JPH0936406A - 光電変換装置およびその製造方法 - Google Patents
光電変換装置およびその製造方法Info
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- JPH0936406A JPH0936406A JP7185315A JP18531595A JPH0936406A JP H0936406 A JPH0936406 A JP H0936406A JP 7185315 A JP7185315 A JP 7185315A JP 18531595 A JP18531595 A JP 18531595A JP H0936406 A JPH0936406 A JP H0936406A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】透明上部電極層より入射した光を下部電極層面
で散乱させることにより光電変換装置の効率を向上させ
るために下部電極層を高反射率上部層と表面凹凸の下部
層に分ける際に、膜厚を薄くして応力による電極層の剥
離を防ぐ。 【構成】下部電極層の下部層をＡｌなど低融点金属によ
り形成することにより、低い基板温度で成膜でき、膜厚
が薄くても表面に凹凸形状が得られるため、電極層の剥
離がなくなり、製造歩留まりが向上する。
で散乱させることにより光電変換装置の効率を向上させ
るために下部電極層を高反射率上部層と表面凹凸の下部
層に分ける際に、膜厚を薄くして応力による電極層の剥
離を防ぐ。 【構成】下部電極層の下部層をＡｌなど低融点金属によ
り形成することにより、低い基板温度で成膜でき、膜厚
が薄くても表面に凹凸形状が得られるため、電極層の剥
離がなくなり、製造歩留まりが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体薄膜を光電変換
層に用いた光電変換装置およびその製造方法に関する。
層に用いた光電変換装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原料ガスをプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法あるいは熱ＣＶＤ法によって分解することにより形成
される、アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）
等を主成分とする半導体薄膜を用いた光電変換装置は、
大面積化が容易という特徴をもっており、低コスト太陽
電池などとして期待されている。このような光電変換装
置では、半導体薄膜からなる光電変換層に上面の透明電
極層を介して直接入射する光のほかに、半導体薄膜の基
板側に設けられる下部電極層の表面で反射して光電変換
層に入射する光も発電に寄与する。この電極層の表面が
平坦でなく、凹凸の表面形状を有すると、それにより光
の散乱が生じ、光路長が増加するため、光電変換効率が
向上することが知られている。このような表面形状をも
つ電極を基板上に形成する方法としては、特開昭５６−
１５２２７６号、特開昭５８−１８００６９号、特開平
１−１１９０７４号等の公報に記載されているように電
極を支持する基体の表面を凹凸化する方法や、特開昭５
９−６１９７３号、特開平３−９４１７３号、特開平３
−９９４７７号、特開平３−９９４７８号、特開平４−
２１８９７７号、特開平４−３３４０６９号等の公報に
記載されているように平坦な基体上に凹凸を有する電極
を形成する方法があった。
法あるいは熱ＣＶＤ法によって分解することにより形成
される、アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）
等を主成分とする半導体薄膜を用いた光電変換装置は、
大面積化が容易という特徴をもっており、低コスト太陽
電池などとして期待されている。このような光電変換装
置では、半導体薄膜からなる光電変換層に上面の透明電
極層を介して直接入射する光のほかに、半導体薄膜の基
板側に設けられる下部電極層の表面で反射して光電変換
層に入射する光も発電に寄与する。この電極層の表面が
平坦でなく、凹凸の表面形状を有すると、それにより光
の散乱が生じ、光路長が増加するため、光電変換効率が
向上することが知られている。このような表面形状をも
つ電極を基板上に形成する方法としては、特開昭５６−
１５２２７６号、特開昭５８−１８００６９号、特開平
１−１１９０７４号等の公報に記載されているように電
極を支持する基体の表面を凹凸化する方法や、特開昭５
９−６１９７３号、特開平３−９４１７３号、特開平３
−９９４７７号、特開平３−９９４７８号、特開平４−
２１８９７７号、特開平４−３３４０６９号等の公報に
記載されているように平坦な基体上に凹凸を有する電極
を形成する方法があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平４−３３４
０６９号公報に記載された方法は、基板の上に形成した
ＳｉとＡｌなどの金属との合金からなり表面が凹凸形状
をもつ光散乱層の上に、凹凸形状を損なわないで反射率
の高いＣｕあるいはＡｇよりなる金属被覆を形成するも
のである。この場合、金属被覆からの拡散によりその上
に形成される光電変換構造の特性が低下するのを防ぐた
め、金属被覆の厚さは２００ｎｍ以下とする。
０６９号公報に記載された方法は、基板の上に形成した
ＳｉとＡｌなどの金属との合金からなり表面が凹凸形状
をもつ光散乱層の上に、凹凸形状を損なわないで反射率
の高いＣｕあるいはＡｇよりなる金属被覆を形成するも
のである。この場合、金属被覆からの拡散によりその上
に形成される光電変換構造の特性が低下するのを防ぐた
め、金属被覆の厚さは２００ｎｍ以下とする。
【０００４】しかし、光散乱層としてある程度の粒径を
もつ金属あるいは合金の薄膜を形成するには、成膜温度
を高温にし、かつ膜厚をある程度厚くする必要があっ
た。特に基板にプラスチックフィルムなどの可とう性基
板を用いる場合は、成膜温度を高くすると基板の収縮に
より電極層に熱応力が生ずる。また、膜厚を厚くするこ
とによっても応力が大きくなる。これらの応力に起因し
て電極剥離やそれに伴う短絡などの特性劣化が生ずる問
題があった。
もつ金属あるいは合金の薄膜を形成するには、成膜温度
を高温にし、かつ膜厚をある程度厚くする必要があっ
た。特に基板にプラスチックフィルムなどの可とう性基
板を用いる場合は、成膜温度を高くすると基板の収縮に
より電極層に熱応力が生ずる。また、膜厚を厚くするこ
とによっても応力が大きくなる。これらの応力に起因し
て電極剥離やそれに伴う短絡などの特性劣化が生ずる問
題があった。
【０００５】本発明の目的は、上記の問題を解決し、膜
厚が薄く成膜温度を高めることなく形成でき、しかも表
面に凹凸形状を有する下部電極層を有する光電変換装置
およびその製造方法を提供することにある。
厚が薄く成膜温度を高めることなく形成でき、しかも表
面に凹凸形状を有する下部電極層を有する光電変換装置
およびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、絶縁性の基板上に下部電極層、光電変
換層および透明上部電極層が順次積層された光電変換装
置において、下部電極層がその平均厚さが２５０ｎｍ以
下であり、高反射率金属よりなる上部層と、上面に凹凸
形状を有し、融点７００℃以下の金属よりなる下部層と
を有するものとする。下部電極層の下部層の上面におけ
る凹凸の山頂の平均間隔が１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ
以下であることが好ましい。基板が高分子材料よりなっ
て可撓性を有することもよく、その場合下部電極層の基
板に接する層部分が導電性酸化物よりなることがよい。
下部電極層の下部層がＡｌよりなることがよく、その場
合下部層の厚さが１５０ｎｍ以下であることが好まし
い。下部電極層の上部層がＡｇよりなることがよい。下
部電極層の下部層がアルミニウムよりなる場合の本発明
の光電変換装置の製造方法は、その下部層を基板温度２
２５℃ないし３２５℃で成膜することが有効であり、下
部電極層の上部層を基板温度２００℃以下で成膜するこ
とがよい。
めに、本発明は、絶縁性の基板上に下部電極層、光電変
換層および透明上部電極層が順次積層された光電変換装
置において、下部電極層がその平均厚さが２５０ｎｍ以
下であり、高反射率金属よりなる上部層と、上面に凹凸
形状を有し、融点７００℃以下の金属よりなる下部層と
を有するものとする。下部電極層の下部層の上面におけ
る凹凸の山頂の平均間隔が１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ
以下であることが好ましい。基板が高分子材料よりなっ
て可撓性を有することもよく、その場合下部電極層の基
板に接する層部分が導電性酸化物よりなることがよい。
下部電極層の下部層がＡｌよりなることがよく、その場
合下部層の厚さが１５０ｎｍ以下であることが好まし
い。下部電極層の上部層がＡｇよりなることがよい。下
部電極層の下部層がアルミニウムよりなる場合の本発明
の光電変換装置の製造方法は、その下部層を基板温度２
２５℃ないし３２５℃で成膜することが有効であり、下
部電極層の上部層を基板温度２００℃以下で成膜するこ
とがよい。
【０００７】
【作用】融点７００℃以下の例えばＡｌなどの純金属を
用いて下部電極層の下部層を成膜するときは、薄い膜厚
で上面に凹凸形状を形成でき、導電率を低下させる合金
元素を添加する必要がない。その上にＡｇなどの高反射
率金属よりなる上部層を形成すれば、その層の厚さが均
一であっても表面に凹凸形状を有する下部電極層が得ら
れ、透明上部電極層より入射する光を高反射率で反射
し、散乱させるので、光電変換効率が向上する。そして
凹凸の表面形状をもつ下部電極層の平均厚さを２５０ｎ
ｍ以下とすることにより応力が緩和され、特に高分子材
料よりなる可撓性基板を用いた光電変換装置の特性劣化
が抑制される。下部電極層表面の凹凸形状の山頂の平均
間隔は、入射する光の波長の１／２であるとき、光の散
乱に有効に働くことは公知である。従って、光電変換層
ａ−Ｓｉ系材料よりなる場合、ａ−Ｓｉ系材料が吸収す
る３００ｎｍないし２０００ｎｍの波長の１／２の１５
０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下に山の平均間隔を調整する
ことが有効である。可撓性基板に高分子材料を用いた場
合、基板上に導電性酸化物薄膜が存在すると、高分子材
料に含まれた水分を吸収して金属薄膜に影響を及ぼすの
を防ぐ効果がある。下部電極層の下部層をＡｌで形成す
る場合、その厚さが１５０ｎｍ以下のときに安定した光
電変換特性が得られる。そして、成膜時の基板温度２２
５℃以上で表面凹凸形状をもつＡｌ層が得られる。基板
温度３５０℃以上で電極の成膜を行う従来の方法では、
可撓性基板の約１％の熱収縮が観測されるが、基板温度
３２５℃以下の成膜では、基板の熱収縮は０．３％以下
となって測定できないレベルとなる。Ａｌの下部層を形
成後、Ａｇなどの上部層の成膜を２００℃より高い基板
温度で行うと、Ａｌの再結晶が起こり、Ａｌ層表面の凹
凸が上部層の上に残らなくなるので、上部層の成膜は２
００℃以下で行う。
用いて下部電極層の下部層を成膜するときは、薄い膜厚
で上面に凹凸形状を形成でき、導電率を低下させる合金
元素を添加する必要がない。その上にＡｇなどの高反射
率金属よりなる上部層を形成すれば、その層の厚さが均
一であっても表面に凹凸形状を有する下部電極層が得ら
れ、透明上部電極層より入射する光を高反射率で反射
し、散乱させるので、光電変換効率が向上する。そして
凹凸の表面形状をもつ下部電極層の平均厚さを２５０ｎ
ｍ以下とすることにより応力が緩和され、特に高分子材
料よりなる可撓性基板を用いた光電変換装置の特性劣化
が抑制される。下部電極層表面の凹凸形状の山頂の平均
間隔は、入射する光の波長の１／２であるとき、光の散
乱に有効に働くことは公知である。従って、光電変換層
ａ−Ｓｉ系材料よりなる場合、ａ−Ｓｉ系材料が吸収す
る３００ｎｍないし２０００ｎｍの波長の１／２の１５
０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下に山の平均間隔を調整する
ことが有効である。可撓性基板に高分子材料を用いた場
合、基板上に導電性酸化物薄膜が存在すると、高分子材
料に含まれた水分を吸収して金属薄膜に影響を及ぼすの
を防ぐ効果がある。下部電極層の下部層をＡｌで形成す
る場合、その厚さが１５０ｎｍ以下のときに安定した光
電変換特性が得られる。そして、成膜時の基板温度２２
５℃以上で表面凹凸形状をもつＡｌ層が得られる。基板
温度３５０℃以上で電極の成膜を行う従来の方法では、
可撓性基板の約１％の熱収縮が観測されるが、基板温度
３２５℃以下の成膜では、基板の熱収縮は０．３％以下
となって測定できないレベルとなる。Ａｌの下部層を形
成後、Ａｇなどの上部層の成膜を２００℃より高い基板
温度で行うと、Ａｌの再結晶が起こり、Ａｌ層表面の凹
凸が上部層の上に残らなくなるので、上部層の成膜は２
００℃以下で行う。
【０００８】
【実施例】図１に本発明の一実施例の太陽電池の断面図
を示す。絶縁性かつ可撓性を有する基板１として厚さ５
０μｍのポリイミドシートを用いた。この基板は、同様
な絶縁性および可撓性を有するものであれば何でもよ
く、ＰＥＳ、ＰＥＮ、ＰＥＴ、アラミドなど他の絶縁性
プラスチックフィルム等が考えられる。この基板１の表
面上に、基板温度２００℃、Ａｒ圧力１×１０-3Ｔｏｒ
ｒでのＲＦスパッタ法によりＺｎＯ薄膜２を約３０ｎｍ
の厚さに形成する。ＺｎＯは、プラスチックフィルムか
らの水分を吸収する作用をもつ。このＺｎＯ薄膜２の上
に表面に凹凸形状をもつ低温形成金属層３をＡｌにより
形成したが、その成膜條件を決めるために次のような実
験を行った。
を示す。絶縁性かつ可撓性を有する基板１として厚さ５
０μｍのポリイミドシートを用いた。この基板は、同様
な絶縁性および可撓性を有するものであれば何でもよ
く、ＰＥＳ、ＰＥＮ、ＰＥＴ、アラミドなど他の絶縁性
プラスチックフィルム等が考えられる。この基板１の表
面上に、基板温度２００℃、Ａｒ圧力１×１０-3Ｔｏｒ
ｒでのＲＦスパッタ法によりＺｎＯ薄膜２を約３０ｎｍ
の厚さに形成する。ＺｎＯは、プラスチックフィルムか
らの水分を吸収する作用をもつ。このＺｎＯ薄膜２の上
に表面に凹凸形状をもつ低温形成金属層３をＡｌにより
形成したが、その成膜條件を決めるために次のような実
験を行った。
【０００９】ガラス板上にＳｎＯ2 薄膜を成膜條件、膜
圧を変えて被着した４種の基板を用い、その上に下部電
極をＡｇにより形成し、さらにｉ層の厚さが４００ｎｍ
のａ−Ｓｉ光電変換層、透明電極層を積層して光電変換
セルを作製した。Ａｇ電極層の成膜はスパッタ（Ｓ
Ｐ）、２５０℃および室温（ＲＴ）での電子ビーム蒸着
（ＥＢ）により行った。図２はそのようにして作製した
各セルの短絡電流値を示す。線２１、２２、２３、２４
はそれぞれ基板の種類を示す。この結果、基板２３を用
いたセルが最もすぐれた特性を示すことがわかった。こ
の基板の表面凹凸形状の山頂間の間隔は、約１５０ｎｍ
から約５００ｎｍの間にあり、平均間隔は約２００ｎｍ
である。このような凹凸形状をもつＡｌ膜を、基板温度
２２５℃ないし３２５℃、膜厚７５ｎｍないし１４０ｎ
ｍの成膜條件で形成した。次に、Ａｇからなる高反射率
金属層４を積層する。この高反射率層４は、下層表面の
凹凸形状を良好にカバーするためには、約１００ｎｍ以
上の厚さが必要であるが、金属層３と金属層４よりなる
下部電極層の合計の膜厚を２５０ｎｍ以下とする。この
下部電極層の上に光電変換層５を形成する。本実施例で
は、ｎ形、ｉ形、ｐ形のａ−Ｓｉ層をＲＦグロー放電に
よって順次形成して光電変換層とした。最後にスパッタ
により、Ｉn2Ｏ3 ：ＳｎＯ2 であるＩＴＯにより透明電
極層６を形成した。この透明電極層６の表面での反射
は、周知のように膜厚を制御することにより防止するこ
とができる。このようにして製造する光電変換装置の製
造歩留まりと、低温形成金属層３のＡｌ膜厚との関係を
図３に示す。高反射金属層４のＡｇ膜厚は１００ｎｍに
固定した。不良は主として短絡により発生する。図に示
されるようにＡｌの膜厚は１５０ｎｍ以下、望ましくは
１００ｎｍ以下であることがわかった。
圧を変えて被着した４種の基板を用い、その上に下部電
極をＡｇにより形成し、さらにｉ層の厚さが４００ｎｍ
のａ−Ｓｉ光電変換層、透明電極層を積層して光電変換
セルを作製した。Ａｇ電極層の成膜はスパッタ（Ｓ
Ｐ）、２５０℃および室温（ＲＴ）での電子ビーム蒸着
（ＥＢ）により行った。図２はそのようにして作製した
各セルの短絡電流値を示す。線２１、２２、２３、２４
はそれぞれ基板の種類を示す。この結果、基板２３を用
いたセルが最もすぐれた特性を示すことがわかった。こ
の基板の表面凹凸形状の山頂間の間隔は、約１５０ｎｍ
から約５００ｎｍの間にあり、平均間隔は約２００ｎｍ
である。このような凹凸形状をもつＡｌ膜を、基板温度
２２５℃ないし３２５℃、膜厚７５ｎｍないし１４０ｎ
ｍの成膜條件で形成した。次に、Ａｇからなる高反射率
金属層４を積層する。この高反射率層４は、下層表面の
凹凸形状を良好にカバーするためには、約１００ｎｍ以
上の厚さが必要であるが、金属層３と金属層４よりなる
下部電極層の合計の膜厚を２５０ｎｍ以下とする。この
下部電極層の上に光電変換層５を形成する。本実施例で
は、ｎ形、ｉ形、ｐ形のａ−Ｓｉ層をＲＦグロー放電に
よって順次形成して光電変換層とした。最後にスパッタ
により、Ｉn2Ｏ3 ：ＳｎＯ2 であるＩＴＯにより透明電
極層６を形成した。この透明電極層６の表面での反射
は、周知のように膜厚を制御することにより防止するこ
とができる。このようにして製造する光電変換装置の製
造歩留まりと、低温形成金属層３のＡｌ膜厚との関係を
図３に示す。高反射金属層４のＡｇ膜厚は１００ｎｍに
固定した。不良は主として短絡により発生する。図に示
されるようにＡｌの膜厚は１５０ｎｍ以下、望ましくは
１００ｎｍ以下であることがわかった。
【００１０】図４に、本発明の実施例の光電変換装置の
量子効率分光特性を点線４１として、従来の光電変換装
置の量子効率分光特性を実線４２として示す。従来の光
電変換装置は、下部電極を可撓性基板上にＺｎＯ薄膜を
介してＡｇのみで形成したもので、Ａｇ膜の成膜温度は
３５０℃である。それ以外の上部の構造は図１と同様で
ある。この二つの曲線の比較からわかるとおり、波長６
００ｎｍから７００ｎｍ付近での分光感度特性の差は顕
著である。短絡電流は、従来の光電変換装置が１６．３
ｍＡ／ｃｍ2 であるのに対し、実施例の光電変換装置で
は、１７．６５ｍＡ／ｃｍ2 であった。
量子効率分光特性を点線４１として、従来の光電変換装
置の量子効率分光特性を実線４２として示す。従来の光
電変換装置は、下部電極を可撓性基板上にＺｎＯ薄膜を
介してＡｇのみで形成したもので、Ａｇ膜の成膜温度は
３５０℃である。それ以外の上部の構造は図１と同様で
ある。この二つの曲線の比較からわかるとおり、波長６
００ｎｍから７００ｎｍ付近での分光感度特性の差は顕
著である。短絡電流は、従来の光電変換装置が１６．３
ｍＡ／ｃｍ2 であるのに対し、実施例の光電変換装置で
は、１７．６５ｍＡ／ｃｍ2 であった。
【００１１】上記の実施例では、低温形成金属層３にＡ
ｌを用いたが、Ａｌより低融点の金属、例えばＺｎ、Ｉ
ｎなども用いることができる。また、高反射率金属層４
にはＡｇの代わりにＣｕを用いることができる。
ｌを用いたが、Ａｌより低融点の金属、例えばＺｎ、Ｉ
ｎなども用いることができる。また、高反射率金属層４
にはＡｇの代わりにＣｕを用いることができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、下部電極層を高反射率
の金属よりなる上部層と表面に凹凸形状をもつ下部層に
分ける際に、下部層に融点７００℃以下の金属を用いる
ことにより、低温で形成し、かつ薄い膜厚で凹凸形状の
表面を得ることができた。これにより、高温の工程を介
する必要がなくなり、熱応力等の歩留まり低下の要因を
回避することができた。また、下部層に合金を用いる必
要がなくなり、電極層の導電率低下も避けられた。この
結果、特に、高分子フィルム基板を用いた光電変換装置
の安定性の向上、高効率化の同時達成が可能となった。
の金属よりなる上部層と表面に凹凸形状をもつ下部層に
分ける際に、下部層に融点７００℃以下の金属を用いる
ことにより、低温で形成し、かつ薄い膜厚で凹凸形状の
表面を得ることができた。これにより、高温の工程を介
する必要がなくなり、熱応力等の歩留まり低下の要因を
回避することができた。また、下部層に合金を用いる必
要がなくなり、電極層の導電率低下も避けられた。この
結果、特に、高分子フィルム基板を用いた光電変換装置
の安定性の向上、高効率化の同時達成が可能となった。
【図１】本発明の実施例の光電変換装置の構造を示す断
面図
面図
【図２】異なるガラス基板上に下部電極としてのＡｇ電
極を形成した光電変換装置の短絡電流と基板の種類およ
び成膜方法との関係線図
極を形成した光電変換装置の短絡電流と基板の種類およ
び成膜方法との関係線図
【図３】本発明の実施例の光電変換装置の製造歩留まり
とＡｌ下部層の膜厚との関係線図
とＡｌ下部層の膜厚との関係線図
【図４】本発明の実施例と比較例の光電変換装置の量子
効率分光特性線図
効率分光特性線図
１ 基板 ２ ＺｎＯ薄膜 ３ 低温形成金属層 ４ 高反射率金属層 ５ 光電変換層 ６ 透明電極層
Claims (9)
- 【請求項１】絶縁性の基板上に下部電極層、光電変換層
および透明上部電極層が順次積層された光電変換装置に
おいて、下部電極層がその平均厚さが２５０ｎｍ以下で
あり、高反射率金属よりなる上部層と、上面に凹凸形状
を有し、融点７００℃以下の金属よりなる下部層とを有
することを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】下部電極層の下部層の上面における凹凸の
山頂の平均間隔が１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であ
る請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項３】基板が高分子材料よりなって可撓性を有す
る請求項１あるいは２記載の光電変換装置。 - 【請求項４】下部電極層の基板に接する層部分が導電性
酸化物よりなる請求項３記載の光電変換装置。 - 【請求項５】下部電極層の下部層がアルミニウムよりな
る請求項１ないし４のいずれかに記載の光電変換装置。 - 【請求項６】下部電極層の下部層の厚さが１５０ｎｍ以
下である請求項５記載の光電変換装置。 - 【請求項７】下部電極層の上部層が銀よりなる請求項１
ないし６のいずれかに記載の光電変換装置。 - 【請求項８】下部電極層の下部層を基板温度２２５℃な
いし３２５℃で成膜することを特徴とする請求項５記載
の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項９】下部電極層の上部層を基板温度２００℃以
下で成膜する請求項８記載の光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7185315A JPH0936406A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7185315A JPH0936406A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936406A true JPH0936406A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16168699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7185315A Pending JPH0936406A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003901A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
| JP2012522403A (ja) * | 2009-05-06 | 2012-09-20 | シンシリコン・コーポレーション | 光起電力電池、及び、半導体層スタックにおいて光補足を高める方法 |
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1995
- 1995-07-21 JP JP7185315A patent/JPH0936406A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003901A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
| JP2012522403A (ja) * | 2009-05-06 | 2012-09-20 | シンシリコン・コーポレーション | 光起電力電池、及び、半導体層スタックにおいて光補足を高める方法 |
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