JPH0945619A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH0945619A JPH0945619A JP7212458A JP21245895A JPH0945619A JP H0945619 A JPH0945619 A JP H0945619A JP 7212458 A JP7212458 A JP 7212458A JP 21245895 A JP21245895 A JP 21245895A JP H0945619 A JPH0945619 A JP H0945619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flange
- shield member
- sputtering
- aluminum
- sputtering apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】スパッタリング用アルミニウム部材の周りに配
されるシールド部材の反り等を防止すること。 【解決手段】シールド部材１０は、円盤状又は円柱状の
スパッタリング用アルミニウム部材７の周りを包囲すべ
く、フランジ（１０ｂ）付きスリーブ（１０ａ）とされ
ていて、そのフランジ１０ｂの外周全体にわたって折り
返し部１１が下向きに所定の高さをもって突設され、さ
らに、前記シールド部材１０における前記フランジ１０
ｂの上面に４ヵ所、等角度間隔（９０度間隔）で径方向
に沿って補強リブ１２，１２，−が突設されてなる。
されるシールド部材の反り等を防止すること。 【解決手段】シールド部材１０は、円盤状又は円柱状の
スパッタリング用アルミニウム部材７の周りを包囲すべ
く、フランジ（１０ｂ）付きスリーブ（１０ａ）とされ
ていて、そのフランジ１０ｂの外周全体にわたって折り
返し部１１が下向きに所定の高さをもって突設され、さ
らに、前記シールド部材１０における前記フランジ１０
ｂの上面に４ヵ所、等角度間隔（９０度間隔）で径方向
に沿って補強リブ１２，１２，−が突設されてなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ上に
形成された半導体装置に配線層を形成すべく、真空チャ
ンバー内でアルミニウムのスパッタリングを行うように
したスパッタリング装置に係り、特にスパッタリング用
アルミニウム部材の周りを包囲するシールド部材に特徴
を有するものに関する。
形成された半導体装置に配線層を形成すべく、真空チャ
ンバー内でアルミニウムのスパッタリングを行うように
したスパッタリング装置に係り、特にスパッタリング用
アルミニウム部材の周りを包囲するシールド部材に特徴
を有するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３及び図４に従来の回転式スパッタリ
ング装置の一例を示す。図示例のスパッタリング装置１
は、回転駆動される円板状の保持板２とその上方に配設
された固定シールド板３とを含んでいる。前記保持板２
は、図４のように、点２ａを中心として等角度間隔に設
けられた５個のウエハ取付部２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，
２ｆを備えている。
ング装置の一例を示す。図示例のスパッタリング装置１
は、回転駆動される円板状の保持板２とその上方に配設
された固定シールド板３とを含んでいる。前記保持板２
は、図４のように、点２ａを中心として等角度間隔に設
けられた５個のウエハ取付部２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，
２ｆを備えている。
【０００３】このスパッタリング装置１は、図示してい
ない真空チャンバー内に設置されて、各取付部２ｂない
し２ｆが順次、図４のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの位置に間欠
的に回転送りされるようになっている。これにより、各
取付部２ｂないし２ｆは、位置Ａにあるとき、スパッタ
リングが終了した半導体ウエハ４が取り外されて新しい
半導体ウエハ４が装着される。次に、位置ＢにおいてＲ
Ｆ逆スパッタリングによるエッチングが行われ、位置Ｃ
にて加熱され、位置Ｄ及び位置Ｅにおいて、アルミニウ
ムのスパッタリングが行われるようになっている。
ない真空チャンバー内に設置されて、各取付部２ｂない
し２ｆが順次、図４のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの位置に間欠
的に回転送りされるようになっている。これにより、各
取付部２ｂないし２ｆは、位置Ａにあるとき、スパッタ
リングが終了した半導体ウエハ４が取り外されて新しい
半導体ウエハ４が装着される。次に、位置ＢにおいてＲ
Ｆ逆スパッタリングによるエッチングが行われ、位置Ｃ
にて加熱され、位置Ｄ及び位置Ｅにおいて、アルミニウ
ムのスパッタリングが行われるようになっている。
【０００４】ここでは、前記位置Ｄ及びＥにおけるアル
ミニウムスパッタリングの際、半導体ウエハ４の表面
（配線層形成面）以外の部分に、盤状又は柱状のスパッ
タリング用アルミニウム部材７から飛び出すアルミニウ
ム粒子が付着しないように、前記固定シールド板３の上
面にさらに小型のシールド板５が取付られるとともに、
前記アルミニウム部材７の周りにも、図５に示される如
くの、鋼製（ＳＵＳ）のフランジ（１０ｂ’）付きスリ
ーブ（１０ａ）からなるシールド部材１０’等が配設さ
れている。なお、前記アルミニウム部材７はアルゴンプ
ラズマによって発熱するので、それを冷却すべくその周
囲には前記シールド部材１０の下側には、それにビス６
で取り付けられる環状円板形の取付板８に固定された冷
却水管９が配設されている。
ミニウムスパッタリングの際、半導体ウエハ４の表面
（配線層形成面）以外の部分に、盤状又は柱状のスパッ
タリング用アルミニウム部材７から飛び出すアルミニウ
ム粒子が付着しないように、前記固定シールド板３の上
面にさらに小型のシールド板５が取付られるとともに、
前記アルミニウム部材７の周りにも、図５に示される如
くの、鋼製（ＳＵＳ）のフランジ（１０ｂ’）付きスリ
ーブ（１０ａ）からなるシールド部材１０’等が配設さ
れている。なお、前記アルミニウム部材７はアルゴンプ
ラズマによって発熱するので、それを冷却すべくその周
囲には前記シールド部材１０の下側には、それにビス６
で取り付けられる環状円板形の取付板８に固定された冷
却水管９が配設されている。
【０００５】そして、アルミニウムのスパッタリングに
より、前記シールド部材３，５，１０’等には、アルミ
ニウム（の粒子）が付着するので、それを定期的に酸で
溶かす、サンドブラストを行う等の手法によってクリー
ニングを行うようにされる。
より、前記シールド部材３，５，１０’等には、アルミ
ニウム（の粒子）が付着するので、それを定期的に酸で
溶かす、サンドブラストを行う等の手法によってクリー
ニングを行うようにされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、特にスパッ
タリング用アルミニウム部材７の周りに配されたシール
ド部材１０’においては、付着したアルミニウムを落と
すと、当該シールド部材自体（母材）も削られて薄くな
ってしまい、反り等が生じて変形することがあった。こ
の場合、シールド部材に反り等が生じると、該シールド
部材とアルミニウム部材との間のクリアランスは可及的
に狭くされていることから、シールド部材とアルミニウ
ム部材とが接触し、適正なスパッタリングが行えなくな
ってしまうという問題があった。
タリング用アルミニウム部材７の周りに配されたシール
ド部材１０’においては、付着したアルミニウムを落と
すと、当該シールド部材自体（母材）も削られて薄くな
ってしまい、反り等が生じて変形することがあった。こ
の場合、シールド部材に反り等が生じると、該シールド
部材とアルミニウム部材との間のクリアランスは可及的
に狭くされていることから、シールド部材とアルミニウ
ム部材とが接触し、適正なスパッタリングが行えなくな
ってしまうという問題があった。
【０００７】本発明は、上述した如くの問題を解消する
ためになされたもので、その目的とするところは、シー
ルド部材に付着したアルミニウムを落とすことによって
それ自体が削られて薄くなっても、反り等が生じ難くさ
れ、適正なスパッタリングが常時行えて信頼性が高めら
れるようにされたスパッタリング装置を提供することに
ある。
ためになされたもので、その目的とするところは、シー
ルド部材に付着したアルミニウムを落とすことによって
それ自体が削られて薄くなっても、反り等が生じ難くさ
れ、適正なスパッタリングが常時行えて信頼性が高めら
れるようにされたスパッタリング装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成すべ
く、本発明に係るスパッタリング装置は、半導体ウエハ
上に形成された半導体装置に配線層を形成すべく、真空
チャンバー内でアルミニウムのスパッタリングを行うよ
うにされている。そして、スパッタリング用アルミニウ
ム部材の周りを包囲するシールド部材がフランジ付きス
リーブとされていて、そのフランジの外周全体にわたっ
て折り返し部が設けられていること、及び、前記シール
ド部材における前記フランジの上面に径方向に沿って補
強リブが突設されていること、をそれぞれ特徴としてい
る。
く、本発明に係るスパッタリング装置は、半導体ウエハ
上に形成された半導体装置に配線層を形成すべく、真空
チャンバー内でアルミニウムのスパッタリングを行うよ
うにされている。そして、スパッタリング用アルミニウ
ム部材の周りを包囲するシールド部材がフランジ付きス
リーブとされていて、そのフランジの外周全体にわたっ
て折り返し部が設けられていること、及び、前記シール
ド部材における前記フランジの上面に径方向に沿って補
強リブが突設されていること、をそれぞれ特徴としてい
る。
【０００９】上記のように、シールド部材のフランジに
折り返し部や補強リブが設けられると、反りやすいフラ
ンジの剛性が高められるので、シールド部材に付着した
アルミニウムを落とすことによってそれ自体が削られて
薄くなっても、反り等の変形が生じ難くされ、信頼性が
高められる。
折り返し部や補強リブが設けられると、反りやすいフラ
ンジの剛性が高められるので、シールド部材に付着した
アルミニウムを落とすことによってそれ自体が削られて
薄くなっても、反り等の変形が生じ難くされ、信頼性が
高められる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しつつ説明する。本発明のスパッタリング装置の一実
施例の基本構成は、前述した図３及び図４に示される従
来のものと略同様であるので、ここではその説明を省略
し、以下においては従来のものと相違するシールド部材
について重点的に説明する。
照しつつ説明する。本発明のスパッタリング装置の一実
施例の基本構成は、前述した図３及び図４に示される従
来のものと略同様であるので、ここではその説明を省略
し、以下においては従来のものと相違するシールド部材
について重点的に説明する。
【００１１】図１及び図２は本発明に係るスパッタリン
グ装置の一実施例に用いられるシールド部材を示してい
る。このシールド部材１０は、円盤状又は円柱状のスパ
ッタリング用アルミニウム部材７の周りを包囲すべく、
鋼製（ＳＵＳ）のフランジ（１０ｂ）付きスリーブ（１
０ａ）とされていて、そのフランジ１０ｂの外周全体に
わたって折り返し部１１が下向きに所定の高さをもって
突設され、さらに、前記シールド部材１０における前記
フランジ１０ｂの上面に４ヵ所、等角度間隔（９０度間
隔）で径方向に沿って補強リブ１２，１２，−が突設さ
れている。なお、補強リブ１２，１２，−は、ここで
は、別体の筋材を溶接等の適宜の手段で固着している
が、それに代えて、プレス加工等によりフランジ１０ｂ
と一体に補強リブを成形することも可能である。
グ装置の一実施例に用いられるシールド部材を示してい
る。このシールド部材１０は、円盤状又は円柱状のスパ
ッタリング用アルミニウム部材７の周りを包囲すべく、
鋼製（ＳＵＳ）のフランジ（１０ｂ）付きスリーブ（１
０ａ）とされていて、そのフランジ１０ｂの外周全体に
わたって折り返し部１１が下向きに所定の高さをもって
突設され、さらに、前記シールド部材１０における前記
フランジ１０ｂの上面に４ヵ所、等角度間隔（９０度間
隔）で径方向に沿って補強リブ１２，１２，−が突設さ
れている。なお、補強リブ１２，１２，−は、ここで
は、別体の筋材を溶接等の適宜の手段で固着している
が、それに代えて、プレス加工等によりフランジ１０ｂ
と一体に補強リブを成形することも可能である。
【００１２】上記のように、シールド部材１０のフラン
ジ１０ｂに折り返し部１１や補強リブ１２，１２，−が
設けられると、反りやすいフランジ１０ｂ部分の剛性が
高められるので、シールド部材１０に付着したアルミニ
ウムを落とすことによってそれ自体が削られて薄くなっ
ても、反り等の変形が生じ難くされ、信頼性が高められ
る。
ジ１０ｂに折り返し部１１や補強リブ１２，１２，−が
設けられると、反りやすいフランジ１０ｂ部分の剛性が
高められるので、シールド部材１０に付着したアルミニ
ウムを落とすことによってそれ自体が削られて薄くなっ
ても、反り等の変形が生じ難くされ、信頼性が高められ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から理解されるように、本発
明に係るスパッタリング装置によれば、シールド部材の
フランジに折り返し部や補強リブが設けられて、反りや
すいフランジの剛性が高められるので、シールド部材に
付着したアルミニウムを落とすことによってそれ自体が
削られて薄くなっても、反り等の変形が生じ難くされ、
信頼性が高められるという効果を奏する。
明に係るスパッタリング装置によれば、シールド部材の
フランジに折り返し部や補強リブが設けられて、反りや
すいフランジの剛性が高められるので、シールド部材に
付着したアルミニウムを落とすことによってそれ自体が
削られて薄くなっても、反り等の変形が生じ難くされ、
信頼性が高められるという効果を奏する。
【図１】本発明に係るスパッタリング装置の一実施例に
用いられるシールド部材を示す斜視図。
用いられるシールド部材を示す斜視図。
【図２】図１のシールド部材の断面図。
【図３】従来の回転式スパッタリング装置の一例を示す
概略断面図。
概略断面図。
【図４】従来の回転式スパッタリング装置の一例を示す
概略平面図。
概略平面図。
【図５】従来の回転式スパッタリング装置の一例に用い
られたシールド部材等を拡大して示す斜視図。
られたシールド部材等を拡大して示す斜視図。
１ スパッタリング装置 ４ 半導体ウエハ ７ スパッタリング用アルミニウム部材 １０ シールド部材 １０ａ スリーブ １０ｂ フランジ １１ 折り返し部 １２ 補強リブ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上に形成された半導体装置
に配線層を形成すべく、真空チャンバー内でアルミニウ
ムのスパッタリングを行うようにしたスパッタリング装
置において、スパッタリング用アルミニウム部材の周り
を包囲するシールド部材がフランジ付きスリーブとされ
ていて、そのフランジの外周全体にわたってに折り返し
部が設けられていることを特徴とするスパッタリング装
置。 - 【請求項２】 前記シールド部材における前記フランジ
の上面に径方向に沿って補強リブが突設されていること
を特徴とする請求項１記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7212458A JPH0945619A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7212458A JPH0945619A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945619A true JPH0945619A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16622970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7212458A Pending JPH0945619A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105817192A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-08-03 | 中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司 | 反应塔 |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP7212458A patent/JPH0945619A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105817192A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-08-03 | 中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司 | 反应塔 |
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