JPH0936477A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH0936477A JPH0936477A JP18288995A JP18288995A JPH0936477A JP H0936477 A JPH0936477 A JP H0936477A JP 18288995 A JP18288995 A JP 18288995A JP 18288995 A JP18288995 A JP 18288995A JP H0936477 A JPH0936477 A JP H0936477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching stop
- strain
- stop layer
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
- H01S5/209—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques special etch stop layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3201—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングストップ層の臨界厚に制約される
ことなく、充分に高い信頼性を得ることのできるエッチ
ングストップ層を構成することができるようにして、動
作特性にすぐれた半導体発光素子を得ることができるよ
うにする。 【解決手段】 基板１１上に、少なくとも第１導電型の
クラッド層１３と、活性層１４と、第２導電型の第１の
クラッド層１５Ａと、活性層１４のバンドギャップより
大とされた歪みエッチングストップ層１９と、第２導電
型の第２のクラッド層１５Ｂとが順次積層され、歪みエ
ッチングストップ層１９と接して、活性層１４のバンド
ギャップより大とされ、歪みエッチングストップ層１９
とは逆の歪みによる歪補償層２１が積層され、ストライ
プ状の電流通路を挟んでその両側に電流狭窄層１８が埋
め込まれる溝１７が第２導電型の第２のクラッド層１５
Ｂ側からエッチングストップ層１９に至る深さに形成さ
れた構成とする。
ことなく、充分に高い信頼性を得ることのできるエッチ
ングストップ層を構成することができるようにして、動
作特性にすぐれた半導体発光素子を得ることができるよ
うにする。 【解決手段】 基板１１上に、少なくとも第１導電型の
クラッド層１３と、活性層１４と、第２導電型の第１の
クラッド層１５Ａと、活性層１４のバンドギャップより
大とされた歪みエッチングストップ層１９と、第２導電
型の第２のクラッド層１５Ｂとが順次積層され、歪みエ
ッチングストップ層１９と接して、活性層１４のバンド
ギャップより大とされ、歪みエッチングストップ層１９
とは逆の歪みによる歪補償層２１が積層され、ストライ
プ状の電流通路を挟んでその両側に電流狭窄層１８が埋
め込まれる溝１７が第２導電型の第２のクラッド層１５
Ｂ側からエッチングストップ層１９に至る深さに形成さ
れた構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ、特
に化合物半導体レーザの例えばＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザに適用して好適な半導体発光素子に係わる。
に化合物半導体レーザの例えばＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザに適用して好適な半導体発光素子に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子、例えばＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザは、例えば図６に示すように、ＧａＡｓ
基板１上にバッファ層２を介して第１導電型例えばｎ型
のＡｌＧａＩｎＰよりなるクラッド層３、多重量子井戸
構造（以下ＭＱＷという）による活性層４、第２導電型
例えばｐ型のＡｌＧａＩｎＰよりなるクラッド層５、こ
れと同導電型の例えばＧａＡｓよりなるキャップ層６と
が順次エピタキシャル成長され、中央のストライプ状の
電流通路を形成する部分を残してその両側に、キャップ
層６を横切りクラッド層５に至る深さの溝７がエッチン
グによって形成され、この溝７に第１導電型の例えばｎ
型のＧａＡｓによる通電を阻止する電流狭窄層８が選択
ＣＶＤ（選択化学的気相成長）法によって形成された構
成が採られる。
系半導体レーザは、例えば図６に示すように、ＧａＡｓ
基板１上にバッファ層２を介して第１導電型例えばｎ型
のＡｌＧａＩｎＰよりなるクラッド層３、多重量子井戸
構造（以下ＭＱＷという）による活性層４、第２導電型
例えばｐ型のＡｌＧａＩｎＰよりなるクラッド層５、こ
れと同導電型の例えばＧａＡｓよりなるキャップ層６と
が順次エピタキシャル成長され、中央のストライプ状の
電流通路を形成する部分を残してその両側に、キャップ
層６を横切りクラッド層５に至る深さの溝７がエッチン
グによって形成され、この溝７に第１導電型の例えばｎ
型のＧａＡｓによる通電を阻止する電流狭窄層８が選択
ＣＶＤ（選択化学的気相成長）法によって形成された構
成が採られる。
【０００３】このＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおい
て、上述したようにその活性層４がＭＱＷ構造によるも
のは、ＭＱＷ構造によらないこの種の半導体レーザが６
５０ｎｍの発光であるに比しこれより短波長の６３５ｎ
ｍないし６３０ｎｍ帯の発光を行うことができるという
利点がある。
て、上述したようにその活性層４がＭＱＷ構造によるも
のは、ＭＱＷ構造によらないこの種の半導体レーザが６
５０ｎｍの発光であるに比しこれより短波長の６３５ｎ
ｍないし６３０ｎｍ帯の発光を行うことができるという
利点がある。
【０００４】ところで、上述したように、電流狭窄層８
を形成する構造をとる場合、この電流狭窄層８を埋込み
形成するための溝７のエッチングが必要となるものであ
るが、実際にはこのエッチング溝７の形成においてクラ
ッド層５を所要の深さに再現性良く均一の深さにエッチ
ングすることは難しく、また作業性に劣るという問題が
生じる。
を形成する構造をとる場合、この電流狭窄層８を埋込み
形成するための溝７のエッチングが必要となるものであ
るが、実際にはこのエッチング溝７の形成においてクラ
ッド層５を所要の深さに再現性良く均一の深さにエッチ
ングすることは難しく、また作業性に劣るという問題が
生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した構成による半
導体発光素子、例えば半導体レーザにおいて、電流狭窄
層を埋込み形成するためのエッチング溝を正確に所定の
深さにエッチングすることができるようにすることが望
まれるが、このエッチング溝の深さを所定の深さに設定
する方法としては、図７に示すように、第２導電型のク
ラッド層５を下層の第１のクラッド層５Ａと、上層の第
２のクラッド層５Ｂとの２層構成とし、これら第１およ
び第２のクラッド層５Ａおよび５Ｂ間に、クラッド層５
とエッチング性を異にするすなわちＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層５に比しエッチング速度が格段に低いエッチング
ストップ層９をエピタキシャル成長させ、キャップ層６
上のストライプ状の電流通路の形成部上にエッチングマ
スク層１０を形成し、これをマスクとしてキャップ層６
をエッチングし、その後クラッド層５に対して高いエッ
チング性を示し、エッチングストップ層９に対して低い
エッチング性を示すエッチングを行ってクラッド層５の
エッチングを行う。このようにすると、図８に示すよう
に、エッチングストップ層９が露出したところでエッチ
ング進行が停止ないしは遅くなることから、ここでのエ
ッチングを停止させる制御を容易、かつ正確に行うこと
ができる。そして、このエッチング溝７に図６に示すよ
うに電流狭搾層８を埋込み形成するものである。図７お
よび図８において、図６と対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略する。
導体発光素子、例えば半導体レーザにおいて、電流狭窄
層を埋込み形成するためのエッチング溝を正確に所定の
深さにエッチングすることができるようにすることが望
まれるが、このエッチング溝の深さを所定の深さに設定
する方法としては、図７に示すように、第２導電型のク
ラッド層５を下層の第１のクラッド層５Ａと、上層の第
２のクラッド層５Ｂとの２層構成とし、これら第１およ
び第２のクラッド層５Ａおよび５Ｂ間に、クラッド層５
とエッチング性を異にするすなわちＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層５に比しエッチング速度が格段に低いエッチング
ストップ層９をエピタキシャル成長させ、キャップ層６
上のストライプ状の電流通路の形成部上にエッチングマ
スク層１０を形成し、これをマスクとしてキャップ層６
をエッチングし、その後クラッド層５に対して高いエッ
チング性を示し、エッチングストップ層９に対して低い
エッチング性を示すエッチングを行ってクラッド層５の
エッチングを行う。このようにすると、図８に示すよう
に、エッチングストップ層９が露出したところでエッチ
ング進行が停止ないしは遅くなることから、ここでのエ
ッチングを停止させる制御を容易、かつ正確に行うこと
ができる。そして、このエッチング溝７に図６に示すよ
うに電流狭搾層８を埋込み形成するものである。図７お
よび図８において、図６と対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略する。
【０００６】この構成によるときは、エッチングストッ
プ層９の形成位置すなわち第１および第２のクラッド層
５Ａおよび５Ｂの厚さを予め設定しておくことにより、
エッチング溝７の深さおよび活性層４からの距離の設定
を確実かつ容易に、すぐれた再現性と、均一性をもって
形成することができる。
プ層９の形成位置すなわち第１および第２のクラッド層
５Ａおよび５Ｂの厚さを予め設定しておくことにより、
エッチング溝７の深さおよび活性層４からの距離の設定
を確実かつ容易に、すぐれた再現性と、均一性をもって
形成することができる。
【０００７】この場合のエッチングストップ層９は、他
のクラッド層３，５等と同様に、基板１の例えばＧａＡ
ｓ単結晶基板に格子定数が整合する組成に選定される。
のクラッド層３，５等と同様に、基板１の例えばＧａＡ
ｓ単結晶基板に格子定数が整合する組成に選定される。
【０００８】ところが、この構成による場合、６３５な
いしは６３０ｎｍの波長の半導体レーザの形成が理論的
に可能であるにも係わらず、必ずしも動作特性にすぐれ
たすなわち低い動作電圧をもって発光を行うことのでき
るこの種の化合物半導体レーザを得ることができない。
いしは６３０ｎｍの波長の半導体レーザの形成が理論的
に可能であるにも係わらず、必ずしも動作特性にすぐれ
たすなわち低い動作電圧をもって発光を行うことのでき
るこの種の化合物半導体レーザを得ることができない。
【０００９】このように例えばＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザにおいて、動作特性にすぐれた半導体レーザが得
難いことの原因は、エッチングストップ層による活性層
からの発光を吸収することよるものであることが究明さ
れた。すなわち、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザにおいて、クラッド層をＡｌＧａＩｎＰによって構成
する場合、これとエッチング性を異にするエッチングス
トップ層としては、ＧａＩｎＰ層によることが考えられ
るが、この場合上述したように、基板に対して格子整合
する組成とすると、このエッチングストップ層のバンド
ギャップは、活性層の例えばＭＱＷ構造の量子井戸部の
バンドギャップと同等ないしは小となることにより、活
性層４からの発光に対し吸収性を示すことになる。。こ
の問題に対処して、本出願人は、先に特願平７−１１９
６０号出願「半導体レーザー」おいて、例えばＡｌＧａ
ＩｎＰ系化合物半導体レーザにおいて、上述のエッチン
グストップ層を形成した場合においても、このエッチン
グストップ層によって活性層からの発振波長光の吸収が
生じることを回避した半導体レーザを提供した。
レーザにおいて、動作特性にすぐれた半導体レーザが得
難いことの原因は、エッチングストップ層による活性層
からの発光を吸収することよるものであることが究明さ
れた。すなわち、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザにおいて、クラッド層をＡｌＧａＩｎＰによって構成
する場合、これとエッチング性を異にするエッチングス
トップ層としては、ＧａＩｎＰ層によることが考えられ
るが、この場合上述したように、基板に対して格子整合
する組成とすると、このエッチングストップ層のバンド
ギャップは、活性層の例えばＭＱＷ構造の量子井戸部の
バンドギャップと同等ないしは小となることにより、活
性層４からの発光に対し吸収性を示すことになる。。こ
の問題に対処して、本出願人は、先に特願平７−１１９
６０号出願「半導体レーザー」おいて、例えばＡｌＧａ
ＩｎＰ系化合物半導体レーザにおいて、上述のエッチン
グストップ層を形成した場合においても、このエッチン
グストップ層によって活性層からの発振波長光の吸収が
生じることを回避した半導体レーザを提供した。
【００１０】上記出願で提案した発明による半導体レー
ザーにおいては、エッチングストップ層としてエッチン
グストップ効果を奏する材料層によって構成し、しかも
この層を引張り歪層とすることによって、バンドギャッ
プの大きなエッチングストップ層を構成して、短波長半
導体レーザにおいも、このエッチングストップ層による
発振波長光の吸収を回避して、動作特性にすぐれた目的
とする特性の半導体レーザを構成するようにしたもので
ある。
ザーにおいては、エッチングストップ層としてエッチン
グストップ効果を奏する材料層によって構成し、しかも
この層を引張り歪層とすることによって、バンドギャッ
プの大きなエッチングストップ層を構成して、短波長半
導体レーザにおいも、このエッチングストップ層による
発振波長光の吸収を回避して、動作特性にすぐれた目的
とする特性の半導体レーザを構成するようにしたもので
ある。
【００１１】しかしながら、この構成による場合、エッ
チングストップ層において、引張り歪が生じるようにす
るために、その格子定数を基板の格子定数に不整合させ
ることから、このエッチングストップ層の厚さは、結晶
欠陥の発生を回避するためにエピタキシャル成長が可能
な臨界厚以下に選定されることが必要となり、一方、エ
ッチングストップ機能を安定して得ることができ、信頼
性の高いエッチングストップ層を構成するには、少なく
とも２００Åの厚さを確保する必要があるが、この厚さ
は上述の臨界厚さに極めて近い。つまり、結晶欠陥の発
生の回避と、エッチングストップ機能との両者を完全に
満足させるに問題が生じる場合がある。
チングストップ層において、引張り歪が生じるようにす
るために、その格子定数を基板の格子定数に不整合させ
ることから、このエッチングストップ層の厚さは、結晶
欠陥の発生を回避するためにエピタキシャル成長が可能
な臨界厚以下に選定されることが必要となり、一方、エ
ッチングストップ機能を安定して得ることができ、信頼
性の高いエッチングストップ層を構成するには、少なく
とも２００Åの厚さを確保する必要があるが、この厚さ
は上述の臨界厚さに極めて近い。つまり、結晶欠陥の発
生の回避と、エッチングストップ機能との両者を完全に
満足させるに問題が生じる場合がある。
【００１２】本発明においては、上述した引張り歪エッ
チングストップ層、あるいは圧縮歪エッチングストップ
層を設ける構造の半導体レーザー等の半導体発光素子に
おいて、その歪エッチングストップ層の臨界厚に制約さ
れることなく、エッチングストップ層として充分高い信
頼性を得ることができる程度に層厚が大なるエッチング
ストップ層を構成することができるようにし、しかも結
晶欠陥の発生の問題を解決して動作特性にすぐれた信頼
性の高い半導体発光素子を構成することができるように
する。
チングストップ層、あるいは圧縮歪エッチングストップ
層を設ける構造の半導体レーザー等の半導体発光素子に
おいて、その歪エッチングストップ層の臨界厚に制約さ
れることなく、エッチングストップ層として充分高い信
頼性を得ることができる程度に層厚が大なるエッチング
ストップ層を構成することができるようにし、しかも結
晶欠陥の発生の問題を解決して動作特性にすぐれた信頼
性の高い半導体発光素子を構成することができるように
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子は、基板上に、少なくとも第１導電型のクラッド層
と、活性層と、第２導電型の第１のクラッド層と、活性
層のバンドギャップより大とされた歪エッチングストッ
プ層と、第２導電型の第２のクラッド層とが順次積層さ
れ、上記歪みエッチングストップ層と接して、活性層の
バンドギャップより大とされた、上記歪みエッチングス
トップ層とは逆の歪みによる歪補償層が積層され構成と
する。そして、ストライプ状の電流通路を挟んでその両
側に電流狭窄層が埋め込まれる溝が第２導電型の第２の
クラッド層側からエッチングストップ層に至る深さに形
成された構成を採る。
素子は、基板上に、少なくとも第１導電型のクラッド層
と、活性層と、第２導電型の第１のクラッド層と、活性
層のバンドギャップより大とされた歪エッチングストッ
プ層と、第２導電型の第２のクラッド層とが順次積層さ
れ、上記歪みエッチングストップ層と接して、活性層の
バンドギャップより大とされた、上記歪みエッチングス
トップ層とは逆の歪みによる歪補償層が積層され構成と
する。そして、ストライプ状の電流通路を挟んでその両
側に電流狭窄層が埋め込まれる溝が第２導電型の第２の
クラッド層側からエッチングストップ層に至る深さに形
成された構成を採る。
【００１４】この本発明構成によれば、電流狭窄層を形
成するエッチング溝の深さの設定がエッチングストップ
層によってなされた構成とするものであるが、特にその
エッチングストップ層を歪層とすることによって、その
バンドギャップを大にする効果を得るものであり、この
ようにしてこのエッチングストップ層のバンドギャップ
を活性層のそれより大に選定するものである。このよう
にエッチングストップ層のバンドギャップを活性層のそ
れより大に選定したことによって、このエッチングスト
ップ層において活性層からの発振光の吸収が生じること
を回避するものである。
成するエッチング溝の深さの設定がエッチングストップ
層によってなされた構成とするものであるが、特にその
エッチングストップ層を歪層とすることによって、その
バンドギャップを大にする効果を得るものであり、この
ようにしてこのエッチングストップ層のバンドギャップ
を活性層のそれより大に選定するものである。このよう
にエッチングストップ層のバンドギャップを活性層のそ
れより大に選定したことによって、このエッチングスト
ップ層において活性層からの発振光の吸収が生じること
を回避するものである。
【００１５】そして、さらに本発明においては、エッチ
ングストップ層の歪みとは逆の歪み、すなわち歪みエッ
チングストップ層が引張り歪み層とする場合は圧縮歪み
の歪み補償層を、また歪みエッチングストップ層が圧縮
歪みである場合は引張り歪みの歪み補償層を歪みエッチ
ングストップ層に接して設けるようにしたので、エッチ
ングストップ層による歪みを緩和できて、この歪みに起
因する結晶欠陥の発生を抑制することができる。
ングストップ層の歪みとは逆の歪み、すなわち歪みエッ
チングストップ層が引張り歪み層とする場合は圧縮歪み
の歪み補償層を、また歪みエッチングストップ層が圧縮
歪みである場合は引張り歪みの歪み補償層を歪みエッチ
ングストップ層に接して設けるようにしたので、エッチ
ングストップ層による歪みを緩和できて、この歪みに起
因する結晶欠陥の発生を抑制することができる。
【００１６】このため、歪みエッチングストップ層は、
その厚さをエッチングストップ機能を充分発揮できる程
度に厚くすることができ、この半導体発光素子の製造に
おいて、確実に目的とする特性の半導体発光素子例えば
半導体レーザを、高い信頼性と再現性をもって製造でき
る。
その厚さをエッチングストップ機能を充分発揮できる程
度に厚くすることができ、この半導体発光素子の製造に
おいて、確実に目的とする特性の半導体発光素子例えば
半導体レーザを、高い信頼性と再現性をもって製造でき
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による半導体発光
素子の一例の概略断面図である。この例においては、活
性層が多重量子井戸構造を有する半導体レーザーの例で
あるが、単層の量子井戸構造による場合、あるいは量子
井戸構造によらない半導体レーザー等に本発明を適用す
ることができる。
素子の一例の概略断面図である。この例においては、活
性層が多重量子井戸構造を有する半導体レーザーの例で
あるが、単層の量子井戸構造による場合、あるいは量子
井戸構造によらない半導体レーザー等に本発明を適用す
ることができる。
【００１８】図１の例では、第１導電型の単結晶化合物
半導体基板上１１上に、バッファ層１２と、第１導電型
のクラッド層１３と、多重量子井戸構造の活性層１４
と、第２導電型の第１のクラッド層１５Ａと、活性層１
４のバンドギャップより大とされた歪み補償層２１と、
これに接して活性層１４のバンドギャップより大とされ
た歪エッチングストップ層１９と、第２導電型の第２の
クラッド層１５Ｂと、第２導電型のキャップ層１６とが
順次積層された構成とする。そして、ストライプ状の電
流通路を形成するように、これを挟んでその両側に溝１
７がエッチングストップ層１９によって規定された深さ
に形成され、この溝１７を埋め込んで電流狭窄層１８が
形成された構成とする。そして図示しないが、キャップ
層１６上にオーミックにコンタクトする一方の電極を形
成し、基板１１の裏面に他方の電極オーミックにコンタ
クトして形成する。
半導体基板上１１上に、バッファ層１２と、第１導電型
のクラッド層１３と、多重量子井戸構造の活性層１４
と、第２導電型の第１のクラッド層１５Ａと、活性層１
４のバンドギャップより大とされた歪み補償層２１と、
これに接して活性層１４のバンドギャップより大とされ
た歪エッチングストップ層１９と、第２導電型の第２の
クラッド層１５Ｂと、第２導電型のキャップ層１６とが
順次積層された構成とする。そして、ストライプ状の電
流通路を形成するように、これを挟んでその両側に溝１
７がエッチングストップ層１９によって規定された深さ
に形成され、この溝１７を埋め込んで電流狭窄層１８が
形成された構成とする。そして図示しないが、キャップ
層１６上にオーミックにコンタクトする一方の電極を形
成し、基板１１の裏面に他方の電極オーミックにコンタ
クトして形成する。
【００１９】更に、この半導体レーザの理解を容易にす
るために、図２〜図４の各工程における概略断面図を参
照して、その製造方法の一例を説明する。
るために、図２〜図４の各工程における概略断面図を参
照して、その製造方法の一例を説明する。
【００２０】この例では、６３０ｎｍ発光を行わせるす
なわち活性層１４におけるバンドギャップが１．９６８
ｅＶのＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザに本発明を適用し
た場合である。
なわち活性層１４におけるバンドギャップが１．９６８
ｅＶのＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザに本発明を適用し
た場合である。
【００２１】この場合、図２に示すように、第１導電型
例えばｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、これと同導電型の例
えばＧａＡｓ層によるバッファ層１２を介して第１導電
型例えばｎ型のＡｌＧａＩｎＰよりなるクラッド層１３
と、量子井戸構造の例えば複数のウエル層とバリア層と
が交互に積層されてなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ）に
よる活性層１４と、第２導電型例えばｐ型のＡｌＧａＩ
ｎＰよりなる第１のクラッド層１５Ａと、第２導電型例
えばｐ型のＡｌＧａＩｎＰよりなる歪み補償層２１と、
第２導電型の歪みエッチングストップ層１９と、第２導
電型のＡｌＧａＩｎＰよりなる第２のクラッド層１５Ａ
と、第２導電型のＧａＡｓよりなるキャップ層１６とを
順次例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor
Deposition)による連続的にエピタキシャル成長する。
例えばｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、これと同導電型の例
えばＧａＡｓ層によるバッファ層１２を介して第１導電
型例えばｎ型のＡｌＧａＩｎＰよりなるクラッド層１３
と、量子井戸構造の例えば複数のウエル層とバリア層と
が交互に積層されてなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ）に
よる活性層１４と、第２導電型例えばｐ型のＡｌＧａＩ
ｎＰよりなる第１のクラッド層１５Ａと、第２導電型例
えばｐ型のＡｌＧａＩｎＰよりなる歪み補償層２１と、
第２導電型の歪みエッチングストップ層１９と、第２導
電型のＡｌＧａＩｎＰよりなる第２のクラッド層１５Ａ
と、第２導電型のＧａＡｓよりなるキャップ層１６とを
順次例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor
Deposition)による連続的にエピタキシャル成長する。
【００２２】そして、上述した基板１１上に形成した各
化合物半導体層によるエピタキシャル成長層の中央のス
トライプ状の電流通路上にエッチングマスクとなり、し
かも後に行う電流狭窄層の選択ＭＯＣＶＤ法のマスクと
なる例えばＳｉＯ2 によるマスク層２０を被着形成す
る。
化合物半導体層によるエピタキシャル成長層の中央のス
トライプ状の電流通路上にエッチングマスクとなり、し
かも後に行う電流狭窄層の選択ＭＯＣＶＤ法のマスクと
なる例えばＳｉＯ2 によるマスク層２０を被着形成す
る。
【００２３】このマスク２０の形成は、ＳｉＯ2 層をＣ
ＶＤ法等によって全面的に形成し、その後フォトリソグ
ラフィによるパターンエッチングを行って溝形成部をエ
ッチング除去することによって形成し得る。
ＶＤ法等によって全面的に形成し、その後フォトリソグ
ラフィによるパターンエッチングを行って溝形成部をエ
ッチング除去することによって形成し得る。
【００２４】そして、このマスク層２０をエッチングマ
スクとして、このマスク層２０を形成する部分を残して
その両側を、エッチングして溝１７を形成する。このエ
ッチングは、例えばＨ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとの
混合液によるエッチング液とによって行う。
スクとして、このマスク層２０を形成する部分を残して
その両側を、エッチングして溝１７を形成する。このエ
ッチングは、例えばＨ2 ＳＯ4 とＨ2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとの
混合液によるエッチング液とによって行う。
【００２５】このようなエッチングによると、そのエッ
チングがエッチングストップ層１９に達すると、エッチ
ングが実質的に停止する程度にエッチング速度が低下す
るので、この時点でエッチングを停止すると、エッチン
グストップ層１９の形成位置によって溝１７の深さが規
定される。
チングがエッチングストップ層１９に達すると、エッチ
ングが実質的に停止する程度にエッチング速度が低下す
るので、この時点でエッチングを停止すると、エッチン
グストップ層１９の形成位置によって溝１７の深さが規
定される。
【００２６】その後、図４に示すように、マスク層２０
をマスクとしてマスク層２０が形成されずに化合物半導
体が露呈した溝１７内に、周知の選択ＭＯＣＶＤ法によ
って第１の導電型例えばｎ型のＧａＡｓによる電流狭窄
層１８を形成する。
をマスクとしてマスク層２０が形成されずに化合物半導
体が露呈した溝１７内に、周知の選択ＭＯＣＶＤ法によ
って第１の導電型例えばｎ型のＧａＡｓによる電流狭窄
層１８を形成する。
【００２７】その後図示しないが、全面的に平坦化層を
形成し、その表面から平面的に例えばエッチングを行っ
て図１に示すように、キャップ層１６と電流狭搾層１８
の表面を一平面に平坦化する。
形成し、その表面から平面的に例えばエッチングを行っ
て図１に示すように、キャップ層１６と電流狭搾層１８
の表面を一平面に平坦化する。
【００２８】また、必要に応じて基板１１の裏面から平
面的に例えば化学的、機械的研磨を行って基板１１の厚
さを低減化して後、この研磨面に一方の電極（図示せ
ず）を形成し、キャップ層１６上に他方の電極（図示せ
ず）をオーミックに形成する。
面的に例えば化学的、機械的研磨を行って基板１１の厚
さを低減化して後、この研磨面に一方の電極（図示せ
ず）を形成し、キャップ層１６上に他方の電極（図示せ
ず）をオーミックに形成する。
【００２９】ここに、ＭＱＷ構造による活性層１４のウ
エル層は、例えばＧａＡｓ基板１の格子定数に対し−
０．７％の格子定数の不整合による引張り歪を有するＧ
ａ0.61 1 Ｉｎ0.389 Ｐ層によって構成し、バリア層は
（Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 )0.516Ｉｎ0. 484 Ｐ層によって構成
する。
エル層は、例えばＧａＡｓ基板１の格子定数に対し−
０．７％の格子定数の不整合による引張り歪を有するＧ
ａ0.61 1 Ｉｎ0.389 Ｐ層によって構成し、バリア層は
（Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 )0.516Ｉｎ0. 484 Ｐ層によって構成
する。
【００３０】各クラッド層１３、１５Ａおよび１５Ｂ
は、基板１１が上述したＧａＡｓである場合、これによ
く整合する格子定数を有し、歪みのない組成例えば（Ａ
ｌX Ｇａ1-X ）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐで、通常はｘ＝０．
７で、例えば０≦ｘ≦１の組成とする。
は、基板１１が上述したＧａＡｓである場合、これによ
く整合する格子定数を有し、歪みのない組成例えば（Ａ
ｌX Ｇａ1-X ）0.516 Ｉｎ0.484 Ｐで、通常はｘ＝０．
７で、例えば０≦ｘ≦１の組成とする。
【００３１】歪みエッチングストップ層１９は、基板１
１が、ＧａＡｓ基板である場合において、（ＡｌX Ｇａ
1-x ）ＩｎＰ例えばｘ＝０のＧａ0.65Ｉｎ0.35Ｐによる
−１．０％（すなわち｛（ｂ−ａ）／ａ｝×１００＝−
１．０％，ａは基板１１の格子定数、ｂは歪みエッチン
グストップ層１９の格子定数）の引張り歪み層として、
活性層１４の実質的バンドギャップより大なるバンドギ
ャップを得ることのできるにする。そして、その厚さは
後述するエッチングストップ機能を充分奏することので
きる厚さの例えば２００Åを越えた例えば３００Å以下
とする。
１が、ＧａＡｓ基板である場合において、（ＡｌX Ｇａ
1-x ）ＩｎＰ例えばｘ＝０のＧａ0.65Ｉｎ0.35Ｐによる
−１．０％（すなわち｛（ｂ−ａ）／ａ｝×１００＝−
１．０％，ａは基板１１の格子定数、ｂは歪みエッチン
グストップ層１９の格子定数）の引張り歪み層として、
活性層１４の実質的バンドギャップより大なるバンドギ
ャップを得ることのできるにする。そして、その厚さは
後述するエッチングストップ機能を充分奏することので
きる厚さの例えば２００Åを越えた例えば３００Å以下
とする。
【００３２】歪み補償層２１は、クラッド層と同様のＡ
ｌＧａＩｎＰにより、そのバンドギャップが活性層１４
の実質的バンドギャップより大とすると同時に、その組
成の選定を、上述の歪みエッチングストップ層１９の歪
みとは逆の歪み、すなわち上述したように、歪みエッチ
ングストップ層１９が引張り歪みである場合は、圧縮歪
み層となる組成に選定する。この場合の歪み補償層２１
は、例えば＋０．３％の圧縮歪み層とし得る。この歪み
補償層２１は、例えば（ＡｌX Ｇａ1-X ）0.46 9 Ｉｎ
0.531 Ｐによって構成し得る。
ｌＧａＩｎＰにより、そのバンドギャップが活性層１４
の実質的バンドギャップより大とすると同時に、その組
成の選定を、上述の歪みエッチングストップ層１９の歪
みとは逆の歪み、すなわち上述したように、歪みエッチ
ングストップ層１９が引張り歪みである場合は、圧縮歪
み層となる組成に選定する。この場合の歪み補償層２１
は、例えば＋０．３％の圧縮歪み層とし得る。この歪み
補償層２１は、例えば（ＡｌX Ｇａ1-X ）0.46 9 Ｉｎ
0.531 Ｐによって構成し得る。
【００３３】上述の本発明構成によれば、電流狭窄層１
８を形成するエッチング溝の深さの設定がエッチングス
トップ層１９によってなされた構成とするものである
が、特にそのエッチングストップ層１９を歪み層とする
ことによって、そのバンドギャップを大にする効果を得
るものであり、このようにしてこのエッチングストップ
層のバンドギャップを活性層のそれより大に選定するも
のである。このようにエッチングストップ層のバンドギ
ャップを活性層のそれより大に選定したことによって、
このエッチングストップ層において活性層からの発振光
の吸収が生じることを回避するものである。
８を形成するエッチング溝の深さの設定がエッチングス
トップ層１９によってなされた構成とするものである
が、特にそのエッチングストップ層１９を歪み層とする
ことによって、そのバンドギャップを大にする効果を得
るものであり、このようにしてこのエッチングストップ
層のバンドギャップを活性層のそれより大に選定するも
のである。このようにエッチングストップ層のバンドギ
ャップを活性層のそれより大に選定したことによって、
このエッチングストップ層において活性層からの発振光
の吸収が生じることを回避するものである。
【００３４】そして、さらに本発明においては、エッチ
ングストップ層の歪みとは逆の歪み、すなわち歪みエッ
チングストップ層１９が引張り歪み層とする場合は圧縮
歪みの歪み補償層２１を、また歪みエッチングストップ
層１９が圧縮歪みである場合は引張り歪みの歪み補償層
２１を歪みエッチングストップ層１９に接して設けるよ
うにしたので、エッチングストップ層１９による歪みを
緩和できて、この歪みに起因する結晶欠陥の発生を抑制
することができる。
ングストップ層の歪みとは逆の歪み、すなわち歪みエッ
チングストップ層１９が引張り歪み層とする場合は圧縮
歪みの歪み補償層２１を、また歪みエッチングストップ
層１９が圧縮歪みである場合は引張り歪みの歪み補償層
２１を歪みエッチングストップ層１９に接して設けるよ
うにしたので、エッチングストップ層１９による歪みを
緩和できて、この歪みに起因する結晶欠陥の発生を抑制
することができる。
【００３５】このため、歪みエッチングストップ層１９
は、その厚さをエッチングストップ機能を充分発揮でき
る程度に厚くすることができ、この半導体発光素子の製
造において、確実に目的とする特性の半導体発光素子例
えば半導体レーザを、高い信頼性と再現性をもって製造
できる。
は、その厚さをエッチングストップ機能を充分発揮でき
る程度に厚くすることができ、この半導体発光素子の製
造において、確実に目的とする特性の半導体発光素子例
えば半導体レーザを、高い信頼性と再現性をもって製造
できる。
【００３６】尚、図１〜図４に示した例では、歪みエッ
チングストップ層１９の下層に歪み補償層２１を配置し
た場合であるが、図５にその一例の概略断面図を示すよ
うに、歪みエッチングストップ層１９の上に歪み補償層
２１を配置した構成とすることもできる。図５におい
て、図１図４と対応する部分には同一符号を付して重複
説明を省略する。
チングストップ層１９の下層に歪み補償層２１を配置し
た場合であるが、図５にその一例の概略断面図を示すよ
うに、歪みエッチングストップ層１９の上に歪み補償層
２１を配置した構成とすることもできる。図５におい
て、図１図４と対応する部分には同一符号を付して重複
説明を省略する。
【００３７】また、本発明は、上述のＡｌＧａＩｎＰ系
の半導体レーザすなわち半導体発光素子に限られるもの
ではなく、例えばＧａＩｎＡｓＰ系、ＺｎＳｅ系半導体
発光素子等に適用することもできる。
の半導体レーザすなわち半導体発光素子に限られるもの
ではなく、例えばＧａＩｎＡｓＰ系、ＺｎＳｅ系半導体
発光素子等に適用することもできる。
【００３８】また、上述した例では、第１の導電型がｎ
型、第２の導電型がｐ型とした場合であるが、云うまで
もなくこれら導電型を逆導電型とすることもできる。ま
た、上述した例では、活性層がＭＱＷ構造を採った場合
であり、この場合は６３０ｎｍの半導体レーザを構成で
きるが、ＭＱＷによらずＳＱＷ（単層の量子井戸構造）
とするとか、量子井戸構造を採ることのない活性層によ
って構成することもできる。
型、第２の導電型がｐ型とした場合であるが、云うまで
もなくこれら導電型を逆導電型とすることもできる。ま
た、上述した例では、活性層がＭＱＷ構造を採った場合
であり、この場合は６３０ｎｍの半導体レーザを構成で
きるが、ＭＱＷによらずＳＱＷ（単層の量子井戸構造）
とするとか、量子井戸構造を採ることのない活性層によ
って構成することもできる。
【００３９】また、上述した例では、活性層１４を挟ん
でクラッド層が直接的に配置されたいわゆるＤＨ（Doub
le Heterostructure）構造とした場合であるが、活性層
を挟んでガイド層を介してクラッド層が配置されたいわ
ゆるＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）
構造とすることもできるなど上述した例に限られず種々
の構成をとることができる。
でクラッド層が直接的に配置されたいわゆるＤＨ（Doub
le Heterostructure）構造とした場合であるが、活性層
を挟んでガイド層を介してクラッド層が配置されたいわ
ゆるＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）
構造とすることもできるなど上述した例に限られず種々
の構成をとることができる。
【００４０】
【発明の効果】上述したように、本発明構成によれば、
電流狭窄層１８を形成するエッチング溝の深さの設定が
エッチングストップ層１９によってなされた構成とする
ものであるが、特にそのエッチングストップ層１９を歪
み層とすることによって、そのバンドギャップを大にす
る効果を得るものであり、このようにしてこのエッチン
グストップ層のバンドギャップを活性層のそれより大に
選定するものであるので、エッチングストップ層１９の
バンドギャップを活性層のそれより大に選定でき、この
エッチングストップ層１９において活性層からの発振光
の吸収が生じることを回避するものである。
電流狭窄層１８を形成するエッチング溝の深さの設定が
エッチングストップ層１９によってなされた構成とする
ものであるが、特にそのエッチングストップ層１９を歪
み層とすることによって、そのバンドギャップを大にす
る効果を得るものであり、このようにしてこのエッチン
グストップ層のバンドギャップを活性層のそれより大に
選定するものであるので、エッチングストップ層１９の
バンドギャップを活性層のそれより大に選定でき、この
エッチングストップ層１９において活性層からの発振光
の吸収が生じることを回避するものである。
【００４１】そして、さらに本発明においては、エッチ
ングストップ層１９の歪みとは逆の歪み、すなわち歪み
エッチングストップ層１９が引張り歪み層とする場合は
圧縮歪みの歪み補償層２１を、また歪みエッチングスト
ップ層１９が圧縮歪みである場合は引張り歪みの歪み補
償層２１を歪みエッチングストップ層１９に接して設け
るようにしたので、歪みエッチングストップ層１９によ
る歪みを緩和できて、この歪みに起因する結晶欠陥の発
生を抑制することができる。
ングストップ層１９の歪みとは逆の歪み、すなわち歪み
エッチングストップ層１９が引張り歪み層とする場合は
圧縮歪みの歪み補償層２１を、また歪みエッチングスト
ップ層１９が圧縮歪みである場合は引張り歪みの歪み補
償層２１を歪みエッチングストップ層１９に接して設け
るようにしたので、歪みエッチングストップ層１９によ
る歪みを緩和できて、この歪みに起因する結晶欠陥の発
生を抑制することができる。
【００４２】このため、歪みエッチングストップ層１９
は、その厚さをエッチングストップ機能を充分発揮でき
る程度に厚くすることができ、この半導体発光素子の製
造において、確実に目的とする特性の半導体発光素子例
えば半導体レーザを、高い信頼性と再現性をもって製造
できる。
は、その厚さをエッチングストップ機能を充分発揮でき
る程度に厚くすることができ、この半導体発光素子の製
造において、確実に目的とする特性の半導体発光素子例
えば半導体レーザを、高い信頼性と再現性をもって製造
できる。
【図１】本発明による半導体発光素子の一例の概略断面
図である。
図である。
【図２】本発明による半導体発光素子の一例の一製造工
程における概略断面図である。
程における概略断面図である。
【図３】本発明による半導体発光素子の一例の一製造工
程における概略断面図である。
程における概略断面図である。
【図４】本発明による半導体発光素子の一例の一製造工
程における概略断面図である。
程における概略断面図である。
【図５】本発明による半導体発光素子の他の例の概略断
面図である。
面図である。
【図６】従来の半導体レーザの概略断面図である。
【図７】従来の半導体レーザの一製造工程における概略
断面図である。
断面図である。
【図８】従来の半導体レーザの一製造工程における概略
断面図である。
断面図である。
１，１１ 基板 ２，１２ バッファ層 ３，１３ 第１導電型のクラッド層 ４，１４ 活性層 ５，１５ 第２導電型のクラッド層 １５Ａ 第１のクラッド層 １５Ｂ 第２のクラッド層 ６，１６ キャップ層 ７，１７ 溝 ８，１８ 電流狭搾層 ９，１９ エッチングストップ層 １９Ａ 第１のエッチングストップ層 １９Ｂ 第２のエッチングストップ層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１０月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】このＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおい
て、上述したようにその活性層４がＭＱＷ構造によるも
のは、ＭＱＷ構造によらないこの種の半導体レーザが６
５０ないし６８０ｎｍの発光であるに比しこれより短波
長の６３５ｎｍないし６３０ｎｍ帯の発光を行うことが
できるという利点がある。
て、上述したようにその活性層４がＭＱＷ構造によるも
のは、ＭＱＷ構造によらないこの種の半導体レーザが６
５０ないし６８０ｎｍの発光であるに比しこれより短波
長の６３５ｎｍないし６３０ｎｍ帯の発光を行うことが
できるという利点がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】歪みエッチングストップ層１９は、基板１
１が、ＧａＡｓ基板である場合において、（ＡｌX Ｇａ
1-X ）ＩｎＰ例えばｘ＝０のＧａ0.65Ｉｎ0.35Ｐによる
−１．０％（すなわち｛（ｂ−ａ）／ａ｝×１００＝−
１．０％，ａは基板１１の格子定数、ｂは歪みエッチン
グストップ層１９の格子定数）の引張り歪み層として、
活性層１４の実質的バンドギャップより大なるバンドギ
ャップを得ることのできるにする。そして、その厚さは
後述するエッチングストップ機能を充分奏することので
きる厚さの例えば５０Åを越えた例えは３００Å以下と
する。
１が、ＧａＡｓ基板である場合において、（ＡｌX Ｇａ
1-X ）ＩｎＰ例えばｘ＝０のＧａ0.65Ｉｎ0.35Ｐによる
−１．０％（すなわち｛（ｂ−ａ）／ａ｝×１００＝−
１．０％，ａは基板１１の格子定数、ｂは歪みエッチン
グストップ層１９の格子定数）の引張り歪み層として、
活性層１４の実質的バンドギャップより大なるバンドギ
ャップを得ることのできるにする。そして、その厚さは
後述するエッチングストップ機能を充分奏することので
きる厚さの例えば５０Åを越えた例えは３００Å以下と
する。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも第１導電型のクラ
ッド層と、活性層と、第２導電型の第１のクラッド層
と、前記活性層のバンドギャップより大とされた歪みエ
ッチングストップ層と、第２導電型の第２のクラッド層
とが順次積層され、 前記歪みエッチングストップ層と接して、前記活性層の
バンドギャップより大とされた、上記歪みエッチングス
トップ層とは逆の歪みによる歪補償層が積層され、 ストライプ状の電流通路を挟んでその両側に電流狭窄層
が埋め込まれる溝が前記第２導電型の第２のクラッド層
側から前記エッチングストップ層に至る深さに形成され
てなることを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18288995A JPH0936477A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18288995A JPH0936477A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936477A true JPH0936477A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16126181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18288995A Pending JPH0936477A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936477A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258641A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-07-19 JP JP18288995A patent/JPH0936477A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258641A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| US7711023B2 (en) | 2006-03-27 | 2010-05-04 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device and fabrication method therefor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7026182B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor laser, their manufacturing methods and etching methods | |
| US7554127B2 (en) | Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same | |
| JP3897186B2 (ja) | 化合物半導体レーザ | |
| CN101272037B (zh) | 半导体光元件的制造方法 | |
| JP3316479B2 (ja) | 半導体素子、半導体発光素子および半導体素子の製造方法 | |
| JP2001094212A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JPH08316582A (ja) | 半導体レーザ | |
| US6647045B2 (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
| JPH11220222A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3552642B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH05267797A (ja) | 発光半導体ダイオード | |
| JPH0936477A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH1187764A (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| JP3455500B2 (ja) | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 | |
| JP3439161B2 (ja) | 窒化物系発光素子 | |
| JPH10135567A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2000196195A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2005260109A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPH08204277A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH11274641A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JP3820826B2 (ja) | 半導体発光装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP3349506B2 (ja) | 窒化物系半導体層の形成方法 | |
| JPH06164064A (ja) | 可視光半導体レーザ | |
| JP3806671B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| WO2022270054A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 |