JPH0945836A

JPH0945836A - リードフレームの部分めっき方法およびその方法により作製されたリードフレーム

Info

Publication number: JPH0945836A
Application number: JP7211357A
Authority: JP
Inventors: Teruhisa Momose; 輝寿百瀬; Nobuhiro Sakihama; 信宏崎浜
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-07-28
Filing date: 1995-07-28
Publication date: 1997-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】めっき液への耐性を備えた感光性のレジスト
を用いてリードフレームの所定の領域のみをめっき液に
露出した状態にマスキングし、めっきを施すリードフレ
ームの部分めっき方法において、電着レジスト現像の際
のレジスト残渣によるめっき皮膜と下地金属との密着性
劣化の無い、部分めっき方法を提供する。【解決手段】リードフレームの少なくともインナーリ
ード部にめっき液への耐性を備えた感光性のレジストを
用いてリードフレームの所定の領域のみをめっき液に露
出した状態にしてめっきを施すリードフレームの部分め
っき方法であって、順に、（Ａ）レジストをリードフレ
ームの表面に被膜して、露光、現像処理を行い、リード
フレームのめっきする所定の領域のみを露出させる工程
と、（Ｂ）露出されたリードフレームのめっきする所定
の領域を、酸素含有空気中で紫外線を照射し、洗浄する
工程と、（Ｃ）リードフレームのめっきする所定の領域
に貴金属めっき処理を施す工程とを有す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置に用いられ
るリードフレームの少なくともインナーリード部に貴金
属めっきを施すめっき方法と、そのめっき方法によって
作製されたリードフレームに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、樹脂封止型の半導体装置の組
立部材として用いられる（単層）リードフレームは、プ
レス法もしくはエッチング法により形成され、一般には
図６（ａ）に示すように、半導体素子を搭載するための
ダイパッド６１２と、ダイパッド６１２の周囲に設けら
れた半導体素子と結線するためのインナーリード６１３
と、該インナーリード６１３に連続して外部回路との結
線を行うためのアウターリード６１４、樹脂封止する際
のダムとなるダムバー６１５、リードフレーム６１０全
体を支持するフレーム（枠）部６１６等を備えている。
そして、リードフレーム（単層リードフレーム）６１０
は、通常、コバール、４２合金（４２％ニッケル−鉄合
金）、銅系合金のような導電性に優れた金属から成り、
図６（ｂ）に示すように、ダイパッド６１２に半導体素
子６２０を搭載し、半導体素子６２０の端子（パッド）
６２１とインナーリード６１３の先端部とを金などのワ
イヤ６３０で結線を行った後に、樹脂６４０にて封止し
て、半導体装置６００を作製していた。このように、半
導体素子６２０の端子（パッド）６２１とインナーリー
ド６１３の先端部とを金などのワイヤ６３０で結線を行
うために、導電性に優れ、ワイヤとの強い結合力をもつ
銀めっきをインナーリードの半導体素子搭載側先端部に
施す、部分銀めっき処理が一般には採られていた。

【０００３】この部分銀めっき処理は、従来は、図７に
示すようなめっき装置７００を用い、リードフレーム７
１０の被めっき領域以外をマスキング治具７２０で覆い
ながら押さえ、被めっき領域へノズル７４０から噴出さ
れためっき液７８０をあてながらめっきを行うスパージ
ャー式の治具めっき方法が主に行われていた。この治具
めっき方法では、リードフレームの品種毎に治具を必要
とし、且つ、治具の製作には長期間を要し、使用するに
つれ摩耗や疲労を生じるため交換が必要であり、生産性
の面やコスト面でも問題となっていた。また、めっきの
品質を考慮した場合、位置決めピンによって位置合わせ
を行い上下の治具により１連リードフレームを挾み押さ
えた後めっきを行うため、めっき位置精度、めっき厚均
一性などのめっき品質が作製された治具の精度や取り付
けの精度に影響を受け易い。そして、本来めっきが不要
であるリードフレームの側面や裏面にめっきが析出し易
く、調整には高度な経験的技術を要する等問題があっ
た。更に、半導体プロセスの進歩による半導体素子の入
出力端子数の増大化、パッケージサイズの小型化による
インナーリード部の狭小化により、めっき部の寸法精度
が一層厳しくなってきており、寸法精度的にも対応が難
しくなってきた。

【０００４】この為、治具を必要とせず、半導体素子の
多端子化やインナーリード部の狭小化にも対応できるも
のとして、近年、上記治具によるマスキングによる部分
銀めっきに換え、図４に示すような、めっき液への耐性
を備えた感光性の電着レジストを用い、リードフレーム
の所定の領域のみをめっき液に露出した状態にマスキン
グしてめっきを施すリードフレームの銀めっき方法が採
られるようになってきた。この部分銀めっき方法を、図
４を用いて簡単に説明する。尚、図４は上記の電着レジ
ストを用いた部分銀めっき方法を説明するために、リー
ドフレームの一部（特徴部）の断面を示したものであ
る。先ず、リードフレーム４１０全体を電解脱脂し、酸
洗して、化学研磨した後（図４（ａ））、リードフレー
ム４１０表面全体に下地めっきとしての銅ストライクめ
っき４２０を施し（図４（ｂ））、その後に全面に電着
レジスト４３０を形成する。（図４（ｃ））次いで、所定のフオトマスク４４０を用いて所定の部分
（ダイパッド４１２とインナーリード４１３の先端部）
を紫外線（露光光）４５０で露光して、露光部のみを硬
化させ（図４（ｄ））、次いで、現像処理を行い、未露
光部の電着レジスト４３０を除去し、めっき部４６０を
露出させる（図４（ｅ））。めっき部４６０はレジスト
残渣４７０がある状態で露出される。次に、露出された
めっき部４６０へ酸洗浄を行った後、銀めっき液中にリ
ードフレーム全体を漬して、攪拌しながら所定の電流密
度と時間でめっきを行い、めっき部４６０へ所望の膜厚
の銀めっき（皮膜）４９０を得る。（図４（ｆ））この
後、電着レジスト４３０を剥離液で剥離し、所定の領域
のみに銀めっき（皮膜）４９０を有するリードフレーム
４１０Ａを得る。（図４（ｇ））尚、めっき処理の前処
理としては、酸洗浄の他には、アルカリ洗浄等が、必要
に応じて、電着レジストが損傷されない程度に施され
る。また、銅ストライクメッキは、リードフレーム素材
が銅系合金である場合には、Ｓｎ、Ｎｉ等の不純物が含
まれるため、銀めっきの下地金属として薄く銅めっきす
るものであるが、必ずしも必要とはしない。リードフレ
ーム素材の上に、直接、銀めっきを施す場合もある。こ
の場合は銀めっきの下地金属はリードフレーム素材とな
る。

【０００５】最近は、銀めっきに代えて、貴金属として
パラジウム、もしくはパラジウム系合金をリードフレー
ムにめっき法で形成するようになってきたが、この場合
にも、リードフレーム全面にめっきを施すことが割高と
なることから、部分的に必要な領域のみにめっきを施す
ようになり、銀めっきの場合と同じように、治具を用い
たマスキング方法の他に、めっき液への耐性を備えた感
光性の電着レジストを用いたマスキング方法が採られよ
うになってきた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、めっき液への耐性を備えた感光性の電着レジス
トを用いたマスキング方法においては、電着レジストで
リードフレーム全体を被覆し、所定のパターン形状が形
成されている露光用マスクを介して露光を行い、所定の
現像液にて不要な部分を溶かし、乾燥を行い、所定の形
状の電着レジストによるマスクを形成した後に、銀、パ
ラジウム、パラジウム系合金等の貴金属の皮膜を形成す
るが、この際、現像によって被めっき領域にレジストの
残渣の有機薄膜が存在することとなり、この残渣が原因
で、めっき皮膜と下地金属との密着性劣化が起こり、各
種処理工程、例えばダイボンディング剤のキュア等熱処
理によって、めっき皮膜の部分的ふくれ、剥がれを引起
しており、この対応が求められていた。本発明は、この
ような状況のもと、めっき液への耐性を備えた感光性の
電着レジストを用いたマスキング方式の部分めっき方法
において、電着レジスト現像の際のレジスト残渣による
めっき皮膜と下地金属との密着性劣化の無い、めっき方
法を提供しようとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
の部分めっき方法は、リードフレームの少なくともイン
ナーリード部に貴金属めっきを施すために、めっき液へ
の耐性を備えた感光性のレジストを用いてリードフレー
ムの所定の領域のみをめっき液に露出した状態にしてめ
っきを施すリードフレームの部分めっき方法であって、
順に、（Ａ）レジストをリードフレームの表面に被膜し
て、露光、現像処理を行い、リードフレームのめっきす
る所定の領域のみを露出させる工程と、（Ｂ）露出され
たリードフレームのめっきする所定の領域を、酸素含有
空気中で紫外線を照射し、洗浄する工程と、（Ｃ）リー
ドフレームのめっきする所定の領域に貴金属めっき処理
を施す工程とを有することを特徴とするものである。そ
して、上記における紫外線は、波長１８４．９ｎｍ、お
よび２５３．７ｎｍに発光スペクトルのピークをもつ低
圧水銀灯ランプからの紫外線であることを特徴とするリ
ードフレームの部分めっき方法。また、本発明のリード
フレームの部分めっき方法は、リードフレームの少なく
ともインナーリード部に貴金属めっきを施すために、め
っき液への耐性を備えた感光性のレジストを用いてリー
ドフレームの所定の領域のみをめっき液に露出した状態
にしてめっきを施すリードフレームの部分めっき方法で
あって、順に、（ａ）レジストをリードフレームの表面
に被膜して、露光、現像処理を行い、リードフレームの
めっきする所定の領域のみを露出させる工程と、（ｂ）
露出されたリードフレームのめっきする所定の領域を、
オゾン含有水で洗浄する工程と、（ｃ）リードフレーム
のめっきする所定の領域に貴金属めっき処理を施す工程
とを有することを特徴とするものである。そして、上記
におけるレジストが電着レジストであることを特徴とす
るものである。そしてまた、上記における貴金属めっき
処理が、銀めっき処理、パラジウムめっき処理、パラジ
ウム系合金めっき処理の少なくとも１つの処理を含むこ
とを特徴とするものである。本発明のリードフレーム
は、上記リードフレームの部分めっき方法により作製さ
れたことを特徴とするものである。

【０００８】本発明のリードフレームの部分めっき方法
においては、リドフレーム材としては、４２合金（４２
％ニッケル−鉄合金）、コバール、各種銅合金が使用可
能であり、リードフレームの形態は、一連又はフープ状
でも、シート状でも良い。リードフレームの全面を被膜
するめっきレジストとしては、感光性レジストで、ポジ
型、ネガ型、どちらでも良く、電着レジストが好まし
い。電着レジストとしては、アニオン析出型、カチオン
析出型のどちらでも良く、所定の電圧、電流を印加し
て、電着レジストを析出させ、熱処理することによっ
て、ピンホール等の無い絶縁膜にすることができる。感
光性レジストのパターンニングは、所定の形状を有する
露光用のパターンを用いて、露光、現像を行い、被めっ
き領域の金属部分（下地金属部分）を露出させる。尚、
露光は、使用するレジストのタイプに合わせて使用し、
レジスト膜の露光感度域に発光スペクトルを持つ紫外線
ランプを用いて行う。また、現像は、レジストに適した
現像液、現像条件で行い、被めっき領域のレジスト膜を
溶解除去させる。

【０００９】電着レジストの現像により、露出されたリ
ードフレームのめっきする所定の領域を、酸素含有空気
中で紫外線を照射すると、オゾン及び活性酸素が発生
し、これらにより、レジスト残渣の有機薄膜が酸化分解
され、除去される。紫外線の発生源としては、波長１８
４．９ｎｍ及び２５３．７ｎｍに発光スペクトルのピー
クを持つ低圧水銀灯が挙げられるが、特に、これには限
定されない。尚、紫外線処理は、ランプの強度、レジス
ト残渣量によって、最適処理条件が異なるが、めっきマ
スクとしてのレジスト部の損傷をできるだけ抑えるよう
にする。波長１８４．９ｎｍ及び２５３．７ｎｍに発光
スペクトルのピークを持つ低圧水銀灯を用いて紫外線洗
浄をする場合のメカニズムを、簡単に説明すると以下の
通りである。Ｏ₂を分解可能である１８４．９ｎｍ線に
より、次式のようにＯ₃を生成する。Ｏ₂ ＋（１８４．９ｎｍ）＝Ｏ＋ＯＯ＋Ｏ₂ ＝Ｏ₃ また、２５３．７ｎｍの紫外線はオゾンに良く吸収さ
れ、次式で示すように、速かに活性の酸素を生成する。Ｏ₃ ＋（２５３．７ｎｍ）＝Ｏ₂＋Ｏこのように、生成されるＯ₃及び生成されるＯ₃から生
成される活性の酸素により、有機物が直接分解される。

【００１０】電着レジストの現像により、露出されたリ
ードフレームのめっきする所定の領域に対し、オゾン含
有水をスプレーで吹きつけることによって、レジスト残
渣の有機薄膜を酸化分解して除去する。オゾン含有水
は、オゾンガスを散気管や基体分散ポンプによって純水
中に強制的に溶解させるか、又は、純水中で低圧水銀灯
を照射することによって得られ、必要なオゾン濃度、お
よびランニングコストから適した方法が採られる。

【００１１】貴金属めっきとしては、銀めっき、パラジ
ウムめっき、パラジウム系合金めっきもしくはパラジウ
ム系複合めっきが使用可能である。各めっき液は一般的
に市販されているものを用いることが可能で、めっき方
法、めっき条件は各々めっき液に適した方法、条件を用
いる。めっき皮膜形成後にレジストを剥離するが、用い
たレジストに適した剥離液、剥離条件で除去し、必要が
あれば更に脱脂洗浄する。

【００１２】

【作用】本発明のリードフレームの部分めっき方法は、
このような構成にすることにより、めっき液への耐性を
備えた感光性のレジストを用いてリードフレームの所定
の領域のみをめっき液に露出した状態にマスキングして
めっきを施す部分めっき方法において、レジスト現像の
際のレジスト残渣に起因する、めっき皮膜と下地金属と
の密着性劣化が起こらない部分めっき方法の提供を可能
とするものである。詳しくは、レジストを被膜して、露
光、現像処理を行った後に、リードフレームのめっきす
る所定の領域を酸素含有空気中で紫外線を照射し、洗浄
した後に貴金属めっき処理を施すことにより、即ち、従
来問題となっていた現像後の残渣の除去を行った後にめ
っき処理を施すことにより、下地金属と皮膜金属との密
着性劣化の無い、めっきを可能としている。尚、紫外線
は、波長１８４．９ｎｍ、および２５３．７ｎｍに発光
スペクトルのピークをもつ低圧水銀灯ランプからの紫外
線であることにより、洗浄をより効果的としている。ま
た、レジストを被膜して、露光、現像処理を行った後
に、リードフレームのめっきする所定の領域を、オゾン
含有水で洗浄した後に貴金属めっき処理を施すことによ
り、即ち、従来問題となっていた現像後の残渣の除去を
行った後にめっき処理を施すことにより、下地金属と皮
膜金属との密着性劣化の無い、めっきを可能としてい
る。レジストが電着レジストであることにより、リード
フレームの表面に比較的均一にレジストを皮膜すること
が簡単にでき、且つ、リードフレーム微細化にも対応で
きるものとしている。不要なリードフレームの側面や裏
面にめっきせず、必要な領域にだけ、めっきすることを
可能としており、特に、高価な、銀、パラジウム、パラ
ジウム系合金等には有効である。本発明のリードフレー
ムは、上記リードフレームの部分めっき方法により作製
されたもので、不要な側面や裏面へのめっき付着がな
く、且つ、各種処理による、下地金属と皮膜金属との密
着性劣化の無いリードフレームの提供を可能としてい
る。

【００１３】

【実施例】本発明のリードフレームの部分めっき方法を
実施例に基づいて説明する。先ず、実施例１のリードフ
レームの部分めっき方法を挙げて説明する。図１は実施
例１のリードフレームの部分めっき方法を説明するため
の工程図で、特徴部の断面を示したものである。図１
中、１１０はリードフレームで、１１２はダイパッド、
１１３はインナーリード、１２０は銅ストライクメッ
キ、１３０は電着レジスト、１４０はフオトマスク、１
５０は紫外線（露光光）、１６０はめっき部、１７０は
レジスト残渣、１８０は紫外線（低圧水銀灯）、１９０
は銀めっき（皮膜）、１１０Ａは銀めっき済みリードフ
レームである。本実施例においては、エッチング加工方
法により、作製された０．１５ｍｍ厚の銅系合金からな
るＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）タイ
プのリードフレーム１１０を用い、このリードフレーム
１１０に対し、めっき処理の前の洗浄処理として、紫外
線（低圧水銀灯）１８０を電着レジスト１３０の現像後
の露出されためっき部１６０に照射し、レジスト残渣１
７０を分解除去した後に、めっき処理を行ったものであ
る。先ず、エッチング加工にて得られたリードフレーム
１１０を電解脱脂して、酸洗後に化学研磨を行い（図１
（ａ））、このリードフレームの表面全体に下地めっき
としての銅ストライクめっき１２０を施して（図１
（ｂ））から、リードフレーム１１０を電着レジスト槽
に浸漬し通電することによって、レジストを析出させ、
熱風乾燥することによって、電着レジスト１３０の被膜
を形成した。（図１（ｃ））次いで、めっき部のみを遮光するフオトマスク１４０を
用いて紫外線（露光光）１５０を密着露光して、露光部
のみを硬化させた。（図１（ｄ））尚、電着レジストとしては、ネガ型の電着レジスト（シ
プレイ社製品番２１００）を用いた。次いで、現像処
理を行い、未露光部の電着レジスト１３０を除去し、め
っき部を露出させた。（図１（ｅ））現像液としては、品番２００５（シプレイ社製）を用い
た。この段階では、めっき部１６０にはレジスト残渣
（有機薄膜）１７０が残存している。次いで、低圧水銀
灯を用いて空気中で紫外線１８０をめっき部１６０へ照
射し（図１（ｆ））、レジスト残渣（有機薄膜）１７０
を分解除去した。（図１（ｇ））この後、銀めっき液中にリードフレーム全体を漬して、
攪拌しながら所定の電流密度と時間でめっきを行い、所
望の膜厚の銀めっき（皮膜）１９０を得た。（図１
（ｈ））この後電着レジスト１３０を剥離液品番２００７（シプ
レイ社製）で剥離し、所定の領域のみに銀めっき（皮
膜）１６０を有するリードフレーム１１０Ａを得た。
（図１（ｉ））

【００１４】次に、実施例２のリードフレームの部分め
っき方法を挙げて説明する。図２は実施例２のリードフ
レームの部分めっき方法を説明するための工程図で、特
徴部の断面を示したものである。図２中、２１０はリー
ドフレームで、２１２はダイパッド、２１３はインナー
リード、２２０は銅ストライクメッキ、２３０は電着レ
ジスト、２４０はフオトマスク、２５０は紫外線（露光
光）、２６０はめっき部、２７０はレジスト残渣、２８
０はオゾン含有水、２９０は銀めっき（皮膜）、２１０
Ａは銀めっき済みリードフレームである。本実施例の場
合も、実施例１と同様に、エッチング加工方法により、
作製された０．１５ｍｍ厚の銅系合金からなるＱＦＰ
（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）タイプのリー
ドフレーム２１０を用いたもので、このリードフレーム
２１０に対し、めっき処理の前の洗浄処理として、電着
レジスト２３０の現像後の露出されためっき部２６０に
対し、オゾン含有水２８０をスプレーにて吹きつけて、
レジスト残渣２７０を分解除去した後に、めっき処理を
行ったものである。本実施例の場合も、実施例１と同様
に、エッチング加工にて得られたリードフレーム２１０
を電解脱脂して、酸洗後に化学研磨を行い（図２
（ａ））、このリードフレームの表面全体に下地めっき
としての銅ストライクめっき２２０を施して（図２
（ｂ））から、電着レジスト２３０を形成し（図２
（ｃ））、フオトマスク２４０を用いて紫外線（露光
光）２５０を密着露光して、露光部のみを硬化させ（図
２（ｄ））、次いで、現像処理を行い、未露光部の電着
レジスト２３０を除去し、めっき部を露出させた（図２
（ｅ））。この段階では、めっき部２６０にはレジスト
残渣（有機薄膜）２７０が残存している。次いで、オゾ
ン含有水２８０をめっき部２６０へスプレーにて吹きつ
けて（図２（ｆ））、レジスト残渣（有機薄膜）２７０
を分解除去した（図２（ｇ））後に、銀めっき液中にリ
ードフレーム全体を漬して、攪拌しながら所定の電流密
度と時間でめっきを行い、所望の膜厚の銀めっき（皮
膜）２９０を得た。（図２（ｈ））この後、電着レジスト２３０を剥離し、所定の領域のみ
に銀めっき（皮膜）２６０を有するリードフレーム２１
０Ａを得た。（図２（ｉ））尚、本実施例においても、電着レジスト、電着レジスト
の現像液、剥離液は実施例１と同じものを使用した。

【００１５】次に本発明のリードフレームの実施例を図
３を用いて説明する。図３は、本発明のリードフレーム
の実施例の平面図を示したものであるが、形状は、特
に、これに限定はされない。図３において、３１０はリ
ードフレーム、３１２はダイパッド、３１３はインナー
リード、３１４はアウターリード、３１５はダムバー、
３１６はフレーム（枠）部であり、図で黒く示した３１
９は銀めっき部である。本実施例のリードフレーム３１
０は、板厚０．１５ｍｍの銅系合金からなり、インナー
リード３１３の先端部とダイパッド３１２の半導体素子
搭載側に銀めっき（皮膜）３１９を施したもので、前記
実施例１のリードフレームの部分銀めっき方法により作
製されたものである。この後、本実施例のリードフレー
ム３１０を用いて、半導体素子を搭載し、ワイヤボンデ
ィング、樹脂封入等の処理を経て、樹脂封止型の半導体
装置を作製したが、銀めっき部３１９に起因した剥がれ
やふくれ等の不良の発生は見られなかった。

【００１６】貴金属めっき皮膜の下地金属との密着性に
影響を及ぼす、電着レジストを現像処理後に露出された
下地金属表面の清浄度を測定する方法として、ＸＰＳ
（Ｘ−ｒａｙＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃ
ｔｒｏｓｃｏｐｙ）が用いられるが、金属の検出ピーク
に対して、炭素、窒素、酸素等のピークを求めることに
よって清浄度の比較を行うものである。以下に、上記実
施例におけるめっき前の処理の電着レジストから露出さ
れた部分における洗浄効果を、他の従来の処理と比べＸ
ＰＳを用いて比較してみた。（図５）尚、洗浄した銅
基材の表面の清浄度を基準とした。先ず、現像後の金属
表面の分析結果を洗浄した銅基材の表面と比較してみた
が、現像後の金属表面には、炭素が多く存在するが、実
体顕微鏡、金属顕微鏡、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等
では観察されないことから、非常に薄い有機物の膜、即
ちレジストの残渣が形成されていると考えられる。この
有機物の薄膜を除去するために、上記実施例１の場合及
び実施例２の場合と比較するために、化学的脱脂や、化
学研磨等のめっき前処理を行ったが、有機薄膜を除去で
きる処理を行うと、レジスト膜まで損傷を受けて部分的
に剥離してしまい、めっきマスクとして使用できない状
態となったが、Ｃ（炭素）の除去も、実施例１、実施例
２の場合の処理に比べ少なかった。（図５（ｃ）、図５
（ｄ））実施例１の処理の場合は、この現像後の金属表面の有機
膜に、酸素含有空気中で波長１８４．９ｎｍ及び２５
３．７ｎｍに発光スペクトルのピークを持つ低圧水銀灯
ランプを用いて紫外線を照射したが、図５（ｅ）のよう
な結果を得た。これより、この処理によって、有機薄膜
が除去されたことが分かる。実施例２の処理の場合は、
現像後の金属表面の被めっき領域（有機薄膜）に、オゾ
ン含有水を吹きつけたが、結果は、図５（ｆ）のように
なった。この場合も、処理により有機薄膜が除去された
ことが分かる。以上より、実施例１の紫外線照射処理や
実施例２のオゾン含有水処理により、下地金属（銅スト
ライクメッキ）から、現像後に生じた有機薄膜がほぼ除
去されていることが分かる。これより、実施例１ないし
実施例２において、貴金属めっきをおこなった際には、
貴金属皮膜と下地金属との安打で良好な金属結合が形成
され、各処理により密着性の劣化が起こらないめっき膜
が形成される。

【００１７】

【発明の効果】本発明のリードフレームの部分めっき方
法は、上記のような構成にすることにより、レジストを
用いてマスキングを行い、部分めっきを施すリードフレ
ームの部分めっき方法において、レジストの現像後の残
渣（有機物）に起因する下地金属とめっき皮膜（貴金属
皮膜）との密着性劣化が起こらないリードフレームの部
分めっき方法を、従来の方法と大きく工程を変えること
なく、比較的簡単に実現させている。また、本発明のリ
ードフレームの部分めっき方法は、治具を用いないもの
で、不要なリードフレームの側面や裏面にめっきせず、
必要な領域にだけ、めっきすることを可能としており、
特に、高価な、銀、パラジウム、パラジウム系合金等に
は有効である。本発明のリードフレームは、本発明のリ
ードフレームの部分めっき方法により作製されるもの
で、下地金属とめっき皮膜（貴金属皮膜）との密着性劣
化が起こらないリードフレームの提供を可能にしてい
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１のリードフレームの部分めっき方法の
工程概略図

【図２】実施例１のリードフレームの部分めっき方法の
工程概略図

【図３】実施例リードフレームを示した平面図

【図４】従来の部分銀めっき方法を説明するための図

【図５】ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒ
ｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）の清浄度比較結果を
説明するための図

【図６】リードフレーム（単層リードフレーム）の平面
図

【図７】治具によるマスキング方式の部分めっき装置の
概略図

【符号の説明】

１１０、２１０、３１０、４１０リードフレーム１１０Ａ、２１０Ａ、４１０Ａ銀めっき済みリー
ドフレーム１１２、２１２、３１２、４１２ダイパッド１１３、２１３、３１３、４１３インナーリード１２０、２２０、４２０、銅ストライクメッ
キ１３０、２３０、４３０電着レジスト１４０、２４０、４４０フオトマスク１５０、２５０、４５０紫外線（露光光）１６０、２６０、４６０めっき部１７０、２７０、４７０レジスト残渣１８０紫外線（低圧水銀
灯）１９０、２９０、４９０銀めっき（皮膜）２８０オゾン含有水３１４アウターリード３１５ダムバー３１６フレーム（枠）部６００半導体装置６１０リードフレーム６１２ダイパッド６１３インナーリード６１４アウターリード６１５ダムバー６１６フレーム（枠）部６２０半導体素子６２１端子（パッド）６３０ワイヤ６４０樹脂７００めっき装置７１０リードフレーム７２０マスキング治具７３０プレス用治具７３０Ａプレス材７３０Ｂ弾性材７４０ノズル７５０定電流源７６０陽極電極７７０陰極電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】リードフレームの少なくともインナーリ
ード部に貴金属めっきを施すために、めっき液への耐性
を備えた感光性のレジストを用いてリードフレームの所
定の領域のみをめっき液に露出した状態にしてめっきを
施すリードフレームの部分めっき方法であって、順に、
（Ａ）レジストをリードフレームの表面に被膜して、露
光、現像処理を行い、リードフレームのめっきする所定
の領域のみを露出させる工程と、（Ｂ）露出されたリー
ドフレームのめっきする所定の領域を、酸素含有空気中
で紫外線を照射し、洗浄する工程と、（Ｃ）リードフレ
ームのめっきする所定の領域に貴金属めっき処理を施す
工程とを有することを特徴とするリードフレームの部分
めっき方法。
【請求項２】請求項１における紫外線は、波長１８
４．９ｎｍ、および２５３．７ｎｍに発光スペクトルの
ピークをもつ低圧水銀灯ランプからの紫外線であること
を特徴とするリードフレームの部分めっき方法。
【請求項３】リードフレームの少なくともインナーリ
ード部に貴金属めっきを施すために、めっき液への耐性
を備えた感光性のレジストを用いてリードフレームの所
定の領域のみをめっき液に露出した状態にしてめっきを
施すリードフレームの部分めっき方法であって、順に、
（ａ）レジストをリードフレームの表面に被膜して、露
光、現像処理を行い、リードフレームのめっきする所定
の領域のみを露出させる工程と、（ｂ）露出されたリー
ドフレームのめっきする所定の領域を、オゾン含有水で
洗浄する工程と、（ｃ）リードフレームのめっきする所
定の領域に貴金属めっき処理を施す工程とを有すること
を特徴とするリードフレームの部分めっき方法。
【請求項４】請求項１ないし３におけるレジストが電
着レジストであることを特徴とするリードフレームの部
分めっき方法。
【請求項５】請求項１ないし４における貴金属めっき
処理が、銀めっき処理、パラジウムめっき処理、パラジ
ウム系合金めっき処理の少なくとも１つの処理を含むこ
とを特徴とするリードフレームの部分めっき方法。
【請求項６】請求項１ないし５のリードフレームの部
分めっき方法により作製されたことを特徴とするリード
フレーム。