JPH0941100A - Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金およびその製造法ならびにストレインゲージ - Google Patents
Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金およびその製造法ならびにストレインゲージInfo
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- JPH0941100A JPH0941100A JP22959195A JP22959195A JPH0941100A JP H0941100 A JPH0941100 A JP H0941100A JP 22959195 A JP22959195 A JP 22959195A JP 22959195 A JP22959195 A JP 22959195A JP H0941100 A JPH0941100 A JP H0941100A
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- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金を線材、
箔材または薄膜となし、そのまゝか、または熱処理する
ことによりゲージ率が２以上で、比電気抵抗の温度係数
が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内である合金およ
び製造法ならびにストレインゲージを提供するにある。 【構成】 本発明合金は、Ｆｅ−５〜３０％Ｃｒ−０．
５１〜７％Ｓｉと、副成分としてＮｉ，Ｃｏ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素，Ｓｎ，Ｓｂ，希
土類元素，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，およびＮの１種または２種以
上の合計０．００１〜５０％からなる。
箔材または薄膜となし、そのまゝか、または熱処理する
ことによりゲージ率が２以上で、比電気抵抗の温度係数
が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内である合金およ
び製造法ならびにストレインゲージを提供するにある。 【構成】 本発明合金は、Ｆｅ−５〜３０％Ｃｒ−０．
５１〜７％Ｓｉと、副成分としてＮｉ，Ｃｏ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素，Ｓｎ，Ｓｂ，希
土類元素，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，およびＮの１種または２種以
上の合計０．００１〜５０％からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｆｅ（鉄），Ｃｒ（ク
ロム），Ｓｉ（シリコン）を主成分とし、副成分として
Ｎｉ（ニッケル），Ｃｏ（コバルト），Ｍｏ（モリブデ
ン），Ｗ（タングス），Ｖ（バナジウム），Ｎｂ（ニオ
ブ），Ｔａ（タンタル），Ｍｎ（マンガン），Ｃｕ
（銅），Ｔｉ（チタン），Ｚｒ（ジルコニウム），Ｈｆ
（ハフニウム），Ａｇ（銀），Ａｕ（金），Ａｌ（アル
ミニウム），Ｇｅ（ゲルマニウム），白金族元素，Ｓｎ
（錫），Ｓｂ（アンチモン），Ｇａ（ガリウム），Ｉｎ
（インジウム），希土類元素，Ｂｅ（ベリリウム），Ｂ
（ボロン），Ｃ（炭素）およびＮ（窒素）のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％とからなるＦｅ
−Ｃｒ−Ｓｉ基合金およびその製造方法、ならびにこの
合金を使用したストレインゲージに関するもので、その
目的とするところはゲージ率が２以上で、且つ比電気抵
抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内を
有し良好な加工性を具備する線材および箔材ならびに薄
膜を提供するにある。また、該合金を使用して作成され
た線材、箔材および薄膜よりなるストレインゲージを提
供するにある。
ロム），Ｓｉ（シリコン）を主成分とし、副成分として
Ｎｉ（ニッケル），Ｃｏ（コバルト），Ｍｏ（モリブデ
ン），Ｗ（タングス），Ｖ（バナジウム），Ｎｂ（ニオ
ブ），Ｔａ（タンタル），Ｍｎ（マンガン），Ｃｕ
（銅），Ｔｉ（チタン），Ｚｒ（ジルコニウム），Ｈｆ
（ハフニウム），Ａｇ（銀），Ａｕ（金），Ａｌ（アル
ミニウム），Ｇｅ（ゲルマニウム），白金族元素，Ｓｎ
（錫），Ｓｂ（アンチモン），Ｇａ（ガリウム），Ｉｎ
（インジウム），希土類元素，Ｂｅ（ベリリウム），Ｂ
（ボロン），Ｃ（炭素）およびＮ（窒素）のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％とからなるＦｅ
−Ｃｒ−Ｓｉ基合金およびその製造方法、ならびにこの
合金を使用したストレインゲージに関するもので、その
目的とするところはゲージ率が２以上で、且つ比電気抵
抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内を
有し良好な加工性を具備する線材および箔材ならびに薄
膜を提供するにある。また、該合金を使用して作成され
た線材、箔材および薄膜よりなるストレインゲージを提
供するにある。
【０００２】
【従来の技術】ストレインゲージは、一般に弾性歪によ
ってゲージ細線またはゲージ箔の電気抵抗が変化する現
象を利用して、逆に抵抗変化を測定することによって歪
の量あるいは応力を計測したり歪や応力の変換機器にも
ちいられる。例えば、生産工業におけるストレインセン
サ、重量計測、加速度計や各種機器量−電気量変換機
器、土木工業における土圧計、建築業・エネルギー関連
業における圧力計や撓み量計測、航空・宇宙・鉄道・船
舶における各種応力・歪計測ばかりでなく民生用として
の商用秤や各種セキュリティ機器等にも多く利用されて
いる。
ってゲージ細線またはゲージ箔の電気抵抗が変化する現
象を利用して、逆に抵抗変化を測定することによって歪
の量あるいは応力を計測したり歪や応力の変換機器にも
ちいられる。例えば、生産工業におけるストレインセン
サ、重量計測、加速度計や各種機器量−電気量変換機
器、土木工業における土圧計、建築業・エネルギー関連
業における圧力計や撓み量計測、航空・宇宙・鉄道・船
舶における各種応力・歪計測ばかりでなく民生用として
の商用秤や各種セキュリティ機器等にも多く利用されて
いる。
【０００３】ストレインゲージは、その構造が金属細線
（１３〜２５μｍ）または金属箔（３〜５μｍ）をグリ
ッド状あるいはロゼット状に配置してなり、またその使
用法としては前期ゲージを被測定物に接着剤で貼付し、
被測定物に生じた歪をゲージの抵抗変化から間接的に測
定するものである。ストレインゲージの感度は、ゲージ
率Ｋによってきまり、Ｋ（２０℃）の値は一般に次の式
で表される。
（１３〜２５μｍ）または金属箔（３〜５μｍ）をグリ
ッド状あるいはロゼット状に配置してなり、またその使
用法としては前期ゲージを被測定物に接着剤で貼付し、
被測定物に生じた歪をゲージの抵抗変化から間接的に測
定するものである。ストレインゲージの感度は、ゲージ
率Ｋによってきまり、Ｋ（２０℃）の値は一般に次の式
で表される。
【０００４】
【数１】 ここで、Ｒはゲージ細線の全抵抗 σはゲージの細線のポアソン比 ρはゲージ細線の比電気抵抗 ｌはゲージ細線の全長 である。この式ではσは一般の金属・合金ではほぼ０．
３であるから、右辺第１項と第２項の合計は約１．６で
一定値となる。したがってゲージ率を大きくするために
は、上式の右辺第３項の（Δρ／ρ）・（Δｌ／ｌ）
−１が大きいことが必須条件である。すなわち、材料に
引っ張り変形を与えた時、材料の長さ方向の電子構造が
大幅に変化して、比電気抵抗の変化量Δρ／ρが増加す
ることによる。また、ストレインゲージ素子としては、
素子間のバラツキが少ないことも重要であり、ゲージ率
ロット間のばらつきΔＫは、次式で評価する。
３であるから、右辺第１項と第２項の合計は約１．６で
一定値となる。したがってゲージ率を大きくするために
は、上式の右辺第３項の（Δρ／ρ）・（Δｌ／ｌ）
−１が大きいことが必須条件である。すなわち、材料に
引っ張り変形を与えた時、材料の長さ方向の電子構造が
大幅に変化して、比電気抵抗の変化量Δρ／ρが増加す
ることによる。また、ストレインゲージ素子としては、
素子間のバラツキが少ないことも重要であり、ゲージ率
ロット間のばらつきΔＫは、次式で評価する。
【０００５】
【数２】
【０００６】ストレインゲージ素子用材料として現在最
も多く使用されている材料は、Ｃｕ−Ｎｉ合金である。
この合金は、比電気抵抗温度係数Ｃｆが極めて小さい特
徴を有する反面、ゲージ率Ｋおよび比電気抵抗ρが小さ
く、また対銅熱起電力Ｅｍｆが大きいために、高感度・
高安定性ストレインゲージ用合金としては使用できな
い。さらにこの合金の問題として、ゲージ特性のばらつ
きが数％あることも製品の互換性に対して大きな問題で
あった。
も多く使用されている材料は、Ｃｕ−Ｎｉ合金である。
この合金は、比電気抵抗温度係数Ｃｆが極めて小さい特
徴を有する反面、ゲージ率Ｋおよび比電気抵抗ρが小さ
く、また対銅熱起電力Ｅｍｆが大きいために、高感度・
高安定性ストレインゲージ用合金としては使用できな
い。さらにこの合金の問題として、ゲージ特性のばらつ
きが数％あることも製品の互換性に対して大きな問題で
あった。
【０００７】この材料の他に、ゲージ率Ｋが大きな材料
には半導体の炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニ
ウム（Ｇｅ）等が知られている。しかしこれら半導体の
場合、Ｋが数１０〜１７０で非常に大きいが、その値は
正および負を示すだけでなく、Ｋの異方性が大きく安定
性に欠けること、また機械的強度が劣るなどの欠点があ
るために、特殊な小型圧力変換機器に応用化されている
程度である。
には半導体の炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニ
ウム（Ｇｅ）等が知られている。しかしこれら半導体の
場合、Ｋが数１０〜１７０で非常に大きいが、その値は
正および負を示すだけでなく、Ｋの異方性が大きく安定
性に欠けること、また機械的強度が劣るなどの欠点があ
るために、特殊な小型圧力変換機器に応用化されている
程度である。
【０００８】Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ系やＦｅ−Ｃｒ−Ｃｏ
（Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ）多元系合金などでは、Ｋが加
工状態で４また高温処理により１０以上であって、従来
の実用合金Ｃｕ−Ｎｉの２〜５倍の非常に大きい値を示
すので高感度ゲージの要求には応えられそうである。
（特公昭４５−１３２２９号、特開昭６１−１５９１４
号、特公平２−１３０２３号）。しかし、これらの合金
のＫは、ロット間のばらつきが大きく、約５〜７％を示
しゲージの互換性にはやや難があり、高安定性ゲージに
は不向きである。
（Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ）多元系合金などでは、Ｋが加
工状態で４また高温処理により１０以上であって、従来
の実用合金Ｃｕ−Ｎｉの２〜５倍の非常に大きい値を示
すので高感度ゲージの要求には応えられそうである。
（特公昭４５−１３２２９号、特開昭６１−１５９１４
号、特公平２−１３０２３号）。しかし、これらの合金
のＫは、ロット間のばらつきが大きく、約５〜７％を示
しゲージの互換性にはやや難があり、高安定性ゲージに
は不向きである。
【０００９】また、抵抗温度係数が小さい材料として開
発されたＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ基合金は、耐酸化性に劣るだ
けでなく、かなり複雑な加工法で作成しなければならな
いなど多くの問題があった〔特開平５−２１４４９
３〕。以上説明したように、上記公知の材料には一長一
短があり、関連業界から本発明の目的である高いゲージ
率とばらつきの少ないゲージ特性を具備した新規な材料
の要望がなされている。
発されたＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ基合金は、耐酸化性に劣るだ
けでなく、かなり複雑な加工法で作成しなければならな
いなど多くの問題があった〔特開平５−２１４４９
３〕。以上説明したように、上記公知の材料には一長一
短があり、関連業界から本発明の目的である高いゲージ
率とばらつきの少ないゲージ特性を具備した新規な材料
の要望がなされている。
【００１０】
【発明が解決しょうとする課題】さて、ストレインゲー
ジは、近年マイクロコンピューターの進歩に伴ってその
応用領域がますます拡大して超精密、小型化および高性
能化にむかっており、特に高感度で安定性を必要とする
圧力変換器やロードセルの他、ロボットの接触センサや
滑りセンサ等の要求が高まってきた。これらの各種セン
サ用ストレインゲージに対しては高感度で良好な安定性
を有する素材が緊急に求められている。
ジは、近年マイクロコンピューターの進歩に伴ってその
応用領域がますます拡大して超精密、小型化および高性
能化にむかっており、特に高感度で安定性を必要とする
圧力変換器やロードセルの他、ロボットの接触センサや
滑りセンサ等の要求が高まってきた。これらの各種セン
サ用ストレインゲージに対しては高感度で良好な安定性
を有する素材が緊急に求められている。
【００１１】これらの要望に応えられる材料としては、 １．ゲージ率が２以上で大きいこと。 ２．ゲージ率のロット間のバラツキが小さいこと。 ３．比電気抵抗の温度係数が小さいこと。 ４．比電気抵抗が大きいこと。 ５．対銅熱起電力が小さいこと。 ６．加工性がよく、機械的性質が良好であること。 ７．安価なこと。 等の性質を具備していることが望まれる。
【００１２】
【発明が解決するための手段】本発明は、上記の特性を
具備した材料の研究を幾多行い、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合
金がストレインゲージ用材料に適していることを見い出
したのである。本発明を製造するには、重量比にてＣｒ
５〜３０％、Ｓｉ０．５１〜７％と、副成分としてＮ
ｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％いか、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ
７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれ
ぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下、Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１
％以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５
０％および残部Ｆｅからなる原料を、必要ならば真空中
において融点以下まで加熱して含有ガスを十分に排気し
た後、好ましくは非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中において溶解する。また溶融合金を十分に撹拌するこ
とによって、組成が均一化する。次に、適当な形および
大きさの鋳型に鋳造して健全なインゴットを得る。
具備した材料の研究を幾多行い、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合
金がストレインゲージ用材料に適していることを見い出
したのである。本発明を製造するには、重量比にてＣｒ
５〜３０％、Ｓｉ０．５１〜７％と、副成分としてＮ
ｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％いか、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ
７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれ
ぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下、Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１
％以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５
０％および残部Ｆｅからなる原料を、必要ならば真空中
において融点以下まで加熱して含有ガスを十分に排気し
た後、好ましくは非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中において溶解する。また溶融合金を十分に撹拌するこ
とによって、組成が均一化する。次に、適当な形および
大きさの鋳型に鋳造して健全なインゴットを得る。
【００１３】このインゴットを、必要ならば高温度、好
ましくは９００℃以上融点以下で適当時間、好ましくは
１分以上１０時間以下加熱して、均質化処理を施すか、
または直ちに鍛造、熱間圧延などの熱間加工により所望
の丸棒あるいは板材となし、ついで必要ならば４００℃
以上融点以下の温度で軟化焼鈍を施しながら、これをス
エージングマシン、線引加工機あるいは冷間圧延機など
の冷間加工により、所望の形状、例えば線経０．１ｍｍ
以下の細線および０．１ｍｍ以下のリボン等の線材、厚
さ０．１ｍｍ以下の箔材またはターゲット材などを得
る。さらにこのターゲット材からは、電着、蒸着、無電
解メッキまたはスパってリンク等より選択された方法に
よって真空中あるいは種々なガス雰囲気中で適当な基板
上に所望の形状および厚さの薄膜を形成する。または適
当な形状の薄膜を形成した後所望の形状に打ち抜き、フ
ォトエッチングまたはトリミング加工を施して素子とな
す。さらに必要ならば温度補償として、該素子と直角成
分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成す
る。さらにこれに電極を構成し、このままで使用する
か、またはこれらの線材、箔材または薄膜を非酸化性ガ
ス、還元性ガスまたは真空中の４００℃以上１２００℃
以下の温度で、適当な時間、好ましくは１分間以上１０
０時間以下加熱後適度な速度で好ましくは１℃／時〜１
００℃／分の速度で冷却することによって、ゲージ率が
２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１
０）×１０−４／℃以内の値を有するストレインゲージ
用合金の線材、箔材または薄膜が得られる。
ましくは９００℃以上融点以下で適当時間、好ましくは
１分以上１０時間以下加熱して、均質化処理を施すか、
または直ちに鍛造、熱間圧延などの熱間加工により所望
の丸棒あるいは板材となし、ついで必要ならば４００℃
以上融点以下の温度で軟化焼鈍を施しながら、これをス
エージングマシン、線引加工機あるいは冷間圧延機など
の冷間加工により、所望の形状、例えば線経０．１ｍｍ
以下の細線および０．１ｍｍ以下のリボン等の線材、厚
さ０．１ｍｍ以下の箔材またはターゲット材などを得
る。さらにこのターゲット材からは、電着、蒸着、無電
解メッキまたはスパってリンク等より選択された方法に
よって真空中あるいは種々なガス雰囲気中で適当な基板
上に所望の形状および厚さの薄膜を形成する。または適
当な形状の薄膜を形成した後所望の形状に打ち抜き、フ
ォトエッチングまたはトリミング加工を施して素子とな
す。さらに必要ならば温度補償として、該素子と直角成
分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成す
る。さらにこれに電極を構成し、このままで使用する
か、またはこれらの線材、箔材または薄膜を非酸化性ガ
ス、還元性ガスまたは真空中の４００℃以上１２００℃
以下の温度で、適当な時間、好ましくは１分間以上１０
０時間以下加熱後適度な速度で好ましくは１℃／時〜１
００℃／分の速度で冷却することによって、ゲージ率が
２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１
０）×１０−４／℃以内の値を有するストレインゲージ
用合金の線材、箔材または薄膜が得られる。
【００１４】第１発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％および
残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上
で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１
０−４／℃以内であることを特徴とするストレインゲー
ジ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金。
残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上
で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１
０−４／℃以内であることを特徴とするストレインゲー
ジ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金。
【００１５】第２発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温
度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるこ
とを特徴とするストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基
合金。
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温
度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるこ
とを特徴とするストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基
合金。
【００１６】第３発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温
度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるこ
とを特徴とするストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基
合金。
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温
度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるこ
とを特徴とするストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基
合金。
【００１７】第４発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率
が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１
０）×１０−４／℃以内であることを特徴とするストレ
インゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金。
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率
が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１
０）×１０−４／℃以内であることを特徴とするストレ
インゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金。
【００１８】第５発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％、希土
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，のそれぞれ５％以下、Ｂ
ｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種
または２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆ
ｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上で、且
つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４
／℃以内であることを特徴とするストレインゲージ用Ｆ
ｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金。
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，のそれぞれ５％以下、Ｂ
ｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種
または２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆ
ｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上で、且
つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４
／℃以内であることを特徴とするストレインゲージ用Ｆ
ｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金。
【００１９】第６発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％および
残部Ｆｅと少量の不純物とからなる合金組成の原料を、
非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中において溶解し
た後、適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴットを熱間
加工により所望の丸棒または板材となし、ついで冷間加
工を施して線材または箔材となし、そのままか、または
これをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中の
４００℃以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却するこ
とを特徴とするゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の
温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内である
ことを特徴とするストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ
基合金の製造法。
残部Ｆｅと少量の不純物とからなる合金組成の原料を、
非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中において溶解し
た後、適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴットを熱間
加工により所望の丸棒または板材となし、ついで冷間加
工を施して線材または箔材となし、そのままか、または
これをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中の
４００℃以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却するこ
とを特徴とするゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の
温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内である
ことを特徴とするストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ
基合金の製造法。
【００２０】第７発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素 のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉ
ｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，
Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以
上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不
純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元
性ガスまたは真空中において溶解した後、適当な鋳型で
鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の丸
棒または板材となし、ついで冷間加工を施して線材また
は箔材となし、そのままか、またはこれをさらに非酸化
性ガス、還元性ガスまたは真空中の４００℃以上１２０
０℃以下の温度で加熱後冷却することを特徴とするゲー
ジ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０
〜１０）×１０−４／℃以内であることを特徴とするス
トレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造法。
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素 のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉ
ｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，
Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以
上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不
純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元
性ガスまたは真空中において溶解した後、適当な鋳型で
鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の丸
棒または板材となし、ついで冷間加工を施して線材また
は箔材となし、そのままか、またはこれをさらに非酸化
性ガス、還元性ガスまたは真空中の４００℃以上１２０
０℃以下の温度で加熱後冷却することを特徴とするゲー
ジ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０
〜１０）×１０−４／℃以内であることを特徴とするス
トレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造法。
【００２１】第８発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希上類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガ
スまたは真空中において溶解した後、適当な鋳型で鋳造
し得られたインゴットを熱間加工により所望の丸棒また
は板材となし、ついで冷間加工を施して線材または箔材
となし、そのままか、またはこれをさらに非酸化性ガ
ス、還元性ガスまたは真空中の４００℃以上１２００℃
以下の温度で加熱後冷却することを特徴とするゲージ率
が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１
０）×１０−４／℃以内であることを特徴とするストレ
インゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造法。
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希上類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガ
スまたは真空中において溶解した後、適当な鋳型で鋳造
し得られたインゴットを熱間加工により所望の丸棒また
は板材となし、ついで冷間加工を施して線材または箔材
となし、そのままか、またはこれをさらに非酸化性ガ
ス、還元性ガスまたは真空中の４００℃以上１２００℃
以下の温度で加熱後冷却することを特徴とするゲージ率
が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１
０）×１０−４／℃以内であることを特徴とするストレ
インゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造法。
【００２２】第９発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなる合金組成の
原料を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中におい
て溶解した後、適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴッ
トを熱間加工により所望の丸棒または板材となし、つい
で冷間加工を施して線材または箔材となし、そのまま
か、またはこれをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまた
は真空中の４００℃以上１２００℃以下の温度で適当な
時間加熱後冷却することを特徴とするゲージ率が２以上
で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１
０−４／℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−
Ｓｉ基合金の製造法。
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなる合金組成の
原料を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中におい
て溶解した後、適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴッ
トを熱間加工により所望の丸棒または板材となし、つい
で冷間加工を施して線材または箔材となし、そのまま
か、またはこれをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまた
は真空中の４００℃以上１２００℃以下の温度で適当な
時間加熱後冷却することを特徴とするゲージ率が２以上
で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１
０−４／℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−
Ｓｉ基合金の製造法。
【００２３】第１０発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％、希土
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎのそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性
ガス、還元性ガスまたは真空中において溶解した後、適
当な鋳型で鋳造し、得られたインゴットを熱間加工によ
り所望の丸棒または板材となし、ついで冷間加工を施し
て線材または箔材となし、そのままか、またはこれをさ
らに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中の４００℃
以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却することを特徴
とするゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数
が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるストレイ
ンゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造法。
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎのそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性
ガス、還元性ガスまたは真空中において溶解した後、適
当な鋳型で鋳造し、得られたインゴットを熱間加工によ
り所望の丸棒または板材となし、ついで冷間加工を施し
て線材または箔材となし、そのままか、またはこれをさ
らに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中の４００℃
以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却することを特徴
とするゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数
が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるストレイ
ンゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造法。
【００２４】第１１発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％および
残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上
で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１
０−４／℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−
Ｓｉ基合金の線材、箔材または薄膜のいずれかよりなる
ストレインゲージ。
残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上
で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１
０−４／℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−
Ｓｉ基合金の線材、箔材または薄膜のいずれかよりなる
ストレインゲージ。
【００２５】第１２発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕ のそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温
度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるス
トレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基の線材、箔材また
は薄膜のいずれかよりなるストレインゲージ。
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕ のそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温
度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるス
トレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基の線材、箔材また
は薄膜のいずれかよりなるストレインゲージ。
【００２６】第１３発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温
度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるス
トレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材、箔材
または薄膜のいずれかよりなるストレインゲージ。
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温
度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるス
トレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材、箔材
または薄膜のいずれかよりなるストレインゲージ。
【００２７】第１４発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率
が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１
０）×１０−４／℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ
−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材、箔材または薄膜のいずれか
よりなるストレインゲージ。
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率
が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１
０）×１０−４／℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ
−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材、箔材または薄膜のいずれか
よりなるストレインゲージ。
【００２８】第１５発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％、希土
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎのそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ
比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／
℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合
金の線材、箔材または薄膜のいずれかよりなるストレイ
ンゲージ。
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎのそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ
比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／
℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合
金の線材、箔材または薄膜のいずれかよりなるストレイ
ンゲージ。
【００２９】第１６発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％および
残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基
合金の線材または箔材を、適当なベース面に貼付して素
子となし、そのままか、または必要ならばさらに温度補
償として、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築し
てゲージパターンを形成したことを特徴とするストレイ
ンゲージ。
残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基
合金の線材または箔材を、適当なベース面に貼付して素
子となし、そのままか、または必要ならばさらに温度補
償として、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築し
てゲージパターンを形成したことを特徴とするストレイ
ンゲージ。
【００３０】第１７発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材または箔材
を、適当なベース面に貼付して素子となし、そのまま
か、または必要ならばさらに温度補償として、該素子と
直角成分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを
形成したことを特徴とするストレインゲージ。
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材または箔材
を、適当なベース面に貼付して素子となし、そのまま
か、または必要ならばさらに温度補償として、該素子と
直角成分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを
形成したことを特徴とするストレインゲージ。
【００３１】第１８発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素の それぞれ７％以下Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材または箔材
を、適当なベース面に貼付して素子となし、そのまま
か、または必要ならばさらに温度補償として、該素子と
直角成分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを
形成したことを特徴とするストレインゲージ。
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素の それぞれ７％以下Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材または箔材
を、適当なベース面に貼付して素子となし、そのまま
か、または必要ならばさらに温度補償として、該素子と
直角成分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを
形成したことを特徴とするストレインゲージ。
【００３２】第１９発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ
−Ｓｉ基合金の線材または箔材を、適当なベース面に貼
付して素子となし、そのままか、または必要ならばさら
に温度補償として、該素子と直角成分の素子を同一面内
に構築してゲージパターンを形成したことを特徴とする
ストレインゲージ。
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ
−Ｓｉ基合金の線材または箔材を、適当なベース面に貼
付して素子となし、そのままか、または必要ならばさら
に温度補償として、該素子と直角成分の素子を同一面内
に構築してゲージパターンを形成したことを特徴とする
ストレインゲージ。
【００３３】第２０発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％、希土
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎのそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線
材または箔材を、適当なベース面に貼付して素子とな
し、そのままか、または必要ならばさらに温度補償とし
て、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲー
ジパターンを形成したことを特徴とするストレインゲー
ジ。
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎのそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線
材または箔材を、適当なベース面に貼付して素子とな
し、そのままか、または必要ならばさらに温度補償とし
て、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲー
ジパターンを形成したことを特徴とするストレインゲー
ジ。
【００３４】第２１発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％および
残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基
合金を、電着、蒸着、無電解メッキまたはスパッタリン
グより選択した方法で、所望の形状に薄膜を形成するか
または薄膜を形成後所望の形状に打ち抜き、フォトエッ
チングまたはトリミングなどの加工を施して素子とな
し、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素
子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さら
に電極を構成し、そのままか、またはこれをさらに非酸
化性ガス、還元性ガスまたは真空中で熱処理を施したこ
とを特徴とする薄膜ストレインゲージ。
残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基
合金を、電着、蒸着、無電解メッキまたはスパッタリン
グより選択した方法で、所望の形状に薄膜を形成するか
または薄膜を形成後所望の形状に打ち抜き、フォトエッ
チングまたはトリミングなどの加工を施して素子とな
し、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素
子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さら
に電極を構成し、そのままか、またはこれをさらに非酸
化性ガス、還元性ガスまたは真空中で熱処理を施したこ
とを特徴とする薄膜ストレインゲージ。
【００３５】第２２発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕの それぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金を、電着、蒸着、無
電解メッキまたはスパッタリングより選択した方法で、
所望の形状に薄膜を形成するかまたは薄膜を形成後所望
の形状に打ち抜き、フォトエッチングまたはトリミング
などの加工を施して素子となし、必要ならば温度補償と
して、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲ
ージパターンを形成し、さらに電極を構成し、そのまま
か、またはこれをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまた
は真空中で熱処理を施したことを特徴とする薄膜ストレ
インゲージ。
成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕの それぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金を、電着、蒸着、無
電解メッキまたはスパッタリングより選択した方法で、
所望の形状に薄膜を形成するかまたは薄膜を形成後所望
の形状に打ち抜き、フォトエッチングまたはトリミング
などの加工を施して素子となし、必要ならば温度補償と
して、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲ
ージパターンを形成し、さらに電極を構成し、そのまま
か、またはこれをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまた
は真空中で熱処理を施したことを特徴とする薄膜ストレ
インゲージ。
【００３６】第２３発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金を、電着、蒸着、無
電解メッキまたはスパッタリングより選択した方法で、
所望の形状に薄膜を形成するかまたは薄膜を形成後所望
の形状に打ち抜き、フォトエッチングまたはトリミング
などの加工を施して素子となし、必要ならば温度補償と
して、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲ
ージパターンを形成し、さらに電極を構成し、そのまま
か、またはこれをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまた
は真空中で熱処理を施したことを特徴とする薄膜ストレ
インゲージ。
成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％未満、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金を、電着、蒸着、無
電解メッキまたはスパッタリングより選択した方法で、
所望の形状に薄膜を形成するかまたは薄膜を形成後所望
の形状に打ち抜き、フォトエッチングまたはトリミング
などの加工を施して素子となし、必要ならば温度補償と
して、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲ
ージパターンを形成し、さらに電極を構成し、そのまま
か、またはこれをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまた
は真空中で熱処理を施したことを特徴とする薄膜ストレ
インゲージ。
【００３７】第２４発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％と、副
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ
−Ｓｉ基合金を、電着、蒸着、無電解メッキまたはスパ
ッタリングより選択した方法で、所望の形状に薄膜を形
成しするかまたは薄膜を形成後所望の形状に打ち抜き、
フォトエッチングまたはトリミングなどの加工を施して
素子となし、必要ならば温度補償として、該素子と直角
成分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成
し、さらに電極を構成し、そのままか、またはこれをさ
らに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中で熱処理を
施したことを特徴とする薄膜ストレインゲージ。
成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７
％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞ
れ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％
以下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０
％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ
−Ｓｉ基合金を、電着、蒸着、無電解メッキまたはスパ
ッタリングより選択した方法で、所望の形状に薄膜を形
成しするかまたは薄膜を形成後所望の形状に打ち抜き、
フォトエッチングまたはトリミングなどの加工を施して
素子となし、必要ならば温度補償として、該素子と直角
成分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成
し、さらに電極を構成し、そのままか、またはこれをさ
らに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中で熱処理を
施したことを特徴とする薄膜ストレインゲージ。
【００３８】第２５発明 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５１〜７％、希土
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，のそれぞれ５％以下、Ｂ
ｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種
または２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆ
ｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金
を、電着、蒸着、無電解メッキまたはスパッタリングよ
り選択した方法で、所望の形状に薄膜を形成するかまた
は薄膜を形成後所望の形状に打ち抜き、フォトエッチン
グまたはトリミングなどの加工を施して素子となし、必
要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素子を同
一面内に構築してゲージパターンを形成し、さらに電極
を構成し、そのままか、またはこれをさらに非酸化性ガ
ス、還元性ガスまたは真空中で熱処理を施したことを特
徴とする薄膜ストレインゲージ。
類元素０．００１〜５％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏの
それぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以
下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，のそれぞれ５％以下、Ｂ
ｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種
または２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆ
ｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金
を、電着、蒸着、無電解メッキまたはスパッタリングよ
り選択した方法で、所望の形状に薄膜を形成するかまた
は薄膜を形成後所望の形状に打ち抜き、フォトエッチン
グまたはトリミングなどの加工を施して素子となし、必
要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素子を同
一面内に構築してゲージパターンを形成し、さらに電極
を構成し、そのままか、またはこれをさらに非酸化性ガ
ス、還元性ガスまたは真空中で熱処理を施したことを特
徴とする薄膜ストレインゲージ。
【００３９】
【作用】図１および図２は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金の
加工率９０％におけるゲージ率Ｋおよび比電気抵抗の温
度係数Ｃｆを示したものである。Ｆｅ−Ｃｒ２元系合金
のＫおよびＣｆは非常に大きいが、これにＳｉを添加す
ると、一般にＳｉ量の増加とともにＫおよびＣｆは減少
する。すなわち、Ｓｉ７％以上ではＫが２以下となり、
またＳｉが０．５１％以下ではＣｆが（−１０〜１０）
×１０−４以外となり、ストレインゲージ用合金として
好ましくなく、本発明の所期の特性が得られないので、
Ｓｉ量を０．５１〜７％、望ましくは１．０〜５％と限
定した。また、Ｃｒ５％以下では比電気抵抗が小さく、
他方Ｃｒ３０％以上では細線および箔に加工することが
困難になるので、Ｃｒ量を５〜３０％、望ましくは１０
〜２５％に限定した。
加工率９０％におけるゲージ率Ｋおよび比電気抵抗の温
度係数Ｃｆを示したものである。Ｆｅ−Ｃｒ２元系合金
のＫおよびＣｆは非常に大きいが、これにＳｉを添加す
ると、一般にＳｉ量の増加とともにＫおよびＣｆは減少
する。すなわち、Ｓｉ７％以上ではＫが２以下となり、
またＳｉが０．５１％以下ではＣｆが（−１０〜１０）
×１０−４以外となり、ストレインゲージ用合金として
好ましくなく、本発明の所期の特性が得られないので、
Ｓｉ量を０．５１〜７％、望ましくは１．０〜５％と限
定した。また、Ｃｒ５％以下では比電気抵抗が小さく、
他方Ｃｒ３０％以上では細線および箔に加工することが
困難になるので、Ｃｒ量を５〜３０％、望ましくは１０
〜２５％に限定した。
【００４０】さらに、図３〜図６に見られるように、副
成分として添加するＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、
Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕ，のそれぞれ１
０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇ
ｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以
下、Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２
種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと、そ
れぞれの範囲に限定した理由は、この範囲ではゲージ率
が２以上の高い値が得られ、且つ比電気抵抗の温度係数
が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内の小さい値が得
られるからであり、またゲージ率のバラツキが極めて少
なく、ゲージ特性が改善され、加工性も向上するが、こ
れらの範囲外では、これらの効果が期待できないからで
ある。
成分として添加するＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、
Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕ，のそれぞれ１
０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇ
ｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以
下、Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２
種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと、そ
れぞれの範囲に限定した理由は、この範囲ではゲージ率
が２以上の高い値が得られ、且つ比電気抵抗の温度係数
が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内の小さい値が得
られるからであり、またゲージ率のバラツキが極めて少
なく、ゲージ特性が改善され、加工性も向上するが、こ
れらの範囲外では、これらの効果が期待できないからで
ある。
【００４１】すなわち、Ｃｏ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｂ，ＣおよびＮは、特にゲージ率を高
める効果が大きく、またＮｉ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｉ
ｎ，希土類元素およびＢｅは抵抗温度係数を小さくする
効果が大きく、さらにＮｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｌ，白金族元素および希土類元素
は、加工性を向上する効果が大きい。また本発明の代表
的合金の極細線（線径０．０６ｍｍ、加工率９０％）の
ゲージ特性を測定した結果、表１に示すような値が得ら
れた。
ｒ，Ｈｆ，Ｂｅ，Ｂ，ＣおよびＮは、特にゲージ率を高
める効果が大きく、またＮｉ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｉ
ｎ，希土類元素およびＢｅは抵抗温度係数を小さくする
効果が大きく、さらにＮｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｌ，白金族元素および希土類元素
は、加工性を向上する効果が大きい。また本発明の代表
的合金の極細線（線径０．０６ｍｍ、加工率９０％）の
ゲージ特性を測定した結果、表１に示すような値が得ら
れた。
【００４２】
【表１】 さらに、図８および図９に見られるように、本発明合金
を４００℃以上１２００℃以下の温度範囲において、１
分間以上１００時間以下加熱し、ついで１℃／時以上１
００℃／分以下の速度で冷却することにより、所期のゲ
ージ特性が得られるのである。一般にゲージ特性は、加
熱温度の上昇とともに、短い時間加熱することによっ
て、所期の特性が得られる。したがって４００℃以下の
低い温度で加熱する場合は長時間の加熱を要するので経
済的に好ましくなく、また１２００℃以上では、所期の
ゲージ特性が得られないからである。
を４００℃以上１２００℃以下の温度範囲において、１
分間以上１００時間以下加熱し、ついで１℃／時以上１
００℃／分以下の速度で冷却することにより、所期のゲ
ージ特性が得られるのである。一般にゲージ特性は、加
熱温度の上昇とともに、短い時間加熱することによっ
て、所期の特性が得られる。したがって４００℃以下の
低い温度で加熱する場合は長時間の加熱を要するので経
済的に好ましくなく、また１２００℃以上では、所期の
ゲージ特性が得られないからである。
【００４３】尚、希土類元素は、Ｓｃ，Ｙおよびランタ
ン系元素からなるが、その効果は均等であり、また白金
族元素はＰｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，ＲｕおよびＯｓから
なるがその効果も均等であり、これらはいずれも同効成
分である。さらに、熱処理の条件において、４００℃以
上１２００℃以下の温度と限定し、好ましくは１分間以
上１０時間加熱するように限定した理由は、この処理条
件内では、冷間加工が容易となり、またゲージ率が２以
上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×
１０−４／℃以内になって好ましいからである。
ン系元素からなるが、その効果は均等であり、また白金
族元素はＰｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，ＲｕおよびＯｓから
なるがその効果も均等であり、これらはいずれも同効成
分である。さらに、熱処理の条件において、４００℃以
上１２００℃以下の温度と限定し、好ましくは１分間以
上１０時間加熱するように限定した理由は、この処理条
件内では、冷間加工が容易となり、またゲージ率が２以
上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×
１０−４／℃以内になって好ましいからである。
【００４４】
【実施例】以下、本発明の実施例について述べる。 実施例１ 合金番号２７（組成：Ｆｅ−１８％Ｃｒ−２
％Ｓｉ−１０％Ｎｉ）合金の線材・箔材の製造と評価 原料としては、９９．９％純度の電解鉄、９９．４％純
度のテルミットクロムおよびシリコン、９９．９％純度
の電解ニッケルを用いた。試料を造るには、先ず全重量
の１００ｇの原料をアルミナ坩堝に入れ、真空中で高周
波誘導電解炉を用いて徐々に加熱し、融点直下で暫く一
定の温度に保ち原料中のガスを排気する。その後、さら
に温度を昇温して全体が溶融状態とする。この作業にお
いて、融液を撹拌して均質な溶融合金とする。つぎに内
径１０ｍｍ、高さ１２０ｍｍの鉄型に鋳込み鋳塊とし
た。このような方法で、同じインゴットを１０本製造し
た。これらのインゴットを１１５０℃で鍛造して、外径
５ｍｍの丸棒にし、さらに１０００℃の中間焼鈍を何度
か繰り返した後、スエージングおよび冷間線引き抜きに
より直径０．０６ｍｍの極細線を造った。この場合の加
工率は、９０％であった。つぎに、得られた極細線に対
して、真空中４００〜１２００℃の各種温度で１０分〜
５時間加熱後、室温まで炉中冷却（平均１００℃／時
間）した。表２には、種々な熱処理を施した場合の特性
値を示した。
％Ｓｉ−１０％Ｎｉ）合金の線材・箔材の製造と評価 原料としては、９９．９％純度の電解鉄、９９．４％純
度のテルミットクロムおよびシリコン、９９．９％純度
の電解ニッケルを用いた。試料を造るには、先ず全重量
の１００ｇの原料をアルミナ坩堝に入れ、真空中で高周
波誘導電解炉を用いて徐々に加熱し、融点直下で暫く一
定の温度に保ち原料中のガスを排気する。その後、さら
に温度を昇温して全体が溶融状態とする。この作業にお
いて、融液を撹拌して均質な溶融合金とする。つぎに内
径１０ｍｍ、高さ１２０ｍｍの鉄型に鋳込み鋳塊とし
た。このような方法で、同じインゴットを１０本製造し
た。これらのインゴットを１１５０℃で鍛造して、外径
５ｍｍの丸棒にし、さらに１０００℃の中間焼鈍を何度
か繰り返した後、スエージングおよび冷間線引き抜きに
より直径０．０６ｍｍの極細線を造った。この場合の加
工率は、９０％であった。つぎに、得られた極細線に対
して、真空中４００〜１２００℃の各種温度で１０分〜
５時間加熱後、室温まで炉中冷却（平均１００℃／時
間）した。表２には、種々な熱処理を施した場合の特性
値を示した。
【００４５】
【表２】
【００４６】上記極細線とは別に、同様な方法で作製し
たインゴットから圧延と熱処理の工程を経て厚さ３μｍ
および１００ｍｍの箔材を得た。ここで、圧延の加工率
および熱処理などの条件は、極細線のそれと殆ど同じで
あった。図７は、合金番号２７のロット１０種から製造
した極細線の加工状態におけるゲージ率Ｋの測定結果を
示す。この図からＫの平均値（図中印）、最大値、最小
値、およびＫのばらつきΔＫなどが求められる。本発明
のＫは、ロット内では４．００±０．０２およびロット
間では４．００±０．０２で、それらのばらつきΔＫ
は、０．５％で非常に小さい。すなわち、本発明合金の
ΔＫは、比較合金のそれに比べて約１０分の１で、著し
く改善されていることが分かった。なお、箔材の場合の
ゲージ特性は、線材のΔＫとほぼ一致した。
たインゴットから圧延と熱処理の工程を経て厚さ３μｍ
および１００ｍｍの箔材を得た。ここで、圧延の加工率
および熱処理などの条件は、極細線のそれと殆ど同じで
あった。図７は、合金番号２７のロット１０種から製造
した極細線の加工状態におけるゲージ率Ｋの測定結果を
示す。この図からＫの平均値（図中印）、最大値、最小
値、およびＫのばらつきΔＫなどが求められる。本発明
のＫは、ロット内では４．００±０．０２およびロット
間では４．００±０．０２で、それらのばらつきΔＫ
は、０．５％で非常に小さい。すなわち、本発明合金の
ΔＫは、比較合金のそれに比べて約１０分の１で、著し
く改善されていることが分かった。なお、箔材の場合の
ゲージ特性は、線材のΔＫとほぼ一致した。
【００４７】実施例２ 合金番号５８（組成：Ｆｅ−１
５％Ｃｒ−３％Ｓｉ−１３％Ｃｏ−４％Ｒｕ）合金の線
材および箔材よりなるストレインゲージの製造と評価 合金の原料は、さらに９９．８％純度の電解コバルトお
よび９９．９％純度のルテニウムを用い、製造工程の条
件は、実施例１と同じであった。得られた極細線と箔材
をそのままか、あるいはさらに真空中の４００℃以上１
２００℃以下の温度で１時間加熱処理した該極細線およ
び該箔材を、厚さ５μｍの樹脂に接着した後グリッド状
のゲージパターンに加工して線材または箔材よりなるス
トレインゲージを試作した。線材ストレインゲージまた
は箔材ストレインゲージの評価結果を、それぞれ図８お
よび図９に示す。ゲージ率Ｋは、加熱温度に対して約８
００℃で極大となる。ゲージ率Ｋは約８００℃で極大値
を示し、また比電気抵抗ρおよび対銅熱起電力Ｅｍｆ
は、加熱温度に対し大きな変化はないが、抵抗温度係数
Ｃｆは小さい。すなわち、本発明合金を使用することに
よって高感度・高安定性ストレインゲージが提供できる
ことを明らかにした。
５％Ｃｒ−３％Ｓｉ−１３％Ｃｏ−４％Ｒｕ）合金の線
材および箔材よりなるストレインゲージの製造と評価 合金の原料は、さらに９９．８％純度の電解コバルトお
よび９９．９％純度のルテニウムを用い、製造工程の条
件は、実施例１と同じであった。得られた極細線と箔材
をそのままか、あるいはさらに真空中の４００℃以上１
２００℃以下の温度で１時間加熱処理した該極細線およ
び該箔材を、厚さ５μｍの樹脂に接着した後グリッド状
のゲージパターンに加工して線材または箔材よりなるス
トレインゲージを試作した。線材ストレインゲージまた
は箔材ストレインゲージの評価結果を、それぞれ図８お
よび図９に示す。ゲージ率Ｋは、加熱温度に対して約８
００℃で極大となる。ゲージ率Ｋは約８００℃で極大値
を示し、また比電気抵抗ρおよび対銅熱起電力Ｅｍｆ
は、加熱温度に対し大きな変化はないが、抵抗温度係数
Ｃｆは小さい。すなわち、本発明合金を使用することに
よって高感度・高安定性ストレインゲージが提供できる
ことを明らかにした。
【００４８】実施例３ 合金番号６７（組成：Ｆｅ−１
３％Ｃｒ−４％Ｓｉ−３％Ｚｒ−１％Ｙ）合金の薄膜ス
トレインゲージの製造と評価 使用した原料の純度は、実施例１にさらに９９．９９％
純度のイットリウムおよびジルコニウムを用いた。試料
の製造方法は、先ず所定の配合からなる原料８００ｇを
高純度アルミナ坩堝に入れ、高周波溶解炉を使用して、
１０−５Ｔｏｒｒの真空中高温にて脱ガス後、高純度ア
ルゴンガス中で溶解し、除滓後鍛造してインゴットを得
る。このインゴットを１１００℃で鍛造して、直径１０
５ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工する。ついで旋
盤により、精密加工して直径１０５ｍｍおよび厚さ２ｍ
ｍの円盤を作製する。最後に銅製電極にボンデングして
スパッター用ターゲットとする。これらのターゲットか
らスパッター装置を用いて、下記に示したスパッター条
件で厚さ１μｍの薄膜を作製する。
３％Ｃｒ−４％Ｓｉ−３％Ｚｒ−１％Ｙ）合金の薄膜ス
トレインゲージの製造と評価 使用した原料の純度は、実施例１にさらに９９．９９％
純度のイットリウムおよびジルコニウムを用いた。試料
の製造方法は、先ず所定の配合からなる原料８００ｇを
高純度アルミナ坩堝に入れ、高周波溶解炉を使用して、
１０−５Ｔｏｒｒの真空中高温にて脱ガス後、高純度ア
ルゴンガス中で溶解し、除滓後鍛造してインゴットを得
る。このインゴットを１１００℃で鍛造して、直径１０
５ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工する。ついで旋
盤により、精密加工して直径１０５ｍｍおよび厚さ２ｍ
ｍの円盤を作製する。最後に銅製電極にボンデングして
スパッター用ターゲットとする。これらのターゲットか
らスパッター装置を用いて、下記に示したスパッター条
件で厚さ１μｍの薄膜を作製する。
【００４９】 予備排気 １×１０−７ Ｔｏｒｒ 高周波電力 １００ Ｗ アルゴンガス圧 ３×１０−２ 基板 ＳｉＯ２ 基板 電極間距離 ５０ｍｍ 成膜速度 ６０ Å／ｍｉｎ 膜厚 １μｍ ついでマスキングを施し、エッチングによりゲージパタ
ーンとし、図１０（Ａ）に示すとおり電極を取り付けて
４８素子のゲージを作製する。図１０（Ｂ）は、図１０
（Ａ）の得られた素子個々のＫのばらつきを示したもの
で、成膜状態で４．０±０．０５となり、非常に良好で
あった。
ーンとし、図１０（Ａ）に示すとおり電極を取り付けて
４８素子のゲージを作製する。図１０（Ｂ）は、図１０
（Ａ）の得られた素子個々のＫのばらつきを示したもの
で、成膜状態で４．０±０．０５となり、非常に良好で
あった。
【００５０】上記ゲージ内の、ゲージ率のばらつきが少
ない素子について、Ａｒ中各温度で３０分加熱して試料
とする。図１１は、これらの素子のゲージ特性と加熱温
度との関係を示したものである。得られたゲージ特性
は、線材・箔材およびそれらを使用したストレインゲー
ジの評価結果とよく似ている。
ない素子について、Ａｒ中各温度で３０分加熱して試料
とする。図１１は、これらの素子のゲージ特性と加熱温
度との関係を示したものである。得られたゲージ特性
は、線材・箔材およびそれらを使用したストレインゲー
ジの評価結果とよく似ている。
【００５１】
【発明の効果】上記の実験結果が示すように、本発明合
金はゲージ特性および加工性が従来の材料よりさらに向
上し、特性のばらつきが少なくなる特徴を有している。
さらに、本発明のストレインゲージ用合金の線材、箔材
または薄膜よりなるストレインゲージは、ゲージ率が２
以上で、且つ比電気抵抗の温度係数（−１０〜１０）×
１０−４／℃以内であるので、高感度・高安定性を発揮
する効果がある。したがって、本発明合金よりなるスト
レインゲージは、ロードセル、ストレインセンサ、重量
計、加速度計、圧力計、各種応力・歪計および各種セキ
ュリテイ機器などに好適である。
金はゲージ特性および加工性が従来の材料よりさらに向
上し、特性のばらつきが少なくなる特徴を有している。
さらに、本発明のストレインゲージ用合金の線材、箔材
または薄膜よりなるストレインゲージは、ゲージ率が２
以上で、且つ比電気抵抗の温度係数（−１０〜１０）×
１０−４／℃以内であるので、高感度・高安定性を発揮
する効果がある。したがって、本発明合金よりなるスト
レインゲージは、ロードセル、ストレインセンサ、重量
計、加速度計、圧力計、各種応力・歪計および各種セキ
ュリテイ機器などに好適である。
【図１】図１は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金のゲージ率Ｋ
と合金組成との関係を示す特性図である。
と合金組成との関係を示す特性図である。
【図２】図２は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金の抵抗温度係
数Ｃｆと合金組成との関係を示す特性図である。
数Ｃｆと合金組成との関係を示す特性図である。
【図３】図３は、Ｆｅ−１８％Ｃｒ−２．５％Ｓｉ系合
金に、Ｎｉ，Ｃｏを添加した場合の、ゲージ率Ｋおよび
抵抗温度係数Ｃｆと各元素の添加量との関係を示す特性
図である。
金に、Ｎｉ，Ｃｏを添加した場合の、ゲージ率Ｋおよび
抵抗温度係数Ｃｆと各元素の添加量との関係を示す特性
図である。
【図４】図４は、Ｆｅ−１８％Ｃｒ−２．５％Ｓｉ系合
金に、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉを
添加した場合の、ゲージ率Ｋおよび抵抗温度係数Ｃｆと
各元素の添加量との関係を示す特性図である。
金に、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉを
添加した場合の、ゲージ率Ｋおよび抵抗温度係数Ｃｆと
各元素の添加量との関係を示す特性図である。
【図５】図５は、Ｆｅ−１８％Ｃｒ−２．５％Ｓｉ系合
金に、Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｔ，Ｓ
ｎを添加した場合のゲージ率Ｋおよび抵抗温度係数Ｃｆ
と各元素の添加量との関係を示す特性図である。
金に、Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｔ，Ｓ
ｎを添加した場合のゲージ率Ｋおよび抵抗温度係数Ｃｆ
と各元素の添加量との関係を示す特性図である。
【図６】図６は、Ｆｅ−１８％Ｃｒ−２．５％Ｓｉ系合
金に、Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎを添
加した場合のゲージ率Ｋおよび抵抗温度係数Ｃｆと各元
素との関係を示す特性図である。
金に、Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎを添
加した場合のゲージ率Ｋおよび抵抗温度係数Ｃｆと各元
素との関係を示す特性図である。
【図７】図７は、合金番号２７の１０ロットについて、
加工状態の極細線のゲージ率Ｋを示す特性図である。
加工状態の極細線のゲージ率Ｋを示す特性図である。
【図８】図８は、合金番号５８の線材よりなるストレイ
ンゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す特性図で
ある。
ンゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す特性図で
ある。
【図９】図９は、合金番号５８の箔材よりなるストレイ
ンゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す特性図で
ある。
ンゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す特性図で
ある。
【図１０】図１０は、合金番号６７の薄膜よりなるスト
レインゲージの（Ａ）ゲージパターンと（Ｂ）各薄膜素
子のゲージ率Ｋを示した特性図である。
レインゲージの（Ａ）ゲージパターンと（Ｂ）各薄膜素
子のゲージ率Ｋを示した特性図である。
【図１１】図１１は、合金番号６７の薄膜よりなるスト
レインゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す特性
図である。
レインゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す特性
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｂ 7/16 Ｇ０１Ｌ 1/22 Ｍ Ｇ０１Ｌ 1/22 Ｇ０１Ｂ 7/18 Ｇ
Claims (25)
- 【請求項１】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５
１〜７％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲ
ージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１
０〜１０）×１０−４／℃以内であることを特徴とする
ストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金。 - 【請求項２】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５
１〜７％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％
以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞ
れ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，
Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以
下，Ｂ，Ｃ，Ｎ のそれぞれ１％以下のうち１種または
２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少
量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電
気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以
内であることを特徴とするストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃ
ｒ−Ｓｉ基合金。 - 【請求項３】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５
１〜７％と、副成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％
未満、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞ
れ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，
Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，希士類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以
下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２
種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量
の不純物とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気
抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内
であることを特徴とするストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ
−Ｓｉ基合金。 - 【請求項４】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５
１〜７％と、副成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素
のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類
元素 のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎ
のそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の合計
０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物とか
らなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係
数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であることを
特徴とするストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合
金。 - 【請求項５】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５
１〜７％、希土類元素０．００１〜５％と、副成分とし
てＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれ
ぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，のそれぞれ５
％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下
のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０％お
よび残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率が２
以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）
×１０−４／℃以内であることを特徴とするストレイン
ゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金。 - 【請求項６】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５
１〜７％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなる合金
組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中
において溶解した後、適当な鋳型で鋳造し、得られたイ
ンゴットを熱間加工により所望の丸棒または板材とな
し、ついで冷間加工を施して線材または箔材となし、そ
のままか、またはこれをさらに非酸化性ガス、還元性ガ
スまたは真空中の４００℃以上１２００℃以下の温度で
加熱後冷却することを特徴とするゲージ率が２以上で、
且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０
−４／℃以内であることを特徴とするストレインゲージ
用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造法。 - 【請求項７】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５
１〜７％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％
以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞ
れ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，
Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以
下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２
種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量
の不純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、
還元性ガスまたは真空中において溶解した後、適当な鋳
型で鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望
の丸棒または板材となし、ついで冷間加工を施して線材
または箔材となし、そのままか、またはこれをさらに非
酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中の４００℃以上１
２００℃以下の温度で加熱後冷却することを特徴とする
ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−
１０〜１０）×１０−４／℃以内であることを特徴とす
るストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造
法。 - 【請求項８】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５
１〜７％と、副成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７％
未満、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞ
れ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，
Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇ
ａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以
下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２
種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量
の不純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、
還元性ガスまたは真空中において溶解した後、適当な鋳
型で鋳造し得られたインゴットを熱間加工により所望の
丸棒または板材となし、ついで冷間加工を施して線材ま
たは箔材となし、そのままか、またはこれをさらに非酸
化性ガス、還元性ガスまたは真空中の４００℃以上１２
００℃以下の温度で加熱後冷却することを特徴とするゲ
ージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１
０〜１０）×１０−４／℃以内であることを特徴とする
ストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造法。 - 【請求項９】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．５
１〜７％と、副成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素
のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類
元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎの
それぞれ１％以下のうち１種または２種以上の合計０．
００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物とからな
る合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは
真空中において溶解した後、適当な鋳型で鋳造し、得ら
れたインゴットを熱間加工により所望の丸棒または板材
となし、ついで冷間加工を施して線材または箔材とな
し、そのままか，またはこれをさらに非酸化性ガス、還
元性ガスまたは真空中の４００℃以上１２００℃以下の
温度で適当な時間加熱後冷却することを特徴とするゲー
ジ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０
〜１０）×１０−４／℃以内であるストレインゲージ用
Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造法。 - 【請求項１０】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％、希土類元素０．００１〜５％と、副成分と
してＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそ
れぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎのそれぞれ５
％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下
のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０％お
よび残部Ｆｅと少量の不純物とからなる合金組成の原料
を、非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中において溶
解した後、適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴットを
熱間加工により所望の丸棒または板材となし、ついで冷
間加工を施して線材または箔材となし、そのままか、ま
たはこれをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空
中の４００℃以上１２００℃以下の温度で加熱後冷却す
ることを特徴とするゲージ率が２以上で、且つ比電気抵
抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内で
あるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の製造
法。 - 【請求項１１】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、
ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−
１０〜１０）×１０−４／℃以内であるストレインゲー
ジ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材、箔材または薄膜の
いずれかよりなるストレインゲージ。 - 【請求項１２】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０
％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれ
ぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ
比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／
℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基の
線材、箔材または薄膜のいずれかよりなるストレインゲ
ージ。 - 【請求項１３】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％と、副成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７
％未満、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれ
ぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ
比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）×１０−４／
℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合
金の線材、箔材または薄膜のいずれかよりなるストレイ
ンゲージ。 - 【請求項１４】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％と、副成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなり、ゲージ率が２以上で、且つ比電気抵抗の温
度係数が（−１０〜１０）×１０−４／℃以内であるス
トレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材、箔材
または薄膜のいずれかよりなるストレインゲージ。 - 【請求項１５】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％、希土類元素０．００１〜５％と、副成分と
してＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそ
れぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎのそれぞれ５
％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下
のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０％お
よび残部Ｆｅと少量の不純物とからなり、ゲージ率が２
以上で、且つ比電気抵抗の温度係数が（−１０〜１０）
×１０−４／℃以内であるストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃ
ｒ−Ｓｉ基合金の線材、箔材または薄膜のいづれかより
なるストレインゲージ。 - 【請求項１６】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦ
ｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材または箔材を、適当なベー
ス面に貼付して素子となし、そのままか、または必要な
らばさらに温度補償として、該素子と直角成分の素子を
同一面内に構築してゲージパターンを形成したことを特
徴とするストレインゲージ。 - 【請求項１７】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０
％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれ
ぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線
材または箔材を、適当なベース面に貼付して素子とな
し、そのままか、または必要ならばさらに温度補償とし
て、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲー
ジパターンを形成したことを特徴とするストレインゲー
ジ。 - 【請求項１８】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％と、副成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７
％未満、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれ
ぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線
材または箔材を、適当なベース面に貼付して素子とな
し、そのままか、または必要ならばさらに温度補償とし
て、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲー
ジパターンを形成したことを特徴とするストレインゲー
ジ。 - 【請求項１９】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％と、副成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金の線材または箔材
を、適当なベース面に貼付して素子となし、そのまま
か、または必要ならばさらに温度補償として、該素子と
直角成分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを
形成したことを特徴とするストレインゲージ。 - 【請求項２０】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％、希土類元素０．００１〜５％と、副成分と
してＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそ
れぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎのそれぞれ５
％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下
のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０％お
よび残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓ
ｉ基合金の線材または箔材を、適当なベース面に貼付し
て素子となし、そのままか、または必要ならばさらに温
度補償として、該素子と直角成分の素子を同一面内に構
築してゲージパターンを形成したことを特徴とするスト
レインゲージ。 - 【請求項２１】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％および残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦ
ｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金を、電着、蒸着、無電解メッキま
たはスパッタリングより選択した方法で、所望の形状に
薄膜を形成するかまたは薄膜を形成後所望の形状に打ち
抜き、フォトエッチングまたはトリミングなどの加工を
施して素子となし、必要ならば温度補償として、該素子
と直角成分の素子を同一面内に構築してゲージパターン
を形成し、さらに電極を構成し、そのままか、またはこ
れをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中で熱
処理を施したことを特徴とする薄膜ストレインゲージ。 - 【請求項２２】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％と、副成分としてＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０
％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれ
ぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金を、
電着、蒸着、無電解メッキまたはスパッタリングより選
択した方法で、所望の形状に薄膜を形成するかまたは薄
膜を形成後所望の形状に打ち抜き、フォトエッチングま
たはトリミングなどの加工を施して素子となし、必要な
らば温度補償として、該素子と直角成分の素子を同一面
内に構築してゲージパターンを形成し、さらに電極を構
成し、そのままか、またはこれをさらに非酸化性ガス、
還元性ガスまたは真空中で熱処理を施したことを特徴と
する薄膜ストレインゲージ。 - 【請求項２３】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％と、副成分としてＮｉ４０％以下，Ｃｏ１７
％未満、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれ
ぞれ１０％以下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｇｅ，白金族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｇａ，Ｉｎ，希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ
３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種ま
たは２種以上の合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅ
と少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金を、
電着、蒸着、無電解メッキまたはスパッタリングより選
択した方法で、所望の形状に薄膜を形成するかまたは薄
膜を形成後所望の形状に打ち抜き、フォトエッチングま
たはトリミングなどの加工を施して素子となし、必要な
らば温度補償として、該素子と直角成分の素子を同一面
内に構築してゲージパターンを形成し、さらに電極を構
成し、そのままか、またはこれをさらに非酸化性ガス、
還元性ガスまたは真空中で熱処理を施したことを特徴と
する薄膜ストレインゲージ。 - 【請求項２４】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％と、副成分としてＣｏ４０％以下、Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以
下、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金
族元素のそれぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，
希土類元素のそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，
Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以下のうち１種または２種以上の
合計０．００１〜５０％および残部Ｆｅと少量の不純物
とからなるＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金を、電着、蒸着、無
電解メッキまたはスパッタリングより選択した方法で、
所望の形状に薄膜を形成するかまたは薄膜を形成後所望
の形状に打ち抜き、フォトエッチングまたはトリミング
などの加工を施して素子となし、必要ならば温度補償と
して、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲ
ージパターンを形成し、さらに電極を構成し、そのまま
か、またはこれをさらに非酸化性ガス、還元性ガスまた
は真空中で熱処理を施したことを特徴とする薄膜ストレ
インゲージ。 - 【請求項２５】 重量比にてＣｒ５〜３０％，Ｓｉ０．
５１〜７％、希土類元素０．００１〜５％と、副成分と
してＮｉ，Ｃｏのそれぞれ４０％以下、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，
Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｃｕのそれぞれ１０％以下、Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｇｅ，白金族元素のそ
れぞれ７％以下、Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｉｎ，のそれぞれ
５％以下、Ｂｅ３％以下，Ｂ，Ｃ，Ｎのそれぞれ１％以
下のうち１種または２種以上の合計０．００１〜５０％
および残部Ｆｅと少量の不純物とからなるＦｅ−Ｃｒ−
Ｓｉ基合金を、電着、蒸着、無電解メッキまたはスパッ
タリングより選択した方法で、所望の形状に薄膜を形成
するかまたは薄膜を形成後所望の形状に打ち抜き、フォ
トエッチングまたはトリミングなどの加工を施して素子
となし、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分
の素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、
さらに電極を構成し、そのままか、またはこれをさらに
非酸化性ガス、還元性ガスまたは真空中で熱処理を施し
たことを特徴とする薄膜ストレインゲージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22959195A JPH0941100A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金およびその製造法ならびにストレインゲージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22959195A JPH0941100A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金およびその製造法ならびにストレインゲージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0941100A true JPH0941100A (ja) | 1997-02-10 |
Family
ID=16894588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22959195A Withdrawn JPH0941100A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ基合金およびその製造法ならびにストレインゲージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0941100A (ja) |
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