JPH09502055A - 改善された抵抗温度係数及び面積抵抗値を有するＳｉＣｒ薄膜抵抗 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ＳｉＣｒ薄膜抵抗の抵抗温度係数、及び面積抵抗値が、窒素雰囲気において、約５５０から約６５０℃の範囲の温度で、ＳｉＣｒ薄膜を短時間アニールすることにより、実質的に増強される。

Description

【発明の詳細な説明】 改善された抵抗温度係数及び面積抵抗値を有するＳｉＣｒ薄膜抵抗 発明の背景 １．発明の分野 本発明は、薄膜抵抗に関し、更に詳細には、限定としてではないが、改善され た温度係数を有する、シリコン・クロム（ＳｉＣｒ）薄膜抵抗に関する。１つの 態様において、本発明は、改善された抵抗温度係数、及び増強された面積抵抗値 を有する、ＳｉＣｒ薄膜抵抗を製造するためのプロセスに関する。 ２．従来技術の説明 ＳｉＣｒ薄膜抵抗、及びかかる抵抗を製造するためのプロセスは、周知なもの である。一般に、ＳｉＣｒ薄膜抵抗は、直流、又は高周波スパッタリング・プロ セスを利用して、基板上にＳｉＣｒの薄膜を形成することにより、製造されてい る。直流、又は高周波スパッタリング・プロセスを用いて、基板上に形成された ＳｉＣｒ膜は、本来、高い抵抗温度係数を持っており、かかる膜に対して得られ る最大の面積抵抗値は制限される。 抵抗値の温度係数は、膜の温度が増大、及び減少する場合に、最も少なく変化 するための、膜の面積抵抗値の能力測定値である。抵抗に対して、抵抗値の温度 係数は、異なる温度での抵抗値を測定し、その後に、温度の度数当たりの抵抗値 変化の割合いを計算することにより決定される。このパラメータは、セルシウス 度当たりの１０ ０万分の１の単位（ｐｐｍ／℃）で表現され、一般に膜材料、膜配合、及び堆積 条件の関数であり、制御するのが極端に困難で、負であり得（温度が増大するに つれて、抵抗値が減少する場合）、又は正であり得る（温度が増大するにつれて 、抵抗値が増大する場合）。 窒素、及び酸素環境において、堆積された膜を合金化することにより、ＳｉＣ ｒ膜の面積抵抗値を増強可能である。ＳｉＣｒ合金膜の面積抵抗値は、３０分間 ４７５セルシウス度の温度で、合金を生成することにより、約２８０％増大可能 である。合金化の最初の３０分間の後、膜の面積抵抗値における更なる増大は、 合金温度に依存する。しかし、ＳｉＣｒ膜の面積抵抗値を更に増大させようと努 力して、４８０℃を越えて、ＳｉＣｒ膜に対する合金温度を増大させることは望 ましくなく、というのは、４８０セルシウス度より大きな温度では、ＳｉＣｒ膜 が分解され、従って破壊される。 膜の薄膜化により、薄膜の面積抵抗値を増強すること、すなわち基板上により 薄い膜を堆積させることも提案されている。しかし、膜厚を低減しようとした場 合、膜の品質が劣化して、膜が、下流の工程ステップに対して更に敏感になる。 現在のところ利用可能なＳｉＣｒ抵抗は、一般に、あまりにも高い抵抗温度係 数を持っている。このことは、多くの新しい回路設計に対して、かかる抵抗を受 容不可能にする。ＳｉＣｒ抵抗を製造するための新しい、及び改善されたプロセ スは、抵抗温度係数を低くし、それと同時に、ＳｉＣｒ膜の面積抵抗値を増強す る。本発明は、かかるプロセスに向けられるものである。 発明の摘要 本発明によれば、ＳｉＣｒ薄膜抵抗の抵抗値、及び面積抵抗値の温度係数が、 ＳｉＣｒ薄膜を焼き入れするのに有効な時間の期間、窒素雰囲気において、約５ ５０℃から約６５０℃の温度で、ＳｉＣｒ薄膜を短時間加熱することにより増強 される。更に特定として、ＳｉＣｒ抵抗の抵抗値、及び面積抵抗値の温度係数は 、以下のステップを含む本発明のプロセスに従って、抵抗を製造する場合に増強 可能である。そのステップは、 (a) ウェーハ上にＳｉＣｒ薄膜を設けるために、シリコン・クロムのターゲッ トから、燐ドーピングの低温二酸化シリコン上に、シリコン／クロム合金をスパ ッタリングするステップと、 (b) ＳｉＣｒ薄膜をアニールするのに有効な時間の期間、窒素雰囲気において 、約５５０℃から約６５０℃の温度で、ウェーハを短時間加熱するステップと、 (c) 抵抗バー領域を規定するために、第１のレジストマスクで、ウェーハをマ スキングするステップと、 (d) 抵抗バー領域に抵抗バーを形成するために、マスクされたウェーハをエッ チングするステップと、 (e) ウェーハから第１のレジストマスクを除去するステップと、 (f) ＳｉＣｒ薄膜、及び抵抗バーを保護するために、ウェーハ上にアルミニウ ムのブランケットを堆積させるステップと、 (g) 抵抗バーの端部がマスキングされ、作業場のある区域へのリード線が規定 されるように、第２のレジストマスクで、ウェーハを マスキングするステップと、 (h) フィールド酸化膜、及び抵抗バーの本体部を露出させるために、ウェーハ をエッチングするステップと、 (i) 抵抗バーにアルミニウム接触子を設けるために、第２のレジストマスクを 除去するステップと、 (j) ＳｉＣｒとアルミニウム接触子を合金化して、抵抗をもたらすのに有効な 時間の期間、水素／窒素雰囲気において、約４７５℃の温度にウェーハを加熱す るステップと、 (k) 合金化されたウェーハを不動態化するステップと、 (l) 金属線を規定する窓を設けるために、第３のレジストマスクで、合金化さ れたウェーハをマスキングするステップと、 (m) 電気的接触が抵抗に対してなし得るように、第３のレジストマスクを除去 するステップと、を含む。 本発明の目的は、改善された抵抗温度係数、及び増強された面積抵抗値を有す る、改善されたＳｉＣｒ抵抗を提供することである。 本発明の他の目的は、前記の目的を達成すると同時に、改善された抵抗温度係 数、及び増強された面積抵抗値を有する、ＳｉＣｒ抵抗を製造するための、改善 されたプロセスを提供することである。 本発明の他の目的、特徴、及び利点は、図面及び請求の範囲と関連して閲読し た場合に、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。 図面の簡単な説明 図１は、本発明のプロセスに従って製造された、ＳｉＣｒ抵抗の 一部を示す断面図である。 詳細な説明 本発明は、改善された抵抗温度係数、及び増強された面積抵抗値を有する、Ｓ ｉＣｒ薄膜抵抗、及び改善された抵抗温度係数、及び増強された面積抵抗値を有 する、ＳｉＣｒ薄膜抵抗を製造するためのプロセスに関する。 図１を参照すると、本発明に従って構成された、ＳｉＣｒ薄膜抵抗１０の一部 が描画的に示されている。ＳｉＣｒ薄膜抵抗１０、それは又、本明細書において 抵抗と単純に言うことが時々あるが、それは、燐ドーピングの低温二酸化シリコ ンウェーハ１２、ＳｉＣｒ薄膜１４、幾つかの抵抗を相互接続するためのアルミ ニウム接触子１６、燐ドーピングの酸化膜層１８、及び窒化膜層２０からなる。 抵抗１０の構成要素は、慣用的なＳｉＣｒ薄膜抵抗の構成要素と類似であるよう に見えることに留意されたい。しかし、後で示すように、本発明のプロセスによ り製造されたＳｉＣｒ薄膜抵抗１０は、その抵抗１０が、抵抗温度係数、及び面 積抵抗値に関して、改善された特性を有することにおいて、従来技術の慣用的な ＳｉＣｒ薄膜抵抗とは異なる。 抵抗１０の製造において、シリコン基板２２が熱的に酸化されて、基板２２の 上部表面に、二酸化シリコンの層が形成され、燐ドーピングの低温シリコン膜が 、二酸化シリコン層上に化学的に形成される。次に、シリコン／クロム合金が、 シリコン・クロムターゲットから、燐ドーピングの低温二酸化シリコンウェーハ １２上にスパッ タリングされ、その結果、燐ドーピングの低温二酸化シリコンウェーハ１２の上 部表面に、ＳｉＣｒ薄膜１４が設けられる。 ＳｉＣｒ薄膜抵抗１０の製造に使用されるシリコン・クロムターゲットは、９ ９．５％の純度を有し、またそのターゲットは、原子重量に基づき、約７２％シ リコン、及び約２８％クロムの配合を有する。シリコン基板２２上のＳｉＣｒ薄 膜１４の堆積は、直流出力を有するBalzers LLS801システムのような、慣用的な 直流、又は高周波スパッタリング・システムを用いて実行される。 シリコン基板２２上のＳｉＣｒ薄膜１４の形成後に、ウェーハ１２は、窒素雰 囲気において、室温からアニール温度に短時間に加熱されて、ＳｉＣｒ薄膜をア ニールするのに有効な時間の期間、そのアニール温度に維持される。所望のアニ ール温度に、ウェーハを短時間に加熱可能な、如何なる熱源も使用可能である。 しかし、熱源としてハロゲンランプを使用した場合に、所望の結果が得られてい る。 本明細書に開示する発明の概念を、更に完全に認識可能とするために、本発明 の説明において使用する、幾つかの用語を規定することが望ましいと考える。従 って、以下にその規定を記載する。 「短時間加熱」とは、室温からＳｉＣｒ薄膜のアニール温度へのランプ状上昇 時間であり、また約５から約１０秒の時間期間である。 「アニール温度」とは、ＳｉＣｒ薄膜がアニールされる温度である。本発明に よるＳｉＣｒ薄膜に対するアニール温度は、約５５０℃から約６５０℃であり、 更に望ましくは約６３０℃である。 本発明の短時間加熱アニールの概念を用いて、ＳｉＣｒ薄膜１４を焼き入れす るのに有効な時間期間は、約５０から８５秒である。 後に記載するように、ＳｉＣｒ薄膜１４の短時間加熱アニール（ランプ状上昇 時間を含めて、約６０から９０秒である）は、本発明のＳｉＣｒ薄膜抵抗１０の 製造において重要である。 ＳｉＣｒ薄膜の短時間加熱アニールの後、ウェーハ１２は、熱放散により冷却 可能となる。次に、第１のレジストマスクが、ウェーハ１２のアニールされたＳ ｉＣｒ薄膜に適用され、その結果、抵抗バー領域が規定される。本発明に従って 構成された抵抗は、矩形状のバーを一般に含み、そのバーの幅に対する長さの比 率は、抵抗の所望の抵抗値に依存することに留意されたい。従って、第１のレジ ストマスクにより規定される抵抗バー領域は、ウェーハ１２上に形成すべき抵抗 の形状、及び寸法と一致することになる。 次に、ウェーハ１２は、抵抗バーを規定するためにエッチングされる。慣用的 なドライエッチング手順といった、任意のエッチング手順を使用して、抵抗バー を規定可能である。ウェーハ１２が、抵抗バーを規定するようにエッチングされ た後、第１のレジストマスクは、酸素プラズマへの露出といった、任意の周知の 慣用的な手順により除去される。 抵抗バーが形成された後、アルミニウムのブランケットが、ウェーハ１２上に 堆積され、その結果ＳｉＣｒ薄膜１４、及び抵抗バーが保護、又は被覆される。 次に、抵抗バーの端部がマスキングされ、作業場のある区域へのリード線が規定 されるように、第２のレジス トマスクが、アルミニウム被覆されたウェーハの選択領域に適用される。第２の レジストマスクでのウェーハ１２のマスキングは、抵抗の製造プロセスが終了し た場合に、抵抗の電気的試験が実行可能なように、作業場のある区域へのリード 線を規定する。 アルミニウム被覆されたウェーハ１２は、次いで、マスキングされていないア ルミニウムを除去し、それにより、フィールド酸化膜、及び抵抗バーの本体部を 露出させるようにエッチングされる。ウェーハの製造において、周知の任意の慣 用的なウェットエッチングを使用して、マスキングされていないアルミニウムを 除去することも可能である。しかし、窒素酸、及び燐酸を使用する、慣用的なア ルミニウム・ウェットエッチング・プロセスを用いた場合に、所望の結果が得ら れている。アルミニウム被覆された基板のウェットエッチングが終了した後、第 ２のレジストマスクは、酸素プラズマで除去され、その結果、作業場のある区域 へのリード線、及び抵抗バーの端部のアルミニウム接触子が設けられる。 ウェーハ１２からの第２のレジストマスクの除去の後、ウェーハ１２は、Ｓｉ Ｃｒとアルミニウム接触子を合金化して、抵抗がもたらされるのに有効な時間の 期間、水素／窒素雰囲気において、約４７５℃の温度に加熱される。ＳｉＣｒと アルミニウム接触子を合金化するのに必要な時間は、変更可能であるが、一般に 、かかる合金化は約３０分で達成される。 一度ＳｉＣｒとアルミニウム接触子の合金化が実行されると、ウェーハが不動 態化されて、その上に形成される抵抗が保護される。 燐ドーピングの酸化膜、すなわち金属上部蒸着（ＶＯＭ）パッシベーション膜、 又は窒化膜層で保護された燐ドーピングの酸化膜の適用といった、任意の適切な パッシベーション技術を使用して、ウェーハを不動態化することができる。 次に、不動態化されたウェーハ１２は、第３のレジストマスクでマスキングさ れて、金属線を規定する窓が設けられ、そのマスクされた合金化ウェーハは、エ ッチングされて、電気的接触が幾つかの抵抗に対してなし得るように、金属線が 開けられる。次に、第３のレジストマスクは、酸素プラズマを使用して除去され て、本発明に従って準備されたＳｉＣｒ抵抗は、再被覆され、抵抗温度係数、及 び面積抵抗値を測定するために試験される。 本発明を更に例示するために、以下に例を記載する。しかし、この例は、例示 の目的のみのためであり、本発明の範囲を限定するものと解釈されるべきでない 、ということを理解されたい。 例 本発明の短時間加熱アニール技術を使用して形成された抵抗と、慣用的なＳｉ Ｃｒ薄膜アニール技術を使用して形成された抵抗（今後は、対照標準の抵抗と言 う）を比較するために、一連の実験が行われた。本発明の抵抗の準備において、 ＳｉＣｒ薄膜は、短時間加熱アニール手順を用いてアニールされ、対照標準の抵 抗のＳｉＣｒ薄膜は、水平電気炉により実施される、標準的なアニール手順を用 いてアニールされたことを除いて、対照標準の抵抗、及び本発明の抵抗の形成に 使用されたプロセスは、実質的に同じであった。 本発明による短時間加熱アニール技術を用いる抵抗の準備において、１０００ オーム／平方のＳｉＣｒ薄膜が、ウェーハ上に堆積され、次いでＳｉＣｒ薄膜の 短時間加熱アニールが、ハロゲンランプ、及び窒素環境を用いて実行された。Ｓ ｉＣｒ薄膜は、ランプ状上昇時間を含めて、６０秒の短時間加熱アニールにさら された。 もしあれば、温度が、抵抗温度係数、及び面積抵抗値に、どんな影響を及ぼす かを測定するために、短時間加熱アニール温度を変化させた。検討された短時間 加熱アニール温度は、５５０℃、６００℃、及び６５０℃であった。 もしあれば、パッシベーション手順における変化が、抵抗温度係数、及び面積 抵抗値に、どんな影響を及ぼすことになるかを測定するために、ウェーハのパッ シベーション膜の影響も検討した。 実験の結果を以下に記載する。 (1) 対照標準の抵抗は、−６０℃から１３０℃の温度範囲にわたって、４３か ら−２１０ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数、及び９８０オーム／平方の面積抵抗値を 示した。 (2) 燐ドーピングの酸化膜（ＶＯＭ）を用いるパッシベーション技術を使用す ることにより準備された、対照標準の抵抗は、９から−２３１ｐｐｍ／℃の抵抗 温度係数、及び１０００オーム／平方の面積抵抗値を示した。 (3) 短時間加熱アニール温度が５５０℃で、使用されたパッシベーション技術 が、燐ドーピングの酸化膜（ＶＯＭ）であった、本発明のプロセスに従って準備 された抵抗は、−６０℃から１ ３０℃の温度範囲にわたって、−５から−１９１ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数、及 び９９０オーム／平方の面積抵抗値を示した。 (4) 短時間加熱アニール温度が５５０℃で、使用されたパッシベーション技術 が、窒化膜層で保護された燐ドーピングの酸化膜（ＶＯＭ）であった、本発明の プロセスに従って準備された抵抗は、−６０℃から１３０℃の温度範囲にわたっ て、−４１から−２５０ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数、及び１０６０オーム／平方 の面積抵抗値を示した。 (5) 短時間加熱アニール温度が６００℃で、使用されたパッシベーション技術 が、燐ドーピングの酸化膜（ＶＯＭ）であった、本発明のプロセスに従って準備 された抵抗は、−６０℃から１３０℃の温度範囲にわたって、１９から−１４０ ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数、及び１０９０オーム／平方の面積抵抗値を示した。 (6) 短時間加熱アニール温度が６００℃で、使用されたパッシベーション技術 が、窒化膜層で保設された燐ドーピングの酸化膜であった、本発明のプロセスに 従って準備された抵抗は、−６０℃から１３０℃の温度範囲にわたって、２３か ら−１３７ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数、及び１０９０オーム／平方の面積抵抗値 を示した。 (7) 短時間加熱アニール温度が６５０℃で、使用されたパッシベーション技術 が、燐ドーピングの酸化膜（ＶＯＭ）であった、本発明のプロセスに従って準備 された抵抗は、−６０℃から１ ３０℃の温度範囲にわたって、８２から−４８ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数、及び １４１０オーム／平方の面積抵抗値を示した。 (8) 短時間加熱アニール温度が６５０℃で、使用されたパッシベーション技術 が、窒化膜層で保護された燐ドーピングの酸化膜であった、本発明のプロセスに 従って準備された抵抗は、−６０℃から１３０℃の温度範囲にわたって、５４か ら−４３ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数、及び１４５０オーム／平方の面積抵抗値を 示した。 上記のデータは、本発明のプロセスに従って準備された抵抗は、慣用的なアニ ール技術を用いて準備された抵抗と比較した場合、改善された抵抗温度係数、及 び面積抵抗値を示すことを、明らかに指し示している。 すなわち、上記の実験から得られたデータは、以下のことを明らかに指し示し ている。(a) 対照標準の抵抗に対する抵抗温度係数は、正の状況に始まり、温度 が増大するにつれて、負の状況に移行する。(b) ５５０℃の短時間加熱アニール 温度で、本発明のプロセスに従って準備された抵抗に対する抵抗温度係数は、負 の状況に始まり、温度が増大するにつれて、負の状況のままである。(c) ６００ ℃の短時間加熱アニール温度で、本発明のプロセスに従って準備された抵抗に対 する抵抗温度係数は、正の状況に始まり、温度が増大するにつれて、−１３０に 移行する。(d) ６５０℃の短時間加熱アニール温度で、本発明のプロセスに従っ て準備された抵抗に対する抵抗温度係数は、正の状況に始まり、温度が増大する につれて、−５０ より下に移行する。(e)６００℃の短時間加熱アニール温度で、本発明のプロセ スに従って準備された抵抗を除いて、窒化膜層で保護された燐ドーピングの酸化 膜で不動態化されたウェーハは、より低い開始抵抗温度係数を示し、ＳｉＣｒ薄 膜の短時間加熱アニールは、燐ドーピングの酸化膜、又は窒化膜層で保護された 燐ドーピングの酸化膜のどちらかで不動態化されたウェーハに対して、抵抗温度 係数を改善する。(f) 抵抗温度係数に関する最も望ましい結果は、抵抗が、６５ ０℃の短時間加熱アニール温度を用いて準備された場合に得られる。(g)６００ ℃の短時間加熱アニール温度で、本発明のプロセスに従って準備された抵抗の平 均温度係数は、−３０から１３０℃の範囲において負であり、同時に従来技術の 抵抗よりも、低い絶対値を有している。このことは、抵抗値が単調増加、又は単 調減少することができるという意味を含むことに留意されたい。(h) ６５０℃の 短時間加熱アニール温度で、本発明のプロセスに従って準備された抵抗の平均温 度係数は、−３０℃から９０℃において、２８ｐｐｍ／℃から−３１ｐｐｍ／℃ の範囲にある。(i) ２５℃から６０℃で測定された、６５０℃の短時間加熱アニ ール温度で、本発明のプロセスに従って準備された抵抗の平均温度係数は、−１ ．０ｐｐｍ／℃であるが、５．７ｐｐｍ／℃の標準偏差を有する。(j)最大に増 強された面積抵抗値、及び最大に増強された抵抗温度係数の両方は、６５０℃の 同じ短時間加熱アニール温度で生じる。とりわけ、このことは、現在の技術で一 般に可能である抵抗よりも大きな値の抵抗が、現在の技術で可能である温度係数 よりも低い温度係 数で、製造可能であるという意味を含んでいる。 本発明は、その目的を達成し、結論、及び本明細書において述べた利点を得る ために、十分に適応される。この開示の目的のために、本発明の現在のところ好 適な実施例を説明したが、当業者には容易に想到し、また開示され、及び請求の 範囲に規定される本発明の趣旨内に包含される、多数の変更をなすことも可能で ある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．シリコンウェーハ上に堆積されたＳｉＣｒ薄膜を有する抵抗の、抵抗温度 係数、及び面積抵抗値を増強するためのプロセスにおいて、 ＳｉＣｒ薄膜をアニールするのに有効な時間の期間、窒素雰囲気において 、約５５０℃から約６５０℃の温度で、ＳｉＣｒ薄膜を短時間加熱アニールする ステップを含むプロセス。 ２．ＳｉＣｒの薄膜は、シリコン・クロムターゲットからウェーハ上に、シリ コン／クロム合金をスパッタリングすることにより、ウェーハ上に堆積され、ウ ェーハは、燐ドーピングの低温二酸化シリコンウェーハであり、ＳｉＣｒ薄膜を アニールするのに有効な時間期間は、約５０から約８５秒である、請求項１に記 載のプロセス。 ３．ＳｉＣｒ薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、室温からアニール温 度への、約５から１０秒のランプ状上昇時間を含む、請求項２に記載のプロセス 。 ４．アニール温度は約６５０℃であり、アニール期間は、ランプ状上昇時間を 含めて、約６０秒である、請求項３に記載のプロセス。 ５．ＳｉＣｒ薄膜抵抗の抵抗温度係数、及び面積抵抗値を増強するためのプロ セスにおいて、 (a) ウェーハ上にＳｉＣｒ薄膜を設けるために、シリコン・クロムのターゲ ットから、燐ドーピングの低温二酸化シリコン 上に、シリコン／クロム合金をスパッタリングするステップと、 (b) ＳｉＣｒ薄膜をアニールするのに有効な時間の期間、窒素雰囲気におい て、約５５０℃から約６５０℃の温度で、ウェーハを短時間加熱するステップと 、 (c) 抵抗バー領域を規定するために、第１のレジストマスクで、ウェーハを マスキングするステップと、 (d) 抵抗バー領域に抵抗バーを形成するために、マスクされたウェーハをエ ッチングするステップと、 (e) ウェーハから第１のレジストマスクを除去するステップと、 (f) ＳｉＣｒ薄膜、及び抵抗バーを保護するために、ウェーハ上にアルミニ ウムのブランケットを堆積させるステップと、 (g) 抵抗バーの端部がマスキングされ、作業場のある区域へのリード線が規 定されるように、第２のレジストマスクで、ウェーハをマスキングするステップ と、 (h) フィールド酸化膜、及び抵抗バーの本体部を露出させるために、ウェー ハをエッチングするステップと、 (i) 抵抗バーにアルミニウム接触子を設けるために、第２のレジストマスク を除去するステップと、 (j) ＳｉＣｒとアルミニウム接触子を合金化して、抵抗をもたらすのに有効 な時間の期間、水素／窒素雰囲気において、約４７５℃の温度にウェーハを加熱 するステップと、 (k) 合金化されたウェーハを不動態化するステップと、 (1) 金属線を規定する窓を設けるために、第３のレジストマスクで、合金化 されたウェーハをマスキングするステップと、 (m) 第３のレジストマスクを除去するステップと、 を含むプロセス。 ６．ＳｉＣｒ薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、約５０から約８５秒 である、請求項５に記載のプロセス。 ７． ＳｉＣｒ薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、室温からアニール 温度への、約５から１０秒のランプ状上昇時間を含む、請求項６に記載のプロセ ス。 ８．アニール温度は約６５０℃であり、アニール期間は、ランプ状上昇時間を 含めて、約６０秒である、請求項７に記載のプロセス。 ９．シリコン・クロムターゲットは、約９９．５％の純度を有し、且つそのタ ーゲットは、原子重量に基づき、約７２％シリコン、及び約２８％クロムの配合 を有する、請求項５に記載のプロセス。 １０．ＳｉＣｒ薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、約５０から約８５秒 である、請求項９に記載のプロセス。 １１．ＳｉＣｒ薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、室温からアニール温 度への、約５から１０秒のランプ状上昇時間を含む、請求項１０に記載のプロセ ス。 １２．アニール温度は約６５０℃であり、アニール期間は、ランプ状上昇時間を 含めて、約６０秒である、請求項１１に記載のプ ロセス。