JPH02129925A - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
- Publication number
- JPH02129925A JPH02129925A JP28440588A JP28440588A JPH02129925A JP H02129925 A JPH02129925 A JP H02129925A JP 28440588 A JP28440588 A JP 28440588A JP 28440588 A JP28440588 A JP 28440588A JP H02129925 A JPH02129925 A JP H02129925A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置などの配線の形成方法に関する
ものである。
ものである。
第５図は半導体装置に用いられている従来の配線の形成
方法を示す断面図であり、図において、（１）はシリコ
ンなどの基板、（２）は基板（１）上に形成されたシリ
コン酸化膜などの第１の絶縁膜、［３１は第１の絶縁膜
（２）の表面に形成された配線用金属膜としてのアルミ
ニウムの第１の配線、（イ）は第１の配線（３１上に）
成されたシリコン酸化膜などの第２の絶縁膜、（５１は
第２の絶縁膜４）に形成された開口部であるヴイアホー
ル、（６）は第１の配線（３）と同様の第２の配線で、
ヴイアホール＋５１および第２の絶縁膜（４）の表面に
形成されて第１の配線（３）とはヴイアホール（９で電
気的につながっているが、それ以外の所では第１．第２
の配線（３１，（６１の間に眉間絶縁膜として第２の絶
縁Ｍ（４）が介在して両者を絶縁している。
方法を示す断面図であり、図において、（１）はシリコ
ンなどの基板、（２）は基板（１）上に形成されたシリ
コン酸化膜などの第１の絶縁膜、［３１は第１の絶縁膜
（２）の表面に形成された配線用金属膜としてのアルミ
ニウムの第１の配線、（イ）は第１の配線（３１上に）
成されたシリコン酸化膜などの第２の絶縁膜、（５１は
第２の絶縁膜４）に形成された開口部であるヴイアホー
ル、（６）は第１の配線（３）と同様の第２の配線で、
ヴイアホール＋５１および第２の絶縁膜（４）の表面に
形成されて第１の配線（３）とはヴイアホール（９で電
気的につながっているが、それ以外の所では第１．第２
の配線（３１，（６１の間に眉間絶縁膜として第２の絶
縁Ｍ（４）が介在して両者を絶縁している。
上記のような配線を製作するには、第２の絶縁膜（４）
にヴイアホール（匂を形成した後、スパッタリングなど
により第２の配線（６）を形成する。この時、庇状にヴ
イアホール（９上へ突き出したオーバーハングロが出来
て、その陰になる所でカバレッジが悪くなったり、アル
ミニウムの膜が薄くなる部分矧が生じる。また、第２の
配＆１（６１を形成する時、材料付着の方向性の良い方
法を用いた場合は、第６図の断面図に示すように庇状に
はならないが、ヴイアホール（５）の側壁へは材料付着
速度が遅くなるので、やはり、アルミニウムの膜が薄く
なる部分（８）が出来る。
にヴイアホール（匂を形成した後、スパッタリングなど
により第２の配線（６）を形成する。この時、庇状にヴ
イアホール（９上へ突き出したオーバーハングロが出来
て、その陰になる所でカバレッジが悪くなったり、アル
ミニウムの膜が薄くなる部分矧が生じる。また、第２の
配＆１（６１を形成する時、材料付着の方向性の良い方
法を用いた場合は、第６図の断面図に示すように庇状に
はならないが、ヴイアホール（５）の側壁へは材料付着
速度が遅くなるので、やはり、アルミニウムの膜が薄く
なる部分（８）が出来る。
従来の配線の形成は以上のようにして行われているので
、ヴイアホールなど開口部の側壁に、アルミニウムなど
配線用金属膜が薄くなる部分が生じ、そのため、エレク
トロマイグレーション等による不良が発生するなどの問
題点があった。
、ヴイアホールなど開口部の側壁に、アルミニウムなど
配線用金属膜が薄くなる部分が生じ、そのため、エレク
トロマイグレーション等による不良が発生するなどの問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、開口部の側壁で配線用金属膜が薄くならない
配線の形成方法を得ることを目的とする。
たもので、開口部の側壁で配線用金属膜が薄くならない
配線の形成方法を得ることを目的とする。
この発明にかかる配線の形成方法は、収束イオンビーム
（以下、ＦＩＢと称する）を開口部の配線用金属膜に照
射してこれをエツチングし、この時、開口部の底部から
粒子となって除去される配線用金属を開口部の側壁に再
付着させるようにしたものである。
（以下、ＦＩＢと称する）を開口部の配線用金属膜に照
射してこれをエツチングし、この時、開口部の底部から
粒子となって除去される配線用金属を開口部の側壁に再
付着させるようにしたものである。
この発明における配線の形成方法においては、ＦＩＢの
照射によりｌＷｆ口部の底部から粒子となって除去され
る配線用金属が開口部の側壁に再付着するので、元々、
配線用金属膜が薄かった所が厚くなる。
照射によりｌＷｆ口部の底部から粒子となって除去され
る配線用金属が開口部の側壁に再付着するので、元々、
配線用金属膜が薄かった所が厚くなる。
この発明はＦＩＢによるエツチングを利用するものであ
るが、これには従来、欠点とされる現象があった。１′
！ａち、エツチングされた物質がエツチングされた近伊
に再付着することである。第４図（Ａ）はＦＩＢによる
エツチングを示す平面図で、第４図（Ｂ）は第４図（Ａ
）の■（旧−ＩＶ（８）線に沿った断面図である。被エ
ツチング層（９）に開口部（１（１１を設ける場合、Ｆ
ＩＢを、第４図（Ａ＞において開口部ａＣＩＩの例えば
右下から上方へ矢印Ａのように移動しながら照射し、少
しづつ矢印Ｂの方向にず八してこれを繰り返し、開口部
（ＩＱ？全面をスキャンする。
るが、これには従来、欠点とされる現象があった。１′
！ａち、エツチングされた物質がエツチングされた近伊
に再付着することである。第４図（Ａ）はＦＩＢによる
エツチングを示す平面図で、第４図（Ｂ）は第４図（Ａ
）の■（旧−ＩＶ（８）線に沿った断面図である。被エ
ツチング層（９）に開口部（１（１１を設ける場合、Ｆ
ＩＢを、第４図（Ａ＞において開口部ａＣＩＩの例えば
右下から上方へ矢印Ａのように移動しながら照射し、少
しづつ矢印Ｂの方向にず八してこれを繰り返し、開口部
（ＩＱ？全面をスキャンする。
もし、エツチングされた物質の再付着がなければ開口部
（１０１の断面は第４図（Ｂ）に示す形状（１１）にな
るところが、先にエツチングされた箇所に後でエツチン
グされる箇所から除去された物質が付着して再付着Ｍ
（１２）を形成する。この発明は、この再付着層（１２
）を利用して配線用金属膜を厚くするものである。
（１０１の断面は第４図（Ｂ）に示す形状（１１）にな
るところが、先にエツチングされた箇所に後でエツチン
グされる箇所から除去された物質が付着して再付着Ｍ
（１２）を形成する。この発明は、この再付着層（１２
）を利用して配線用金属膜を厚くするものである。
第１図はこの発明の一実施例による配線の形成方法を示
す断面図で、第１図（Ａ）から（Ｄ）まで工程順に示す
、第１図（Ａ）から（［１）までは従来より一般的に用
いられているプロセス技術により行い、第６図の従来例
と同様のものとなる０次に、第１図（Ｃ）に示すように
ヴイアホール（５１に、図において上方からＦ Ｉ Ｂ
（１３）を照射する。第２図はＦＩＢ（１３）を照射
するときのスキャンの軌跡を示す平面図で、第２図（Ａ
）の軌跡（１４）のようにヴイアホール（９の周辺部か
ら中央部に向って角形のらせん状にスキャンする。第１
図（Ｃ）に戻って、Ｆ Ｉ Ｂ （１３）によるヴイア
ホール（へ）内の第２の配線（６）に対するエツチング
で、そこから矢印Ｃに示すように周囲に飛散するアルミ
ニウムの粒子（１５）は、第４図で説明した現象と同様
に、ヴイアホール（５）の側壁に付着する。その結果、
第１図（Ｄ）のように再付着層（１２）を形成し、薄く
なる部分（８１を被って全体として厚くなる。なお、Ｆ
Ｉ Ｂ （＋３１によるエツチングのため、第１図（
Ｄ）に示すようにヴイアホール（５１の底部（１６）の
第２の配線（６）は薄くなるが、その直下にある第１の
配線（３）と一体として見れば、十分な厚さである。ま
た、ＦＩＢの照射は第２図（１１）のように軌跡（１４
）が多重ループを画くようにヴイアホール（５１の周辺
部から中央部へ順次スキャンしてもよいし、同図（Ｃ）
のようにヴイアホール（５１の周辺部から直線的に中央
部に向い、これを少しづつずらして全周にわたって行う
ようにしてもよい。あるいは、ヴイアホール（５１が円
形の場合は同図（Ｄ）のように円形らせん状にスキャン
してもよい。エツチングされたアルミニウムの粒子（１
５）は先にエツチングされた箇所に付着することになる
ので、エツチングはヴイアホール（５１の周辺部を先に
して中央部は最後に行うのが、ヴイアホール（５］の側
壁に再付着層（１２）を形成するのに効果的である。
す断面図で、第１図（Ａ）から（Ｄ）まで工程順に示す
、第１図（Ａ）から（［１）までは従来より一般的に用
いられているプロセス技術により行い、第６図の従来例
と同様のものとなる０次に、第１図（Ｃ）に示すように
ヴイアホール（５１に、図において上方からＦ Ｉ Ｂ
（１３）を照射する。第２図はＦＩＢ（１３）を照射
するときのスキャンの軌跡を示す平面図で、第２図（Ａ
）の軌跡（１４）のようにヴイアホール（９の周辺部か
ら中央部に向って角形のらせん状にスキャンする。第１
図（Ｃ）に戻って、Ｆ Ｉ Ｂ （１３）によるヴイア
ホール（へ）内の第２の配線（６）に対するエツチング
で、そこから矢印Ｃに示すように周囲に飛散するアルミ
ニウムの粒子（１５）は、第４図で説明した現象と同様
に、ヴイアホール（５）の側壁に付着する。その結果、
第１図（Ｄ）のように再付着層（１２）を形成し、薄く
なる部分（８１を被って全体として厚くなる。なお、Ｆ
Ｉ Ｂ （＋３１によるエツチングのため、第１図（
Ｄ）に示すようにヴイアホール（５１の底部（１６）の
第２の配線（６）は薄くなるが、その直下にある第１の
配線（３）と一体として見れば、十分な厚さである。ま
た、ＦＩＢの照射は第２図（１１）のように軌跡（１４
）が多重ループを画くようにヴイアホール（５１の周辺
部から中央部へ順次スキャンしてもよいし、同図（Ｃ）
のようにヴイアホール（５１の周辺部から直線的に中央
部に向い、これを少しづつずらして全周にわたって行う
ようにしてもよい。あるいは、ヴイアホール（５１が円
形の場合は同図（Ｄ）のように円形らせん状にスキャン
してもよい。エツチングされたアルミニウムの粒子（１
５）は先にエツチングされた箇所に付着することになる
ので、エツチングはヴイアホール（５１の周辺部を先に
して中央部は最後に行うのが、ヴイアホール（５］の側
壁に再付着層（１２）を形成するのに効果的である。
第３図はこの発明の他の実施例による電極の形成力法を
示す断面図であり、ＦＩＢの照射を第２図（Ｅ）のよう
にヴイアホール（５１の外から始めてヴイアホール（（
５）の中央部に向って角形らせん状にスキャンして行っ
ているので、第１図の場合と同様に再付着Ｊｆｆｌ（１
２＞を形成して薄くなる部分（＆を被うとともに、ヴイ
アホール（（５）外の第２の配線（６）も多少エツチン
グされて、再付着層（１２）も含めた第２の配線（６）
の表面がなだらかになり、平坦性改善の効果もある。
示す断面図であり、ＦＩＢの照射を第２図（Ｅ）のよう
にヴイアホール（５１の外から始めてヴイアホール（（
５）の中央部に向って角形らせん状にスキャンして行っ
ているので、第１図の場合と同様に再付着Ｊｆｆｌ（１
２＞を形成して薄くなる部分（＆を被うとともに、ヴイ
アホール（（５）外の第２の配線（６）も多少エツチン
グされて、再付着層（１２）も含めた第２の配線（６）
の表面がなだらかになり、平坦性改善の効果もある。
なお、第１〜第３図の実施例では多層配線の相互間を接
続するヴイアホール（５］における第２の配線（６）に
ついて説明したが、半導体基板と接続するコンタクトホ
ールにおける配線についても同様に適用できる。
続するヴイアホール（５］における第２の配線（６）に
ついて説明したが、半導体基板と接続するコンタクトホ
ールにおける配線についても同様に適用できる。
以上のようにこの発明によれば、ＦＩＢをヴイアホール
などの開口部の配線用金属膜に照射し、エツチングされ
て粒子となった配線用金属を開口部の側壁に再付着させ
るようにしたので、開口部側壁の配線用金属膜の薄かっ
た所が厚くなり、配線不良の発生を防止できる効果があ
る。
などの開口部の配線用金属膜に照射し、エツチングされ
て粒子となった配線用金属を開口部の側壁に再付着させ
るようにしたので、開口部側壁の配線用金属膜の薄かっ
た所が厚くなり、配線不良の発生を防止できる効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例による配線の形成方法を示
す断面図、第３図はこの発明の他の実施例による配線の
形成方法を示す断面図、第２図は第１図、第３図の配線
の形成方法におけるＦＩＢ照射のスキャンの軌跡を示す
平面図、第４図（Δ）。 （［３）はＦＩＢによるエツチングを示す平面図と断面
図、第５図、第６図はそれぞれ従来の配線の形成方法を
示す断面図である。 図において、（１）は基板、（４）は第２の絶縁膜、（
５１はヴイアホール、（６）は第２の配線、（１２）は
再付着層、（１３）はＦＩＢである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第３図
す断面図、第３図はこの発明の他の実施例による配線の
形成方法を示す断面図、第２図は第１図、第３図の配線
の形成方法におけるＦＩＢ照射のスキャンの軌跡を示す
平面図、第４図（Δ）。 （［３）はＦＩＢによるエツチングを示す平面図と断面
図、第５図、第６図はそれぞれ従来の配線の形成方法を
示す断面図である。 図において、（１）は基板、（４）は第２の絶縁膜、（
５１はヴイアホール、（６）は第２の配線、（１２）は
再付着層、（１３）はＦＩＢである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第３図
Claims (1)
- 基板上に設けられた絶縁膜に開口部を形成、する工程、
上記開口部および絶縁膜の表面に配線用金属膜を形成す
る工程、収束イオンビームを上記開口部の配線用金属膜
に照射してこれをエッチングし、上記開口部の側壁に付
着させる工程から成る配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284405A JPH07120656B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284405A JPH07120656B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 配線の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129925A true JPH02129925A (ja) | 1990-05-18 |
| JPH07120656B2 JPH07120656B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=17678142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284405A Expired - Lifetime JPH07120656B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120656B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054318A1 (de) * | 1999-03-12 | 2000-09-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung einer mikroelektronischen struktur |
| KR100510740B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2005-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 제조 방법 |
| KR100555457B1 (ko) * | 1998-11-18 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 전기 도금법을 이용한 반도체소자의 전극 형성방법 |
| CN116946964A (zh) * | 2023-06-07 | 2023-10-27 | 国家纳米科学中心 | 利用聚焦离子束设备直接加工悬空绝缘膜的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155645A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 表面平坦化方法 |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63284405A patent/JPH07120656B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155645A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 表面平坦化方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100555457B1 (ko) * | 1998-11-18 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 전기 도금법을 이용한 반도체소자의 전극 형성방법 |
| WO2000054318A1 (de) * | 1999-03-12 | 2000-09-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung einer mikroelektronischen struktur |
| JP2002539608A (ja) * | 1999-03-12 | 2002-11-19 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | マイクロエレクトロニック構造の製造方法 |
| KR100510740B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2005-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 제조 방법 |
| CN116946964A (zh) * | 2023-06-07 | 2023-10-27 | 国家纳米科学中心 | 利用聚焦离子束设备直接加工悬空绝缘膜的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07120656B2 (ja) | 1995-12-20 |
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