JPH04337627A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH04337627A JPH04337627A JP10946591A JP10946591A JPH04337627A JP H04337627 A JPH04337627 A JP H04337627A JP 10946591 A JP10946591 A JP 10946591A JP 10946591 A JP10946591 A JP 10946591A JP H04337627 A JPH04337627 A JP H04337627A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長装置、特に光通
信用の発光、受光素子等を製造するための化合物半導体
エピタキシャルウエーハを製造する際に用いるＭＯＶＰ
Ｅ（有機金属気相エピタキシャル）装置等の縦型の気相
成長装置に関する。
信用の発光、受光素子等を製造するための化合物半導体
エピタキシャルウエーハを製造する際に用いるＭＯＶＰ
Ｅ（有機金属気相エピタキシャル）装置等の縦型の気相
成長装置に関する。
【０００２】エピタキシャルウエーハの製造では、大面
積にわたって均一な成長膜厚が得られることが望まれる
。そのため均一な成長膜厚を得る一方法として、近時、
縦型のＭＯＶＰＥ装置を用い、且つ複数のノズルから成
長原料を含むガス（成長ガス）を被成長基板面に向かっ
て吹出させるようにすることによって、ガスの対流や滞
留によるガス流の乱れを抑えて被成長基板上で成長ガス
の層流を実現し、これによって成長膜厚の均一性を高め
る方法が提案されている。
積にわたって均一な成長膜厚が得られることが望まれる
。そのため均一な成長膜厚を得る一方法として、近時、
縦型のＭＯＶＰＥ装置を用い、且つ複数のノズルから成
長原料を含むガス（成長ガス）を被成長基板面に向かっ
て吹出させるようにすることによって、ガスの対流や滞
留によるガス流の乱れを抑えて被成長基板上で成長ガス
の層流を実現し、これによって成長膜厚の均一性を高め
る方法が提案されている。
【０００３】しかしこの方法は、一定の寸法形状を有す
る被成長基板に対しては十分な効果が得られるが、光素
子用のエピタキシャルウエーハの製造に用いる被成長基
板のように、基板の寸法、形状が、円形、矩形、大面積
、小面積等種々に異なる場合には、成長ガスの消費効率
の低下、欠陥の発生等の面で不十分であり、改良が望ま
れていた。
る被成長基板に対しては十分な効果が得られるが、光素
子用のエピタキシャルウエーハの製造に用いる被成長基
板のように、基板の寸法、形状が、円形、矩形、大面積
、小面積等種々に異なる場合には、成長ガスの消費効率
の低下、欠陥の発生等の面で不十分であり、改良が望ま
れていた。
【０００４】
【従来の技術】図３は従来の縦型ＭＯＶＰＥ装置の縦方
向断面模式図で、図中、１は成長原料を含んだガスの供
給管、３はカーボンサセプタ、３Ｐは基板搭載溝、４は
被成長基板、５１ 、５２ 、５３ 、５４ 、５５
はガス吹き出しノズル、６１ 、６２ 、６３ 、６４
、６５ はガス流量制御手段、７１ 、７２ 、７３
、７４ 、７５ はストップパルブ、１１は真空排気
口、１２は反応容器（反応管）、１３はサセプタを定速
で回転させる回転軸を示す。
向断面模式図で、図中、１は成長原料を含んだガスの供
給管、３はカーボンサセプタ、３Ｐは基板搭載溝、４は
被成長基板、５１ 、５２ 、５３ 、５４ 、５５
はガス吹き出しノズル、６１ 、６２ 、６３ 、６４
、６５ はガス流量制御手段、７１ 、７２ 、７３
、７４ 、７５ はストップパルブ、１１は真空排気
口、１２は反応容器（反応管）、１３はサセプタを定速
で回転させる回転軸を示す。
【０００５】同装置を用いた従来のエピタキシャル成長
においては、サセプタ３に形成されている基板搭載溝３
Ｐに適合する被成長基板４上の成長膜厚が均一になるよ
うに各々のノズル５１ 〜５５ から吹出す成長原料を
含んだガスの流量を制御し、被成長基板４の大小に係わ
らず常に同一条件で総てのノズル５１ 〜５５ から成
長原料を含んだガスを吹出させることにより、ガスの対
流や滞留を防止して均一な膜厚のエピタキシャル成長を
行うか（第１の方法）、若しくは被成長基板毎にその形
状や大きさに見合った反応容器（反応管）及びガス吹出
しノズル等の成長治具に交換することによって成長膜厚
の均一化を図って成長を行う方法（第２の方法）が用い
られていた。
においては、サセプタ３に形成されている基板搭載溝３
Ｐに適合する被成長基板４上の成長膜厚が均一になるよ
うに各々のノズル５１ 〜５５ から吹出す成長原料を
含んだガスの流量を制御し、被成長基板４の大小に係わ
らず常に同一条件で総てのノズル５１ 〜５５ から成
長原料を含んだガスを吹出させることにより、ガスの対
流や滞留を防止して均一な膜厚のエピタキシャル成長を
行うか（第１の方法）、若しくは被成長基板毎にその形
状や大きさに見合った反応容器（反応管）及びガス吹出
しノズル等の成長治具に交換することによって成長膜厚
の均一化を図って成長を行う方法（第２の方法）が用い
られていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、前記第１の方
法によれば、小さな基板上に成長を行う際、成長に寄与
しない余分な原料ガスを流すことになって不経済である
と同時に、基板以外の部分（主としてカーボンサセプタ
上）に付着する分解生成物の増加により、この分解生成
物の剥脱飛散粒子に起因する表面欠陥が生じ易くなると
いう問題が生じていた。また、前記第２の方法によれば
、反応管、ノズル等の交換、雰囲気の安定化、条件設定
等の手番のためにスループットが低下するという問題が
あった。
法によれば、小さな基板上に成長を行う際、成長に寄与
しない余分な原料ガスを流すことになって不経済である
と同時に、基板以外の部分（主としてカーボンサセプタ
上）に付着する分解生成物の増加により、この分解生成
物の剥脱飛散粒子に起因する表面欠陥が生じ易くなると
いう問題が生じていた。また、前記第２の方法によれば
、反応管、ノズル等の交換、雰囲気の安定化、条件設定
等の手番のためにスループットが低下するという問題が
あった。
【０００７】そこで本発明は、被成長基板の大小に係わ
らず均一な膜厚のエピタキシャル成長層を、反応容器（
反応管）、ガス吹出しノズル等の成長治具を交換するこ
となく、また余分な原料ガスを流さず原料ガスを有効に
使って成長することができる気相成長装置を提供するこ
とを目的とする。
らず均一な膜厚のエピタキシャル成長層を、反応容器（
反応管）、ガス吹出しノズル等の成長治具を交換するこ
となく、また余分な原料ガスを流さず原料ガスを有効に
使って成長することができる気相成長装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、反応
容器内へ一方向からガスを導入する複数のガス吹き出し
口を有し、被成長基板が該ガス吹出し口に対向して配置
される気相成長装置において、成長原料を含む第１のガ
スと、成長原料を含まない第２のガスとを、個々のガス
吹出し口について独立に切り換えて反応容器内へ導入す
ることを可能にした本発明による気相成長装置によって
達成される。
容器内へ一方向からガスを導入する複数のガス吹き出し
口を有し、被成長基板が該ガス吹出し口に対向して配置
される気相成長装置において、成長原料を含む第１のガ
スと、成長原料を含まない第２のガスとを、個々のガス
吹出し口について独立に切り換えて反応容器内へ導入す
ることを可能にした本発明による気相成長装置によって
達成される。
【０００９】
【作用】図１は本発明の原理説明用模式図で（ａ） は
ガス吹き出しノズル配置を示す平面図、（ｂ） は装置
要部の縦方向断面模式図である。
ガス吹き出しノズル配置を示す平面図、（ｂ） は装置
要部の縦方向断面模式図である。
【００１０】この図に示すように本発明の気相成長装置
においては、例えば上部壁面の同一平面Ｓ上に例えば図
（ａ） のような配置でｎ個のガス吹出しノズル５が整
列配置され、図（ｂ） に示すように、各々のノズル５
１ 〜５ｎ それぞれの手前にガス流量制御手段６１
〜６ｎ が接続され、各ガス流量制御手段６１ 〜６ｎ
はそれぞれ第１の配管９１ 〜９ｎ 及び第１のスト
ップバルブ７１ 〜７ｎ を経て成長原料を含むガスの
供給管１に接続される。そして更に第１の配管９１ 〜
９ｎ には、それぞれバイパスとして第２の配管１０１
〜１０ｎ が接続され、この第２の配管１０１ 〜１
０ｎ はそれぞれ第２のストップバルブ８１ 〜８ｎ
を介し成長原料を含まないガスの供給管２に接続されて
構成される。
においては、例えば上部壁面の同一平面Ｓ上に例えば図
（ａ） のような配置でｎ個のガス吹出しノズル５が整
列配置され、図（ｂ） に示すように、各々のノズル５
１ 〜５ｎ それぞれの手前にガス流量制御手段６１
〜６ｎ が接続され、各ガス流量制御手段６１ 〜６ｎ
はそれぞれ第１の配管９１ 〜９ｎ 及び第１のスト
ップバルブ７１ 〜７ｎ を経て成長原料を含むガスの
供給管１に接続される。そして更に第１の配管９１ 〜
９ｎ には、それぞれバイパスとして第２の配管１０１
〜１０ｎ が接続され、この第２の配管１０１ 〜１
０ｎ はそれぞれ第２のストップバルブ８１ 〜８ｎ
を介し成長原料を含まないガスの供給管２に接続されて
構成される。
【００１１】このような構成を有する本発明に係る気相
成長装置においては、このノズル面に対向して配置され
る直径Ｌの第１の被成長基板４上に成長を行う際には、
第１のストップバルブ７１ 〜７ｎ を開き、第２のス
トップバルブ８１ 〜８ｎ を閉じて、総てのガス吹き
出しノズル５１ 〜５ｎ から成長原料を含むガスを放
出導入することにより直径Ｌの第１の被成長基板４上に
均一厚さのエピタキシャル層の成長を行う。その後、例
えば前記第１の被成長基板４より小さい直径ｌの第２の
被成長基板４′上に成長を行う際には、この基板４′上
に対向するガス吹出しノズル例えば５３ 〜５ｎ−２
に対応する第１のストップバルブ７３ 〜７ｎ−２ を
開き、第２のストップバルブ８３ 〜８ｎ−２ を閉じ
てこれらガス吹出しノズル５３ 〜５ｎ−２ から成長
原料を含んだガスを導入し、前記第２の被成長基板４′
上から外れた位置のガス吹き出しノズル５１ 〜５２
及び５ｎ−１ 〜５ｎ に対応する第１のストップバル
ブ７１ 〜７２ 及び７ｎ−１ 〜７ｎ を閉じ、第２
のストップバルブ８１ 〜８２ 及び８ｎ−１ 〜８ｎ
を開いてガス吹き出しノズル５１ 〜５２ 及び５ｎ
−１ 〜５ｎ から成長原料を含まないガス例えば水素
を、第１の被成長基板４の場合にこれらノズルから導入
された原料を含んだガスとほぼ等しい流量で導入し、直
径ｌの小さい第２の被成長基板４′上に均一な厚さのエ
ピタキシャル層の成長を行う。
成長装置においては、このノズル面に対向して配置され
る直径Ｌの第１の被成長基板４上に成長を行う際には、
第１のストップバルブ７１ 〜７ｎ を開き、第２のス
トップバルブ８１ 〜８ｎ を閉じて、総てのガス吹き
出しノズル５１ 〜５ｎ から成長原料を含むガスを放
出導入することにより直径Ｌの第１の被成長基板４上に
均一厚さのエピタキシャル層の成長を行う。その後、例
えば前記第１の被成長基板４より小さい直径ｌの第２の
被成長基板４′上に成長を行う際には、この基板４′上
に対向するガス吹出しノズル例えば５３ 〜５ｎ−２
に対応する第１のストップバルブ７３ 〜７ｎ−２ を
開き、第２のストップバルブ８３ 〜８ｎ−２ を閉じ
てこれらガス吹出しノズル５３ 〜５ｎ−２ から成長
原料を含んだガスを導入し、前記第２の被成長基板４′
上から外れた位置のガス吹き出しノズル５１ 〜５２
及び５ｎ−１ 〜５ｎ に対応する第１のストップバル
ブ７１ 〜７２ 及び７ｎ−１ 〜７ｎ を閉じ、第２
のストップバルブ８１ 〜８２ 及び８ｎ−１ 〜８ｎ
を開いてガス吹き出しノズル５１ 〜５２ 及び５ｎ
−１ 〜５ｎ から成長原料を含まないガス例えば水素
を、第１の被成長基板４の場合にこれらノズルから導入
された原料を含んだガスとほぼ等しい流量で導入し、直
径ｌの小さい第２の被成長基板４′上に均一な厚さのエ
ピタキシャル層の成長を行う。
【００１２】上記成長において、各ガス吹出しノズル５
１ 〜５ｎから放出されるガス流量及び成長原料を含む
ガスの原料濃度は、ほぼ一定とする。従って上記本発明
の気相成長装置によれば被成長基板の大きさにほぼ比例
した成長原料を含むガスを流せばよく、原料ガスの節減
が図れる。
１ 〜５ｎから放出されるガス流量及び成長原料を含む
ガスの原料濃度は、ほぼ一定とする。従って上記本発明
の気相成長装置によれば被成長基板の大きさにほぼ比例
した成長原料を含むガスを流せばよく、原料ガスの節減
が図れる。
【００１３】また、被成長基板が小さい場合にも、被成
長基板の周辺に表出しているサセプタ上に反応生成物が
堆積することがなくなるので、反応生成物の剥脱飛散粒
子による成長欠陥の発生は回避される。
長基板の周辺に表出しているサセプタ上に反応生成物が
堆積することがなくなるので、反応生成物の剥脱飛散粒
子による成長欠陥の発生は回避される。
【００１４】
【実施例】以下本発明を、一実施例について、図２に示
す装置要部の縦方向断面模式図を参照して具体的に説明
する。
す装置要部の縦方向断面模式図を参照して具体的に説明
する。
【００１５】この実施例に用いた縦型ＭＯＶＰＥ装置は
、底部に真空排気口１１を有する反応容器（反応管）１
２の上部の同一平面上に例えば一列に５本のガス吹き出
しノズル５１ 〜５５ が順次配置され、この反応容器
１２内に被成長基板４をノズル面に平行に対向して支持
する例えばカーボンからなるサセプタ３が回転軸１３に
よって支持されて配置され、前記ガス吹出しノズル５１
〜５５ はそれぞれガス流量制御手段６１ 〜６５
、第１の配管９１ 〜９５ 及び第１のストップバルブ
７１ 〜７５ を順次介して成長原料を含むガスの供給
管１に接続され、且つ第１の配管９１ 〜９５ にはそ
れぞれバイパスとして第２の配管１０１ 〜１０５が接
続され、これら第２の配管１０１ 〜１０５ がそれぞ
れ第２のストップバルブ８１ 〜８５ を介して成長原
料を含まないガスの供給管２に接続された構造を有する
。
、底部に真空排気口１１を有する反応容器（反応管）１
２の上部の同一平面上に例えば一列に５本のガス吹き出
しノズル５１ 〜５５ が順次配置され、この反応容器
１２内に被成長基板４をノズル面に平行に対向して支持
する例えばカーボンからなるサセプタ３が回転軸１３に
よって支持されて配置され、前記ガス吹出しノズル５１
〜５５ はそれぞれガス流量制御手段６１ 〜６５
、第１の配管９１ 〜９５ 及び第１のストップバルブ
７１ 〜７５ を順次介して成長原料を含むガスの供給
管１に接続され、且つ第１の配管９１ 〜９５ にはそ
れぞれバイパスとして第２の配管１０１ 〜１０５が接
続され、これら第２の配管１０１ 〜１０５ がそれぞ
れ第２のストップバルブ８１ 〜８５ を介して成長原
料を含まないガスの供給管２に接続された構造を有する
。
【００１６】この装置を用い例えばインジウム燐〔Ｉｎ
Ｐ〕のエピタキシャル成長を行う際には、原料ガスとし
て２０％フォスフィン［ＰＨ３］ （水素ベース）
とトリメチルインジウム［（ＣＨ３）３Ｉｎ］（昇華容
器温度２０℃）を用い、２０％ＰＨ３ １０００ｃｃｍ
と（ＣＨ３）３Ｉｎ１５０ｃｃｍをキャリアガスであ
る水素［Ｈ２］８８５０ｃｃｍ に混入して成長原料を
含む第１のガスを調整した。また成長原料を含まない第
２のガスにはＨ２ガスを用いた。
Ｐ〕のエピタキシャル成長を行う際には、原料ガスとし
て２０％フォスフィン［ＰＨ３］ （水素ベース）
とトリメチルインジウム［（ＣＨ３）３Ｉｎ］（昇華容
器温度２０℃）を用い、２０％ＰＨ３ １０００ｃｃｍ
と（ＣＨ３）３Ｉｎ１５０ｃｃｍをキャリアガスであ
る水素［Ｈ２］８８５０ｃｃｍ に混入して成長原料を
含む第１のガスを調整した。また成長原料を含まない第
２のガスにはＨ２ガスを用いた。
【００１７】そして、ガス吹き出しノズル５１ 〜５５
までのの配置寸法に対応する例えば直径３インチの例
えばＩｎＰからなる被成長基板４上へのＩｎＰ層のエピ
タキシャルに際しては、第１のストップバルブ７１ 〜
７５ を総て開き、第２のストップバルブ８１ 〜８５
を総て閉じ、ガス流量制御手段６１ 〜６５ で制御
して、例えば、ガス吹出しノズル５１ 及び５５ の流
量を２２４０ｃｃｍ 、５２ 及び５４ の流量を１９
００ｃｃｍ 、５３ の流量を１７２０ｃｃｍ にそれ
ぞれ調節してすべてのガス吹出しノズル５１ 〜５５
から第１のガスを導入し、反応容器１２内のガス圧を７
６Ｔｏｒｒに保持し、サセプタを５０〜６０ｒｐｍ で
回転させながら、 ６３０℃で１μｍの厚さのＩｎＰ層
を成長させた。
までのの配置寸法に対応する例えば直径３インチの例
えばＩｎＰからなる被成長基板４上へのＩｎＰ層のエピ
タキシャルに際しては、第１のストップバルブ７１ 〜
７５ を総て開き、第２のストップバルブ８１ 〜８５
を総て閉じ、ガス流量制御手段６１ 〜６５ で制御
して、例えば、ガス吹出しノズル５１ 及び５５ の流
量を２２４０ｃｃｍ 、５２ 及び５４ の流量を１９
００ｃｃｍ 、５３ の流量を１７２０ｃｃｍ にそれ
ぞれ調節してすべてのガス吹出しノズル５１ 〜５５
から第１のガスを導入し、反応容器１２内のガス圧を７
６Ｔｏｒｒに保持し、サセプタを５０〜６０ｒｐｍ で
回転させながら、 ６３０℃で１μｍの厚さのＩｎＰ層
を成長させた。
【００１８】この成長において、３インチ基板４の周辺
３ｍｍを除いた領域におけるエピタキシャル層の膜厚の
分布は±２．５ ％以内であった。次いで、直径２イン
チのＩｎＰからなる被成長基板上に、この基板上に位置
するガス吹出しノズル５２ 、５３ 、５４ に３イン
チ基板の場合と同様な流量、即ちノズル５２ と５４
に１９００ｃｃｍ 、５３ に１７２０ｃｃｍ の第１
のガスを流し、第１のストップバルブ７１ と７５ を
閉じ、第２のストップバルブ８１ と８５ を開いて、
ガス吹出しノズル５１ と５５ から、３インチ基板上
への成長の場合の原料を含むガスの流量２２４０ｃｃｍ
とほぼ同流量の成長原料を含まないガス例えば水素［
Ｈ２］を導入し、前記３インチ基板の場合と同様な容器
内ガス圧、回転数、温度において、厚さ１μｍのＩｎＰ
層のエピタキシャル成長を行った。
３ｍｍを除いた領域におけるエピタキシャル層の膜厚の
分布は±２．５ ％以内であった。次いで、直径２イン
チのＩｎＰからなる被成長基板上に、この基板上に位置
するガス吹出しノズル５２ 、５３ 、５４ に３イン
チ基板の場合と同様な流量、即ちノズル５２ と５４
に１９００ｃｃｍ 、５３ に１７２０ｃｃｍ の第１
のガスを流し、第１のストップバルブ７１ と７５ を
閉じ、第２のストップバルブ８１ と８５ を開いて、
ガス吹出しノズル５１ と５５ から、３インチ基板上
への成長の場合の原料を含むガスの流量２２４０ｃｃｍ
とほぼ同流量の成長原料を含まないガス例えば水素［
Ｈ２］を導入し、前記３インチ基板の場合と同様な容器
内ガス圧、回転数、温度において、厚さ１μｍのＩｎＰ
層のエピタキシャル成長を行った。
【００１９】そしてこの成長においても、２インチ基板
の周辺３ｍｍを除いた領域において±２．５ ％以内の
膜厚の分布が得られた。またこの成長において、被成長
基板の外側に露出しているサセプタ上に位置するガス吹
出しノズルから導入されるガスは、成長原料を含まない
ガス例えば水素［Ｈ２］であるので、露出するサセプタ
上に反応生成物が厚く堆積することはなく、従ってエピ
タキシャル層に反応生成物の剥落飛散粒子による欠陥は
殆ど生じなかった。
の周辺３ｍｍを除いた領域において±２．５ ％以内の
膜厚の分布が得られた。またこの成長において、被成長
基板の外側に露出しているサセプタ上に位置するガス吹
出しノズルから導入されるガスは、成長原料を含まない
ガス例えば水素［Ｈ２］であるので、露出するサセプタ
上に反応生成物が厚く堆積することはなく、従ってエピ
タキシャル層に反応生成物の剥落飛散粒子による欠陥は
殆ど生じなかった。
【００２０】以上の実施例から明らかなように本発明に
係るＭＯＶＰＥ装置においては、大きさの異なる基板に
対しても成長治具を交換せずに同様に均一な厚さを有し
欠陥の少ないエピタキシャル層を成長することができ、
且つまた、成長原料を含むガスの量を、小さい基板上に
成長する際には、それに応じて減少せしめることができ
る。
係るＭＯＶＰＥ装置においては、大きさの異なる基板に
対しても成長治具を交換せずに同様に均一な厚さを有し
欠陥の少ないエピタキシャル層を成長することができ、
且つまた、成長原料を含むガスの量を、小さい基板上に
成長する際には、それに応じて減少せしめることができ
る。
【００２１】なお本発明の構造は、ＭＯＶＰＥ装置に限
らず、その他の縦型気相成長装置にも、勿論適用できる
。また、成長原料を含まないガスには、窒素、不活性ガ
ス等も用いられる。
らず、その他の縦型気相成長装置にも、勿論適用できる
。また、成長原料を含まないガスには、窒素、不活性ガ
ス等も用いられる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、如何
なる大きさの被成長基板上へも、成長治具の交換を行わ
ずに均一な膜厚のエピタキシャル層を成長させることが
できるので、装置のダウンタイムを生ぜず、スループッ
トが向上する。
なる大きさの被成長基板上へも、成長治具の交換を行わ
ずに均一な膜厚のエピタキシャル層を成長させることが
できるので、装置のダウンタイムを生ぜず、スループッ
トが向上する。
【００２３】また、被成長基板の大きさにほぼ比例して
成長原料を含むガスの流量が決定されるので、余分な原
料を使用せず、製造コストの低減を図りながら膜厚の均
一性の優れたエピタキシャル成長が可能になる。
成長原料を含むガスの流量が決定されるので、余分な原
料を使用せず、製造コストの低減を図りながら膜厚の均
一性の優れたエピタキシャル成長が可能になる。
【図１】 本発明の原理説明用模式図
【図２】 本
発明の一実施例の縦方向模式断面図
発明の一実施例の縦方向模式断面図
【図３】 従来の
縦型ＭＯＶＰＥ装置の縦方向断面模式図
縦型ＭＯＶＰＥ装置の縦方向断面模式図
１ 成長原料を含むガス（第１のガス）の供給管２
成長原料を含まないガス（第２のガス）の供給管３
サセプタ ４ 第１の被成長基板 ４′第２の被成長基板 ５１ 〜５ｎ ガス吹出しノズル ６１ 〜６ｎ ガス流量制御手段 ７１ 〜７ｎ 第１のストップバルブ８１ 〜８ｎ
第２のストップバルブ９１ 〜９ｎ 第１の
配管 １０１ 〜１０ｎ 第２の配管 １１ 真空排気口 １２ 反応容器（反応管） １３ 回転軸
成長原料を含まないガス（第２のガス）の供給管３
サセプタ ４ 第１の被成長基板 ４′第２の被成長基板 ５１ 〜５ｎ ガス吹出しノズル ６１ 〜６ｎ ガス流量制御手段 ７１ 〜７ｎ 第１のストップバルブ８１ 〜８ｎ
第２のストップバルブ９１ 〜９ｎ 第１の
配管 １０１ 〜１０ｎ 第２の配管 １１ 真空排気口 １２ 反応容器（反応管） １３ 回転軸
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器内へ一方向からガスを導入す
る複数のガス吹出し口を有し、被成長基板が該ガス吹出
し口に対向して配置される気相成長装置において、成長
原料を含む第１のガスと、成長原料を含まない第２のガ
スとを、個々のガス吹出し口について独立に切り換えて
反応容器内へ導入することを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10946591A JPH04337627A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10946591A JPH04337627A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337627A true JPH04337627A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14510921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10946591A Pending JPH04337627A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04337627A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06232060A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-08-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャル層の成長方法および成長装置 |
| KR20070004151A (ko) * | 2005-07-01 | 2007-01-09 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 시스템 및 이를 포함하는 박막 제조 장치 |
| JP2012190903A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Toshiba Corp | 気相成長装置、及び気相成長方法 |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP10946591A patent/JPH04337627A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06232060A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-08-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャル層の成長方法および成長装置 |
| KR20070004151A (ko) * | 2005-07-01 | 2007-01-09 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 시스템 및 이를 포함하는 박막 제조 장치 |
| JP2012190903A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Toshiba Corp | 気相成長装置、及び気相成長方法 |
| US8835331B2 (en) | 2011-03-09 | 2014-09-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vapor-phase growing apparatus and vapor-phase growing method |
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