JPH09504228A - 水素処理触媒及び水素処理方法 - Google Patents

水素処理触媒及び水素処理方法

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JPH09504228A JP7512416A JP51241695A JPH09504228A JP H09504228 A JPH09504228 A JP H09504228A JP 7512416 A JP7512416 A JP 7512416A JP 51241695 A JP51241695 A JP 51241695A JP H09504228 A JPH09504228 A JP H09504228A
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Abstract

(57)【要約】 向上した水素化脱硫活性及び水素化脱窒活性を有し、第VIB族金属成分及び/または第VIII族金属成分をアルミナ担体上に担持した水素処理触媒。前記触媒は、全触媒に対して2.5〜8.0重量%のSiが堆積するのに十分な量の一般式 (式中、U、V、W、X、Y及びZは、各々−R、−OR、−Cl、−Br、−SiH3、−COOR、−SiHnClmであり、Rは水素または1〜30個の炭素原子を有するアルキル、シクロアルキル、芳香族、アルキル芳香族、アルキルシクロアルキル基のいずれかであり、「n」及び「m」は1〜3の整数であり、「a」は0〜80の整数である)を有する液状のシリコン化合物で含浸され、続いて酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度でか焼されたものである。上記触媒を用いた水素処理方法、並びに第VIB族及び/または第VIII族金属をアルミナ上に担持した従来の水素処理触媒の水素化脱硫活性及び水素化脱窒活性を向上させる方法。

Description

【発明の詳細な説明】 水素処理触媒及び水素処理方法 本発明は、水素処理触媒、及びハイドロファイニング触媒の水素化脱硫及び水 素化脱窒活性を向上させる方法、並びに水素処理方法に関するものである。 石油留分中に含まれる硫黄含有化合物及び窒素含有化合物により、様々な悪影 響が引き起こされる。例えば、燃料中に含まれる硫黄含有化合物は、空気を汚染 することが知られている。そのため、石油留分中に含まれる硫黄含有化合物を、 各種規制に応じた空気品質ガイドラインの範囲内に低減しなければならない。窒 素化合物は、ナフサの貯蔵安定性及びオクタン価に悪影響を及ぼし、また下流触 媒に対しても毒となる。さらに、窒素化合物を除去すると、燃料の燃焼に伴うN Ox形成能が低くなるため、空気の質はある程度改善される。 原油及び他の重油留分は、通常、水素処理装置内で水素化脱硫及び水素化脱窒 を行った後に処理を行うと、硫黄及び窒素化合物が有意に減少する。今回、向上 した水素化脱硫活性並びに水素化脱窒活性を有する触媒が見いだされたのである 。より高活性な触媒では、活性の劣る触媒と同一の硫黄及び窒素転化率がより低 い温度で得られる。作業温度が低いため、触媒の寿命も長くなり、作業コストも 削減される。 先行技術における触媒の変性例としては、シリコン化合物を変性剤として用い たものが開示されている。例えば米国特許発明明細書第4,038,337号に は、オレフィンの異性化に対して活性及び選択性に優れた触媒が得られるアルミ ナのシリコン化合物による処理が開示されている。米国特許発明明細書第4,0 13,589号及び同第4,013,590号、並びに再発行番号30,668 号には、シリコン化合物でアルミナを処理することにより、アルミナの熱的特性 及び機械的特性を改善する方法が記載されている。米国特許発明明細書第3,0 89,845号には、テトラエチルオルトシリケート等のシリコン化合物で処理 することにより、ナフサ触媒の特性が改善されることが開示されている。英国特 許発明明細書第2,121,430号にも、エチルオルトシリケート等のシリコ ン化合物の処理による異性化触媒の処理が開示されている。 本発明は、第VIB族金属成分及び/または第VIII族金属成分をアルミナ担体上 に含有する水素処理触媒に関するものであり、前記触媒は、全触媒に対して2. 5〜8.0重量%のSiが堆積するのに十分な量の一般式 (式中、U、V、W、X、Y及びZは、各々−R、−OR、−Cl、−Br、− SiH3、−COOR、−SiHnClmであり、Rは水素または1〜30個の炭 素原子を有するアルキル、シクロアルキル、芳香族、アルキル芳香族、アルキル シクロアルキル基のいずれかであり、「n」及び「m」は1〜3の整数であり、 「a」は0〜80の整数である)を有する液状のシリコン化合物で含浸され、続 いて酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度でか焼されたものである。本発 明の触媒は、優れた水素化脱硫及び水素化脱窒活性を有する。 本発明はまた、第VIB族及び/または第VIII族金属成分をアルミナ担体上に担 持した水素処理触媒の水素化脱硫及び水素化脱窒活性を向上させる方法にも関す る。前記方法は、この触媒を上述の液状のシリコン化合物で含浸し、続いて含浸 触媒を酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度でか焼することからなる。 本発明の方法のシリコン含有有機化合物で処理すべき触媒は、第VIB族及び/ または第VIII族金属をアルミナ担体上に担持したものである。好ましくは、ニッ ケル、コバルト及びこれらの混合物から選択される第VIB族水素化金属成分と、 モリブデン、タングステン及びこれらの混合物から選択される第VIII族非貴金属 成分とをアルミナ上に担持する。さらに好ましくは、触媒は、ニッケル及びモリ ブデンをアルミナ上に担持するか、またはコバルト及びモリブデンをアルミナ上 に担持する。触媒は、任意にリンで促進することが可能である。触媒中に含まれ る第VIB族及び/または第VIII族金属は、元素状態でも、酸化物、硫化物または これらの状態うち2またはそれ以上を組み合わせた状態であっても構わない。 シリコンで処理すべき金属含有触媒は、炭化水素水素処理技術にて公知の触媒 である。この触媒は、先行技術に記載されているような従来の方法で調製される ものである。例えば、多孔質アルミナペレットを、第VIB族及び/または第VIII 族金属化合物と任意にリン化合物を含有する溶液で含浸し、続いてペレットを高 温で乾燥及びか焼する。あるいは、成分のうち一つまたはそれ以上を磨砕により アルミナ粉末と混合し、磨砕粉末をペレット状に成形し、高温でか焼する。含浸 と磨砕を組み合わせることも可能である。他の適切な方法は、先行技術に記載さ れている。触媒の調製技術の例は、米国特許発明明細書第2,510,189号 、同第4,530,911号、同第4,520,128号に記載されている。触 媒は、通常、各種サイズ及び形に成形される。粒子、チャンク、ピース、ペレッ ト、リング、球、車輪、並びにバイローブ、トリローブ及びテトラローブ等のポ リローブに成形するのが適切である。 金属含有触媒を、全触媒に対して2.5〜8.0重量%、好ましくは3.0〜 6.0重量%のSiが堆積するのに十分な量の一般式 (式中、U、V、W、X、Y及びZは、各々−R、−OR、−Cl、−Br、− SiH3、−COOR、−SiHnClmであり、Rは水素または1〜30個の炭 素原子を有するアルキル、シクロアルキル、芳香族、アルキル芳香族、アルキル シクロアルキル基のいずれかであり、「n」及び「m」は1〜3の整数であり、 「a」は0〜80、好ましくは5〜60の整数である)を有する液状シリコン化 合物で含浸し、続いて酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度で前記含浸触 媒をか焼する。特に好適な態様では、コバルト/モリブデン触媒を上述の液状シ リコン化合物(U、V、W、X、Y及びZは、各々−Rまたは−ORであり、R は水素または1〜30個の炭素原子を有するアルキル、シクロアルキル、アルキ ルシクロアルキル基のいずれかである)で含浸する。 シリコン含有化合物は、触媒の含浸に液状で使用される。シリコン化合物は液 状かつ含浸が容易な粘度を有するものであれば、そのままで使用が可能である。 40℃で測定して100センチストークス(cSt)未満の粘度が適切であり、75c St未満の粘度が好適である。シリコン化合物の粘度は、上記式中の「a」の値 と直接関連がある。以下に、上記式を有するシリコン化合物(式中、U、V、W 、X、Y及びZは各々メチルである)の粘度を「a」の値に対して示す。 含浸を促進するために、シリコン化合物を適切な有機溶剤、例えば低級アルカ ン類、アルコール類、ケトン類、芳香族化合物等に溶解することが可能である。 また、有機シリコン化合物の水性エマルジョンも使用可能である。シリコン油は 特に有用であり、そのままでも、あるいは適切な有機溶剤で希釈しても、または 水性エマルジョン状態であっても構わない。このシリコン油には各種製品があり 、比較的入手が容易である。例えば、ダウコーニング、アルドリッチ化学(アル ドリッチ14,615−3、アルドリッチ17,563−3等)、ペトラーチシ ステムズ(Siを11.8%含有するシリコン消泡水性エマルジョン、ペトラー チPS039.5等)、並びにユニオンカーバイド(L45(350)等)から 入手できる。シリコン油の好適な末端基はトリメチルシリル基である。末端水酸 基を有するシリコン油は含浸が困難である。これは、おそらく水酸基がアルミナ 担体と相互作用するためである。 一般的には、アルミナ担持金属含有触媒は、液状有機シリコン化合物で含浸さ れ、続いて有機シリコン化合物を酸化シリコンに分解するため酸化雰囲気下にて か焼される。酸化雰囲気下とは、酸素を含む環境のことであり、好ましくは空気 である。か焼の初期段階では、シリコン材料の酸化に伴う触媒の過熱を防ぐため に空気を窒素と混合する。本発明を有利に実施するためには、シリコン含浸を、 金属が担体上に取り込まれる前よりもむしろ取り込まれた後に行うことが重要で ある。従って、シリコン含浸は、第VIB族及び/または第VIII族金属をアルミナ 担体上に担持した完成触媒に対して行う。 上述のシリコン化合物で処理すべき好適な触媒は、多孔質アルミナ、好ましく はガンマアルミナからなる担体上に、コバルト及びモリブデンあるいはニッケル 及びモリブデンが担持されたものである。触媒の全重量に対して、1〜5重量% 、好ましくは2〜4重量%のコバルトまたはニッケル(金属として測定)及び8 〜20重量%、好ましくは12〜16重量%のモリブデン(金属として測定)が 含まれ、リンが含まれる場合には、1〜5重量%、好ましくは2〜4重量%のリ ン(元素として測定)が含まれる。触媒は、適切には、B.E.T.法(ブルナ ウアー等、J.Am.Chem.Soc.60巻、309〜316頁(1938))で測定 して120m2/gより大きい表面積を有し、水細孔容積が0.2〜0.8ml/g、好 ましくは0.4〜0.7ml/gである。 本発明の触媒は、通常、使用前に予備硫化を行う。通常、触媒を高温かつH2 S/H2雰囲気下にて加熱し、予備硫化させる。例えば、適切な予備硫化手順は 、触媒を硫化水素/水素雰囲気下(5体積%H2 S/95体積%H2)にて約2 時間、約204℃(400°F)にて加熱し、温度を316℃(600°F)へ 上げて1時間維持し、さらに温度を371℃(700°F)へ上げて2時間維持 することからなる。通常、触媒を水素及び硫黄含有材料の存在下にて高温(例え ば200℃〜500℃)まで加熱することからなる他の方法も、予備硫化に適し ている。 本発明はまた、炭化水素原料油中の硫黄及び窒素含有量を低減する方法、即ち 、上述した触媒の存在下、水素処理条件下にて原料油を水素と接触させることに より、炭化水素原料油中に含まれる硫黄含有及び窒素含有炭化水素を水素処理す る方法にも関する。前記水素処理条件とは、即ち、硫黄含有炭化水素及び窒素含 有炭化水素の有効量が水素と反応して、原料油中から除去されるガス状硫黄化合 物及びガス状窒素化合物を生成するような温度、圧力並びに水素の添加量の条件 ことである。 用いる原料油は、100ppm以上の硫黄を硫黄含有炭化水素として含み、20p pm以上の窒素を窒素含有炭化水素として含む原油留分または石油留分であれば、 どのようなものでも構わない。適切な石油留分には、接触分解軽ガス及び重分解 油、直留重ガス油、軽フラッシュ留出物、軽サイクル油、真空ガス油、コークス ガス油、合成ガス油及びこれらの混合物が含まれる。水素処理条件は、通常、温 度が250℃〜450℃の範囲である。全圧は、通常、15バール(200psig )〜173バール(2500psig)である。水素分圧は通常、8バール(100 psig)〜153バール(2200psig)である。水素供給速度は、通常、36〜 1780m3/m3(200〜10,000標準立法フィート/バレル(SCF/BBL)) である。原料油速度は、通常、0.1〜15の範囲の液空間速度(LHSV)を有す る(1/1.hr)。 本明細書中における範囲及び限定は、本発明を明確にするためのものである。 しかしながら、実質的に同一の方法にて実質的に同一の機能を果たし、同一また は実質的に同一の結果が得られる他の範囲及び限定も、本明細書にて特定される ように、本発明の範囲内であることは理解されよう。 以下、実施例により本発明を詳細に記載する。本実施例は、発明を明確にする ためのものであり、限定するものではない。実施例1 ガンマアルミナ担体上にコバルト及びモリブデンを含有する市販の水素処理触 媒を、ベース触媒として使用した。ベース触媒を480℃(896°F)にて0 .5時間乾燥させ、195gをプラスチック容器に量り取り、アルドリッチ製の シリコン流体(14,615−3)21.0gを触媒の含浸に使用した。含浸後 、触媒を25℃(77°F)から482℃(900°F)まで30分間にわたっ て加熱し、482℃(900°F)に1.5時間維持した。次いで触媒をデシケ ーター中で室温まで冷却した。金属として測定して、約3.7重量%のシリコン を含有する触媒を得た。以下の実施例中で、この触媒をSPC−1(シリコン促 進触媒#1)とする。実施例2 ガンマアルミナ担体上にコバルト及びモリブデンを担持した市販の水素処理触 媒を、ベース触媒として使用した。ベース触媒を399℃(750°F)にて2 .0時間乾燥させ、100gをプラスチック容器に量り取り、ダウコーニング製 のシリコン流体(ダウコーニング200(5cSt))10.94gを触媒の含浸に 使用した。含浸後、触媒を25℃(77°F)から482℃(900°F)まで 30分間にわたって加熱し、482℃(900°F)に1.5時間維持した。次 いで触媒をデシケーター中で室温まで冷却した。金属として測定して、約3.6 重量%のシリコンを含有する触媒を得た。以下の実施例中で、この触媒をSPC −2(シリコン促進触媒#2)とする。実施例3 ガンマアルミナ担体上にコバルト及びモリブデンを担持した市販の水素処理触 媒を、ベース触媒として使用した。ベース触媒を399℃(750°F)にて1 時間乾燥させ、100gをプラスチック容器に量り取り、ダウコーニング製のシ リコン流体(ダウコーニング200(5cSt))4.98gを触媒の含浸に使用し た。含浸後、触媒を25℃(77°F)から482℃(900°F)まで30分 間にわたって加熱し、482℃(900°F)に2時間維持した。次いで触媒を デシケーター中で室温まで冷却した。金属として測定して、約1.8重量%のシ リコンを含有する触媒を得た。この触媒をSPC−3とする。実施例4/比較例1 3種のシリコン促進触媒(SPC−1、SPC−2及びSPC−3)のディー ゼル原料油に対する水素化脱硫活性及び水素化脱窒活性媒を試験した。触媒のう ち2種(SPC−1及びSPC−2)は本発明の特定の態様であり、SPC−3 はシリコンを含有量が最適値よりも少ないシリコン促進触媒である。比較として 、ベース触媒(シリコン無添加、CC−1(比較触媒1)とする)の試験も行っ た。全ての触媒の特性を表1に示す。 触媒の試験は、ホールペレットを使用してパイロットスケールマイクロ反応器 中にて行った。触媒を充填かつ60〜80メッシュのSiCで希釈し、供給チャ ネリングを最小にしかつ反応器の均一な等温操作を可能にした。 この技術では、4オンス瓶5本各々を60〜80メッシュの炭化ケイ素18. 2gで充填し、触媒の20%(投入量50cc)を各瓶に添加し、反応器に装填 した。荷重を決めるため、触媒の嵩密度(CBD)に100を掛けた。 触媒をガス流速4.0SCF/hrの水素中にて5%硫化水素で硫化させた。ガス流 を室温で調製し、次いで反応器温度を204℃へ2時間かけて上げ、316℃へ 上げて1時間維持し、最後に371℃へ上げて2時間維持した。用いた試験条件 は以下の通りである(LHSV=液空間速度)。 LHSV : 1.0hr-1 圧力 : 41バール(600psig) H2循環 : 178m3/m3(1000SCF/bbl) 温度 : 363℃(685°F) 水素化脱硫(HDS)活性及び水素化脱窒(HDN)活性を測定するため、触 媒を363℃(685°F)にて約100時間使用した。触媒の活性を表2に示 す。 実施例で使用した原料油の特性も、同じく表2に示す。 実施例5 ガンマアルミナ担体上にニッケル、モリブデン及びリンを担持した市販の水素 処理触媒を、ベース触媒として使用した。ベース触媒を400℃にて1時間乾燥 させ、201gを400ml丸底スラスコに量り取り、ダウコーニング製のシリコ ン流体(ダウコーニング200(50cSt))26.5gを触媒の含浸に使用した 。含浸後、触媒を121℃(250°F)から538℃(1000°F)まで3 0分間にわたって加熱し、538℃(1000°F)に2時間維持した。次いで 触媒をデシケーター中で室温まで冷却した。金属として測定して、約3重量%の シリコンを含有する触媒を得た。この触媒をSPC−4とする。 続いてSPC−4をアラビア重フラッシュ留出物原料油に対して試験した。比 較として、ベース触媒(シリコン不含)の試験も行った(CC−2)。触媒の特 性を表3に示す。 実施例に使用した原料油の特性を表4に示す。 触媒の試験は、ホールペレットを使用してパイロットスケールマイクロ反応器 中にて行った。触媒を充填し、実施例4と同様にして硫化させた。 用いた試験条件は以下の通りである(WHSV=重量空間速度)。 WHSV : 1.0kg供給/l−触媒−hr 圧力 : 1725psig(120バール) H2循環 : 5000SCF/bbl (1000Nl/kg供給) 水素化脱窒(HDN)活性を測定するため、触媒を357℃にて約200時間 使用し、次いで温度を生成物中の窒素含有量が7.5ppmとなる温度まで上げた 。高い水素化脱窒活性を有する触媒ほど、要する温度は低くなる。 SPC−4では、生成物中の窒素含有量が7.5ppmとなる温度は383℃( 721°F)であった。一方、CC−2では、389℃(733°F)であった 。このことから、SPC−4がCC−2よりも高いHDN活性を有することは明 らかである。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年7月26日 【補正内容】 補正明細書 シリコン化合物でアルミナを処理することにより、アルミナの熱的特性及び機械 的特性を改善する方法が記載されている。米国特許発明明細書第3,089,8 45号には、テトラエチルオルトシリケート等のシリコン化合物で処理すること により、ナフサ触媒の特性が改善されることが開示されている。英国特許発明明 細書第2,121,430号にも、エチルオルトシリケート等のシリコン化合物 の処理による異性化触媒の処理が開示されている。 欧州特許出願公開明細書第0,494,528号には、炭化水素油の水素処理 に有用な触媒組成物が開示されている。前記触媒組成物は、少なくとも1種の第 VIII族金属と少なくとも1種の第VI族金属ヘテロポリ酸との塩及び/または錯体 の少なくとも1種を無機酸化物担体材料上に担持したものであり、実質的に遊離 水を含まないものである。触媒活性金属を上記塩及び/または錯体の状態で取り 込ませる前に、無機酸化物担体をシリコン化合物で処理するこも可能である。金 属を取り込ませた後には、触媒のか焼は行わない。か焼により、塩及び/または 錯体が破壊される恐れがあるためである。 本発明は、第VIB族金属成分及び/または第VIII族金属成分をアルミナ担体上 に含有する水素処理触媒に関するものであり、前記触媒は、全触媒に対して2. 5〜8.0重量%のSiが堆積するのに十分な量の一般式 (式中、U、V、W、X、Y及びZは、各々−R、−OR、−Cl、−Br、− SiH3、−COOR、−SiHnClmであり、Rは水素または1〜30個の炭 素原子を有するアルキル、シクロアルキル、芳香族、アルキル芳香族、アルキル シクロアルキル基のいずれかであり、「n」及び「m」は1〜3の整数であり、 「a」は0〜80の整数である)を有する液状のシリコン化合物で含浸され、続 いて酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度でか焼されたものである。本発 明の触媒は、優れた水素化脱硫及び水素化脱窒活性を有する。 本発明はまた、第VIB族及び/または第VIII族金属成分をアルミナ担体上に含 有する水素処理触媒の水素化脱硫及び水素化脱窒活性を向上させる方法にも関す る。前記方法は、この触媒を上述の液状のシリコン化合物で含浸し、続いて含浸 触媒を酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度でか焼することからなる。 本発明の方法のシリコン含有有機化合物で処理すべき触媒は、 本発明はまた、炭化水素原料油中の硫黄及び窒素含有量を低減する方法、即ち 、上述した触媒の存在下、水素処理条件下にて原料油を水素と接触させることに より、炭化水素原料油中に含まれる硫黄含有及び窒素含有炭化水素を水素処理す る方法にも関する。前記水素処理条件とは、即ち、硫黄含有炭化水素及び窒素含 有炭化水素の有効量が水素と反応して、原料油中から除去されるガス状硫黄化合 物及びガス状窒素化合物を生成するような温度、圧力並びに水素の添加量の条件 ことである。 用いる原料油は、100ppm以上の硫黄を硫黄含有炭化水素として含み、20p pm以上の窒素を窒素含有炭化水素として含む原油留分または石油留分であれば、 どのようなものでも構わない。適切な石油留分には、接触分解軽ガス及び重分解 油、直留重ガス油、軽フラッシュ留出物、軽サイクル油、真空ガス油、コークス ガス油、合成ガス油及びこれらの混合物が含まれる。水素処理条件は、通常、温 度が2500℃〜450℃の範囲である。全圧は、通常、15バール(200ps ig)〜173バール(2500psig)である。水素分圧は通常、8バール(10 0psig)〜153バール(2200psig)である。水素供給速度は、通常、36 〜1780m3/m3(200〜10,000標準立法フィート/バレル(SCF/BBL)) である。原料油速度は、通常、0.1〜15の範囲の液空間速度(LHSV)を有す る(1/1.hr)。 以下、実施例により本発明を詳細に記載する。本実施例は、発明を明確にする ためのものであり、限定するものではない。 含浸後、触媒を25℃(77°F)から482℃(900°F)まで30分間に わたって加熱し、482℃(900°F)に2時間維持した。次いで触媒をデシ ケーター中で室温まで冷却した。金属として測定して、約1.8重量%のシリコ ンを含有する触媒を得た。この触媒をSPC−3とする。実施例4/比較例1 3種のシリコン促進触媒(SPC−1、SPC−2及びSPC−3)のディー ゼル原料油に対する水素化脱硫活性及び水素化脱窒活性媒を試験した。触媒のう ち2種(SPC−1及びSPC−2)は本発明の特定の態様であり、SPC−3 はシリコンを含有量が最適値よりも少ないシリコン促進触媒である。比較として 、ベース触媒(シリコン無添加、CC−1(比較触媒1)とする)の試験も行っ た。全ての触媒の特性を表1に示す。 触媒の試験は、ホールペレットを使用してパイロットスケールマイクロ反応器 中にて行った。触媒を充填し、1cm当たりに24〜31の開口を有する篩にかけ て得られた炭化ケイ素(60〜80メッシュのSiC)で希釈し、供給チャネリ ングを最小にしかつ反応器の均一な等温操作を可能にした。 この技術では、120ml(4オンス)瓶5本各々を1cm当たりに24〜31の 開口を有する篩にかけて得られた炭化ケイ素(60〜80メッシュの炭化ケイ素 )18.2gで充填し、触媒の20%(投入量50ml)を各瓶に添加し、反応器 に装填した。荷重を決めるため、触媒の嵩密度(CBD)に100を掛けた。 触媒をガス流速0.11m3/hr(4.0SCF/hr)の水素中にて5%硫化水素で硫 化させた。ガス流を室温で調製し、次いで反応器温度を204℃へ2時間かけて 上げ、316℃へ上げて1時間維持し、最後に371℃へ上げて2時間維持した 。用いた試験条件は以下の通りである(LHSV=液空間速度)。 LHSV : 1.0hr-1 圧力 : 41バール(600psig) H2循環 : 178m3/m3(1000SCF/bbl) 温度 : 363℃(685°F) 水素化脱硫(HDS)活性及び水素化脱窒(HDN)活性を測定するため、触 媒を363℃(685°F)にて約100時間使用した。触媒の活性を表2に示 す。 実施例で使用した原料油の特性も、同じく表2に示す。 補正請求の範囲 1.第VIB族金属成分及び/または第VIII族金属成分をアルミナ担体上に担持 した水素処理触媒であって、全触媒に対して2.5〜8.0重量%のSiが堆積 するのに十分な量の一般式 (式中、U、V、W、X、Y及びZは、各々−R、−OR、−Cl、−Br、− SiH3、−COOR、−SiHnClmであり、Rは水素または1〜30個の炭 素原子を有するアルキル、シクロアルキル、芳香族、アルキル芳香族、アルキル シクロアルキル基のいずれかであり、「n」及び「m」は1〜3の整数であり、 「a」は0〜80の整数である)を有する液状のシリコン化合物で含浸され、続 いて酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度でか焼された前記触媒。 2.モリブデン成分を第VIB族金属成分として及び/またはニッケルまたはコ バルト成分を第VIII族金属成分として含有する請求の範囲1に記載の触媒。 3.モリブデン及びニッケル成分あるいはモリブデン及びコバルト成分のいず れかを含有する請求の範囲2に記載の触媒。 4.U、V、W、X、Y及びZが、各々水素、メチルまたはエチルである請求 の範囲1〜3のいずれか一項に記載の触媒。 5.「a」の範囲が5〜60である請求の範囲1〜4のいずれか一項に記載の 触媒。 6.シリコン化合物が40℃にて100cSt未満の粘度を有する液体状態であ る請求の範囲1〜5のいずれか一項に記載の触媒。 7.触媒上に堆積するSiの量が、触媒の3.0重量%〜6.0重量%の範囲 をとる請求の範囲1〜6のいずれか一項に記載の触媒。 8.炭化水素原料油中の硫黄含有及び窒素含有炭化水素を水素処理する方法で あって、ハイドロファイニング条件下、請求の範囲1〜7のいずれか一項に記載 の触媒の存在下にて前記原料油を水素と接触させることからなる前記方法。 9.第VIB族金属成分及び/または第VIII族金属成分をアルミナ担体上に担持 した水素処理触媒の水素化脱硫活性及び水素化脱窒活性を向上させる方法であっ て、前記水素処理触媒を、全触媒に対して2.5〜8.0重量%、好ましくは3 .0〜6.0重量%のSiが堆積するのに十分な量の一般式 (式中、U、V、W、X、Y及びZは、各々−R、−OR、−Cl、−Br、− SiH3、−COOR、−SiHnClmであり、Rは水素または1〜30個の炭 素原子を有するアルキル、シクロアルキル、芳香族、アルキル芳香族、アルキル シクロアルキル基のいずれかであり、「n」及び「m」は1〜3の整数であり、 「a」は0〜80、好ましくは5〜60の整数である)を有する液状のシリコン 化合物で含浸し、続いて含浸触媒を酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度 でか焼することからなる前記方法。 10.U、V、W、X、Y及びZが、各々水素、メチルまたはエチルである請 求の範囲9に記載の方法。 11.シリコン化合物が400℃にて100cSt未満の粘度を有する液体状態 である請求の範囲9または10に記載の方法。 12.水素処理触媒がコバルト及びモリブデンまたはニッケル及びモリブデン のいずれかを含有する請求の範囲9〜11のいずれか一項に記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI B01J 23/88 9538−4D B01J 37/02 101Z 37/02 101 9538−4D 37/08 37/08 9547−4H C10G 45/08 B C10G 45/08 9547−4H 49/04 49/04 9538−4D B01J 23/64 103M (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,MW,SD,SZ),AM, AT,AU,BB,BG,BR,BY,CA,CH,C N,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GE ,HU,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LK, LR,LT,LU,LV,MD,MG,MN,MW,N L,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE ,SI,SK,TJ,TT,UA,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.第VIB族金属成分及び/または第VIII族金属成分をアルミナ担体上に担持 した水素処理触媒であって、全触媒に対して2.5〜8.0重量%のSiが堆積 するのに十分な量の一般式 (式中、U、V、W、X、Y及びZは、各々−R、−OR、−Cl、−Br、− SiH3、−COOR、−SiHnClmであり、Rは水素または1〜30個の炭 素原子を有するアルキル、シクロアルキル、芳香族、アルキル芳香族、アルキル シクロアルキル基のいずれかであり、「n」及び「m」は1〜3の整数であり、 「a」は0〜80の整数である)を有する液状のシリコン化合物で含浸され、続 いて酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度でか焼された前記触媒。 2.モリブデン成分を第VIB族金属成分として及び/またはニッケルまたはコ バルト成分を第VIII族金属成分として含有する請求の範囲1に記載の触媒。 3.モリブデン及びニッケル成分あるいはモリブデン及びコバルト成分のいず れかを含有する請求の範囲2に記載の触媒。 4.U、V、W、X、Y及びZが、各々水素、メチルまたはエチルである請求 の範囲1〜3のいずれか一項に記載の触媒。 5.「a」の範囲が5〜60である請求の範囲1〜4のいずれか一項に記載の 触媒。 6.シリコン化合物が100cSt未満の粘度(40℃にて測定)を有する液体 状態である請求の範囲1〜5のいずれか一項に記載の触媒。 7.請求の範囲1〜6のいずれか一項に記載の触媒。 8.炭化水素原料油中の硫黄含有及び窒素含有炭化水素を水素処理する方法で あって、ハイドロファイニング条件下、請求の範囲1〜7のいずれか一項に記載 の触媒の存在下にて前記原料油を水素と接触させることからなる前記方法。 9.第VIB族金属成分及び/または第VIII族金属成分をアルミナ担体上に担持 した水素処理触媒の水素化脱硫活性及び水素化脱窒活性を向上させる方法であっ て、前記水素処理触媒を、全触媒に対して2.5〜8.0重量%、好ましくは3 .0〜6.0重量%のSiが堆積するのに十分な量の一般式 (式中、U、V、W、X、Y及びZは、各々−R、−OR、−Cl、−Br、− SiH3、−COOR、−SiHnClmであり、Rは水素または1〜30個の炭 素原子を有するアルキル、シクロアルキル、芳香族、アルキル芳香族、アルキル シクロアルキル基のいずれかであり、「n」及び「m」は1〜3の整数であり、 「a」は0〜80、好ましくは5〜60の整数である)を有する液状のシリコン 化合物で含浸し、続いて含浸触媒を酸化雰囲気下にて300℃〜600℃の温度 でか焼することからなる前記方法。 10.U、V、W、X、Y及びZが、各々水素、メチルまたはエチルである請 求の範囲9に記載の方法。 11.シリコン化合物が100cSt未満の粘度(40℃にて測定)を有する液 体状態である請求の範囲9または10に記載の方法。 12.水素処理触媒がコバルト及びモリブデンまたはニッケル及びモリブデン のいずれかを含有する請求の範囲9〜11のいずれか一項に記載の方法。
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