JPH03196620A - 銅配線の形成法とそれに使用するターゲット - Google Patents
銅配線の形成法とそれに使用するターゲットInfo
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- JPH03196620A JPH03196620A JP33776289A JP33776289A JPH03196620A JP H03196620 A JPH03196620 A JP H03196620A JP 33776289 A JP33776289 A JP 33776289A JP 33776289 A JP33776289 A JP 33776289A JP H03196620 A JPH03196620 A JP H03196620A
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- copper
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、ＬＳＩ等における銅配線を形成する方法、
及びその際に使用する銅合金スパッタリングターゲット
に関するものである。
及びその際に使用する銅合金スパッタリングターゲット
に関するものである。
〈従来技術とその課題〉
従来、ＬＳＩの製造においては、配線材料としてＭ又は
Ｍ合金を使用し、スパッタリング被覆法並びにイオンエ
ツチング法によって基板上に所望パターンの配線を形成
するのが一般的であったが、ＶＬＳ Ｉ−？’ＵＬＳ
Ｉの出現に象徴されるように半導体装置に対する高集積
化要求は止まるところを知らず、それに伴ってより一層
微細な配線が必要となってきたことから、最近では該配
線材料としてＣｕを使用することが検討されている。な
ぜなら、ＣｕはＭ又はＭ合金に比べて耐エレクトロンマ
イグレーション性や耐ストレスマイグレーション性に優
れているため断線の危険が少なく、しかも低抵抗である
と言う好ましい特性を有しているためである。
Ｍ合金を使用し、スパッタリング被覆法並びにイオンエ
ツチング法によって基板上に所望パターンの配線を形成
するのが一般的であったが、ＶＬＳ Ｉ−？’ＵＬＳ
Ｉの出現に象徴されるように半導体装置に対する高集積
化要求は止まるところを知らず、それに伴ってより一層
微細な配線が必要となってきたことから、最近では該配
線材料としてＣｕを使用することが検討されている。な
ぜなら、ＣｕはＭ又はＭ合金に比べて耐エレクトロンマ
イグレーション性や耐ストレスマイグレーション性に優
れているため断線の危険が少なく、しかも低抵抗である
と言う好ましい特性を有しているためである。
しかし、上記配線材料としてＣｕの通用を考えた場合、
ＣｕにはＳｔやＳｉ０ｇ膜に拡散し昌いことからＰ−Ｎ
接合のリーク電流を引き起こす原因となり易いとの問題
が指摘され、更に耐酸化性も十分でないため熱処理を施
すとＣｕの酸化による配線抵抗の上昇が生じるとの問題
もあって、その実用化が今−歩躊躇されていた。ただ、
最近、銅配線層とシリコン基板との間にＴｉＮ膜、Ｗ膜
、 Ｍｏ膜、 Ｔａ膜。
ＣｕにはＳｔやＳｉ０ｇ膜に拡散し昌いことからＰ−Ｎ
接合のリーク電流を引き起こす原因となり易いとの問題
が指摘され、更に耐酸化性も十分でないため熱処理を施
すとＣｕの酸化による配線抵抗の上昇が生じるとの問題
もあって、その実用化が今−歩躊躇されていた。ただ、
最近、銅配線層とシリコン基板との間にＴｉＮ膜、Ｗ膜
、 Ｍｏ膜、 Ｔａ膜。
Ｃｒ膜等のバリア層を設けて両者の相互拡散を防止する
手段が提案されたこともあり （例えば特開昭６３−１
５６３４１号公報や特開昭６３−１７４３３６号公報等
を参照されたい）、上記拡散に起因したＰ−Ｎ接合のリ
ーク電流を防止する道については先が見透せるになって
きたが、銅配線を形成する工程で必要な熱処理時におけ
る銅配線層の酸化防止については十分な対策が見出され
ていなかった。
手段が提案されたこともあり （例えば特開昭６３−１
５６３４１号公報や特開昭６３−１７４３３６号公報等
を参照されたい）、上記拡散に起因したＰ−Ｎ接合のリ
ーク電流を防止する道については先が見透せるになって
きたが、銅配線を形成する工程で必要な熱処理時におけ
る銅配線層の酸化防止については十分な対策が見出され
ていなかった。
ところが、このような状況の中で、下地上への配線用Ｃ
ｕ層の形成を“Ｃｕ上にＴｉを配置したモザイクターゲ
ット“を用いたスパッタリングにて行い、続いて形成さ
れたＣｕ−Ｔｉ合金薄膜配線層を窒素雰囲気中でアニー
ルして該配線層表面にＴｉＮ層を形成させ、これによっ
て耐酸化性を向上させようとの提案がなされた（１９Ｂ
８年（昭和６３年）秋季第４９回応用物理学会学術講演
会講演予稿集第２分冊。
ｕ層の形成を“Ｃｕ上にＴｉを配置したモザイクターゲ
ット“を用いたスパッタリングにて行い、続いて形成さ
れたＣｕ−Ｔｉ合金薄膜配線層を窒素雰囲気中でアニー
ルして該配線層表面にＴｉＮ層を形成させ、これによっ
て耐酸化性を向上させようとの提案がなされた（１９Ｂ
８年（昭和６３年）秋季第４９回応用物理学会学術講演
会講演予稿集第２分冊。
第４３４頁参照〕。
しかしながら、該提案になる方法では、Ｃｕ−Ｔｉ合金
薄膜層の表面にＴｉＮ層を形成させるための所要窒化温
度が８００℃程度と高温であるのでＬＳＩの製造に現在
使用されている装置の利用が出来ない上、Ｃｕ−Ｔｉ合
金自体の比抵抗が高いために窒化処理によってＣｕ中の
Ｔｉの殆んどをＴｉＮとして表面に出さないと十分に低
い比抵抗が得られないとの不都合があり、更にはＣｕ−
Ｔｉ合金薄膜層の形成が“Ｃｕ上にＴｉ片を置いたター
ゲソビをスパッタする手法で実施されるため作業性の点
でも問題があって工業上十分に満足できるものとは言え
なかった。
薄膜層の表面にＴｉＮ層を形成させるための所要窒化温
度が８００℃程度と高温であるのでＬＳＩの製造に現在
使用されている装置の利用が出来ない上、Ｃｕ−Ｔｉ合
金自体の比抵抗が高いために窒化処理によってＣｕ中の
Ｔｉの殆んどをＴｉＮとして表面に出さないと十分に低
い比抵抗が得られないとの不都合があり、更にはＣｕ−
Ｔｉ合金薄膜層の形成が“Ｃｕ上にＴｉ片を置いたター
ゲソビをスパッタする手法で実施されるため作業性の点
でも問題があって工業上十分に満足できるものとは言え
なかった。
このようなことから、本発明が目的としたのは、「耐酸
化性に優れ十分な導電性を発揮する細密銅配線を、格別
に新規な設備を要することなく工業的規模で簡単かつ安
価に形成できる手段」を確立することである。
化性に優れ十分な導電性を発揮する細密銅配線を、格別
に新規な設備を要することなく工業的規模で簡単かつ安
価に形成できる手段」を確立することである。
（課題を解決するための手段）
そこで、本発明者等は上記目的を達成すべく数多くの実
験を重ねながら研究を行った結果、「窒化処理によって
“スパッタリング被覆法で形成した銅配線層”の表面に
窒化物層を生成させ銅配線層の酸化防止を図るに当り、
銅配線層中に原子半径の小さなりを含有させておくと、
Ｔｉを含有させた場合よりも格段に低い窒化温度で酸化
防止に有効な窒化物層の形成が可能となる上、“耐酸化
性を発揮するのに十分な厚さのホウ素窒化物層”を形成
させるのに必要なり量がＣｕ中に含まれていても比抵抗
の上昇が小さいので、Ｂ含有量が適当範囲に規制されて
おれば銅配線の性能が劣化する虞れもない、しかも、Ｂ
含有銅配線層の形成は“Ｃｕ−８合金ターゲツトを使用
したスパッタリング被覆法”を通用することにより安定
して実施でき、“Ｃｕ上にＴｉ片を置いたモザイクター
ゲット”使用する前記従来提案法のような“スパッタ処
理時のハンドリング性悪化“を招くこともない、」との
新しい知見を得ることができた。
験を重ねながら研究を行った結果、「窒化処理によって
“スパッタリング被覆法で形成した銅配線層”の表面に
窒化物層を生成させ銅配線層の酸化防止を図るに当り、
銅配線層中に原子半径の小さなりを含有させておくと、
Ｔｉを含有させた場合よりも格段に低い窒化温度で酸化
防止に有効な窒化物層の形成が可能となる上、“耐酸化
性を発揮するのに十分な厚さのホウ素窒化物層”を形成
させるのに必要なり量がＣｕ中に含まれていても比抵抗
の上昇が小さいので、Ｂ含有量が適当範囲に規制されて
おれば銅配線の性能が劣化する虞れもない、しかも、Ｂ
含有銅配線層の形成は“Ｃｕ−８合金ターゲツトを使用
したスパッタリング被覆法”を通用することにより安定
して実施でき、“Ｃｕ上にＴｉ片を置いたモザイクター
ゲット”使用する前記従来提案法のような“スパッタ処
理時のハンドリング性悪化“を招くこともない、」との
新しい知見を得ることができた。
本発明は、上記知見事項等に基づいてなされたものであ
り、 「スパッタリング被覆法を通用して下地の上に銅配線部
を形成するに当って、スパッタリングターゲットとして
Ｂを０．５〜５％（以降、成分割合を表わす％は重量％
とする）の割合で含有する銅合金ターゲットを用いると
共に、形成された銅配線部をＮ、ガス又はＮ Ｈｓ含有
雰囲気中で３００℃以上に加熱処理して該銅配線部表面
にホウ素窒化物層を形成させることにより、その耐酸化
性を顕著に改善できるようにした点」 に特徴を有し、更には 「耐酸化性銅配線を形成するためのスパッタリングター
ゲットを、Ｂを０．５〜５％の割合で含有すると共に残
部が実質的にＣｕから成る銅合金で構成した点」 をも特徴とするものである。
り、 「スパッタリング被覆法を通用して下地の上に銅配線部
を形成するに当って、スパッタリングターゲットとして
Ｂを０．５〜５％（以降、成分割合を表わす％は重量％
とする）の割合で含有する銅合金ターゲットを用いると
共に、形成された銅配線部をＮ、ガス又はＮ Ｈｓ含有
雰囲気中で３００℃以上に加熱処理して該銅配線部表面
にホウ素窒化物層を形成させることにより、その耐酸化
性を顕著に改善できるようにした点」 に特徴を有し、更には 「耐酸化性銅配線を形成するためのスパッタリングター
ゲットを、Ｂを０．５〜５％の割合で含有すると共に残
部が実質的にＣｕから成る銅合金で構成した点」 をも特徴とするものである。
以下、本発明においてスパッタリングターゲットの化学
組成及び処理条件を前記の如くに限定した理由を、その
作用並びに効果と共に詳述する。
組成及び処理条件を前記の如くに限定した理由を、その
作用並びに効果と共に詳述する。
く作用及び効果〉
まず、本発明に係るＣｕ−８合金スパツタリングターゲ
ットにおけるＢ含有量を０．５〜５％と定めたのは、タ
ーゲットのＢ含有量が０．５％未満であると“スパッタ
処理によって得られるＣｕ−Ｂ合金配線層”を窒化処理
してもその表面に十分な厚さの耐酸化保護性を有するホ
ウ素窒化物層が形成されず、一方、５％を超えてＢを含
有させると“スパッタ処理によって得られるＣｕ−Ｂ合
金配線層“の導電性に悪影響が出るようになるためであ
る。
ットにおけるＢ含有量を０．５〜５％と定めたのは、タ
ーゲットのＢ含有量が０．５％未満であると“スパッタ
処理によって得られるＣｕ−Ｂ合金配線層”を窒化処理
してもその表面に十分な厚さの耐酸化保護性を有するホ
ウ素窒化物層が形成されず、一方、５％を超えてＢを含
有させると“スパッタ処理によって得られるＣｕ−Ｂ合
金配線層“の導電性に悪影響が出るようになるためであ
る。
そして、銅合金配線層を形成させるためのスパッタリン
グターゲットを上記の如き合金形態としたことにより、
スパッタ処理時のハンドリング性に困難が伴うのを防止
できることは先に述べた通りである。
グターゲットを上記の如き合金形態としたことにより、
スパッタ処理時のハンドリング性に困難が伴うのを防止
できることは先に述べた通りである。
また、上記Ｃｕ−８合金スパツタリングターゲットを使
用して形成されたＣｕ−Ｂ合金配線層はその後耐酸化性
向上のために窒化処理されるが、該窒化処理は工業的に
極めて容易なＮ２ガス又はＮＨ。
用して形成されたＣｕ−Ｂ合金配線層はその後耐酸化性
向上のために窒化処理されるが、該窒化処理は工業的に
極めて容易なＮ２ガス又はＮＨ。
ガス含有雰囲気中での加熱によって実施される。
この場合、Ｃｕ−Ｔｉ合金配線層では８００℃程度に加
熱しないと形成されなかった“耐酸化保護性に優れる窒
化物表面層″は、Ｃｕ−Ｂ合金配線層においては３００
℃以上程度の非常に低い温度においても形成されるため
、ＬＳＩの製造に従来から使用されてきた装置を利用す
ることも十分に可能である。ただ、本発明に係るＣｕ−
Ｂ合金配線層であっても、窒化処理温度が３００℃を下
回ると“十分な耐酸化保護性を有する窒化ホウ素表面層
”の安定形成が困難となるため、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガ
ス含有雰囲気中での加熱温度は３００℃以上と定めたが
、好ましくは４００℃程度以上とするのが良い。なお、
窒化処理雰囲気中の窒素圧は高ければ高いほど良好であ
ることは言うまでもなく、加熱保持時間は加熱温度やＣ
ｕ−Ｂ合金配線層のＢ含有量等によって適宜調整すれば
良い。
熱しないと形成されなかった“耐酸化保護性に優れる窒
化物表面層″は、Ｃｕ−Ｂ合金配線層においては３００
℃以上程度の非常に低い温度においても形成されるため
、ＬＳＩの製造に従来から使用されてきた装置を利用す
ることも十分に可能である。ただ、本発明に係るＣｕ−
Ｂ合金配線層であっても、窒化処理温度が３００℃を下
回ると“十分な耐酸化保護性を有する窒化ホウ素表面層
”の安定形成が困難となるため、Ｎ２ガス又はＮＨ３ガ
ス含有雰囲気中での加熱温度は３００℃以上と定めたが
、好ましくは４００℃程度以上とするのが良い。なお、
窒化処理雰囲気中の窒素圧は高ければ高いほど良好であ
ることは言うまでもなく、加熱保持時間は加熱温度やＣ
ｕ−Ｂ合金配線層のＢ含有量等によって適宜調整すれば
良い。
そして、上述のような工程を含んで製造された銅配線は
、その後に熱処理等が施されるようなことがあっても酸
化による性能劣化（導電性の低下や断線の発生）を生じ
ることがなく、半導体装置等の信頬性維持に大きく寄与
することができる。
、その後に熱処理等が施されるようなことがあっても酸
化による性能劣化（導電性の低下や断線の発生）を生じ
ることがなく、半導体装置等の信頬性維持に大きく寄与
することができる。
続いて、本発明を実施例によって更に具体的に説明する
。
。
〈実施例〉
Ｃｕ−２，５χＢ合金製のスパッタリングターゲットを
使用したスパッタ処理によりＳｉＯ□製基板上基板上１
ｒｔｓ厚のＣｕ−Ｂ薄膜（Ｂ含有割合は２．５％であっ
た）を形成した後、これを１００ Ｐ、１の窒素圧雰囲
気中で４００℃（基板温度）に加熱し、２時間保持した
。
使用したスパッタ処理によりＳｉＯ□製基板上基板上１
ｒｔｓ厚のＣｕ−Ｂ薄膜（Ｂ含有割合は２．５％であっ
た）を形成した後、これを１００ Ｐ、１の窒素圧雰囲
気中で４００℃（基板温度）に加熱し、２時間保持した
。
次いで、このように窒化処理されたＣｕ−ＢＦＩ膜の表
層部、並びに該表層部にＡｒイオンエツチング（加速電
圧：１ｋＶ）をそれぞれ１５分、３０分、４５分、６０
分施したものについて、ＢとＮのピーク付近のｘｐｓ分
析（Ｘ線光電子分光分析）を行ったが、その結果をエツ
チング時間毎に第１乃至５図で示す。
層部、並びに該表層部にＡｒイオンエツチング（加速電
圧：１ｋＶ）をそれぞれ１５分、３０分、４５分、６０
分施したものについて、ＢとＮのピーク付近のｘｐｓ分
析（Ｘ線光電子分光分析）を行ったが、その結果をエツ
チング時間毎に第１乃至５図で示す。
第１乃至５図に示される結果からも明らかなように、Ｃ
ｕ−８合金製のスパッタリングターゲットを使用して得
られた銅薄膜では、４００℃と言う比較的低い温度の窒
化処理であっても８８表面層が形成されることが分かる
。
ｕ−８合金製のスパッタリングターゲットを使用して得
られた銅薄膜では、４００℃と言う比較的低い温度の窒
化処理であっても８８表面層が形成されることが分かる
。
そして、上記窒化処理後の銅薄膜を銅配線に予想される
酸化性状態（大気中、４５０℃）に６０分間保持しその
後に導電性の測定を行ったが、この場合でもＬＳＩ配線
として十分満足できる値を示し、上記８８表面層が優れ
た酸化保護性を有していることが確認された。
酸化性状態（大気中、４５０℃）に６０分間保持しその
後に導電性の測定を行ったが、この場合でもＬＳＩ配線
として十分満足できる値を示し、上記８８表面層が優れ
た酸化保護性を有していることが確認された。
なお、これとは別に、それぞれＢ含有量が０．６％、１
．１％、２．０％、４．２％、４．９％の各Ｃｕ−Ｂ合
金製スパッタリングターゲットを使用した以外は上記と
同じ条件の処理で得られた窒化処理Ｃｕ−ＢＦｉｌ膜に
ついても同様の調査を実施したが、この場合にもほぼ同
様の良好な結果を得ることができた。
．１％、２．０％、４．２％、４．９％の各Ｃｕ−Ｂ合
金製スパッタリングターゲットを使用した以外は上記と
同じ条件の処理で得られた窒化処理Ｃｕ−ＢＦｉｌ膜に
ついても同様の調査を実施したが、この場合にもほぼ同
様の良好な結果を得ることができた。
く効果の総括〉
以上に説明した如（、この発明によれば、性能の優れた
細密銅配線を作業性良く低コストで量産することが可能
となるなど、産業上極めて有用な効果がもたらされる。
細密銅配線を作業性良く低コストで量産することが可能
となるなど、産業上極めて有用な効果がもたらされる。
４、
第１乃至５図は、
実施例で得られた窒化処理Ｃｕ
−Ｂ＊Ｗｊ！表面についてのＸＰＳ分析の結果をエツチ
ング時間毎にまとめて互いに別に示したものである。
ング時間毎にまとめて互いに別に示したものである。
Claims (2)
- （１）スパッタリング被覆法を通用して下地の上に銅配
線部を形成するに際し、スパッタリングターゲットとし
てＢを０．５〜５重量％の割合で含有する銅合金ターゲ
ットを用いると共に、形成された銅配線部をＮ＿２ガス
又はＮＨ＿３ガス含有雰囲気中で３００℃以上に加熱処
理して該銅配線部表面にホウ素窒化物層を形成させるこ
とを特徴とする、耐酸化性銅配線の形成方法。 - （２）Ｂを０．５〜５重量％の割合で含有すると共に残
部が実質的にＣｕから成ることを特徴とする、耐酸化性
銅配線を形成するための銅合金スパッタリングターゲッ
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33776289A JPH03196620A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 銅配線の形成法とそれに使用するターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33776289A JPH03196620A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 銅配線の形成法とそれに使用するターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196620A true JPH03196620A (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=18311726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33776289A Pending JPH03196620A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 銅配線の形成法とそれに使用するターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03196620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5953628A (en) * | 1997-01-28 | 1999-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming wiring for a semiconductor device |
| JP2001220667A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-08-14 | Applied Materials Inc | スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459938A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP33776289A patent/JPH03196620A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459938A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5953628A (en) * | 1997-01-28 | 1999-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming wiring for a semiconductor device |
| JP2001220667A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-08-14 | Applied Materials Inc | スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置 |
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