JPH093623A

JPH093623A - 薄膜形成方法

Info

Publication number: JPH093623A
Application number: JP14908895A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Noda; 和裕野田; Yukio Murakami; 雪雄村上; 武 ▲よし▼見; Takeshi Yoshimi; Kenichi Nishi; 憲一西
Original assignee: Gunze Ltd
Current assignee: Gunze Ltd
Priority date: 1995-06-15
Filing date: 1995-06-15
Publication date: 1997-01-07
Anticipated expiration: 2021-10-18
Also published as: JP3834078B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ピンホールの発生を極力抑え、定量的生産管
理を容易に行うことのできる薄膜形成方法を提供するこ
とを目的とする。【構成】まずスパッタリング装置２０にロールフィル
ム３０及びターゲット物体を装着し、スパッタリング槽
２７内を真空にし、アルゴン封入する。ロールフィルム
３０を繰出しながら、スパッタリング部２３で印加し
て、ブラッシングローラ２５を回転してブラッシングし
つつ、１回目のスパッタリングを行う。次に、巻取ロー
ラ２２に巻取られたフィルムを、フィルム繰出部２１に
巻戻しながら、ブラッシングローラ２６でブラッシング
しつつ２回目のスパッタリングを行う。２回目のスパッ
タリングを終えた後、再びフィルム繰出部２１から繰出
し、巻取ローラ２２に巻取りながら、ブラッシングロー
ラ２５，２６は用いず、３回目のスパッタリングを行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基体上に金属又はその
化合物の薄膜を形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にプラスチックス，ガラス，セラミ
ックス等の基体上に金属又はその化合物の薄膜を形成す
る薄膜形成技術には、真空蒸着法，イオンプレーティン
グ法，スパッタリング法等が用いられてる。中でもスパ
ッタリング法は、比較的高い融点を持つ金属単体又はそ
の合金、化合物を幅広く用いて効率的に高品質の薄膜を
容易に形成することができるので、電子工業分野等で多
用されている。

【０００３】ところで、薄膜形成技術の進歩により、高
品質の薄膜が容易に形成されるようになったとはいえ、
電子工業分野での品質性能に対する要求が極めて厳しい
ため、品質性能向上のために薄膜形成技術において様々
な改良工夫が試みられている。中でもピンホールについ
ては、皆無であることが要求されている現状であるた
め、薄膜形成時には、まずクリーンな環境をつくり、基
体自体を十分洗浄して可能な限り人手を使わず防塵服に
身を包むといった、あらゆる対策が講じられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな対策は未だ試行錯誤的であって、ピンホールを低減
させる決定的な解決策と言えるまでには到っていない実
状である。また更に、従来の薄膜形成方法では、ピンホ
ールが常に同じような状態に発生するのではなく、ピン
ホールの発生状況にバラツキがあるので、薄膜形成に対
して定量的生産管理ができないという問題も残ってい
る。

【０００５】このようなピンホールの発生は、外観品質
もさることながら、薄膜の機能（例えばＩＴＯ薄膜の場
合は電気抵抗性能、ＴｉＯ₂薄膜の場合は電気絶縁性能
等）に対して絶対的な欠陥をもたらすことになるので、
これを極力回避できる解決策が望まれている。本発明
は、このような課題に鑑み、ピンホールの発生を極力抑
え、定量的生産管理を容易に行うことのできる薄膜形成
方法を提供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、基体上に金属又はその化合
物の薄膜を形成する薄膜形成方法において、基体上に金
属又はその化合物の薄層を形成する第１の薄層形成工程
と、形成された薄層の表面を物理的手段でクリーニング
するクリーニング工程と、クリーニングされた薄層上
に、金属又はその化合物の薄層を形成する第２の薄層形
成工程と、を備えることを特徴としている。

【０００７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明に対して、物理的手段が薄層の表面を繊維でブ
ラッシングすることを特徴としている。また、請求項３
記載の発明は、請求項１記載の発明に対して、物理的手
段が薄層の表面を超音波で洗浄することを特徴としてい
る。

【０００８】

【作用】本発明者等は、基体上に金属又はその化合物の
薄膜を形成するときに発生するピンホールについて鋭意
検討した結果、基体上に薄層を形成し、その表面を繊維
でブラッシングしたり超音波で洗浄するといった物理的
手段でクリーニングし、更に薄層を重ねて形成すること
により、形成される薄膜のピンホールは極度に減少し、
しかもピンホールの発生率にバラツキが少ないという意
外な事実を見いだした。

【０００９】これは、基体上に薄膜を形成する段階にお
いて、基体自身又は金属もしくはその化合物自身からピ
ンホールの原因となる不純物が発生するため、そのまま
更に薄層を重ねて形成してもピンホールの発生を防止で
きない一方、物理的手段でクリーニングすればその不純
物が除去されるので、その上に更に薄層を重ねて形成す
るとピンホールが極度に低減されるものと推測される。

【００１０】請求項１記載の発明によれば、第１の薄層
形成工程で、基体上に金属又はその化合物の薄層が形成
され、クリーニング工程で、形成された薄層の表面が物
理的手段でクリーニングされる。そして、第２の薄層形
成工程で、クリーニングされた薄層上に、金属又はその
化合物の薄層が重ねて形成される。従って、ピンホール
の少ない薄膜が形成される。

【００１１】また、クリーニング工程と第２の薄層形成
工程とを繰り返し実行すれば、更にピンホールの少ない
薄膜を形成することができる。また請求項２記載の発明
によれば、クリーニング工程では薄層の表面を繊維でブ
ラッシングし、また請求項３記載の発明によれば、薄層
の表面を超音波で洗浄する。

【００１２】物理的手段の中でもこれらの手段を用いる
ことにより、薄膜のピンホールを低減させる効果は特に
大きなものとなる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の薄膜形成方法について具体的
に説明する。本発明の薄膜形成方法において用いる基体
は、プラスチックス，ガラス，セラミックス等を素材と
して一定の形状を有し、その一面上に薄膜を形成させる
電気絶縁体であって、一般にその形状は、フィルム状，
シート状，板状であるが用途によっては曲面構造を有し
ている場合もある。

【００１４】また、本発明の薄膜形成方法において用い
る金属又は金属化合物は、薄膜形成技術即ち真空蒸着
法，イオンプレーティング法，化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ），スパッタリング法等によって基体上に薄膜を形成
することのできる金属又はその化合物すべてが該当す
る。従って、本発明は、種々の用途に用いられる種々の
機能を持つ薄膜に適用することができる。

【００１５】例えば、電子工業用途として、Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ／Ｓｉ，Ｔｉ／Ｓｉ等の合
金による薄膜が電極・配線膜に、Ｃｒ，Ｔａ，Ｓｎ
Ｏ₂，ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等が抵抗膜に、Ａｌ
Ｎ，ＡｌＯ₂，ＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂，ＢａＴｉＯ₃，ＰｂＴ
ｉＯ₃等が誘電体膜に、Ｓｉ₃Ｎ₄，ＴｉＯ₂，Ｓｉ₂等が
電気絶縁膜に、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ等が磁性膜に、
ＳｉＣ，Ｇｅ等がセンサ膜に、Ｔｅ−Ｃ，Ｔｅ−Ｓｅ等
が光記録膜に用いられている。

【００１６】また、光学工業用途としては、ＳｉＯ₂，
ＴｉＯ₂，ＺｒＯ₂等が無反射耐摩耗コーティング膜に用
いられており、精密機械装飾用途としては、Ｃｒ，Ｔｉ
Ｎ，ＴｉＣ，ＷＣ等が表面硬化膜に、Ｚｎ，Ｃｄ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，ＴｉＮ，ＳｉＣ等が耐蝕耐熱膜に、Ａｇ，Ａ
ｕ，ＴｉＣ等が装飾膜に用いられている。ここで、異な
る２種以上の金属及び金属化合物を用いて形成される薄
膜にも本発明は適用することができる。

【００１７】本発明において、クリーニングするための
物理的手段とは、薄層自体の表面状態には変化を与え
ず、薄層上のゴミ等、ピンホール発生の原因となるもの
を除去する各種の手段をいい、薄層表面を改質する等の
化学的手段や、溶剤等で薄層表面を溶解除去する等の物
理化学的や、光（コロナ，プラズマ，紫外線）によって
薄層表面を処理する手段とは異なるものである。

【００１８】具体的には、繊維によって作られた布状物
品，ブラシ状物品，或は繊維自身（例えば綿状繊維）を
用いて薄層上をブラッシングしたり、これらと共に蒸留
水やアルコール類等を用いてブラッシングしたり、超音
波にかけて薄層面を振動洗浄したり、粘着性ローラで薄
層面をローリングしたり、ゴムシートを用いて薄層面上
をスクィーズしたり、高圧水を薄層面に噴射するといっ
た方法を挙げることができるが、その中でも繊維でブラ
ッシングする方法と超音波洗浄する方法が好ましく特に
前者が好ましい。

【００１９】なお、繊維を用いてブラッシングする場
合、薄層面を傷つけないように繊維の形状やブラッシン
グの仕方等を工夫することが望まれる。物理的手段によ
るクリーニングの回数は、薄膜を形成する途中で少なく
とも１回行う必要がある。即ち、本発明の薄膜形成方法
は、基体上に薄層を形成する工程と、クリーニングする
工程と、クリーニングした薄層上に更に薄層を形成する
工程とを有する。従って少なくとも２回の薄層形成工程
を有するため、膜厚を調整することが容易であり、厚い
膜厚の膜を形成することもできる。

【００２０】更に、クリーニングの回数を増やし、クリ
ーニング工程と薄層を形成する工程とを繰り返して行う
ことによって、ピンホールを低減する効果は更に大きく
なるが、実質的には、１回のクリーニングでもってピン
ホールの発生を大部分防止することができ、クリーニン
グの回数は実質的には３回以内で十分である。尚、前記
クリーニング工程と、前記第２の薄層形成工程とは基本
的には一体で行われるが、最終工程が該クリーニング工
程で終わってもかまわない。

【００２１】又、第１，第２の薄層形成工程は、通常は
所定の時間、連続して１回実施されるが、所定の薄層厚
みが得られない場合には、第２の薄層形成工程の後に該
クリーニング工程を行うことなく、更に同様の薄層形成
工程を繰り返し、所定の厚みを得ることは可能である。
本発明の薄膜形成方法は、非連続式の装置を用いて行う
こともできる。例えばスパッタリング法の場合、真空槽
中にてスパッタリングで基体上に薄層を形成した後、一
旦真空槽から基体を取り出してクリーニングし、再び真
空槽中に入れてスパッタリングするという工程で行うこ
ともできる。

【００２２】しかし、連続式の装置を用いて、薄層形成
とクリーニングの処理を真空槽内で連続的に行うことに
よって更に高品質の薄膜を得ることができる。例えば、
真空槽内にロール状のフィルム（例えばＰＥＴフィル
ム，ポリイミドフィルム）をセットしておいて、スパッ
タリングして薄層を形成すると共にクリーニングしなが
らこれを巻取り、逆に巻出しながらスパッタリングで薄
層を形成するという工程をとることによって、ピンホー
ルが皆無に近い高品質の薄膜を形成することができる。

【００２３】以下、実施例１〜４及び比較例を挙げ、更
に詳しく説明するが、本発明はここに記載する内容に限
定されるものではない。（実施例１）図１は、本発明の一実施例で用いられるス
パッタリング装置の概略構成図である。

【００２４】図に示すように、スパッタリング装置１
は、基体１１を装着する基体ホルダ２及びターゲット物
体１２を装着するターゲット電極３が格納されたスパッ
タリング槽４と、スパッタリング槽４を高真空まで排気
することのできる真空ポンプ５と、スパッタリング槽４
に所望の圧力で希ガスを封入することのできる希ガス封
入部６と、基体１１とターゲット物体１２との間に直流
電圧を印加する直流グロー放電デバイス７等から構成さ
れている。

【００２５】本実施例の薄膜形成方法では、基体１１と
して、厚さ２５μｍ，大きさ１００ｍｍ×５００ｍｍの
ポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製，商品名：カ
プトン）を、ターゲット物体１２として銅を用い、これ
をセットした。真空ポンプ５を作動させてスパッタリン
グ槽４内を真空にした後、希ガス封入部６でアルゴンガ
スを封入して圧力を２．０×１０^-3Ｔｏｒｒに調整し、
直流グロー放電デバイス７により印加電力２．０ｋｗで
１０秒間放電を行うことによって、スパッタリングを行
った。スパッタリング槽４を大気圧に戻して基体１１を
取り出し、形成された銅の薄層の膜厚を測定したところ
０．１５μｍであった。

【００２６】次に、メタノールを含ませたガーゼにて手
動でゆっくりと銅薄層面を往復３回ブラッシングした。
そして再び、基体１１をスパッタリング槽４内にセット
して上記と同一の条件でスパッタリング行うことによっ
て、基体１１上に薄膜１３が形成された。このようにし
て形成された薄膜の膜厚は０．３１μｍであり、顕微鏡
でピンホールをカウントしたところ、１００ｍｍ×５０
０ｍｍの大きさの中に２個確認された。

【００２７】（比較例１）本比較例の薄膜形成方法で
は、スパッタリング装置１を用いて実施例１と同様の方
法で行ったが、途中のガーゼでブラッシングする工程を
行うことなくスパッタリングを２回行った。なお、基体
としてのポリイミドフィルムは予め超音波洗浄を入念に
行いゴミなどの付着のない表面状態にしておいたものを
用いた。

【００２８】このようにして基体上に形成された銅の薄
膜は、膜厚が０．３３μｍであり、顕微鏡でピンホール
をカウントしたところ、１００ｍｍ×５００ｍｍの大き
さの中に２９０個確認された。（実施例２）本実施例では、実施例１と同じスパッタリ
ング装置１を用いて行ったが、基体として厚さ９μｍ，
大きさ１８０ｍｍ×５００ｍｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムを用い、ターゲット物体としてＩＴＯ
（酸化インジウム錫）を用いた。

【００２９】本実施例の薄膜形成方法では、まず、スパ
ッタリング槽４内で実施例１と同様の条件で基体上にＩ
ＴＯ薄層を形成した。そして、スパッタリング槽４から
基体を取り出して、形成されたＩＴＯ薄層の膜厚を測定
したところ０．１２μｍであった。次に蒸留水中で超音
波洗浄を１分間行った。そして、再び基体をスパッタリ
ング槽４内にセットして上記と同一の条件でスパッタリ
ングを行った。

【００３０】このようにして基体上に形成されたＩＴＯ
薄膜は、膜厚が０．２３μｍであり、顕微鏡でピンホー
ルをカウントしたところ、１８０ｍｍ×５００ｍｍの大
きさの中に５個確認された。（比較例２）本比較例の薄膜形成方法では、スパッタリ
ング装置１を用いて実施例３と同様に行ったが、途中の
超音波洗浄を行うことなくスパッタリングを２回行っ
た。

【００３１】このようにして基体上に形成されたＩＴＯ
の薄膜は、膜厚が０．２４μｍであり、顕微鏡でピンホ
ールをカウントしたところ、１００ｍｍ×５００ｍｍの
大きさの中に２０個確認された。（実施例３）本実施例は、イオンプレーティング法によ
って薄膜を形成する例である。

【００３２】予め特に洗浄を行っていない直径３インチ
の円形シリコンウエーハ（Ｎ形）を基体として、膜材料
としてＳｉＯ₂を用い、イオンプレーティング槽の中で
ウエーハ面にＳｉＯ₂の絶縁薄層を形成した。そしてイ
オンプレーティング槽から基体を取り出して薄層の膜厚
を測定したところ０．１１μｍであった。そして、直ち
に極細繊維で作った布を用いて軽いタッチで、手動で薄
層面を往復３回ブラッシングした。

【００３３】そして再び、基体をイオンプレーティング
槽内にセットして上記と同一の条件でイオンプレーティ
ングを行った。このようにして基体上に形成されたＳｉ
Ｏ2薄膜は、外観が均一で美しく、その膜厚は０．２μ
ｍであり、微分干渉顕微鏡で薄膜を観察したところピン
ホールは皆無であった。

【００３４】また更に形成された薄膜について次のよう
なチェックを行った。ＳｉＯ₂薄膜が形成されたシリコ
ンウエーハの両面（即ちＳｉＯ₂薄膜面とその反対側の
面）にアルミニウムをスパッタリングして厚さ１μｍの
電極層を形成した。そしてこれを真空中で３００℃で３
０分間放置することによりアニーリング処理を行った。
なお、このアニーリング処理は、オーミック接触を形成
するために必要に応じて行われる処理である。

【００３５】そして、形成した電極層に電流計を介して
リード線をつなぎ、電極間に２００Ｖ（ＤＣ）の電圧を
印加したところ、電流計には１μＡ以下の電流しか流れ
なかった。この結果は、ほぼ完全にピンホールのないＳ
ｉＯ₂薄膜が形成されていることを立証している。（比較例３）予め超音波洗浄した以外は実施例３で用い
たものと同様の直径３インチの円形シリコンウエーハ
（Ｎ形）を基体として、実施例３の条件と同様に、膜材
料としてＳｉＯ₂を用い、イオンプレーティング槽の中
でウエーハ面にＳｉＯ₂の絶縁薄層を形成した。この膜
厚を測定したところ０．１μｍであった。

【００３６】次に３分間待って再び上記と同一の条件で
イオンプレーティングを行った。このようにして基体上
に形成されたＳｉＯ₂薄膜は、その膜厚が０．２１μｍ
であり、微分干渉顕微鏡で薄膜を観察したところ１．３
個／ｃｍ²の割合でピンホールが検出され、これが薄膜
のほぼ全面に均一に分布していた。また形成された薄膜
について、実施例３と同様に、アルミニウム電極層を形
成し、アニーリング処理を行い、電極間に２００Ｖ（Ｄ
Ｃ）の電圧を印加するチェックを行ったところ、電流計
には２０ｍＡの電流が流れた。この結果は、ＳｉＯ ₂薄
膜に形成されたピンホールを通じて電流が流れているこ
とを示している。

【００３７】上記実施例３の結果と比較することによ
り、シリコンウエーハ自身を予め十分洗浄し、且つイオ
ンプレーティングによる薄膜形成の途中でイオンプレー
ティング槽から取り出さないという配慮をしたとして
も、薄膜形成の途中で物理的手段によりクリーニングを
行う場合のようにピンホールを極度に低減させることが
できないことがわかる。

【００３８】（実施例４）図２は、本実施例で用いられ
る連続式スパッタリング装置の概略構成図である。この
スパッタリング装置２０は、基体となるロールフィルム
３０を装着してこれを繰出すフィルム繰出部２１と、繰
出されたフィルム３１を巻取る巻取ローラ２２と、ター
ゲット物体を装着しこれに印加してスパッタリングを行
うスパッタリング部２３と、繰出されたフィルム３１を
導く一対のガイドローラ２４と、スパッタリングでフィ
ルム上に形成された薄層をブラッシングする一対のブラ
ッシングローラ２５，２６と、これらの各部を収納する
スパッタリング槽２７と、槽内を真空にする真空ポンプ
２８と、槽内に希ガスを封入する希ガス封入部２９とか
ら構成されている。

【００３９】一対のガイドローラ２４は、スパッタリン
グ部２３を挟んでその両側に配置されており、スパッタ
リング部２３でスパッタリングできるようフィルム３１
をガイドしている。また、ブラッシングローラ２５，２
６は、極めてクッション性に富むローラの全周囲に、布
状の極細繊維をシームレス状に巻き付けたものであっ
て、ブラッシングローラ２５は巻取ローラ２２側に、ブ
ラッシングローラ２６はフィルム装着部２１側に設置さ
れている。

【００４０】なお、図示はしないが、フィルム繰出部２
１，巻取ローラ２２，ガイドローラ２４は各々駆動モー
タにつながれ、回転速度を外部からコントロールできる
ようになっている。また、ブラッシングローラ２５，２
６も各々駆動モータにつながれ、別の回路で外部からコ
ントロールできるようになっている。また、フィルム３
１の走行位置やテンションを調整するための補助ローラ
も適宜設置されている。

【００４１】本実施例で用いるロールフィルム３０は、
実施例１と同じ材質のポリイミドフィルムであって、幅
２００ｍｍ，長さ１０ｍのフィルムをロール状に巻き付
けたものである。またターゲット物体は実施例と同様、
銅を用いる。本実施例の薄膜形成方法は、まずスパッタ
リング装置２０にロールフィルム３０及びターゲット物
体を装着し、スパッタリング槽２７内を真空にし、アル
ゴン封入して内圧を２×１０^-3Ｔｏｒｒに調整した。

【００４２】ロールフィルム３０の繰出し速度を１．０
ｍ／分、ブラッシングローラ２５の回転数を３００回／
分、スパッタリング部２３での印加電力を２．０ｋｗ
（ＤＣ）に設定して、１回目のスパッタリングを開始し
た。このとき、ロールフィルム３０から繰出されたフィ
ルム３１には、スパッタリング部２３を通過するときに
銅の薄層が形成され、形成された薄層面はブラッシング
ローラ２５でブラッシングされ、フィルム３１は巻取ロ
ーラ２２で巻取られた。なお、ブラッシングローラ２５
でブラッシングする圧力は、薄膜に傷がつかないよう適
当な圧力を予め求めておいて、その圧力となるように調
整した。

【００４３】このようにフィルムを巻取りながらスパッ
タリングすることによって、巻取ローラ２２には薄層が
形成された９ｍのフィルムが巻取られた。次に、巻取ロ
ーラ２２に巻取られたフィルムを、フィルム繰出部２１
に巻戻しながら、２回目のスパッタリングを行った。こ
こでの条件は１回目のスパッタリングと同様であるがブ
ラッシングローラ２５を用いず、ブラッシングローラ２
６を用いてブラッシングした。

【００４４】このようにして２回目のスパッタリングを
終えた後、再びフィルム繰出部２１から繰出し、巻取ロ
ーラ２２に巻取りながら３回目のスパッタリングを行っ
た。３回目のスパッタリングは、１回目のスパッタリン
グと同様の条件で行ったが、ブラッシングローラ２５，
２６は用いなかった。このようにして、巻取ローラ２２
に巻取られたフィルムには、９ｍにわたって厚さ０．３
２μｍの銅薄膜が形成されており、顕微鏡でピンホール
をカウントしたところ、全体の中に５個確認されただけ
であった。

【００４５】以上の実施例１〜４及び比較例１〜３の薄
膜形成条件や効果について、表１にまとめた。

【００４６】

【表１】実施例１〜３と比較例１〜３とのピンホール発生結果を
比べると、実施例１〜３の薄膜形成方法では薄膜のピン
ホールが極度に減少していることがわかる。なお、上記
実施例１〜３及び比較例１〜３において測定した膜厚や
ピンホールの発生個数の値は、数回試験した平均値であ
って、実施例１〜３においてはピンホールの発生個数の
バラツキはほとんどなく、比較例１〜３においてはピン
ホールの発生率にバラツキが多いことも確認した。

【００４７】（その他の事項）なお、本発明は、基材の
素材の種類に係わらず適用することができ、素材による
効果の差が見られないことも確かめた。また、薄膜形成
の途中で、薄膜の表面を化学的或は物理化学的な手段で
クリーニングする場合には、上記実施例のように物理的
手段でクリーニングする場合のように顕著な効果は得ら
れないことも確かめた。

【００４８】このように、薄膜形成の途中で、しかも物
理的手段によるクリーニングによってはじめてピンホー
ル低減に対する大きな効果が生じるのは、ピンホール発
生の原因が、薄膜形成に伴って基体等から発生するもの
にあり、物理的手段によるクリーニングでそれが除かれ
るためと推測される。ただし、本発明による薄膜形成方
法を実施する上において、クリーンな環境で行い、基体
自身をクリーニングしておくことが好ましいことではあ
ることは勿論である。

【００４９】

【発明の効果】本発明の薄膜形成方法によれば、薄膜形
成の途中で、薄層の表面を少なくとも１回、繊維でブラ
ッシングしたり超音波で洗浄する等、物理的手段でクリ
ーニングすることによって、従来から行われている薄層
形成前に行う物理的，物理化学的，或は化学的な手段で
基体自身をクリーニングしたり、環境をクリーンにした
りすることによっては達成できなかった顕著なピンホー
ル低減効果を達成することができ、高品質高性能の薄膜
を形成するのに大きく寄与する。

【００５０】しかも如何なる薄膜形成条件においても最
終的に得ることのできる薄膜基体のピンホール欠点数
は、バラツクことなく常に管理状態にその品質が保持さ
れるので、定量的生産管理が可能となる。この薄膜形成
技術は、電子工業分野での品質性能に対する要求、中で
もピンホールに対する厳しい要求に対して応えることの
できるので、その実用的効果が大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例で用いられるスパッタリング
装置の概略構成図である。

【図２】実施例４で用いられる連続式スパッタリング装
置の概略構成図である。

【符号の説明】

１スパッタリング装置４スパッタリング槽７直流グロー放電デバイス２０連続式スパッタリング装置２３スパッタリング部２５，２６ブラッシングローラ２７スパッタリング槽

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｋ 3/16 6921−4ＥＨ０５Ｋ 3/16 (72)発明者西憲一滋賀県守山市森川原町163番地グンゼ株式会社滋賀研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に金属又はその化合物の薄膜を形
成する薄膜形成方法において、基体上に金属又はその化合物の薄層を形成する第１の薄
層形成工程と、形成された薄層の表面を物理的手段でクリーニングする
クリーニング工程と、クリーニングされた薄層上に、金属又はその化合物の薄
層を形成する第２の薄層形成工程と、を備えることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】前記物理的手段が薄層の表面を繊維でブ
ラッシングすることを特徴とする請求項１記載の薄膜形
成方法。
【請求項３】前記物理的手段が薄層の表面を超音波で
洗浄することを特徴とする請求項１記載の薄膜形成方
法。