JPH0945827A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0945827A JPH0945827A JP7197258A JP19725895A JPH0945827A JP H0945827 A JPH0945827 A JP H0945827A JP 7197258 A JP7197258 A JP 7197258A JP 19725895 A JP19725895 A JP 19725895A JP H0945827 A JPH0945827 A JP H0945827A
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- semiconductor device
- conductors
- components
- conductor
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】各電子部品１３，１４および１５は熱伝導体３
１，３２および３３にて冷却部品１６に接続されてい
る。 【効果】発熱量の異なる電子部品と熱伝導率の異なる熱
伝導体を組み合わせることによって各電子部品の動作時
の温度差を低減できる。この結果、出力信号レベルの均
一化が図れ、半導体装置１０１ａの動作をより安定化す
ることができる。
１，３２および３３にて冷却部品１６に接続されてい
る。 【効果】発熱量の異なる電子部品と熱伝導率の異なる熱
伝導体を組み合わせることによって各電子部品の動作時
の温度差を低減できる。この結果、出力信号レベルの均
一化が図れ、半導体装置１０１ａの動作をより安定化す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線基板上に複数の電子
部品を搭載接続し、電子部品上に冷却部品を有する半導
体装置に関する。
部品を搭載接続し、電子部品上に冷却部品を有する半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来マルチチップモジュールと呼ばれる
半導体装置は一般的に同一種類の複数の電子部品をセラ
ミック基板等の配線基板に搭載していた。たとえば特開
平6−77361 号公報記載のようにＬＳＩチップとヒート
シンクを熱伝導材で熱的に接続する構成で冷却を行って
いた。ここで各チップの発熱量に大きな差はないので同
一構造の熱伝導材を用いて冷却を行っても、各チップの
動作温度に大きな差は生じなかった。
半導体装置は一般的に同一種類の複数の電子部品をセラ
ミック基板等の配線基板に搭載していた。たとえば特開
平6−77361 号公報記載のようにＬＳＩチップとヒート
シンクを熱伝導材で熱的に接続する構成で冷却を行って
いた。ここで各チップの発熱量に大きな差はないので同
一構造の熱伝導材を用いて冷却を行っても、各チップの
動作温度に大きな差は生じなかった。
【０００３】しかし、近年、集積度の向上に伴い、発熱
量の大きな高速ＣＰＵと比較的発熱量の少ないメモリ素
子を近接させることで半導体装置を高速化する必要性が
増してきた。
量の大きな高速ＣＰＵと比較的発熱量の少ないメモリ素
子を近接させることで半導体装置を高速化する必要性が
増してきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】よく知られているよう
に、モジュール内に実裝された多数のデバイスから出力
される信号レベルを均一化するためには、各電子部品の
動作温度を一定範囲以内に収める必要がある。しかし、
従来構造ではＣＰＵが発生する熱によってＣＰＵとメモ
リ素子との間に許容範囲を超える温度差が生じる。ま
た、ＣＰＵ近くのメモリ素子とＣＰＵから離れた位置に
あるメモリ素子に接続する熱伝導体に同じ熱伝導率のも
のを用いると、ＣＰＵ近くのメモリの動作温度がＣＰＵ
から離れたメモリの動作温度より高くなる。すなわち各
電子部品の動作温度を一定範囲内に収める点について考
慮がなされていなかった。
に、モジュール内に実裝された多数のデバイスから出力
される信号レベルを均一化するためには、各電子部品の
動作温度を一定範囲以内に収める必要がある。しかし、
従来構造ではＣＰＵが発生する熱によってＣＰＵとメモ
リ素子との間に許容範囲を超える温度差が生じる。ま
た、ＣＰＵ近くのメモリ素子とＣＰＵから離れた位置に
あるメモリ素子に接続する熱伝導体に同じ熱伝導率のも
のを用いると、ＣＰＵ近くのメモリの動作温度がＣＰＵ
から離れたメモリの動作温度より高くなる。すなわち各
電子部品の動作温度を一定範囲内に収める点について考
慮がなされていなかった。
【０００５】本発明は電子部品間の温度差を低減するこ
とにより、各デバイスの出力信号レベルを均一化し、半
導体装置の動作をより安定化させることにある。
とにより、各デバイスの出力信号レベルを均一化し、半
導体装置の動作をより安定化させることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、配線基板
と、この基板に搭載される複数の電子部品と、電子部品
に取り付けられ電子部品で発生する熱を冷却部品に伝熱
する熱伝導体からなる半導体装置において、熱伝導体の
少なくとも一つは他の熱伝導体とは異なる熱伝導率を持
つことにより達成される。
と、この基板に搭載される複数の電子部品と、電子部品
に取り付けられ電子部品で発生する熱を冷却部品に伝熱
する熱伝導体からなる半導体装置において、熱伝導体の
少なくとも一つは他の熱伝導体とは異なる熱伝導率を持
つことにより達成される。
【０００７】
【作用】上記手段によれば、ＣＰＵと接する熱伝導体と
しては、比較的熱伝導率の高い熱伝導体を用い、メモリ
素子と接する熱伝導体としては、比較的熱伝導率の低い
熱伝導体を用いることができる。またＣＰＵの近傍にあ
るメモリに接続される熱伝導体として比較的熱伝導率の
高い熱伝導体を用い、ＣＰＵから離れた位置にあるメモ
リに接続される熱伝導体として比較的熱伝導率の低い熱
伝導体を用いることができる。これにより、ＣＰＵとメ
モリ素子の温度差が従来より低減され、さらにＣＰＵ近
傍のメモリ素子とＣＰＵから離れたメモリ素子間の温度
差が低減する。この結果、ＣＰＵおよび各メモリ素子の
出力信号レベルを均一化できる。
しては、比較的熱伝導率の高い熱伝導体を用い、メモリ
素子と接する熱伝導体としては、比較的熱伝導率の低い
熱伝導体を用いることができる。またＣＰＵの近傍にあ
るメモリに接続される熱伝導体として比較的熱伝導率の
高い熱伝導体を用い、ＣＰＵから離れた位置にあるメモ
リに接続される熱伝導体として比較的熱伝導率の低い熱
伝導体を用いることができる。これにより、ＣＰＵとメ
モリ素子の温度差が従来より低減され、さらにＣＰＵ近
傍のメモリ素子とＣＰＵから離れたメモリ素子間の温度
差が低減する。この結果、ＣＰＵおよび各メモリ素子の
出力信号レベルを均一化できる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明における第１の実施例である半
導体装置１０１ａの断面図である。
導体装置１０１ａの断面図である。
【０００９】配線基板１１はたとえばアルミナまたはム
ライト製のセラミクス基板からなる。この配線基板１１
上面に、接続手段１２としてＰｂ／Ｓｎ（９５／５ｗｔ
％）からなる半田ボールにより、複数の電子部品１３，
１４および１５が搭載されている。接続手段１２は電子
部品形態がＢＧＡやベアチップの場合は半田ボールによ
る突起電極形態をとり、電子部品形態がＱＦＰ，ＴＣＰ
の場合はパッケージに付随した金属リード形態をとる。
ここで電子部品１３はＣＰＵであり、電子部品１４およ
び１５はメモリ素子である。
ライト製のセラミクス基板からなる。この配線基板１１
上面に、接続手段１２としてＰｂ／Ｓｎ（９５／５ｗｔ
％）からなる半田ボールにより、複数の電子部品１３，
１４および１５が搭載されている。接続手段１２は電子
部品形態がＢＧＡやベアチップの場合は半田ボールによ
る突起電極形態をとり、電子部品形態がＱＦＰ，ＴＣＰ
の場合はパッケージに付随した金属リード形態をとる。
ここで電子部品１３はＣＰＵであり、電子部品１４およ
び１５はメモリ素子である。
【００１０】さらに電子部品１３，１４および１５の上
部には冷却部品１６が覆うように配置されている。ここ
で冷却部品１６は熱伝導率が高く加工しやすい材料であ
るＡｌＮ等のセラミクスからなる。また生産性向上やコ
スト低減のためにはＡｌやＣｕなどの金属が望ましい。
さらに冷却部品１６の周辺部は凸状に加工されており、
配線基板１１の周辺部に半田等（図示せず）により接続
されている。ここで電子部品１３，１４および１５上部
には熱伝導体３１，３２および３３が接続されており、
熱伝導体３１，３２および３３は冷却部品１６の中央凹
部に熱的に接続されている。ここで電子部品１３はＣＰ
Ｕなので、その発熱量が４０〜５０Ｗに達する一方、電
子部品１４および１５はメモリ素子なので、その発熱量
は数Ｗレベルである。
部には冷却部品１６が覆うように配置されている。ここ
で冷却部品１６は熱伝導率が高く加工しやすい材料であ
るＡｌＮ等のセラミクスからなる。また生産性向上やコ
スト低減のためにはＡｌやＣｕなどの金属が望ましい。
さらに冷却部品１６の周辺部は凸状に加工されており、
配線基板１１の周辺部に半田等（図示せず）により接続
されている。ここで電子部品１３，１４および１５上部
には熱伝導体３１，３２および３３が接続されており、
熱伝導体３１，３２および３３は冷却部品１６の中央凹
部に熱的に接続されている。ここで電子部品１３はＣＰ
Ｕなので、その発熱量が４０〜５０Ｗに達する一方、電
子部品１４および１５はメモリ素子なので、その発熱量
は数Ｗレベルである。
【００１１】本実施例では熱伝導体３１，３２および３
３に熱伝導率の異なる材料を用いた。具体的には、熱伝
導体３１にはＣｕ、熱伝導体３２にはＳｉ、熱伝導体３
３にはＭｏをそれぞれ用いた。本実施例による各電子部
品の温度分布を図２に示す。
３に熱伝導率の異なる材料を用いた。具体的には、熱伝
導体３１にはＣｕ、熱伝導体３２にはＳｉ、熱伝導体３
３にはＭｏをそれぞれ用いた。本実施例による各電子部
品の温度分布を図２に示す。
【００１２】横軸に配線基板中心からの距離を示し、縦
軸に各電子部品の動作温度を示す。グラフの下に示す図
は半導体装置１０１ａであり、配線基板１１と電子部品
１３，１４および１５の配置と接続状態を示している。
電子部品１４および１５はメモリ素子であって、その発
熱量はいずれも５Ｗである。また電子部品１３はCPUで
あり、その発熱量は４０Ｗである。
軸に各電子部品の動作温度を示す。グラフの下に示す図
は半導体装置１０１ａであり、配線基板１１と電子部品
１３，１４および１５の配置と接続状態を示している。
電子部品１４および１５はメモリ素子であって、その発
熱量はいずれも５Ｗである。また電子部品１３はCPUで
あり、その発熱量は４０Ｗである。
【００１３】点線は従来構造での動作温度の分布を示し
ている。従来構造では、熱伝導体３１，３２および３３
に厚さの等しいＣｕを用いることで各熱伝導体の熱伝導
率を同じにした。各電子部品１３，１４，１５と外部雰
囲気の間の熱抵抗はほぼ等しいので、発熱量の大きい電
子部品１３の温度上昇がもっとも大きい。そして、電子
部品１３の周囲に伝わる熱量の影響が大きい電子部品１
４の温度上昇が次に大きく、電子部品１５の温度上昇は
最も小さい。電子部品１３，１４，１５の動作温度差Δ
Ｔａは３０（℃）に達した。
ている。従来構造では、熱伝導体３１，３２および３３
に厚さの等しいＣｕを用いることで各熱伝導体の熱伝導
率を同じにした。各電子部品１３，１４，１５と外部雰
囲気の間の熱抵抗はほぼ等しいので、発熱量の大きい電
子部品１３の温度上昇がもっとも大きい。そして、電子
部品１３の周囲に伝わる熱量の影響が大きい電子部品１
４の温度上昇が次に大きく、電子部品１５の温度上昇は
最も小さい。電子部品１３，１４，１５の動作温度差Δ
Ｔａは３０（℃）に達した。
【００１４】本構造の動作温度の分布を実線に示す。電
子部品１３に接続する熱伝導体３１には従来と同じＣｕ
を用いた。電子部品１３から周囲に伝達する熱量に大き
く影響される電子部品１４と接する熱伝導体３２の材料
としては、Ｃｕより熱伝導率の小さいＳｉを用いた。電
子部品１３の熱的影響が比較的少ない電子部品１５と接
する熱伝導体３３の材料は、Ｓｉよりさらに熱伝導率の
小さいＭｏを用いた。これら熱伝導体３１，３２，３３
の厚さは等しくした。電子部品１４と外部雰囲気の間の
熱抵抗は、従来例に比べて大きくなっているので、電子
部品１３と１４の温度差は従来より低減される。また電
子部品１５と外部雰囲気の間の熱抵抗は、電子部品１４
と外部雰囲気との間の熱抵抗よりさらに大きいので、従
来構造と比べた電子部品１５の温度上昇の幅はさらに大
きくなり、電子部品１４と１５の温度差も従来より低減
される。
子部品１３に接続する熱伝導体３１には従来と同じＣｕ
を用いた。電子部品１３から周囲に伝達する熱量に大き
く影響される電子部品１４と接する熱伝導体３２の材料
としては、Ｃｕより熱伝導率の小さいＳｉを用いた。電
子部品１３の熱的影響が比較的少ない電子部品１５と接
する熱伝導体３３の材料は、Ｓｉよりさらに熱伝導率の
小さいＭｏを用いた。これら熱伝導体３１，３２，３３
の厚さは等しくした。電子部品１４と外部雰囲気の間の
熱抵抗は、従来例に比べて大きくなっているので、電子
部品１３と１４の温度差は従来より低減される。また電
子部品１５と外部雰囲気の間の熱抵抗は、電子部品１４
と外部雰囲気との間の熱抵抗よりさらに大きいので、従
来構造と比べた電子部品１５の温度上昇の幅はさらに大
きくなり、電子部品１４と１５の温度差も従来より低減
される。
【００１５】この結果、電子部品１３，１４，１５の動
作温度差ΔＴｂは５（℃）となり、従来に比べて約６分
の１に低減できた。またの理由より、熱伝導体３２には
熱伝導体Ｃｕの熱伝導率よりも小さいＭｏを用い、熱伝
導体３３には熱伝導体３２に用いたＭｏよりさらに熱伝
導率が小さいＡｌ2Ｏ3を用いても同様の効果が得られ
る。
作温度差ΔＴｂは５（℃）となり、従来に比べて約６分
の１に低減できた。またの理由より、熱伝導体３２には
熱伝導体Ｃｕの熱伝導率よりも小さいＭｏを用い、熱伝
導体３３には熱伝導体３２に用いたＭｏよりさらに熱伝
導率が小さいＡｌ2Ｏ3を用いても同様の効果が得られ
る。
【００１６】図３は本発明における第２の実施例である
半導体装置１０１ｂの断面図である。
半導体装置１０１ｂの断面図である。
【００１７】半導体装置１０１ｂは、半導体装置１０１
ａにおける熱伝導体３１，３２および３３を複数部品で
構成した例である。すなわち、熱伝導体３６，３７およ
び３８は、熱伝導体３１，３２および３３のそれぞれと
熱伝導体３４を積層してなる。
ａにおける熱伝導体３１，３２および３３を複数部品で
構成した例である。すなわち、熱伝導体３６，３７およ
び３８は、熱伝導体３１，３２および３３のそれぞれと
熱伝導体３４を積層してなる。
【００１８】本実施例では熱伝導体を複数積層すること
で熱伝導体３６，３７および３８の熱伝導率に差を設け
た。具体的には、熱伝導体３４にはＰｂ／Ｓｎ（３７／
６３ｗｔ％）を使用し、熱伝導体３１，３２および３３
は第１の実施例と同様にそれぞれＣｕ，Ｓｉ，Ｍｏを使
用した。第１の実施例と同様に電子部品１３，１４，１
５の順に外部雰囲気との間の熱抵抗が大きくなるので従
来例に比べて各電子部品間の温度差を低減できる。また
Ｃｕ，ＡｌＮ，ＳｉＣ，Ａｌ，Ｗ，ＳｉまたはＭｏの中
の任意の３種類を熱伝導率の大きい順に電子部品１３，
１４，１５に配置することによっても同様の効果が得ら
れる。
で熱伝導体３６，３７および３８の熱伝導率に差を設け
た。具体的には、熱伝導体３４にはＰｂ／Ｓｎ（３７／
６３ｗｔ％）を使用し、熱伝導体３１，３２および３３
は第１の実施例と同様にそれぞれＣｕ，Ｓｉ，Ｍｏを使
用した。第１の実施例と同様に電子部品１３，１４，１
５の順に外部雰囲気との間の熱抵抗が大きくなるので従
来例に比べて各電子部品間の温度差を低減できる。また
Ｃｕ，ＡｌＮ，ＳｉＣ，Ａｌ，Ｗ，ＳｉまたはＭｏの中
の任意の３種類を熱伝導率の大きい順に電子部品１３，
１４，１５に配置することによっても同様の効果が得ら
れる。
【００１９】図４は本発明の第３の実施例である半導体
装置１０１ｃの断面図である。
装置１０１ｃの断面図である。
【００２０】半導体装置１０１ｃは、半導体装置１０１
ａの熱伝導体３１，３２および３３を熱伝導体４５，４
６および４７に置き換えた構造である。これら熱伝導体
４５，４６および４７は熱伝導体４０と熱伝導体４１の
２つの部品からなる。そして、電子部品１３と接する熱
伝導体４０の厚さを最も厚くし、電子部品１５と接する
熱伝導体４０の厚さを最も薄くした。ここで熱伝導体４
０の材料としてはＣｕを用い、熱伝導体４１の材料とし
ては、Ｃｕより熱伝導率の小さいＰｂ／Ｓｎ（３７／６
３ｗｔ％）を用いた。以上の構成によれば第１の実施例
と同様に、電子部品１３，１４，１５の順に外部雰囲気
との間の熱抵抗が大きくなるので、従来例に比べて各電
子部品間の温度差を低減できる。
ａの熱伝導体３１，３２および３３を熱伝導体４５，４
６および４７に置き換えた構造である。これら熱伝導体
４５，４６および４７は熱伝導体４０と熱伝導体４１の
２つの部品からなる。そして、電子部品１３と接する熱
伝導体４０の厚さを最も厚くし、電子部品１５と接する
熱伝導体４０の厚さを最も薄くした。ここで熱伝導体４
０の材料としてはＣｕを用い、熱伝導体４１の材料とし
ては、Ｃｕより熱伝導率の小さいＰｂ／Ｓｎ（３７／６
３ｗｔ％）を用いた。以上の構成によれば第１の実施例
と同様に、電子部品１３，１４，１５の順に外部雰囲気
との間の熱抵抗が大きくなるので、従来例に比べて各電
子部品間の温度差を低減できる。
【００２１】図５は本発明の第４の実施例である半導体
装置１０１ｄの断面図である。
装置１０１ｄの断面図である。
【００２２】半導体装置１０１ｃは、半導体装置１０１
ａの熱伝導体３１，３２および３３を熱伝導体４８，４
９および５０に置き換えた構造である。そして、電子部
品１３と接する熱伝導体４８の接触面積を最も大きく
し、電子部品１５と接する熱伝導体５０の接触面積を最
も小さくした。ここで熱伝導体４８，４９，５０の材料
としてはＣｕを用いた。以上の構成によれば第１の実施
例と同様に、電子部品１３，１４，１５の順に外部雰囲
気との間の熱抵抗が大きくなるので、従来例に比べて各
電子部品間の温度差を低減できる。
ａの熱伝導体３１，３２および３３を熱伝導体４８，４
９および５０に置き換えた構造である。そして、電子部
品１３と接する熱伝導体４８の接触面積を最も大きく
し、電子部品１５と接する熱伝導体５０の接触面積を最
も小さくした。ここで熱伝導体４８，４９，５０の材料
としてはＣｕを用いた。以上の構成によれば第１の実施
例と同様に、電子部品１３，１４，１５の順に外部雰囲
気との間の熱抵抗が大きくなるので、従来例に比べて各
電子部品間の温度差を低減できる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば複数の電子部品を高密度
で搭載した半導体装置内で、同種の電子部品の動作温度
の差を少なくすることができるので、各電子部品から出
力される信号レベルが均一化し、半導体装置の動作をよ
り安定させることができる。
で搭載した半導体装置内で、同種の電子部品の動作温度
の差を少なくすることができるので、各電子部品から出
力される信号レベルが均一化し、半導体装置の動作をよ
り安定させることができる。
【図１】本発明の一実施例の複数の電子部品を配線基板
に搭載し電子部品と冷却部品を熱伝導体で接続した半導
体装置の断面図。
に搭載し電子部品と冷却部品を熱伝導体で接続した半導
体装置の断面図。
【図２】従来半導体装置の温度分布と本構造による温度
特性図。
特性図。
【図３】本発明の一実施例の複数の電子部品を配線基板
に搭載し電子部品と冷却部品を熱伝導体で接続した半導
体装置の断面図。
に搭載し電子部品と冷却部品を熱伝導体で接続した半導
体装置の断面図。
【図４】本発明の一実施例の複数の電子部品を配線基板
に搭載し電子部品と冷却部品を熱伝導体で接続した半導
体装置の断面図。
に搭載し電子部品と冷却部品を熱伝導体で接続した半導
体装置の断面図。
【図５】本発明の一実施例の複数の電子部品を配線基板
に搭載し電子部品と冷却部品を熱伝導体で接続した半導
体装置の断面図。
に搭載し電子部品と冷却部品を熱伝導体で接続した半導
体装置の断面図。
１１…配線基板、１２…突起電極、１３…ＣＰＵ部品、
１４…メモリ部品、１５…メモリ部品、１６…冷却部
品、３１…熱伝導体、３２…熱伝導体、３３…熱伝導
体、１０１ａ…半導体装置。
１４…メモリ部品、１５…メモリ部品、１６…冷却部
品、３１…熱伝導体、３２…熱伝導体、３３…熱伝導
体、１０１ａ…半導体装置。
Claims (8)
- 【請求項１】配線基板と、この基板に搭載される複数の
電子部品と、前記電子部品に取り付けられ前記電子部品
で発生する熱を冷却部品に伝える熱伝導体からなる半導
体装置において、前記熱伝導体の少なくとも一つは他の
熱伝導体とは異なる熱伝導率を持つことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記熱伝導体の少なく
とも一つは他の熱伝導体とは熱伝導率の異なる材料から
なる半導体装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記熱伝導体
は熱伝導率の異なる複数の材料を積層してなる半導体装
置。 - 【請求項４】請求項３において、前記熱伝導体を構成す
る複数の材料のうち少なくとも一つの材料の厚さが他の
熱伝導体を構成する材料の厚さと異なっている半導体装
置。 - 【請求項５】請求項１において、前記熱伝導体の少なく
とも一つは他の熱伝導体とは前記電子部品との接続面積
が異なっている半導体装置。 - 【請求項６】請求項１，２，３，４または５において、
前記電子部品はベアチップからなる半導体装置。 - 【請求項７】請求項１，２，３，４または５において、
前記電子部品はＱＦＰ，ＢＧＡ，ＴＣＰ等の表面実裝用
パッケージからなる半導体装置。 - 【請求項８】請求項１，２，３，４または５において、
前記熱伝導体を構成する材料の少なくとも一つは半田か
らなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7197258A JPH0945827A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7197258A JPH0945827A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945827A true JPH0945827A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16371479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7197258A Pending JPH0945827A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945827A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244391A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-09-07 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | マルチチップモジュールの冷却構造 |
| US7254035B2 (en) | 2000-10-25 | 2007-08-07 | Sony Computer Entertainment Inc. | Circuit substrate unit and electronic equipment |
| JP2008021810A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールおよび放熱板 |
| JP2008103595A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュール及び半導体モジュール用放熱板 |
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