JPH0945751A - プラズマ装置用ダミーウエハ - Google Patents
プラズマ装置用ダミーウエハInfo
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- JPH0945751A JPH0945751A JP19139695A JP19139695A JPH0945751A JP H0945751 A JPH0945751 A JP H0945751A JP 19139695 A JP19139695 A JP 19139695A JP 19139695 A JP19139695 A JP 19139695A JP H0945751 A JPH0945751 A JP H0945751A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ耐性を有するとともに、静電荷が帯
電可能なプラズマ装置用ダミーウエハを得、静電チャッ
クを備えたプラズマ装置でのダミーウエハの使用を可能
とする。 【解決手段】 静電荷が帯電可能な帯電体３を、導電
体、半導体、若しくは誘電体のいずれかで形成する。帯
電体３の収容が可能な凹部７を有した被覆材５を、プラ
ズマ耐性を有する材料で形成する。同一形状である一組
のこの被覆材５、５を用いて、凹部７に帯電体３を収容
して接合し、プラズマ装置用ダミーウエハ１を構成す
る。
電可能なプラズマ装置用ダミーウエハを得、静電チャッ
クを備えたプラズマ装置でのダミーウエハの使用を可能
とする。 【解決手段】 静電荷が帯電可能な帯電体３を、導電
体、半導体、若しくは誘電体のいずれかで形成する。帯
電体３の収容が可能な凹部７を有した被覆材５を、プラ
ズマ耐性を有する材料で形成する。同一形状である一組
のこの被覆材５、５を用いて、凹部７に帯電体３を収容
して接合し、プラズマ装置用ダミーウエハ１を構成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造過程の
各種プラズマ装置に用いられるダミーウエハに関する。
各種プラズマ装置に用いられるダミーウエハに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造過程では、熱履歴を減
らすため、各種プラズマ装置が多用される傾向にある。
この場合、半導体生産効率を高めるには、プラズマ装置
の稼働率を上げることが望まれる。プラズマ装置の稼働
率を上げるには、例えば、ウエットクリーニング頻度を
低減させるなど、装置のダウンタイムを低減させること
が重要となる。
らすため、各種プラズマ装置が多用される傾向にある。
この場合、半導体生産効率を高めるには、プラズマ装置
の稼働率を上げることが望まれる。プラズマ装置の稼働
率を上げるには、例えば、ウエットクリーニング頻度を
低減させるなど、装置のダウンタイムを低減させること
が重要となる。
【０００３】ウエットクリーニング頻度を低減させる方
法の一つに、適当なプラズマを立てて反応生成物を昇
華、排気し、反応室内に付着した異物の除去を行う、所
謂、プラズマクリーニングがある。プラズマクリーニン
グによれば、ウエットクリーニング頻度をある程度低減
することが可能となる。このようなプラズマクリーニン
グを行う際には、下部電極が直接プラズマにさらされな
いようにするため、ダミーウエハを装置内に配置するこ
とが不可欠となる。
法の一つに、適当なプラズマを立てて反応生成物を昇
華、排気し、反応室内に付着した異物の除去を行う、所
謂、プラズマクリーニングがある。プラズマクリーニン
グによれば、ウエットクリーニング頻度をある程度低減
することが可能となる。このようなプラズマクリーニン
グを行う際には、下部電極が直接プラズマにさらされな
いようにするため、ダミーウエハを装置内に配置するこ
とが不可欠となる。
【０００４】また、半導体を安定して製造するには、装
置のプラズマ状態が安定したものであることが望まし
い。ところが、プラズマ装置では、プラズマ処理によっ
て蓄熱が生じ、運転初期段階で装置内部の温度が上昇変
化するため、温度が不安定なものとなる。このため、運
転初期段階では、温度変化をなくして装置温度を安定さ
せる目的で、実プロセスと同等のプラズマ処理を、数枚
のダミーウエハで行う、所謂、ダミー処理が行われる。
この場合においても、プラズマ処理による下部電極のダ
メージを防止するため、ダミーウエハを装置内に配置す
ることが不可欠となっていた。
置のプラズマ状態が安定したものであることが望まし
い。ところが、プラズマ装置では、プラズマ処理によっ
て蓄熱が生じ、運転初期段階で装置内部の温度が上昇変
化するため、温度が不安定なものとなる。このため、運
転初期段階では、温度変化をなくして装置温度を安定さ
せる目的で、実プロセスと同等のプラズマ処理を、数枚
のダミーウエハで行う、所謂、ダミー処理が行われる。
この場合においても、プラズマ処理による下部電極のダ
メージを防止するため、ダミーウエハを装置内に配置す
ることが不可欠となっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、プラズ
マ装置では、プラズマクリーニング、或いはダミー処理
などが行われることにより、ダミーウエハの使用頻度が
高いものとなっていた。このため、費用を考慮して、各
プラズマ装置では、それぞれのプラズマ処理に対して耐
性の高い材料で作製した単体板をダミーウエハとして使
用し、ダミーウエハ一枚当たりの使用可能回数を増やす
ことが図られていた。しかしながら、近年、半導体の製
造は、全面プロセス方式に移行される傾向にあり、これ
に伴い、プラズマ装置のウエハ保持方式には静電チャッ
ク方式が導入されるようになって来た。静電チャック方
式では、電極とウエハとの間に電圧を印加し、両者の間
に発生したクーロン力によってウエハを吸着する。この
とき、チャックされたか否かの検出は、チャック時に流
れる電流により検知される。そのため、ダミーウエハ
が、従来のような絶縁体である単体板構造のものでは、
チャック電流が流れず、チャック時にエラーが生じ、ダ
ミーウエハ本来の機能が果たせない問題があった。本発
明は上記状況に鑑みてなされたもので、静電チャックを
備えたプラズマ装置においても、使用可能なプラズマ装
置用ダミーウエハを提供し、プラズマ装置のダウンタイ
ム低減、及び全面プロセス方式の信頼性向上を図ること
を目的とする。
マ装置では、プラズマクリーニング、或いはダミー処理
などが行われることにより、ダミーウエハの使用頻度が
高いものとなっていた。このため、費用を考慮して、各
プラズマ装置では、それぞれのプラズマ処理に対して耐
性の高い材料で作製した単体板をダミーウエハとして使
用し、ダミーウエハ一枚当たりの使用可能回数を増やす
ことが図られていた。しかしながら、近年、半導体の製
造は、全面プロセス方式に移行される傾向にあり、これ
に伴い、プラズマ装置のウエハ保持方式には静電チャッ
ク方式が導入されるようになって来た。静電チャック方
式では、電極とウエハとの間に電圧を印加し、両者の間
に発生したクーロン力によってウエハを吸着する。この
とき、チャックされたか否かの検出は、チャック時に流
れる電流により検知される。そのため、ダミーウエハ
が、従来のような絶縁体である単体板構造のものでは、
チャック電流が流れず、チャック時にエラーが生じ、ダ
ミーウエハ本来の機能が果たせない問題があった。本発
明は上記状況に鑑みてなされたもので、静電チャックを
備えたプラズマ装置においても、使用可能なプラズマ装
置用ダミーウエハを提供し、プラズマ装置のダウンタイ
ム低減、及び全面プロセス方式の信頼性向上を図ること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係るプラズマ装置用ダミーウエハの構成は、
各種プラズマ装置でプラズマクリーニングやダミー処理
を行う際に使用されるプラズマ装置用ダミーウエハであ
って、導電体、半導体、若しくは誘電体のいずれかから
なる帯電体と、プラズマ耐性を有する材料からなり該帯
電体を収容する凹部が形成され該凹部に該帯電体を収容
して接合される同一形状の一組の被覆材とを具備したこ
とを特徴とするものである。このように構成されたプラ
ズマ装置用ダミーウエハでは、静電荷を被覆材により覆
われた帯電体、即ち、ウエハ内部に帯電させることがで
き、静電チャック式のプラズマ装置においても使用が可
能となる。
の本発明に係るプラズマ装置用ダミーウエハの構成は、
各種プラズマ装置でプラズマクリーニングやダミー処理
を行う際に使用されるプラズマ装置用ダミーウエハであ
って、導電体、半導体、若しくは誘電体のいずれかから
なる帯電体と、プラズマ耐性を有する材料からなり該帯
電体を収容する凹部が形成され該凹部に該帯電体を収容
して接合される同一形状の一組の被覆材とを具備したこ
とを特徴とするものである。このように構成されたプラ
ズマ装置用ダミーウエハでは、静電荷を被覆材により覆
われた帯電体、即ち、ウエハ内部に帯電させることがで
き、静電チャック式のプラズマ装置においても使用が可
能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るプラズマ装置
用ダミーウエハの好適な実施の形態を図面を参照して詳
細に説明する。図１は本発明によるダミーウエハの第一
の実施の形態を示す分解斜視図である。この実施の形態
によるダミーウエハ１では、円板状の帯電体３が、一対
の被覆材５、５により表裏面から挟まれている。帯電体
３は、導電体、半導体、若しくは誘電体からなる。被覆
材５、５は、同一形状に形成され、帯電体３を挟む面
に、帯電体３の厚み方向略半分を収容する凹部７が形成
されている。凹部７に帯電体３を収容して重ね合わされ
た被覆材５、５は、凹部周囲の接合面９同士が接合され
て一体に張り合わせられる。接合面９の接合方法は、樹
脂系の接着剤を用いる方法、又は加熱による溶接で行わ
れる。
用ダミーウエハの好適な実施の形態を図面を参照して詳
細に説明する。図１は本発明によるダミーウエハの第一
の実施の形態を示す分解斜視図である。この実施の形態
によるダミーウエハ１では、円板状の帯電体３が、一対
の被覆材５、５により表裏面から挟まれている。帯電体
３は、導電体、半導体、若しくは誘電体からなる。被覆
材５、５は、同一形状に形成され、帯電体３を挟む面
に、帯電体３の厚み方向略半分を収容する凹部７が形成
されている。凹部７に帯電体３を収容して重ね合わされ
た被覆材５、５は、凹部周囲の接合面９同士が接合され
て一体に張り合わせられる。接合面９の接合方法は、樹
脂系の接着剤を用いる方法、又は加熱による溶接で行わ
れる。
【０００８】ダミーウエハ１では、同形部品である一組
の被覆材５、５を接合して構成できるので、少ない部品
種類で組み付けが可能となる。
の被覆材５、５を接合して構成できるので、少ない部品
種類で組み付けが可能となる。
【０００９】図２はダミーウエハ接合構造の変形例を示
す分解斜視図である。ダミーウエハ１の接合構造は、上
述のように同一形状の被覆材５、５を接合する構造の
他、図２に示すように、帯電体全体を収容する凹部１１
を上部被覆材１３の下面に形成し、帯電体３を収容した
後、円板状の被覆材である蓋体１５を閉鎖するものであ
ってもよい。このように構成されるダミーウエハ１７
は、図示しないプラズマ装置の下部電極側に、蓋体１５
側が対向する姿勢で配置される。
す分解斜視図である。ダミーウエハ１の接合構造は、上
述のように同一形状の被覆材５、５を接合する構造の
他、図２に示すように、帯電体全体を収容する凹部１１
を上部被覆材１３の下面に形成し、帯電体３を収容した
後、円板状の被覆材である蓋体１５を閉鎖するものであ
ってもよい。このように構成されるダミーウエハ１７
は、図示しないプラズマ装置の下部電極側に、蓋体１５
側が対向する姿勢で配置される。
【００１０】この変形例によるダミーウエハ１７では、
蓋体１５を凹部１１に挿入して閉鎖が行えるため、接合
時の位置合わせが容易に行えるとともに、上部被覆材１
３と蓋体１５との接合部がダミーウエハ１７の下面側と
なるため、マイクロアーキングなどの弊害を低減するこ
とができる。
蓋体１５を凹部１１に挿入して閉鎖が行えるため、接合
時の位置合わせが容易に行えるとともに、上部被覆材１
３と蓋体１５との接合部がダミーウエハ１７の下面側と
なるため、マイクロアーキングなどの弊害を低減するこ
とができる。
【００１１】上述したダミーウエハ１、１７では、成形
の完了した単体被覆材５、１３、１５を接合することに
より、帯電体３の被覆が行えるので、特に、セラミッ
ク、硬質ガラス、サファイヤ、カーボングラファイト、
炭化硅素など無機材料を使用した被覆材によるダミーウ
エハの製作に好適なものとなる。
の完了した単体被覆材５、１３、１５を接合することに
より、帯電体３の被覆が行えるので、特に、セラミッ
ク、硬質ガラス、サファイヤ、カーボングラファイト、
炭化硅素など無機材料を使用した被覆材によるダミーウ
エハの製作に好適なものとなる。
【００１２】上述したダミーウエハ１、１７によれば、
帯電体３が被覆材５、５、又は上部被覆材１３、蓋体１
５により覆われるので、静電荷をウエハ内部に帯電させ
ることができ、静電チャック式のプラズマ装置において
も、ダミーウエハ１、１７を確実にチャックすることが
でき、チャックエラーを防止することにより装置ダウン
タイムを低減することができる。この結果、全面プロセ
スの生産効率、信頼性を向上させることができる。
帯電体３が被覆材５、５、又は上部被覆材１３、蓋体１
５により覆われるので、静電荷をウエハ内部に帯電させ
ることができ、静電チャック式のプラズマ装置において
も、ダミーウエハ１、１７を確実にチャックすることが
でき、チャックエラーを防止することにより装置ダウン
タイムを低減することができる。この結果、全面プロセ
スの生産効率、信頼性を向上させることができる。
【００１３】次に、本発明によるダミーウエハの第二の
実施の形態を説明する。図３は本発明によるダミーウエ
ハの第二の実施の形態を示す一部分を切り欠いた斜視図
である。この実施の形態によるダミーウエハ２１では、
円板状の帯電体３がプラズマ耐性の高い被覆材２３でコ
ーティングされている。このような構造を有するダミー
ウエハ２１は、被覆材２３にレクサン樹脂、ベスペル樹
脂などの樹脂材料を使用したダミーウエハの製作に好適
なものとなる。
実施の形態を説明する。図３は本発明によるダミーウエ
ハの第二の実施の形態を示す一部分を切り欠いた斜視図
である。この実施の形態によるダミーウエハ２１では、
円板状の帯電体３がプラズマ耐性の高い被覆材２３でコ
ーティングされている。このような構造を有するダミー
ウエハ２１は、被覆材２３にレクサン樹脂、ベスペル樹
脂などの樹脂材料を使用したダミーウエハの製作に好適
なものとなる。
【００１４】このダミーウエハ２１によれば、上述した
実施の形態と同様、静電チャック式のプラズマ装置にお
いても、確実なチャックが可能となり、装置ダウンタイ
ムを低減することができるとともに、帯電体３がコーテ
ィングにより完全に覆われるので、帯電体３の遮蔽性を
特に優れたものとすることができる。
実施の形態と同様、静電チャック式のプラズマ装置にお
いても、確実なチャックが可能となり、装置ダウンタイ
ムを低減することができるとともに、帯電体３がコーテ
ィングにより完全に覆われるので、帯電体３の遮蔽性を
特に優れたものとすることができる。
【００１５】次に、本発明によるダミーウエハの第三の
実施の形態を説明する。図４は本発明によるダミーウエ
ハの第三の実施の形態を示す斜視図である。このダミー
ウエハ３１では、プラズマ耐性の高い被覆材で形成した
単体板３３の裏面部分に、導電体、半導体、若しくは誘
電体などの帯電体薄膜３５が形成されている。帯電体薄
膜３５の形成は、スパッタ成膜、ＣＶＤ成膜、蒸着成膜
などにより形成する方法、樹脂系接着剤などにより、予
め形成した帯電体薄膜３５を単体板３３の裏面部分に張
り合わせる方法で行われる。この場合、いずれの方法で
製作されたダミーウエハ３１においても、プラズマ処理
時のマイクロアーキングの弊害を防止するため、帯電体
薄膜３５は、単体板３３の縁部（エッジ）よりやや内側
の領域に形成されることが望ましい。
実施の形態を説明する。図４は本発明によるダミーウエ
ハの第三の実施の形態を示す斜視図である。このダミー
ウエハ３１では、プラズマ耐性の高い被覆材で形成した
単体板３３の裏面部分に、導電体、半導体、若しくは誘
電体などの帯電体薄膜３５が形成されている。帯電体薄
膜３５の形成は、スパッタ成膜、ＣＶＤ成膜、蒸着成膜
などにより形成する方法、樹脂系接着剤などにより、予
め形成した帯電体薄膜３５を単体板３３の裏面部分に張
り合わせる方法で行われる。この場合、いずれの方法で
製作されたダミーウエハ３１においても、プラズマ処理
時のマイクロアーキングの弊害を防止するため、帯電体
薄膜３５は、単体板３３の縁部（エッジ）よりやや内側
の領域に形成されることが望ましい。
【００１６】このダミーウエハ３１によれば、上述した
実施の形態と同様、静電チャック式のプラズマ装置にお
いても、確実なチャックが可能となり、装置ダウンタイ
ムを低減することができるとともに、帯電体薄膜３５を
張り合わせることで構成できるため、従来の単体板の使
用も可能となり、且つ構造が簡素なため、比較的容易に
製作することができる。
実施の形態と同様、静電チャック式のプラズマ装置にお
いても、確実なチャックが可能となり、装置ダウンタイ
ムを低減することができるとともに、帯電体薄膜３５を
張り合わせることで構成できるため、従来の単体板の使
用も可能となり、且つ構造が簡素なため、比較的容易に
製作することができる。
【００１７】次に、以上のように構成されるダミーウエ
ハ１、１７、２１、３１において、各種プラズマ装置に
好適な被覆材について説明する。タングステンエッジバ
ック装置のダミー処理に、ダミーウエハ１、１７、２
１、３１が使用される場合では、タングステン膜を削る
際使用される反応ガスが通常フッソ系のガスであり、ま
た、密着層を削る際には塩素系のガスが使用されるた
め、ダミーウエハ１、１７、２１、３１の被覆材として
は、セラミック、サファイヤ、カーボングラファイト、
炭化硅素、樹脂材料などが好適となる。
ハ１、１７、２１、３１において、各種プラズマ装置に
好適な被覆材について説明する。タングステンエッジバ
ック装置のダミー処理に、ダミーウエハ１、１７、２
１、３１が使用される場合では、タングステン膜を削る
際使用される反応ガスが通常フッソ系のガスであり、ま
た、密着層を削る際には塩素系のガスが使用されるた
め、ダミーウエハ１、１７、２１、３１の被覆材として
は、セラミック、サファイヤ、カーボングラファイト、
炭化硅素、樹脂材料などが好適となる。
【００１８】また、タングステンエッジバック装置のク
リーニングに、ダミーウエハ１、１７、２１、３１が使
用される場合では、タングステンエッジバック工程で生
成される副反応生成物が主に密着層に使用されているチ
タン系の反応物であり、塩素系ガスによるプラズマクリ
ーニングが効果的となるため、ダミーウエハ１、１７、
２１、３１の被覆材としては、セラミック、硬質ガラ
ス、サファイヤ、カーボングラファイト、炭化硅素、樹
脂材料などが好適となる。
リーニングに、ダミーウエハ１、１７、２１、３１が使
用される場合では、タングステンエッジバック工程で生
成される副反応生成物が主に密着層に使用されているチ
タン系の反応物であり、塩素系ガスによるプラズマクリ
ーニングが効果的となるため、ダミーウエハ１、１７、
２１、３１の被覆材としては、セラミック、硬質ガラ
ス、サファイヤ、カーボングラファイト、炭化硅素、樹
脂材料などが好適となる。
【００１９】また、アルミ系配線材料エッチング装置の
ダミー処理に、ダミーウエハ１、１７、２１、３１が使
用される場合では、アルミ系配線材料を削る際使用され
る反応ガスが通常塩素系のガスであり、稀に臭化水素が
用いられるため、ダミーウエハ１、１７、２１、３１の
被覆材としては、セラミック、硬質ガラス、サファイ
ヤ、カーボングラファイト、炭化硅素、樹脂材料などが
好適となる。
ダミー処理に、ダミーウエハ１、１７、２１、３１が使
用される場合では、アルミ系配線材料を削る際使用され
る反応ガスが通常塩素系のガスであり、稀に臭化水素が
用いられるため、ダミーウエハ１、１７、２１、３１の
被覆材としては、セラミック、硬質ガラス、サファイ
ヤ、カーボングラファイト、炭化硅素、樹脂材料などが
好適となる。
【００２０】また、ポリシリコン系配線材料エッチング
装置のダミー処理に、ダミーウエハ１、１７、２１、３
１が使用される場合では、ポリシリコン系配線材料を削
る際使用される反応ガスが通常塩素系のガスであり、稀
に臭化水素が用いられるため、ダミーウエハ１、１７、
２１、３１の被覆材としては、セラミック、硬質ガラ
ス、サファイヤ、カーボングラファイト、炭化硅素、樹
脂材料などが好適となる。
装置のダミー処理に、ダミーウエハ１、１７、２１、３
１が使用される場合では、ポリシリコン系配線材料を削
る際使用される反応ガスが通常塩素系のガスであり、稀
に臭化水素が用いられるため、ダミーウエハ１、１７、
２１、３１の被覆材としては、セラミック、硬質ガラ
ス、サファイヤ、カーボングラファイト、炭化硅素、樹
脂材料などが好適となる。
【００２１】また、酸化膜エッチング装置のダミー処理
に、ダミーウエハ１、１７、２１、３１が使用される場
合では、酸化膜を削る際使用される反応ガスが通常フッ
ソ系ガスであるため、ダミーウエハ１、１７、２１、３
１の被覆材としては、セラミック、サファイヤ、カーボ
ングラファイト、炭化硅素、樹脂材料などが好適とな
る。
に、ダミーウエハ１、１７、２１、３１が使用される場
合では、酸化膜を削る際使用される反応ガスが通常フッ
ソ系ガスであるため、ダミーウエハ１、１７、２１、３
１の被覆材としては、セラミック、サファイヤ、カーボ
ングラファイト、炭化硅素、樹脂材料などが好適とな
る。
【００２２】このように、それぞれのプラズマ装置に対
応して、耐性を有する被覆材が選定されることにより、
ダミーウエハ１、１７、２１、３１は、一枚当たりの使
用可能回数を増やすことができる。この結果、ダミーウ
エハ１、１７、２１、３１の消費量を低減させることが
でき、消耗品の材料費を削減することができる。
応して、耐性を有する被覆材が選定されることにより、
ダミーウエハ１、１７、２１、３１は、一枚当たりの使
用可能回数を増やすことができる。この結果、ダミーウ
エハ１、１７、２１、３１の消費量を低減させることが
でき、消耗品の材料費を削減することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
るプラズマ装置用ダミーウエハによれば、帯電体が被覆
材により覆われるので、静電荷をウエハ内部に帯電させ
ることができ、静電チャック式のプラズマ装置において
も、ダミーウエハを確実にチャックすることができる。
この結果、チャックエラーを防止することにより装置ダ
ウンタイムを低減することができ、全面プロセスの生産
効率、信頼性を向上させることができる。
るプラズマ装置用ダミーウエハによれば、帯電体が被覆
材により覆われるので、静電荷をウエハ内部に帯電させ
ることができ、静電チャック式のプラズマ装置において
も、ダミーウエハを確実にチャックすることができる。
この結果、チャックエラーを防止することにより装置ダ
ウンタイムを低減することができ、全面プロセスの生産
効率、信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明によるダミーウエハの第一の実施の形態
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【図２】ダミーウエハ接合構造の変形例を示す分解斜視
図である。
図である。
【図３】本発明によるダミーウエハの第二の実施の形態
を示す一部分を切り欠いた斜視図である。
を示す一部分を切り欠いた斜視図である。
【図４】本発明によるダミーウエハの第三の実施の形態
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１、１７、２１、３１ プラズマ装置用ダミーウエハ ３ 帯電体 ５、１３、１５、２３ 被覆材 ７、１１ 凹部 ３３ 単体板 ３５ 帯電体薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (6)
- 【請求項１】 各種プラズマ装置でプラズマクリーニン
グやダミー処理を行う際に使用されるプラズマ装置用ダ
ミーウエハであって、 導電体、半導体、若しくは誘電体のいずれかからなる帯
電体と、 プラズマ耐性を有する材料からなり該帯電体を収容する
凹部が形成され該凹部に該帯電体を収容して接合される
同一形状の一組の被覆材とを具備したことを特徴とする
プラズマ装置用ダミーウエハ。 - 【請求項２】 各種プラズマ装置でプラズマクリーニン
グやダミー処理を行う際に使用されるプラズマ装置用ダ
ミーウエハであって、 導電体、半導体、若しくは誘電体のいずれかからなる帯
電体と、 プラズマ耐性を有する材料からなり該帯電体を覆ってコ
ーティングされる被覆材とを具備したことを特徴とする
プラズマ装置用ダミーウエハ。 - 【請求項３】 前記被覆材がレクサン樹脂又はベスペル
樹脂のいずれかであることを特徴する請求項２記載のプ
ラズマ装置用ダミーウエハ。 - 【請求項４】 各種プラズマ装置でプラズマクリーニン
グやダミー処理を行う際に使用されるプラズマ装置用ダ
ミーウエハであって、 プラズマ耐性を有する材料からなる単体板と、 導電体、半導体、若しくは誘電体のいずれかからなり該
単体板の一方の面に被着される帯電体薄膜とを具備した
ことを特徴とするプラズマ装置用ダミーウエハ。 - 【請求項５】 エッチング耐性を有する材料としてセラ
ミック、硬質ガラス、サファイヤ、カーボングラファイ
ト、炭化硅素のいずれかを前記被覆材又は前記単体板と
して使用することを特徴とする請求項１又は請求項４記
載のプラズマ装置用ダミーウエハ。 - 【請求項６】 前記帯電体薄膜を蒸着又は接着剤により
被着したことを特徴とする請求項４記載のプラズマ装置
用ダミーウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19139695A JPH0945751A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | プラズマ装置用ダミーウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19139695A JPH0945751A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | プラズマ装置用ダミーウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945751A true JPH0945751A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16273914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19139695A Pending JPH0945751A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | プラズマ装置用ダミーウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945751A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7816013B2 (en) | 2007-12-04 | 2010-10-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer |
| US8138060B2 (en) | 2007-10-26 | 2012-03-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer |
| JP2021034695A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を処理する方法および装置 |
| KR20210066925A (ko) * | 2018-11-14 | 2021-06-07 | 사이버옵틱스 코포레이션 | 개선된 웨이퍼형 센서 |
-
1995
- 1995-07-27 JP JP19139695A patent/JPH0945751A/ja active Pending
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