リアガスがロード室１を介してプロセス室２へ流れるの
で、残留した汚染性のプロセスガスがロード室１へ漏れ
出すことがない。そしてゲートバルブ３を閉じ、その直
後にストップバルブ１１ｂを閉じ１１ｃを開いてプロセ
ス室２にキャリアガスを導入し、さらにプロセスガス導
入系６のストップバルブを開いて小流量のプロセスガス
を導入して該被処理物Ａの処理を行う。プロセス室２に
はキャリアガスの供給に加えて小流量の汚染性、反応性
に富むプロセスガスを供給するので、プロセスガスの流
量と圧力が直ちに処理可能かそれに近い状態になり、迅
速に被処理物Ａの処理を開始できる。

【００１９】該被処理物Ａの処理方法に応じて、プロセ
ス室内のヒーターや高周波電極等に電力を投入し、被処
理物Ａに成膜等の処理を施し、その処理が終わると、ヒ
ーターや電極への電力の投入を停止し、その処理中開い
ていたプロセスガス導入系６のストップバルブを閉じ、
更にガス交互導入系１１のストップバルブ１１ｃを閉じ
てストップバルブ１１ｂを開け、その直後にゲートバル
ブ３を開いて処理済みの被処理物Ａを搬送手段４により
ロード室１へ取り出す。この時、プロセス室２内に汚染
性、反応性のプロセスガスが残留しているが、キャリア
ガスがロード室１からプロセス室２へ流れるのでロード
室１へ流れ出す不都合はない。また、このゲートバルブ
３を開けた際、該搬送手段４でロード室１に用意されて
いる被処理物Ａをプロセス室２へ搬入し、上記の操作を
繰り返せば、連続して被処理物Ａの処理を行える。全て
の被処理物Ａの処理が終わると、ゲートバルブ３を閉
じ、ロード室１へのロード室用ガス導入系１０及びガス
交互導入系１１のストップバルブ１１ｂを閉じ、真空排
気系５によりロード室１内を真空に排気し、該ロード室
１を大気圧に戻して処理済みの被処理物Ａを外部へ取り
出す。この場合も、該ロード室内は汚染されることがな
いので、真空排気時間が短くて済み、その取出しの時間
が短縮できる。尚、プロセスガスとして複数種のガスの
混合ガスを使用する場合には、プロセスガス導入系６の
分岐した各系に各種のガス源を接続する。

【００２０】

【実施例１】図１のプロセス室２内に高周波電極を設
け、ロード室１に２５枚のシリコンウエハの被処理物Ａ
を収め、該ロード室１とプロセス室２を夫々真空排気系
５、８により１×１０^-5Ｐａに真空排気し、ロード室１
にロード室用ガス導入系１０からＡｒまたはＮ₂ガスの
ような汚染性と反応性のないプロセスガスを導入すると
共に該プロセス室にガス交互導入系１１のストップバル
ブ１１ｃを開いて該プロセスガスを導入した。プロセス
ガスの流量は、被処理物Ａを処理する際のガス流量と同
じ６０SCCMとした。そして、該ロード室１及びプロセス
室２の圧力を共に被処理物Ａを処理する時の圧力である
３×１０^-1Ｐａに圧力制御手段７、９を用いて圧力調整
し、ガス交互導入系１１のストップバルブ１１ｃを閉じ
ると同時にストップバルブ１１ｂを開いてプロセスガス
を一旦ロード室１へ導入し、その直後にゲートバルブ３
を開き、搬送手段４により被処理物Ａをロード室１から
プロセス室２へ搬送し、ゲートバルブ３を閉じ、その直
後にストップバルブ１１ｂを閉じ１１ｃを開いてプロセ
ス室２に該プロセスガスを導入した。この状態でプロセ
ス室２内の圧力と流量は被処理物Ａの処理に適してお
り、直ちに成膜処理を行えた。

【００２１】所定の膜厚が形成されたところで、高周波
電極への電力投入を停止し、ガス交互導入系１１のスト
ップバルブ１１ｃを閉じてストップバルブ１１ｂを開
け、その直後にゲートバルブ３を開いて処理済みの被処
理物Ａを搬送手段４によりロード室１へ取り出し、次の
被処理物Ａをプロセス室２へ搬入し同様の処理を繰り返
し、全ての被処理物Ａの処理が終わったところでゲート
バルブ３を閉じ、ロード室１へのロード室用ガス導入系
１０及びガス交互導入系１１のストップバルブ１１ｂを
閉じ、真空排気系５によりロード室１内を真空に排気
し、該ロード室１を大気圧に戻して処理済みの被処理物
Ａを外部へ取り出した。

【００２２】成膜開始時のプロセス室２に於ける圧力調
整時間が殆どなかったので、従来の同枚数の被処理物Ａ
を同処理する場合に比べ、１２min 以上の時間を短縮で
きた。

【００２３】

【実施例２】図１のプロセス室２内にヒーターを設け、
ロード室１に２５枚のシリコンウエハの被処理物Ａを収
め、該ロード室１とプロセス室２を夫々真空排気系５、
８により１×１０^-2Ｐａに真空排気し、ロード室１にロ
ード室用ガス導入系１０からロード室を汚染しないＨ₂
ガスをキャリアガスとして導入すると共に該プロセス室
にガス交互導入系１１のストップバルブ１１ｃを開いて
同じＨ₂のキャリアガスを導入した。キャリアガスの流
量は、被処理物Ａを処理する際のガス流量と同じ１００
０SCCMとした。そして、該ロード室１及びプロセス室２
の圧力を共に被処理物Ａを処理する時の圧力である４．
０×１０³Ｐａに圧力制御手段７、９を用いて圧力調整
し、ガス交互導入系１１のストップバルブ１１ｃを閉じ
ると同時にストップバルブ１１ｂを開いてキャリアガス
を一旦ロード室１へ導入し、その直後にゲートバルブ３
を開き、搬送手段４により被処理物Ａをロード室１から
プロセス室２へ搬送し、ゲートバルブ３を閉じ、その直
後にストップバルブ１１ｂを閉じ１１ｃを開いてプロセ
ス室２に該キャリアガスを導入し、さらにプロセスガス
導入系６からキャリアガスと比較してかなり少ない１０
sccmの反応性に富みロード室１を汚染するＳｉＨ₄ガス
を導入した。この状態でプロセス室２内の圧力と流量は
被処理物Ａの処理にほぼ適しており、わずかな圧力調整
後直ちにヒーターに電力を投入して被処理物にＣＶＤに
よる成膜処理を行えた。

【００２４】所定の膜厚が形成されたところで、ヒータ
ーへの電力投入を停止し、プロセスガス導入系６からの
プロセスガスの導入を止め、ガス交互導入系１１のスト
ップバルブ１１ｃを閉じてストップバルブ１１ｂを開
け、その直後にゲートバルブ３を開いて処理済みの被処
理物Ａを搬送手段４によりロード室１へ取り出し、続い
て次の被処理物Ａをプロセス室２へ搬入し同様の処理を
繰り返した。全ての被処理物Ａの処理が終わったところ
でゲートバルブ３を閉じ、ロード室１へのロード室用ガ
ス導入系１０及びガス交互導入系１１のストップバルブ
１１ｂを閉じ、真空排気系５によりロード室１内を真空
に排気し、該ロード室１を大気圧に戻して処理済みの被
処理物Ａを外部へ取り出した。

【００２５】該ロード室１内を調べたところ汚染はな
く、プロセス室２に於ける圧力調整時間がごくわずか
で、従来の同枚数の被処理物Ａを同処理する場合に比
べ、１２min 以上の時間を短縮できた。

【００２６】

【発明の効果】以上のように本発明によるときは、被処
理物をロード室とプロセスガスにより成膜等の処理を施
す真空排気自在のプロセス室の間で往復搬送する処理方
法に於いて、該ロード室にキャリアガス又は該ロード室
を汚染しないプロセスガス又はその汚染しないプロセス
ガスを含む混合ガスを導入すると共に、これと同種のガ
スを別系統から該プロセス室に導入しておき、該被処理
物の搬送のためのゲートバルブの開弁に先立ち、該プロ
セス室に導入している前記キャリアガス又は汚染しない
プロセスガス又はその混合ガスをそのまま該ロード室へ
振替え導入するようにしたので、該プロセス室に汚染
性、反応性に富むプロセスガスが残留していても被処理
物の搬送によりロード室が該残留ガスで汚染されること
がなく、被処理物の取出しの時間を短縮でき、プロセス
室からロード室へ振替え導入する操作は簡単且つ迅速に
行え、しかも被処理物の処理時の圧力調整も省略もしく
は短時間に行えるから処理能率が向上する等の効果があ
り、この方法は、請求項４に記載の構成の如く、ロード
室用ガス導入系とロード室及びプロセス室に交互導入系
を設け、該ロード室とプロセス室にその圧力を制御する
圧力制御手段を設けることで実施でき、その構成も比較
的簡単で安価に製作できる等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法の実施に使用した装置の１例の説
明図Ａ被処理物１ロード室２プロセス室３ゲートバルブ４搬送手段５真空排気系６プロセスガス導入系７圧力制御手段８真空排気系９圧力制御手段１０ロード室用ガス導入系１１ガス交互導
入系

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理物を収容した真空排気自在のロード
室にゲートバルブを介して該被処理物にプロセスガスに
より成膜等の処理を施す真空排気自在のプロセス室を連
設し、該被処理物をロード室とプロセス室との間を往復
搬送する処理方法に於いて、該ロード室にキャリアガス
又は該ロード室を汚染しないプロセスガス又はその汚染
しないプロセスガスを含む混合ガスを導入すると共に、
これと同種のガスを別系統から該プロセス室に導入して
おき、該被処理物の搬送のためのゲートバルブの開弁に
先立ち、該プロセス室に導入している前記キャリアガス
又は汚染しないプロセスガス又はその混合ガスをそのま
ま該ロード室へ振替え導入することを特徴とする真空処
理方法。
【請求項２】上記プロセスガスが該ロード室を汚染する
ガスであるときは、該ロード室にキャリアガスを導入
し、これと別系統で該プロセス室にキャリアガスを導入
すると共に更に別系統でプロセスガスを導入し、該被処
理物の搬送のためのゲートバルブの開弁に先立ち、該プ
ロセス室に導入している前記キャリアガスをそのまま該
ロード室へ振替え導入することを特徴とする請求項１に
記載の真空処理方法。
【請求項３】上記プロセス室に導入されるキャリアガス
又は上記ロード室を汚染しないプロセスガス又はその汚
染しないプロセスガスの流量を、該プロセス室に於いて
被処理物を処理するために適当な流量としたことを特徴
とする請求項１又は２に記載の真空処理方法。
【請求項４】真空排気系を有し且つ被処理物を収容する
ロード室に、ゲートバルブを介して真空排気系とプロセ
スガスの導入系を有した該被処理物にプロセスガスによ
り成膜等の処理を施すプロセス室を連設し、該被処理物
をロード室とプロセス室との間で往復搬送する搬送手段
を備えた装置に於いて、該ロード室にキャリアガス又は
該ロード室を汚染しないプロセスガス又はその汚染しな
いプロセスガスを含む混合ガスを供給するロード室用ガ
ス導入系を設け、該ロード室及びプロセス室に該ロード
室へ導入したガスと同種のガスをそのまま交互に振替え
供給するガス交互導入系を設け、該ロード室とプロセス
室にその圧力を制御する圧力制御手段を設けたことを特
徴とする真空処理装置。