JPH0948761A - ３−（４−シアノフェニル）ウラシル誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ３−（４−シアノフェニル）ウラシル誘
導体の製造法 【解決手段】 （１ａ）と、シアン化第一銅、シアン化
カリウムまたはシアン化ナトリウムを反応させることを
特徴とする（１）の製造法。 【化１】 〔Ｒは水素またはメチル、Ｘは水素または弗素、Ｙは塩
素または臭素、Ｚはニトロ、アミノ、アルキルスルホニ
ルアミノ、ジアルキルスルホニルアミノまたは アルコキ
シ）カルボニルアミノを表す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は除草剤またはその中
間体として有用な３−（４−シアノフェニル）ウラシル
誘導体（米国特許５１２７９３５号および日本公開特許
公報平５−１８６４３６号記載）の製造法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】３−（４−シアノフェニル）ウラシル誘
導体の製造法としては、日本公開特許公報昭６１−２２
１１７８号およびヨーロッパ公開特許０６４８７４９号
に記載されている。

【０００３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、除草剤ま
たはその中間体として有用な３−（４−シアノフェニ
ル）ウラシル誘導体の製造法を鋭意検討した結果、式
（１ａ）：

【０００４】

【化３】

【０００５】〔式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表
し、Ｘは水素原子または弗素原子を表し、Ｙは塩素原子
または臭素原子を表し、Ｚはニトロ基、アミノ基、Ｃ₁
〜Ｃ₄アルキルスルホニルアミノ基、ビス（Ｃ₁ 〜Ｃ₄
アルキルスルホニル）イミノ基または（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ アル
コキシ）カルボニルアミノ基を表す。〕で表されるウラ
シル誘導体と、シアン化第一銅、シアン化カリウムまた
はシアン化ナトリウムを反応させることを特徴とする式
（１）：

【０００６】

【化４】

【０００７】で表される３−（４−シアノフェニル）ウ
ラシル誘導体の製造法（以下本発明の製造法と称す
る。）を見い出した。本発明の製造法は、特にＲがメチ
ル基を表し、Ｘが弗素原子を表し、Ｚがアミノ基または
Ｃ₁ 〜Ｃ₂アルキルスルホニルアミノ基を表す場合の製
造法に適用される。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の製造法について詳
細に述べる。スキームは次のとおり、

【０００９】

【化５】

【００１０】（スキーム中、Ｒ、Ｘ、ＹおよびＺは前記
と同様の意味を表す。） 出発物質であるウラシル誘導体（１ａ）に対して、シア
ン化第一銅、シアン化カリウムまたはシアン化ナトリウ
ムを通常０．５〜１０モル、好ましくは０．８〜３モル
使用する。またこれら金属シアン化物は混合物で使用し
てもよい。反応は無溶媒でも進行するが、通常溶媒を使
用することによって促進される。溶媒としてベンゼン、
トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水
素類、クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン化炭化
水素類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリ
ル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン等のケトン類、ジエチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ピリジン、キ
ノリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン等の第三級アミン
類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の酸アミド類、
ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄化合物、
エタノール、ブタノール、ヘキサノール等のアルコール
類およびこれらの混合物があげられ、好ましくは上記の
芳香族炭化水素類、エーテル類、酸アミド類、第三級ア
ミン類、含硫黄化合物およびこれらの混合物があげられ
る。場合によっては反応系に第四級アンモニウム化合
物、ホスホニウム化合物などの相間移動触媒を加えても
よく、ヨウ化ナトリウムやヨウ化カリウムを加えてもよ
い。

【００１１】反応は通常室温から３００℃、好ましくは
８０℃〜２６０℃または溶媒の還流温度で行なわれる。
反応時間は通常３０分〜７２時間、好ましくは１時間〜
２４時間を要する。以下に本発明の製造法を実施例とし
て具体的に述べるが本発明はこれらに限定されるもので
はない。

【００１２】

【実施例】

〔実施例１〕 ３−（４−シアノ−５−エチルスルホニルアミノ−２−
フルオロフェニル）−１−メチル−６−トリフルオロメ
チル−２，４（１Ｈ，３Ｈ）ピリミジンジオン（化合物
Ｎｏ．１）の製法

【００１３】

【化６】

【００１４】３−（４−ブロモ−５−エチルスルホニル
アミノ−２−フルオロフェニル）−１−メチル−６−ト
リフルオロメチル−２，４（１Ｈ，３Ｈ）ピリミジンジ
オン５ｇ（０．０１０５モル）およびシアン化第一銅
１．１ｇ（０．０１２２モル）をＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド３０ｍｌに加え、窒素雰囲気下３時間還流し
た。反応後冷却し、塩化第二鉄４．５ｇ、水５．５ｍｌ
および濃塩酸１．５ｍｌからなる溶液をゆっくり加え
た。室温で１０分間撹拌後、酢酸エチルで抽出した。水
洗をくり返し（５回）、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸
ナトリウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去した。得られた
粗結晶を分取液体クロマトグラフィー（逆相カラム：ア
セトニトリル／水／酢酸＝１／１／０．００５）で精製
し、目的化合物１．２ｇを得た。

【００１５】融点１７４〜１７５℃ 〔実施例２〕 ３−（４−シアノ−２−フルオロ−５−メチルスルホニ
ルアミノフェニル）−１−メチル−６−トリフルオロメ
チル−２，４（１Ｈ，３Ｈ）ピリミジンジオン（化合物
Ｎｏ．２）の製法

【００１６】

【化７】

【００１７】３−（４−ブロモ−２−フルオロ−５−メ
チルスルホニルアミノフェニル）−１−メチル−６−ト
リフルオロメチル−２，４（１Ｈ，３Ｈ）ピリミジンジ
オン５．７ｇ（０．０１２４モル）、シアン化第一銅
１．２ｇ（０．０１３４モル）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド４０ｍｌを用い実施例１と同様な操作により目
的化合物１．８ｇを得た。

【００１８】融点２０９〜２１０℃ 前記スキームまたは実施例に示したように本発明の製造
法によって製造された３−（４−シアノフェニル）ウラ
シル誘導体を前記実施例で製造した化合物も含めてその
構造式と物性を第一表に記す。 〔第一表〕

【００１９】

【化８】

【００２０】

【表１】 ────────────────────────────────── 化合物Ｎｏ． Ｚ 融点（℃） ────────────────────────────────── １ ＮＨＳＯ₂ Ｃ₂ Ｈ₅ １７４〜１７５℃ ２ ＮＨＳＯ₂ ＣＨ₃ ２０９〜２１０℃ ３ Ｎ（ＳＯ₂ ＣＨ₃ ）₂ ２８０℃以上 ４ ＮＨＣＯ₂ ＣＨ₃ １６６〜１６７℃ ５ ＮＨ₂ ２０５〜２０６℃ ──────────────────────────────────

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢田 寛司 千葉県船橋市坪井町722番地１日産化学工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 玉田 佳丈 千葉県船橋市坪井町722番地１日産化学工 業株式会社中央研究所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 式（１ａ）： 【化１】 〔式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表し、Ｘは水素
   原子または弗素原子を表し、Ｙは塩素原子または臭素原
   子を表し、Ｚはニトロ基、アミノ基、Ｃ₁ 〜Ｃ₄アルキ
   ルスルホニルアミノ基、ビス（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ アルキルスル
   ホニル）イミノ基または（Ｃ₁ 〜Ｃ₄ アルコキシ）カル
   ボニルアミノ基を表す。〕で表されるウラシル誘導体
   と、シアン化第一銅、シアン化カリウムまたはシアン化
   ナトリウムを反応させることを特徴とする式（１）： 【化２】 で表される３−（４−シアノフェニル）ウラシル誘導体
   の製造法。
2. 【請求項２】 Ｒがメチル基を表し、Ｘが弗素原子を表
   し、Ｚがアミノ基を表す請求項１記載の製造法。
3. 【請求項３】 Ｒがメチル基を表し、Ｘが弗素原子を表
   し、ＺがＣ₁ 〜Ｃ₂アルキルスルホニルアミノ基を表す
   請求項１記載の製造法。