JPH0941147A - プラズマｃｖｄ方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ方法Info
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- JPH0941147A JPH0941147A JP7195197A JP19519795A JPH0941147A JP H0941147 A JPH0941147 A JP H0941147A JP 7195197 A JP7195197 A JP 7195197A JP 19519795 A JP19519795 A JP 19519795A JP H0941147 A JPH0941147 A JP H0941147A
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- Japan
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- plasma cvd
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜質が向上し、高性能で高速な成膜が可能な
プラズマＣＶＤ方法を提供する。 【解決手段】 排気手段によりプラズマ発生室内及び該
プラズマ発生室と連通した成膜室内を減圧させ、希ガス
と希ガス以外のガスを該プラズマで発生室又は成膜室に
供給し、該プラズマ発生室内に電気エネルギーを供給
し、該プラズマ発生室に連通した成膜室内に配された基
体表面に薄膜を堆積させるプラズマＣＶＤ法であって、
該希ガスを除く全ガスの流量に対する希ガスの流量を５
倍以上にすることを特徴とする。
プラズマＣＶＤ方法を提供する。 【解決手段】 排気手段によりプラズマ発生室内及び該
プラズマ発生室と連通した成膜室内を減圧させ、希ガス
と希ガス以外のガスを該プラズマで発生室又は成膜室に
供給し、該プラズマ発生室内に電気エネルギーを供給
し、該プラズマ発生室に連通した成膜室内に配された基
体表面に薄膜を堆積させるプラズマＣＶＤ法であって、
該希ガスを除く全ガスの流量に対する希ガスの流量を５
倍以上にすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ方
法、特に、低温で高性能かつ高速に薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ方法に関し、特に光磁気ディスク用基板や液
晶表示素子用基板の製造方法にも適用可能なプラズマＣ
ＶＤ方法に関する。
法、特に、低温で高性能かつ高速に薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ方法に関し、特に光磁気ディスク用基板や液
晶表示素子用基板の製造方法にも適用可能なプラズマＣ
ＶＤ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ方法の一例であるマイク
ロ波プラズマＣＶＤ方法によるポリカーボネート上への
成膜は例えば次のように行われる。マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置の成膜室内に原料ガスを導入し、同時にマイ
クロ波エネルギーを投入して該成膜室内にプラズマを発
生させ前記ガスを励起、分解して、該成膜室内に配され
た基体上に堆積膜を形成する。この際通常は、原料ガス
にＡｒが含まれていないか、含まれていたとしても全ガ
ス流量の数％以下である。しかしながら、上記従来例で
は、プラズマの密度が５×１０11／ｃｍ3 程度の高密度
プラズマで薄膜を形成しても、膜中の水素含有率が少な
くない等問題があった。マイクロ波パワーを増加するこ
とによって水素含有率は減少するが、プラズマ中の入射
イオン数が増加するために基板温度が上昇し、ポリカー
ボネート等のプラスチック基板を用いる場合基板が溶け
る等問題があった。
ロ波プラズマＣＶＤ方法によるポリカーボネート上への
成膜は例えば次のように行われる。マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置の成膜室内に原料ガスを導入し、同時にマイ
クロ波エネルギーを投入して該成膜室内にプラズマを発
生させ前記ガスを励起、分解して、該成膜室内に配され
た基体上に堆積膜を形成する。この際通常は、原料ガス
にＡｒが含まれていないか、含まれていたとしても全ガ
ス流量の数％以下である。しかしながら、上記従来例で
は、プラズマの密度が５×１０11／ｃｍ3 程度の高密度
プラズマで薄膜を形成しても、膜中の水素含有率が少な
くない等問題があった。マイクロ波パワーを増加するこ
とによって水素含有率は減少するが、プラズマ中の入射
イオン数が増加するために基板温度が上昇し、ポリカー
ボネート等のプラスチック基板を用いる場合基板が溶け
る等問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
例の問題点を解決し、基体の温度上昇を抑えつつプラズ
マ密度を増加させることにより、低温で高性能かつ高速
に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ方法を提供することに
ある。
例の問題点を解決し、基体の温度上昇を抑えつつプラズ
マ密度を増加させることにより、低温で高性能かつ高速
に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ方法を提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記の目的は以下の手段
によって達成される。
によって達成される。
【０００５】即ち、本発明は、排気手段によりプラズマ
発生室内及び該プラズマ発生室と連通した成膜室内を減
圧させ、希ガスと希ガス以外のガスを該プラズマ発生室
又は成膜室に供給し、該プラズマ発生室内に電気エネル
ギーを供給し、該プラズマ発生室に連通した成膜室内に
配された基体表面に薄膜を堆積させるプラズマＣＶＤ方
法であって、該希ガスを除く全ガスの流量に対する希ガ
スの流量を５倍以上にすることを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ方法を提供するものであり、前記希ガスを除く全ガ
スの流量に対する該希ガスの流量を１０倍以上にするこ
と、前記の電気エネルギーが、導入管によって導入する
マイクロ波であること、マイクロ波を導入する導波管が
スロット付環状導波管であること、耐熱温度が１００℃
以下である基体を用いること、前記基体がＦｅ、Ａｌ、
Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金
属又はこれらの合金からなる導電性基体であること、前
記基体がポリエチレン、ポリエステル、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ア
クリル、ゼラチン或いはこれらを主成分とする高分子で
あること、前記基体がポリカーポネート或いはこれを主
成分とする高分子であること、前記プラズマＣＶＤ方法
によって堆積させた薄膜が、窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜、酸化タンタル膜、酸化チタン膜、窒化チタン
膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、弗化マ
グネシウム膜等の絶縁膜であること、前記薄膜がａ−Ｓ
ｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ等の半導体膜で
あること、前記薄膜がＡｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等の
金属膜であること、前記希ガスがＡｒであることを含
む。また、本発明は、光磁気ディスク用基板の製造方法
に用いることを特徴とするＣＶＤ方法及び液晶表示素子
用基板の製造方法に用いることを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ方法を提案するものである。
発生室内及び該プラズマ発生室と連通した成膜室内を減
圧させ、希ガスと希ガス以外のガスを該プラズマ発生室
又は成膜室に供給し、該プラズマ発生室内に電気エネル
ギーを供給し、該プラズマ発生室に連通した成膜室内に
配された基体表面に薄膜を堆積させるプラズマＣＶＤ方
法であって、該希ガスを除く全ガスの流量に対する希ガ
スの流量を５倍以上にすることを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ方法を提供するものであり、前記希ガスを除く全ガ
スの流量に対する該希ガスの流量を１０倍以上にするこ
と、前記の電気エネルギーが、導入管によって導入する
マイクロ波であること、マイクロ波を導入する導波管が
スロット付環状導波管であること、耐熱温度が１００℃
以下である基体を用いること、前記基体がＦｅ、Ａｌ、
Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金
属又はこれらの合金からなる導電性基体であること、前
記基体がポリエチレン、ポリエステル、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ア
クリル、ゼラチン或いはこれらを主成分とする高分子で
あること、前記基体がポリカーポネート或いはこれを主
成分とする高分子であること、前記プラズマＣＶＤ方法
によって堆積させた薄膜が、窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜、酸化タンタル膜、酸化チタン膜、窒化チタン
膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、弗化マ
グネシウム膜等の絶縁膜であること、前記薄膜がａ−Ｓ
ｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ等の半導体膜で
あること、前記薄膜がＡｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等の
金属膜であること、前記希ガスがＡｒであることを含
む。また、本発明は、光磁気ディスク用基板の製造方法
に用いることを特徴とするＣＶＤ方法及び液晶表示素子
用基板の製造方法に用いることを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ方法を提案するものである。
【０００６】本発明によれば希ガスを除く全原料ガスの
流量に対して希ガスの体積流量を５倍以上にすることに
より電子温度が低下し電子密度が高くなり、基板温度上
昇を抑えつつ、プリカーサ（中間活性体：例えばＳｉ−
Ｎ−Ｈ）の反応度が進み、成膜するプロセスで水素脱離
反応が促進され膜中の水素含有率が少なくなり膜質が向
上し、高性能で高速な成膜が可能になる。
流量に対して希ガスの体積流量を５倍以上にすることに
より電子温度が低下し電子密度が高くなり、基板温度上
昇を抑えつつ、プリカーサ（中間活性体：例えばＳｉ−
Ｎ−Ｈ）の反応度が進み、成膜するプロセスで水素脱離
反応が促進され膜中の水素含有率が少なくなり膜質が向
上し、高性能で高速な成膜が可能になる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して更
に詳細に説明する。図１はマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置の断面図である。１は成膜室、１´はプラズマ発生
室、２は被覆基体、３は被覆基体２の支持体、４は被覆
基体２を加熱するヒータ、５は排気管、６は第１の原料
ガス導入管、７は第２の原料ガス導入管、８は第３の原
料ガス導入管、９はマイクロ波導波管、１０は石英部材
である。装置は排気手段とガス導入管と電気エネルギー
を投入できるシステム（マイクロ波では電源・導波管、
ＤＣやＲＦでは電源・電極など）を備えている。
に詳細に説明する。図１はマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置の断面図である。１は成膜室、１´はプラズマ発生
室、２は被覆基体、３は被覆基体２の支持体、４は被覆
基体２を加熱するヒータ、５は排気管、６は第１の原料
ガス導入管、７は第２の原料ガス導入管、８は第３の原
料ガス導入管、９はマイクロ波導波管、１０は石英部材
である。装置は排気手段とガス導入管と電気エネルギー
を投入できるシステム（マイクロ波では電源・導波管、
ＤＣやＲＦでは電源・電極など）を備えている。
【０００８】本発明の方法を実施するには図１のように
成膜室１内の支持体３上に基体２を設置する。本発明の
プラズマ処理により成膜する基体は導電性のものであっ
ても、電気絶縁性のものであっても、半導体であっても
よい。
成膜室１内の支持体３上に基体２を設置する。本発明の
プラズマ処理により成膜する基体は導電性のものであっ
ても、電気絶縁性のものであっても、半導体であっても
よい。
【０００９】導電性基体としてはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａ
ｌ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂな
どの金属又はこれらの合金、例えば真鍮、ステンレス鋼
等が挙げられる。
ｌ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂな
どの金属又はこれらの合金、例えば真鍮、ステンレス鋼
等が挙げられる。
【００１０】絶縁体基体としては、ポリエチレン、ポリ
エステル、ポリカボネート、セルロースアセテート、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニール、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリアミドなどの有機物のフィル
ム、シートなどが挙げられる。
エステル、ポリカボネート、セルロースアセテート、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニール、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリアミドなどの有機物のフィル
ム、シートなどが挙げられる。
【００１１】次いで不図示の排気手段により成膜室内を
十分排気し、ガスを導入し排気側に設けられたコンダク
タンスバルブ（不図示）により所望の圧力に調整する。
十分排気し、ガスを導入し排気側に設けられたコンダク
タンスバルブ（不図示）により所望の圧力に調整する。
【００１２】本発明のプラズマＣＶＤ方法でマイクロ波
プラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生室１´、もし
くは成膜室１の圧力は好ましくは０．１ｍＴｏｒｒ〜１
Ｔｏｒｒの範囲から選択することができる。
プラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生室１´、もし
くは成膜室１の圧力は好ましくは０．１ｍＴｏｒｒ〜１
Ｔｏｒｒの範囲から選択することができる。
【００１３】また、プラズマ密度を測定するためにシン
グルブローブがプラズマ中に挿入できるように配置し、
データを取り電子温度や電子密度を求めれらるようにし
ておくことが好ましい。
グルブローブがプラズマ中に挿入できるように配置し、
データを取り電子温度や電子密度を求めれらるようにし
ておくことが好ましい。
【００１４】本発明のプラズマＣＶＤ方法でマイクロ波
プラズマＣＶＤ装置により成膜する際の基体温度は使用
する原料ガスの種類や堆積膜の種類、及び用途により多
少異なるが、一般的に室温から４００℃の範囲である
が、本発明の効果を十分発揮するには２００℃以下のよ
り低温の方が特によく、基体が前記の高分子からなる絶
縁体基体の場合は耐熱温度が１００℃以下が好ましい。
例えばポリカーボネートは耐熱温度が６０℃であるが、
基体温度が６０℃以下で良質な膜が高速に得られた。
プラズマＣＶＤ装置により成膜する際の基体温度は使用
する原料ガスの種類や堆積膜の種類、及び用途により多
少異なるが、一般的に室温から４００℃の範囲である
が、本発明の効果を十分発揮するには２００℃以下のよ
り低温の方が特によく、基体が前記の高分子からなる絶
縁体基体の場合は耐熱温度が１００℃以下が好ましい。
例えばポリカーボネートは耐熱温度が６０℃であるが、
基体温度が６０℃以下で良質な膜が高速に得られた。
【００１５】次に第１の原料ガス導入管６、第２の原料
ガス導入管７及び第３の原料ガス導入管８により堆積膜
形成用ガス及びプラズマ発生用ガスを導入する。
ガス導入管７及び第３の原料ガス導入管８により堆積膜
形成用ガス及びプラズマ発生用ガスを導入する。
【００１６】堆積膜形成用ガスとしては、一般に公知の
ガス使用ができる。
ガス使用ができる。
【００１７】プラズマの作用で容易に分解され単独でも
堆積し得るガスは、化学量論的組成の達成やプラズマ発
生室内の膜付着防止のため例えば成膜室１内の成膜用第
１の及び第２の原料ガス導入管６、７を介して成膜室１
へ導入することが望ましい。また、プラズマの作用で容
易に分解されにくく単独では堆積し難しいガスは、プラ
ズマ発生室１内の例えばプラズマ発生用の第３の原料ガ
ス導入管８を介してプラズマ発生室１´内へ導入するこ
とが望ましい。
堆積し得るガスは、化学量論的組成の達成やプラズマ発
生室内の膜付着防止のため例えば成膜室１内の成膜用第
１の及び第２の原料ガス導入管６、７を介して成膜室１
へ導入することが望ましい。また、プラズマの作用で容
易に分解されにくく単独では堆積し難しいガスは、プラ
ズマ発生室１内の例えばプラズマ発生用の第３の原料ガ
ス導入管８を介してプラズマ発生室１´内へ導入するこ
とが望ましい。
【００１８】ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＳｉＣ等のＳ
ｉ系半導体膜を形成する場合の成膜用ガス導入管を介し
て導入するＳｉ原子を含有する原料としては、ＳｉＨ
4 、Ｓｉ2 Ｈ6 などの無機シラン類、テトラエチルシラ
ン（ＴＥＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ジメチ
ルシラン（ＤＭＳ）などの有機シラン類、ＳｉＦ4 、Ｓ
ｉ2 Ｆ6 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＣｌ4 、Ｓ
ｉ2 Ｃｌ6 、ＳｉＨＣｌ 3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨ3
Ｃｌ、ＳｉＣｌ2 Ｆ2 などのハロシラン類等、常温常圧
でガス状態にあるものまたは容易にガス化し得るものが
挙げられる。また、この場合プラズマ発生用ガス導入管
例えば第３の原料ガス導入管８を介して導入するプラズ
マ発生用ガスとしてはＨ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、
Ｘｅ、Ｒｎ等が挙げられる。
ｉ系半導体膜を形成する場合の成膜用ガス導入管を介し
て導入するＳｉ原子を含有する原料としては、ＳｉＨ
4 、Ｓｉ2 Ｈ6 などの無機シラン類、テトラエチルシラ
ン（ＴＥＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ジメチ
ルシラン（ＤＭＳ）などの有機シラン類、ＳｉＦ4 、Ｓ
ｉ2 Ｆ6 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＣｌ4 、Ｓ
ｉ2 Ｃｌ6 、ＳｉＨＣｌ 3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＳｉＨ3
Ｃｌ、ＳｉＣｌ2 Ｆ2 などのハロシラン類等、常温常圧
でガス状態にあるものまたは容易にガス化し得るものが
挙げられる。また、この場合プラズマ発生用ガス導入管
例えば第３の原料ガス導入管８を介して導入するプラズ
マ発生用ガスとしてはＨ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、
Ｘｅ、Ｒｎ等が挙げられる。
【００１９】Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 等のＳｉ化合物系薄
膜を形成する場合の成膜用ガス導入管を介して導入する
Ｓｉ原子を含有する原料としては、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ
6 等無機シラン類、テトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、オクタメチ
ルシクロテトラシラン（ＯＭＣＴＳ）等の有機シラン
類、ＳｉＦ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ
2 、ＳｉＣｌ4 、Ｓｉ2 Ｃｌ6、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2
Ｃｌ2 、ＳｉＨ3 Ｃｌ、ＳｉＣｌ2 Ｆ2 などのハロシ
ラン類等、常温常圧でガス状態にあるものまたは容易に
ガス化し得るものが挙げられる。また、この場合のプラ
ズマ発生用ガス導入管を介して導入する原料としては、
Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサメチルジシラザン（Ｈ
ＭＤＳ）、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2
等が挙げられる。
膜を形成する場合の成膜用ガス導入管を介して導入する
Ｓｉ原子を含有する原料としては、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ
6 等無機シラン類、テトラエトキシシラン（ＴＥＯ
Ｓ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、オクタメチ
ルシクロテトラシラン（ＯＭＣＴＳ）等の有機シラン
類、ＳｉＦ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ
2 、ＳｉＣｌ4 、Ｓｉ2 Ｃｌ6、ＳｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2
Ｃｌ2 、ＳｉＨ3 Ｃｌ、ＳｉＣｌ2 Ｆ2 などのハロシ
ラン類等、常温常圧でガス状態にあるものまたは容易に
ガス化し得るものが挙げられる。また、この場合のプラ
ズマ発生用ガス導入管を介して導入する原料としては、
Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサメチルジシラザン（Ｈ
ＭＤＳ）、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2
等が挙げられる。
【００２０】Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等の金属薄膜
を形成する場合の成膜用ガス導入管を介して導入する金
属原子を含有する原料としては、トリメチルアルミニウ
ム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ
ｌ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジ
メチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タン
グステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6 ）、モリブテンカル
ボニル（Ｍｏ（ＣＯ）6 ）、トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）などの有機金
属、ＡｌＣｌ3 、ＷＦ6 、ＴｉＣｌ3 、ＴａＣｌ5 など
のハロゲン化金属などが挙げられる。また、この場合の
プラズマ発生用ガス導入管を介して導入するプラズマ発
生用ガスとしては、Ｈ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘ
ｅ、Ｒｎが挙げられる。
を形成する場合の成膜用ガス導入管を介して導入する金
属原子を含有する原料としては、トリメチルアルミニウ
ム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ
ｌ）、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジ
メチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タン
グステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6 ）、モリブテンカル
ボニル（Ｍｏ（ＣＯ）6 ）、トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）などの有機金
属、ＡｌＣｌ3 、ＷＦ6 、ＴｉＣｌ3 、ＴａＣｌ5 など
のハロゲン化金属などが挙げられる。また、この場合の
プラズマ発生用ガス導入管を介して導入するプラズマ発
生用ガスとしては、Ｈ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘ
ｅ、Ｒｎが挙げられる。
【００２１】Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＴｉＯ
2 、ＴｉＮ、ＷＯ3 などの金属化合物薄膜を形成する場
合の成膜用ガス導入管を介して導入する金属原子を含有
する原料としては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
ｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）、トリイソ
ブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジメチルアルミニ
ウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タングステンカルボ
ニル（Ｗ（ＣＯ）6 ）、モリブテンカルボニル（Ｍｏ
（ＣＯ）6 ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリ
エチルガリウム（ＴＥＧａ）などの有機金属、ＡｌＣｌ
3 、ＷＦ6 、ＴｉＣｌ3 、ＴａＣｌ5 などのハロゲン化
金属ながど挙げられる。また、この場合のプラズマ発生
用ガス導入管を介して導入するプラズマ発生用ガスとし
ては、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサメチルジシラザ
ン（ＨＭＤＳ）、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、
ＮＯ2 等が挙げられる。
2 、ＴｉＮ、ＷＯ3 などの金属化合物薄膜を形成する場
合の成膜用ガス導入管を介して導入する金属原子を含有
する原料としては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
ｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）、トリイソ
ブチルアルミニウム（ＴＩＢＡｌ）、ジメチルアルミニ
ウムハイドライド（ＤＭＡｌＨ）、タングステンカルボ
ニル（Ｗ（ＣＯ）6 ）、モリブテンカルボニル（Ｍｏ
（ＣＯ）6 ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリ
エチルガリウム（ＴＥＧａ）などの有機金属、ＡｌＣｌ
3 、ＷＦ6 、ＴｉＣｌ3 、ＴａＣｌ5 などのハロゲン化
金属ながど挙げられる。また、この場合のプラズマ発生
用ガス導入管を介して導入するプラズマ発生用ガスとし
ては、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサメチルジシラザ
ン（ＨＭＤＳ）、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、
ＮＯ2 等が挙げられる。
【００２２】本発明のプラズマ処理による堆積膜の形成
は、以上の説明からも明らかなように使用するガスを適
宜選択することにより窒化シリコン膜、酸化シリコン
膜、酸化タンタル膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜、酸
化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、弗化マグネシ
ウム膜などの絶縁膜、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｓｉ
Ｃ、ＧａＡｓ等の半導体膜、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ等の金属膜等、各種の堆積膜を効率よく形成すること
が可能である。
は、以上の説明からも明らかなように使用するガスを適
宜選択することにより窒化シリコン膜、酸化シリコン
膜、酸化タンタル膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜、酸
化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、弗化マグネシ
ウム膜などの絶縁膜、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｓｉ
Ｃ、ＧａＡｓ等の半導体膜、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ等の金属膜等、各種の堆積膜を効率よく形成すること
が可能である。
【００２３】また、本発明のプラズマ処理は表面改質に
も適用できる。例えば、使用するガスを適宜選択するこ
とにより、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｔａ等の基体もし
くは表面層に酸化処理或いは窒化処理さらにはＢ、Ａ
ｓ、Ｐ等のドーピング処理が可能である。更に本発明の
プラズマ処理はクリーニング方法にも適用できる。その
場合酸化物或いは有機物や重金属などのクリーニングに
使用することができる。基体を酸化表面処理する場合の
プラズマ発生用ガス導入管を介して導入する酸化性ガス
としては、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2
等が挙げられる。また、基体を窒化表面処理する場合の
プラズマ発生用ガス導入管を介して導入する窒化性ガス
としては、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）等が挙げられる。この場合成膜しな
いので、成膜用ガス導入管を介して原料ガスは導入しな
い、もしくはプラズマ発生用ガス導入管を介して導入す
るガスと同様のガスを導入する。
も適用できる。例えば、使用するガスを適宜選択するこ
とにより、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｔａ等の基体もし
くは表面層に酸化処理或いは窒化処理さらにはＢ、Ａ
ｓ、Ｐ等のドーピング処理が可能である。更に本発明の
プラズマ処理はクリーニング方法にも適用できる。その
場合酸化物或いは有機物や重金属などのクリーニングに
使用することができる。基体を酸化表面処理する場合の
プラズマ発生用ガス導入管を介して導入する酸化性ガス
としては、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2
等が挙げられる。また、基体を窒化表面処理する場合の
プラズマ発生用ガス導入管を介して導入する窒化性ガス
としては、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）等が挙げられる。この場合成膜しな
いので、成膜用ガス導入管を介して原料ガスは導入しな
い、もしくはプラズマ発生用ガス導入管を介して導入す
るガスと同様のガスを導入する。
【００２４】基体表面の有機物をクリーニングする場合
のプラズマ発生用ガス導入管から導入するクリーニング
用ガスとしては、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、
ＮＯ 2 等が挙げられる。また、基体表面の無機物をクリ
ーニングする場合のプラズマ発生用ガス導入管から導入
するクリーニング用ガスとしては、Ｆ2 、ＣＦ4 、ＣＨ
2 Ｆ2 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＦ2 Ｃｌ2 、ＳＦ6 、ＮＦ3 等が
挙げられる。この場合成膜しないので、成膜用ガス導入
管を介して原料ガスは導入しない。もしくはプラズマ発
生用ガス導入管を介して導入するガスと同様のガスを導
入する。
のプラズマ発生用ガス導入管から導入するクリーニング
用ガスとしては、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｈ2 Ｏ、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、
ＮＯ 2 等が挙げられる。また、基体表面の無機物をクリ
ーニングする場合のプラズマ発生用ガス導入管から導入
するクリーニング用ガスとしては、Ｆ2 、ＣＦ4 、ＣＨ
2 Ｆ2 、Ｃ2 Ｆ6 、ＣＦ2 Ｃｌ2 、ＳＦ6 、ＮＦ3 等が
挙げられる。この場合成膜しないので、成膜用ガス導入
管を介して原料ガスは導入しない。もしくはプラズマ発
生用ガス導入管を介して導入するガスと同様のガスを導
入する。
【００２５】本発明において希ガスを除く全ガスの流量
に対する希ガス流量を５倍以上より好ましくは１０倍以
上にすることが肝要である。
に対する希ガス流量を５倍以上より好ましくは１０倍以
上にすることが肝要である。
【００２６】希ガス体積流量が５倍未満では電子密度が
あまり高くない等好ましくなく特に上限はないが、排気
能力が一定の場合、希ガス流量の増加に伴い、成膜用ガ
ス流量が減少すると堆積速度が低下する等の問題があ
る。プラズマを発生させるためのマイクロ波電源は５０
０ＭＨｚ〜５０ＧＨｚが好ましい。電力は１〜１０ｋＷ
が好ましい。かくしてプラズマ発生用ガス導入管よりプ
ラズマ発生室１´内に導入されるガスと導波管を介して
プラズマ発生室１´内に導入される電力によりプラズマ
を発生させ、該成膜室１内に導入された成膜用ガスは反
応し、基体２上に厚さ１０〜１０００ｎｍ程度の堆積膜
を成膜させる。
あまり高くない等好ましくなく特に上限はないが、排気
能力が一定の場合、希ガス流量の増加に伴い、成膜用ガ
ス流量が減少すると堆積速度が低下する等の問題があ
る。プラズマを発生させるためのマイクロ波電源は５０
０ＭＨｚ〜５０ＧＨｚが好ましい。電力は１〜１０ｋＷ
が好ましい。かくしてプラズマ発生用ガス導入管よりプ
ラズマ発生室１´内に導入されるガスと導波管を介して
プラズマ発生室１´内に導入される電力によりプラズマ
を発生させ、該成膜室１内に導入された成膜用ガスは反
応し、基体２上に厚さ１０〜１０００ｎｍ程度の堆積膜
を成膜させる。
【００２７】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。 （実施例１）本発明のプラズマＣＶＤ方法を光磁気ディ
スク用窒化シリコン成膜に応用した実施例を図１・図２
を用いて説明する。図１はマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置の断面図である。
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。 （実施例１）本発明のプラズマＣＶＤ方法を光磁気ディ
スク用窒化シリコン成膜に応用した実施例を図１・図２
を用いて説明する。図１はマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置の断面図である。
【００２８】基体２としては、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）基板［φ３．５インチ、耐熱温度６０℃］を使用し
た。まず、支持体３上に基体２を設置し、排気系（不図
示）を介してプラズマ発生室１´及び成膜室１内を排気
し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に、第１の
原料ガス導入管６からＳｉＨ4 を１００ｓｃｃｍの流量
で、第２の原料ガス導入管７からＮ2 を１００ｓｃｃｍ
の流量で、成膜室１内に導入し、第３の原料ガス導入管
８からＡｒを１ｓ１ｍの流量でプラズマ発生室１´内に
導入し、排気管５側に設けられたコンダクタンスバルブ
（不図示）により２０ｍＴｏｒｒの圧力に保持する。更
に２．４５ＧＨZ のマイクロ波電源（不図示）より発振
した１ｋＷの電力をスロット付環状導波管９を介してプ
ラズマ発生室１´に導入しプラズマを発生させた。この
際、第２の原料ガス導入管７を介して導入された窒素ガ
スはプラズマ発生室１´内で励起分解されて活性種とな
りＰＣ基板２の方向に輸送され、第１の原料ガス導入管
６を介して導入されたモノシランガスと反応し、窒化シ
リコン膜がＰＣ基板２上に１００ｎｍの厚さまで成膜を
行った。
Ｃ）基板［φ３．５インチ、耐熱温度６０℃］を使用し
た。まず、支持体３上に基体２を設置し、排気系（不図
示）を介してプラズマ発生室１´及び成膜室１内を排気
し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に、第１の
原料ガス導入管６からＳｉＨ4 を１００ｓｃｃｍの流量
で、第２の原料ガス導入管７からＮ2 を１００ｓｃｃｍ
の流量で、成膜室１内に導入し、第３の原料ガス導入管
８からＡｒを１ｓ１ｍの流量でプラズマ発生室１´内に
導入し、排気管５側に設けられたコンダクタンスバルブ
（不図示）により２０ｍＴｏｒｒの圧力に保持する。更
に２．４５ＧＨZ のマイクロ波電源（不図示）より発振
した１ｋＷの電力をスロット付環状導波管９を介してプ
ラズマ発生室１´に導入しプラズマを発生させた。この
際、第２の原料ガス導入管７を介して導入された窒素ガ
スはプラズマ発生室１´内で励起分解されて活性種とな
りＰＣ基板２の方向に輸送され、第１の原料ガス導入管
６を介して導入されたモノシランガスと反応し、窒化シ
リコン膜がＰＣ基板２上に１００ｎｍの厚さまで成膜を
行った。
【００２９】また、図２に横軸に第３のガスの流量／第
１・第２ガスの流量、縦軸に電子密度を取ったときの関
係を示す。流量比を５倍にした場合は３倍の時より電子
密度が高い。その結果、Ｓｉ−Ｎ−Ｈなどのプリカーサ
の反応が進み膜中の水素含有率が少ない良質な窒化シリ
コン膜が低温（ＰＣ基板に変形が観られないことから６
０℃以下）で高速に成膜された。 （実施例２）本発明のプラズマＣＶＤ方法を半導体素子
保護用窒化シリコン成膜に応用した実施例を図１、図３
を用いて説明する。
１・第２ガスの流量、縦軸に電子密度を取ったときの関
係を示す。流量比を５倍にした場合は３倍の時より電子
密度が高い。その結果、Ｓｉ−Ｎ−Ｈなどのプリカーサ
の反応が進み膜中の水素含有率が少ない良質な窒化シリ
コン膜が低温（ＰＣ基板に変形が観られないことから６
０℃以下）で高速に成膜された。 （実施例２）本発明のプラズマＣＶＤ方法を半導体素子
保護用窒化シリコン成膜に応用した実施例を図１、図３
を用いて説明する。
【００３０】基体２としては、Ｐ型単結晶シリコン基板
（面方位〈１００〉、抵抗率１０Ω・ｃｍ）を使用し
た。まず、支持体３上に基体２を設置し、排気系（不図
示）を介してプラズマ発生室１´及び成膜室１内を排気
し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。続いてヒータ
４を用いシリコン基板２を３００℃に加熱し、該基板を
この温度に保持した。第１の原料ガス導入管６からＳｉ
Ｈ4 を１００ｓｃｃｍの流量で、第２の原料ガス導入管
７からＮ2 を２００ｓｃｃｍの流量で、成膜室１内に導
入し、第３の原料ガス導入管８からＡｒを３ｓ１ｍの流
量でプラズマ発生室１´内に導入した。排気管５側に設
けられたコンダクタンスバルブ（不図示）により３０ｍ
Ｔｏｒｒの圧力に保持した。更に２．４５ＧＨZ のマイ
クロ波電源（不図示）より発振した２ｋＷの電力をマイ
クロ波導波管９を介してプラズマ発生室１´に導入しプ
ラズマを発生させた。この際、第２の原料ガス導入管７
を介して導入された窒素ガスはプラズマ発生室１´内で
励起分解されて活性種となりシリコン基板２の方向に輸
送され、第１の原料ガス導入管６を介して導入されたモ
ノシランガスと反応し、窒化シリコン膜がシリコン基板
２上に１．０μｍの厚さまで成膜を行った。
（面方位〈１００〉、抵抗率１０Ω・ｃｍ）を使用し
た。まず、支持体３上に基体２を設置し、排気系（不図
示）を介してプラズマ発生室１´及び成膜室１内を排気
し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。続いてヒータ
４を用いシリコン基板２を３００℃に加熱し、該基板を
この温度に保持した。第１の原料ガス導入管６からＳｉ
Ｈ4 を１００ｓｃｃｍの流量で、第２の原料ガス導入管
７からＮ2 を２００ｓｃｃｍの流量で、成膜室１内に導
入し、第３の原料ガス導入管８からＡｒを３ｓ１ｍの流
量でプラズマ発生室１´内に導入した。排気管５側に設
けられたコンダクタンスバルブ（不図示）により３０ｍ
Ｔｏｒｒの圧力に保持した。更に２．４５ＧＨZ のマイ
クロ波電源（不図示）より発振した２ｋＷの電力をマイ
クロ波導波管９を介してプラズマ発生室１´に導入しプ
ラズマを発生させた。この際、第２の原料ガス導入管７
を介して導入された窒素ガスはプラズマ発生室１´内で
励起分解されて活性種となりシリコン基板２の方向に輸
送され、第１の原料ガス導入管６を介して導入されたモ
ノシランガスと反応し、窒化シリコン膜がシリコン基板
２上に１．０μｍの厚さまで成膜を行った。
【００３１】また、図３に横軸に第３のガスの流量／第
１・第２ガスの流量、縦軸に電子密度を取ったときの関
係を示す。流量比を１０倍にした場合は５倍の時より電
子密度が高い。その結果、Ｓｉ−Ｎ−Ｈなどのプリカー
サの反応が進み膜中の水素含有率が少ない良質な窒化シ
リコン膜が高速に成膜された。 （実施例３）本発明のプラズマＣＶＤ方法をプラスチッ
クレンズ反射防止用窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜
の形成に応用した実施例を図１を用いて説明する。
１・第２ガスの流量、縦軸に電子密度を取ったときの関
係を示す。流量比を１０倍にした場合は５倍の時より電
子密度が高い。その結果、Ｓｉ−Ｎ−Ｈなどのプリカー
サの反応が進み膜中の水素含有率が少ない良質な窒化シ
リコン膜が高速に成膜された。 （実施例３）本発明のプラズマＣＶＤ方法をプラスチッ
クレンズ反射防止用窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜
の形成に応用した実施例を図１を用いて説明する。
【００３２】基体２としては、直径５０ｍｍプラスチッ
ク凸レンズを使用した。まず、支持体３上に基体２を配
し、排気系（不図示）を介してプラズマ発生室１´及び
成膜室１内を排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させ
た。次に第１の原料ガス導入管６からＳｉＨ4 を１００
ｓｃｃｍの流量で、第２の原料ガス導入管７からＮ2を
１５０ｓｃｃｍの流量で、成膜室１内に導入し、第３の
原料ガス導入管８からＡｒを２ｓ１ｍの流量でプラズマ
発生室１´内に導入し、排気管５側に設けられたコンダ
クタンスバルブ（不図示）により１ｍＴｏｒｒの圧力に
保持する。更に２．４５ＧＨZ のマイクロ波電源（不図
示）より発振した１ｋＷの電力をスロット付環状導波管
９を介してプラズマ発生室１´に導入しプラズマを発生
させた。この際、第２の原料ガス導入管７を介して導入
された窒素ガスはプラズマ発生室内１´で励起、分解さ
れて窒素原子などの活性種となり、基板２の方向に輸送
され、第１の原料ガス導入管６を介して導入されたモノ
シランガスと反応し、窒化シリコン膜が基板２上に２１
ｎｍの厚さで形成された。
ク凸レンズを使用した。まず、支持体３上に基体２を配
し、排気系（不図示）を介してプラズマ発生室１´及び
成膜室１内を排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させ
た。次に第１の原料ガス導入管６からＳｉＨ4 を１００
ｓｃｃｍの流量で、第２の原料ガス導入管７からＮ2を
１５０ｓｃｃｍの流量で、成膜室１内に導入し、第３の
原料ガス導入管８からＡｒを２ｓ１ｍの流量でプラズマ
発生室１´内に導入し、排気管５側に設けられたコンダ
クタンスバルブ（不図示）により１ｍＴｏｒｒの圧力に
保持する。更に２．４５ＧＨZ のマイクロ波電源（不図
示）より発振した１ｋＷの電力をスロット付環状導波管
９を介してプラズマ発生室１´に導入しプラズマを発生
させた。この際、第２の原料ガス導入管７を介して導入
された窒素ガスはプラズマ発生室内１´で励起、分解さ
れて窒素原子などの活性種となり、基板２の方向に輸送
され、第１の原料ガス導入管６を介して導入されたモノ
シランガスと反応し、窒化シリコン膜が基板２上に２１
ｎｍの厚さで形成された。
【００３３】次に、第１の原料ガス導入管６からＳｉＨ
4 を１００ｓｃｃｍの流量で、第２の原料ガス導入管７
からＯ2 を２００ｓｃｃｍの流量で成膜室１内に導入
し、第３の原料ガス導入管８からＡｒを２ｓｌｍの流量
でプラズマ発生室１´内に導入し、排気管５側に設けら
れたコンダクタンスバルブ（不図示）により１ｍＴｏｒ
ｒの圧力に保持する。更に２．４５ＧＨZ のマイクロ波
電源（不図示）より発振した１ｋＷの電力をスロット付
環状導波管９を介して成膜室１に導入しプラズマを発生
させた。この際、第２の原料ガス導入管７を介して導入
された酸素ガスはプラズマ発生室１´内で励起分解され
て酸素原子などの活性種となり、基板２の方向に輸送さ
れ、第１の原料ガス導入管６を介して導入されたモノシ
ランガスと反応し、酸化シリコン膜が基板２上に８６ｎ
ｍの厚さで形成された。得られた窒化シリコン膜及び酸
化シリコン膜は成膜速度は３００ｎｍ／ｍｉｎ、３６０
ｎｍ／ｍｉｎ、と良好で、膜質も５００ｎｍ付近の反射
率が０．３％と極めて良好な光学特性であることが確認
された。また干渉計でレンズ表面の曲率を参照レンズと
測定比較し、成膜による変化は観測されなかった。
4 を１００ｓｃｃｍの流量で、第２の原料ガス導入管７
からＯ2 を２００ｓｃｃｍの流量で成膜室１内に導入
し、第３の原料ガス導入管８からＡｒを２ｓｌｍの流量
でプラズマ発生室１´内に導入し、排気管５側に設けら
れたコンダクタンスバルブ（不図示）により１ｍＴｏｒ
ｒの圧力に保持する。更に２．４５ＧＨZ のマイクロ波
電源（不図示）より発振した１ｋＷの電力をスロット付
環状導波管９を介して成膜室１に導入しプラズマを発生
させた。この際、第２の原料ガス導入管７を介して導入
された酸素ガスはプラズマ発生室１´内で励起分解され
て酸素原子などの活性種となり、基板２の方向に輸送さ
れ、第１の原料ガス導入管６を介して導入されたモノシ
ランガスと反応し、酸化シリコン膜が基板２上に８６ｎ
ｍの厚さで形成された。得られた窒化シリコン膜及び酸
化シリコン膜は成膜速度は３００ｎｍ／ｍｉｎ、３６０
ｎｍ／ｍｉｎ、と良好で、膜質も５００ｎｍ付近の反射
率が０．３％と極めて良好な光学特性であることが確認
された。また干渉計でレンズ表面の曲率を参照レンズと
測定比較し、成膜による変化は観測されなかった。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、希ガスを除く全原
料ガスの流量に対して希ガスの流量を５倍以上にするこ
とにより電子温度が低下し電子密度が高くなり、基板温
度上昇を抑えつつプリカーサ（中間活性体）の反応度が
進み、成膜するプロセスで水素脱離反応が促進され膜中
の水素含有率が少なくなるという高性能で高速な成膜が
可能になる効果がある。
料ガスの流量に対して希ガスの流量を５倍以上にするこ
とにより電子温度が低下し電子密度が高くなり、基板温
度上昇を抑えつつプリカーサ（中間活性体）の反応度が
進み、成膜するプロセスで水素脱離反応が促進され膜中
の水素含有率が少なくなるという高性能で高速な成膜が
可能になる効果がある。
【図１】本発明に使用されるプラズマＣＶＤ装置の１例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係わるプラズマＣＶＤ装置
で電子密度を測定した際の第３のガスの流量／第１・第
２のガスの流量と電子密度の関係を表したグラフであ
る。
で電子密度を測定した際の第３のガスの流量／第１・第
２のガスの流量と電子密度の関係を表したグラフであ
る。
【図３】本発明の実施例２に係わるプラズマＣＶＤ装置
で電子密度を測定した際の第３のガスの流量／第１・第
２のガスの流量と電子密度の関係を表したグラフであ
る。
で電子密度を測定した際の第３のガスの流量／第１・第
２のガスの流量と電子密度の関係を表したグラフであ
る。
１ 成膜室 １´ プラズマ発生室 ２ 基体 ３ 支持体 ４ ヒータ ５ 排気管 ６ 第１の原料ガス導入管 ７ 第２の原料ガス導入管 ８ 第３の原料ガス導入管 ９ マイクロ波導波管 １０ 石英部材 １１ 天板部材 １２ 底板部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｘ 21/318 21/318 Ｂ Ｈ０５Ｈ 1/46 9216−2Ｇ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｂ
Claims (14)
- 【請求項１】 排気手段によりプラズマ発生室内及び該
プラズマ発生室と連通した成膜室内を減圧させ、希ガス
と希ガス以外のガスを該プラズマ発生室又は成膜室に供
給し、該プラズマ発生室内に電気エネルギーを供給し、
該プラズマ発生室に連通した成膜室内に配された基体表
面に薄膜を堆積させるプラズマＣＶＤ方法であって、該
希ガスを除く全ガスの流量に対する希ガスの流量を５倍
以上にすることを特徴とするプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項２】 該希ガスを除く全ガスの流量に対する該
希ガスの流量を１０倍以上にする請求項１に記載のプラ
ズマＣＶＤ方法。 - 【請求項３】 該電気エネルギーがマイクロ波である請
求項１または２に記載のプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項４】 マイクロ波を導入する導波管がスロット
付環状導波管である請求項３に記載のプラズマＣＶＤ方
法。 - 【請求項５】 耐熱温度が１００℃以下である基体を用
いる請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のプラズ
マＣＶＤ方法。 - 【請求項６】 該基体がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属
又はこれらの合金からなる導電性基体である請求項１乃
至４のうちいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項７】 該基体がポリエチレン、ポリエステル、
セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ール、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミ
ド、ポリイミド、アクリル、ゼラチン或いはこれらを主
成分とする高分子である請求項１乃至４のうちいずれか
１項に記載のプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項８】該基体がポリカーボネート或いはこれを主
成分とする高分子である請求項１乃至５のうちいずれか
１項に記載のプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項９】 該プラズマＣＶＤ方法によって堆積させ
た薄膜が、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化タン
タル膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜、酸化アルミニウ
ム膜、窒化アルミニウム膜、弗化マグネシウム膜等の絶
縁膜である請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の
プラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項１０】 薄膜がａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｓ
ｉＣ、ＧａＡｓ等の半導体膜である請求項１乃至８のう
ちいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項１１】 薄膜がＡｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等
の金属膜である請求項１乃至８のうちいずれか１項に記
載のプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項１２】 希ガスがＡｒである請求項１乃至１１
のうちいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項１３】 光磁気ディスク用基板の製造方法に用
いることを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか
１項に記載のプラズマＣＶＤ方法。 - 【請求項１４】 液晶表示素子用基板の製造方法に用い
ることを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか１
項に記載のプラズマＣＶＤ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7195197A JPH0941147A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | プラズマｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7195197A JPH0941147A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | プラズマｃｖｄ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0941147A true JPH0941147A (ja) | 1997-02-10 |
Family
ID=16337074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7195197A Pending JPH0941147A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | プラズマｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0941147A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004006321A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2004-01-15 | Kansai Technology Licensing Organization Co.,Ltd. | シリコン窒化膜の形成方法および形成装置 |
| JP2007299686A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 電解質膜の形成方法、成膜装置及び固体燃料電池 |
| JP2012504867A (ja) * | 2008-10-01 | 2012-02-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素系膜又は炭化ケイ素系膜を形成する方法 |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP7195197A patent/JPH0941147A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004006321A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2004-01-15 | Kansai Technology Licensing Organization Co.,Ltd. | シリコン窒化膜の形成方法および形成装置 |
| JP2007299686A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 電解質膜の形成方法、成膜装置及び固体燃料電池 |
| JP2012504867A (ja) * | 2008-10-01 | 2012-02-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 窒化ケイ素系膜又は炭化ケイ素系膜を形成する方法 |
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