JPH0943260A - Ｍｒ素子式回転センサ - Google Patents
Ｍｒ素子式回転センサInfo
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- JPH0943260A JPH0943260A JP7198372A JP19837295A JPH0943260A JP H0943260 A JPH0943260 A JP H0943260A JP 7198372 A JP7198372 A JP 7198372A JP 19837295 A JP19837295 A JP 19837295A JP H0943260 A JPH0943260 A JP H0943260A
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- Japan
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- ref
- gear
- protrusion
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- Pending
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- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】シグナルロータのＲＥＦ突起からの磁気干渉を
受けても、出力レベルの変動の少ないＰＯＳ信号の検出
及びＲＥＦ信号の検出が可能なＭＲ素子式回転センサ。 【解決手段】ＰＯＳ用第１ギア１２と第２ギア１３の間
にＲＥＦ用ギア１４を配設し、第１ギア１２の突起１５
と第２ギア１３の突起１６は、ピッチＰで、互いにＰ／
２の位相のずれを有して形成され、ＲＥＦ用ギア１４に
はＲＥＦ用突起１７が形成され、第１ギア１２に対向し
てＰＯＳ検出用ＭＲ素子１８が、第２ギア１３に対向し
てＰＯＳ検出用ＭＲ素子１９が、また、ＲＥＦ用ギア１
４に対向してＲＥＦ検出用ＭＲ素子２０、２１がピッチ
Ｐ／２でが配設されている。
受けても、出力レベルの変動の少ないＰＯＳ信号の検出
及びＲＥＦ信号の検出が可能なＭＲ素子式回転センサ。 【解決手段】ＰＯＳ用第１ギア１２と第２ギア１３の間
にＲＥＦ用ギア１４を配設し、第１ギア１２の突起１５
と第２ギア１３の突起１６は、ピッチＰで、互いにＰ／
２の位相のずれを有して形成され、ＲＥＦ用ギア１４に
はＲＥＦ用突起１７が形成され、第１ギア１２に対向し
てＰＯＳ検出用ＭＲ素子１８が、第２ギア１３に対向し
てＰＯＳ検出用ＭＲ素子１９が、また、ＲＥＦ用ギア１
４に対向してＲＥＦ検出用ＭＲ素子２０、２１がピッチ
Ｐ／２でが配設されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回転センサに係り、
特に、回転体に取付けられたシグナルロータと、これに
対向して配置されたＭＲ素子を有するＭＲ素子式回転セ
ンサに関する。
特に、回転体に取付けられたシグナルロータと、これに
対向して配置されたＭＲ素子を有するＭＲ素子式回転セ
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＭＲ素子式回転センサとしては、
特開平６−１３７８９１号公報に開示されたものがあ
り、これは、回転角度を示すＰＯＳ突起を有するギアの
回転と、基準位置を示すＲＥＦ突起を有するギアの回転
を、それぞれのギアに対向する位置に配置されたＭＲ素
子によって検出し、回転角度信号と基準位置信号を得る
ものである。
特開平６−１３７８９１号公報に開示されたものがあ
り、これは、回転角度を示すＰＯＳ突起を有するギアの
回転と、基準位置を示すＲＥＦ突起を有するギアの回転
を、それぞれのギアに対向する位置に配置されたＭＲ素
子によって検出し、回転角度信号と基準位置信号を得る
ものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の回転セ
ンサにおいては、前記ＰＯＳ突起と、前記ＲＥＦ突起と
が隣接して配置されていたため、ＰＯＳ信号検出用のＭ
Ｒ素子が隣接のＲＥＦ突起から磁気干渉を受けてＰＯＳ
信号の出力レベルが変動するという問題点があった。本
発明は、上記の課題を解決するためになされ、ＲＥＦ突
起からの磁気干渉を受けても、出力レベルの変動の少な
いＰＯＳ信号の検出及びＲＥＦ信号の検出が可能なＭＲ
素子式回転センサを提供することを目的としている。
ンサにおいては、前記ＰＯＳ突起と、前記ＲＥＦ突起と
が隣接して配置されていたため、ＰＯＳ信号検出用のＭ
Ｒ素子が隣接のＲＥＦ突起から磁気干渉を受けてＰＯＳ
信号の出力レベルが変動するという問題点があった。本
発明は、上記の課題を解決するためになされ、ＲＥＦ突
起からの磁気干渉を受けても、出力レベルの変動の少な
いＰＯＳ信号の検出及びＲＥＦ信号の検出が可能なＭＲ
素子式回転センサを提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のＭＲ素子式回転
センサは、上記の課題に着目してなされてなされたもの
で、回転体に取り付けられ、回転角度を示すＳＯＳ突起
と基準位置を示すＲＥＦ突起とが形成されたシグナルロ
−タと、それぞれの突起に対向する位置に配置されたＭ
Ｒ素子、及び、ＭＲ素子を挾んでシグナルロ−タの反対
側に配置されるバイアス磁石と、直列に接続された２個
のＭＲ素子の中点電位を回転信号として検出する検出手
段を有するＭＲ素子式回転センサであって、前記シグナ
ルロータは、回転角度を示すＰＯＳ用第１突起を有する
ＰＯＳ用第１ギアとＰＯＳ用第２突起を有するＰＯＳ用
第２ギアと、基準位置を示すＲＥＦ突起を有するＲＥＦ
用ギアとを有し、ＰＯＳ用第１突起とＰＯＳ用第２突起
は、ピッチＰが同じで、λＰ（０＜λ＜１）だけピッチ
をずらして配置され、ＲＥＦ突起は、ＰＯＳ用第１突起
とＰＯＳ用第２突起に挾まれている。さらに、ＭＲ素子
は、第１のＰＯＳ突起及び第２のＰＯＳ突起に対向して
各一個ずつ同位置に、ＲＥＦ突起に対向して、ピッチＰ
で複数個配置させたものである。
センサは、上記の課題に着目してなされてなされたもの
で、回転体に取り付けられ、回転角度を示すＳＯＳ突起
と基準位置を示すＲＥＦ突起とが形成されたシグナルロ
−タと、それぞれの突起に対向する位置に配置されたＭ
Ｒ素子、及び、ＭＲ素子を挾んでシグナルロ−タの反対
側に配置されるバイアス磁石と、直列に接続された２個
のＭＲ素子の中点電位を回転信号として検出する検出手
段を有するＭＲ素子式回転センサであって、前記シグナ
ルロータは、回転角度を示すＰＯＳ用第１突起を有する
ＰＯＳ用第１ギアとＰＯＳ用第２突起を有するＰＯＳ用
第２ギアと、基準位置を示すＲＥＦ突起を有するＲＥＦ
用ギアとを有し、ＰＯＳ用第１突起とＰＯＳ用第２突起
は、ピッチＰが同じで、λＰ（０＜λ＜１）だけピッチ
をずらして配置され、ＲＥＦ突起は、ＰＯＳ用第１突起
とＰＯＳ用第２突起に挾まれている。さらに、ＭＲ素子
は、第１のＰＯＳ突起及び第２のＰＯＳ突起に対向して
各一個ずつ同位置に、ＲＥＦ突起に対向して、ピッチＰ
で複数個配置させたものである。
【０００５】すなわち、本発明の目的は、特許請求の範
囲に記載されているように、バイアス磁石に対設した磁
性回転体による磁界の変化を、ＭＲ素子の中点電位を回
転信号として検出する検出手段により、前記回転体の角
度信号と基準信号を出力するＭＲ素子式回転センサにお
いて、前記回転体に設けたピッチＰで形成された第１の
角度信号表示手段と、第１の角度信号手段と同軸上にピ
ッチＰで第１の角度信号表示手段に対しλＰ（０＜λ＜
１）だけ位相をずらして形成された第２の角度信号表示
手段と、第１の角度検出手段と第２の角度検出手段に挟
まれ、かつ、同軸上に形成した基準位置信号表示手段
と、前記磁性回転体の半径方向に、第１、第２の角度信
号表示手段及び前記基準位置信号表示手段に近接して設
けたバイアス磁石と、前記第１、第２の角度信号表示手
段とそれぞれ対向し、かつ、前記バイアス磁石との間に
挟まれた角度検出用ＭＲ素子と、前記基準位置信号表示
手段と対向し、かつ、前記バイアス磁石との間に挟まれ
て前記第１、第２の角度信号表示手段に対しピッチＰな
る位相差で形成した複数の基準位置検出用ＭＲ素子とを
有することを特徴とするＭＲ素子式回転センサによって
達成される。
囲に記載されているように、バイアス磁石に対設した磁
性回転体による磁界の変化を、ＭＲ素子の中点電位を回
転信号として検出する検出手段により、前記回転体の角
度信号と基準信号を出力するＭＲ素子式回転センサにお
いて、前記回転体に設けたピッチＰで形成された第１の
角度信号表示手段と、第１の角度信号手段と同軸上にピ
ッチＰで第１の角度信号表示手段に対しλＰ（０＜λ＜
１）だけ位相をずらして形成された第２の角度信号表示
手段と、第１の角度検出手段と第２の角度検出手段に挟
まれ、かつ、同軸上に形成した基準位置信号表示手段
と、前記磁性回転体の半径方向に、第１、第２の角度信
号表示手段及び前記基準位置信号表示手段に近接して設
けたバイアス磁石と、前記第１、第２の角度信号表示手
段とそれぞれ対向し、かつ、前記バイアス磁石との間に
挟まれた角度検出用ＭＲ素子と、前記基準位置信号表示
手段と対向し、かつ、前記バイアス磁石との間に挟まれ
て前記第１、第２の角度信号表示手段に対しピッチＰな
る位相差で形成した複数の基準位置検出用ＭＲ素子とを
有することを特徴とするＭＲ素子式回転センサによって
達成される。
【０００６】
【実施の形態】以下、本発明の原理を図１〜図６に基づ
いて説明する。まず、ＰＯＳ検出用ＭＲ素子がＲＥＦ突
起により磁気干渉を受けて、その出力レベルが変動する
プロセスについて説明する。図１は本発明のＭＲ素子式
回転センサの基本原理を示す平面図、図２は同部分正面
図、図３は同配線回路を示す図である。図１、図２に示
すように、ＰＯＳ用のギア１とＲＥＦ用のギア２は、互
いに隣接して配置されている。ギア１及びギア２にはそ
れぞれＰＯＳ突起３及びＲＥＦ突起４が設けられてい
る。ギア１と対向する位置にはＰＯＳ検出用ＭＲ素子５
及び６、またギア２と対向する位置にはＲＥＦ検出用Ｍ
Ｒ素子７、８が配置され、これらＭＲ素子５、６、７、
８の背面にはバイアス磁石９が設けられている。各ＭＲ
素子は抵抗温度特性を持っているため、ＰＯＳ検出用Ｍ
Ｒ素子５及び６、ＲＥＦ検出用ＭＲ素子７及び８は、そ
れぞれが図３に示すように直列に接続され、その中点電
位を計測して回転信号とすることにより、抵抗値変化の
温度による影響を相殺している。また、検知感度を高め
るために、図２に示すように、ＰＯＳ突起３の形成ピッ
チをＰとすると、回転方向に並設した２個のＭＲ素子５
とＭＲ素子６はＰ／２だけ位相をずらして配置されてい
る。検出対象であるギア１及びギア２が回転すると、Ｒ
ＥＦ突起４がＭＲ素子５、ＭＲ素子６から離れた位置に
ある場合には、ＭＲ素子５、ＭＲ素子６に垂直に印加さ
れる磁束密度Ｂ5及び磁束密度Ｂ6は図４（ａ）のように
変化する。Ｉｎ−Ｓｂによって代表される半導体からな
るＭＲ素子においては、ＭＲ素子に対して垂直に印加さ
れる磁束密度Ｂの値と抵抗値の関係は、図６に示すよう
な変化特性を示す。この結果、ＰＯＳ信号を示すセンサ
出力Ｖｐは、図４（ｂ）に示すように、出力ピ−ク値が
一定の正弦波形状の変化特性を示す。
いて説明する。まず、ＰＯＳ検出用ＭＲ素子がＲＥＦ突
起により磁気干渉を受けて、その出力レベルが変動する
プロセスについて説明する。図１は本発明のＭＲ素子式
回転センサの基本原理を示す平面図、図２は同部分正面
図、図３は同配線回路を示す図である。図１、図２に示
すように、ＰＯＳ用のギア１とＲＥＦ用のギア２は、互
いに隣接して配置されている。ギア１及びギア２にはそ
れぞれＰＯＳ突起３及びＲＥＦ突起４が設けられてい
る。ギア１と対向する位置にはＰＯＳ検出用ＭＲ素子５
及び６、またギア２と対向する位置にはＲＥＦ検出用Ｍ
Ｒ素子７、８が配置され、これらＭＲ素子５、６、７、
８の背面にはバイアス磁石９が設けられている。各ＭＲ
素子は抵抗温度特性を持っているため、ＰＯＳ検出用Ｍ
Ｒ素子５及び６、ＲＥＦ検出用ＭＲ素子７及び８は、そ
れぞれが図３に示すように直列に接続され、その中点電
位を計測して回転信号とすることにより、抵抗値変化の
温度による影響を相殺している。また、検知感度を高め
るために、図２に示すように、ＰＯＳ突起３の形成ピッ
チをＰとすると、回転方向に並設した２個のＭＲ素子５
とＭＲ素子６はＰ／２だけ位相をずらして配置されてい
る。検出対象であるギア１及びギア２が回転すると、Ｒ
ＥＦ突起４がＭＲ素子５、ＭＲ素子６から離れた位置に
ある場合には、ＭＲ素子５、ＭＲ素子６に垂直に印加さ
れる磁束密度Ｂ5及び磁束密度Ｂ6は図４（ａ）のように
変化する。Ｉｎ−Ｓｂによって代表される半導体からな
るＭＲ素子においては、ＭＲ素子に対して垂直に印加さ
れる磁束密度Ｂの値と抵抗値の関係は、図６に示すよう
な変化特性を示す。この結果、ＰＯＳ信号を示すセンサ
出力Ｖｐは、図４（ｂ）に示すように、出力ピ−ク値が
一定の正弦波形状の変化特性を示す。
【０００７】これに反して、ＲＥＦ突起４がＭＲ素子５
及び６の近傍を通過している場合には、ＲＥＦ突起４に
磁束が引張られる形となり、ＭＲ素子５及びＭＲ素子６
に印加される磁束密度の値が、ＲＥＦ突起４が通過する
前後で低下し、磁束密度Ｂ5及び磁束密度Ｂ6は図５
（ａ）のように変化する。この結果、ＰＯＳ信号を示す
センサ出力Ｖｐは、図５（ｂ）に示すように、出力ピ−
ク値が一定とならず、変動しながら変化する。
及び６の近傍を通過している場合には、ＲＥＦ突起４に
磁束が引張られる形となり、ＭＲ素子５及びＭＲ素子６
に印加される磁束密度の値が、ＲＥＦ突起４が通過する
前後で低下し、磁束密度Ｂ5及び磁束密度Ｂ6は図５
（ａ）のように変化する。この結果、ＰＯＳ信号を示す
センサ出力Ｖｐは、図５（ｂ）に示すように、出力ピ−
ク値が一定とならず、変動しながら変化する。
【０００８】〈実施の形態１〉図７及び図８は、本発明
に係る実施の形態１の回転センサの構成を示す図であ
る。図７、図８において、検出対象であるシグナルロ−
タ１１は、ＰＯＳ用の第１ギア１２、ＰＯＳ用の第２ギ
ア１３、ＲＥＦ用ギア１４から構成されており、ＲＥＦ
用ギア１４は、ＰＯＳ用の第１ギア１２とＰＯＳ用の第
２ギア１３の間に挟まれた構造を有する。ＰＯＳ用の第
１ギア１２には、ＰＯＳ用の第１突起１５がピッチＰで
形成されている。ＰＯＳ用の第２ギア１３は、ＰＯＳ用
の第１ギア１２と同一形状でＰＯＳ用の第１突起１６が
形成されている。図８に示したように、ＰＯＳ用の第１
ギア１２とＰＯＳ用の第２ギア１３は、突起のピッチＰ
のＰ／２だけ互いに位相をずらして並設されている。ま
た、ＲＥＦ用ギア１４には基準位置を示すＲＥＦ用突起
１７が形成されている。ＰＯＳ用の第１ギア１２に対向
する位置に、ＰＯＳ検出用ＭＲ素子１８が配設され、Ｐ
ＯＳ用の第２ギア１３に対向する位置には、別のＰＯＳ
検出用ＭＲ素子１９が配設されている。ＭＲ素子１８と
ＭＲ素子１９は回転方向に対して同一位相に配置されて
いる。またＲＥＦ用ギア１４に対向する位置にＲＥＦ検
出用ＭＲ素子２０、２１が配置されており、回転方向に
並設した２個のＭＲ素子２０とＭＲ素子２１は、Ｐ／２
だけ回転方向に位相をずらして配置されている。ＭＲ素
子１８、１９、２０及び２１の背面にはバイアス磁石２
２が配置されている。
に係る実施の形態１の回転センサの構成を示す図であ
る。図７、図８において、検出対象であるシグナルロ−
タ１１は、ＰＯＳ用の第１ギア１２、ＰＯＳ用の第２ギ
ア１３、ＲＥＦ用ギア１４から構成されており、ＲＥＦ
用ギア１４は、ＰＯＳ用の第１ギア１２とＰＯＳ用の第
２ギア１３の間に挟まれた構造を有する。ＰＯＳ用の第
１ギア１２には、ＰＯＳ用の第１突起１５がピッチＰで
形成されている。ＰＯＳ用の第２ギア１３は、ＰＯＳ用
の第１ギア１２と同一形状でＰＯＳ用の第１突起１６が
形成されている。図８に示したように、ＰＯＳ用の第１
ギア１２とＰＯＳ用の第２ギア１３は、突起のピッチＰ
のＰ／２だけ互いに位相をずらして並設されている。ま
た、ＲＥＦ用ギア１４には基準位置を示すＲＥＦ用突起
１７が形成されている。ＰＯＳ用の第１ギア１２に対向
する位置に、ＰＯＳ検出用ＭＲ素子１８が配設され、Ｐ
ＯＳ用の第２ギア１３に対向する位置には、別のＰＯＳ
検出用ＭＲ素子１９が配設されている。ＭＲ素子１８と
ＭＲ素子１９は回転方向に対して同一位相に配置されて
いる。またＲＥＦ用ギア１４に対向する位置にＲＥＦ検
出用ＭＲ素子２０、２１が配置されており、回転方向に
並設した２個のＭＲ素子２０とＭＲ素子２１は、Ｐ／２
だけ回転方向に位相をずらして配置されている。ＭＲ素
子１８、１９、２０及び２１の背面にはバイアス磁石２
２が配置されている。
【０００９】ＭＲ素子１８〜ＭＲ素子２１は抵抗温度特
性を有する。例えば、Ｉｎ−Ｓｂ半導体薄膜のＭＲ素子
の場合、温度２５℃における抵抗値を１とすると、−４
０℃では約７となり、１５０℃では約０．２となる。図
９に示すように、ＰＯＳ検出用ＭＲ素子１８及び１９を
直列に接続し、その中点電位Ｖｐを回転角度信号として
使用する。同様にＲＥＦ検出用ＭＲ素子２０、２１を直
列に接続し、その中点電位Ｖｒを基準位置信号として使
用する。
性を有する。例えば、Ｉｎ−Ｓｂ半導体薄膜のＭＲ素子
の場合、温度２５℃における抵抗値を１とすると、−４
０℃では約７となり、１５０℃では約０．２となる。図
９に示すように、ＰＯＳ検出用ＭＲ素子１８及び１９を
直列に接続し、その中点電位Ｖｐを回転角度信号として
使用する。同様にＲＥＦ検出用ＭＲ素子２０、２１を直
列に接続し、その中点電位Ｖｒを基準位置信号として使
用する。
【００１０】シグナルロ−タ１１は、純鉄のような透磁
率の高い材質を用いて形成されている。純鉄の粉末をプ
レスして圧縮成形した後焼結により製造される。純鉄は
腐食しやすいため、使用環境に応じて亜鉛メッキやニッ
ケルメッキなどの表面処理が施される。また、電磁ステ
ンレス材のように透磁率が高く、かつ、耐食性の高い材
質を用いてもよい。その場合は表面処理が不要となる。
本実施の形態のシグナルロ−タ１１は、ＰＯＳ用の第１
ギア１２、ＰＯＳ用の第２ギア１３及びＲＥＦ用ギア１
４をそれぞれ別体で形成した後、溶接により組立を行な
ってもよく、また図示しない回転軸に一体的に取付けて
もよい。または回転軸を含むシグナルロータ１１を一つ
の部品として製造したものでもよい。
率の高い材質を用いて形成されている。純鉄の粉末をプ
レスして圧縮成形した後焼結により製造される。純鉄は
腐食しやすいため、使用環境に応じて亜鉛メッキやニッ
ケルメッキなどの表面処理が施される。また、電磁ステ
ンレス材のように透磁率が高く、かつ、耐食性の高い材
質を用いてもよい。その場合は表面処理が不要となる。
本実施の形態のシグナルロ−タ１１は、ＰＯＳ用の第１
ギア１２、ＰＯＳ用の第２ギア１３及びＲＥＦ用ギア１
４をそれぞれ別体で形成した後、溶接により組立を行な
ってもよく、また図示しない回転軸に一体的に取付けて
もよい。または回転軸を含むシグナルロータ１１を一つ
の部品として製造したものでもよい。
【００１１】ＭＲ素子１８〜ＭＲ素子２１は磁束密度の
大きさによって、その抵抗値が変化する磁気デバイスの
一種であって、Ｉｎ−Ｓｂによって代表される半導体の
ものとＮｉ−Ｆｅに代表される強磁性体のものに大別さ
れる。半導体ＭＲ素子は素子に対し垂直方向の磁界の磁
束密度の大きさに応じて抵抗値が変化するのに対し、強
磁性ＭＲ素子は素子に対し平行方向の磁界の磁束密度の
大きさに応じて抵抗値が変化する点で大きな差異を有す
る。ＭＲ素子の背面にバイアス磁石を配置してギアの回
転を検出するタイプの回転センサとしては、抵抗変化率
が１００ガウスにつき５％程度と比較的大きく、かつ、
印加する磁束密度Ｂに制限のない半導体ＭＲ素子の使用
が好適である。本実施の形態においてはＩｎ−Ｓｂ半導
体薄膜を使用している。
大きさによって、その抵抗値が変化する磁気デバイスの
一種であって、Ｉｎ−Ｓｂによって代表される半導体の
ものとＮｉ−Ｆｅに代表される強磁性体のものに大別さ
れる。半導体ＭＲ素子は素子に対し垂直方向の磁界の磁
束密度の大きさに応じて抵抗値が変化するのに対し、強
磁性ＭＲ素子は素子に対し平行方向の磁界の磁束密度の
大きさに応じて抵抗値が変化する点で大きな差異を有す
る。ＭＲ素子の背面にバイアス磁石を配置してギアの回
転を検出するタイプの回転センサとしては、抵抗変化率
が１００ガウスにつき５％程度と比較的大きく、かつ、
印加する磁束密度Ｂに制限のない半導体ＭＲ素子の使用
が好適である。本実施の形態においてはＩｎ−Ｓｂ半導
体薄膜を使用している。
【００１２】バイアス磁石２２には、その使用温度環境
や検知エアギャップ等により適正な磁石材質が選択され
て使用される。使用温度が低く、エアギャップが狭い民
生用の回転センサの場合は、原価低減のためフェライト
磁石やアルニコ磁石を使用することが望ましい。また、
使用温度が１２０℃以上の高温で、エアギャップも比較
的広い自動車用回転センサの場合には、エネルギ−積の
大きいＮｂ−Ｆｅ−Ｂ磁石やＳｍ−Ｃｏ磁石が使用され
ることが多い。
や検知エアギャップ等により適正な磁石材質が選択され
て使用される。使用温度が低く、エアギャップが狭い民
生用の回転センサの場合は、原価低減のためフェライト
磁石やアルニコ磁石を使用することが望ましい。また、
使用温度が１２０℃以上の高温で、エアギャップも比較
的広い自動車用回転センサの場合には、エネルギ−積の
大きいＮｂ−Ｆｅ−Ｂ磁石やＳｍ−Ｃｏ磁石が使用され
ることが多い。
【００１３】ＰＯＳ用の第１突起１５とＰＯＳ用の第２
突起１６の関係は、回転方向に対してＰ／２だけ位相が
ずれて配置されている。また、ＰＯＳ用の第１ギア１２
とＰＯＳ用の第２ギア１３は同一材質を用いて同一形状
に形成されている。したがって、ＲＥＦ突起１７がＰＯ
Ｓ検出用ＭＲ素子１８、１９から離れた位置にある場合
は、図１０（ａ）に示すように、ＭＲ素子１８、ＭＲ素
子１９に対して垂直に印加される磁束密度Ｂ18、Ｂ
19は、ほぼ同一の波形がＰ／２だけ位相がずれて変化す
ることになる。その結果、図１０（ｂ）に示すように、
回転に対応し、出力のピ−ク値に変動のないＰＯＳ信号
出力Ｖｐを求めることができる。
突起１６の関係は、回転方向に対してＰ／２だけ位相が
ずれて配置されている。また、ＰＯＳ用の第１ギア１２
とＰＯＳ用の第２ギア１３は同一材質を用いて同一形状
に形成されている。したがって、ＲＥＦ突起１７がＰＯ
Ｓ検出用ＭＲ素子１８、１９から離れた位置にある場合
は、図１０（ａ）に示すように、ＭＲ素子１８、ＭＲ素
子１９に対して垂直に印加される磁束密度Ｂ18、Ｂ
19は、ほぼ同一の波形がＰ／２だけ位相がずれて変化す
ることになる。その結果、図１０（ｂ）に示すように、
回転に対応し、出力のピ−ク値に変動のないＰＯＳ信号
出力Ｖｐを求めることができる。
【００１４】一方、ＲＥＦ突起１７がＰＯＳ検出用ＭＲ
素子１８、１９の近傍を通過している場合にはＭＲ素子
１８、１９はＲＥＦ突起１７の影響を受け、ＲＥＦ突起
１７が通過する前後で印加される磁束密度の大きさが低
下する。ところが、ＭＲ素子１８、１９が回転方向に対
し同位置に配置されており、ＲＥＦ突起１７からの対応
信号を時間的な遅れがなくほぼ同じレベルで受けること
ができる。従って、ＭＲ素子１８、１９に印加される磁
束密度Ｂ18、Ｂ19は、図１１（ａ）に示すように変化す
る。この結果、ＰＯＳ信号出力Ｖｐは、図１１（ｂ）に
示すように出力のピ−ク値がほとんど変動しない。
素子１８、１９の近傍を通過している場合にはＭＲ素子
１８、１９はＲＥＦ突起１７の影響を受け、ＲＥＦ突起
１７が通過する前後で印加される磁束密度の大きさが低
下する。ところが、ＭＲ素子１８、１９が回転方向に対
し同位置に配置されており、ＲＥＦ突起１７からの対応
信号を時間的な遅れがなくほぼ同じレベルで受けること
ができる。従って、ＭＲ素子１８、１９に印加される磁
束密度Ｂ18、Ｂ19は、図１１（ａ）に示すように変化す
る。この結果、ＰＯＳ信号出力Ｖｐは、図１１（ｂ）に
示すように出力のピ−ク値がほとんど変動しない。
【００１５】また、ＲＥＦ検出用ＭＲ素子２０、２１は
ＰＯＳ用第１突起１５とＰＯＳ用第２突起１６からの磁
気干渉を受ける。ところが、ＭＲ素子２０と２１は、Ｐ
ＯＳ用第１突起１５とＰＯＳ用第２突起１６の位相のず
れと同様に、Ｐ／２だけ回転方向に位相をずらして配置
されており、ＭＲ素子２０がＰＯＳ用第１突起１５から
磁気干渉の影響を受けているときには、ＭＲ素子２１は
ＰＯＳ用第２突起１６から磁気干渉の影響をほぼ同じレ
ベルで受けることになる。従って、ＲＥＦ検出用ＭＲ素
子２０、２１に印加される磁束密度Ｂ20及びＢ21は、図
１２（ａ）に示すように変化する。これにより図１２
（ｂ）に示すように、ＲＥＦ信号出力Ｖｒの波形は、Ｐ
ＯＳ用第１突起１５、ＰＯＳ用第２突起１６の磁気干渉
による影響がほとんど見られないものとなる。
ＰＯＳ用第１突起１５とＰＯＳ用第２突起１６からの磁
気干渉を受ける。ところが、ＭＲ素子２０と２１は、Ｐ
ＯＳ用第１突起１５とＰＯＳ用第２突起１６の位相のず
れと同様に、Ｐ／２だけ回転方向に位相をずらして配置
されており、ＭＲ素子２０がＰＯＳ用第１突起１５から
磁気干渉の影響を受けているときには、ＭＲ素子２１は
ＰＯＳ用第２突起１６から磁気干渉の影響をほぼ同じレ
ベルで受けることになる。従って、ＲＥＦ検出用ＭＲ素
子２０、２１に印加される磁束密度Ｂ20及びＢ21は、図
１２（ａ）に示すように変化する。これにより図１２
（ｂ）に示すように、ＲＥＦ信号出力Ｖｒの波形は、Ｐ
ＯＳ用第１突起１５、ＰＯＳ用第２突起１６の磁気干渉
による影響がほとんど見られないものとなる。
【００１６】また、ＰＯＳ検出用ＭＲ素子１８、１９
は、回転方向に対して同じ位置に配置されている。従っ
て、ＰＯＳ用第１突起１５とＰＯＳ用第２突起１６を形
成するピッチＰに関係なく、ＰＯＳ用第１突起１５とＰ
ＯＳ用第２突起１６を、Ｐ／２だけ位相をずらして配置
すれば、同じ素子で対応することが可能である。
は、回転方向に対して同じ位置に配置されている。従っ
て、ＰＯＳ用第１突起１５とＰＯＳ用第２突起１６を形
成するピッチＰに関係なく、ＰＯＳ用第１突起１５とＰ
ＯＳ用第２突起１６を、Ｐ／２だけ位相をずらして配置
すれば、同じ素子で対応することが可能である。
【００１７】〈実施の形態２〉本発明の実施の形態２を
図１３及び図１４により説明する。シグナルロ−タ３１
には、ＰＯＳ用第１スリット３２とＰＯＳ用第２スリッ
ト３３が形成されており、また、ＰＯＳ用第１スリット
３２とＰＯＳ用第２スリット３３の間にはＲＥＦスリッ
ト３４が形成されている。第１実施例と同様に、ＰＯＳ
用第１スリット３２とＰＯＳ用第２スリット３３とは、
形成されたピッチＰのＰ／２だけ位相をずらして配置さ
れている。また、第１実施例と同様の関係位置にＭＲ素
子１８〜ＭＲ素子２１及びバイアス磁石２２が配置され
ている。
図１３及び図１４により説明する。シグナルロ−タ３１
には、ＰＯＳ用第１スリット３２とＰＯＳ用第２スリッ
ト３３が形成されており、また、ＰＯＳ用第１スリット
３２とＰＯＳ用第２スリット３３の間にはＲＥＦスリッ
ト３４が形成されている。第１実施例と同様に、ＰＯＳ
用第１スリット３２とＰＯＳ用第２スリット３３とは、
形成されたピッチＰのＰ／２だけ位相をずらして配置さ
れている。また、第１実施例と同様の関係位置にＭＲ素
子１８〜ＭＲ素子２１及びバイアス磁石２２が配置され
ている。
【００１８】シグナルロ−タ３１はプレス成形され、表
面処理の必要がないステンレス材が使用される。磁束密
度の変化量を確保すると共にプレスによる成形の容易性
を考慮すると、シグナルロ−タ３１は板厚を１ｍｍ程度
とすることが望ましく、プレス成形により、スリット３
２、３３、３４も同時に加工形成することができるか
ら、シグナルロ−タの軽量化が図られる。
面処理の必要がないステンレス材が使用される。磁束密
度の変化量を確保すると共にプレスによる成形の容易性
を考慮すると、シグナルロ−タ３１は板厚を１ｍｍ程度
とすることが望ましく、プレス成形により、スリット３
２、３３、３４も同時に加工形成することができるか
ら、シグナルロ−タの軽量化が図られる。
【００１９】シグナルロ−タ３１の回転により、ＰＯＳ
検出用ＭＲ素子１８、１９はＲＥＦスリット３４から、
また、ＲＥＦ検出用ＭＲ素子２０、２１は、ＰＯＳ用ス
リット３２、３３からそれぞれ磁気干渉を受ける。しか
し、実施の形態１と同様の作用により、ＰＯＳ信号出力
Ｖｐ、ＲＥＦ信号出力Ｖｒは、磁気干渉の影響を殆ど受
けることのない信号を得ることができる。本実施の形態
では、基準位置を示すものとしてスリットを使用した
が、逆にスリットを打ち抜いた残りの部分を基準位置と
して使用してもよい。
検出用ＭＲ素子１８、１９はＲＥＦスリット３４から、
また、ＲＥＦ検出用ＭＲ素子２０、２１は、ＰＯＳ用ス
リット３２、３３からそれぞれ磁気干渉を受ける。しか
し、実施の形態１と同様の作用により、ＰＯＳ信号出力
Ｖｐ、ＲＥＦ信号出力Ｖｒは、磁気干渉の影響を殆ど受
けることのない信号を得ることができる。本実施の形態
では、基準位置を示すものとしてスリットを使用した
が、逆にスリットを打ち抜いた残りの部分を基準位置と
して使用してもよい。
【００２０】〈実施の形態３〉本発明の実施の形態３を
図１５及び図１６を用いて説明する。シグナルロ−タ４
１は、実施の形態１と同様にＰＯＳ用第１ギア１２、Ｐ
ＯＳ用第２ギア１３及びＲＥＦ用ギア１４から構成され
る。ＰＯＳ用第１ギア１２とＰＯＳ用第２ギア１３は、
Ｐ／４だけ位相をずらして配置されている。このような
構成によれば、センサとしての感度は低下するが、実施
の形態１と同様の作用により、ＲＥＦ突起１７からの磁
気干渉による影響が殆ど見られないＰＯＳ信号出力Ｖｐ
を得ることができる。実施の形態１では、ＲＥＦ検出用
ＭＲ素子２０、２１はＰ／２だけ回転方向に位相をずら
して配置されていたが、本実施の形態ではＰだけ位相を
ずらした構成とすることにより、第１実施例と同様の作
用によりＰＯＳ用第１突起１５、ＰＯＳ用第２１６から
の磁気干渉の影響がほとんど見られないＲＥＦ信号出力
Ｖｒを得ることができる。
図１５及び図１６を用いて説明する。シグナルロ−タ４
１は、実施の形態１と同様にＰＯＳ用第１ギア１２、Ｐ
ＯＳ用第２ギア１３及びＲＥＦ用ギア１４から構成され
る。ＰＯＳ用第１ギア１２とＰＯＳ用第２ギア１３は、
Ｐ／４だけ位相をずらして配置されている。このような
構成によれば、センサとしての感度は低下するが、実施
の形態１と同様の作用により、ＲＥＦ突起１７からの磁
気干渉による影響が殆ど見られないＰＯＳ信号出力Ｖｐ
を得ることができる。実施の形態１では、ＲＥＦ検出用
ＭＲ素子２０、２１はＰ／２だけ回転方向に位相をずら
して配置されていたが、本実施の形態ではＰだけ位相を
ずらした構成とすることにより、第１実施例と同様の作
用によりＰＯＳ用第１突起１５、ＰＯＳ用第２１６から
の磁気干渉の影響がほとんど見られないＲＥＦ信号出力
Ｖｒを得ることができる。
【００２１】以上説明してきたように、上記実施の形態
によれば、回転角度を示すＰＯＳ突起と基準位置を示す
ＲＥＦ突起とを有するシグナルロ−タを、同じ突起の形
成ピッチＰを有するＰＯＳ用第１突起とＰＯＳ用第２突
起とを、λＰ（０＜λ＜１）だけ位相をずらして配置さ
せ、かつ、ＰＯＳ用第１突起とＰＯＳ用第２突起の間に
ＲＥＦ突起を挾む構成とし、さらに、ＰＯＳ信号を検出
するための２個のＭＲ素子を、第１のＰＯＳ突起及び第
２のＰＯＳ突起と対向して各１個づつ、回転方向に対し
て同位置に配置することにより、ＰＯＳ検出用ＭＲ素
子がＲＥＦ突起から磁気干渉を受けても、その影響がほ
とんど見られないＰＯＳ信号出力Ｖｐを得ることができ
る。ＰＯＳ突起の形成ピッチＰに関係せず、同一パタ
−ンのＰＯＳ検出用ＭＲ素子によって対応が可能となる
という効果が得られる。また、ＲＥＦ信号を検出するた
めの２個のＭＲ素子を、回転方向にＰだけ位相をずらし
て配置することにより、ＲＥＦ検出用ＭＲ素子がＰＯＳ
突起からの磁気干渉を受けても、殆どその影響のないＲ
ＥＦ信号出力Ｖｒを得ることができるという効果が得ら
れる。
によれば、回転角度を示すＰＯＳ突起と基準位置を示す
ＲＥＦ突起とを有するシグナルロ−タを、同じ突起の形
成ピッチＰを有するＰＯＳ用第１突起とＰＯＳ用第２突
起とを、λＰ（０＜λ＜１）だけ位相をずらして配置さ
せ、かつ、ＰＯＳ用第１突起とＰＯＳ用第２突起の間に
ＲＥＦ突起を挾む構成とし、さらに、ＰＯＳ信号を検出
するための２個のＭＲ素子を、第１のＰＯＳ突起及び第
２のＰＯＳ突起と対向して各１個づつ、回転方向に対し
て同位置に配置することにより、ＰＯＳ検出用ＭＲ素
子がＲＥＦ突起から磁気干渉を受けても、その影響がほ
とんど見られないＰＯＳ信号出力Ｖｐを得ることができ
る。ＰＯＳ突起の形成ピッチＰに関係せず、同一パタ
−ンのＰＯＳ検出用ＭＲ素子によって対応が可能となる
という効果が得られる。また、ＲＥＦ信号を検出するた
めの２個のＭＲ素子を、回転方向にＰだけ位相をずらし
て配置することにより、ＲＥＦ検出用ＭＲ素子がＰＯＳ
突起からの磁気干渉を受けても、殆どその影響のないＲ
ＥＦ信号出力Ｖｒを得ることができるという効果が得ら
れる。
【００２２】実施の形態１で示したように、λ＝０．５
とすることにより、センサの感度を高めることができ
る。また、この場合には、ＲＥＦ信号を検出するための
２個のＭＲ素子の位相差をＰ／２としても、ＰＯＳ突起
からの磁気干渉の影響を低減することができる。この結
果、さらに急峻な立上がり特性を有する基準位置信号を
求めることができ、基準位置検出精度の向上を図ること
ができる。実施の形態２で示したように、シグナルロ−
タに回転角度及び基準位置の情報を与える手段として
は、突起ではなくスリットを使用しても同様の効果が得
られることはいうまでもない。
とすることにより、センサの感度を高めることができ
る。また、この場合には、ＲＥＦ信号を検出するための
２個のＭＲ素子の位相差をＰ／２としても、ＰＯＳ突起
からの磁気干渉の影響を低減することができる。この結
果、さらに急峻な立上がり特性を有する基準位置信号を
求めることができ、基準位置検出精度の向上を図ること
ができる。実施の形態２で示したように、シグナルロ−
タに回転角度及び基準位置の情報を与える手段として
は、突起ではなくスリットを使用しても同様の効果が得
られることはいうまでもない。
【００２３】
【発明の効果】本発明の実施により、回転体に取付けた
シグナルロータの回転角度を示すＰＯＳ突起によるＰＯ
Ｓ信号は、基準位置を示すＲＥＦ突起からの磁気干渉を
受けても、出力レベルの変動する変動の少ない回転角度
の検出及び基準位置検出の出力信号を精度よく求めるこ
とができるという効果を奏するものである。
シグナルロータの回転角度を示すＰＯＳ突起によるＰＯ
Ｓ信号は、基準位置を示すＲＥＦ突起からの磁気干渉を
受けても、出力レベルの変動する変動の少ない回転角度
の検出及び基準位置検出の出力信号を精度よく求めるこ
とができるという効果を奏するものである。
【図１】ＭＲ素子式回転センサの基本原理を示す平面図
である。
である。
【図２】ＭＲ素子式回転センサの基本原理を示す部分正
面図である。
面図である。
【図３】図１、図２のＭＲ素子式回転センサの配線回路
を示す図である。
を示す図である。
【図４】ＲＥＦ突起とＭＲ素子との離間時における図
１、図２のＭＲ素子式回転センサの磁束密度（ａ）、出
力電圧（ｂ）の変化特性を示す図である。
１、図２のＭＲ素子式回転センサの磁束密度（ａ）、出
力電圧（ｂ）の変化特性を示す図である。
【図５】ＲＥＦ突起とＭＲ素子との近接時における図
１、図２のＭＲ素子式回転センサの磁束密度（ａ）、出
力電圧（ｂ）の変化特性を示す図である。
１、図２のＭＲ素子式回転センサの磁束密度（ａ）、出
力電圧（ｂ）の変化特性を示す図である。
【図６】図１、図２のＭＲ素子に垂直に印加される磁束
密度の値と抵抗値の関係を示す特性図である。
密度の値と抵抗値の関係を示す特性図である。
【図７】本発明に係る実施の形態１のＭＲ式回転センサ
の構成を示す平面図である。
の構成を示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態１のＭＲ式回転センサの構
成を示す部分正面図である。
成を示す部分正面図である。
【図９】本発明の実施の形態１のＭＲ素子式回転センサ
の配線回路を示す図である。
の配線回路を示す図である。
【図１０】本発明に係る実施の形態１のＭＲ素子式回転
センサの磁束密度（ａ）、出力電圧（ｂ）の変化特性を
示す図である。
センサの磁束密度（ａ）、出力電圧（ｂ）の変化特性を
示す図である。
【図１１】本発明に係る実施の形態１のＭＲ素子式回転
センサの磁束密度（ａ）、出力電圧（ｂ）の変化特性を
示す図である。
センサの磁束密度（ａ）、出力電圧（ｂ）の変化特性を
示す図である。
【図１２】本発明に係る実施の形態１のＭＲ素子式回転
センサの磁束密度（ａ）、出力電圧（ｂ）の変化特性を
示す図である。
センサの磁束密度（ａ）、出力電圧（ｂ）の変化特性を
示す図である。
【図１３】本発明に係る実施の形態２のＭＲ式回転セン
サの構成を示す平面図である。
サの構成を示す平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２のＭＲ式回転センサの
構成を示す部分正面図である。
構成を示す部分正面図である。
【図１５】本発明に係る実施の形態３のＭＲ式回転セン
サの構成を示す平面図である。
サの構成を示す平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３のＭＲ式回転センサの
構成を示す部分正面図である。
構成を示す部分正面図である。
１…ＰＯＳ用ギア ２…ＲＥＦ用ギ
ア ３…ＰＯＳ突起 ４…ＲＥＦ突起 ５、６…ＰＯＳ検出用素子 ７、８…ＲＥＦ検出
用素子 ９、２２…バイアス磁石 １１、３１、４１…シグナルロータ １２…ＰＯＳ用第１ギア １３…ＰＯＳ用
第２ギア １４…ＲＥＦ用ギア １５…ＰＯＳ用
第１突起 １６…ＰＯＳ用第２突起 １７…ＲＥＦ突
起 １８、１９…ＰＯＳ検出用ＭＲ素子 ２０、２１…Ｒ
ＥＦ検出用ＭＲ素子 ３２…ＰＯＳ用第１スリット ３３…ＰＯＳ用
第２スリット ３４…ＲＥＦスリット Ｖｐ…ＰＯＳ信号出力 Ｖｒ…ＲＥＦ信
号出力
ア ３…ＰＯＳ突起 ４…ＲＥＦ突起 ５、６…ＰＯＳ検出用素子 ７、８…ＲＥＦ検出
用素子 ９、２２…バイアス磁石 １１、３１、４１…シグナルロータ １２…ＰＯＳ用第１ギア １３…ＰＯＳ用
第２ギア １４…ＲＥＦ用ギア １５…ＰＯＳ用
第１突起 １６…ＰＯＳ用第２突起 １７…ＲＥＦ突
起 １８、１９…ＰＯＳ検出用ＭＲ素子 ２０、２１…Ｒ
ＥＦ検出用ＭＲ素子 ３２…ＰＯＳ用第１スリット ３３…ＰＯＳ用
第２スリット ３４…ＲＥＦスリット Ｖｐ…ＰＯＳ信号出力 Ｖｒ…ＲＥＦ信
号出力
Claims (4)
- 【請求項１】バイアス磁石に対設した磁性回転体による
磁界の変化を、ＭＲ素子の中点電位を回転信号として検
出する検出手段により、前記回転体の角度信号と基準信
号を出力するＭＲ素子式回転センサにおいて、 前記回転体に設けたピッチＰで形成された第１の角度信
号表示手段と、 第１の角度信号手段と同軸上にピッチＰで第１の角度信
号表示手段に対しλＰ（０＜λ＜１）だけ位相をずらし
て形成された第２の角度信号表示手段と、 第１の角度検出手段と第２の角度検出手段に挟まれ、か
つ、同軸上に形成した基準位置信号表示手段と、 前記磁性回転体の半径方向に、第１、第２の角度信号表
示手段及び前記基準位置信号表示手段に近接して設けた
バイアス磁石と、 前記第１、第２の角度信号表示手段とそれぞれ対向し、
かつ、前記バイアス磁石との間に挟まれた角度検出用Ｍ
Ｒ素子と、 前記基準位置信号表示手段と対向し、かつ、前記バイア
ス磁石との間に挟まれて前記第１、第２の角度信号表示
手段に対しピッチＰなる位相差で形成した複数の基準位
置検出用ＭＲ素子とを有することを特徴とするＭＲ素子
式回転センサ。 - 【請求項２】 前記角度信号表示手段は、突起、あるい
はスリットの少なくとも何れかを有することを特徴とす
る請求項１記載のＭＲ素子式回転センサ。 - 【請求項３】 前記第２の角度信号表示手段は、前記λ
Ｐなる位相のずれにおいて、λ＝０．５であることを特
徴とする請求項１記載のＭＲ素子式回転センサ。 - 【請求項４】 前記複数の基準位置検出用ＭＲ素子は、
前記回転体の回転方向に対してピッチ０．５Ｐなる位相
差で形成されていることを特徴とする特許請求範囲第３
項記載のＭＲ素子式回転センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198372A JPH0943260A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | Ｍｒ素子式回転センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198372A JPH0943260A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | Ｍｒ素子式回転センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943260A true JPH0943260A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16390023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7198372A Pending JPH0943260A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | Ｍｒ素子式回転センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0943260A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001264112A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Hitachi Metals Ltd | エンコーダー、ｍｒセンサーおよびパワーステアリング装置 |
| JP2008008699A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Tdk Corp | 回転検出装置 |
| KR100807179B1 (ko) * | 2002-03-13 | 2008-02-27 | 가부시키가이샤 제이텍트 | 회전각도 검출장치, 토크 검출장치 및 스티어링 장치 |
| WO2011152266A1 (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-08 | Ntn株式会社 | 磁気エンコーダ |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP7198372A patent/JPH0943260A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001264112A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Hitachi Metals Ltd | エンコーダー、ｍｒセンサーおよびパワーステアリング装置 |
| KR100807179B1 (ko) * | 2002-03-13 | 2008-02-27 | 가부시키가이샤 제이텍트 | 회전각도 검출장치, 토크 검출장치 및 스티어링 장치 |
| JP2008008699A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Tdk Corp | 回転検出装置 |
| WO2011152266A1 (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-08 | Ntn株式会社 | 磁気エンコーダ |
| JP2011252826A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Ntn Corp | 磁気エンコーダ |
| CN102933940A (zh) * | 2010-06-03 | 2013-02-13 | Ntn株式会社 | 磁性编码器 |
| CN102933940B (zh) * | 2010-06-03 | 2015-07-08 | Ntn株式会社 | 磁性编码器 |
| US9250102B2 (en) | 2010-06-03 | 2016-02-02 | Ntn Corporation | Magnetic encoder |
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