JPH0945671A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
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- JPH0945671A JPH0945671A JP7212536A JP21253695A JPH0945671A JP H0945671 A JPH0945671 A JP H0945671A JP 7212536 A JP7212536 A JP 7212536A JP 21253695 A JP21253695 A JP 21253695A JP H0945671 A JPH0945671 A JP H0945671A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大形基板上でエッチングレートを均一で、小
型軽量、メンテナンス性の高いエッチング方法と装置を
作製することを目的とする。 【構成】 攪拌電界系１５０を基板の周りに配置して、
高周波、中周波、低周波の攪拌電源１５２、攪拌電極１
５１、増幅器１５３、位相制御器１５４を具備して電子
あるいはイオンを攪拌することで、反応ガスの活性化を
助長させプラズマ密度を均一化し、エッチング速度とエ
ッチングレートの均一性を高める。
型軽量、メンテナンス性の高いエッチング方法と装置を
作製することを目的とする。 【構成】 攪拌電界系１５０を基板の周りに配置して、
高周波、中周波、低周波の攪拌電源１５２、攪拌電極１
５１、増幅器１５３、位相制御器１５４を具備して電子
あるいはイオンを攪拌することで、反応ガスの活性化を
助長させプラズマ密度を均一化し、エッチング速度とエ
ッチングレートの均一性を高める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体膜や絶縁膜のド
ライエッチングを行うためのエッチング装置およびエッ
チング方法に関する。
ライエッチングを行うためのエッチング装置およびエッ
チング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度に集積された半導体集積回路の製
造を可能にするためにドライエッチング技術は、必要不
可欠であり、反応性イオンエッチング（略称ＲＩＥ）や
マグネトロンＲＩＥ、電子サイクロトロン共鳴（略称Ｅ
ＣＲ）を利用したエッチング方法ならびにエッチング装
置がある。
造を可能にするためにドライエッチング技術は、必要不
可欠であり、反応性イオンエッチング（略称ＲＩＥ）や
マグネトロンＲＩＥ、電子サイクロトロン共鳴（略称Ｅ
ＣＲ）を利用したエッチング方法ならびにエッチング装
置がある。
【０００３】図１はマグネトロンＲＩＥの原理を示す模
式図である。真空容器１には、ガス流量制御器２を通し
て反応用ガス３が導入され、排気流量制御用弁４と排気
系５によって適切な圧力に保持される。真空容器１の中
にはアノード（陽極）６とカソード（陰極）７が設置さ
れている。カソード７には基板８を保持するための基板
台の役目もある。カソード７には、整合器９を介して高
周波電源１０に接続されていて、アノード６とカソード
７の間で高周波放電を起こすことが出来る。真空容器１
の外側には位相の異なる対抗する電磁石１１が配置され
ており、高真空中での放電を容易にしている。
式図である。真空容器１には、ガス流量制御器２を通し
て反応用ガス３が導入され、排気流量制御用弁４と排気
系５によって適切な圧力に保持される。真空容器１の中
にはアノード（陽極）６とカソード（陰極）７が設置さ
れている。カソード７には基板８を保持するための基板
台の役目もある。カソード７には、整合器９を介して高
周波電源１０に接続されていて、アノード６とカソード
７の間で高周波放電を起こすことが出来る。真空容器１
の外側には位相の異なる対抗する電磁石１１が配置され
ており、高真空中での放電を容易にしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなマグネト
ロンＲＩＥや電子サイクロトロン共鳴を利用したエッチ
ング方法やエッチング装置では基板が６インチφや６イ
ンチ角程度の大きさであれば問題は少ないが、８イン
チ、１０インチ、１２インチ更にそれ以上の大きさの基
板に対しては、マグネトロンＲＩＥでは電子がドリフト
して戻るという本来のマグネトロン放電になっておらず
いわゆる電子のたまりが生じ、基板全域に渡ってプラズ
マ密度を均一にする事が難しく、プラズマ密度の偏りが
発生し、その偏りによって酷い場合はイオン損傷等によ
って試料を部分的に破損してしまうことが多く、特に薄
いゲート酸化膜などが損傷を受けやすい。また、ＥＣＲ
式では、ＥＣＲ条件用の磁場コイルを用いるために基板
が大型化していくと装置の巨大化、重量化が否めない。
また、ガスをプラズマ放電内で攪拌することができな
いためにプラズマ放電内に導入するガスの流れとプラズ
マ放電内から排気することを精密に制御する必要がある
ためにガスの導入方法および排気方法に格段の精密さが
要求され、装置を複雑にかつ大きくすることになってい
た。
ロンＲＩＥや電子サイクロトロン共鳴を利用したエッチ
ング方法やエッチング装置では基板が６インチφや６イ
ンチ角程度の大きさであれば問題は少ないが、８イン
チ、１０インチ、１２インチ更にそれ以上の大きさの基
板に対しては、マグネトロンＲＩＥでは電子がドリフト
して戻るという本来のマグネトロン放電になっておらず
いわゆる電子のたまりが生じ、基板全域に渡ってプラズ
マ密度を均一にする事が難しく、プラズマ密度の偏りが
発生し、その偏りによって酷い場合はイオン損傷等によ
って試料を部分的に破損してしまうことが多く、特に薄
いゲート酸化膜などが損傷を受けやすい。また、ＥＣＲ
式では、ＥＣＲ条件用の磁場コイルを用いるために基板
が大型化していくと装置の巨大化、重量化が否めない。
また、ガスをプラズマ放電内で攪拌することができな
いためにプラズマ放電内に導入するガスの流れとプラズ
マ放電内から排気することを精密に制御する必要がある
ためにガスの導入方法および排気方法に格段の精密さが
要求され、装置を複雑にかつ大きくすることになってい
た。
【０００５】
【課題を解決するために手段】本発明は、ＲＩＥ型のエ
ッチング装置において、基板面に対して垂直に電界が印
加されるように配置された電極の他に、基板面に対して
平行に電界が印加されるような電極も配置し、低周波電
界を基板面と平行に印加した場合は電子もイオンもその
電界に追従し動き、高周波電界を基板面と平行に印加し
た場合は電子はその電界に追従しうるがイオンは追従で
きないような現象となること利用してプラズマ中の電子
やイオンを基板面と平行な方向で単に電子をドリフトさ
せるのではなく電子のみあるいは電子とイオン双方を攪
拌し、それによって基板面全域でのプラズマ密度の均一
性を向上させ８インチ以上の基板に対しても均一なエッ
チングを可能とし、さらにプラズマの偏りによる基板の
破損を減少させるようなエッチング方法とそれを実現さ
せるための装置を小型化、軽量化できうる構成をしてい
る。
ッチング装置において、基板面に対して垂直に電界が印
加されるように配置された電極の他に、基板面に対して
平行に電界が印加されるような電極も配置し、低周波電
界を基板面と平行に印加した場合は電子もイオンもその
電界に追従し動き、高周波電界を基板面と平行に印加し
た場合は電子はその電界に追従しうるがイオンは追従で
きないような現象となること利用してプラズマ中の電子
やイオンを基板面と平行な方向で単に電子をドリフトさ
せるのではなく電子のみあるいは電子とイオン双方を攪
拌し、それによって基板面全域でのプラズマ密度の均一
性を向上させ８インチ以上の基板に対しても均一なエッ
チングを可能とし、さらにプラズマの偏りによる基板の
破損を減少させるようなエッチング方法とそれを実現さ
せるための装置を小型化、軽量化できうる構成をしてい
る。
【０００６】基板面と垂直に配置した複数の電極には周
波数発生器とその発生した周波数を増幅するための増幅
器と他の電極に接続されている周波数発生器との位相を
制御するための位相制御器とから構成されている。例え
ば４つの電極の場合で２組の平行平板型電極を直交して
設け、この２組の電極からリサージュ波形を有する高周
波電界を印加させることによって、主に電子を攪拌する
ことで反応ガスの活性化を助長させプラズマ密度を均一
化しエッチング速度とエッチングの均一性の向上を得る
ものである。また６つの電極の場合ではその電極を６角
形に配置しその中の向かい合う１組の電極には高周波電
界を印加し他の４つの電極には位相をずらした低周波電
界を印加することで、高周波電界で電子を基板面と平行
な方向に動かし、低周波電界によって正イオンならびに
負イオンを基板面と平行な方向に動かし電子とイオンを
攪拌することで反応ガスの活性化を助長させプラズマ密
度を均一化しエッチング速度とエッチングの均一性の向
上を得るものである。この攪拌用の基板面に平行な方向
に電界を印加するための電極は２つ以上であれば理論的
にはいくつでよい、またその数は偶数個でも奇数個でも
かまわないことは当然である。また、ＥＣＲのごとき磁
場コイルを必要とせず小型軽量の構成にすることができ
る。
波数発生器とその発生した周波数を増幅するための増幅
器と他の電極に接続されている周波数発生器との位相を
制御するための位相制御器とから構成されている。例え
ば４つの電極の場合で２組の平行平板型電極を直交して
設け、この２組の電極からリサージュ波形を有する高周
波電界を印加させることによって、主に電子を攪拌する
ことで反応ガスの活性化を助長させプラズマ密度を均一
化しエッチング速度とエッチングの均一性の向上を得る
ものである。また６つの電極の場合ではその電極を６角
形に配置しその中の向かい合う１組の電極には高周波電
界を印加し他の４つの電極には位相をずらした低周波電
界を印加することで、高周波電界で電子を基板面と平行
な方向に動かし、低周波電界によって正イオンならびに
負イオンを基板面と平行な方向に動かし電子とイオンを
攪拌することで反応ガスの活性化を助長させプラズマ密
度を均一化しエッチング速度とエッチングの均一性の向
上を得るものである。この攪拌用の基板面に平行な方向
に電界を印加するための電極は２つ以上であれば理論的
にはいくつでよい、またその数は偶数個でも奇数個でも
かまわないことは当然である。また、ＥＣＲのごとき磁
場コイルを必要とせず小型軽量の構成にすることができ
る。
【０００７】また、イオンシースによって基板面に垂直
方向に正イオンを加速することいがいに電子・イオン攪
拌用の基板面に平行な方向に電界を印加するための電極
の外側に、基板面と平行な方向に磁界を印加することで
正イオンをローレンツ力によって基板面に垂直方向に加
速する力が働き更に効果的に反応ガスの活性化を助長さ
せプラズマ密度を均一化しエッチング速度とエッチング
の均一性の向上を得ることができる。特に磁界を回転磁
界として基板面に平行な電界も回転磁界の回転に同期す
る周波数と位相にするとその効果は大きい。また、ＥＣ
Ｒ条件に用いるような大きく重量のある磁場コイルは必
要とせず、小型軽量の構成にすることができる。
方向に正イオンを加速することいがいに電子・イオン攪
拌用の基板面に平行な方向に電界を印加するための電極
の外側に、基板面と平行な方向に磁界を印加することで
正イオンをローレンツ力によって基板面に垂直方向に加
速する力が働き更に効果的に反応ガスの活性化を助長さ
せプラズマ密度を均一化しエッチング速度とエッチング
の均一性の向上を得ることができる。特に磁界を回転磁
界として基板面に平行な電界も回転磁界の回転に同期す
る周波数と位相にするとその効果は大きい。また、ＥＣ
Ｒ条件に用いるような大きく重量のある磁場コイルは必
要とせず、小型軽量の構成にすることができる。
【０００８】さらに、本発明は公知のエッチング装置の
ように反応性ガスの流れを基板表面にてどのように流す
かを精密にコントロールしなくとも、電界または磁界あ
るいは電界＋磁界によってイオン、電子を攪拌しプラズ
マ密度を均一にすることでひいてはガス自体を攪拌する
ことと同様のことが可能なために、ガスの導入方法や排
気方法に制限が少ない。そのために、磁気浮上型ターボ
ポンプのようにポンプの取付け位置が上向きでも下向き
でも横でも斜めでもよいようなポンプを使用する場合
は、メンテナンス性の高い場所に取りつけることが可能
であり、装置が故障などした場合の、いわゆる装置の停
止時間を大幅に短縮できる。また、ガスの導入に関して
も、今までのようにアノードあるいはカソードに複雑な
ガス導入用の構造を用いる必要もない。もちろん、ガス
の導入および排気を精密にコントロールすればさらによ
いことは言うまでもない。
ように反応性ガスの流れを基板表面にてどのように流す
かを精密にコントロールしなくとも、電界または磁界あ
るいは電界＋磁界によってイオン、電子を攪拌しプラズ
マ密度を均一にすることでひいてはガス自体を攪拌する
ことと同様のことが可能なために、ガスの導入方法や排
気方法に制限が少ない。そのために、磁気浮上型ターボ
ポンプのようにポンプの取付け位置が上向きでも下向き
でも横でも斜めでもよいようなポンプを使用する場合
は、メンテナンス性の高い場所に取りつけることが可能
であり、装置が故障などした場合の、いわゆる装置の停
止時間を大幅に短縮できる。また、ガスの導入に関して
も、今までのようにアノードあるいはカソードに複雑な
ガス導入用の構造を用いる必要もない。もちろん、ガス
の導入および排気を精密にコントロールすればさらによ
いことは言うまでもない。
【０００９】本発明は、公知のクラスター型マルチチャ
ンバーや廊下型マルチチャンバーへ応用することも容易
である。マルチチャンバーへ応用する場合は、反応室と
してエッチング室、アッシング室、成膜室を備えた装置
にする事で、フォトリソ工程によってパターニングされ
たレジストをマスクとしてエッチング室において膜をエ
ッチングし、アッシング室にてレジストを除去し、成膜
室にて別の膜をパターニングされた膜の上に成膜するこ
とができるために、所望のパターンの上が清浄表面のう
ちに成膜することできるために、膜と膜の界面の清浄度
が重要となる半導体製造工程では特に有効である。アッ
シング後に別の膜を成膜する前に、パターニングされた
膜の表面をスパッタクリーニングを行った後に成膜をす
ると、その上に成膜する膜の密着性も向上する。また、
アッシング後に別の膜を成膜する前に、パターニングさ
れた膜に対して水素アニールを熱またはプラズマあるい
は熱＋プラズマで行うことでダングリングボンドの如き
欠陥をターミネートし、その後に窒化膜の如き緻密な膜
を成膜することで、いわゆる水素抜けなどがないものを
作製することができる。
ンバーや廊下型マルチチャンバーへ応用することも容易
である。マルチチャンバーへ応用する場合は、反応室と
してエッチング室、アッシング室、成膜室を備えた装置
にする事で、フォトリソ工程によってパターニングされ
たレジストをマスクとしてエッチング室において膜をエ
ッチングし、アッシング室にてレジストを除去し、成膜
室にて別の膜をパターニングされた膜の上に成膜するこ
とができるために、所望のパターンの上が清浄表面のう
ちに成膜することできるために、膜と膜の界面の清浄度
が重要となる半導体製造工程では特に有効である。アッ
シング後に別の膜を成膜する前に、パターニングされた
膜の表面をスパッタクリーニングを行った後に成膜をす
ると、その上に成膜する膜の密着性も向上する。また、
アッシング後に別の膜を成膜する前に、パターニングさ
れた膜に対して水素アニールを熱またはプラズマあるい
は熱＋プラズマで行うことでダングリングボンドの如き
欠陥をターミネートし、その後に窒化膜の如き緻密な膜
を成膜することで、いわゆる水素抜けなどがないものを
作製することができる。
【００１０】
【作用】基板面と垂直な電界を印加できる電極の他に、
基板面に平行に電界を印加できる複数の電極あるいはさ
らに基板に平行に磁界を印加できる手段をあわせもつエ
ッチングを行うことでことで効果的に反応ガスの活性化
を助長させプラズマ密度を均一化しエッチング速度とエ
ッチングの均一性の向上を得ることができる。また、そ
の手段が小型軽量であるために装置を小型化することが
可能であり、電界または電界＋磁界によってガスを攪拌
するためにメンテナンス性が高く、複雑な構造を必要と
しない装置を構成できる。
基板面に平行に電界を印加できる複数の電極あるいはさ
らに基板に平行に磁界を印加できる手段をあわせもつエ
ッチングを行うことでことで効果的に反応ガスの活性化
を助長させプラズマ密度を均一化しエッチング速度とエ
ッチングの均一性の向上を得ることができる。また、そ
の手段が小型軽量であるために装置を小型化することが
可能であり、電界または電界＋磁界によってガスを攪拌
するためにメンテナンス性が高く、複雑な構造を必要と
しない装置を構成できる。
【００１１】
〔実施例１〕本実施例の装置の構成を図２と図３に示
す。図２のＸ−Ｙで切った断面を図３に示してある。真
空容器１１０にはガス導入系１２０、排気系１３０、エ
ッチング電源１４０、攪拌電界系１５０、攪拌磁界系１
６０が備わっている。
す。図２のＸ−Ｙで切った断面を図３に示してある。真
空容器１１０にはガス導入系１２０、排気系１３０、エ
ッチング電源１４０、攪拌電界系１５０、攪拌磁界系１
６０が備わっている。
【００１２】ガス導入系１２０には反応ガスを導入する
ガス導入口１２１があり流量制御器１２２を通して反応
ガス導入される。流量制御器１２２としては、マスフロ
ーコントローラーやニードルバルブなどが用いられる。
ガス導入口１２１を通った反応ガスはガス噴出小穴１２
３を通って反応空間１７０に均一になるように噴出され
る。均一に噴出するためには、ガス噴出小穴１２３があ
るアノード１２４内にて、ガスを拡散させるようにして
ある。
ガス導入口１２１があり流量制御器１２２を通して反応
ガス導入される。流量制御器１２２としては、マスフロ
ーコントローラーやニードルバルブなどが用いられる。
ガス導入口１２１を通った反応ガスはガス噴出小穴１２
３を通って反応空間１７０に均一になるように噴出され
る。均一に噴出するためには、ガス噴出小穴１２３があ
るアノード１２４内にて、ガスを拡散させるようにして
ある。
【００１３】排気系１３０には、ガスを基板１８０表面
にて均一に流れるようにガス導入系１２０から導入され
た反応ガスを均一に排気するように、基板１８０の周囲
に配置させた排気口１３１と、排気口１３１を通って排
気されるガスの流量を制御することで反応空間１７０の
圧力をほぼ一定に保つための排気流量制御弁１３２が接
続されている。排気流量制御弁１３２としては、バタフ
ライバルブ、可変オリフィス、ニードルバルブなどコン
ダンクタンスを可変できるものを用いる。排気流量制御
弁１３２には、排気ポンプ１３３が接続されガスを引い
ている。排気ポンプとしては、ターボポンプ、メカニカ
ルポンプ、ロータリーポンプ、スクリューポンプ等、使
用するガスの種類、使用するガスの流量、反応圧力、使
用するガスの腐食性、バックグランド圧力等を考えて様
々な真空ポンプの中からその目的に合ったものを選ぶ必
要がある。
にて均一に流れるようにガス導入系１２０から導入され
た反応ガスを均一に排気するように、基板１８０の周囲
に配置させた排気口１３１と、排気口１３１を通って排
気されるガスの流量を制御することで反応空間１７０の
圧力をほぼ一定に保つための排気流量制御弁１３２が接
続されている。排気流量制御弁１３２としては、バタフ
ライバルブ、可変オリフィス、ニードルバルブなどコン
ダンクタンスを可変できるものを用いる。排気流量制御
弁１３２には、排気ポンプ１３３が接続されガスを引い
ている。排気ポンプとしては、ターボポンプ、メカニカ
ルポンプ、ロータリーポンプ、スクリューポンプ等、使
用するガスの種類、使用するガスの流量、反応圧力、使
用するガスの腐食性、バックグランド圧力等を考えて様
々な真空ポンプの中からその目的に合ったものを選ぶ必
要がある。
【００１４】エッチング電源１４０には、基板１８０の
保持台も兼ねるカソード（陰極）１４１と整合器１４２
を介してカソード電源１４３が接続されている。カソー
ド電源１４３としては、１３．５６ＭＨｚなどの周波数
の高周波電源、１ＭＨｚ以下の中周波電源や１ｋＨｚ以
下の低周波電源等が用いられる。どの電源を用いた場合
も、反応空間１７０で発生したイオンを基板表面に導く
ことをその目的としている。
保持台も兼ねるカソード（陰極）１４１と整合器１４２
を介してカソード電源１４３が接続されている。カソー
ド電源１４３としては、１３．５６ＭＨｚなどの周波数
の高周波電源、１ＭＨｚ以下の中周波電源や１ｋＨｚ以
下の低周波電源等が用いられる。どの電源を用いた場合
も、反応空間１７０で発生したイオンを基板表面に導く
ことをその目的としている。
【００１５】攪拌電界系１５０には、攪拌電極１５１を
備えており本実施例では攪拌電極１５１として電極ａ１
５１ａ、電極ｂ１５１ｂ、電極ｃ１５１ｃ、電極ｄ１５
１ｄの４つがある。攪拌電極１５１には、攪拌電源１５
２が増幅器１５３を介して接続されている。攪拌電源１
５２と増幅器１５３は一体となった電源をしようしても
よいが、本実施例では攪拌電源１５２の周波数を幅広く
変化させるためにいわゆるファンクションジェネレータ
ー（周波数発生器）を用いるために増幅器１５３が必要
である。攪拌電源１５２は、攪拌電極１５１のそれぞれ
の電極である電極ａ１５１ａ、電極ｂ１５１ｂ、電極ｃ
１５１ｃ、電極ｄ１５１ｄに対応して周波数発生器ａ１
５２ａ、周波数発生器ｂ１５２ｂ、周波数発生器ｃ１５
２ｃ、周波数発生器ｄ１５２ｄを用いた。それぞれの周
波数発生器の周波数帯域は０〜１５ＭＨｚのものを用い
た。増幅器１５３も、それぞれの電極、周波数発生器に
対応してアンプａ１５３ａ、アンプｂ１５３ｂ、アンプ
ｃ１５３ｃ、アンプｄ１５３ｄからなる。攪拌電源１５
２のそれぞれの位相差に関係付けが必要な場合にその位
相を制御するための位相制御器１５４が攪拌電源１５２
に接続されておりそれぞれの周波数発生器に対応してフ
ェーズシフターａ１５４ａ、フェーズシフターｂ１５４
ｂ、フェーズシフターｃ１５４ｃ、フェーズシフターｄ
１５４ｄが接続されている。
備えており本実施例では攪拌電極１５１として電極ａ１
５１ａ、電極ｂ１５１ｂ、電極ｃ１５１ｃ、電極ｄ１５
１ｄの４つがある。攪拌電極１５１には、攪拌電源１５
２が増幅器１５３を介して接続されている。攪拌電源１
５２と増幅器１５３は一体となった電源をしようしても
よいが、本実施例では攪拌電源１５２の周波数を幅広く
変化させるためにいわゆるファンクションジェネレータ
ー（周波数発生器）を用いるために増幅器１５３が必要
である。攪拌電源１５２は、攪拌電極１５１のそれぞれ
の電極である電極ａ１５１ａ、電極ｂ１５１ｂ、電極ｃ
１５１ｃ、電極ｄ１５１ｄに対応して周波数発生器ａ１
５２ａ、周波数発生器ｂ１５２ｂ、周波数発生器ｃ１５
２ｃ、周波数発生器ｄ１５２ｄを用いた。それぞれの周
波数発生器の周波数帯域は０〜１５ＭＨｚのものを用い
た。増幅器１５３も、それぞれの電極、周波数発生器に
対応してアンプａ１５３ａ、アンプｂ１５３ｂ、アンプ
ｃ１５３ｃ、アンプｄ１５３ｄからなる。攪拌電源１５
２のそれぞれの位相差に関係付けが必要な場合にその位
相を制御するための位相制御器１５４が攪拌電源１５２
に接続されておりそれぞれの周波数発生器に対応してフ
ェーズシフターａ１５４ａ、フェーズシフターｂ１５４
ｂ、フェーズシフターｃ１５４ｃ、フェーズシフターｄ
１５４ｄが接続されている。
【００１６】攪拌磁界系１６０としては、本実施例では
磁石１６１を用いており磁石１６１としては電磁石ａ１
６１ａ、電磁石ｂ１６１ｂ、電磁石ｃ１６１ｃ、電磁石
ｄ１６１ｄを使用している。
磁石１６１を用いており磁石１６１としては電磁石ａ１
６１ａ、電磁石ｂ１６１ｂ、電磁石ｃ１６１ｃ、電磁石
ｄ１６１ｄを使用している。
【００１７】ガス導入口１２１から流量制御器１２２を
介して入った反応ガスはアノード１２４の中で拡散され
てガス噴出噴出小穴１２３から反応空間１７０へ導かれ
る。反応空間１７０から基板１８０表面へ達した反応ガ
スは排気口１３１へ流れ、排気ポンプ１３３と排気口１
３１との間にある排気流量制御弁１３２のコンダクタン
スを制御することで反応空間１７０の圧力は所望の圧力
に保持される。
介して入った反応ガスはアノード１２４の中で拡散され
てガス噴出噴出小穴１２３から反応空間１７０へ導かれ
る。反応空間１７０から基板１８０表面へ達した反応ガ
スは排気口１３１へ流れ、排気ポンプ１３３と排気口１
３１との間にある排気流量制御弁１３２のコンダクタン
スを制御することで反応空間１７０の圧力は所望の圧力
に保持される。
【００１８】本実施例では、基板１８０としてコーニン
グ７０５９ガラス１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍ
ｍ、２００ｍｍ×２００ｍｍ×１．１ｍｍ、３５０ｍｍ
×３５０ｍｍ×１．１ｍｍ、５００ｍｍ×５００ｍｍ×
１．１ｍｍ、の上にａ−Ｓｉを２μｍ成膜したものを用
いて、エッチングの均一性、形状を比較した。ガスとし
てはＳＦ６とＣｌ２の混合ガスを用いた。ガスの比率と
しては、ＳＦ６／Ｃｌ２＝２／８〜１０／０の間で行っ
た。
グ７０５９ガラス１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍ
ｍ、２００ｍｍ×２００ｍｍ×１．１ｍｍ、３５０ｍｍ
×３５０ｍｍ×１．１ｍｍ、５００ｍｍ×５００ｍｍ×
１．１ｍｍ、の上にａ−Ｓｉを２μｍ成膜したものを用
いて、エッチングの均一性、形状を比較した。ガスとし
てはＳＦ６とＣｌ２の混合ガスを用いた。ガスの比率と
しては、ＳＦ６／Ｃｌ２＝２／８〜１０／０の間で行っ
た。
【００１９】カソード１４１は基板に実験に用いた基板
サイズに対応して２００ｍｍ×２００ｍｍ、２５０ｍｍ
×２５０ｍｍ、４００ｍｍ×４００ｍｍ、５５０ｍｍ×
５５０ｍｍの４サイズを用いた。 カソード電源１４３
としては１３．５６ＭＨｚの高周波電源と５００ｋＨｚ
の中周波電源を用いた。電源のパワーとしては０．１〜
３ Ｗ／ｃｍ2 の間で行い、カソード１４１とアノード
１２４の距離は７０ｍｍに固定して行った。
サイズに対応して２００ｍｍ×２００ｍｍ、２５０ｍｍ
×２５０ｍｍ、４００ｍｍ×４００ｍｍ、５５０ｍｍ×
５５０ｍｍの４サイズを用いた。 カソード電源１４３
としては１３．５６ＭＨｚの高周波電源と５００ｋＨｚ
の中周波電源を用いた。電源のパワーとしては０．１〜
３ Ｗ／ｃｍ2 の間で行い、カソード１４１とアノード
１２４の距離は７０ｍｍに固定して行った。
【００２０】排気系１３０としては、真空容器１１０が
約７５リットルあり、反応圧力を５０〜３００ｍＴｏｒ
ｒに調整できるようにするために１８００リットル／ｓ
の排気速度のものを用いた。反応ガスを含めたガスの総
流量を約５００〜２０００ＳＣＣＭとした。
約７５リットルあり、反応圧力を５０〜３００ｍＴｏｒ
ｒに調整できるようにするために１８００リットル／ｓ
の排気速度のものを用いた。反応ガスを含めたガスの総
流量を約５００〜２０００ＳＣＣＭとした。
【００２１】攪拌電界系１５０としては、隣合う電極の
位相が９０°づつずれるように各フェーズシフターを制
御した。周波数発生器は１ｋＨｚと５ＭＨｚで行った。
1 ｋＨｚではイオンを平面内にて攪拌する効果をみるた
めであり、５ＭＨｚは電子を平面ないにて攪拌する効果
をみるためである。攪拌するための電力としては０．０
３〜１ Ｗ／ｃｍ2 にて行った。
位相が９０°づつずれるように各フェーズシフターを制
御した。周波数発生器は１ｋＨｚと５ＭＨｚで行った。
1 ｋＨｚではイオンを平面内にて攪拌する効果をみるた
めであり、５ＭＨｚは電子を平面ないにて攪拌する効果
をみるためである。攪拌するための電力としては０．０
３〜１ Ｗ／ｃｍ2 にて行った。
【００２２】攪拌磁界系としては、真空容器１１０の内
壁で２０００ガウスで中央部にいくほど指数関数的に減
少して基板上では最大１００ガウス程度になる磁界を電
磁石にて静磁界と回転磁界を発生させた。結果的には回
転磁界の方が若干効果が大きいが、静磁界でも磁界がな
いよりかなり効果があるので、装置の大きさ等を考慮し
て静磁界でよいときは電磁石ではなく永久磁石でもよ
い。
壁で２０００ガウスで中央部にいくほど指数関数的に減
少して基板上では最大１００ガウス程度になる磁界を電
磁石にて静磁界と回転磁界を発生させた。結果的には回
転磁界の方が若干効果が大きいが、静磁界でも磁界がな
いよりかなり効果があるので、装置の大きさ等を考慮し
て静磁界でよいときは電磁石ではなく永久磁石でもよ
い。
【００２３】実験結果とては、エッチングレート、エッ
チング形状はほとんどがエッチング電源１４０の条件と
反応ガス比によって決定してしてしまい攪拌電界系１５
０と攪拌磁界系１６０の効果は見えなかった。異方性エ
ッチングを行うための典型的な条件としては、ＳＦ6 ＝
１０００ＳＣＣＭ、Ｃｌ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、圧力２０
０ｍＴｏｒｒ、カソード電源周波数１３．５６ＭＨｚで
電力０．８Ｗ／ｃｍ2のときにａ−Ｓｉのエッチングレ
ートが平均６２００Å／分であった。
チング形状はほとんどがエッチング電源１４０の条件と
反応ガス比によって決定してしてしまい攪拌電界系１５
０と攪拌磁界系１６０の効果は見えなかった。異方性エ
ッチングを行うための典型的な条件としては、ＳＦ6 ＝
１０００ＳＣＣＭ、Ｃｌ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、圧力２０
０ｍＴｏｒｒ、カソード電源周波数１３．５６ＭＨｚで
電力０．８Ｗ／ｃｍ2のときにａ−Ｓｉのエッチングレ
ートが平均６２００Å／分であった。
【００２４】しかし、エッチングの均一性に関しては、
攪拌電界系１５０と攪拌磁界系１６０の効果が見られ
た。表１に、その効果をエッチングレートの基板面内バ
ラツキとして表す。
攪拌電界系１５０と攪拌磁界系１６０の効果が見られ
た。表１に、その効果をエッチングレートの基板面内バ
ラツキとして表す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１にはエッチングレートの基板面内バラ
ツキ表のに表したデータは攪拌電界系１５０としては、
隣合う電極の位相が９０°づつずれるように各フェーズ
シフターを制御し、周波数発生器は５ＭＨｚで行っ
た。。攪拌電源１５２電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 に
て行った。周波数１ｋＨｚの場合は、余りよい効果は見
られなかった、これは混合ガス系の場合には、イオンの
種類、質量が大きく異なるために、エッチングの化学的
効果を落とすためであり、一元系のガスを用いる場合は
大きな効果がある。
ツキ表のに表したデータは攪拌電界系１５０としては、
隣合う電極の位相が９０°づつずれるように各フェーズ
シフターを制御し、周波数発生器は５ＭＨｚで行っ
た。。攪拌電源１５２電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 に
て行った。周波数１ｋＨｚの場合は、余りよい効果は見
られなかった、これは混合ガス系の場合には、イオンの
種類、質量が大きく異なるために、エッチングの化学的
効果を落とすためであり、一元系のガスを用いる場合は
大きな効果がある。
【００２７】実験結果から明らかなように、攪拌電界系
１５０の効果の大きいことがわかる。特に１５０ｍｍ□
基板では大きな差は、見受けられないが、基板が２００
ｍｍ□以上に大きくなると著しくその効果がわかる。ま
た、５００ｍｍ□の基板の全面にＭＯＳトランジスタが
搭載された２インチφＳｉウェハを置いて、本実施例の
反応ガスの代わりに、ヘリウムガスを用いて、プラズマ
を発生させ、基板を取り出してトランジスタの絶縁破壊
した素子の数を測定したところ、攪拌電界系１５０があ
る場合は、無い場合に比較して破壊された素子数が約１
／２しかなく、プラズマ密度の偏りによるイオン損傷が
小さいことがわかる。
１５０の効果の大きいことがわかる。特に１５０ｍｍ□
基板では大きな差は、見受けられないが、基板が２００
ｍｍ□以上に大きくなると著しくその効果がわかる。ま
た、５００ｍｍ□の基板の全面にＭＯＳトランジスタが
搭載された２インチφＳｉウェハを置いて、本実施例の
反応ガスの代わりに、ヘリウムガスを用いて、プラズマ
を発生させ、基板を取り出してトランジスタの絶縁破壊
した素子の数を測定したところ、攪拌電界系１５０があ
る場合は、無い場合に比較して破壊された素子数が約１
／２しかなく、プラズマ密度の偏りによるイオン損傷が
小さいことがわかる。
【００２８】〔実施例２〕実施例１では、ガス導入系と
排気系において、ガスの流れを精密にコントロールした
系を用いたが、実施例２では図４、図５に示すような装
置を用いた。図４のＸ−Ｙで切った断面を図５に示して
ある。真空容器２１０にはガス導入系２２０、排気系２
３０、エッチング電源２４０、攪拌電界系２５０、攪拌
磁界系２６０が備わっている。
排気系において、ガスの流れを精密にコントロールした
系を用いたが、実施例２では図４、図５に示すような装
置を用いた。図４のＸ−Ｙで切った断面を図５に示して
ある。真空容器２１０にはガス導入系２２０、排気系２
３０、エッチング電源２４０、攪拌電界系２５０、攪拌
磁界系２６０が備わっている。
【００２９】ガス導入系２２０には反応ガスを導入する
ガス導入口２２１があり流量制御器２２２を通して反応
ガス導入される。流量制御器２２２としては、マスフロ
ーコントローラーやニードルバルブなどが用いられる。
ガス導入口２２１を通った反応ガスはガス噴出小穴２２
３を通って反応空間２７０に噴出される。特に均一に噴
出するための処理はされていない。
ガス導入口２２１があり流量制御器２２２を通して反応
ガス導入される。流量制御器２２２としては、マスフロ
ーコントローラーやニードルバルブなどが用いられる。
ガス導入口２２１を通った反応ガスはガス噴出小穴２２
３を通って反応空間２７０に噴出される。特に均一に噴
出するための処理はされていない。
【００３０】排気系２３０には、ガス導入系２２０から
導入された反応ガスを排気するように、基板２８０の横
に配置させた排気口２３１と、排気口２３１を通って排
気されるガスの流量を制御することで反応空間２７０の
圧力をほぼ一定に保つための排気流量制御弁２３２が接
続されている。しかしながら、特に基板表面でガスが均
一に流れるように基板周囲に排気口を設けていない。排
気流量制御弁２３２としては、バタフライバルブ、可変
オリフィス、ニードルバルブなどコンダンクタンスを可
変できるものを用いる。排気流量制御弁２３２には、排
気ポンプ２３３が接続されガスを引いている。排気ポン
プとしては、ターボポンプ、メカニカルポンプ、ロータ
リーポンプ、スクリューポンプ等、使用するガスの種
類、使用するガスの流量、反応圧力、使用するガスの腐
食性、バックグランド圧力等を考えて様々な真空ポンプ
の中からその目的に合ったものを選ぶ必要がある。
導入された反応ガスを排気するように、基板２８０の横
に配置させた排気口２３１と、排気口２３１を通って排
気されるガスの流量を制御することで反応空間２７０の
圧力をほぼ一定に保つための排気流量制御弁２３２が接
続されている。しかしながら、特に基板表面でガスが均
一に流れるように基板周囲に排気口を設けていない。排
気流量制御弁２３２としては、バタフライバルブ、可変
オリフィス、ニードルバルブなどコンダンクタンスを可
変できるものを用いる。排気流量制御弁２３２には、排
気ポンプ２３３が接続されガスを引いている。排気ポン
プとしては、ターボポンプ、メカニカルポンプ、ロータ
リーポンプ、スクリューポンプ等、使用するガスの種
類、使用するガスの流量、反応圧力、使用するガスの腐
食性、バックグランド圧力等を考えて様々な真空ポンプ
の中からその目的に合ったものを選ぶ必要がある。
【００３１】エッチング電源２４０には、基板２８０の
保持台も兼ねるカソード（陰極）２４１と整合器２４２
を介してカソード電源２４３が接続されている。カソー
ド電源２４３としては、１３．５６ＭＨｚなどの周波数
の高周波電源、１ＭＨｚ以下の中周波電源や１ｋＨｚ以
下の低周波電源等が用いられる。どの電源を用いた場合
も、反応空間２７０で発生したイオンを基板表面に導く
ことをその目的としている。
保持台も兼ねるカソード（陰極）２４１と整合器２４２
を介してカソード電源２４３が接続されている。カソー
ド電源２４３としては、１３．５６ＭＨｚなどの周波数
の高周波電源、１ＭＨｚ以下の中周波電源や１ｋＨｚ以
下の低周波電源等が用いられる。どの電源を用いた場合
も、反応空間２７０で発生したイオンを基板表面に導く
ことをその目的としている。
【００３２】攪拌電界系２５０には、攪拌電極２５１を
備えており本実施例では攪拌電極２５１として電極ａ２
５１ａ、電極ｂ２５１ｂ、電極ｃ２５１ｃ、電極ｄ２５
１ｄの４つがある。攪拌電極２５１には、攪拌電源２５
２が増幅器２５３を介して接続されている。攪拌電源２
５２と増幅器２５３は一体となった電源を使用してもよ
いが、本実施例では攪拌電源２５２の周波数を幅広く変
化させるために、いわゆるファンクションジェネレータ
ー（周波数発生器）を用いることができるように、増幅
器２５３が必要である。攪拌電源２５２は、攪拌電極２
５１のそれぞれの電極である電極ａ２５１ａ、電極ｂ２
５１ｂ、電極ｃ２５１ｃ、電極ｄ２５１ｄに対応して周
波数発生器ａ２５２ａ、周波数発生器ｂ２５２ｂ、周波
数発生器ｃ２５２ｃ、周波数発生器ｄ２５２ｄを用い
た。それぞれの周波数発生器の周波数帯域は０〜１５Ｍ
Ｈｚのものを用いた。増幅器２５３も、それぞれの電
極、周波数発生器に対応してアンプａ２５３ａ、アンプ
ｂ２５３ｂ、アンプｃ２５３ｃ、アンプｄ２５３ｄから
なる。攪拌電源２５２のそれぞれの位相差に関係付けが
必要な場合にその位相を制御するための位相制御器２５
４が攪拌電源２５２に接続されておりそれぞれの周波数
発生器に対応してフェーズシフターａ２５４ａ、フェー
ズシフターｂ２５４ｂ、フェーズシフターｃ２５４ｃ、
フェーズシフターｄ２５４ｄが接続されている。
備えており本実施例では攪拌電極２５１として電極ａ２
５１ａ、電極ｂ２５１ｂ、電極ｃ２５１ｃ、電極ｄ２５
１ｄの４つがある。攪拌電極２５１には、攪拌電源２５
２が増幅器２５３を介して接続されている。攪拌電源２
５２と増幅器２５３は一体となった電源を使用してもよ
いが、本実施例では攪拌電源２５２の周波数を幅広く変
化させるために、いわゆるファンクションジェネレータ
ー（周波数発生器）を用いることができるように、増幅
器２５３が必要である。攪拌電源２５２は、攪拌電極２
５１のそれぞれの電極である電極ａ２５１ａ、電極ｂ２
５１ｂ、電極ｃ２５１ｃ、電極ｄ２５１ｄに対応して周
波数発生器ａ２５２ａ、周波数発生器ｂ２５２ｂ、周波
数発生器ｃ２５２ｃ、周波数発生器ｄ２５２ｄを用い
た。それぞれの周波数発生器の周波数帯域は０〜１５Ｍ
Ｈｚのものを用いた。増幅器２５３も、それぞれの電
極、周波数発生器に対応してアンプａ２５３ａ、アンプ
ｂ２５３ｂ、アンプｃ２５３ｃ、アンプｄ２５３ｄから
なる。攪拌電源２５２のそれぞれの位相差に関係付けが
必要な場合にその位相を制御するための位相制御器２５
４が攪拌電源２５２に接続されておりそれぞれの周波数
発生器に対応してフェーズシフターａ２５４ａ、フェー
ズシフターｂ２５４ｂ、フェーズシフターｃ２５４ｃ、
フェーズシフターｄ２５４ｄが接続されている。
【００３３】攪拌磁界系２６０としては、本実施例では
磁石２６１を用いており磁石２６１としては電磁石ａ２
６１ａ、電磁石ｂ２６１ｂ、電磁石ｃ２６１ｃ、電磁石
ｄ２６１ｄを使用している。
磁石２６１を用いており磁石２６１としては電磁石ａ２
６１ａ、電磁石ｂ２６１ｂ、電磁石ｃ２６１ｃ、電磁石
ｄ２６１ｄを使用している。
【００３４】ガス導入口２２１から流量制御器２２２を
介して入った反応ガスはアノード２２４の中で拡散され
てガス噴出噴出小穴２２３から反応空間２７０へ導かれ
る。反応空間２７０から基板２８０表面へ達した反応ガ
スは排気口２３１へ流れ、排気ポンプ２３３と排気口２
３１との間にある排気流量制御弁２３２のコンダクタン
スを制御することで反応空間２７０の圧力は所望の圧力
に保持される。
介して入った反応ガスはアノード２２４の中で拡散され
てガス噴出噴出小穴２２３から反応空間２７０へ導かれ
る。反応空間２７０から基板２８０表面へ達した反応ガ
スは排気口２３１へ流れ、排気ポンプ２３３と排気口２
３１との間にある排気流量制御弁２３２のコンダクタン
スを制御することで反応空間２７０の圧力は所望の圧力
に保持される。
【００３５】本実施例では、基板２８０としてコーニン
グ７０５９ガラス１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍ
ｍ、２００ｍｍ×２００ｍｍ×１．１ｍｍ、３５０ｍｍ
×３５０ｍｍ×１．１ｍｍ、５００ｍｍ×５００ｍｍ×
１．１ｍｍ、の上にａ−Ｓｉを２μｍ成膜したものを用
いて、エッチングの均一性、形状を比較した。ガスとし
てはＳＦ6 とＣｌ2 の混合ガスを用いた。ガスの比率と
しては、ＳＦ6 ／Ｃｌ2＝２／８〜１０／０の間で行っ
た。
グ７０５９ガラス１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍ
ｍ、２００ｍｍ×２００ｍｍ×１．１ｍｍ、３５０ｍｍ
×３５０ｍｍ×１．１ｍｍ、５００ｍｍ×５００ｍｍ×
１．１ｍｍ、の上にａ−Ｓｉを２μｍ成膜したものを用
いて、エッチングの均一性、形状を比較した。ガスとし
てはＳＦ6 とＣｌ2 の混合ガスを用いた。ガスの比率と
しては、ＳＦ6 ／Ｃｌ2＝２／８〜１０／０の間で行っ
た。
【００３６】カソード２４１は基板に実験に用いた基板
サイズに対応して２００ｍｍ×２００ｍｍ、２５０ｍｍ
×２５０ｍｍ、４００ｍｍ×４００ｍｍ、５５０ｍｍ×
５５０ｍｍの３サイズを用いた。 カソード電源２４３
としては１３．５６ＭＨｚの高周波電源と５００ｋＨｚ
の中周波電源を用いた。電源のパワーとしては０．１〜
３ Ｗ／ｃｍ2 の間で行い、カソード２４１とアノード
２２４の距離は７０ｍｍに固定して行った。
サイズに対応して２００ｍｍ×２００ｍｍ、２５０ｍｍ
×２５０ｍｍ、４００ｍｍ×４００ｍｍ、５５０ｍｍ×
５５０ｍｍの３サイズを用いた。 カソード電源２４３
としては１３．５６ＭＨｚの高周波電源と５００ｋＨｚ
の中周波電源を用いた。電源のパワーとしては０．１〜
３ Ｗ／ｃｍ2 の間で行い、カソード２４１とアノード
２２４の距離は７０ｍｍに固定して行った。
【００３７】排気系２３０としては、真空容器２１０が
約７５リットルあり、反応圧力を５０〜３００ｍＴｏｒ
ｒに調整できるようにするために１８００リットル／ｓ
の排気速度のものを用いた。反応ガスを含めたガスの総
流量を約５００〜２０００ＳＣＣＭとした。
約７５リットルあり、反応圧力を５０〜３００ｍＴｏｒ
ｒに調整できるようにするために１８００リットル／ｓ
の排気速度のものを用いた。反応ガスを含めたガスの総
流量を約５００〜２０００ＳＣＣＭとした。
【００３８】攪拌電界系２５０としては、隣合う電極の
位相が９０°づつずれるように各フェーズシフターを制
御した。周波数発生器は１ｋＨｚと５ＭＨｚで行った。
1 ｋＨｚではイオンを平面内にて攪拌する効果をみるた
めであり、５ＭＨｚは電子を平面ないにて攪拌する効果
をみるためである。攪拌するための電力としては０．０
３〜１ Ｗ／ｃｍ2 にて行った。
位相が９０°づつずれるように各フェーズシフターを制
御した。周波数発生器は１ｋＨｚと５ＭＨｚで行った。
1 ｋＨｚではイオンを平面内にて攪拌する効果をみるた
めであり、５ＭＨｚは電子を平面ないにて攪拌する効果
をみるためである。攪拌するための電力としては０．０
３〜１ Ｗ／ｃｍ2 にて行った。
【００３９】攪拌磁界系としては、真空容器２１０の内
壁で２０００ガウスで中央部にいくほど指数関数的に減
少して基板上では最大１００ガウス程度になる磁界を電
磁石にて静磁界と回転磁界を発生させた。結果的には回
転磁界の方が若干効果が大きいが、静磁界でも磁界がな
いよりかなり効果があるので、装置の大きさ等を考慮し
て静磁界でよいときは電磁石ではなく永久磁石でもよ
い。。
壁で２０００ガウスで中央部にいくほど指数関数的に減
少して基板上では最大１００ガウス程度になる磁界を電
磁石にて静磁界と回転磁界を発生させた。結果的には回
転磁界の方が若干効果が大きいが、静磁界でも磁界がな
いよりかなり効果があるので、装置の大きさ等を考慮し
て静磁界でよいときは電磁石ではなく永久磁石でもよ
い。。
【００４０】実験結果とては、エッチングレート、エッ
チング形状はほとんどがエッチング電源２４０の条件と
反応ガス比によって決定してしてしまい攪拌電界系２５
０と攪拌磁界系２６０の効果は見えなかった。異方性エ
ッチングを行うための典型的な条件としては、ＳＦ6 ＝
１０００ＳＣＣＭ、Ｃｌ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、圧力２０
０ｍＴｏｒｒ、カソード電源周波数１３．５６ＭＨｚで
電力０．８Ｗ／ｃｍ2のときにａ−Ｓｉのエッチングレ
ートが平均６０００Å／分であった。
チング形状はほとんどがエッチング電源２４０の条件と
反応ガス比によって決定してしてしまい攪拌電界系２５
０と攪拌磁界系２６０の効果は見えなかった。異方性エ
ッチングを行うための典型的な条件としては、ＳＦ6 ＝
１０００ＳＣＣＭ、Ｃｌ2 ＝２５０ＳＣＣＭ、圧力２０
０ｍＴｏｒｒ、カソード電源周波数１３．５６ＭＨｚで
電力０．８Ｗ／ｃｍ2のときにａ−Ｓｉのエッチングレ
ートが平均６０００Å／分であった。
【００４１】しかし、エッチングの均一性に関しては、
攪拌電界系２５０と攪拌磁界系２６０の効果が見られ
た。その効果をエッチングレートの基板面内バラツキと
して、表２に示す。
攪拌電界系２５０と攪拌磁界系２６０の効果が見られ
た。その効果をエッチングレートの基板面内バラツキと
して、表２に示す。
【００４２】
【表２】
【００４３】表２に表したデータは攪拌電界系２５０と
しては、隣合う電極の位相が９０°づつずれるように各
フェーズシフターを制御し、周波数発生器は５ＭＨｚで
行った。。攪拌電源２５２電力としては０．５Ｗ／ｃｍ
2 にて行った。周波数１ｋＨｚの場合は、余りよい効果
は見られなかった、これは混合ガス系の場合には、イオ
ンの種類、質量が大きく異なるために、エッチングの化
学的効果を落とすためであり、一元系のガスを用いる場
合は大きな効果がある。
しては、隣合う電極の位相が９０°づつずれるように各
フェーズシフターを制御し、周波数発生器は５ＭＨｚで
行った。。攪拌電源２５２電力としては０．５Ｗ／ｃｍ
2 にて行った。周波数１ｋＨｚの場合は、余りよい効果
は見られなかった、これは混合ガス系の場合には、イオ
ンの種類、質量が大きく異なるために、エッチングの化
学的効果を落とすためであり、一元系のガスを用いる場
合は大きな効果がある。
【００４４】実験結果から明らかなように、攪拌電界系
２５０の効果の大きいことがわかる。特に１５０ｍｍ□
基板では大きな差は、見受けられないが、基板が２００
ｍｍ□以上に大きくなると著しくその効果がわかる。し
かしながら、全くガスの流れを考慮しない本実施例のよ
うな場合は、攪拌電界の効果は大きいが、基板内のエッ
チングレートの均一性が５００ｍｍ□内で±１５％を上
回っており、実際にはある程度のガス流の流し方を制御
する必要がある。ただ、基板サイズ、装置サイズが大き
くなっていった場合に装置の設計マージンは、攪拌電界
系２５０がある方が広いことは確かである。また、５０
０ｍｍ□の基板の全面にＭＯＳトランジスタが搭載され
た２インチφＳｉウェハを置いて、本実施例の反応ガス
の代わりに、ヘリウムガスを用いて、プラズマを発生さ
せ、基板を取り出してトランジスタの絶縁破壊した素子
の数を測定したところ、攪拌電界系２５０がある場合
は、無い場合に比較して破壊された素子数が約１／２し
かなく、プラズマ密度の偏りによるイオン損傷が小さい
ことがわかる。
２５０の効果の大きいことがわかる。特に１５０ｍｍ□
基板では大きな差は、見受けられないが、基板が２００
ｍｍ□以上に大きくなると著しくその効果がわかる。し
かしながら、全くガスの流れを考慮しない本実施例のよ
うな場合は、攪拌電界の効果は大きいが、基板内のエッ
チングレートの均一性が５００ｍｍ□内で±１５％を上
回っており、実際にはある程度のガス流の流し方を制御
する必要がある。ただ、基板サイズ、装置サイズが大き
くなっていった場合に装置の設計マージンは、攪拌電界
系２５０がある方が広いことは確かである。また、５０
０ｍｍ□の基板の全面にＭＯＳトランジスタが搭載され
た２インチφＳｉウェハを置いて、本実施例の反応ガス
の代わりに、ヘリウムガスを用いて、プラズマを発生さ
せ、基板を取り出してトランジスタの絶縁破壊した素子
の数を測定したところ、攪拌電界系２５０がある場合
は、無い場合に比較して破壊された素子数が約１／２し
かなく、プラズマ密度の偏りによるイオン損傷が小さい
ことがわかる。
【００４５】〔実施例３〕図６に実施例３を示す。本実
施例は実施例１の図２で示された真空容器が四角形をも
とにしているが、それが五角形になっている。真空容器
３１０には、攪拌電界系、攪拌磁界系が備わっている。
図示していないが、実施例１と同様にエッチング電源、
ガス導入系、排気系が具備されている。
施例は実施例１の図２で示された真空容器が四角形をも
とにしているが、それが五角形になっている。真空容器
３１０には、攪拌電界系、攪拌磁界系が備わっている。
図示していないが、実施例１と同様にエッチング電源、
ガス導入系、排気系が具備されている。
【００４６】ガス導入系には反応ガスを導入するガス導
入口があり流量制御器を通して反応ガス導入される。流
量制御器としては、マスフローコントローラーやニード
ルバルブなどが用いられる。ガス導入口を通った反応ガ
スはガス噴出小穴を通って反応空間に均一になるように
噴出される。均一に噴出するためには、ガス噴出小穴が
あるアノード内にて、ガスを拡散させるようにしてあ
る。
入口があり流量制御器を通して反応ガス導入される。流
量制御器としては、マスフローコントローラーやニード
ルバルブなどが用いられる。ガス導入口を通った反応ガ
スはガス噴出小穴を通って反応空間に均一になるように
噴出される。均一に噴出するためには、ガス噴出小穴が
あるアノード内にて、ガスを拡散させるようにしてあ
る。
【００４７】排気系には、ガスを基板表面にて均一に流
れるようにガス導入系から導入された反応ガスを均一に
排気するように、基板の周囲に配置させた排気口と、排
気口を通って排気されるガスの流量を制御することで反
応空間の圧力をほぼ一定に保つための排気流量制御弁が
接続されている。排気流量制御弁としては、バタフライ
バルブ、可変オリフィス、ニードルバルブなどコンダン
クタンスを可変できるものを用いる。排気流量制御弁に
は、排気ポンプが接続されガスを引いている。排気ポン
プとしては、ターボポンプ、メカニカルポンプ、ロータ
リーポンプ、スクリューポンプ等、使用するガスの種
類、使用するガスの流量、反応圧力、使用するガスの腐
食性、バックグランド圧力等を考えて様々な真空ポンプ
の中からその目的に合ったものを選ぶ必要がある。
れるようにガス導入系から導入された反応ガスを均一に
排気するように、基板の周囲に配置させた排気口と、排
気口を通って排気されるガスの流量を制御することで反
応空間の圧力をほぼ一定に保つための排気流量制御弁が
接続されている。排気流量制御弁としては、バタフライ
バルブ、可変オリフィス、ニードルバルブなどコンダン
クタンスを可変できるものを用いる。排気流量制御弁に
は、排気ポンプが接続されガスを引いている。排気ポン
プとしては、ターボポンプ、メカニカルポンプ、ロータ
リーポンプ、スクリューポンプ等、使用するガスの種
類、使用するガスの流量、反応圧力、使用するガスの腐
食性、バックグランド圧力等を考えて様々な真空ポンプ
の中からその目的に合ったものを選ぶ必要がある。
【００４８】エッチング電源には、基板３８０の保持台
も兼ねるカソード（陰極）３４１と整合器を介してカソ
ード電源が接続されている。カソード電源としては、１
３．５６ＭＨｚなどの周波数の高周波電源、１ＭＨｚ以
下の中周波電源や１ｋＨｚ以下の低周波電源等が用いら
れる。どの電源を用いた場合も、反応空間で発生したイ
オンを基板表面に導くことをその目的としている。
も兼ねるカソード（陰極）３４１と整合器を介してカソ
ード電源が接続されている。カソード電源としては、１
３．５６ＭＨｚなどの周波数の高周波電源、１ＭＨｚ以
下の中周波電源や１ｋＨｚ以下の低周波電源等が用いら
れる。どの電源を用いた場合も、反応空間で発生したイ
オンを基板表面に導くことをその目的としている。
【００４９】攪拌電界系には、攪拌電極３５１を備えて
おり本実施例では攪拌電極３５１として５つの電極があ
る。攪拌電極３５１には、攪拌電源３５２が増幅器３５
３を介して接続されている( 図面には一組しか示してい
ないが、５つの電極全てに接続されている）。攪拌電源
３５２と増幅器３５３は一体となった電源をしようして
もよいが、本実施例では攪拌電源３５２の周波数を幅広
く変化させるためにいわゆるファンクションジェネレー
ター（周波数発生器）を用いるために増幅器３５３が必
要である。攪拌電源３５２は、攪拌電極３５１のそれぞ
れの電極である電極に対応して周波数発生器が用いられ
ている。それぞれの周波数発生器の周波数帯域は０〜１
５ＭＨｚのものを用いた。攪拌電源３５２のそれぞれの
位相差に関係付けが必要な場合にその位相を制御するた
めの位相制御器３５４が攪拌電源３５２に接続されてい
る。
おり本実施例では攪拌電極３５１として５つの電極があ
る。攪拌電極３５１には、攪拌電源３５２が増幅器３５
３を介して接続されている( 図面には一組しか示してい
ないが、５つの電極全てに接続されている）。攪拌電源
３５２と増幅器３５３は一体となった電源をしようして
もよいが、本実施例では攪拌電源３５２の周波数を幅広
く変化させるためにいわゆるファンクションジェネレー
ター（周波数発生器）を用いるために増幅器３５３が必
要である。攪拌電源３５２は、攪拌電極３５１のそれぞ
れの電極である電極に対応して周波数発生器が用いられ
ている。それぞれの周波数発生器の周波数帯域は０〜１
５ＭＨｚのものを用いた。攪拌電源３５２のそれぞれの
位相差に関係付けが必要な場合にその位相を制御するた
めの位相制御器３５４が攪拌電源３５２に接続されてい
る。
【００５０】攪拌磁界系３６０としては、本実施例では
磁石３６１を用いており磁石３６１としては図に示すよ
うに５つの電磁石を用いている。
磁石３６１を用いており磁石３６１としては図に示すよ
うに５つの電磁石を用いている。
【００５１】流量制御器を通ってガス導入口から入った
反応ガスはアノードの中で拡散されてガス噴出噴出小穴
から反応空間へ導かれる。反応空間から基板表面へ達し
た反応ガスは排気口へ流れ、排気ポンプと排気口との間
にある排気流量制御弁のコンダクタンスを制御すること
で反応空間の圧力は所望の圧力に保持される。
反応ガスはアノードの中で拡散されてガス噴出噴出小穴
から反応空間へ導かれる。反応空間から基板表面へ達し
た反応ガスは排気口へ流れ、排気ポンプと排気口との間
にある排気流量制御弁のコンダクタンスを制御すること
で反応空間の圧力は所望の圧力に保持される。
【００５２】本実施例では、基板３８０としてＳｉウェ
ハ６インチφ、８インチφ、１２インチφの上にＡｌを
２μｍ成膜したものを用いて、エッチングの均一性、形
状を比較した。ガスとしてはＳｉＣｌ4 、Ｃｌ2 、ＢＣ
ｌ3 の混合ガスを用いた。ガスの比率としては、ＳｉＣ
ｌ4 ／Ｃｌ2 ／ＢＣｌ3 ＝１／１／４〜３／１／１５の
間で行った。
ハ６インチφ、８インチφ、１２インチφの上にＡｌを
２μｍ成膜したものを用いて、エッチングの均一性、形
状を比較した。ガスとしてはＳｉＣｌ4 、Ｃｌ2 、ＢＣ
ｌ3 の混合ガスを用いた。ガスの比率としては、ＳｉＣ
ｌ4 ／Ｃｌ2 ／ＢＣｌ3 ＝１／１／４〜３／１／１５の
間で行った。
【００５３】カソード３４１は基板に実験に用いた基板
サイズに対応して１８０ｍｍφ、２３０ｍｍφ、３５０
ｍｍφの３サイズを用いた。 カソード電源としては１
３．５６ＭＨｚの高周波電源と５００ｋＨｚの中周波電
源を用いた。電源のパワーとしては０．１〜３ Ｗ／ｃ
ｍ2 の間で行い、カソード３４１とアノードの距離は７
０ｍｍに固定して行った。
サイズに対応して１８０ｍｍφ、２３０ｍｍφ、３５０
ｍｍφの３サイズを用いた。 カソード電源としては１
３．５６ＭＨｚの高周波電源と５００ｋＨｚの中周波電
源を用いた。電源のパワーとしては０．１〜３ Ｗ／ｃ
ｍ2 の間で行い、カソード３４１とアノードの距離は７
０ｍｍに固定して行った。
【００５４】排気系としては、真空容器３１０が約５０
リットルあり、反応圧力を５０〜３００ｍＴｏｒｒに調
整できるようにするために１８００リットル／ｓの排気
速度のものを用いた。反応ガスを含めたがすの総流量を
約５００〜２０００ＳＣＣＭとした。
リットルあり、反応圧力を５０〜３００ｍＴｏｒｒに調
整できるようにするために１８００リットル／ｓの排気
速度のものを用いた。反応ガスを含めたがすの総流量を
約５００〜２０００ＳＣＣＭとした。
【００５５】攪拌電界系としては、隣合う電極の位相が
７２°づつずれるように各フェーズシフターを制御し
た。周波数発生器は１ｋＨｚと５ＭＨｚで行った。1 ｋ
Ｈｚではイオンを平面内にて攪拌する効果をみるためで
あり、５ＭＨｚは電子を平面ないにて攪拌する効果をみ
るためである。攪拌するための電力としては０．０３〜
１ Ｗ／ｃｍ2 にて行った。
７２°づつずれるように各フェーズシフターを制御し
た。周波数発生器は１ｋＨｚと５ＭＨｚで行った。1 ｋ
Ｈｚではイオンを平面内にて攪拌する効果をみるためで
あり、５ＭＨｚは電子を平面ないにて攪拌する効果をみ
るためである。攪拌するための電力としては０．０３〜
１ Ｗ／ｃｍ2 にて行った。
【００５６】攪拌磁界系としては、真空容器３１０の内
壁で２０００ガウスで中央部にいくほど指数関数的に減
少して基板上では最大１００ガウス程度になる磁界を電
磁石にて静磁界と回転磁界を発生させた。結果的には回
転磁界の方が若干効果が大きいが、静磁界でも磁界がな
いよりかなり効果があるので、装置の大きさ等を考慮し
て静磁界でよいときは電磁石ではなく永久磁石でもよ
い。。
壁で２０００ガウスで中央部にいくほど指数関数的に減
少して基板上では最大１００ガウス程度になる磁界を電
磁石にて静磁界と回転磁界を発生させた。結果的には回
転磁界の方が若干効果が大きいが、静磁界でも磁界がな
いよりかなり効果があるので、装置の大きさ等を考慮し
て静磁界でよいときは電磁石ではなく永久磁石でもよ
い。。
【００５７】実験結果は、エッチングレート、エッチン
グ形状はほとんどがエッチング電源の条件と反応ガス比
によって決定してしてしまい攪拌電界系と攪拌磁界系の
効果は見えなかった。異方性エッチングを行うための典
型的な条件としては、ＳｉＣｌ4 ＝８０ＳＣＣＭ、Ｃｌ
2 ＝８０ＳＣＣＭ、ＢＣｌ3 ＝７２０ＳＣＣＭ、圧力１
００ｍＴｏｒｒ、カソード電源周波数１３．５６ＭＨｚ
で電力１．５Ｗ／ｃｍ2 のときにＡｌのエッチングレー
トが平均５０００Å／分であった。
グ形状はほとんどがエッチング電源の条件と反応ガス比
によって決定してしてしまい攪拌電界系と攪拌磁界系の
効果は見えなかった。異方性エッチングを行うための典
型的な条件としては、ＳｉＣｌ4 ＝８０ＳＣＣＭ、Ｃｌ
2 ＝８０ＳＣＣＭ、ＢＣｌ3 ＝７２０ＳＣＣＭ、圧力１
００ｍＴｏｒｒ、カソード電源周波数１３．５６ＭＨｚ
で電力１．５Ｗ／ｃｍ2 のときにＡｌのエッチングレー
トが平均５０００Å／分であった。
【００５８】しかし、エッチングの均一性に関しては、
攪拌電界系と攪拌磁界系の効果が見られた。その効果を
エッチングレートの基板面内バラツキとして表３に示
す。
攪拌電界系と攪拌磁界系の効果が見られた。その効果を
エッチングレートの基板面内バラツキとして表３に示
す。
【００５９】
【表３】
【００６０】表３に表したデータは攪拌電界系として
は、隣合う電極の位相が７２°づつずれるように各フェ
ーズシフターを制御し、周波数発生器は５ＭＨｚで行っ
た。。攪拌電源３５２電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 に
て行った。周波数１ｋＨｚの場合は、余りよい効果は見
られなかった、これは混合ガス系の場合には、イオンの
種類、質量が大きく異なるために、エッチングの化学的
効果を落とすためであり、一元系のガスを用いる場合は
大きな効果がある。
は、隣合う電極の位相が７２°づつずれるように各フェ
ーズシフターを制御し、周波数発生器は５ＭＨｚで行っ
た。。攪拌電源３５２電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 に
て行った。周波数１ｋＨｚの場合は、余りよい効果は見
られなかった、これは混合ガス系の場合には、イオンの
種類、質量が大きく異なるために、エッチングの化学的
効果を落とすためであり、一元系のガスを用いる場合は
大きな効果がある。
【００６１】実験結果から明らかなように、攪拌電界の
効果の大きいことがわかる。特に６インチφ基板では大
きな差は、見受けられないが、基板が８インチφ以上に
大きくなると著しくその効果がわかる。また、１２イン
チφの基板の全面にＭＯＳトランジスタが搭載されたＳ
ｉウェハを置いて、本実施例の反応ガスの代わりに、ヘ
リウムガスを用いて、プラズマを発生させ、基板を取り
出してトランジスタの絶縁破壊した素子の数を測定した
ところ、攪拌電界系がある場合は、無い場合に比較して
破壊された素子数が約１／２しかなく、プラズマ密度の
偏りによるイオン損傷が小さいことがわかる。
効果の大きいことがわかる。特に６インチφ基板では大
きな差は、見受けられないが、基板が８インチφ以上に
大きくなると著しくその効果がわかる。また、１２イン
チφの基板の全面にＭＯＳトランジスタが搭載されたＳ
ｉウェハを置いて、本実施例の反応ガスの代わりに、ヘ
リウムガスを用いて、プラズマを発生させ、基板を取り
出してトランジスタの絶縁破壊した素子の数を測定した
ところ、攪拌電界系がある場合は、無い場合に比較して
破壊された素子数が約１／２しかなく、プラズマ密度の
偏りによるイオン損傷が小さいことがわかる。
【００６２】本実施例からもわかるように、攪拌電界系
の中の攪拌電極の具体的な数は、複数であればどのよう
な数であってもその効果はある。特に基板サイズが８イ
ンチφ以上に大きくなったときにその効果が著しいこと
がわかった。
の中の攪拌電極の具体的な数は、複数であればどのよう
な数であってもその効果はある。特に基板サイズが８イ
ンチφ以上に大きくなったときにその効果が著しいこと
がわかった。
【００６３】〔実施例４〕マルチチャンバーヘの応用と
して、図７にその略構成を示す。図７は、ロボット室４
３０として基本形を四角形としたものである。
して、図７にその略構成を示す。図７は、ロボット室４
３０として基本形を四角形としたものである。
【００６４】図７は、ロード室４１０、アンロード室４
２０、ロボット室４３０、エッチンング室４４０、アッ
シング室４５０、処理室４６０、成膜室４７０から構成
されている。それぞれの室は全て他の室と遮断ー開放が
できるゲート弁を介して接続されている。
２０、ロボット室４３０、エッチンング室４４０、アッ
シング室４５０、処理室４６０、成膜室４７０から構成
されている。それぞれの室は全て他の室と遮断ー開放が
できるゲート弁を介して接続されている。
【００６５】本実施例では、５００□のガラス基板上に
エッチストッパーＳｉＮｘ付ボトムゲート型ＴＦＴのソ
ース・ドレイン電極をパターニングして、その後、水素
化処理を行って、最後に保護膜としてａ─ＳｉＮｘを成
膜して完成させるプロセスを行なった。
エッチストッパーＳｉＮｘ付ボトムゲート型ＴＦＴのソ
ース・ドレイン電極をパターニングして、その後、水素
化処理を行って、最後に保護膜としてａ─ＳｉＮｘを成
膜して完成させるプロセスを行なった。
【００６６】ロード室４１０にセットされた基板は、ロ
ボット室４３１内のロボットにてエッチング室４４０に
搬送される。エッチング室４４０では、本発明をもちい
た攪拌電界系を具備したエッチングシステムがあり、ソ
ースドレイン電極であるＡｌをＳｉＣｌ4 、Ｃｌ2 、Ｂ
Ｃｌ3 の反応ガスを用いてＡｌをエッチングした。エッ
チング条件は実施例３に準じる条件にて行なった。Ａｌ
エッチング終了後、その下のｎ型ａ−Ｓｉを続けてエッ
チングするためにがすをＳＦ6 、Ｃｌ2 にして実施例１
に準じる条件にて行なった。
ボット室４３１内のロボットにてエッチング室４４０に
搬送される。エッチング室４４０では、本発明をもちい
た攪拌電界系を具備したエッチングシステムがあり、ソ
ースドレイン電極であるＡｌをＳｉＣｌ4 、Ｃｌ2 、Ｂ
Ｃｌ3 の反応ガスを用いてＡｌをエッチングした。エッ
チング条件は実施例３に準じる条件にて行なった。Ａｌ
エッチング終了後、その下のｎ型ａ−Ｓｉを続けてエッ
チングするためにがすをＳＦ6 、Ｃｌ2 にして実施例１
に準じる条件にて行なった。
【００６７】エッチング終了後、アッシング室４５０に
基板を搬送して、酸素プラズマにてフォトレジストをア
ッシングして取り除いた。アッシングには、本発明の攪
拌電界系を具備したシステムを用いてもよいが、全面に
あるフォトレジスを全て取り除くことができればよいの
で、通常の平行平板型のプラズマ反応システムとした。
基板を搬送して、酸素プラズマにてフォトレジストをア
ッシングして取り除いた。アッシングには、本発明の攪
拌電界系を具備したシステムを用いてもよいが、全面に
あるフォトレジスを全て取り除くことができればよいの
で、通常の平行平板型のプラズマ反応システムとした。
【００６８】アッシングが終了したのちに、処理室４６
０へ基板を搬送して、フォトレジストの残差が有る場合
は、Ａｒ等によってスパッタクリーニングを行い、特に
残差の無い場合は直ちに、プラズマ水素化処理を行な
う。水素化処理は基板温度１００〜２５０℃、水素２０
０〜８００ＳＣＣＭ、高周波電力０．２〜０．８Ｗ／ｃ
ｍ2 で処理した。水素化処理は、本発明の攪拌電界系を
用いることは有効であり、特に一元系のガスなので、攪
拌電源としては低周波電源が有効であった。隣合う電極
の位相が９０°づつずれるように各フェーズシフターを
制御し、周波数発生器は１ｋＨｚで行った。。攪拌電源
電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 にて行った。ここでエッ
チング以外の処理においても攪拌電界系を具備すること
が有効であることがわかった。
０へ基板を搬送して、フォトレジストの残差が有る場合
は、Ａｒ等によってスパッタクリーニングを行い、特に
残差の無い場合は直ちに、プラズマ水素化処理を行な
う。水素化処理は基板温度１００〜２５０℃、水素２０
０〜８００ＳＣＣＭ、高周波電力０．２〜０．８Ｗ／ｃ
ｍ2 で処理した。水素化処理は、本発明の攪拌電界系を
用いることは有効であり、特に一元系のガスなので、攪
拌電源としては低周波電源が有効であった。隣合う電極
の位相が９０°づつずれるように各フェーズシフターを
制御し、周波数発生器は１ｋＨｚで行った。。攪拌電源
電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 にて行った。ここでエッ
チング以外の処理においても攪拌電界系を具備すること
が有効であることがわかった。
【００６９】処理室４６０での処理が終了したのちにロ
ボット室４３２のロッボットにて成膜室４７０へ搬送さ
れる。成膜室４７０では、保護膜としてＳｉＮx を成膜
する。成膜条件としては、基板温度２００〜２５０℃、
ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 ＝１／５／２０で総流量５００
〜１５００ＳＣＣＭ、高周波電力０．５〜１．０Ｗ／ｃ
ｍ2 で成膜した。成膜室４７０にても本発明の攪拌電界
系を用いることは有効であり、攪拌電源としては高周波
電源が有効であった。隣合う電極の位相が９０°づつず
れるように各フェーズシフターを制御し、周波数発生器
は５ＭＨｚで行った。。攪拌電源電力としては０．５Ｗ
／ｃｍ2 にて行った。ここでエッチング以外の処理にお
いても攪拌電界系を具備することが有効であることがわ
かった。成膜終了後にアンロード室４２０へ基板は搬送
される。
ボット室４３２のロッボットにて成膜室４７０へ搬送さ
れる。成膜室４７０では、保護膜としてＳｉＮx を成膜
する。成膜条件としては、基板温度２００〜２５０℃、
ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 ＝１／５／２０で総流量５００
〜１５００ＳＣＣＭ、高周波電力０．５〜１．０Ｗ／ｃ
ｍ2 で成膜した。成膜室４７０にても本発明の攪拌電界
系を用いることは有効であり、攪拌電源としては高周波
電源が有効であった。隣合う電極の位相が９０°づつず
れるように各フェーズシフターを制御し、周波数発生器
は５ＭＨｚで行った。。攪拌電源電力としては０．５Ｗ
／ｃｍ2 にて行った。ここでエッチング以外の処理にお
いても攪拌電界系を具備することが有効であることがわ
かった。成膜終了後にアンロード室４２０へ基板は搬送
される。
【００７０】〔実施例５〕図８はマルチチャンバーへの
応用をとしてロボット室５３０として五角形を基本とし
たもので、ロード・アンロード室５１０、ロボット室５
３０、エッチンング室５４０、アッシング室５５０、処
理室５６０、成膜室５７０から構成されている。それぞ
れの室は全て他の室と遮断ー開放ができるゲート弁を介
して接続されている。
応用をとしてロボット室５３０として五角形を基本とし
たもので、ロード・アンロード室５１０、ロボット室５
３０、エッチンング室５４０、アッシング室５５０、処
理室５６０、成膜室５７０から構成されている。それぞ
れの室は全て他の室と遮断ー開放ができるゲート弁を介
して接続されている。
【００７１】本実施例では、１２インチφのＳｉウェハ
上に積層構造があり最上部の配線をパターニングして、
その後、表面処理を行って、最後に保護膜としてａ─Ｓ
ｉＯx を成膜して完成させるプロセスを行なった。
上に積層構造があり最上部の配線をパターニングして、
その後、表面処理を行って、最後に保護膜としてａ─Ｓ
ｉＯx を成膜して完成させるプロセスを行なった。
【００７２】ロード・アンロード室５１０にセットされ
た基板は、ロボット室５３０内のロボットにてエッチン
グ室５４０に搬送される。エッチング室５４０では、本
発明をもちいた攪拌電界系を具備したエッチングシステ
ムがあり、配線電極であるＡｌをＳｉＣｌ4 、Ｃｌ2 、
ＢＣｌ3 の反応ガスを用いてＡｌをエッチングした。エ
ッチング条件は実施例３に準じる条件にて行なった。
た基板は、ロボット室５３０内のロボットにてエッチン
グ室５４０に搬送される。エッチング室５４０では、本
発明をもちいた攪拌電界系を具備したエッチングシステ
ムがあり、配線電極であるＡｌをＳｉＣｌ4 、Ｃｌ2 、
ＢＣｌ3 の反応ガスを用いてＡｌをエッチングした。エ
ッチング条件は実施例３に準じる条件にて行なった。
【００７３】エッチング終了後、アッシング室５５０に
基板を搬送して、酸素プラズマにてフォトレジストをア
ッシングして取り除いた。アッシングには、本発明の攪
拌電界系を具備したシステムを用いてもよいが、全面に
あるフォトレジスを全て取り除くことができればよいの
で、通常の平行平板がたのプラズマ反応システムとし
た。
基板を搬送して、酸素プラズマにてフォトレジストをア
ッシングして取り除いた。アッシングには、本発明の攪
拌電界系を具備したシステムを用いてもよいが、全面に
あるフォトレジスを全て取り除くことができればよいの
で、通常の平行平板がたのプラズマ反応システムとし
た。
【００７４】アッシングが終了したのちに、処理室５６
０へ基板を搬送して、フォトレジストの残差が有る場合
は、Ａｒ等によってスパッタクリーニングを行い、特に
残差の無い場合は直ちに、プラズマ水素化処理を行な
う。水素化処理は基板温度１００〜２５０℃、水素２０
０〜８００ＳＣＣＭ、高周波電力０．２〜０．８Ｗ／ｃ
ｍ2 で処理した。水素化処理は、本発明の攪拌電界系を
用いることは有効であり、特に一元系のガスなので、攪
拌電源としては低周波電源が有効であった。隣合う電極
の位相が７２°づつずれるように各フェーズシフターを
制御し、周波数発生器は１ｋＨｚで行った。。攪拌電源
電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 にて行った。ここでエッ
チング以外の処理においても攪拌電界系を具備すること
が有効であることがわかった。
０へ基板を搬送して、フォトレジストの残差が有る場合
は、Ａｒ等によってスパッタクリーニングを行い、特に
残差の無い場合は直ちに、プラズマ水素化処理を行な
う。水素化処理は基板温度１００〜２５０℃、水素２０
０〜８００ＳＣＣＭ、高周波電力０．２〜０．８Ｗ／ｃ
ｍ2 で処理した。水素化処理は、本発明の攪拌電界系を
用いることは有効であり、特に一元系のガスなので、攪
拌電源としては低周波電源が有効であった。隣合う電極
の位相が７２°づつずれるように各フェーズシフターを
制御し、周波数発生器は１ｋＨｚで行った。。攪拌電源
電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 にて行った。ここでエッ
チング以外の処理においても攪拌電界系を具備すること
が有効であることがわかった。
【００７５】処理室５６０での処理が終了したのちにロ
ボット室５３０のロッボットにて成膜室５７０へ搬送さ
れる。成膜室５７０では、保護膜としてＳｉＯｘを成膜
する。成膜条件としては、基板温度２００〜２５０℃、
ＴＥＯＳ／Ｏ２＝１／１０で総流量５００〜１５００Ｓ
ＣＣＭ、高周波電力０．５〜１．０Ｗ／ｃｍ2 で成膜し
た。成膜室５７０にても本発明の攪拌電界系を用いるこ
とは有効であり、攪拌電源としては高周波電源が有効で
あった。隣合う電極の位相が７２°づつずれるように各
フェーズシフターを制御し、周波数発生器は５ＭＨｚで
行った。。攪拌電源電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 にて
行った。ここでエッチング以外の処理においても攪拌電
界系を具備することが有効であることがわかった。成膜
終了後にアンロード室５２０へ基板は搬送される。
ボット室５３０のロッボットにて成膜室５７０へ搬送さ
れる。成膜室５７０では、保護膜としてＳｉＯｘを成膜
する。成膜条件としては、基板温度２００〜２５０℃、
ＴＥＯＳ／Ｏ２＝１／１０で総流量５００〜１５００Ｓ
ＣＣＭ、高周波電力０．５〜１．０Ｗ／ｃｍ2 で成膜し
た。成膜室５７０にても本発明の攪拌電界系を用いるこ
とは有効であり、攪拌電源としては高周波電源が有効で
あった。隣合う電極の位相が７２°づつずれるように各
フェーズシフターを制御し、周波数発生器は５ＭＨｚで
行った。。攪拌電源電力としては０．５Ｗ／ｃｍ2 にて
行った。ここでエッチング以外の処理においても攪拌電
界系を具備することが有効であることがわかった。成膜
終了後にアンロード室５２０へ基板は搬送される。
【００７６】〔実施例６〕図９はマルチチャンバーの応
用としてロボット室６３０を六角形としたもので、ロー
ド室６１０、アンロード室６２０、ロボット室６３０、
エッチンング室６４０、アッシング室６５０、処理室６
６０、成膜室６７０から構成されている。それぞれの室
は全て他の室と遮断ー開放ができるゲート弁を介して接
続されている。
用としてロボット室６３０を六角形としたもので、ロー
ド室６１０、アンロード室６２０、ロボット室６３０、
エッチンング室６４０、アッシング室６５０、処理室６
６０、成膜室６７０から構成されている。それぞれの室
は全て他の室と遮断ー開放ができるゲート弁を介して接
続されている。
【００７７】本実施例では、５００□のガラス基板上に
エッチストッパーＳｉＮｘ付ボトムゲート型ＴＦＴのソ
ース・ドレイン電極をパターニングして、その後、水素
化処理を行って、最後に保護膜としてａ─ＳｉＮｘを成
膜して完成させるプロセスを行なった。
エッチストッパーＳｉＮｘ付ボトムゲート型ＴＦＴのソ
ース・ドレイン電極をパターニングして、その後、水素
化処理を行って、最後に保護膜としてａ─ＳｉＮｘを成
膜して完成させるプロセスを行なった。
【００７８】ロード室６１０にセットされた基板は、ロ
ボット室６３０内のロボットにてエッチング室６４０に
搬送される。エッチング室６４０では、本発明をもちい
た攪拌電界系を具備したエッチングシステムがあり、ソ
ースドレイン電極であるＡｌをＳｉＣｌ4 、Ｃｌ2 、Ｂ
Ｃｌ3 の反応ガスを用いてＡｌをエッチングした。エッ
チング条件は実施例３に準じる条件にて行なった。Ａｌ
エッチング終了後、その下のｎ型ａ−Ｓｉを続けてエッ
チングするためにがすをＳＦ6 、Ｃｌ2 にして実施例２
に準じる条件にて行なった。
ボット室６３０内のロボットにてエッチング室６４０に
搬送される。エッチング室６４０では、本発明をもちい
た攪拌電界系を具備したエッチングシステムがあり、ソ
ースドレイン電極であるＡｌをＳｉＣｌ4 、Ｃｌ2 、Ｂ
Ｃｌ3 の反応ガスを用いてＡｌをエッチングした。エッ
チング条件は実施例３に準じる条件にて行なった。Ａｌ
エッチング終了後、その下のｎ型ａ−Ｓｉを続けてエッ
チングするためにがすをＳＦ6 、Ｃｌ2 にして実施例２
に準じる条件にて行なった。
【００７９】エッチング終了後、アッシング室６５０に
基板を搬送して、酸素プラズマにてフォトレジストをア
ッシングして取り除いた。アッシングには、本発明の攪
拌電界系を具備したシステムを用いてもよいが、全面に
あるフォトレジスを全て取り除くことができればよいの
で、通常の平行平板がたのプラズマ反応システムとし
た。
基板を搬送して、酸素プラズマにてフォトレジストをア
ッシングして取り除いた。アッシングには、本発明の攪
拌電界系を具備したシステムを用いてもよいが、全面に
あるフォトレジスを全て取り除くことができればよいの
で、通常の平行平板がたのプラズマ反応システムとし
た。
【００８０】アッシングが終了したのちに、処理室６６
０へ基板を搬送して、フォトレジストの残差が有る場合
は、Ａｒ等によってスパッタクリーニングを行い、特に
残差の無い場合は直ちに、プラズマ水素化処理を行な
う。水素化処理は基板温度１００〜２５０℃、水素２０
０〜８００ＳＣＣＭ、高周波電力０．２〜０．８Ｗ／ｃ
ｍ2 で処理した。水素化処理は、本発明の攪拌電界系を
用いることは有効であり、特に一元系のガスなので、攪
拌電源としては低周波電源が有効であった。隣合う電極
の位相が６０°づつずれるように各フェーズシフターを
制御し、周波数発生器は１ｋＨｚで行った。。攪拌電源
電力としては０．５Ｗ／ｃｍ２にて行った。ここでエッ
チング以外の処理においても攪拌電界系を具備すること
が有効であることがわかった。
０へ基板を搬送して、フォトレジストの残差が有る場合
は、Ａｒ等によってスパッタクリーニングを行い、特に
残差の無い場合は直ちに、プラズマ水素化処理を行な
う。水素化処理は基板温度１００〜２５０℃、水素２０
０〜８００ＳＣＣＭ、高周波電力０．２〜０．８Ｗ／ｃ
ｍ2 で処理した。水素化処理は、本発明の攪拌電界系を
用いることは有効であり、特に一元系のガスなので、攪
拌電源としては低周波電源が有効であった。隣合う電極
の位相が６０°づつずれるように各フェーズシフターを
制御し、周波数発生器は１ｋＨｚで行った。。攪拌電源
電力としては０．５Ｗ／ｃｍ２にて行った。ここでエッ
チング以外の処理においても攪拌電界系を具備すること
が有効であることがわかった。
【００８１】処理室６６０での処理が終了したのちにロ
ボット室６３０のロッボットにて成膜室６７０へ搬送さ
れる。成膜室６７０では、保護膜としてＳｉＮx を成膜
する。成膜条件としては、基板温度２００〜２５０℃、
ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 ＝１／５／２０で総流量５００
〜１５００ＳＣＣＭ、高周波電力０．５〜１．０Ｗ／ｃ
ｍ2 で成膜した。成膜室６７０にても本発明の攪拌電界
系を用いることは有効であり、攪拌電源としては高周波
電源が有効であった。隣合う電極の位相が６０°づつず
れるように各フェーズシフターを制御し、周波数発生器
は５ＭＨｚで行った。攪拌電源電力としては０．５Ｗ／
ｃｍ2 にて行った。ここでエッチング以外の処理におい
ても攪拌電界系を具備することが有効であることがわか
った。成膜終了後にアンロード室６２０へ基板は搬送さ
れる。
ボット室６３０のロッボットにて成膜室６７０へ搬送さ
れる。成膜室６７０では、保護膜としてＳｉＮx を成膜
する。成膜条件としては、基板温度２００〜２５０℃、
ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 ＝１／５／２０で総流量５００
〜１５００ＳＣＣＭ、高周波電力０．５〜１．０Ｗ／ｃ
ｍ2 で成膜した。成膜室６７０にても本発明の攪拌電界
系を用いることは有効であり、攪拌電源としては高周波
電源が有効であった。隣合う電極の位相が６０°づつず
れるように各フェーズシフターを制御し、周波数発生器
は５ＭＨｚで行った。攪拌電源電力としては０．５Ｗ／
ｃｍ2 にて行った。ここでエッチング以外の処理におい
ても攪拌電界系を具備することが有効であることがわか
った。成膜終了後にアンロード室６２０へ基板は搬送さ
れる。
【００８２】
【効果】ＲＩＥ型のエッチング装置に攪拌電界系を具備
することにより、８インチ以上の基板においてそのエッ
チングレートの均一性が、攪拌電界系を具備しない場合
よりも向上した。また、装置の大型化に伴い装置のガス
流の精密制御に対して、製造マージンをあたえることが
でき、装置の小型軽量化とメンテナンス性の高い装置を
作製することができた。しかも、マルチチャンバーへの
応用も簡易にできる。攪拌電界系を具備することで、エ
ッチング以外のプラズマ処理にも同様の効果を見た。
することにより、８インチ以上の基板においてそのエッ
チングレートの均一性が、攪拌電界系を具備しない場合
よりも向上した。また、装置の大型化に伴い装置のガス
流の精密制御に対して、製造マージンをあたえることが
でき、装置の小型軽量化とメンテナンス性の高い装置を
作製することができた。しかも、マルチチャンバーへの
応用も簡易にできる。攪拌電界系を具備することで、エ
ッチング以外のプラズマ処理にも同様の効果を見た。
【図１】 従来例のマグネトロンＲＩＥ型エッチング装
置の概要図である。
置の概要図である。
【図２】 実施例１のエッチング装置の構成図である。
【図３】 図２のＸ−Ｙで切った断面図である。
【図４】 実施例２のエッチング装置の構成図である。
【図５】 図５のＸ−Ｙで切った断面図である。
【図６】 実施例３のＲＩＥ型エッチング装置の構成図
である。
である。
【図７】 実施例４のマルチチャンバー型のエッチング
装置の概要構成図である。
装置の概要構成図である。
【図８】 実施例５のマルチチャンバー型のエッチング
装置の概要構成図である。
装置の概要構成図である。
【図９】 実施例６のマルチチャンバー型のエッチング
装置の概要構成図である。
装置の概要構成図である。
１１０ 真空容器 １２０ ガス系 １２１ ガス導入口 １２２ 流量制御器 １２３ ガス噴出口 １２４ アノード
１３０ 排気系 １３１ ガス排気口 １３２ 排気流量制御弁 １３３ 排気ポンプ １４０ エッチング電源 １４１ カソード １４２ 整合器 １４３ カソード電源 １５０ 攪拌電界系 １５１ 攪拌電極 １５１ａ 電極ａ １５１ｂ 電極ｂ １５１ｃ 電極ｃ １５１ｄ 電極ｄ １５２ 攪拌電源 １５２ａ 周波数発生器ａ １５２ｂ 周波数発生器ｂ １５２ｃ 周波数発生器ｃ １５２ｃ 周波数発生器ｃ １５３ 増幅器 １５３ａ アンプａ １５３ｂ アンプｂ １５３ｃ アンプｃ １５３ｄ アンプｄ １５４ 位相制御器 １５４ａ フェーズシフターａ １５４ｂ フェーズシフターｂ １５４ｃ フェーズシフターｃ １５４ｄ フェーズシフターｄ １６０ 攪拌磁界系 １６１ 磁石 １６１ａ 電磁石ａ １６１ｂ 電磁石ｂ １６１ｃ 電磁石ｃ １６１ｄ 電磁石ｄ １７０ 反応空間 １８０ 基板
１３０ 排気系 １３１ ガス排気口 １３２ 排気流量制御弁 １３３ 排気ポンプ １４０ エッチング電源 １４１ カソード １４２ 整合器 １４３ カソード電源 １５０ 攪拌電界系 １５１ 攪拌電極 １５１ａ 電極ａ １５１ｂ 電極ｂ １５１ｃ 電極ｃ １５１ｄ 電極ｄ １５２ 攪拌電源 １５２ａ 周波数発生器ａ １５２ｂ 周波数発生器ｂ １５２ｃ 周波数発生器ｃ １５２ｃ 周波数発生器ｃ １５３ 増幅器 １５３ａ アンプａ １５３ｂ アンプｂ １５３ｃ アンプｃ １５３ｄ アンプｄ １５４ 位相制御器 １５４ａ フェーズシフターａ １５４ｂ フェーズシフターｂ １５４ｃ フェーズシフターｃ １５４ｄ フェーズシフターｄ １６０ 攪拌磁界系 １６１ 磁石 １６１ａ 電磁石ａ １６１ｂ 電磁石ｂ １６１ｃ 電磁石ｃ １６１ｄ 電磁石ｄ １７０ 反応空間 １８０ 基板
Claims (18)
- 【請求項１】 ８インチφ以上の基板上あるいは２００
ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行う
ためのエッチング装置であって、エッチング電源とは別
に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に電
界を印加できるように配置された攪拌電極があり、前記
攪拌電極には増幅器を介して攪拌電源が接続されている
攪拌電界系と攪拌磁界系を具備したことを特徴とするエ
ッチング装置。 - 【請求項２】 ８インチφ以上の基板上あるいは２００
ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行う
ためのエッチング装置であって、エッチング電源とは別
に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に電
界を印加できるように配置された攪拌電極があり、前記
攪拌電極には増幅器を介して攪拌電源が接続されてお
り、前記攪拌電源には位相制御器が接続されている攪拌
電界系と攪拌磁界系を具備したことを特徴とするエッチ
ング装置。 - 【請求項３】 ８インチφ以上の基板上あるいは２００
ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行う
ためのエッチング装置であって、エッチング電源とは別
に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に電
界を印加できるように配置された２つ以上の複数の電極
から成る攪拌電極があり、前記攪拌電極には増幅器を介
して攪拌電源が接続されており、前記攪拌電源には位相
制御器が接続されている攪拌電界系と攪拌磁界系を具備
したことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項４】 ８インチφ以上の基板上あるいは２００
ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行う
ためのエッチング装置であって、エッチング電源とは別
に、プラズマ反応空間の回りに攪拌電界系と攪拌磁界系
を具備し、ガス導入口が基板面に相対した近傍にないこ
とを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項５】 ８インチφ以上の基板上あるいは２００
ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行う
ためのエッチング装置であって、エッチング電源とは別
に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に電
界を印加できるように配置された攪拌電極がある攪拌電
界系と攪拌磁界系を具備し、ガス導入口が基板面に相対
した近傍にないことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項６】 ８インチφ以上の基板上あるいは２００
ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行う
ためのエッチング装置であって、エッチング電源とは別
に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に電
界を印加できるように配置された攪拌電極があり、前記
攪拌電極には増幅器を介して攪拌電源が接続されている
攪拌電界系と攪拌磁界系を具備し、ガス導入口が基板面
に相対した近傍にないことを特徴とするエッチング装
置。 - 【請求項７】 ８インチφ以上の基板上あるいは２００
ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行う
ためのエッチング装置であって、エッチング電源とは別
に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に電
界を印加できるように配置された攪拌電極があり、前記
攪拌電極には増幅器を介して攪拌電源が接続されてお
り、前記攪拌電源には位相制御器が接続されている攪拌
電界系と攪拌磁界系を具備し、ガス導入口が基板面に相
対した近傍にないことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項８】 ８インチφ以上の基板上あるいは２００
ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行う
ためのエッチング装置であって、エッチング電源とは別
に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に電
界を印加できるように配置された２つ以上の複数の電極
から成る攪拌電極があり、前記攪拌電極には増幅器を介
して攪拌電源が接続されており、前記攪拌電源には位相
制御器が接続されている攪拌電界系と攪拌磁界系を具備
し、ガス導入口が基板面に相対した近傍にないことを特
徴とするエッチング装置。 - 【請求項９】 ８インチφ以上の基板上あるいは２００
ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行う
ためのエッチング装置であって、エッチング電源とは別
に、プラズマ反応空間の回りに攪拌電界系と攪拌磁界系
を具備し、ガス排気口が基板の周囲近傍にないことを特
徴とするエッチング装置。 - 【請求項１０】 ８インチφ以上の基板上あるいは２０
０ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行
うためのエッチング装置であって、エッチング電源とは
別に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に
電界を印加できるように配置された攪拌電極がある攪拌
電界系と攪拌磁界系を具備し、ガス排気口が基板の周囲
近傍にないことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項１１】 ８インチφ以上の基板上あるいは２０
０ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行
うためのエッチング装置であって、エッチング電源とは
別に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に
電界を印加できるように配置された攪拌電極があり、前
記攪拌電極には増幅器を介して攪拌電源が接続されてい
る攪拌電界系と攪拌磁界系を具備し、ガス排気口が基板
の周囲近傍にないことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項１２】 ８インチφ以上の基板上あるいは２０
０ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行
うためのエッチング装置であって、エッチング電源とは
別に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に
電界を印加できるように配置された攪拌電極があり、前
記攪拌電極には増幅器を介して攪拌電源が接続されてお
り、前記攪拌電源には位相制御器が接続されている攪拌
電界系と攪拌磁界系を具備し、ガス排気口が基板の周囲
近傍にないことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項１３】 ８インチφ以上の基板上あるいは２０
０ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行
うためのエッチング装置であって、エッチング電源とは
別に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に
電界を印加できるように配置された２つ以上の複数の電
極から成る攪拌電極があり、前記攪拌電極には増幅器を
介して攪拌電源が接続されており、前記攪拌電源には位
相制御器が接続されている攪拌電界系と攪拌磁界系を具
備し、ガス排気口が基板の周囲近傍にないことことを特
徴とするエッチング装置。 - 【請求項１４】 ８インチφ以上の基板上あるいは２０
０ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行
うためのエッチング装置であって、エッチング電源とは
別に、プラズマ反応空間の回りに攪拌電界系と攪拌磁界
系を具備し、ガス導入口が基板面に相対した近傍になく
かつガス排気口が基板の周囲近傍にないことを特徴とす
るエッチング装置。 - 【請求項１５】 ８インチφ以上の基板上あるいは２０
０ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行
うためのエッチング装置であって、エッチング電源とは
別に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に
電界を印加できるように配置された攪拌電極がある攪拌
電界系と攪拌磁界系を具備し、ガス導入口が基板面に相
対した近傍になくかつガス排気口が基板の周囲近傍にな
いことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項１６】 ８インチφ以上の基板上あるいは２０
０ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行
うためのエッチング装置であって、エッチング電源とは
別に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に
電界を印加できるように配置された攪拌電極があり、前
記攪拌電極には増幅器を介して攪拌電源が接続されてい
る攪拌電界系と攪拌磁界系を具備し、ガス導入口が基板
面に相対した近傍になくかつガス排気口が基板の周囲近
傍にないことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項１７】 ８インチφ以上の基板上あるいは２０
０ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行
うためのエッチング装置であって、エッチング電源とは
別に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に
電界を印加できるように配置された攪拌電極があり、前
記攪拌電極には増幅器を介して攪拌電源が接続されてお
り、前記攪拌電源には位相制御器が接続されている攪拌
電界系と攪拌磁界系を具備し、ガス導入口が基板面に相
対した近傍になくかつガス排気口が基板の周囲近傍にな
いことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項１８】 ８インチφ以上の基板上あるいは２０
０ｍｍ□以上の基板上の薄膜のプラズマエッチングを行
うためのエッチング装置であって、エッチング電源とは
別に、プラズマ反応空間の回りに基板面に対して平行に
電界を印加できるように配置された２つ以上の複数の電
極から成る攪拌電極があり、前記攪拌電極には増幅器を
介して攪拌電源が接続されており、前記攪拌電源には位
相制御器が接続されている攪拌電界系と攪拌磁界系を具
備し、ガス導入口が基板面に相対した近傍になくかつガ
ス排気口が基板の周囲近傍にないことを特徴とするエッ
チング装置。
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