JPH0945855A

JPH0945855A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH0945855A
Application number: JP7193507A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Araya; 祐宏荒谷; Toshio Ikuta; 敏雄生田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1995-07-28
Filing date: 1995-07-28
Publication date: 1997-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】オンチップタイプの電磁ノイズ対策用フィルタ
に関する配線をより好ましいものにする。【解決手段】センサチップ３内に、回路９，１０とグラ
ンドパッド１３と電源パッド１１と出力パッド１２とが
設けられている。センサチップ３内に電源パッド１１ま
たは出力パッド１２と回路９，１０との間に抵抗とコン
デンサにて構成される電磁ノイズ対策用ローパスフィル
タ１４，１５が配置されている。電源パッド１１または
出力パッド１２とフィルタ１４，１５とを結ぶアルミ配
線４３，４４の長さは、グランドパッド１３とフィルタ
１４，１５とを結ぶアルミ配線４５，４６の長さよりも
短い。電源パッド１１または出力パッド１２とフィルタ
１４，１５とを結ぶアルミ配線４３，４４は他の線路と
交差していないアンクロスド配線となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電磁ノイズ対策
を施した半導体装置に係り、特に、車載電子装置に好適
なものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、自動車においてエレクトロニクス
化の進歩は著しく、例えば、エンジンでの最適な燃焼を
行わせるべくマイクロコンピュータを用いてエンジンの
運転状態を検知し、エンジンの運転状態に応じた燃料噴
射量および点火時期を演算してインジェクタからの燃料
量および点火時期を制御している。この電子制御システ
ムを構築する際にはマイクロコンピュータや入出力回路
等を電子制御ユニットとしてパッケージし、この電子制
御ユニットに対しセンサ群とアクチュエータ群とをワイ
ヤーハーネスにて接続する。アクチュエータ群としては
前述のインジェクタやイグナイタ等を指し、センサ群と
しては、エンジン回転センサや水温センサや吸入空気量
センサや吸気圧センサ等を指す。そして、吸気圧センサ
においても半導体圧力センサが用いられており、この半
導体圧力センサは、ダイヤフラムを有するシリコンチッ
プに不純物拡散層よりなる歪みゲージ（ピエゾ抵抗素
子）を複数配置しブリッジ接続するとともに、シリコン
チップでのダイヤフラムの周辺部に信号処理回路（集積
回路）を形成し、圧力の作用によるダイヤフラムの変形
を歪みゲージの抵抗変化としてブリッジ回路から取り出
し、信号処理回路において増幅等を行う。この増幅され
た信号はワイヤーハーネスを通して電子制御ユニットに
送られ、燃料噴射量や点火時期に反映される。

【０００３】このようにエレクトロニクス化が進む中、
車載電子機器の電磁ノイズ対策（ＥＭＩ対策）が重要な
ものとなってきている。電磁ノイズ対策でのラインノイ
ズの低減のために、一般的に貫通コンデンサが用いられ
ている。これは、前述の吸気圧センサを例にとれば、セ
ンサチップをカンパッケージしたステムにはリードピン
（電源ライン用、検出信号出力ライン用）が貫通してお
り、アースしたステムにおけるリードピンの貫通孔に貫
通コンデンサを設け、ワイヤーハーネスを通ってセンサ
チップの信号処理回路に到るノイズ伝搬路において貫通
コンデンサにてノイズを遮断あるいは減衰させ、信号処
理回路が誤動作しないようにするものである。

【０００４】しかし、貫通コンデンサの部品代および組
付け費が高いものとなっておりコストダウンが困難であ
った。そこで、本願出願人は、特願平６−２７０８３６
号にて、センサチップ内における回路とパッドとの間に
おいて抵抗とコンデンサにて構成されるローパスフィル
タを設けることを提案している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この場合、チ
ップ上においてフィルタに関する配線をどのように行え
ば最適化できるかについての技術が確立していなかっ
た。

【０００６】そこで、この発明の目的は、オンチップタ
イプの電磁ノイズ対策用フィルタに関する配線をより好
ましいものにすることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体チップ内に、回路と、グランドパッドと、電
源パッドまたは出力パッドと、が設けられ、同じく半導
体チップ内において、抵抗とコンデンサにて構成され、
かつ、前記電源パッドまたは出力パッドと前記回路との
間に介在される電磁ノイズ対策用フィルタを配置した半
導体装置であって、前記電源パッドまたは出力パッドと
電磁ノイズ対策用フィルタとを結ぶ配線の長さを、グラ
ンドパッドと電磁ノイズ対策用フィルタとを結ぶ配線の
長さよりも短くした半導体装置をその要旨とする。

【０００８】請求項２に記載の発明は、半導体チップ内
に、回路と、グランドパッドと、電源パッドまたは出力
パッドと、が設けられ、同じく半導体チップ内におい
て、抵抗とコンデンサにて構成され、かつ、前記電源パ
ッドまたは出力パッドと前記回路との間に介在される電
磁ノイズ対策用フィルタを配置した半導体装置であっ
て、前記電源パッドまたは出力パッドと電磁ノイズ対策
用フィルタとを結ぶ配線を、他の線路と交差させないア
ンクロスド配線とした半導体装置をその要旨とする。（作用）請求項１に記載の発明によれば、電磁ノイズ
が、パッドから配線および電磁ノイズ対策用フィルタを
通して回路に伝播してくるが、前記配線での共振周波数
はインダクタンス成分（Ｌ成分）に反比例する。この
際、パッドと電磁ノイズ対策用フィルタとを結ぶ配線の
長さを短くすることにより、Ｌ成分が小さくなり前記共
振周波数が高周波側にシフトする。通常、電磁ノイズは
高周波側にシフトさせるとノイズレベルが低くなる。よ
って、シフトした共振周波数におけるノイズのレベルは
低いものとなり、回路にとっては誤動作しにくくなる。

【０００９】請求項２に記載の発明によれば、電磁ノイ
ズが、パッドから配線および電磁ノイズ対策用フィルタ
を通して回路に伝播してくるが、前記配線での共振周波
数はキャパシタンス成分（Ｃ成分）に反比例する。この
際、パッドと電磁ノイズ対策用フィルタとを結ぶ配線を
他の線路と交差させないので、配線と線路との間に形成
されるＣ成分が小さくなり、前記共振周波数が高周波側
にシフトする。通常、電磁ノイズは高周波側にシフトさ
せるとノイズレベルが低くなる。よって、シフトした共
振周波数におけるノイズのレベルは低いものとなり、回
路にとっては誤動作しにくくなる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に従って説明する。本形態においては自動車に搭載さ
れる半導体吸気圧センサに具体化している。

【００１１】図２は半導体吸気圧センサの全体構成を示
し、ステム１の上面中央部にはパイレックスガラスより
なる台座２が接着され、台座２の上面には半導体チップ
としてのセンサチップ（シリコンチップ）３が接合され
ている。ステム１の外周部には蓋材（カン）４が気密状
態で接合されている。ステム１には圧力導入パイプ５が
取付けられ、この圧力導入パイプ５によりエンジンの吸
気圧がステム１に形成した貫通孔６および台座２に形成
した貫通孔７を通してセンサチップ３の下面に導かれ
る。

【００１２】図３には、センサチップ３の斜視図を示
し、図１にはセンサチップ３の平面図を示す。センサチ
ップ３には、中央部にダイヤフラム８が形成されてい
る。このダイヤフラム８の下面に前述のエンジン吸気圧
が印加される。又、ダイヤフラム８には不純物拡散層よ
りなる歪みゲージ（ピエゾ抵抗素子）２２，２３，２
４，２５が形成され、ダイヤフラム８の変形に伴い抵抗
値が変化するようになっている。センサチップ３におけ
るダイヤフラム８の周辺には圧力検出回路部としての第
１回路９および第２回路１０が集積化して形成され、ダ
イヤフラム８の変形に伴う歪みゲージ２２〜２５の抵抗
値変化を電気信号に変換するとともに増幅処理するよう
になっている。又、センサチップ３におけるダイヤフラ
ム８の周辺には電源パッド１１、出力パッド１２、グラ
ンドパット１３、電磁ノイズ対策用フィルタとしてのロ
ーパスフィルタ１４，１５が形成されている。電源パッ
ド１１はローパスフィルタ１４を介して第２回路１０と
電気的に接続されている。又、出力パッド１２はローパ
スフィルタ１５を介して第２回路１０と電気的に接続さ
れている。さらに、第１回路９と第２回路１０とは電気
的に接続されている。

【００１３】このセンサチップ３への電源ライン、接地
線、出力線は、図２に示すように、ボンディングワイヤ
１６，１７およびリードピン１８，１９を介して外部に
導出される。尚、ボンディングワイヤ１６，１７および
リードピン１８，１９は図２ではそれぞれ２本示されて
いるが実際にはそれぞれの配線に対応して３本設けられ
ている。

【００１４】さらに、リードピン１８，１９はワイヤー
ハーネス２０を介してエンジン制御ユニット（以下、Ｅ
ＣＵという）２１と接続されている。ＥＣＵ２１はマイ
クロコンピュータを中心に構成され、センサチップ３か
らの信号により吸気圧を検知する。さらに、ＥＣＵ２１
は吸気圧を含めたエンジンの運転状態を検知し、エンジ
ンの運転状態に応じた燃料噴射量および点火時期を演算
してインジェクタからの燃料量および点火時期を制御し
ている。尚、図２においてはアクチュエータ群としての
インジェクタやイグナイタ等、および、センサ群として
のエンジン回転センサや水温センサや吸入空気量センサ
等の図示は省略した。

【００１５】次に、センサチップ３に形成される圧力検
出回路部の回路構成について図４を用いて説明する。ダ
イヤフラム８に形成された歪みゲージ（ピエゾ抵抗素
子）２２，２３，２４，２５は、フルブリッジ接続され
ている。このブリッジ回路において、一方の対角位置の
ゲージ２３，２４は圧力の上昇に応じて抵抗が増加し、
他の対角位置のゲージ２２，２５は圧力の上昇に応じて
抵抗が減少する。

【００１６】このブリッジ回路へは抵抗２６，２７，２
８およびオペアンプ２９等より構成される定電流回路３
０から定電流が供給される。即ち、抵抗２６，２７によ
り電源電圧を分圧した基準電圧と電源電圧との差の電圧
を抵抗２８の抵抗値で割った電流がブリッジ回路に供給
される。ブリッジ回路は、その定電流の供給を受けてダ
イヤフラム８への印加圧力に応じた電圧Ｖ１，Ｖ２を出
力する。

【００１７】この電圧Ｖ１，Ｖ２は差動増幅されて出力
される。つまり、オペアンプ３１，３２，３３、トラン
ジスタ３４，３５、抵抗３６〜３８等よりなる差動増幅
回路にて処理される。具体的には、オペアンプ３２の非
反転入力端子にはブリッジ回路からの電圧Ｖ１が印加さ
れ、またその反転入力端子にはブリッジ回路からの電圧
Ｖ２が、バッファとして機能するオペアンプ３１および
抵抗３６を介して印加されており、両入力電圧がオペア
ンプ３２により差動増幅され、その出力によりトランジ
スタ３４，３５が制御される。この作動により、ブリッ
ジ回路の出力電圧（Ｖ１−Ｖ２）が電流出力に変換され
る。この電流変換された電流出力は、オペアンプ３３等
により増幅され、圧力検出信号を出力パッド１２に対し
出力する。このオペアンプ３３と抵抗３８により図１に
示す第２回路１０が構成されている。

【００１８】オペアンプ３３の出力端子と出力パッド１
２との間には、ＥＭＩ対策のための出力系ローパスフィ
ルタ１５が設けられている。より詳しくは、出力パッド
１２と回路１０との間には、１次ＣＲフィルタ３９と２
次ＣＲフィルタ４０とが直列に配置されている。出力系
の１次フィルタ３９は抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１とによ
り構成されている。又、出力系の２次フィルタ４０は抵
抗Ｒ２とコンデンサＣ２とにより構成されている。

【００１９】又、電源パッド１１にはＥＭＩ対策のため
の電源系ローパスフィルタ１４が接続され、このローパ
スフィルタ１４を通した電源がオペアンプ３３，３２，
３１，２９等に供給される。より詳しくは、電源パッド
１１と回路１０との間には、１次ＣＲフィルタ４１と２
次ＣＲフィルタ４２とが直列に配置されている。電源系
の１次フィルタ４１は抵抗Ｒ３とコンデンサＣ３とによ
り構成されている。又、電源系の２次フィルタ４２は、
抵抗Ｒ４とコンデンサＣ４とにより構成されている。

【００２０】図１に示すように、電源パッド１１はロー
パスフィルタ１４とアルミ配線４３により接続されてい
る。又、出力パッド１２はローパスフィルタ１５とアル
ミ配線４４により接続されている。さらに、グランドパ
ッド１３はローパスフィルタ１４とアルミ配線４５によ
り、又、ローパスフィルタ１５とアルミ配線４６により
接続されている。

【００２１】ここで、図５の等価回路を用いて、ライン
ノイズの伝播経路を説明する。ＥＣＵ２１にはワイヤー
ハーネス２０を介してパッド１１（１２）が接続され、
パッド１１（１２）にはアルミ配線４３（４４）を介し
てローパスフィルタ１４（１５）が接続され、さらに、
ローパスフィルタ１４（１５）に回路１０が接続されて
いる。この際、パッド１１（１２）とローパスフィルタ
１４（１５）との間には、アルミ配線４３（４４）によ
るＣＲ回路が形成されていると仮想できる。即ち、Ｌ_C
成分とＣ_R成分を有する回路が形成されている。

【００２２】そして、パッド１１（１２）にはワイヤー
ハーネス２０のＬ_W成分を介して電磁ノイズが入ってく
ると考えられる。そして、電磁ノイズが外部から注入さ
れると、フィルタ前においてその伝播経路での固有値で
共振するポイントが存在する。この共振周波数は次式で
表される。

【００２３】

【数１】・・・（１）（１）式から、Ｌ_CとＣ_Rが小さくなると、共振周波数
ｆが高周波側にシフトすることが分かる。つまり、図６
に示すように、チップ内のＬ成分とＣ成分を小さくする
ことにより電界強度（ノイズ特性）を高周波数側にシフ
トできる。ここで、電磁ノイズの電界強度は２００ＭＨ
ｚを境にしてそれよりも低いと高レベル域、高いと低レ
ベル域となっている。具体的には、センサにおける電界
強度耐量としては、例えば、２３〜５０ＭＨｚでは５０
Ｖ／ｍ、８８〜１４４ＭＨｚでは１００Ｖ／ｍが要求さ
れる。２３〜５０ＭＨｚはアメリカにおける陸上移動無
線の使用範囲であり、８８〜１４４ＭＨｚはＦＭ放送お
よび日本における陸上移動無線の使用範囲である。

【００２４】そこで、本実施の形態においては、図１に
示すように、パッド１１，１２とローパスフィルタ１
４，１５との間のアルミ配線４３，４４の長さを極力短
くしている。具体的には、アルミ配線４３，４４の長さ
をアルミ配線４５，４６の長さよりも短くしている。

【００２５】図７，８には、パッド１１，１２とローパ
スフィルタ１４，１５との配線長さに関する電界強度の
測定結果を示す。この測定は、ＴＥＭセル（電磁波発生
槽）試験にて行ったものである。図７はアルミ配線長さ
を１．５ｍｍとした場合であり、図８はアルミ配線長さ
を限りなく「０」に近づけた場合を示す。又、図７，８
において、横軸には周波数をとり、縦軸には電界強度を
とっている。図７と図８の実験結果を得るために使用し
たセンサは電源ラインにおけるパッドとローパスフィル
タとのアルミ配線の長さ以外は全て同じもの（同じフィ
ルタ定数等）を用いている。

【００２６】この図７，８から、図７の場合には１４０
ＭＨｚにて回路に誤動作が確認され、図８の場合には２
６０ＭＨｚにて回路に誤動作が確認された。このよう
に、アルミ配線の長さを短くすることにより２００ＭＨ
ｚ以上の余り使用されていない帯域（強力な電波の存在
しない領域）に共振周波数をシフトさせることができ
る。尚、図７においては１４５ＭＨｚ以上には電界強度
を上げていない。これは、回路が破壊したため測定不能
となったためである。

【００２７】又、本実施の形態においては、図１に示し
たように、第２回路１０と第１回路９との電気的接続を
アルミ配線４７により行い、このアルミ配線４７におい
ては他の配線とクロスしないようにしている。このよう
にすることにより以下なる効果を生む。

【００２８】図９に示すように、第２回路１０と第１回
路９とを結線するための配線４７と電源パッド１１とロ
ーパスフィルタ１４とを結線するための配線４８がクロ
スすると、その交差部Ａ，Ｂにおいては図１０に示すよ
うに不純物拡散層とアルミ配線とにより交差させること
となる。つまり、図１０においてはＮ型シリコン基板４
９の表層部にＰ型層５０を延設し、Ｎ型シリコン基板４
９の上にシリコン酸化膜５１を配置し、その上にアルミ
配線５２を延設する。

【００２９】図９，１０に示すように、線路をクロスさ
せると、当該クロス部におけるシリコン酸化膜５１の厚
さが薄くなり、図５におけるパッド１１（１２）とロー
パスフィルタ１４（１５）との間の配線でのキャパシタ
ンス成分Ｃ_Rが大きくなる。その結果、前述の（１）式
でのＣ_Rが大きくなると、共振周波数ｆが低周波側にな
る。よって、図６において２００ＭＨｚ以下の高レベル
域に入ってしまい回路において誤動作する可能性が大き
くなってしまう。

【００３０】これに対し、本例においては、線路をクロ
スさせていないので、配線中のキャパシタンス成分Ｃ_R
を小さくして共振周波数ｆを高周波側にシフトさせ、図
６において２００ＭＨｚ以上の低レベル域に移行させ回
路において誤動作するのを未然に防止することができ
る。

【００３１】さらに線路のクロスについて言及すれば、
図１１に示すように、ローパスフィルタと回路との間に
おけるアルミ配線に対して拡散配線がクロスした場合に
は、交差部がローパスフィルタの下流側であり、減衰し
たノイズがＣ結合しても減衰後のノイズであるため回路
に侵入しても問題はない。これに対し、図１２に示すよ
うに、パッドとローパスフィルタとの間におけるアルミ
配線に対して拡散配線がクロスした場合には、交差部が
ローパスフィルタの上流側であり、減衰されていないノ
イズがＣ結合して回路に侵入してしまう。つまり、共振
周波数に寄与する配線でのキャパシタンス成分Ｃ_Rが大
となる。よって、本例では、図１２に示すパッドとロー
パスフィルタとの間におけるアルミ配線に対してクロス
配線をしないようにしている。

【００３２】又、本実施形態においては、次のような工
夫を行っている。グランドパッド１３を含めたローパス
フィルタ１４，１５の等価回路を図１３に示す。同図に
示すように、出力パッド１２と回路１０との間に、Ｒ
１，Ｃ１よりなる一次フィルタ３９とＲ２，Ｃ３よりな
る二次フィルタ４０とが直列に接続され、又、電源パッ
ド１１と回路１０との間に、Ｒ３，Ｃ３よりなる一次フ
ィルタ４１とＲ４，Ｃ４よりなる二次フィルタ４２とが
直列に接続され、さらに、各フィルタ３９〜４２におけ
るコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に対しグランドパ
ッド１３がそれぞれ接続されている。この際、コンデン
サＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４とグランドパッド１３との配
線途中には抵抗成分Ｒ₁₁，Ｒ₂₁，Ｒ₃₁，Ｒ₄₁が存在する
こととなる。このＲ成分を小さくすべく配線長さ（図１
におけるアルミ配線４５，４６の長さ）を極力短くして
いる。

【００３３】つまり、ローパスフィルタにおけるカット
オフ周波数ｆ_cは、ｆ_c∝１／（Ｒ_x＋Ｒ_x1）ただし、ｘ＝１，２，３，４であるので、Ｒ成分を小さくすることによりカットオフ
周波数ｆ_cを低周波側にシフトさせ耐ＥＭＩ性能を向上
させている。

【００３４】このように本実施の形態によれば、オンチ
ップタイプの電磁ノイズ対策用ローパスフィルタ１４，
１５を備えた半導体センサにおいて、電源パッド１１ま
たは出力パッド１２とローパスフィルタ１４，１５とを
結ぶアルミ配線４３，４４の長さを、グランドパッド１
３とローパスフィルタ１４，１５（より詳しくは、コン
デンサＣ１〜Ｃ４）とを結ぶアルミ配線４５，４６の長
さよりも短くした。よって、電磁ノイズが、パッド１
１，１２からアルミ配線４３，４４およびローパスフィ
ルタ１４，１５を通して回路９，１０に伝播してくる
が、（１）式に示したようにアルミ配線４３，４４での
共振周波数ｆはＬ成分に反比例するので、パッド１１，
１２とローパスフィルタ１４，１５とを結ぶアルミ配線
４３，４４を短くすることにより、Ｌ成分が小さくなり
前記共振周波数ｆが高周波側にシフトする。又、通常、
電磁ノイズは図６に示したように高周波側にシフトさせ
るとノイズレベルが低くなる。その結果、シフトした共
振周波数におけるノイズのレベルは低いものとなり、回
路９，１０が誤動作しにくくなる。

【００３５】又、電源パッド１１または出力パッド１２
とローパスフィルタ１４，１５とを結ぶアルミ配線４
３，４４を、他の線路と交差させないアンクロスド配線
とした。よって、電磁ノイズが、パッド１１，１２から
アルミ配線４３，４４およびローパスフィルタ１４，１
５を通して回路９，１０に伝播してくるが、（１）式に
示したようにアルミ配線４３，４４での共振周波数ｆは
Ｃ成分に反比例するので、アンクロスド配線とすること
により、アルミ配線４３，４４と線路との間に形成され
るＣ成分が小さくなり、共振周波数ｆが高周波側にシフ
トする。又、通常、電磁ノイズは図６に示したように高
周波側にシフトさせるとノイズレベルが低くなる。その
結果、シフトした共振周波数におけるノイズのレベルは
低いものとなり、回路９，１０が誤動作しにくくなる。

【００３６】このようなチップ上に形成したノイズフィ
ルタに関する配線技術を駆使することにより、配線の最
適化を図ることができる。これまでの説明においては、
半導体圧力センサについて述べたが、この発明はこれに
限定されるものでなく、ワイヤにて接続されラインノイ
ズが伝播する、いわゆるスタンドアローンの電子部品
（より詳しくは、チップ内に回路部が形成された電子部
品）に適用できる。

【００３７】又、上述した例においては、線路がクロス
する場合として、アルミ配線と不純物配線とのクロスに
ついて述べたが、これに限ることはなく、他にも、絶縁
膜を介した薄膜配線を立体的に配置した場合等も含み、
要は、立体的に線路が交差する場合に適用できる。ここ
で、線路とは配線材料により形成されるものばかりでな
く、抵抗等の電気が流れコンデンサ成分が形成される線
路全般を指す。

【００３８】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１，２に記
載の発明によれば、オンチップタイプの電磁ノイズ対策
用フィルタに関する配線をより好ましいものにすること
ができる優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態におけるセンサチップの平面図。

【図２】センサの全体構成を示す断面図

【図３】センサチップを示す斜視図。

【図４】圧力検出回路部の回路構成図。

【図５】ラインノイズの伝播経路を説明するための等価
回路図。

【図６】周波数と電界強度との関係を示す図。

【図７】電界強度の測定結果を示す図。

【図８】電界強度の測定結果を示す図。

【図９】比較のためのセンサチップの平面図。

【図１０】（ａ）はクロス配線を説明するためのセンサ
チップの平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ断面図。

【図１１】アルミ配線と拡散配線とのクロスを説明する
ための図。

【図１２】アルミ配線と拡散配線とのクロスを説明する
ための図。

【図１３】グランドパッドを含めたローパスフィルタの
等価回路図。

【符号の説明】

３…半導体チップとしてのセンサチップ、９…第１回
路、１０…第２回路、１１…電源パッド、１２…出力パ
ッド、１３…グランドパッド、１４…電磁ノイズ対策用
フィルタとしてのローパスフィルタ、１５…電磁ノイズ
対策用フィルタとしてのローパスフィルタ、Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４…抵抗、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…コン
デンサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップ内に、回路と、グランドパ
ッドと、電源パッドまたは出力パッドと、が設けられ、
同じく半導体チップ内において、抵抗とコンデンサにて
構成され、かつ、前記電源パッドまたは出力パッドと前
記回路との間に介在される電磁ノイズ対策用フィルタを
配置した半導体装置であって、前記電源パッドまたは出力パッドと電磁ノイズ対策用フ
ィルタとを結ぶ配線の長さを、グランドパッドと電磁ノ
イズ対策用フィルタとを結ぶ配線の長さよりも短くした
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】半導体チップ内に、回路と、グランドパ
ッドと、電源パッドまたは出力パッドと、が設けられ、
同じく半導体チップ内において、抵抗とコンデンサにて
構成され、かつ、前記電源パッドまたは出力パッドと前
記回路との間に介在される電磁ノイズ対策用フィルタを
配置した半導体装置であって、前記電源パッドまたは出力パッドと電磁ノイズ対策用フ
ィルタとを結ぶ配線を、他の線路と交差させないアンク
ロスド配線としたことを特徴とする半導体装置。