JPH09129607A - マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法Info
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- JPH09129607A JPH09129607A JP7285083A JP28508395A JPH09129607A JP H09129607 A JPH09129607 A JP H09129607A JP 7285083 A JP7285083 A JP 7285083A JP 28508395 A JP28508395 A JP 28508395A JP H09129607 A JPH09129607 A JP H09129607A
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- etching
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- H01J37/32697—Electrostatic control
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁界を用いずに１ｍＴｏｒｒ程度の低圧条件
でも大面積均一に高密度プラズマを発生でき、高速に大
面積基体を超微細パターンエッチングできるマイクロ波
プラズマエッチング装置及び方法を提供する。 【解決手段】 プラズマエッチング室１０１と該エッチ
ング室内に配された被処理基体１０２支持手段と、該基
体支持手段に対向するように配された多数の孔を有する
平板からなる該エッチング室内へのガス導入手段１０４
と、該エッチング室内の排気手段１０５と、該エッチン
グ室の周囲に配された複数のスロットを備えた無終端環
状導波管１０９を用いるマイクロ波導入手段と、該基体
支持体への高周波電力供給手段とで構成されることを特
徴とする。
でも大面積均一に高密度プラズマを発生でき、高速に大
面積基体を超微細パターンエッチングできるマイクロ波
プラズマエッチング装置及び方法を提供する。 【解決手段】 プラズマエッチング室１０１と該エッチ
ング室内に配された被処理基体１０２支持手段と、該基
体支持手段に対向するように配された多数の孔を有する
平板からなる該エッチング室内へのガス導入手段１０４
と、該エッチング室内の排気手段１０５と、該エッチン
グ室の周囲に配された複数のスロットを備えた無終端環
状導波管１０９を用いるマイクロ波導入手段と、該基体
支持体への高周波電力供給手段とで構成されることを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマエッチン
グ装置及び方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、
高速に大面積基体の超微細パターンエッチングを行うた
めの、マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法に関
する。
グ装置及び方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、
高速に大面積基体の超微細パターンエッチングを行うた
めの、マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩ等の電子部品の製造におけるパ
ターン形成には、対向した平行平板型電極間に高周波電
力を印加するリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）
装置が多く用いられてきた。ＲＩＥ装置を図２に示す。
２０１はエッチング室、２０２は被処理基体、２０３は
基体２０２の支持体、２０４はガス導入手段、２０５は
排気手段、２０６は高周波電源である。エッチングは以
下のようにして行う。排気手段２０５を介してエッチン
グ室２０１内を真空排気する。続いてエッチング用ガス
をガス導入手段２０４を介して所定の流量でエッチング
室内に導入する。次に、排気手段２０５に設けられたコ
ンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、エッチング室
２０１内を所定の圧力に保持する。高周波電源２０６よ
り所望の電力を基体支持体２０３へ供給する。電子が高
周波電界により加速され、エッチング室２０１内にプラ
ズマが発生する。エッチング用ガスはプラズマにより電
離し、生成したイオンが基体２０２近傍に形成されたセ
ルフバイアス電界により加速され、基体表面に入射しエ
ッチングする。
ターン形成には、対向した平行平板型電極間に高周波電
力を印加するリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）
装置が多く用いられてきた。ＲＩＥ装置を図２に示す。
２０１はエッチング室、２０２は被処理基体、２０３は
基体２０２の支持体、２０４はガス導入手段、２０５は
排気手段、２０６は高周波電源である。エッチングは以
下のようにして行う。排気手段２０５を介してエッチン
グ室２０１内を真空排気する。続いてエッチング用ガス
をガス導入手段２０４を介して所定の流量でエッチング
室内に導入する。次に、排気手段２０５に設けられたコ
ンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、エッチング室
２０１内を所定の圧力に保持する。高周波電源２０６よ
り所望の電力を基体支持体２０３へ供給する。電子が高
周波電界により加速され、エッチング室２０１内にプラ
ズマが発生する。エッチング用ガスはプラズマにより電
離し、生成したイオンが基体２０２近傍に形成されたセ
ルフバイアス電界により加速され、基体表面に入射しエ
ッチングする。
【０００３】しかしながら、近年、素子の高集積化に伴
うパターンの微細化が要求され、従来のＲＩＥ装置では
イオン入射方向の異方性を保てる１ｍＴｏｒｒ程度の低
圧での放電が難しいので、微細パターンの異方性エッチ
ングができなくなってきている。
うパターンの微細化が要求され、従来のＲＩＥ装置では
イオン入射方向の異方性を保てる１ｍＴｏｒｒ程度の低
圧での放電が難しいので、微細パターンの異方性エッチ
ングができなくなってきている。
【０００４】こうしたＲＩＥ装置に代わるエッチング装
置として１０-3Ｔｏｒｒ程度の低圧条件でも放電可能
な、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用したプラ
ズマエッチング装置が検討されてきた。ＥＣＲは、磁束
密度８７．５ｍＴｏｒｒの場合、磁力線の周りを電子が
回転する電子サイクロトロン周波数が、マイクロ波の一
般的な周波数２．４５ＧＨｚと一致し、電子がマイクロ
波を共鳴的に吸収して加速され、高密度プラズマが発生
する現象である。ＥＣＲエッチング装置を図３に示す。
３０１はエッチング室、３０２は被処理基体、３０３は
基体３０２の支持体、３０４はガス導入手段、３０５は
排気手段、３０６は高周波電源、３０７はマイクロ波導
入窓、３０８は磁界発生手段である。エッチングは以下
のようにして行う。排気手段３０５を介してエッチング
室３０１内を真空排気する。続いてエッチング用ガスを
ガス導入手段３０４を介して所定の流量でエッチング室
内に導入する。次に排気手段３０５に設けられたコンダ
クタンスバルブ（不図示）を調整し、エッチング室３０
１内を所定の圧力に保持する。磁界発生手段３０８を介
してエッチング室３０１内に８７５Ｇの磁界を発生する
と共に、マイクロ波電力をマイクロ波導入窓３０７を通
してエッチング室３０１に導入することによりプラズマ
が発生する。電子が磁力線の周りを螺旋運動し、その回
転周波数がマイクロ波の周波数（通常２．４５ＧＨｚ）
と一致した場合（磁束密度８７５Ｇ）に共鳴的にマイク
ロ波を吸収して加速され、さらに衝突により中性分子を
電離させ、高密度プラズマが形成される。このとき、高
周波電源３０６より所望の電力を基体支持体３０３へ供
給することにより、イオンが基体３０２近傍に形成され
たセルフバイアス電界により加速され、基体表面に入射
しエッチングする。
置として１０-3Ｔｏｒｒ程度の低圧条件でも放電可能
な、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用したプラ
ズマエッチング装置が検討されてきた。ＥＣＲは、磁束
密度８７．５ｍＴｏｒｒの場合、磁力線の周りを電子が
回転する電子サイクロトロン周波数が、マイクロ波の一
般的な周波数２．４５ＧＨｚと一致し、電子がマイクロ
波を共鳴的に吸収して加速され、高密度プラズマが発生
する現象である。ＥＣＲエッチング装置を図３に示す。
３０１はエッチング室、３０２は被処理基体、３０３は
基体３０２の支持体、３０４はガス導入手段、３０５は
排気手段、３０６は高周波電源、３０７はマイクロ波導
入窓、３０８は磁界発生手段である。エッチングは以下
のようにして行う。排気手段３０５を介してエッチング
室３０１内を真空排気する。続いてエッチング用ガスを
ガス導入手段３０４を介して所定の流量でエッチング室
内に導入する。次に排気手段３０５に設けられたコンダ
クタンスバルブ（不図示）を調整し、エッチング室３０
１内を所定の圧力に保持する。磁界発生手段３０８を介
してエッチング室３０１内に８７５Ｇの磁界を発生する
と共に、マイクロ波電力をマイクロ波導入窓３０７を通
してエッチング室３０１に導入することによりプラズマ
が発生する。電子が磁力線の周りを螺旋運動し、その回
転周波数がマイクロ波の周波数（通常２．４５ＧＨｚ）
と一致した場合（磁束密度８７５Ｇ）に共鳴的にマイク
ロ波を吸収して加速され、さらに衝突により中性分子を
電離させ、高密度プラズマが形成される。このとき、高
周波電源３０６より所望の電力を基体支持体３０３へ供
給することにより、イオンが基体３０２近傍に形成され
たセルフバイアス電界により加速され、基体表面に入射
しエッチングする。
【０００５】このようなＥＣＲエッチング装置を用いる
ことにより、１ｍＴｏｒｒ程度の低圧条件でも放電可能
になり、微細パターンの異方性エッチングが可能にな
る。
ことにより、１ｍＴｏｒｒ程度の低圧条件でも放電可能
になり、微細パターンの異方性エッチングが可能にな
る。
【０００６】しかしながら、図３に示したようなＥＣＲ
エッチング装置は、磁界を均一に発生するのが難しくエ
ッチングの不均一や基体表面方向の電荷分離による素子
破壊の問題がある。また、電子温度が高くなるために、
アスペクト比の高い微細パターンを加工する場合、基体
深さ方向の電荷分離により異常エッチング（ノッチ）が
発生しやすい。
エッチング装置は、磁界を均一に発生するのが難しくエ
ッチングの不均一や基体表面方向の電荷分離による素子
破壊の問題がある。また、電子温度が高くなるために、
アスペクト比の高い微細パターンを加工する場合、基体
深さ方向の電荷分離により異常エッチング（ノッチ）が
発生しやすい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
した従来のプラズマエッチング装置における問題点を解
決し、磁場を用いずに１ｍＴｏｒｒ程度の低圧条件でも
高密度かつ大面積均一なプラズマを発生でき、高速に大
面積基体の超微細パターンエッチングを行うことが可能
なプラズマエッチング装置及び方法を提供することにあ
る。
した従来のプラズマエッチング装置における問題点を解
決し、磁場を用いずに１ｍＴｏｒｒ程度の低圧条件でも
高密度かつ大面積均一なプラズマを発生でき、高速に大
面積基体の超微細パターンエッチングを行うことが可能
なプラズマエッチング装置及び方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来のプラ
ズマエッチング装置における上述した問題点を解決し、
上記目的を達成すべく鋭意努力をした結果、概要、プラ
ズマエッチング室と、エッチング室内に配された被処理
基体支持手段と、基体支持手段に対向するように配され
た多数の孔を有する平板からなるガス導入手段と、エッ
チング室内の排気手段と、エッチング室の周囲に配され
た無終端環状マルチスロット導波管を用いるマイクロ波
導入手段と、基体支持手段への高周波電力供給手段とを
設けることにより、磁界を用いずに１ｍＴｏｒｒ程度の
低圧条件でも高密度かつ大面積均一なプラズマを発生で
き、高速に大面積基体の超微細パターンエッチングがで
きるという知見を得て、本発明は完成されたもので、前
記の目的は以下の手段によって達成される。
ズマエッチング装置における上述した問題点を解決し、
上記目的を達成すべく鋭意努力をした結果、概要、プラ
ズマエッチング室と、エッチング室内に配された被処理
基体支持手段と、基体支持手段に対向するように配され
た多数の孔を有する平板からなるガス導入手段と、エッ
チング室内の排気手段と、エッチング室の周囲に配され
た無終端環状マルチスロット導波管を用いるマイクロ波
導入手段と、基体支持手段への高周波電力供給手段とを
設けることにより、磁界を用いずに１ｍＴｏｒｒ程度の
低圧条件でも高密度かつ大面積均一なプラズマを発生で
き、高速に大面積基体の超微細パターンエッチングがで
きるという知見を得て、本発明は完成されたもので、前
記の目的は以下の手段によって達成される。
【０００９】すなわち、本発明は、プラズマエッチング
室と、該エッチング室内に配された被処理基体支持手段
と、該基体支持手段に対向するように配された多数の孔
を有する平板からなる該エッチング室内へのガス導入手
段と、該エッチング室内の排気手段と、該エッチング室
の周囲に配された複数のスロットを備えた無終端環状導
波管を用いるマイクロ波導入手段と、該基体支持体への
高周波電力供給手段とで構成されることを特徴とするマ
イクロ波プラズマエッチング装置を提案するものであ
り、前記基体支持手段にほぼ垂直な磁力線をもつ磁界発
生手段を有することを含む。
室と、該エッチング室内に配された被処理基体支持手段
と、該基体支持手段に対向するように配された多数の孔
を有する平板からなる該エッチング室内へのガス導入手
段と、該エッチング室内の排気手段と、該エッチング室
の周囲に配された複数のスロットを備えた無終端環状導
波管を用いるマイクロ波導入手段と、該基体支持体への
高周波電力供給手段とで構成されることを特徴とするマ
イクロ波プラズマエッチング装置を提案するものであ
り、前記基体支持手段にほぼ垂直な磁力線をもつ磁界発
生手段を有することを含む。
【００１０】また本発明は、プラズマエッチング室と、
該エッチング室内に配された被処理基体支持手段と、該
基体支持手段に対向するように配された多数の孔を有す
る平板からなる該エッチング室内へのガス導入手段と、
該エッチング室内の排気手段と、該エッチング室の周囲
に配された複数のスロットを備えた無終端環状導波管を
用いるマイクロ波導入手段と、該基体支持体への高周波
電力供給手段とで構成されることを特徴とするマイクロ
波プラズマエッチング装置を用いて、該基体支持体上に
被処理基体を設置する工程と、該エッチング室内を排気
する工程と、該エッチング室内にガスを導入し所定の圧
力に保持する工程と、該エッチング室内にマイクロ波を
導入しプラズマを発生せしめると共に該高周波電力供給
手段を介して該基体支持手段に高周波電力を供給し該基
体をエッチングする工程とを含むことを特徴とするマイ
クロ波プラズマエッチング方法を提案するものである。
該エッチング室内に配された被処理基体支持手段と、該
基体支持手段に対向するように配された多数の孔を有す
る平板からなる該エッチング室内へのガス導入手段と、
該エッチング室内の排気手段と、該エッチング室の周囲
に配された複数のスロットを備えた無終端環状導波管を
用いるマイクロ波導入手段と、該基体支持体への高周波
電力供給手段とで構成されることを特徴とするマイクロ
波プラズマエッチング装置を用いて、該基体支持体上に
被処理基体を設置する工程と、該エッチング室内を排気
する工程と、該エッチング室内にガスを導入し所定の圧
力に保持する工程と、該エッチング室内にマイクロ波を
導入しプラズマを発生せしめると共に該高周波電力供給
手段を介して該基体支持手段に高周波電力を供給し該基
体をエッチングする工程とを含むことを特徴とするマイ
クロ波プラズマエッチング方法を提案するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照してさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００１２】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置を図
１に示す。１０１はエッチング室、１０２は被処理基
体、１０３は基体１０２の支持体、１０４はエッチング
用ガス導入手段、１０５は排気手段である。１０６は高
周波電源、１０７はマイクロ波を透す石英管、１０９は
無終端環状マルチスロット導波管である。
１に示す。１０１はエッチング室、１０２は被処理基
体、１０３は基体１０２の支持体、１０４はエッチング
用ガス導入手段、１０５は排気手段である。１０６は高
周波電源、１０７はマイクロ波を透す石英管、１０９は
無終端環状マルチスロット導波管である。
【００１３】エッチングは以下のようにして行う。排気
手段１０５を介してエッチング室１０１内を真空排気す
る。続いてエッチング用ガスをガス導入口１０４を介し
て所定の流量でエッチング室１０１内に導入する。次に
排気手段１０５に設けられたコンダクタンスバルブ（不
図示）を調整し、エッチング室１０１内を所定の圧力に
保持する。マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を
導波管１０９を介してエッチング室１０１内に供給する
ことによりプラズマが発生する。このとき、高周波電源
１０６を介して高周波電力を基体支持体１０３に供給す
ることにより、イオンが基体１０２近傍に形成されたセ
ルフバイアス電界により加速され、基体表面に入射しエ
ッチングする。
手段１０５を介してエッチング室１０１内を真空排気す
る。続いてエッチング用ガスをガス導入口１０４を介し
て所定の流量でエッチング室１０１内に導入する。次に
排気手段１０５に設けられたコンダクタンスバルブ（不
図示）を調整し、エッチング室１０１内を所定の圧力に
保持する。マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を
導波管１０９を介してエッチング室１０１内に供給する
ことによりプラズマが発生する。このとき、高周波電源
１０６を介して高周波電力を基体支持体１０３に供給す
ることにより、イオンが基体１０２近傍に形成されたセ
ルフバイアス電界により加速され、基体表面に入射しエ
ッチングする。
【００１４】エッチング室の周囲に配された無終端環状
マルチスロット導波管と基体支持体への高周波電力供給
手段を用いることにより、磁界を用いずに１ｍＴｏｒｒ
程度の低圧条件でも高密度かつ大面積均一なプラズマを
発生でき、高速に大面積基体の超微細パターンエッチン
グがきるという知見を得た。
マルチスロット導波管と基体支持体への高周波電力供給
手段を用いることにより、磁界を用いずに１ｍＴｏｒｒ
程度の低圧条件でも高密度かつ大面積均一なプラズマを
発生でき、高速に大面積基体の超微細パターンエッチン
グがきるという知見を得た。
【００１５】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置にお
いて用いられるマイクロ波周波数は、０．８ＧＨｚ乃至
２０ＧＨｚの範囲から適宜選択することができる。
いて用いられるマイクロ波周波数は、０．８ＧＨｚ乃至
２０ＧＨｚの範囲から適宜選択することができる。
【００１６】本発明のプラズマエッチング装置において
用いられる導波管の形状は、円筒状のものでも、エッチ
ング室の形状によって円盤状や多角形等他の形でもよ
い。
用いられる導波管の形状は、円筒状のものでも、エッチ
ング室の形状によって円盤状や多角形等他の形でもよ
い。
【００１７】本発明のプラズマエッチング装置において
は積極的には磁界発生手段を用いないが、用いてもよ
い。磁界発生手段としては、無終端環状マルチスロット
導波管の複数のスロットの中心を含む面に節面をもち基
板支持手段にほぼ垂直な磁力線をもちスロット近傍の磁
界の磁束密度は基板近傍の磁界の磁束密度よりも大きい
カスプ磁界を発生できるものなら、コイル以外でも、永
久磁石でも使用可能である。コイルを用いる場合には過
熱防止のため水冷機構や空冷等他の冷却手段を用いても
よい。
は積極的には磁界発生手段を用いないが、用いてもよ
い。磁界発生手段としては、無終端環状マルチスロット
導波管の複数のスロットの中心を含む面に節面をもち基
板支持手段にほぼ垂直な磁力線をもちスロット近傍の磁
界の磁束密度は基板近傍の磁界の磁束密度よりも大きい
カスプ磁界を発生できるものなら、コイル以外でも、永
久磁石でも使用可能である。コイルを用いる場合には過
熱防止のため水冷機構や空冷等他の冷却手段を用いても
よい。
【００１８】本発明のプラズマエッチング方法における
エッチング室内の圧力は好ましくは０．２ｍＴｏｒｒ乃
至１０．０ｍＴｏｒｒの範囲から選択することができ
る。
エッチング室内の圧力は好ましくは０．２ｍＴｏｒｒ乃
至１０．０ｍＴｏｒｒの範囲から選択することができ
る。
【００１９】本発明のプラズマエッチング方法による処
理可能な薄膜は、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，
ＴｉＯ2 ，ＴｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＭｇＦ2 等の
絶縁膜、ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＳｉＣ，ＧａＡｓ
等の半導体膜、Ａｌ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ等の金属膜
等、各種の薄膜を効率よく処理することが可能である。
理可能な薄膜は、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，
ＴｉＯ2 ，ＴｉＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＭｇＦ2 等の
絶縁膜、ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＳｉＣ，ＧａＡｓ
等の半導体膜、Ａｌ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ等の金属膜
等、各種の薄膜を効率よく処理することが可能である。
【００２０】本発明のプラズマエッチング方法により処
理する基体は、半導体であっても、導電性のものであっ
ても、あるいは電気絶縁性のものであってもよい。
理する基体は、半導体であっても、導電性のものであっ
ても、あるいは電気絶縁性のものであってもよい。
【００２１】導電性基体としてはＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等
の金属またはこれらの合金、例えば真鍮、ステンレス鋼
等が挙げられる。
ｌ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等
の金属またはこれらの合金、例えば真鍮、ステンレス鋼
等が挙げられる。
【００２２】絶縁性基体としては、ＳｉＯ2 系の石英や
各種ガラス、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＮａＣｌ，ＫＣｌ，ＬｉＦ，
ＣａＦ2 ，ＢａＦ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＭｇＯ等の
無機物、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミ
ド、ポリイミド等の有機物のフィルム、シート等が挙げ
られる。
各種ガラス、Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＮａＣｌ，ＫＣｌ，ＬｉＦ，
ＣａＦ2 ，ＢａＦ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＭｇＯ等の
無機物、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミ
ド、ポリイミド等の有機物のフィルム、シート等が挙げ
られる。
【００２３】本発明のプラズマエッチング方法に用いら
れるエッチング用ガスとしては、一般に公知のガスが使
用できる。すなわち、エッチングする膜や基体に応じ
て、Ｆ 2 ，ＣＦ4 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＦ2 Ｃｌ
2 ，ＳＦ6 ，ＮＦ3 等が用いられる。
れるエッチング用ガスとしては、一般に公知のガスが使
用できる。すなわち、エッチングする膜や基体に応じ
て、Ｆ 2 ，ＣＦ4 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＦ2 Ｃｌ
2 ，ＳＦ6 ，ＮＦ3 等が用いられる。
【００２４】また本発明のプラズマエッチング装置及び
方法はエッチングのみならず、表面改質やクリーニン
グ、レジストアッシング等にも適用可能である。例え
ば、基体もしくは表面層としてＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚ
ｎ，Ｔａ等を使用してこれら基体もしくは表面層の酸化
処理あるいは窒化処理さらにはＢ，Ａｓ，Ｐ等のドーピ
ング処理等が可能である。また、基体表面のレジスト等
の有機物や無機物・金属を除去するクリーニング・アッ
シング処理も可能である。
方法はエッチングのみならず、表面改質やクリーニン
グ、レジストアッシング等にも適用可能である。例え
ば、基体もしくは表面層としてＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚ
ｎ，Ｔａ等を使用してこれら基体もしくは表面層の酸化
処理あるいは窒化処理さらにはＢ，Ａｓ，Ｐ等のドーピ
ング処理等が可能である。また、基体表面のレジスト等
の有機物や無機物・金属を除去するクリーニング・アッ
シング処理も可能である。
【００２５】基体を酸化表面処理する場合の酸化性ガス
としては、Ｏ2 ，Ｏ3 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＮＯ2
等が挙げられる。また、基体を窒化表面処理する場合の
窒化性ガスとしては、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサ
メチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等が挙げられる。
としては、Ｏ2 ，Ｏ3 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＮＯ2
等が挙げられる。また、基体を窒化表面処理する場合の
窒化性ガスとしては、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキサ
メチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等が挙げられる。
【００２６】基体表面のレジスト等の有機物をクリーニ
ング・アッシングする場合のクリーニング用ガスとして
は、Ｏ2 ，Ｏ3 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＮＯ2 等が挙
げられる。また、基体表面の無機物・金属をクリーニン
グする場合のクリニング用ガスとしては、Ｆ2 ，ＣＦ
4 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＦ2 Ｃｌ2 ，ＳＦ6 ，Ｎ
Ｆ3 等が挙げられる。
ング・アッシングする場合のクリーニング用ガスとして
は、Ｏ2 ，Ｏ3 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＮＯ2 等が挙
げられる。また、基体表面の無機物・金属をクリーニン
グする場合のクリニング用ガスとしては、Ｆ2 ，ＣＦ
4 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＦ2 Ｃｌ2 ，ＳＦ6 ，Ｎ
Ｆ3 等が挙げられる。
【００２７】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明のプラズマエッチ
ング装置及び方法をより具体的に説明するが、本発明は
これら実施例に限定されるものではない。
ング装置及び方法をより具体的に説明するが、本発明は
これら実施例に限定されるものではない。
【００２８】実施例１ 図１に示したプラズマエッチング装置を使用し、半導体
素子ゲート電極間ポリシリコン膜のエッチングを行っ
た。
素子ゲート電極間ポリシリコン膜のエッチングを行っ
た。
【００２９】基体１０２としては、最上部にポリシリコ
ン膜が形成されたＰ型単結晶シリコン基板（面方位＜１
００＞、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、シリコ
ン基板１０２を基体支持体１０３上に設置した後、排気
系１０５を介してエッチング室１０１内を真空排気し、
１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。ガス導入口１０４
を介してＣＦ4 ガスを３００ｓｃｃｍ、酸素を２０ｓｃ
ｃｍの流量でエッチング室１０１内に導入した。次い
で、排気系１０５に設けられたコンダクタンスバルブ
（不図示）を調整し、エッチング室１０１内を１．０ｍ
Ｔｏｒｒに保持した。次いで高周波電源１０６を介して
１３．５６ＭＨｚの高周波を基板支持体１０３に印加す
ると共に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より１．５
ｋＷの電力を環状導波管１０９を介してエッチング室１
０１内に供給した。かくして、エッチング室１０１内に
プラズマを発生させた。ガス導入口１０４を介して導入
されたＣＦ4 ガス及び酸素はエッチング室１０１内で励
起、分解されて活性種となり、シリコン基板１０２の方
向に輸送され、自己バイアスにより加速されたイオンに
よりポリシリコン膜がエッチングされた。エッチング
後、エッチング速度、選択比、及びエッチング形状につ
いて評価した。エッチング形状は、エッチングされたポ
リシリコン膜の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観
測し、評価した。
ン膜が形成されたＰ型単結晶シリコン基板（面方位＜１
００＞、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、シリコ
ン基板１０２を基体支持体１０３上に設置した後、排気
系１０５を介してエッチング室１０１内を真空排気し、
１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。ガス導入口１０４
を介してＣＦ4 ガスを３００ｓｃｃｍ、酸素を２０ｓｃ
ｃｍの流量でエッチング室１０１内に導入した。次い
で、排気系１０５に設けられたコンダクタンスバルブ
（不図示）を調整し、エッチング室１０１内を１．０ｍ
Ｔｏｒｒに保持した。次いで高周波電源１０６を介して
１３．５６ＭＨｚの高周波を基板支持体１０３に印加す
ると共に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より１．５
ｋＷの電力を環状導波管１０９を介してエッチング室１
０１内に供給した。かくして、エッチング室１０１内に
プラズマを発生させた。ガス導入口１０４を介して導入
されたＣＦ4 ガス及び酸素はエッチング室１０１内で励
起、分解されて活性種となり、シリコン基板１０２の方
向に輸送され、自己バイアスにより加速されたイオンに
よりポリシリコン膜がエッチングされた。エッチング
後、エッチング速度、選択比、及びエッチング形状につ
いて評価した。エッチング形状は、エッチングされたポ
リシリコン膜の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観
測し、評価した。
【００３０】エッチング速度と対ＳｉＯ2 選択比はそれ
ぞれ６００ｎｍ／ｍｉｎ、３０と良好で、マイクロロー
ディング効果も少ないことが確認された。
ぞれ６００ｎｍ／ｍｉｎ、３０と良好で、マイクロロー
ディング効果も少ないことが確認された。
【００３１】実施例２ 図１に示したプラズマエッチング装置を使用し、半導体
素子ＢＰＳＧ膜のエッチングを行った。
素子ＢＰＳＧ膜のエッチングを行った。
【００３２】基体１０２としては、ポリシリコンパター
ン（ラインアンドスペース０．５μｍ）上に１μｍ厚の
ＢＰＳＧ膜が形成されたＰ型単結晶シリコン基板（面方
位＜１００＞、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、
シリコン基板１０２を基体支持体１０３上に設置した
後、排気系（不図示）を介してエッチング室１０１内を
真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。ガス
導入口１０４を介してＣＦ4 ガスを３００ｓｃｃｍの流
量でプラズマ発生室１０１内に導入した。次いで、排気
系１０５に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）
を調整し、エッチング室１０１内を１．２ｍＴｏｒｒに
保持した。次いで２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より
２．０ｋＷの電力を環状導波管１０９を介してエッチン
グ室１０１内に供給した。かくして、エッチング室１０
１内にプラズマを発生させた。ガス導入口１０４を介し
て導入されたＣＦ4 ガスはエッチング室１０１内で励
起、分解されて活性種となり、シリコン基板１０２の方
向に輸送され、ＢＰＳＧ膜がエッチングされた。エッチ
ング後、エッチング速度、選択比、及びエッチング形状
について評価した。エッチング形状は、エッチングされ
た酸化シリコン膜の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
で観測し、評価した。
ン（ラインアンドスペース０．５μｍ）上に１μｍ厚の
ＢＰＳＧ膜が形成されたＰ型単結晶シリコン基板（面方
位＜１００＞、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、
シリコン基板１０２を基体支持体１０３上に設置した
後、排気系（不図示）を介してエッチング室１０１内を
真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。ガス
導入口１０４を介してＣＦ4 ガスを３００ｓｃｃｍの流
量でプラズマ発生室１０１内に導入した。次いで、排気
系１０５に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）
を調整し、エッチング室１０１内を１．２ｍＴｏｒｒに
保持した。次いで２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より
２．０ｋＷの電力を環状導波管１０９を介してエッチン
グ室１０１内に供給した。かくして、エッチング室１０
１内にプラズマを発生させた。ガス導入口１０４を介し
て導入されたＣＦ4 ガスはエッチング室１０１内で励
起、分解されて活性種となり、シリコン基板１０２の方
向に輸送され、ＢＰＳＧ膜がエッチングされた。エッチ
ング後、エッチング速度、選択比、及びエッチング形状
について評価した。エッチング形状は、エッチングされ
た酸化シリコン膜の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
で観測し、評価した。
【００３３】エッチング速度と対ポリシリコン選択比は
それぞれ３００ｎｍ／ｍｉｎ、３０と良好で、エッチン
グ形状もほぼ垂直で、マイクロローディング効果も少な
いことが確認された。
それぞれ３００ｎｍ／ｍｉｎ、３０と良好で、エッチン
グ形状もほぼ垂直で、マイクロローディング効果も少な
いことが確認された。
【００３４】実施例３ 図１に示したプラズマエッチング装置を使用し、半導体
素子素子多層配線Ａｌ膜のエッチングを行った。
素子素子多層配線Ａｌ膜のエッチングを行った。
【００３５】基体１０２としては、最上部にＡｌ膜が形
成されたＰ型単結晶シリコン基板（面方位＜１００＞、
抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、シリコン基板１
０２を基体支持体１０３上に設置した後、排気系１０５
を介してエッチング室１０１内を真空排気し、１０-6Ｔ
ｏｒｒの値まで減圧させた。ガス導入口１０４を介して
Ｃｌ2 ガスを１２０ｓｃｃｍ、ガス化したＢＣｌ3 を８
０ｓｃｃｍの流量でプラズマ発生室１０１内に導入し
た。次いで、排気系１０５に設けられたコンダクタンス
バルブ（不図示）を調整し、エッチング室１０１内を
０．８ｍＴｏｒｒに保持した。次いで高周波印加手段１
０６を介して１３．５６ＭＨｚの高周波を基板支持体１
０３に印加すると共に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電
源より１．２ｋＷの電力を環状導波管１０９を介してエ
ッチング室１０１内に供給した。かくして、エッチング
室１０１内にプラズマを発生させた。ガス導入口１０４
を介して導入されたＣｌ2 ガス及びＢＣｌ3 はエッチン
グ室１０１内で励起、分解されて活性種となり、シリコ
ン基板１０２の方向に輸送され、自己バイアスにより加
速されたイオンによりＡｌ膜がエッチングされた。エッ
チング後、エッチング速度、選択比、及びエッチング形
状について評価した。エッチング形状は、エッチングさ
れたＡｌ膜の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測
し、評価した。
成されたＰ型単結晶シリコン基板（面方位＜１００＞、
抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、シリコン基板１
０２を基体支持体１０３上に設置した後、排気系１０５
を介してエッチング室１０１内を真空排気し、１０-6Ｔ
ｏｒｒの値まで減圧させた。ガス導入口１０４を介して
Ｃｌ2 ガスを１２０ｓｃｃｍ、ガス化したＢＣｌ3 を８
０ｓｃｃｍの流量でプラズマ発生室１０１内に導入し
た。次いで、排気系１０５に設けられたコンダクタンス
バルブ（不図示）を調整し、エッチング室１０１内を
０．８ｍＴｏｒｒに保持した。次いで高周波印加手段１
０６を介して１３．５６ＭＨｚの高周波を基板支持体１
０３に印加すると共に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電
源より１．２ｋＷの電力を環状導波管１０９を介してエ
ッチング室１０１内に供給した。かくして、エッチング
室１０１内にプラズマを発生させた。ガス導入口１０４
を介して導入されたＣｌ2 ガス及びＢＣｌ3 はエッチン
グ室１０１内で励起、分解されて活性種となり、シリコ
ン基板１０２の方向に輸送され、自己バイアスにより加
速されたイオンによりＡｌ膜がエッチングされた。エッ
チング後、エッチング速度、選択比、及びエッチング形
状について評価した。エッチング形状は、エッチングさ
れたＡｌ膜の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測
し、評価した。
【００３６】エッチング速度と対ＳｉＯ2 選択比はそれ
ぞれ５００ｎｍ／ｍｉｎ、２０と良好で、エッチング形
状もほぼ垂直で、マイクロローディング効果も少ないこ
とが確認された。
ぞれ５００ｎｍ／ｍｉｎ、２０と良好で、エッチング形
状もほぼ垂直で、マイクロローディング効果も少ないこ
とが確認された。
【００３７】実施例４ 図１に示したプラズマエッチング装置を使用し、半導体
素子素子多層配線Ａｌ膜のエッチングを行った。
素子素子多層配線Ａｌ膜のエッチングを行った。
【００３８】基体１０２としては、最上部にＡｌ膜が形
成された４５０ｍｍ×５５０ｍｍ青板ガラス基板を使用
した。まず、シリコン基板１０２を基体支持体１０３上
に設置した後、排気系１０５を介してエッチング室１０
１内を真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させ
た。ガス導入口１０４を介してＣｌ2 ガスを２００ｓｃ
ｃｍの流量でエッチング室１０１内に導入した。次い
で、排気系１０５に設けられたコンダクタンスバルブ
（不図示）を調整し、エッチング室１０１内を２．０ｍ
Ｔｏｒｒに保持した。次いで高周波印加手段１０６を介
して１３．５６ＭＨｚの高周波を基板支持体１０３に印
加すると共に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より
２．０ｋＷの電力を環状導波管１０９を介してエッチン
グ室１０１内に供給した。かくして、エッチング室１０
１内にプラズマを発生させた。ガス導入口１０４を介し
て導入されたＣｌ2 ガスはエッチング室１０１内で励
起、分解されて活性種となり、シリコン基板１０２の方
向に輸送され、自己バイアスにより加速されたイオンに
よりＡｌ膜がエッチングされた。エッチング後、エッチ
ング速度、選択比、及びエッチング形状について評価し
た。エッチング形状は、エッチングされたＡｌ膜の断面
を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測し、評価した。
成された４５０ｍｍ×５５０ｍｍ青板ガラス基板を使用
した。まず、シリコン基板１０２を基体支持体１０３上
に設置した後、排気系１０５を介してエッチング室１０
１内を真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させ
た。ガス導入口１０４を介してＣｌ2 ガスを２００ｓｃ
ｃｍの流量でエッチング室１０１内に導入した。次い
で、排気系１０５に設けられたコンダクタンスバルブ
（不図示）を調整し、エッチング室１０１内を２．０ｍ
Ｔｏｒｒに保持した。次いで高周波印加手段１０６を介
して１３．５６ＭＨｚの高周波を基板支持体１０３に印
加すると共に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源より
２．０ｋＷの電力を環状導波管１０９を介してエッチン
グ室１０１内に供給した。かくして、エッチング室１０
１内にプラズマを発生させた。ガス導入口１０４を介し
て導入されたＣｌ2 ガスはエッチング室１０１内で励
起、分解されて活性種となり、シリコン基板１０２の方
向に輸送され、自己バイアスにより加速されたイオンに
よりＡｌ膜がエッチングされた。エッチング後、エッチ
ング速度、選択比、及びエッチング形状について評価し
た。エッチング形状は、エッチングされたＡｌ膜の断面
を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観測し、評価した。
【００３９】エッチング速度と対ＳｉＯ2 選択比はそれ
ぞれ５００ｎｍ／ｍｉｎ、２５と良好で、エッチング形
状も垂直であることが確認された。
ぞれ５００ｎｍ／ｍｉｎ、２５と良好で、エッチング形
状も垂直であることが確認された。
【００４０】実施例５ 図１に示したプラズマエッチング装置を使用し、複写機
光学系の位相格子フィルタ用ガラス基板のエッチングを
行った。
光学系の位相格子フィルタ用ガラス基板のエッチングを
行った。
【００４１】基体１０２としては、白板ガラス基板を使
用した。まず、シリコン基板１０２を基体支持体１０３
上に設置した後、排気系１０５を介してエッチング室１
０１内を真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させ
た。ガス導入口１０４を介してＣＦ4 ガスを２００ｓｃ
ｃｍ、Ｈ2 を４０ｓｃｃｍの流量でエッチング室１０１
内に導入した。次いで、排気系１０５に設けられたコン
ダクタンスバルブ（不図示）を調整し、エッチング室１
０１内を１．２ｍＴｏｒｒに保持した。次いで高周波印
加手段１０６を介して１３．５６ＭＨｚの高周波を基板
支持体１０３に印加すると共に、２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波電源より２．２ｋＷの電力を環状導波管１０９を
介してエッチング室１０１内に供給した。かくして、エ
ッチング室１０１内にプラズマを発生させた。ガス導入
口１０４を介して導入されたＣＦ 4 ガス及びＨ2 はエッ
チング室１０１内で励起、分解されて活性種となり、シ
リコン基板１０２の方向に輸送され、自己バイアスによ
り加速されたイオンによりガラス基板がエッチングされ
た。エッチング後、エッチング速度、及びエッチング形
状について評価した。エッチング形状は、エッチングさ
れたガラス基板の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で
観測し、評価した。
用した。まず、シリコン基板１０２を基体支持体１０３
上に設置した後、排気系１０５を介してエッチング室１
０１内を真空排気し、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させ
た。ガス導入口１０４を介してＣＦ4 ガスを２００ｓｃ
ｃｍ、Ｈ2 を４０ｓｃｃｍの流量でエッチング室１０１
内に導入した。次いで、排気系１０５に設けられたコン
ダクタンスバルブ（不図示）を調整し、エッチング室１
０１内を１．２ｍＴｏｒｒに保持した。次いで高周波印
加手段１０６を介して１３．５６ＭＨｚの高周波を基板
支持体１０３に印加すると共に、２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波電源より２．２ｋＷの電力を環状導波管１０９を
介してエッチング室１０１内に供給した。かくして、エ
ッチング室１０１内にプラズマを発生させた。ガス導入
口１０４を介して導入されたＣＦ 4 ガス及びＨ2 はエッ
チング室１０１内で励起、分解されて活性種となり、シ
リコン基板１０２の方向に輸送され、自己バイアスによ
り加速されたイオンによりガラス基板がエッチングされ
た。エッチング後、エッチング速度、及びエッチング形
状について評価した。エッチング形状は、エッチングさ
れたガラス基板の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で
観測し、評価した。
【００４２】エッチング速度は４５０ｎｍ／ｍｉｎと良
好で、エッチング形状も垂直であることが確認された。
好で、エッチング形状も垂直であることが確認された。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、基体支持手段に対
向するように配された多数の孔を有する平板からなるガ
ス導入手段と、エッチング室の周囲に配された無終端環
状マルチスロット導波管と、基体支持体への高周波供給
手段とを設けることにより、磁界を用いずに１ｍＴｏｒ
ｒ程度の低圧条件でも大面積均一に高密度プラズマを発
生でき、高速に大面積基体を超微細パターンエッチング
する方法を提供できる効果がある。
向するように配された多数の孔を有する平板からなるガ
ス導入手段と、エッチング室の周囲に配された無終端環
状マルチスロット導波管と、基体支持体への高周波供給
手段とを設けることにより、磁界を用いずに１ｍＴｏｒ
ｒ程度の低圧条件でも大面積均一に高密度プラズマを発
生でき、高速に大面積基体を超微細パターンエッチング
する方法を提供できる効果がある。
【図１】本発明のプラズマエッチング装置の模式図であ
る。
る。
【図２】従来例の一例であるＲＩＥ装置の模式図であ
る。
る。
【図３】従来例の一例であるＥＣＲエッチング装置の模
式図である。
式図である。
１０１ エッチング室 １０２ 被処理基体 １０３ 支持体 １０４ エッチング用ガス導入手段 １０５ 排気手段 １０６ 高周波電源 １０７ 石英管 １０９ 無終端環状マルチスロット導波管
Claims (3)
- 【請求項１】 プラズマエッチング室と、該エッチング
室内に配された被処理基体支持手段と、該基体支持手段
に対向するように配された多数の孔を有する平板からな
る該エッチング室内へのガス導入手段と、該エッチング
室内の排気手段と、該エッチング室の周囲に配された複
数のスロットを備えた無終端環状導波管を用いるマイク
ロ波導入手段と、該基体支持体への高周波電力供給手段
とで構成されることを特徴とするマイクロ波プラズマエ
ッチング装置。 - 【請求項２】 前記基体支持手段にほぼ垂直な磁力線を
もつ磁界発生手段を有する請求項１に記載のマイクロ波
プラズマエッチング装置。 - 【請求項３】 プラズマエッチング室と、該エッチング
室内に配された被処理基体支持手段と、該基体支持手段
に対向するように配された多数の孔を有する平板からな
る該エッチング室内へのガス導入手段と、該エッチング
室内の排気手段と、該エッチング室の周囲に配された複
数のスロットを備えた無終端環状導波管を用いるマイク
ロ波導入手段と、該基体支持体への高周波電力供給手段
とで構成されることを特徴とするマイクロ波プラズマエ
ッチング装置を用いて、該基体支持体上に被処理基体を
設置する工程と、該エッチング室内を排気する工程と、
該エッチング室内にガスを導入し所定の圧力に保持する
工程と、該エッチング室内にマイクロ波を導入してプラ
ズマを発生せしめると共に該高周波電力供給手段を介し
て該基体支持手段に高周波電力を供給し該基体をエッチ
ングする工程とを含むことを特徴とするマイクロ波プラ
ズマエッチング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7285083A JPH09129607A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法 |
| EP96117351A EP0772222A1 (en) | 1995-11-01 | 1996-10-29 | Microwave plasma process apparatus and microwave plasma process method |
| US08/739,212 US5983829A (en) | 1995-11-01 | 1996-10-29 | Microwave plasma etching apparatus |
| KR1019960050587A KR100270269B1 (ko) | 1995-11-01 | 1996-10-31 | 마이크로파 플라즈마 처리장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7285083A JPH09129607A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129607A true JPH09129607A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17686925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7285083A Pending JPH09129607A (ja) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5983829A (ja) |
| EP (1) | EP0772222A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09129607A (ja) |
| KR (1) | KR100270269B1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6286939B1 (en) * | 1997-09-26 | 2001-09-11 | Hewlett-Packard Company | Method of treating a metal surface to increase polymer adhesion |
| JPH11193468A (ja) * | 1997-12-30 | 1999-07-21 | Shimadzu Corp | 薄膜形成装置 |
| DE19802971C2 (de) * | 1998-01-27 | 1999-12-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Plasmareaktor |
| TW409487B (en) * | 1998-04-10 | 2000-10-21 | Sumitomo Metal Ind | Microwave plasma treatment apparatus and microwave plasma treatment method |
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