JPH08176754A - ストレインゲージ用合金およびその製造法ならびにストレインゲージ - Google Patents
ストレインゲージ用合金およびその製造法ならびにストレインゲージInfo
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- JPH08176754A JPH08176754A JP34084294A JP34084294A JPH08176754A JP H08176754 A JPH08176754 A JP H08176754A JP 34084294 A JP34084294 A JP 34084294A JP 34084294 A JP34084294 A JP 34084294A JP H08176754 A JPH08176754 A JP H08176754A
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Landscapes
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高いゲージ率とばらつきの少ないゲージ特性
を具備した新規な材料。 【構成】 重量％にて、Ｃｒ１〜３５、Ｃｏ１５〜７０
を含み、以下いずれもＷ１０、Ｍｏ１０、Ｎｂ１０、Ｔ
ａ１０以下でその計０．００１〜１５で、副成分とし
て、以下いずれもＭｎ１０、Ｃｕ１０、Ｐｔ１０、Ｒｈ
１０、Ｐｄ１０、Ａｕ１０、Ａｇ１０、Ｌｕ１０、Ｉｒ
１０、Ｏｓ１０、Ｈｆ１０、Ｖ１０、Ａｌ１０、Ｓｉ１
０、Ｔｉ１０、希土類元素１０、Ｚｒ５、Ｔｃ５、Ｚｎ
５、Ｇｅ５、Ｓｎ５、Ｓｂ５、Ｂｅ３、Ｂ１、Ｃ１以下
でその計０．００１〜２０および残部Ｆｅと少量の不純
物とからなり、ゲージ率が２以上を有するストレインゲ
ージ用合金。
を具備した新規な材料。 【構成】 重量％にて、Ｃｒ１〜３５、Ｃｏ１５〜７０
を含み、以下いずれもＷ１０、Ｍｏ１０、Ｎｂ１０、Ｔ
ａ１０以下でその計０．００１〜１５で、副成分とし
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物とからなり、ゲージ率が２以上を有するストレインゲ
ージ用合金。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ストレインゲージ用合
金ならびに該合金の線材および箔材の製造方法、および
ストレインゲージに関するものである。さらに詳しく
は、本発明は鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト
（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、
ニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）を主成分とし、
副成分として、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、白金
（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、金
（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウ
ム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ハフニウム（Ｈ
ｆ）、バナジウム（Ｖ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリ
コン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、希土類元素、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）、テクネチウム（Ｔｃ）、亜鉛（Ｚｎ）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）および炭素
（Ｃ）のうち一種あるいは２種以上の合計０．００１〜
２０％とからなるストレインゲージ用合金およびその製
造方法、ならびにこの合金を使用したストレインゲージ
に関するもので、その目的とするところは２以上の高い
ゲージ率を有し良好な加工性を具備する線材および箔
材、ならびに薄膜を提供するにある。また、該合金を使
用して作成された２以上のゲージ率を有する線材、箔材
および薄膜よりなるストレインゲージを提供するにあ
る。
金ならびに該合金の線材および箔材の製造方法、および
ストレインゲージに関するものである。さらに詳しく
は、本発明は鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト
（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、
ニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）を主成分とし、
副成分として、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、白金
（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、金
（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウ
ム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、ハフニウム（Ｈ
ｆ）、バナジウム（Ｖ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリ
コン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、希土類元素、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）、テクネチウム（Ｔｃ）、亜鉛（Ｚｎ）、
ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）および炭素
（Ｃ）のうち一種あるいは２種以上の合計０．００１〜
２０％とからなるストレインゲージ用合金およびその製
造方法、ならびにこの合金を使用したストレインゲージ
に関するもので、その目的とするところは２以上の高い
ゲージ率を有し良好な加工性を具備する線材および箔
材、ならびに薄膜を提供するにある。また、該合金を使
用して作成された２以上のゲージ率を有する線材、箔材
および薄膜よりなるストレインゲージを提供するにあ
る。
【０００２】
【従来の技術】ストレインゲージは、一般に弾性歪によ
つてゲージ細線またはゲージ箔の電気抵抗が変化する現
象を利用して、逆に抵抗変化を測定することによって歪
の量あるいは応力を計測したり歪や応力の変換機器にも
ちいられる。例えば、生産工業におけるストレインセン
サ、重量計測、加速度計や各種機器量−電気量変換機
器、土木工業における土圧計、建築業・エネルギー関連
業における圧力計や撓み量計測、航空・宇宙・鉄道・船
舶における各種応力・歪計測ばかりでなく民生用として
の商用秤や各種セキュリティ機器等にも多く利用されて
いる。
つてゲージ細線またはゲージ箔の電気抵抗が変化する現
象を利用して、逆に抵抗変化を測定することによって歪
の量あるいは応力を計測したり歪や応力の変換機器にも
ちいられる。例えば、生産工業におけるストレインセン
サ、重量計測、加速度計や各種機器量−電気量変換機
器、土木工業における土圧計、建築業・エネルギー関連
業における圧力計や撓み量計測、航空・宇宙・鉄道・船
舶における各種応力・歪計測ばかりでなく民生用として
の商用秤や各種セキュリティ機器等にも多く利用されて
いる。
【０００３】ストレインゲージ材料に課せられる条件
は、 １．ゲージ率が大きく、温度依存性が少ないこと ２．比電気抵抗が大きいこと ３．抵抗温度係数が小さいこと ４．対銅熱起電力が小さいこと ５．加工性がよく、機械的性質がよいこと ６．安価なこと などに要約される。
は、 １．ゲージ率が大きく、温度依存性が少ないこと ２．比電気抵抗が大きいこと ３．抵抗温度係数が小さいこと ４．対銅熱起電力が小さいこと ５．加工性がよく、機械的性質がよいこと ６．安価なこと などに要約される。
【０００４】また、ストレインゲージ素子としては、上
記のゲージ特性の他に見掛けの歪が小さいことや素子間
の特性のバラツキが少ないことも重要である。ここでい
う見掛けの歪は、ゲージ周辺の温度変化によって歪みが
加わっていなくても恰も発生しているかのような測定以
外の出力変化のことを意味している。通常は見掛けの歪
に相当する出力が出ないようにブリッジ回路で相殺して
使用している。
記のゲージ特性の他に見掛けの歪が小さいことや素子間
の特性のバラツキが少ないことも重要である。ここでい
う見掛けの歪は、ゲージ周辺の温度変化によって歪みが
加わっていなくても恰も発生しているかのような測定以
外の出力変化のことを意味している。通常は見掛けの歪
に相当する出力が出ないようにブリッジ回路で相殺して
使用している。
【０００５】ところで、ストレインゲージは、その構造
が金属細線（１３〜２５μｍ）または金属箔（３〜５μ
ｍ）をグリッド状あるいはロゼット状に配置してなり、
またその使用法としては前記ゲージを被測定物に接着剤
で貼付し、被測定物に生じた歪をゲージの抵抗変化から
間接的に測定するものである。ストレインゲージの感度
は、ゲージ率Ｋによってきまり、Ｋ（２０℃）の値は一
般に次の式で表される。
が金属細線（１３〜２５μｍ）または金属箔（３〜５μ
ｍ）をグリッド状あるいはロゼット状に配置してなり、
またその使用法としては前記ゲージを被測定物に接着剤
で貼付し、被測定物に生じた歪をゲージの抵抗変化から
間接的に測定するものである。ストレインゲージの感度
は、ゲージ率Ｋによってきまり、Ｋ（２０℃）の値は一
般に次の式で表される。
【０００６】
【数１】 ここで、Ｒはゲージ細線の全抵抗 σはゲージの細線のポアソン比 ρはゲージ細線の比電気抵抗 ｌはゲージ細線の全長 である。この式でσは一般の金属・合金ではほぼ０．３
であるから、右辺第１項と第２項の合計は約１．６で一
定値となる。したがってゲージ率を大きくするために
は、上式の右辺第３項の（Δρ／ρ）・（Δｌ／ｌ）
−１が大きいことが必須条件である。すなわち、材料に
引っ張り変形を与えた時、材料の長さ方向の電子構造が
大幅に変化して、電気抵抗の変化量Δρ／ρが増加する
ことによる。またゲージ率のロット間のばらつき△Ｋ
は、次式で評価する。
であるから、右辺第１項と第２項の合計は約１．６で一
定値となる。したがってゲージ率を大きくするために
は、上式の右辺第３項の（Δρ／ρ）・（Δｌ／ｌ）
−１が大きいことが必須条件である。すなわち、材料に
引っ張り変形を与えた時、材料の長さ方向の電子構造が
大幅に変化して、電気抵抗の変化量Δρ／ρが増加する
ことによる。またゲージ率のロット間のばらつき△Ｋ
は、次式で評価する。
【０００７】
【数２】
【０００８】ストレインゲージ素子用材料として現在最
も多く使用されている材料は、Ｃｕ−Ｎｉ合金である。
この合金は、抵抗温度係数Ｃｆが極めて小さい特長を有
する反面、ゲージ率Ｋおよび比電気抵抗ρが小さく、ま
た対銅熱起電力Ｅｍｆが大きいために、高感度・高安定
性ストレインゲージ用合金としては使用できない。さら
にこの合金の問題として、ゲージ特性のばらつきが数％
あることも製品の互換性に対して大きな問題であった。
も多く使用されている材料は、Ｃｕ−Ｎｉ合金である。
この合金は、抵抗温度係数Ｃｆが極めて小さい特長を有
する反面、ゲージ率Ｋおよび比電気抵抗ρが小さく、ま
た対銅熱起電力Ｅｍｆが大きいために、高感度・高安定
性ストレインゲージ用合金としては使用できない。さら
にこの合金の問題として、ゲージ特性のばらつきが数％
あることも製品の互換性に対して大きな問題であった。
【０００９】この材料の他に、ゲージ率Ｋが大きな材料
には半導体の炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニ
ウム（Ｇｅ）等が知られている。しかしこれら半導体の
場合、Ｋが数１０〜１７０で非常に大きいが、その値は
正および負を示すだけでなく、Ｋの異方性が大きく安定
性に欠けること、また機械的強度が劣るなどの欠点があ
るために、特殊な小型圧力変換器に応用化されている程
度である。
には半導体の炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニ
ウム（Ｇｅ）等が知られている。しかしこれら半導体の
場合、Ｋが数１０〜１７０で非常に大きいが、その値は
正および負を示すだけでなく、Ｋの異方性が大きく安定
性に欠けること、また機械的強度が劣るなどの欠点があ
るために、特殊な小型圧力変換器に応用化されている程
度である。
【００１０】一方本発明者が以前発見したＦｅ−Ｃｒ−
Ｃｏ系やＦｅ−Ｃｒ−Ｃｏ（Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ）多
元系合金などでは、Ｋが加工状態で４また高温処理によ
り１０以上であって、従来の実用合金Ｃｕ−Ｎｉの２〜
５倍の非常に大きい値を示すので高感度ゲージの要求に
は応えられそうである。（特公昭４５−１３２２９号、
特開昭６１−１５９１４号、特公平２−１３０２３
号）。しかし、これらの合金のＫは、ロット間のばらつ
きが約５〜７％を示しゲージの互換性にはやや難があ
り、高安定性ゲージには不向きである。なお抵抗温度係
数が４００×１０−６／℃以上を示し、上記Ｃｕ−Ｎｉ
合金の２０倍も大きな値を持っているのが欠点である
が、ゲージの設計とブリッジ回路による補償によって見
掛けの歪みを相殺できる。
Ｃｏ系やＦｅ−Ｃｒ−Ｃｏ（Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ）多
元系合金などでは、Ｋが加工状態で４また高温処理によ
り１０以上であって、従来の実用合金Ｃｕ−Ｎｉの２〜
５倍の非常に大きい値を示すので高感度ゲージの要求に
は応えられそうである。（特公昭４５−１３２２９号、
特開昭６１−１５９１４号、特公平２−１３０２３
号）。しかし、これらの合金のＫは、ロット間のばらつ
きが約５〜７％を示しゲージの互換性にはやや難があ
り、高安定性ゲージには不向きである。なお抵抗温度係
数が４００×１０−６／℃以上を示し、上記Ｃｕ−Ｎｉ
合金の２０倍も大きな値を持っているのが欠点である
が、ゲージの設計とブリッジ回路による補償によって見
掛けの歪みを相殺できる。
【００１１】また、抵抗温度係数が小さい材料として開
発されたＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ基合金は、耐酸化性に劣るだ
けでなく、かなり複雑な加工法で作製しなければならな
いなど多くの問題があった〔特開平５−２１４４９
３〕。以上説明したように、上記公知の材料には一長一
短があり、関連業界から本発明の目的である高いゲージ
率とばらつきの少ないゲージ特性を具備した新規な材料
の要望がなされている。
発されたＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ基合金は、耐酸化性に劣るだ
けでなく、かなり複雑な加工法で作製しなければならな
いなど多くの問題があった〔特開平５−２１４４９
３〕。以上説明したように、上記公知の材料には一長一
短があり、関連業界から本発明の目的である高いゲージ
率とばらつきの少ないゲージ特性を具備した新規な材料
の要望がなされている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】さて、ストレインゲー
ジは、近年マイクロコンピューターの進歩に伴って、そ
の応用領域がますます拡大して超精密、小型化および高
性能化にむかっており、特に高感度で安定性を必要とす
る圧力変換器やロードセルの他、ロボットの触角センサ
や滑りセンサ等の要求が高まってきた。これらの各種セ
ンサ用ストレインゲージに対しては高感度で良好な安定
性を有する素材が緊急に求められている。
ジは、近年マイクロコンピューターの進歩に伴って、そ
の応用領域がますます拡大して超精密、小型化および高
性能化にむかっており、特に高感度で安定性を必要とす
る圧力変換器やロードセルの他、ロボットの触角センサ
や滑りセンサ等の要求が高まってきた。これらの各種セ
ンサ用ストレインゲージに対しては高感度で良好な安定
性を有する素材が緊急に求められている。
【００１３】ところでこれらの要望に応えられる材料と
しては、安価でゲージ率が大きい前記Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ
−（Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ）多元系合金が有望である。
この合金を高感度・高安定性ストレインゲージ用材料と
して使用するためには、次の課題を克服しなければなら
ない。 １ ゲージ率は、２以上とする。 ２ ゲージ率のロット間のばらつきを２％以下に抑え
る。 ３ 加工性の改善を図る。
しては、安価でゲージ率が大きい前記Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ
−（Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ）多元系合金が有望である。
この合金を高感度・高安定性ストレインゲージ用材料と
して使用するためには、次の課題を克服しなければなら
ない。 １ ゲージ率は、２以上とする。 ２ ゲージ率のロット間のばらつきを２％以下に抑え
る。 ３ 加工性の改善を図る。
【００１４】
【発明が解決するための手段】本発明は、前述の点に鑑
みなされたものであって、上記Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ−（Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ）多元系合金を改良するために多く
の実験と研究を行ったものである。その結果、本発明で
は多くの新規な知見が得られた。以下に、その詳細を説
明する。本発明の特徴とするところは、下記の点にあ
る。
みなされたものであって、上記Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ−（Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ）多元系合金を改良するために多く
の実験と研究を行ったものである。その結果、本発明で
は多くの新規な知見が得られた。以下に、その詳細を説
明する。本発明の特徴とするところは、下記の点にあ
る。
【００１５】第１発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなり、ゲージ率が２以上を有することを特徴
とするストレインゲージ用合金。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなり、ゲージ率が２以上を有することを特徴
とするストレインゲージ用合金。
【００１６】第２発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなり、ゲージ率が２以上を有することを特徴
とするストレインゲージ用合金。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなり、ゲージ率が２以上を有することを特徴
とするストレインゲージ用合金。
【００１７】第３発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、シルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなり、ゲージ率が
２以上を有することを特徴とするストレインゲージ用合
金。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、シルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなり、ゲージ率が
２以上を有することを特徴とするストレインゲージ用合
金。
【００１８】第４発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金組成の原料を非酸化性ガス、還元性
ガスあるいは真空中において溶解した後、適当な鋳型で
鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の丸
棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を施して線材あ
るいは箔材となすか、あるいは該線材あるいは該箔材
に、さらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中の
４００℃以上１２００℃以下の温度で適当な時間加熱後
冷却することを特徴とするゲージ率が２以上を有するス
トレインゲージ用合金の製造法。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金組成の原料を非酸化性ガス、還元性
ガスあるいは真空中において溶解した後、適当な鋳型で
鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の丸
棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を施して線材あ
るいは箔材となすか、あるいは該線材あるいは該箔材
に、さらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中の
４００℃以上１２００℃以下の温度で適当な時間加熱後
冷却することを特徴とするゲージ率が２以上を有するス
トレインゲージ用合金の製造法。
【００１９】第５発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の台計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元
性ガスあるいは真空中において溶解した後、適当な鋳型
で鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の
丸棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を施して線材
あるいは箔材となすか、あるいは該線材あるいは該箔材
に、さらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中の
４００℃以上１２００℃以下の温度で適当な時間加熱後
冷却することを特徴とするゲージ率が２以上を有するス
トレインゲージ用合金の製造法。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の台計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元
性ガスあるいは真空中において溶解した後、適当な鋳型
で鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の
丸棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を施して線材
あるいは箔材となすか、あるいは該線材あるいは該箔材
に、さらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中の
４００℃以上１２００℃以下の温度で適当な時間加熱後
冷却することを特徴とするゲージ率が２以上を有するス
トレインゲージ用合金の製造法。
【００２０】第６発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなる合金組成の原
料を、非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中におい
て溶解した後、適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴッ
トを熱間加工により所望の丸棒あるいは板材となし、つ
いで冷間加工を施して線材あるいは箔材となすか、ある
いは該線材あるいは該箔材に、さらに非酸化性ガス、還
元性ガスあるいは真空中の４００℃以上１２００℃以下
の温度で適当な時間加熱後冷却することを特徴とするゲ
ージ率が２以上を有するストレインゲージ用合金の製造
法。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなる合金組成の原
料を、非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中におい
て溶解した後、適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴッ
トを熱間加工により所望の丸棒あるいは板材となし、つ
いで冷間加工を施して線材あるいは箔材となすか、ある
いは該線材あるいは該箔材に、さらに非酸化性ガス、還
元性ガスあるいは真空中の４００℃以上１２００℃以下
の温度で適当な時間加熱後冷却することを特徴とするゲ
ージ率が２以上を有するストレインゲージ用合金の製造
法。
【００２１】第７発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元
性ガスあるいは真空中において溶解した後適当な鋳型で
鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の丸
棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を施して線材あ
るいは箔材となし、そのままかあるいはさらに非酸化性
ガス、還元性ガスあるいは真空中の４００℃以上１２０
０℃以下の温度で適当な時間加熱冷却した該線材あるい
は該箔材を、適当なベース面に貼付して素子となし、必
要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素子を同
一面内に構築してゲージパターンを形成することを特徴
とするストレインゲージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元
性ガスあるいは真空中において溶解した後適当な鋳型で
鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の丸
棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を施して線材あ
るいは箔材となし、そのままかあるいはさらに非酸化性
ガス、還元性ガスあるいは真空中の４００℃以上１２０
０℃以下の温度で適当な時間加熱冷却した該線材あるい
は該箔材を、適当なベース面に貼付して素子となし、必
要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素子を同
一面内に構築してゲージパターンを形成することを特徴
とするストレインゲージ。
【００２２】第８発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元
性ガスあるいは真空中において溶解した後適当な鋳型で
鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の丸
棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を施して線材あ
るいは箔材となし、そのままかあるいはさらに非酸化性
ガス、還元性ガスあるいは真空中の４００℃以上１２０
０℃以下の温度で適当な時間加熱後冷却した該線材ある
いは該箔材を適当なベース面に貼付して素子となし、必
要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素子を同
一面内に構築してゲージパターンを形成することを特徴
とするストレインゲージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元
性ガスあるいは真空中において溶解した後適当な鋳型で
鋳造し、得られたインゴットを熱間加工により所望の丸
棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を施して線材あ
るいは箔材となし、そのままかあるいはさらに非酸化性
ガス、還元性ガスあるいは真空中の４００℃以上１２０
０℃以下の温度で適当な時間加熱後冷却した該線材ある
いは該箔材を適当なベース面に貼付して素子となし、必
要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素子を同
一面内に構築してゲージパターンを形成することを特徴
とするストレインゲージ。
【００２３】第９発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなる合金組成の原
料を、非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中におい
て溶解した後適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴット
を熱間加工により所望の丸棒あるいは板材となし、つい
で冷間加工を施して線材あるいは箔材となし、そのまま
かあるいはさらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真
空中の４００℃以上１２００℃以下の温度で適当な時間
加熱後冷却した該線材あるいは該箔材を、適当なベース
面に貼付して素子となし、必要ならば温度補償として、
該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲージパ
ターンを形成することを特徴とするストレインゲージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなる合金組成の原
料を、非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中におい
て溶解した後適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴット
を熱間加工により所望の丸棒あるいは板材となし、つい
で冷間加工を施して線材あるいは箔材となし、そのまま
かあるいはさらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真
空中の４００℃以上１２００℃以下の温度で適当な時間
加熱後冷却した該線材あるいは該箔材を、適当なベース
面に貼付して素子となし、必要ならば温度補償として、
該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲージパ
ターンを形成することを特徴とするストレインゲージ。
【００２４】第１０発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキある
いはスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に
薄膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエ
ッチングあるいはトリミングなどの加工を施して素子と
なし、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の
素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さ
らに電極を構成したことを特徴とする薄膜ストレインゲ
ージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキある
いはスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に
薄膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエ
ッチングあるいはトリミングなどの加工を施して素子と
なし、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の
素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さ
らに電極を構成したことを特徴とする薄膜ストレインゲ
ージ。
【００２５】第１１発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物からなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキあるい
はスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に薄
膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエッ
チングあるいはトリミングなどの加工を施して素子とな
し、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素
子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さら
に電極を構成したことを特徴とする薄膜ストレインゲー
ジ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物からなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキあるい
はスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に薄
膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエッ
チングあるいはトリミングなどの加工を施して素子とな
し、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素
子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さら
に電極を構成したことを特徴とする薄膜ストレインゲー
ジ。
【００２６】第１２発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなる合金を、電
着、蒸着、無電解メッキあるいはスパッタリングより選
択した方法で、所望の基板に薄膜を形成し、その後所望
の形状に打ち抜き、フォトエッチングあるいはトリミン
グなどの加工を施して素子となし、必要ならば温度補償
として、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築して
ゲージパターンを形成し、さらに電極を構成したことを
特徴とする薄膜ストレインゲージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなる合金を、電
着、蒸着、無電解メッキあるいはスパッタリングより選
択した方法で、所望の基板に薄膜を形成し、その後所望
の形状に打ち抜き、フォトエッチングあるいはトリミン
グなどの加工を施して素子となし、必要ならば温度補償
として、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築して
ゲージパターンを形成し、さらに電極を構成したことを
特徴とする薄膜ストレインゲージ。
【００２７】第１３発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキある
いはスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に
薄膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエ
ッチングあるいはトリミングなどの加工を施して素子と
なし、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の
素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さ
らに電極を構成した後、これをさらに非酸化性ガス、還
元性ガスあるいは真空中で熱処理を施すことを特徴とす
る薄膜ストレインゲージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキある
いはスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に
薄膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエ
ッチングあるいはトリミングなどの加工を施して素子と
なし、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の
素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さ
らに電極を構成した後、これをさらに非酸化性ガス、還
元性ガスあるいは真空中で熱処理を施すことを特徴とす
る薄膜ストレインゲージ。
【００２８】第１４発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分として、マンガン１０％以下、銅１０
％以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジ
ウム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニ
ウム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１
０％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキある
いはスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に
薄膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエ
ッチングあるいはトリミングなどの加工を施して素子と
なし、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の
素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さ
らに電極を構成した後、これをさらに非酸化性ガス、還
元性ガスあるいは真空中で熱処理を施すことを特徴とす
る薄膜ストレインケージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分として、マンガン１０％以下、銅１０
％以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジ
ウム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニ
ウム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１
０％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキある
いはスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に
薄膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエ
ッチングあるいはトリミングなどの加工を施して素子と
なし、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の
素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さ
らに電極を構成した後、これをさらに非酸化性ガス、還
元性ガスあるいは真空中で熱処理を施すことを特徴とす
る薄膜ストレインケージ。
【００２９】第１５発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなる合金を、電
着、蒸着、無電解メッキあるいはスパッタリングより選
択した方法で、所望の基板に薄膜を形成し、その後所望
の形状に打ち抜き、フォトエッチングあるいはトリミン
グなどの加工を施して素子となし、必要ならば温度補償
として、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築して
ゲージパターンを形成し、さらに電極を構成した後、こ
れをさらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中で
熱処理を施すことを特徴とする薄膜ストレインゲージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなる合金を、電
着、蒸着、無電解メッキあるいはスパッタリングより選
択した方法で、所望の基板に薄膜を形成し、その後所望
の形状に打ち抜き、フォトエッチングあるいはトリミン
グなどの加工を施して素子となし、必要ならば温度補償
として、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築して
ゲージパターンを形成し、さらに電極を構成した後、こ
れをさらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中で
熱処理を施すことを特徴とする薄膜ストレインゲージ。
【００３０】第１６発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物からなり、ゲージ率が２以上を有するストレインゲ
ージ用合金の線材、箔材および薄膜よりなるストレイン
ゲージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物からなり、ゲージ率が２以上を有するストレインゲ
ージ用合金の線材、箔材および薄膜よりなるストレイン
ゲージ。
【００３１】第１７発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなり、ゲージ率が２以上を有するストレイン
ゲージ用合金の線材、箔材および薄膜よりなるストレイ
ンゲージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下、タンタル１０％以下およびアルミニウ
ム１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、シリコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元
素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５
％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％
以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ
素１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種
以上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不
純物とからなり、ゲージ率が２以上を有するストレイン
ゲージ用合金の線材、箔材および薄膜よりなるストレイ
ンゲージ。
【００３２】第１８発明 重量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭累１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなり、ゲージ率が
２以上を有するストレインゲージ用合金の線材、箔材お
よび薄膜よりなるストレインゲージ。
とタングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニ
オブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるい
は２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマ
ンガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロ
ジウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭累１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と少量の不純物とからなり、ゲージ率が
２以上を有するストレインゲージ用合金の線材、箔材お
よび薄膜よりなるストレインゲージ。
【００３３】
【作用】従来のＦｅ−Ｃｒ−Ｃｏ−（Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，
Ｔａ）多元系合金は、非常に硬い性質を持っているため
に、加工と軟化処理の工程を繰り返しながら所望の形状
の素材を造らなければならなかった。すなわちビッカー
ス硬度Ｈｖは、加工状態において５００以上の高い値で
あるために加工性は非常に劣っている。これとは反対に
８００〜１０００℃の高温処理では、Ｈｖがいずれの合
金も約４００以下に低下し、合金素材が軟化し、これら
の低い値と加工状態との差△Ｈｖは約２００以上にもな
る。したがって、加工硬化が極めて著しいと考えられ
る。この加工軟化の拳動は、Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ又はＴａの
含有量の増加とともに一層著しくなるものと予想され
る。一般に素材の加工性は、Ｈｖが４００以下であるこ
とが好ましいと言われているので、上記合金の冷間加工
は、かなり困難である。
Ｔａ）多元系合金は、非常に硬い性質を持っているため
に、加工と軟化処理の工程を繰り返しながら所望の形状
の素材を造らなければならなかった。すなわちビッカー
ス硬度Ｈｖは、加工状態において５００以上の高い値で
あるために加工性は非常に劣っている。これとは反対に
８００〜１０００℃の高温処理では、Ｈｖがいずれの合
金も約４００以下に低下し、合金素材が軟化し、これら
の低い値と加工状態との差△Ｈｖは約２００以上にもな
る。したがって、加工硬化が極めて著しいと考えられ
る。この加工軟化の拳動は、Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ又はＴａの
含有量の増加とともに一層著しくなるものと予想され
る。一般に素材の加工性は、Ｈｖが４００以下であるこ
とが好ましいと言われているので、上記合金の冷間加工
は、かなり困難である。
【００３４】これらの合金の加工硬化の主な原因は、加
工誘起マルテンサイト相α´によるとされている。高温
で加熱処理するとα´→γ変態により加工性に富んだγ
相となる。したがって、このγ相とα´相とのバランス
を変えるためには、副成分の添加が有効である。
工誘起マルテンサイト相α´によるとされている。高温
で加熱処理するとα´→γ変態により加工性に富んだγ
相となる。したがって、このγ相とα´相とのバランス
を変えるためには、副成分の添加が有効である。
【００３５】本発明は、上記Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ−（Ｗ，
Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ）多元系合金に、副成分として、マン
ガン、銅、白金、ロジウム、パラジウム、金、銀、ルテ
ニウム、イリジウム、オスミウム、ハフニウム、バナジ
ウム、アルミニウム、シリコン、チタン、希土類元素、
ジルコニウム、テクネチウム、亜鉛、ゲルマニウム、
錫、アンチモン、ベリリウム、ホウ素、炭素を合計０．
００１〜２０％含有させることにより加工性が改善でき
ることを、多くの実験で明らかにした。
Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ）多元系合金に、副成分として、マン
ガン、銅、白金、ロジウム、パラジウム、金、銀、ルテ
ニウム、イリジウム、オスミウム、ハフニウム、バナジ
ウム、アルミニウム、シリコン、チタン、希土類元素、
ジルコニウム、テクネチウム、亜鉛、ゲルマニウム、
錫、アンチモン、ベリリウム、ホウ素、炭素を合計０．
００１〜２０％含有させることにより加工性が改善でき
ることを、多くの実験で明らかにした。
【００３６】すなわち、本発明合金を製造するには、重
量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％と
タングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニオ
ブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるいは
２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマン
ガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロジ
ウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以ト、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジル
コニウム５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以
下、ゲルマニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５
％以下、ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭
素１％以下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００
１〜２０％および残部鉄の各原料を、真空中において融
点以下まで加熱して含有ガスを十分に排気した後、好ま
しくは非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中におい
て溶解する。また溶融合金を十分に攪拌することによっ
て、組成が均一化する。次に、適当な形および大きさの
鋳型に鋳造して健全なインゴットを得る。
量比にて、クロム１〜３５％、コバルト１５〜７０％と
タングステン１０％以下、モリブデン１０％以下、ニオ
ブ１０％以下およびタンタル１０％以下の１種あるいは
２種以上の合計０．００１〜１５％、副成分としてマン
ガン１０％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロジ
ウム１０％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以
下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以ト、イリジウム
１０％以下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％
以下、バナジウム１０％以下、アルミニウム１０％以
下、シリコン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジル
コニウム５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以
下、ゲルマニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５
％以下、ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭
素１％以下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００
１〜２０％および残部鉄の各原料を、真空中において融
点以下まで加熱して含有ガスを十分に排気した後、好ま
しくは非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中におい
て溶解する。また溶融合金を十分に攪拌することによっ
て、組成が均一化する。次に、適当な形および大きさの
鋳型に鋳造して健全なインゴットを得る。
【００３７】このインゴットを、必要ならば高温度で適
当時間加熱して、均質化処理を施すか、あるいは直ちに
鍛造、熱間圧延などの熱間加工により丸棒あるいは板材
となし、ついで必要ならば４００℃以上の温度で軟化焼
鈍を施しながら、これをスエージングマシン、線引加工
機あるいは冷間圧延機などの冷間加工により、所望の形
状、例えば線経０．１ｍｍ以下の細線および０．１ｍｍ
以下のリボン等の線材、厚さ０．１ｍｍ以下の箔材ある
いはターゲット材などを得る。さらにこのターゲット材
からは、電着、蒸着、無電解メッキあるいはスパッタリ
ングより選択された方法で薄膜を形成する。さらに、必
要ならばこれらの線材、箔材および薄膜を非酸化性ガ
ス、還元性ガスあるいは真空中の１２００℃以下の温度
で、好ましくは１分間以上１０時間以下加熱後適度な速
度で冷却することによって、ゲージ率が２以上の値を有
するストレインゲージ用合金の線材、箔材および薄膜が
得られる。
当時間加熱して、均質化処理を施すか、あるいは直ちに
鍛造、熱間圧延などの熱間加工により丸棒あるいは板材
となし、ついで必要ならば４００℃以上の温度で軟化焼
鈍を施しながら、これをスエージングマシン、線引加工
機あるいは冷間圧延機などの冷間加工により、所望の形
状、例えば線経０．１ｍｍ以下の細線および０．１ｍｍ
以下のリボン等の線材、厚さ０．１ｍｍ以下の箔材ある
いはターゲット材などを得る。さらにこのターゲット材
からは、電着、蒸着、無電解メッキあるいはスパッタリ
ングより選択された方法で薄膜を形成する。さらに、必
要ならばこれらの線材、箔材および薄膜を非酸化性ガ
ス、還元性ガスあるいは真空中の１２００℃以下の温度
で、好ましくは１分間以上１０時間以下加熱後適度な速
度で冷却することによって、ゲージ率が２以上の値を有
するストレインゲージ用合金の線材、箔材および薄膜が
得られる。
【００３８】図１、図２および図３は、上記の方法で製
造された本発明合金のゲージ率と副成分の添加量との関
係を示す。すなわち、図１は、Ｆｅ−１５％Ｃｒ−２７
％Ｃｏ−２％Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金
にＭｎ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｒｕお
よびＩｒの各元素の添加量との関係、図２は同じくＦｅ
−１５％Ｃｒ−２７％Ｃｏ−２％Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎ
ｂ−２％Ｔａ系合金にＯｓ，Ｈｆ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，ＹおよびＬａの各元素の添加量との関係ならびに図
３は、同じくＦｅ−１５％Ｃｒ−２７％Ｃｏ−２％Ｗ−
２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金にＣｅ，Ｚｒ，Ｔ
ｃ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｅ，ＢおよびＣの各元
素の添加量とゲージ率との関係を示したものである。こ
れらの図に見られるように、一般に上記元素の添加はゲ
ージ率を高める効果が大きい。
造された本発明合金のゲージ率と副成分の添加量との関
係を示す。すなわち、図１は、Ｆｅ−１５％Ｃｒ−２７
％Ｃｏ−２％Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金
にＭｎ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｒｕお
よびＩｒの各元素の添加量との関係、図２は同じくＦｅ
−１５％Ｃｒ−２７％Ｃｏ−２％Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎ
ｂ−２％Ｔａ系合金にＯｓ，Ｈｆ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，ＹおよびＬａの各元素の添加量との関係ならびに図
３は、同じくＦｅ−１５％Ｃｒ−２７％Ｃｏ−２％Ｗ−
２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金にＣｅ，Ｚｒ，Ｔ
ｃ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｅ，ＢおよびＣの各元
素の添加量とゲージ率との関係を示したものである。こ
れらの図に見られるように、一般に上記元素の添加はゲ
ージ率を高める効果が大きい。
【００３９】上記の方法で製造した本発明合金極細線
（線経０．０６ｍｍ、加工率７５％）のゲージ特性を測
定した結果、表１および表２に示すような値が得られ
た。
（線経０．０６ｍｍ、加工率７５％）のゲージ特性を測
定した結果、表１および表２に示すような値が得られ
た。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】次に、本発明において、合金の成分組成、
製造工程における熱処理等の数値を限定した理由につい
て以下説明する。本発明合金の組成をクロム１〜３５
％、コバルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、
モリブデン１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタ
ル１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、アルミニウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と、それぞれの範囲に限定した理由は、
ゲージ率が２以上の高い値が得られ、ゲージ率のばらつ
きが極めて少なく、ゲージ特性が改善され、加工性も改
善されるが、これらの範囲以外では、これらの効果が期
待できないからである。尚、希土類元素は、Ｓｃ，Ｙお
よびランタン系元素からなるが、その効果は均等であ
る。さらに、熱処理の条件において、４００℃以上１２
００℃以下の温度と限定し、好ましくは１分間以上１０
時間加熱するように限定した理由は、この処理条件内で
は、冷間加工が容易となり、またゲージ率が２以上で、
ストレインゲージの見掛けの歪も１００με／ε・℃
−１以下になって好ましいからである。
製造工程における熱処理等の数値を限定した理由につい
て以下説明する。本発明合金の組成をクロム１〜３５
％、コバルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、
モリブデン１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタ
ル１０％以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１
〜１５％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％
以下、白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウ
ム１０％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウ
ム１０％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０
％以下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以
下、アルミニウム１０％以下、シリコン１０％以下、チ
タン１０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム
５％以下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲル
マニウム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、
ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以
下のうち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０
％および残部鉄と、それぞれの範囲に限定した理由は、
ゲージ率が２以上の高い値が得られ、ゲージ率のばらつ
きが極めて少なく、ゲージ特性が改善され、加工性も改
善されるが、これらの範囲以外では、これらの効果が期
待できないからである。尚、希土類元素は、Ｓｃ，Ｙお
よびランタン系元素からなるが、その効果は均等であ
る。さらに、熱処理の条件において、４００℃以上１２
００℃以下の温度と限定し、好ましくは１分間以上１０
時間加熱するように限定した理由は、この処理条件内で
は、冷間加工が容易となり、またゲージ率が２以上で、
ストレインゲージの見掛けの歪も１００με／ε・℃
−１以下になって好ましいからである。
【００４３】
【実施例】以下、本発明の実施例について述べる。 実施例１ 合金番号６０（組成：Ｆｅ−１５％Ｃｒ一２
７％Ｃｏ−２％Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ−５
％Ｍｎ−５％Ｒｕ）の合金線材・箔材の製造と評価 原料としては、９９．９７％純度の電解鉄、９９．４％
純度のテルミットクロム、９９．５９％純度の電解コバ
ルト、９９．９％純度のタングステン、モリブデン、ニ
オブ、タンタル、９９．９４％純度の電解マンガンおよ
び９９．９９％純度のルテニウムを用いた。試料を造る
には、先ず全重量１００ｇの原料をアルミナ坩堝に入
れ、真空中で高周波誘導溶解炉を用いて徐々に加熱し、
融点直下で暫く一定の温度に保ち原料中のガスを排気す
る。その後、さらに温度を昇温して全体が溶融状態とす
る。この作業において、融液を攪拌して均質な溶融合金
とする。つぎに内径１０ｍｍ、高さ１２０ｍｍの鉄型に
鋳込み鋳塊とした。このような方法で、同じインゴット
を１０本製造した。これらのインゴットを１１５０℃で
鍛造して、外径５ｍｍの丸棒にし、さらに１０００℃の
中間焼鈍を何度か繰り返した後、スエージングおよび冷
間線引き抜きにより直径０．０２ｍｍの極細線を造っ
た。この場合の加工率は、９５％であった。次に、得ら
れた極細線に対して、真空中４００〜１２００℃の各種
温度で１０分〜５時間加熱後、室温まで炉中冷却（平均
１００℃／時間）する。表３には、種々な熱処理を施し
た場合の特性値を示した。
７％Ｃｏ−２％Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ−５
％Ｍｎ−５％Ｒｕ）の合金線材・箔材の製造と評価 原料としては、９９．９７％純度の電解鉄、９９．４％
純度のテルミットクロム、９９．５９％純度の電解コバ
ルト、９９．９％純度のタングステン、モリブデン、ニ
オブ、タンタル、９９．９４％純度の電解マンガンおよ
び９９．９９％純度のルテニウムを用いた。試料を造る
には、先ず全重量１００ｇの原料をアルミナ坩堝に入
れ、真空中で高周波誘導溶解炉を用いて徐々に加熱し、
融点直下で暫く一定の温度に保ち原料中のガスを排気す
る。その後、さらに温度を昇温して全体が溶融状態とす
る。この作業において、融液を攪拌して均質な溶融合金
とする。つぎに内径１０ｍｍ、高さ１２０ｍｍの鉄型に
鋳込み鋳塊とした。このような方法で、同じインゴット
を１０本製造した。これらのインゴットを１１５０℃で
鍛造して、外径５ｍｍの丸棒にし、さらに１０００℃の
中間焼鈍を何度か繰り返した後、スエージングおよび冷
間線引き抜きにより直径０．０２ｍｍの極細線を造っ
た。この場合の加工率は、９５％であった。次に、得ら
れた極細線に対して、真空中４００〜１２００℃の各種
温度で１０分〜５時間加熱後、室温まで炉中冷却（平均
１００℃／時間）する。表３には、種々な熱処理を施し
た場合の特性値を示した。
【００４４】
【表３】
【００４５】上記極細線とは別に、同様な方法で作製し
たインゴットから圧延と熱処理の工程を経て厚さ３μｍ
および幅１００ｍｍの箔材を得る。ここで、圧延の圧加
率および熱処理などの条件は、極細線のそれと殆ど同じ
であった。図４は、合金番号６０のロット１０種から製
造した極細線の加工状態におけるゲージ率Ｋの測定結果
を示す。この図からＫの平均値（図中印）、最大値、最
小値およびＫのばらつき△Ｋなどが求められる。本発明
のＫは、ロット内では４．１０±０．０２およびロット
間では４．１０±０．０２で、それらのばらつき△Ｋ
は、０．５％で非常に小さい。すなわち、本発明合金の
△Ｋは、比較材料のそれに比べて約１０分の１で、著し
く改善されていることが分かった。なお、箔材の場合の
ゲージ特性は、線材の△Ｋとほぼ一致した。
たインゴットから圧延と熱処理の工程を経て厚さ３μｍ
および幅１００ｍｍの箔材を得る。ここで、圧延の圧加
率および熱処理などの条件は、極細線のそれと殆ど同じ
であった。図４は、合金番号６０のロット１０種から製
造した極細線の加工状態におけるゲージ率Ｋの測定結果
を示す。この図からＫの平均値（図中印）、最大値、最
小値およびＫのばらつき△Ｋなどが求められる。本発明
のＫは、ロット内では４．１０±０．０２およびロット
間では４．１０±０．０２で、それらのばらつき△Ｋ
は、０．５％で非常に小さい。すなわち、本発明合金の
△Ｋは、比較材料のそれに比べて約１０分の１で、著し
く改善されていることが分かった。なお、箔材の場合の
ゲージ特性は、線材の△Ｋとほぼ一致した。
【００４６】実施例２ 合金番号７（組成：Ｆｅ−１５
％Ｃｒ−３５％Ｃｏ−５％Ｗ−５％Ｈｆ−５％Ｒｈ）の
線材および箔材よりなるストレインゲージの製造と評価 合金の原料はさらに９９．９９％純度のハフニウムおよ
びロジウムを用い、製造工程の条件は、実施例１と同じ
であった。得られた極細線と箔材をそのままか、あるい
はさらに真空中の４００℃以上１２００℃以下の温度で
１時間熱処理した該極細線および該箔材を、厚さ５μｍ
の樹脂に接着した後グリツド状のゲージパターンに加工
して線材および箔材よりなるストレインゲージを試作し
た。線材ストレインゲージおよび箔材ストレインゲージ
の評価結果を、それぞれ図５および図６に示す。ゲージ
率Ｋは、加熱温度に対して約８５０℃で極大となる。ゲ
ージ率Ｋは約８５０℃で極大値を示し、また比電気抵抗
ρおよび対銅熱起電力Ｅｍｆは、加熱温度に対し大きな
変化はないが、抵抗温度係数ＴＣＲは小さい。すなわ
ち、本発明合金を使用することによって高感度・高安定
性ストレインゲージが提供できることを明らかにした。
％Ｃｒ−３５％Ｃｏ−５％Ｗ−５％Ｈｆ−５％Ｒｈ）の
線材および箔材よりなるストレインゲージの製造と評価 合金の原料はさらに９９．９９％純度のハフニウムおよ
びロジウムを用い、製造工程の条件は、実施例１と同じ
であった。得られた極細線と箔材をそのままか、あるい
はさらに真空中の４００℃以上１２００℃以下の温度で
１時間熱処理した該極細線および該箔材を、厚さ５μｍ
の樹脂に接着した後グリツド状のゲージパターンに加工
して線材および箔材よりなるストレインゲージを試作し
た。線材ストレインゲージおよび箔材ストレインゲージ
の評価結果を、それぞれ図５および図６に示す。ゲージ
率Ｋは、加熱温度に対して約８５０℃で極大となる。ゲ
ージ率Ｋは約８５０℃で極大値を示し、また比電気抵抗
ρおよび対銅熱起電力Ｅｍｆは、加熱温度に対し大きな
変化はないが、抵抗温度係数ＴＣＲは小さい。すなわ
ち、本発明合金を使用することによって高感度・高安定
性ストレインゲージが提供できることを明らかにした。
【００４７】実施例３ 合金番号８２（組成：Ｆｅ−１
４％Ｃｒ−３５％Ｃｏ−３％Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−
３％Ｔａ−５％Ｐｔ−３％Ｖ）薄膜ストレインゲージの
製造と評価 使用した原料の純度は、実施例１にさらに９９．９９％
純度の白金およびバナジウムを用いた。試料の製造方法
は、先ず所定の配合からなる原料８００ｇを高純度アル
ミナ坩堝に入れ、高周波溶解炉を使用して、１０−５Ｔ
ｏｒｒの真空中高温にて脱ガス後、高純度アルゴンガス
中で溶解し、除滓後鋳造してインゴットを得る。このイ
ンゴットを１１５０℃で鍛造して、直径１０５ｍｍおよ
び厚さ３ｍｍの円盤状に加工する。ついで旋盤により、
精密加工して直径１０５ｍｍおよび厚さ２ｍｍの円盤を
作製する。最後に銅製電極にボンデングしてスパッター
用ターゲットとする。これらのターゲットからスパッタ
ー装置を用いて、下記に示したスパッター条件で厚さ１
μｍの薄膜を作製する。
４％Ｃｒ−３５％Ｃｏ−３％Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−
３％Ｔａ−５％Ｐｔ−３％Ｖ）薄膜ストレインゲージの
製造と評価 使用した原料の純度は、実施例１にさらに９９．９９％
純度の白金およびバナジウムを用いた。試料の製造方法
は、先ず所定の配合からなる原料８００ｇを高純度アル
ミナ坩堝に入れ、高周波溶解炉を使用して、１０−５Ｔ
ｏｒｒの真空中高温にて脱ガス後、高純度アルゴンガス
中で溶解し、除滓後鋳造してインゴットを得る。このイ
ンゴットを１１５０℃で鍛造して、直径１０５ｍｍおよ
び厚さ３ｍｍの円盤状に加工する。ついで旋盤により、
精密加工して直径１０５ｍｍおよび厚さ２ｍｍの円盤を
作製する。最後に銅製電極にボンデングしてスパッター
用ターゲットとする。これらのターゲットからスパッタ
ー装置を用いて、下記に示したスパッター条件で厚さ１
μｍの薄膜を作製する。
【００４８】 予備排気 １×１０−７ Ｔｏｒｒ 高周波電力 １００Ｗ アルゴンガス圧 ３×１０−２ 基板 ＳｉＯ２基板 電極間距離 ６０ｍｍ 成膜速度 ５０Å／ｍｉｎ 膜厚 １μｍ ついでマスキングを施し、エッチングによりゲージパタ
ーンとし、図７（Ａ）に示す通り電極を取り付けて４８
素子のゲージを作製する。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の
得られた素子個々のＫのばらつきを示したもので、成膜
状態で４．１±０．０５となり、非常に良好であった。
ーンとし、図７（Ａ）に示す通り電極を取り付けて４８
素子のゲージを作製する。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の
得られた素子個々のＫのばらつきを示したもので、成膜
状態で４．１±０．０５となり、非常に良好であった。
【００４９】上記ゲージの内、 ゲージ率のばらつきが
少ない素子について、Ａｒ中各温度で３０分加熱して試
料とする。図８は、これらの素子のゲージ特性と加熱温
度との関係を示したものである。得られたゲージ特性
は、線材・箔材およびそれらを使用したストレインゲー
ジの評価結果とよく似ている。
少ない素子について、Ａｒ中各温度で３０分加熱して試
料とする。図８は、これらの素子のゲージ特性と加熱温
度との関係を示したものである。得られたゲージ特性
は、線材・箔材およびそれらを使用したストレインゲー
ジの評価結果とよく似ている。
【００５０】
【発明の効果】上記の実験結果が示すように、本発明合
金はゲージ特性および加工性が従来の材料よりさらに向
上し、特性のばらつきが少なくなる特徴を有している。
さらに、本発明のストレインゲージ用合金の線材、箔材
および薄膜よりなるストレインゲージは、ゲージ率が２
以上の高感度・高安定性を発揮する効果がある。したが
って、本発明合金よりなるストレインゲージは、ロード
セル、ストレインセンサ、重量計、加速度計、圧力計、
各種応力・歪計および各種セキュリテイ機器などに好適
である。
金はゲージ特性および加工性が従来の材料よりさらに向
上し、特性のばらつきが少なくなる特徴を有している。
さらに、本発明のストレインゲージ用合金の線材、箔材
および薄膜よりなるストレインゲージは、ゲージ率が２
以上の高感度・高安定性を発揮する効果がある。したが
って、本発明合金よりなるストレインゲージは、ロード
セル、ストレインセンサ、重量計、加速度計、圧力計、
各種応力・歪計および各種セキュリテイ機器などに好適
である。
【図１】図１は、Ｆｅ−１５％Ｃｒ−２７％Ｃｏ−２％
Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金にＭｎ，Ｃ
ｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，ＲｕあるいはＩｒ
を添加した場合のゲージ率Ｋと各元素の添加量との関係
を示す特性図である。
Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金にＭｎ，Ｃ
ｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，ＲｕあるいはＩｒ
を添加した場合のゲージ率Ｋと各元素の添加量との関係
を示す特性図である。
【図２】図２は、Ｆｅ−１５％Ｃｒ−２７％Ｃｏ−２％
Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金にＯｓ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，ＹあるいはＬａを添加した
場合のゲージ率Ｋと各元素の添加量との関係を示す特性
図である。
Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金にＯｓ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，ＹあるいはＬａを添加した
場合のゲージ率Ｋと各元素の添加量との関係を示す特性
図である。
【図３】図３は、Ｆｅ−１５％Ｃｒ−２７％Ｃｏ−２％
Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金にＣｅ，Ｚ
ｒ，Ｔｃ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｅ，Ｂあるいは
Ｃを添加した場合のゲージ率Ｋと各元素の添加量との関
係を示す特性図である。
Ｗ−２％Ｍｏ−２％Ｎｂ−２％Ｔａ系合金にＣｅ，Ｚ
ｒ，Ｔｃ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｅ，Ｂあるいは
Ｃを添加した場合のゲージ率Ｋと各元素の添加量との関
係を示す特性図である。
【図４】図４は、合金番号６０の１０ロットについて、
加工状態の極細線のゲージ率Ｋを示す特性図である。
加工状態の極細線のゲージ率Ｋを示す特性図である。
【図５】図５は、合金番号７の線材よりなるスロレイン
ゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す諸特性図で
ある。
ゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す諸特性図で
ある。
【図６】図６は、合金番号７の箔材よりなるストレイン
ゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す諸特性図で
ある。
ゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す諸特性図で
ある。
【図７】図７は、合金番号８２の薄膜よりなるストレイ
ンゲージの（Ａ）ゲージパターンと（Ｂ）各薄膜素子の
ゲージ率Ｋを示した特性図である。
ンゲージの（Ａ）ゲージパターンと（Ｂ）各薄膜素子の
ゲージ率Ｋを示した特性図である。
【図８】図８は、合金番号８２の薄膜よりなるストレイ
ンゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す諸特性図
である。
ンゲージの諸特性と加熱温度Ｔとの関係を示す諸特性図
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｂ 7/16 Ｇ０１Ｌ 1/22 Ｚ
Claims (18)
- 【請求項１】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバル
ト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデン
１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％以
下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５％、
副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、白金
１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０％以
下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ハ
フニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、アルミニ
ウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１０％以
下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テ
クネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％
以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３
％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のうち１種
あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部
鉄と少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上を有す
ることを特徴とするストレインゲージ用合金。 - 【請求項２】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバル
ト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデン
１０％以下、ニオブ１０％以下、タンタル１０％以下お
よびアルミニウム１０％以下の１種あるいは２種以上の
合計０．００１〜１５％、副成分としてマンガン１０％
以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロジウム１０％
以下、パラジウム１０％以下、金１０％以下、銀１０％
以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム１０％以下、
オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％以下、バナジ
ウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１０％以
下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テ
クネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％
以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３
％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のうち１種
あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部
鉄と少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上を有す
ることを特徴とするストレインゲージ用合金。 - 【請求項３】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバル
ト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデン
１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％以
下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５％、
副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、白金
１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０％以
下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ハ
フニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、シリコン
１０％以下、チタン１０％以下、希土類元素１０％以
下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５％以下、亜
鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％以下、アン
チモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下
および炭素１％以下のうち１種あるいは２種以上の合計
０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不純物とから
なり、ゲージ率が２以上を有することを特徴とするスト
レインゲージ用合金。 - 【請求項４】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバル
ト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデン
１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％以
下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５％、
副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、白金
１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０％以
下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ハ
フニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、アルミニ
ウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１０％以
下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テ
クネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％
以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３
％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のうち１種
あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部
鉄と少量の不純物とからなる合金組成の原料を、非酸化
性ガス、還元性ガスあるいは真空中において溶解した
後、適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴットを熱間加
工により所望の丸棒あるいは板材となし、ついで冷間加
工を施して線材あるいは箔材となすか、あるいは該線材
あるいは該箔材に、さらに非酸化性ガス、還元性ガスあ
るいは真空中の４００℃以上１２００℃以下の温度で適
当な時間加熱後冷却することを特徴とするゲージ率が２
以上を有するストレインゲージ用合金の製造法。 - 【請求項５】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバル
ト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデン
１０％以下、ニオブ１０％以下、タンタル１０％以下お
よびアルミニウム１０％以下の１種あるいは２種以上の
合計０．００１〜１５％、副成分としてマンガン１０％
以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロジウム１０％
以下、パラジウム１０％以下、金１０％以下、銀１０％
以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム１０％以下、
オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％以下、バナジ
ウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１０％以
下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テ
クネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％
以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３
％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のうち１種
あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部
鉄と少量の不純物とからなる合金組成の原料を、非酸化
性ガス、還元性ガスあるいは真空中において溶解した
後、適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴットを熱間加
工により所望の丸棒あるいは板材となし、ついで冷間加
工を施して線材あるいは箔材となすか、あるいは該線材
あるいは該箔材に、さらに非酸化性ガス、還元性ガスあ
るいは真空中の４００℃以上１２００℃以下の温度で適
当な時間加熱後冷却することを特徴とするゲージ率が２
以上を有するストレインゲージ用合金の製造法。 - 【請求項６】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバル
ト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデン
１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％以
下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５％、
副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、白金
１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０％以
下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ハ
フニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、シリコン
１０％以下、チタン１０％以下、希土類元素１０％以
下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５％以下、亜
鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％以下、アン
チモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下
および炭素１％以下のうち１種あるいは２種以上の合計
０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不純物とから
なる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスある
いは真空中において溶解した後、適当な鋳型で鋳造し、
得られたインゴットを熱間加工により所望の丸棒あるい
は板材となし、ついで冷間加工を施して線材あるいは箔
材となすか、あるいは該線材あるいは該箔材に、さらに
非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中の４００℃以
上１２０００℃以下の温度で適当な時間加熱後冷却する
ことを特徴とするゲージ率が２以上を有するストレイン
ゲージ用合金の製造法。 - 【請求項７】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバル
ト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデン
１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％以
下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５％、
副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、白金
１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０％以
下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ハ
フニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、アルミニ
ウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１０％以
下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テ
クネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％
以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３
％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のうち１種
あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部
鉄と少量の不純物とからなる合金組成の原料を、非酸化
性ガス、還元性ガスあるいは真空中において溶解した後
適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴットを熱間加工に
より所望の丸棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を
施して線材あるいは箔材となし、そのままかあるいはさ
らに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中の４００
℃以上１２００℃以下の温度で適当な時間加熱冷却した
該線材あるいは該箔材を、適当なベース面に貼付して素
子となし、必要ならば温度補償として、該素子と直角成
分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成す
ることを特徴とするストレインゲージ。 - 【請求項８】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバル
ト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデン
１０％以下、ニオブ１０％以下、タンタル１０％以下お
よびアルミニウム１０％以下の１種あるいは２種以上の
合計０．００１〜１５％、副成分としてマンガン１０％
以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロジウム１０％
以下、パラジウム１０％以下、金１０％以下、銀１０％
以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム１０％以下、
オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％以下、バナジ
ウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１０％以
下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以下、テ
クネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％
以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウム３
％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のうち１種
あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％および残部
鉄と少量の不純物とからなる合金組成の原料を、非酸化
性ガス、還元性ガスあるいは真空中において溶解した後
適当な鋳型で鋳造し、得られたインゴットを熱間加工に
より所望の丸棒あるいは板材となし、ついで冷間加工を
施して線材あるいは箔材となし、そのままかあるいはさ
らに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中の４００
℃以上１２００℃以下の温度で適当な時間加熱後冷却し
た該線材あるいは該箔材を適当なベース面に貼付して素
子となし、必要ならば温度補償として、該素子と直角成
分の素子を同一面内に構築してゲージパターンを形成す
ることを特徴とするストレインゲージ。 - 【請求項９】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバル
ト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデン
１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％以
下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５％、
副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、白金
１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０％以
下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０％以
下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以下、ハ
フニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、シリコン
１０％以下、チタン１０％以下、希土類元素１０％以
下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５％以下、亜
鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％以下、アン
チモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ素１％以下
および炭素１％以下のうち１種あるいは２種以上の合計
０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不純物とから
なる合金組成の原料を、非酸化性ガス、還元性ガスある
いは真空中において溶解した後適当な鋳型で鋳造し、得
られたインゴットを熱間加工により所望の丸棒あるいは
板材となし、ついで冷間加工を施して線材あるいは箔材
となし、そのままかあるいはさらに非酸化性ガス、還元
性ガスあるいは真空中の４００℃以上１２００℃以下の
温度で適当な時間加熱後冷却した該線材あるいは該箔材
を、適当なベース面に貼付して素子となし、必要ならば
温度補償として、該素子と直角成分の素子を同一面内に
構築してゲージパターンを形成することを特徴とするス
トレインゲージ。 - 【請求項１０】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバ
ルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデ
ン１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％
以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５
％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、
白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０
％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０
％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、ア
ルミニウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１
０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以
下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウ
ム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリ
ウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のう
ち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％およ
び残部鉄と少量の不純物とからなる合金を、電着、蒸
着、無電解メッキあるいはスパッタリングより選択した
方法で、所望の基板に薄膜を形成し、その後所望の形状
に打ち抜き、フォトエッチングあるいはトリミングなど
の加工を施して素子となし、必要ならば温度補償とし
て、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲー
ジパターンを形成し、さらに電極を構成したことを特徴
とする薄膜ストレインゲージ。 - 【請求項１１】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバ
ルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデ
ン１０％以下、ニオブ１０％以下、タンタル１０％以下
およびアルミニウム１０％以下の１種あるいは２種以上
の合計０．００１〜１５％、副成分としてマンガン１０
％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロジウム１０
％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以下、銀１０
％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム１０％以
下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％以下、バ
ナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１０
％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以
下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウ
ム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリ
ウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のう
ち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％およ
び残部鉄と少量の不純物からなる合金を、電着、蒸着、
無電解メッキあるいはスパッタリングより選択した方法
で所望の基板に薄膜を形成し、その後所望の形状に打ち
抜き、フォトエッチングあるいはトリミングなどの加工
を施して素子となし、必要ならば温度補償として、該素
子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲージパター
ンを形成し、さらに電極を構成したことを特徴とする薄
膜ストレインゲージ。 - 【請求項１２】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバ
ルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデ
ン１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％
以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５
％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、
白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０
％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０
％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、シ
リコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元素１０
％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５％以
下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％以
下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ素
１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種以
上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不純
物とからなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキあるい
はスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に薄
膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエッ
チングあるいはトリミングなどの加工を施して素子とな
し、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素
子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さら
に電極を構成したことを特徴とする薄膜ストレインゲー
ジ。 - 【請求項１３】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバ
ルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデ
ン１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％
以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５
％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、
白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０
％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０
％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、ア
ルミニウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１
０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以
下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウ
ム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリ
ウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のう
ち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％およ
び残部鉄と少量の不純物とからなる合金を、電着、蒸
着、無電解メッキあるいはスパッタリングより選択した
方法で、所望の基板に薄膜を形成し、その後所望の形状
に打ち抜き、フォトエッチングあるいはトリミングなど
の加工を施して素子となし、必要ならば温度補償とし
て、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲー
ジパターンを形成し、さらに電極を構成した後、これを
さらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中で熱処
理を施すことを特徴とする薄膜ストレインゲージ。 - 【請求項１４】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバ
ルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデ
ン１０％以下、ニオブ１０％以下、タンタル１０％以下
およびアルミニウム１０％以下の１種あるいは２種以上
の合計０．００１〜１５％、副成分としてマンガン１０
％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロジウム１０
％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以下、銀１０
％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム１０％以
下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％以下、バ
ナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１０
％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以
下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウ
ム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリ
ウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のう
ち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％およ
び残部鉄と少量の不純物とからなる合金を、電着、蒸
着、無電解メッキあるいはスパッタリングより選択した
方法で、所望の基板に薄膜を形成し、その後所望の形状
に打ち抜き、フォトエッチングあるいはトリミングなど
の加工を施して素子となし、必要ならば温度補償とし
て、該素子と直角成分の素子を同一面内に構築してゲー
ジパターンを形成し、さらに電極を構成した後、これを
さらに非酸化性ガス、還元性ガスあるいは真空中で熱処
理を施すことを特徴とする薄膜ストレインゲージ。 - 【請求項１５】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバ
ルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデ
ン１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％
以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５
％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、
白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０
％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０
％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、シ
リコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元素１０
％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５％以
下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％以
下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ素
１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種以
上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不純
物とからなる合金を、電着、蒸着、無電解メッキあるい
はスパッタリングより選択した方法で、所望の基板に薄
膜を形成し、その後所望の形状に打ち抜き、フォトエッ
チングあるいはトリミングなどの加工を施して素子とな
し、必要ならば温度補償として、該素子と直角成分の素
子を同一面内に構築してゲージパターンを形成し、さら
に電極を構成した後、これをさらに非酸化性ガス、還元
性ガスあるいは真空中で熱処理を施すことを特徴とする
薄膜ストレインゲージ。 - 【請求項１６】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバ
ルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデ
ン１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％
以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５
％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、
白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０
％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０
％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、ア
ルミニウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１
０％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以
下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウ
ム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリ
ウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のう
ち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％およ
び残部鉄と少量の不純物からなり、ゲージ率が２以上を
有するストレインゲージ用合金の線材、箔材および薄膜
よりなるストレインゲージ。 - 【請求項１７】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバ
ルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデ
ン１０％以下、ニオブ１０％以下、タンタル１０％以下
およびアルミニウム１０％以下の１種あるいは２種以上
の合計０．００１〜１５％、副成分としてマンガン１０
％以下、銅１０％以下、白金１０％以下、ロジウム１０
％以下、パラジウム１０％以下、金１０％以下、銀１０
％以下、ルテニウム１０％以下、イリジウム１０％以
下、オスミウム１０％以下、ハフニウム１０％以下、バ
ナジウム１０％以下、シリコン１０％以下、チタン１０
％以下、希土類元素１０％以下、ジルコニウム５％以
下、テクネチウム５％以下、亜鉛５％以下、ゲルマニウ
ム５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリ
ウム３％以下、ホウ素１％以下および炭素１％以下のう
ち１種あるいは２種以上の合計０．００１〜２０％およ
び残部鉄と少量の不純物とからなり、ゲージ率が２以上
を有するストレインゲージ用合金の線材、箔材および薄
膜よりなるストレインゲージ。 - 【請求項１８】 重量比にて、クロム１〜３５％、コバ
ルト１５〜７０％とタングステン１０％以下、モリブデ
ン１０％以下、ニオブ１０％以下およびタンタル１０％
以下の１種あるいは２種以上の合計０．００１〜１５
％、副成分としてマンガン１０％以下、銅１０％以下、
白金１０％以下、ロジウム１０％以下、パラジウム１０
％以下、金１０％以下、銀１０％以下、ルテニウム１０
％以下、イリジウム１０％以下、オスミウム１０％以
下、ハフニウム１０％以下、バナジウム１０％以下、シ
リコン１０％以下、チタン１０％以下、希土類元素１０
％以下、ジルコニウム５％以下、テクネチウム５％以
下、亜鉛５％以下、ゲルマニウム５％以下、錫５％以
下、アンチモン５％以下、ベリリウム３％以下、ホウ素
１％以下および炭素１％以下のうち１種あるいは２種以
上の合計０．００１〜２０％および残部鉄と少量の不純
物とからなり、ゲージ率が２以上を有するストレインゲ
ージ用台金の線材、箔材および薄膜よりなるストレイン
ゲージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34084294A JPH08176754A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | ストレインゲージ用合金およびその製造法ならびにストレインゲージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34084294A JPH08176754A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | ストレインゲージ用合金およびその製造法ならびにストレインゲージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176754A true JPH08176754A (ja) | 1996-07-09 |
Family
ID=18340812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34084294A Withdrawn JPH08176754A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | ストレインゲージ用合金およびその製造法ならびにストレインゲージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08176754A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001281076A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Toyota Motor Corp | 薄膜センサ |
| EP1329531A3 (en) * | 1997-09-22 | 2003-07-30 | National Research Institute For Metals | Ferritic heat-resistant steel and method for producing it |
| JP2010275590A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | ひずみゲージ用のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系アイソエラスティック組成物、及び、該組成物を用いて製造されるひずみゲージ |
| CN108081705A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-05-29 | 河南工学院 | 一种耐腐蚀复合金属材料 |
| CN109022927A (zh) * | 2018-10-05 | 2018-12-18 | 广州宇智科技有限公司 | 一种水面艇和潜水艇用耐腐蚀具备优异铸造性能的钴合金 |
| CN109022928A (zh) * | 2018-10-05 | 2018-12-18 | 广州宇智科技有限公司 | 一种太阳能热发电熔盐系统用耐腐蚀铸造钴合金及其工艺 |
| CN109097632A (zh) * | 2018-10-05 | 2018-12-28 | 广州宇智科技有限公司 | 一种核电站传热管用耐点蚀具备液态调幅分解型钴合金 |
| CN116607083A (zh) * | 2023-06-25 | 2023-08-18 | 金川镍钴研究设计院有限责任公司 | 一种铁基合金及其棒材制备方法 |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP34084294A patent/JPH08176754A/ja not_active Withdrawn
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| EP1329531A3 (en) * | 1997-09-22 | 2003-07-30 | National Research Institute For Metals | Ferritic heat-resistant steel and method for producing it |
| EP1329532A3 (en) * | 1997-09-22 | 2003-07-30 | National Research Institute For Metals | Ferritic heat-resistant steel and method for producing it |
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| CN109022927A (zh) * | 2018-10-05 | 2018-12-18 | 广州宇智科技有限公司 | 一种水面艇和潜水艇用耐腐蚀具备优异铸造性能的钴合金 |
| CN109022928A (zh) * | 2018-10-05 | 2018-12-18 | 广州宇智科技有限公司 | 一种太阳能热发电熔盐系统用耐腐蚀铸造钴合金及其工艺 |
| CN109097632A (zh) * | 2018-10-05 | 2018-12-28 | 广州宇智科技有限公司 | 一种核电站传热管用耐点蚀具备液态调幅分解型钴合金 |
| CN116607083A (zh) * | 2023-06-25 | 2023-08-18 | 金川镍钴研究设计院有限责任公司 | 一种铁基合金及其棒材制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020305 |