JPH0940491A - 半導体結晶膜の成長方法 - Google Patents
半導体結晶膜の成長方法Info
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- JPH0940491A JPH0940491A JP12580596A JP12580596A JPH0940491A JP H0940491 A JPH0940491 A JP H0940491A JP 12580596 A JP12580596 A JP 12580596A JP 12580596 A JP12580596 A JP 12580596A JP H0940491 A JPH0940491 A JP H0940491A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 押圧ガスを不必要化することで設備の大幅な
簡略化を図り、しかも２フロー−ＭＯＣＶＤ法に依った
場合と変わらぬ品質の結晶膜を得る。 【解決手段】 基板Ｓ1，Ｓ2の装着面を向かい合わせて
サセプタ２，３を所要の間隔を隔てて上，下に対向配置
し、両サセプタ２，３間の間隙に臨ませて反応ガスＧの
ノズル４ａを配置し、サセプタ２，３を回転しつつ基板
Ｓ1，Ｓ2を加熱し、ノズル４ａから反応ガスを両サセプ
タ２，３間に通流させることで押圧ガスを用いることな
く基板Ｓ1，Ｓ2の表面に結晶膜を成長させる。
簡略化を図り、しかも２フロー−ＭＯＣＶＤ法に依った
場合と変わらぬ品質の結晶膜を得る。 【解決手段】 基板Ｓ1，Ｓ2の装着面を向かい合わせて
サセプタ２，３を所要の間隔を隔てて上，下に対向配置
し、両サセプタ２，３間の間隙に臨ませて反応ガスＧの
ノズル４ａを配置し、サセプタ２，３を回転しつつ基板
Ｓ1，Ｓ2を加熱し、ノズル４ａから反応ガスを両サセプ
タ２，３間に通流させることで押圧ガスを用いることな
く基板Ｓ1，Ｓ2の表面に結晶膜を成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板表面に反応ガ
スを通流させて半導体結晶膜を成長させる方法に関す
る。
スを通流させて半導体結晶膜を成長させる方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は、特開平４−１６４８９５号公報
に開示された、基板面に沿わせて反応ガスを通流させつ
つ基板と垂直に押圧ガスを流して基板表面に結晶膜を成
長させる、所謂２フロー−ＭＯＣＶＤ法による窒素化合
物半導体結晶膜の成長方法の実施状態を示す模式図であ
り、図中１１はサセプタ、Ｓ1，Ｓ2は基板を示してい
る。
に開示された、基板面に沿わせて反応ガスを通流させつ
つ基板と垂直に押圧ガスを流して基板表面に結晶膜を成
長させる、所謂２フロー−ＭＯＣＶＤ法による窒素化合
物半導体結晶膜の成長方法の実施状態を示す模式図であ
り、図中１１はサセプタ、Ｓ1，Ｓ2は基板を示してい
る。
【０００３】サセプタ１１はその中心部を軸支されて矢
符方向に回転可能となっており、その表面に形成した凹
部１１ａ，１１ｂ内にその表面が略サセプタ１１の表面
と面一となる態様で基板Ｓ1，Ｓ2が装着されている。
符方向に回転可能となっており、その表面に形成した凹
部１１ａ，１１ｂ内にその表面が略サセプタ１１の表面
と面一となる態様で基板Ｓ1，Ｓ2が装着されている。
【０００４】Ｇ1はトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガ
ス、Ｈ2ガス、Ｎ2ガス、ＮＨ3ガス等の混合ガスからな
る反応ガスであって、サセプタ１１の一側方にサセプタ
１１の表面と略平行に設置したノズルから吹き出され、
サセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ2の表面に沿うよう流通せし
められる。
ス、Ｈ2ガス、Ｎ2ガス、ＮＨ3ガス等の混合ガスからな
る反応ガスであって、サセプタ１１の一側方にサセプタ
１１の表面と略平行に設置したノズルから吹き出され、
サセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ2の表面に沿うよう流通せし
められる。
【０００５】Ｇ2はＮ2、Ｈ2ガス等からなる押圧ガスで
あって、サセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ 2の表面に対し、こ
れと直交する向きに流される。
あって、サセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ 2の表面に対し、こ
れと直交する向きに流される。
【０００６】この押圧ガスＧ2は主として次の目的で使
用されている。即ち、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ａ
ｌＧａＮ等のＮを含むIII−Ｖ族化合物半導体の結晶膜
の成長は通常７００℃以上、例えば１０００℃以上の高
温下で進行するため、サセプタ１１上では熱対流が発生
し、反応ガスＧ1はサセプタ１１表面、換言すれば基板
Ｓ1，Ｓ2表面から離反してその上方に流れる傾向を示す
ため、そのままでは反応ガス供給量が不足する結果とな
るから、押圧ガスＧ2によって反応ガスＧ1をサセプタ１
１表面側に圧迫することで基板Ｓ1，Ｓ2表面での反応ガ
ス不足を解消することにある。
用されている。即ち、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ａ
ｌＧａＮ等のＮを含むIII−Ｖ族化合物半導体の結晶膜
の成長は通常７００℃以上、例えば１０００℃以上の高
温下で進行するため、サセプタ１１上では熱対流が発生
し、反応ガスＧ1はサセプタ１１表面、換言すれば基板
Ｓ1，Ｓ2表面から離反してその上方に流れる傾向を示す
ため、そのままでは反応ガス供給量が不足する結果とな
るから、押圧ガスＧ2によって反応ガスＧ1をサセプタ１
１表面側に圧迫することで基板Ｓ1，Ｓ2表面での反応ガ
ス不足を解消することにある。
【０００７】つまり、２フロー−ＭＯＣＶＤ法では反応
ガスＧ1をサセプタ１１，基板Ｓ1，Ｓ2の表面に沿って
所定の流速で通流せしめた場合、反応ガスＧ1は高温の
サセプタ１１による熱対流によって、ノズルからの距離
が遠くなるに従ってサセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ2の表面
から離反し、浮き上がる傾向を呈するが、押圧ガスＧ2
をサセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ2の表面に直交する向きに
流して、サセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ2の表面から離反
し、浮き上がろうとする反応ガスＧ1をサセプタ１１、
基板Ｓ1，Ｓ2の表面側に向けて圧迫することで反応ガス
Ｇ1と基板Ｓ1，Ｓ2との接触面積を大きくし、反応の促
進を図っている。
ガスＧ1をサセプタ１１，基板Ｓ1，Ｓ2の表面に沿って
所定の流速で通流せしめた場合、反応ガスＧ1は高温の
サセプタ１１による熱対流によって、ノズルからの距離
が遠くなるに従ってサセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ2の表面
から離反し、浮き上がる傾向を呈するが、押圧ガスＧ2
をサセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ2の表面に直交する向きに
流して、サセプタ１１、基板Ｓ1，Ｓ2の表面から離反
し、浮き上がろうとする反応ガスＧ1をサセプタ１１、
基板Ｓ1，Ｓ2の表面側に向けて圧迫することで反応ガス
Ｇ1と基板Ｓ1，Ｓ2との接触面積を大きくし、反応の促
進を図っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の成長方法では押圧ガスＧ2は基板Ｓ1，Ｓ2の略全
面にわたって流す必要があるから、基板の枚数が増すと
多量の押圧ガスＧ2が必要となり、押圧ガスの供給ノズ
ル設備が大掛かりになり、ランニングコストが高くなる
等の問題があった。
従来の成長方法では押圧ガスＧ2は基板Ｓ1，Ｓ2の略全
面にわたって流す必要があるから、基板の枚数が増すと
多量の押圧ガスＧ2が必要となり、押圧ガスの供給ノズ
ル設備が大掛かりになり、ランニングコストが高くなる
等の問題があった。
【０００９】本発明はかかる事情に鑑みなされたもので
あって、その目的とするところは押圧ガスを不要として
設備の簡略化を図り、小型の装置で効率的に、高品質の
成膜が出来、コスト低減を可能とした半導体結晶膜の成
長方法を提供するにある。
あって、その目的とするところは押圧ガスを不要として
設備の簡略化を図り、小型の装置で効率的に、高品質の
成膜が出来、コスト低減を可能とした半導体結晶膜の成
長方法を提供するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
結晶膜の成長方法は、基板を加熱しつつ、反応ガスを用
いて該基板上に半導体結晶膜を成長させる方法におい
て、対向面が互いに離間対向してなる一対の対向部材を
備え、該両対向面の少なくとも一方に基板を装着し、反
応ガスを前記両対向面間に通流させることを特徴とす
る。
結晶膜の成長方法は、基板を加熱しつつ、反応ガスを用
いて該基板上に半導体結晶膜を成長させる方法におい
て、対向面が互いに離間対向してなる一対の対向部材を
備え、該両対向面の少なくとも一方に基板を装着し、反
応ガスを前記両対向面間に通流させることを特徴とす
る。
【００１１】前記両対向面の間隙の延在方向が横方向で
ある場合、熱対流の方向を考慮し、基板は少なくとも上
側対向面に装着されるのが好ましい。
ある場合、熱対流の方向を考慮し、基板は少なくとも上
側対向面に装着されるのが好ましい。
【００１２】また前記両対向面の間隙の延在方向が横方
向であって、基板が両対向面に装着される場合、熱対流
の方向を考慮し、反応ガスの通流は前記両対向面間の中
央下方位置からなされることが好ましい。
向であって、基板が両対向面に装着される場合、熱対流
の方向を考慮し、反応ガスの通流は前記両対向面間の中
央下方位置からなされることが好ましい。
【００１３】更に反応ガスが基板により均一に到達する
ためには、基板を保持する対向部材は回転することが好
ましい。
ためには、基板を保持する対向部材は回転することが好
ましい。
【００１４】更に基板面で均一な膜成長を得るために基
板に対し反応ガスを平行に噴射するのが望ましい。
板に対し反応ガスを平行に噴射するのが望ましい。
【００１５】更に、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ等
の窒素化合物の半導体結晶膜を成長させるのに好適であ
る。
の窒素化合物の半導体結晶膜を成長させるのに好適であ
る。
【００１６】第２の発明に係る半導体結晶膜の成長方法
は、前記両対向面の間隙の延在方向が縦方向であり、反
応ガスの前記両対向面間への通流が下方からなされるこ
とを特徴とする。
は、前記両対向面の間隙の延在方向が縦方向であり、反
応ガスの前記両対向面間への通流が下方からなされるこ
とを特徴とする。
【００１７】第３の発明に係る半導体結晶膜の成長方法
は、前記反応ガスは１又は複数のノズルから前記両対向
面間に吹き出されることを特徴とする。
は、前記反応ガスは１又は複数のノズルから前記両対向
面間に吹き出されることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下本発明をその実施例を示す図
面に基づき具体的に説明する。 （実施例１）図１は本発明に係る半導体結晶膜の成長方
法の実施状態を示す模式的側面図であり、図中１は反応
管、２，３は一対の対向部材を構成するサセプタ、４は
反応ガス供給管、Ｓ1，Ｓ2は基板を示している。
面に基づき具体的に説明する。 （実施例１）図１は本発明に係る半導体結晶膜の成長方
法の実施状態を示す模式的側面図であり、図中１は反応
管、２，３は一対の対向部材を構成するサセプタ、４は
反応ガス供給管、Ｓ1，Ｓ2は基板を示している。
【００１９】反応管１は内部の透視が可能な石英製の円
筒体１ａの両端に端板１ｂ，１ｃを嵌着して構成され、
内部は適宜の真空度に設定可能としてある。反応管１の
内部中央には図２（ａ）に示す如く上，下に所定の間隔
（１〜１０ｍｍ）を隔てて対向配置された一対のサセプ
タ２，３が夫々支持アームに軸支された状態で設置され
ている。
筒体１ａの両端に端板１ｂ，１ｃを嵌着して構成され、
内部は適宜の真空度に設定可能としてある。反応管１の
内部中央には図２（ａ）に示す如く上，下に所定の間隔
（１〜１０ｍｍ）を隔てて対向配置された一対のサセプ
タ２，３が夫々支持アームに軸支された状態で設置され
ている。
【００２０】サセプタ２，３は夫々円盤形に形成され、
夫々の対向面には基板Ｓ1，Ｓ2を嵌着する凹部２ａ，３
ａを夫々備えている。
夫々の対向面には基板Ｓ1，Ｓ2を嵌着する凹部２ａ，３
ａを夫々備えている。
【００２１】反応管１の一側からは、前記端板１ｂを貫
通して反応ガス供給管４が導入され、その先端のノズル
部４ａをサセプタ２，３の一側であって、対向面間の隙
間の略中央部に臨ませてある。
通して反応ガス供給管４が導入され、その先端のノズル
部４ａをサセプタ２，３の一側であって、対向面間の隙
間の略中央部に臨ませてある。
【００２２】また、反対側の端板１ｃの中央部には反応
ガス供給管４よりも大径の排気管５が貫設されている。
ガス供給管４よりも大径の排気管５が貫設されている。
【００２３】６は加熱用のコイルであって、サセプタ
２，３の配設域と対向する位置で、反応管１の円筒体１
ａの外周にこれと同心状に配設してある。
２，３の配設域と対向する位置で、反応管１の円筒体１
ａの外周にこれと同心状に配設してある。
【００２４】なお各サセプタ２，３は夫々その背面の中
心部を支持アームに軸支されており、図示しない駆動源
にて同方向又は逆方向に水平回転せしめられるようにな
っている。
心部を支持アームに軸支されており、図示しない駆動源
にて同方向又は逆方向に水平回転せしめられるようにな
っている。
【００２５】このような実施例１にあっては、例えばサ
ファイアからなる基板Ｓ1，Ｓ2をサセプタ２，３の凹部
２ａ，３ａに装着し、サセプタ２，３を夫々その中心軸
回りに水平回転させる。
ファイアからなる基板Ｓ1，Ｓ2をサセプタ２，３の凹部
２ａ，３ａに装着し、サセプタ２，３を夫々その中心軸
回りに水平回転させる。
【００２６】コイル６に通電して基板Ｓ1，Ｓ2を所定温
度に加熱しつつ反応ガス供給管４、ノズル４ａを通じて
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガス＋アンモニア（ＮＨ
3）ガス＋水素（Ｈ2）ガスを混合してなる反応ガスＧを
反応管１内へ供給する。
度に加熱しつつ反応ガス供給管４、ノズル４ａを通じて
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガス＋アンモニア（ＮＨ
3）ガス＋水素（Ｈ2）ガスを混合してなる反応ガスＧを
反応管１内へ供給する。
【００２７】反応ガスＧはノズル４ａからサセプタ２，
３間に吹き出され、これらをガイドとして対向する基板
Ｓ1，Ｓ2に沿って流れ、基板Ｓ1，Ｓ2表面と接触してＧ
ａＮ結晶が成長せしめられて成膜が行われる。
３間に吹き出され、これらをガイドとして対向する基板
Ｓ1，Ｓ2に沿って流れ、基板Ｓ1，Ｓ2表面と接触してＧ
ａＮ結晶が成長せしめられて成膜が行われる。
【００２８】反応ガスはガスの種類毎に個別のノズルか
ら供給してもよく、この場合はサセプタ２，３の対向す
る間隙に臨ませて複数個のノズルを並列配置する。これ
によってノズル位置，噴射速度等の条件を独立に制御可
能でより良好な成膜が可能となり、結晶膜品質の向上が
図れる。
ら供給してもよく、この場合はサセプタ２，３の対向す
る間隙に臨ませて複数個のノズルを並列配置する。これ
によってノズル位置，噴射速度等の条件を独立に制御可
能でより良好な成膜が可能となり、結晶膜品質の向上が
図れる。
【００２９】なお、上述の実施例１では各サセプタ２，
３夫々に基板Ｓ1，Ｓ2を対向させて装着した場合を示し
たが、いずれか一方のみに基板を装着することとしても
よい。
３夫々に基板Ｓ1，Ｓ2を対向させて装着した場合を示し
たが、いずれか一方のみに基板を装着することとしても
よい。
【００３０】基板を一方のサセプタ２又は３のみに装着
する場合は、反応ガスが受ける熱対流の影響を考慮して
上側に位置するサセプタ２に設けるのが望ましい。また
基板を２枚設置する場合は、両基板上の成長層の膜質を
同一にするため、ノズル４ａの位置は熱対流の影響を考
慮して両サセプタ２，３間の間隙の中央よりも下方寄り
に位置させるのが望ましい。
する場合は、反応ガスが受ける熱対流の影響を考慮して
上側に位置するサセプタ２に設けるのが望ましい。また
基板を２枚設置する場合は、両基板上の成長層の膜質を
同一にするため、ノズル４ａの位置は熱対流の影響を考
慮して両サセプタ２，３間の間隙の中央よりも下方寄り
に位置させるのが望ましい。
【００３１】更に、この場合両サセプタ２，３は反応ガ
ス流の乱れを抑制するよう同方向に回転させるのが望ま
しい。 （数値例）サファイアのｃ面を主面とする２枚の基板
を、上，下方向に１〜１０ｍｍの間隔を隔てて対向配置
したカーボンサセプタにおける対向面に夫々装着し、基
板を１１５０℃に加熱しつつ、反応ガスとしてＮＨ3：
３．２ｌ／分、ＴＭＧ：２４μｍｏｌ／分、Ｈ2ガス１
ｌ／分をカーボンサセプタ間に通流させ、成膜を行っ
た。
ス流の乱れを抑制するよう同方向に回転させるのが望ま
しい。 （数値例）サファイアのｃ面を主面とする２枚の基板
を、上，下方向に１〜１０ｍｍの間隔を隔てて対向配置
したカーボンサセプタにおける対向面に夫々装着し、基
板を１１５０℃に加熱しつつ、反応ガスとしてＮＨ3：
３．２ｌ／分、ＴＭＧ：２４μｍｏｌ／分、Ｈ2ガス１
ｌ／分をカーボンサセプタ間に通流させ、成膜を行っ
た。
【００３２】その結果、２フロー−ＭＯＣＶＤ法に依っ
て得た成長層と略同程度の品質のＧａＮ成長層が形成さ
れた２枚の基板（ウエハ）を、従来方法において必要な
反応ガス流量の約４割のガス流量で得られることが確認
出来た。 （実施例２）図２（ｂ）は本発明の実施例２を示す模式
図であり、この実施例２では図１に示す反応管１を全体
として垂直面で右向きに９０°回転させて、略垂直をな
すよう配置して実施している状態に相当する。
て得た成長層と略同程度の品質のＧａＮ成長層が形成さ
れた２枚の基板（ウエハ）を、従来方法において必要な
反応ガス流量の約４割のガス流量で得られることが確認
出来た。 （実施例２）図２（ｂ）は本発明の実施例２を示す模式
図であり、この実施例２では図１に示す反応管１を全体
として垂直面で右向きに９０°回転させて、略垂直をな
すよう配置して実施している状態に相当する。
【００３３】この実施例２では、サセプタ２，３は夫々
基板Ｓ1，Ｓ2の装着面を向かい合わせにして相互に所定
の間隔（１〜１０ｍｍ）を隔てて縦向きに対向配設さ
れ、夫々垂直面内で回転せしめられるようになってい
る。両サセプタ２，３の間隙の下端であって、その間隙
の略中央に位置させて反応ガス供給用のノズルを設置す
る。
基板Ｓ1，Ｓ2の装着面を向かい合わせにして相互に所定
の間隔（１〜１０ｍｍ）を隔てて縦向きに対向配設さ
れ、夫々垂直面内で回転せしめられるようになってい
る。両サセプタ２，３の間隙の下端であって、その間隙
の略中央に位置させて反応ガス供給用のノズルを設置す
る。
【００３４】このような実施例２にあってはノズルから
吹き出される反応ガスは熱対流の原因となる熱を両側の
サセプタ２，３から略等しく受けるため、反応ガス流の
片寄りが少なく基板Ｓ1，Ｓ2に対し均一な成膜が可能と
なる。
吹き出される反応ガスは熱対流の原因となる熱を両側の
サセプタ２，３から略等しく受けるため、反応ガス流の
片寄りが少なく基板Ｓ1，Ｓ2に対し均一な成膜が可能と
なる。
【００３５】なお基板は一枚でもよく、この場合はサセ
プタ２，３のいずれの側に装着してもよい。他の構成は
実施例１のそれと実質的に同じであり、説明を省略す
る。
プタ２，３のいずれの側に装着してもよい。他の構成は
実施例１のそれと実質的に同じであり、説明を省略す
る。
【００３６】また、本発明により基板上に複数の成長層
を順次形成できるのは勿論のことである。
を順次形成できるのは勿論のことである。
【００３７】
【発明の効果】以上の如く第１の発明にあっては、一対
の対向部材における対向面の少なくとも一方に基板を装
着して対向部材間に反応ガスを通流し、成膜を行うこと
としたから、反応ガスは対向面に案内されて、自然に基
板表面に沿って流れることとなり、押圧ガスを必要とせ
ず、反応ガスと基板との接触が無駄なく行われ、均質な
結晶成長膜が得られると共に、反応ガス量の大幅な節減
が可能となる。
の対向部材における対向面の少なくとも一方に基板を装
着して対向部材間に反応ガスを通流し、成膜を行うこと
としたから、反応ガスは対向面に案内されて、自然に基
板表面に沿って流れることとなり、押圧ガスを必要とせ
ず、反応ガスと基板との接触が無駄なく行われ、均質な
結晶成長膜が得られると共に、反応ガス量の大幅な節減
が可能となる。
【００３８】即ち、第１の発明にあっては、一対の対向
部材における両対向面の少なくとも一方に基板を装着
し、この間に反応ガスを通流させることで、対向面を反
応ガスのガイドとして機能させ、従来の如く押圧ガスを
全く必要とせず、反応ガスを効率的に基板表面に沿って
通流せしめ得る。
部材における両対向面の少なくとも一方に基板を装着
し、この間に反応ガスを通流させることで、対向面を反
応ガスのガイドとして機能させ、従来の如く押圧ガスを
全く必要とせず、反応ガスを効率的に基板表面に沿って
通流せしめ得る。
【００３９】第２の発明にあっては、縦向きに対向させ
た対向部材間に反応ガスを下側から通流させることで高
温の対向部材に起因する熱が反応ガス流に及ぼす熱対流
化という悪影響を低減し得、均質な成膜が可能となる。
た対向部材間に反応ガスを下側から通流させることで高
温の対向部材に起因する熱が反応ガス流に及ぼす熱対流
化という悪影響を低減し得、均質な成膜が可能となる。
【００４０】即ち、第２の発明にあっては、縦向きに反
応ガスを流すことで対向部材の熱による熱対流の影響を
低減し得る。
応ガスを流すことで対向部材の熱による熱対流の影響を
低減し得る。
【００４１】第３の発明にあっては、一のノズルから反
応ガスを供給することで設備の簡略化が図れ、また複数
のノズルから反応ガスを個別に供給することで各反応ガ
ス夫々に個別に吹き出し位置等の設定制御が出来て、各
基板表面に対し均一な成膜が可能となり、結晶膜品質の
向上を図れる。
応ガスを供給することで設備の簡略化が図れ、また複数
のノズルから反応ガスを個別に供給することで各反応ガ
ス夫々に個別に吹き出し位置等の設定制御が出来て、各
基板表面に対し均一な成膜が可能となり、結晶膜品質の
向上を図れる。
【００４２】即ち、第３の発明にあっては、反応ガスを
１又は複数のノズルからサセプタ間に通流させること
で、反応ガス流と基板表面との効率的な接触が得られる
よう反応ガスを通流することが可能となる。
１又は複数のノズルからサセプタ間に通流させること
で、反応ガス流と基板表面との効率的な接触が得られる
よう反応ガスを通流することが可能となる。
【図１】本発明方法の実施状態を示す模式的側面図であ
る。
る。
【図２】（ａ）は図１に示すサセプタを拡大して示す模
式図であり、（ｂ）はサセプタの他の配置例を示す模式
図である。
式図であり、（ｂ）はサセプタの他の配置例を示す模式
図である。
【図３】従来方法の実施状態を示す模式図である。
１ 反応管 ２，３ サセプタ ４ 反応ガス供給管 ４ａ ノズル ５ 排気管 Ｓ1，Ｓ2 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 基板を加熱しつつ、反応ガスを用いて該
基板上に半導体結晶膜を成長させる方法において、対向
面が互いに離間対向してなる一対の対向部材を備え、該
両対向面の少なくとも一方に基板を装着し、反応ガスを
前記両対向面間に通流させることを特徴とする半導体結
晶膜の成長方法。 - 【請求項２】 前記両対向面の間隙の延在方向が縦方向
であり、反応ガスの前記両対向面間への通流が下方から
なされることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶膜
の成長方法。 - 【請求項３】 前記反応ガスは１又は複数のノズルから
前記両対向面間に吹き出されることを特徴とする請求項
１又は２記載の半導体結晶膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12580596A JPH0940491A (ja) | 1995-05-22 | 1996-05-21 | 半導体結晶膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-122839 | 1995-05-22 | ||
| JP12283995 | 1995-05-22 | ||
| JP12580596A JPH0940491A (ja) | 1995-05-22 | 1996-05-21 | 半導体結晶膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0940491A true JPH0940491A (ja) | 1997-02-10 |
Family
ID=26459888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12580596A Pending JPH0940491A (ja) | 1995-05-22 | 1996-05-21 | 半導体結晶膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0940491A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010537422A (ja) * | 2007-08-22 | 2010-12-02 | 株式会社テラセミコン | 半導体製造装置 |
| CN102844264A (zh) * | 2010-02-13 | 2012-12-26 | 麦卡利斯特技术有限责任公司 | 热化学过程的诱导及相关系统和方法 |
| EP2533975A4 (en) * | 2010-02-13 | 2014-01-15 | Mcalister Technologies Llc | ARCHITECTONIC CONSTRUCTURE WITH, FOR EXAMPLE, SEVERAL ARCHITECTURAL CRYSTALS |
| US8828491B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-09-09 | Mcalister Technologies, Llc | Methods for manufacturing architectural constructs |
| US8980416B2 (en) | 2009-02-17 | 2015-03-17 | Mcalister Technologies, Llc | Architectural construct having for example a plurality of architectural crystals |
| US9511663B2 (en) | 2013-05-29 | 2016-12-06 | Mcalister Technologies, Llc | Methods for fuel tank recycling and net hydrogen fuel and carbon goods production along with associated apparatus and systems |
| US9534296B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-01-03 | Mcalister Technologies, Llc | Methods of manufacture of engineered materials and devices |
| US9617983B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-04-11 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
-
1996
- 1996-05-21 JP JP12580596A patent/JPH0940491A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010537422A (ja) * | 2007-08-22 | 2010-12-02 | 株式会社テラセミコン | 半導体製造装置 |
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| EP2534094A4 (en) * | 2010-02-13 | 2014-01-01 | Mcalister Technologies Llc | INDUCTION FOR THERMOCHEMICAL PROCESSES AND CORRESPONDING SYSTEMS AND METHODS |
| EP2533975A4 (en) * | 2010-02-13 | 2014-01-15 | Mcalister Technologies Llc | ARCHITECTONIC CONSTRUCTURE WITH, FOR EXAMPLE, SEVERAL ARCHITECTURAL CRYSTALS |
| CN102844264B (zh) * | 2010-02-13 | 2016-04-20 | 麦卡利斯特技术有限责任公司 | 热化学过程的诱导及相关系统和方法 |
| US8828491B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-09-09 | Mcalister Technologies, Llc | Methods for manufacturing architectural constructs |
| US9617983B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-04-11 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
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| US9511663B2 (en) | 2013-05-29 | 2016-12-06 | Mcalister Technologies, Llc | Methods for fuel tank recycling and net hydrogen fuel and carbon goods production along with associated apparatus and systems |
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