【発明の詳細な説明】
［発明の名称］ クロック再生装置
本発明は、特にデジタルデータ信号から形成される交番電圧に担持された入力
信号から、クロック（ないしタイミング）を再生ないし回復（Rueckgewinnung，
recovery）する装置であって、交番電圧信号に担持された入力信号のクロック周
波数に所属された信号がその第１入力に供給される周波数混合器と、該周波数混
合器の出力信号の狭帯域の周波数域を増幅しうる濾波器及び増幅器とを有し、該
濾波器び増幅器によって形成される機能的な濾波−増幅ユニットが全体として高
いＱ値を示し、更に、該増幅器の出力信号を周波数混合器の第２入力に導くため
のフィードバックの導線とを有するクロック再生装置に関する。
この種の装置は、刊行物”Annales des Telecommunications”、1993.1、No.3
-4、第４８巻、132-147頁、Zhigong Wangの論説”Multi-Gb/s Data Regeneratio
n and Clock Recovery IC Design”により知られている。この装置には、モノリ
シックに集積化された排他的論理和回路を有するフランク検出器が設けられてお
り、この回路により、交番電圧に担持された入力信号のフランクが、互いに位相
偏移された交番電圧により担
持された２つの入力信号によって形成される信号部分の排他的論理和比較によっ
て検出可能となる。濾波−増幅機能は、Ｑ値が約６００の外部フィルタと、モノ
リシックに集積化された増幅器とによって別々に営まれ、フィルタは、有利には
、音響的な表面波フィルタとして形成される。
この装置は、増幅器に後置された、出力クロック信号のレベルをある最大値に
設定するためのリミッタ回路を備えている。リミッタ回路の出力信号は、フィー
ドバック導線を有する周波数混合器の第２入力に導かれる。この装置によれば、
約３ギガビット／秒のデータレートでクロック信号をデータ信号から再生できる
。この装置の変形例によれば、供給可能な最高のデータ転送レートを４．５ギガ
ビット／秒に高めるために、３個の増幅器がフィルタに後置される。
前記のクロック再生装置の別の実施態様によれば、表面波フィルタの代りに誘
電式共振フィルタが用いられる。誘電式の共振フィルタは、比較的高いクロック
周波数（約１０ＧＨｚ）において使用しうるため、表面波フィルタを有する装置
に比べて作動周波数を高くできる。
前記のクロック再生装置は、データ信号のクロック周波数の１／２にフィルタ
の中間周波数を同調させることによって、最高の供給可能なデータレートを２倍
としうる点では有利であるが、フィルタが高Ｑ値の外部的な構造要素として実施
（形成）されるため、データレートが１０ギガビット／秒より高くなると、次の
３つの問題を生ずる。
第１の問題は、クロック周波数からＧＨｚより高くＱ値が数百である、表面波
フィルタ及び誘電共振フィルタは、現在の技術では、非常に高い製造の手間ない
しコストをもってのみ製造できることである。
第２の問題は、両方の種類のフィルタの入出力部が非対称な構造をもち、低オ
ームであるため、作動周波数が非常に高い場合、安定した全作動回路が作成でき
ないことである。また第３の問題は、量産のための全作動回路のハイブリッド構
造のため、非常に高い製造の手間ないしコストになり、それに伴って単品のコス
トが高くなることである。
従って、本発明の課題は、交番電圧によって担持される入力信号のクロック周
波数が高くても技術的に比較的容易に製造しうる濾波−増幅ユニットを有し、該
濾波−増幅ユニットは、Ｑ値についてのいろいろの要件に容易に適合させること
の可能な、冒頭に述べた形式の装置を提供することにある。
この課題は、本発明によれば、濾波−増幅機能を実現するために、機能的な濾
波−増幅ユニットの全体としてのＱ値に比べて低いＱ値をもつ少なくとも２つの
直列に接続された濾波−増幅要素（２２）が設けられることによって解決される
。
各々低いＱ値の個々の濾波−増幅要素を、カスケードに接続し、信号進行方向
において最後の濾波−増幅要素の出力信号を周波数混合器にフィードバックする
ことによって、個々の濾波−増幅要素の数及びＱ値にほぼ比例して、濾波−増幅
ユニットの全Ｑ値が上昇する。そのため、一方において、濾波−増幅ユニットの
所要の全Ｑ値に比べて数倍分劣る濾波−増幅要素しか必要としないことによって
、機能的な濾波−増幅ユニットの製造の手間ないしコストが低減されると共に、
他方において、濾波−増幅要素のカスケード接続によって、これらの要素の数に
よって全Ｑ値を容易に調節可能となる。
また、個々の濾波−増幅要素のＱ値について特に高い要件がないため、１０ギ
ガビット／秒以上の非常に高いデータレートに対して、モノリシックな集積構造
として、濾波−増幅要素を作製できる。
濾波−増幅要素は、好ましくはモノリシックに集積された共振増幅器（複数）
として実施（形成）され、これによって、入力信号からの非常に狭い周波数域を
増幅できる。そのため、全回路構成の大きさは、非常に小さくでき、その他の外
部的な構造要素は必要ではない。
本発明のその他の利点及び特徴は、従属請求項及び図面を参照とした以下の説
明によって一層明らかとなろう。図において、
図１は、クロック再生装置を示すブロック線図、
図２は、フランク検出器を示す回路図、
図３は、周波数混合器を示す回路図、
図４は、共振増幅器として形成された濾波−増幅要素を示す回路図である。
図１は、クロック再生装置１をブロック線図により示している。クロック再生
装置１は、フランク検出器２を有し、このフランク検出器には、交番電圧に担持
された入力信号としてのデジタルデータ信号が、２つのデータ導線３、４及び２
つの入力端子５、６を介して供給可能となっている。データ導線３、４を通るデ
ジタルデータ信号は、この実施例では、論理１の高レベルが１クロック期間中に
０レベルに移行しない、いわゆるＮＲＺ（ノン−リターン−トゥ−ゼロ）フォー
マットの信号である。従って論理１信号の連続は、対応するクロック期間数に亘
って持続する高レベルとして表される。データ信号のフランクは、フランク検出
器２により検出しうる。データ信号のクロック周波数に所属された、フランク検
出器２の出力信号は、出力端子７、８、導線９、１０及び第１入力端子１１、１
２を介して周波数混合器１３に供給される。
周波数混合器１３の第１入力端子１１、１２に供給される信号は、周波数混合
器１３の第２入力端子１４、１５に供給されるクロック信号と、両方の入力信号
の乗算によって混合可能である。出力端子１６、１７に供給された、周波数混合
器１３の出力信号は、クロック導線１８、１９及び入力端子２０、２１を介して
、共振増幅器２２に供給可能となっている。クロック導線１８、１９に存在する
クロック信号は、共振増幅器２２を介して、共振増幅器２２の中間周波数及びＱ
値により規定される周波数範囲内において増幅可能である。
入力端子２０、２１に存在する信号に対して濾波され増幅された、共振増幅器
２２の出力信号は、出力端子２３、２４に至り、そこから別のクロック導線１８
、１９を介して第２の共振増幅器２２に供給される。この第２の共振増幅器２２
の出力信号は、図１では、単に信号進行方向において最後の共振増幅器２２によ
って表した別の複数の共振増幅器２２に導かれる。最後の共振増幅器２２の出力
端子２３、２４には、データ信号から再生された、増幅され濾波された出力クロ
ック信号が供給される。出力クロック信号は、出力クロック導線２５、２６に接
続されたフィードバック導線２７、２８を介して、さらに第２の入力端子１４、
１５を介して、周波数混合器３にフィードバックする
ことができる。直列に接続された共振増幅器２２（複数）は、濾波−増幅ユニッ
ト２９を形成する。
共振増幅器２２は、以下に詳述するように、中心周波数に同調させることがで
きる（abstimmbar）。クロック再生装置１の一実施例によれば、共振増幅器２２
の中心周波数は、ＮＲＺフォーマットのデータ導線３、４に存在するデータ信号
の半クロック周波数に同調されている。周波数混合器１３の入力信号の乗算混合
によってクロック導線１８、１９の信号は、データ信号のクロック周波数の１／
２に対応する周波数となる。このように、再生クロック周波数の半減により、デ
ータ信号は、高データレートで処理可能となる。
別々の周波数をもつデータ信号部分の重畳を伴う多重化法において生成された
データ信号の評価において、一例として、クロック信号の低周波数部分が回収さ
れる場合、共振増幅器２２は、最高のクロック周波数の因子２の整数倍を中間周
波数として有する。データ信号の最高周波数と同じ周波数の出力クロック信号を
必要とする場合、共振増幅器２２は、データ信号のクロック周波数に同調される
。この場合には、フランク検出器１３は、データ信号のクロック周波数の第２調
波に同調される。これは、データ信号のビットレートが比較的低い場合に特に有
利となる。
論理１の高レベルが１クロック期間の間に低値に戻
る、いわゆるＲＺ（リターン−トゥ−ゼロ）フォーマットのデータ信号の場合に
は、クロック再生装置１は、２つの作動形態においてクロック再生のために作動
可能となる。第１作動形態において、データ信号は、直接に入力端子１１、１２
を介して周波数混合器１３に供給され、データ信号のクロック周波数は、共振増
幅器２２の２倍の作動周波数に対応している。この実施例では、クロック周波数
に所属された信号は、データ信号そのものである。
第２作動形態においては、ＲＺフォーマットのデータ信号が、フランク検出器
２２に供給され、ここでデータ信号のクロック周波数は、共振増幅器２２の作動
周波数に対応している。この作動形態において、フランク検出器２は、周波数２
倍器として作用する。その理由は、フランク検出器が、１データビット当り２つ
のフランクを検出してそれを周波数混合器１３に送出するからである。
周波数混合器１３、共振増幅器２２によって形成される濾波−増幅ユニット２
９及びフィードバック導線２７、２８によって形成される回路（Schaltkreis）
中に、複数の共振増幅器２２をカスケード配置したことによって、共振増幅器２
２の数の増大に伴って、濾波−増幅ユニット２９の全Ｑ値が、本質的に線形に増
大されるのに対し、フィードバックなしに同調（同期）
要素を直列に接続した場合には、１つの同調要素から次の同調要素にかけて、全
Ｑ値の増分が連続的に減少するので、直列回路の全Ｑ値を高くするには、実際の
使用にとっては好ましくない多数の同調要素の直列回路が必要となるであろう。
図１に示した濾波−増幅ユニット２９において、共振増幅器２２（複数）は、
以下に詳述するように、モノリシックに集積形成され、約２０のＱ値を有する。
導線９、１０に存在する信号に対して、出力導線２５、２６中の出力クロック信
号がごくわずかだけ時間遅延されている場合、共振増幅器２２の数の増加に伴う
全Ｑ値の増大の比例定数は、約１．７である。これにより、各々Ｑ値が約２０で
ある約１０個の共振増幅器２２を用いると、濾波−増幅器２９の全Ｑ値は約３４
０となり、これは、クロック再生装置１の多くの使用例について十分な値である
。
データ信号のクロック同期に比べて大きな時間遅延が共振増幅器２２の入力信
号とその出力信号との間に生ずる程度に、データ信号のクロック周波数が高い場
合には、比例定数の値は更に増大する。この値は、データ信号のクロック周期の
１／４の時間遅延の場合、約３．０、データ信号のクロック周期の１／２の時間
遅延の場合、約４．２、該クロック周期に等しい時間遅延の場合、約６．８であ
る。この最後の場合には、
５個の共振増幅器２２によって既に、濾波−増幅器２９の全Ｑ値７００が達せら
れ、これは通常の用途では十分に満足な値である。
以下の説明において、「電界効果トランジスタ」には、その通常の略語「ＦＥ
Ｔ」を使用すると共に、慣用される用語としての「ゲート」、「ドレン」及び「
ソース」も、電界効果トランジスタの端子について使用する。
図２には、モノリシックに集積されて形成されたフランク検出器の一実施例が
図示される。入力端子５、６に供給されたデータ信号は、第１入力段３０及び第
２入力段３１に供給される。入力端子５に供給された信号は、第１入力段３０の
第１入力ＦＥＴ３２のゲート端子に供給されると共に、第２入力段３１の第１入
力ＦＥＴ３３に供給される。入力端子６に供給された信号は、第１入力段３０の
第２入力ＦＥＴ３４に供給されると共に、第２入力段３１の第２入力ＦＥＴ３５
に供給される。ＦＥＴ３２、３３、３４、３５のゲート幅（Gateweite）は、１
０μｍ、ゲート長（Gatelaenge）は０．３μｍである。
入力ＦＥＴ３２、３３、３４、３５のドレン端子は、回路の接地導線３６に接
続されている。入力ＦＥＴ３２、３４のソース端子は、定電流源３７を介して給
与電圧導線３８に接続されている。入力ＦＥＴ３３、
３５のソース端子は、各１つのレベル（閾値Pegel）ダイオード４１、４２を介
して、定電流源３７に接続されている。給与電圧導線３８には、負の電源電圧が
給与される。
定電流源３７は、ノーマルＯＮ型（selbstleitend）ＦＥＴ３９を有し、この
ＦＥＴのドレン端子は、接地側において、別の構造要素に接続されており、ゲー
ト端子は、給与電圧導線３８に接続されており、ソース端子は、電流安定用のフ
ィードバック抵抗４０を介して、やはり給与電圧導線３８に接続されている。こ
の実施例において、フィードバック抵抗４０は、約１００オームの値を有する。
ＦＥＴ３９のゲート幅は、約１０μｍ、ゲート長は０．３μｍである。
第１入力段３０の第１入力ＦＥＴ３２のソース側出力導線には、第１差動増幅
器４５及び第２差動増幅器４６の各１つの第１差動ＦＥＴ４３、４４のゲート端
子が接続されている。第１差動増幅器４５及び第２差動増幅器４６の第２差動Ｆ
ＥＴ４７、４８のゲート端子は、第１入力段３０の第２入力ＦＥＴ３４のソース
側の出力導線と接続されている。
第１差動増幅器４５の第１差動ＦＥＴ４３及び第２差動ＦＥＴ４７の各ソース
端子は、まとめて接続され、第１制御ＦＥＴ４９のドレン端子に接続されている
。第１制御ＦＥＴ４９のゲート端子は、レベルダイオ
ード４１に接続された定電流源３７のＦＥＴ３９とレベルダイオード４１との間
に位置（接続）されている。第２差動増幅器４６の第１差動ＦＥＴ４４と第２差
動ＦＥＴ４８との各ソース端子は、まとめて接続され、第２制御ＦＥＴ５０のド
レン端子に接続されている。第２制御ＦＥＴ５０のゲート端子は、レベルダイオ
ード４２に接続された、所属する定電流源３７のＦＥＴ３９のドレン端子と、レ
ベルダイオード４２との間に接続されている。
第１制御ＦＥＴ４９と第２制御ＦＥＴ５０とのソース端子は、結合コンデンサ
ー５１を介して（架橋）接続されていると共に、各定電流源５２（定電流源３７
と同様に接続されたノーマルＯＮ型ＦＥＴ５３及びフィードバック抵抗５４を各
々備える）を介して、給与電圧導線３８に接続されている。定電流源５２のフィ
ードバック抵抗５４は、約２００オームの値を有する。定電流源５２のノーマル
ＯＮ型ＦＥＴ５３のゲート長は、０．３μｍ、ゲート幅は約５μｍである。
第１差動増幅器４５の第１差動ＦＥＴ４３のドレン端子は、第１発振回路抵抗
５５と、第１発振回路コイル５６と、第２発振回路コイル５７と、第２発振回路
５８とを介して、第２差動増幅器４６の第１差動ＦＥＴ４４のドレン端子に接続
されている。発振回路コイル５６、５７のまとめて接続された端子は、順方向に
接続された２つのレベルダイオード５７、６０を介して、接地導線３６に接続さ
れている。発振回路抵抗５５、５８は、約１００オームの抵抗値を有する。発振
回路コイル５６、５７は、約２５０ピコヘンリーのインダクタンスを有する。
第１差動増幅器４５の第１差動ＦＥＴ４３のドレン端子は、第２差動増幅器４
６の第２差動ＦＥＴ４８のドレン端子に接続されている。第２差動増幅器４６の
第１差動ＦＥＴ４４のドレン端子は、第１差動増幅器４５の第２差動ＦＥＴ４７
のドレン端子に接続されている。
差動ＦＥＴ４３、４８のまとめて接続されたドレン端子は、第１出力ＦＥＴ６
１のゲート端子に接続されている。差動増幅器４４、４７の、まとめて接続され
たドレン端子は、第２出力ＦＥＴ６２のゲート端子に接続されている。出力ＦＥ
Ｔ６１、６２のゲート幅はそれぞれ５０μｍ、ゲート長はそれぞれ０．３μｍで
ある。出力ＦＥＴ６１、６２のドレン端子は、約１００オームの負荷抵抗６３を
介して、給与電圧導線３６に接続されており、同調電圧端子６４を介して、共振
回路の中間周波数をデータ信号のクロック周波数に設定するための同調電圧が印
加可能である。
出力ＦＥＴ６１、６２のソース端子は、ノーマルＯＮ型ＦＥＴ６６及びフィー
ドバック抵抗６７を各々備
えた定電流源６５を介して、定電流源３７、５２の場合と同様の回路形態におい
て、給与電圧導線３８に接続されている。定電流源６５のフィードバック抵抗６
７の抵抗値は約６７オームである。ノーマルＯＮ型ＦＥＴ６６のゲート幅は１５
μｍ、ゲート長は０．３μｍである。出力ＦＥＴ６１、６２のソース端子は、出
力端子７、８に接続されている。
以上に説明したフランク検出器２は、変形された排他的論理和回路であり、レ
ベル０→１遷移時には、差動ＦＥＴ４３及び制御ＦＥＴ４９のアクティブ化によ
って、またレベル１→０遷移時には、差動ＦＥＴ４８及び制御ＦＥＴ５０のアク
ティブ化によって、入力端子５、６に印加されるデータ信号のクロック周波数に
同調された、発振回路コイル５６、５７及びＦＥＴ４３、４４、４７、４８、６
１、６２の容量によって形成された発振回路が発振させられる。そのため、入力
端子５、６に存在するデータ信号のクロック周波数に対応する周波数の信号が、
出力端子７、８に形成される。フランク検出器２の出力信号は、（第１、第２）
差動増幅器４５、４６の存在により、二重に平衡された特性を示す。制御ＦＥＴ
４９、５０によって制御される（第１、第２）差動増幅器４５、４６が結合コン
デンサ５１を介して結合されることによって、データ信号中の直流部分が分離可
能となる。
図３は、モノリシックに集積されて構成された周波数混合器の一実施例を示す
回路図である。第１入力端子１１、１２には、フランク検出器２の出力信号が供
給される。第２入力端子１４、１５には、濾波−増幅ユニット２９の最後の共振
増幅器２２の出力信号が供給される。周波数混合器１３の構成はフランク検出器
２の構成に大きく対応しており、図３において、フランク検出器２の構成部分に
対応する構成部分には、同一の符号が付されている。
入力端子１１は、第１入力段３０の第１入力ＦＥＴ３２のゲート端子に結合さ
れている。入力端子１２は、第１入力段３０の第２入力ＦＥＴ３４のゲート端子
に結合されている。入力端子１４は、第２入力段３１の第１入力ＦＥＴ３３のゲ
ート端子に、また入力端子１５は、第２入力段３１の第２入力ＦＥＴ３５のゲー
ト端子にそれぞれ接続されている。差動増幅器４５、４６の第２差動ＦＥＴ４７
、４８のドレン端子は、約２０フエムトファラッドの発振回路コンデンサ６８に
より（架橋）接続されている。周波数混合器１３の発振回路コイル５７、５８の
インダクタンス値は約５５０ピコヘンリーである。
図示した実施例において、データ信号のクロック周波数は、周波数混合器１３
の共振回路の同調のために発振回路コンデンサ６８を必要とする値であるが、し
かしこのコンデンサは、フランク検出器２中の対応するその位置においては、そ
の２倍の高さの作動周波数のため必要ではない。このクロック周波数に比べて明
確に高いクロック周波数においては、周波数混合器１３の発振回路コンデンサ６
８は、必要ではないが、フランク検出器２のクロック周波数が明確に低い場合に
は、コンデンサ６８は差動ＦＥＴ４４、４７及び差動ＦＥＴ４３、４８のまとめ
て接続された両ドレン端子の間に配置される。
周波数混合器１３において、（第１、第２）差動増幅器４５、４６と、これら
に接続された（第１、第２）制御ＦＥＴ４９、５０は、互いに無関係に、第１入
力端子１１、１２及び第２入力端子１４、１５により夫々制御できる。クロック
再生装置１のある作動形態において、第１入力端子１１、１２に供給される信号
は、第２入力端子１４、１５に供給されるクロック信号の２倍の周波数を有する
。発振回路コイル５６、５７及びＦＥＴ４３、４４、４７、４８、６１、６２の
容量によって形成される発振回路は、第２入力端子１４、１５に給与される周波
数に同調されている。そのため、周波数混合器１３の出力信号は、第２入力端子
１４、１５に存在する信号の周波数を出力端子１６、１７において有する。
周波数混合器１３は、後置された共振増幅器２２か
らのフィードバックの抑制と、レベル偏移（シフト）とを目的として、出力側に
保護ダイオード６１′、６２′を備えている。これらの保護ダイオードは、出力
ＦＥＴ６１、６２のソース端子と出力端子１６、１７のタップとの間に順方向に
接続されている。
周波数混合器１３の出力信号は、図４の回路図に示したモノリシックな集積構
造とした共振増幅器２２に、その入力端子２０、２１を介し供給される。入力端
子２０には、差動増幅器７１の第１差動ＦＥＴ６９のゲート端子が、また入力端
子２１には第２差動ＦＥＴ７０のゲート端子が、それぞれ接続されている。差動
ＦＥＴ６９、７０は、ゲート幅１０μｍ、ゲート長０．３μｍに作製されている
。
両差動ＦＥＴ６９、７０のソース端子は、まとめて結線され、定電流源５２を
介して、給与電圧導線３８に接続されている。両差動ＦＥＴ６９、７０のドレン
端子は、２つの発振回路コイル７２′、７２の端部にそれぞれ接続されている。
発振回路コイル７２′、７２の他端は、まとめて結線され、順方向に接続された
レベルダイオード７３を介して接地導線３６に接続されている。
共振増幅器２２は、差動増幅器７１の寄生容量を互いに逆相に結合することを
目的として、ゲート幅１０μｍ、ゲート長０．３μｍの２つの補償ＦＥＴ７４、
７５を備えている。補償ＦＥＴ７４、７５のソース端子は、互いに結合され、ゲ
ート端子は、夫々１つの入力端子２０、２１に接続されている。また入力端子２
０に結合された補償ＦＥＴ７４のドレン端子は、第２差動ＦＥＴ７０のドレン端
子に接続されている。入力端子２１に結合された補償ＦＥＴ７５のドレン端子は
、第１差動ＦＥＴ６９のドレン端子に接続されている。さらにＦＥＴ６９、７５
の両ドレン端子は、約２０フエムトファラッドの容量の発振回路コンデンサ７６
を介して、ＦＥＴ７０、７４のまとめて結線された両ドレン端子に（架橋）結合
されている。
第２差動ＦＥＴ７０及び補償ＦＥＴ７４の、互いに結合された両ドレン端子と
、第１差動ＦＥＴ６９及び補償ＦＥＴ７５のまとめて結線された両ドレン端子と
は、ゲート幅５０μｍ、ゲート長０．３μｍの２つの出力ＦＥＴ７７、７８のゲ
ート端子に接続されている。出力ＦＥＴ７７、７８のドレン端子は、約１００オ
ームの負荷抵抗７９を介して接地導線３６に接続されていると共に、同調電圧端
子８０を介して、同調電圧が給与される。発振回路コイル７２′、７２及びこれ
らに接続された容量によって形成される発振回路の共振周波数は、この同調電圧
によって同調されうる。
出力ＦＥＴ７７、７８のソース端子は、後置された共振増幅器２２からフィー
ドバックの抑制及びレベル
偏移のための、順方向に接続された保護ダイオード８１、８２と、各定電流源６
５とを介して、給与電圧導線３８に接続されている。出力端子２３、２４のドレ
ン側は、定電流源６５に接続されている。
第１入力端子１１、１２に供給された信号と第２入力端子１４、１５に供給さ
れた信号を、好ましくは約９０°、又は２７０°の相差角に位相適合させること
は、共振増幅器２２、周波数混合器１３を介しての位相偏移、並びにフィードバ
ック導線２７、２８の長さを介してなされる。その際、微同調は、同調電圧端子
６４、８０に存在する同調電圧の調整を介してなされる。
共振増幅器２２は、約２０のＱ値を有する。図１に示すように、直列に結線さ
れた共振増幅器２２は、濾波−増幅器２９を形成し、この濾波−増幅器の全Ｑ値
は、個々の共振増幅器２２の数及びＱ値にほぼ比例して上昇する。従って、共振
増幅器２２の回路技術的に比較的簡単な構成と、これに結び付いた技術的に適切
なモノリシックな集積可能性とによって、クロック再生にとって十分な約５００
のＱ値が比較的少数の共振増幅器において達成される。
図２、図３及び図４の回路図からわかるように、この実施例において、フラン
ク検出器２及び周波数混合器１３は、非常に類似した回路構成を有する。共振増
幅器２２の構造部材も配線に至るまで、周波数混合器１３の対応する構造部材と
類似している。そのため、フランク検出器２、周波数混合器１３及び共振増幅器
２２の製造工程は、簡単な仕方で再現可能となるので製造コストが低廉となる。
【手続補正書】特許法第１８４条の８
【提出日】１９９５年８月２５日
【補正内容】
（原明細書第１頁差替）
明細書
［発明の名称］ クロック再生装置
本発明は、特にデジタルデータ信号から形成される、交番電圧に担持された入
力信号から、クロック（ないしタイミング）を再生する装置であって、交番信号
に担持された入力信号のクロック周波数に所属された信号がその第１入力に供給
される周波数混合器と、該周波数混合器の出力信号の狭帯域の周波数域を増幅し
うる濾波器及び増幅器とを有し、該濾波器及び増幅器によって形成される濾波−
増幅ユニットが全体として高いＱ値を示し、更に、該増幅器の出力信号を周波数
混合器の第２入力に導くためのフィードバック導線とを有するクロック再生装置
に関する。
この種の装置は、刊行物”Annals des Telecommunikations”、1993.1、No.3-
4、第４８巻、132-147頁、Zhigong Wangの論説”Multi-Gb/s Data Regeneration
and Clock Recovery IC Design”により知られている。この装置には、モノリ
シックに集積化された排他的論理和回路を有するフランク検出器が設けられてお
り、この回路により、交番電圧に担持された入力信号のフランクが、互いに位相
偏移された交番電圧により担
持された２つの入力信号によって形成される信号部分の排他的論理和比較によっ
て検出可能となる。濾波−増幅機能は、Ｑ値が約６００の外部フィルタと、モノ
リシックに集積化された増幅器とによって、別々に営まれ、フィルタは、有利に
は、音響的なフィルタとして形成される。
（原明細書第２頁に続く。）
（原明細書翻訳文第２頁第７行「この装置は、・・・」に続く。）
（補正書第３、４／１、４／２及び４／３の補正翻訳文）
（原明細書第３〜４頁差替）
（原明細書翻訳文第３頁第９行〜第５頁第８行「第２の問題は、・・・図４は・・・回
路図である。」の差替）
第２の問題は、両方の種類のフィルタの入出力部が非対称な構造をもち、低オ
ームであるため、作動周波数が非常に高い場合、安定した全作動回路が作製でき
ないことである。また、第３の問題は、量産のためのハイブリド構造のため、非
常に高い製造の手間ないしコストになり、それに伴って単品のコストが高くなる
ことである。
刊行物Electronics Letters 23(1987)、No.9、454-455頁、Z．Wang及びU．Lan
gmannの論説”New Proposal for a MltiGigabit/s Clock Recovery IC Based on
a Standard Silicon Bipolar Technology”によれば、２つのモノリシックな集
積構造のバンドパス増幅器の間のフィードバック回路に１つの外部的な表面波フ
ィルタが配されているクロック再生装置は、公知となっている。抽出される周波
数は、周波数混合器に供給される入力信号のクロック周波数の１／２に対応する
。２つのバンドパス増幅器とその中間に接続された外部フィルタとの全Ｑ値は、
表面波フィルタの比較的高
いＱ値によって本質上規定される。それは、このバンドパス増幅器が、フィルタ
の目的にとっては全く不十分な、典型的には２の、Ｑ値を有するためである。
ルール大学（ボツフム）の電子工学科の博士号を取得するための、Z．Wangの1
990年の論説”Monolithish-integrierte Silizium Bipolar-Schaltungen zur Ta
ktrueckgewinnung bei Datenraten von mehreren GBit/S”によれば、フィード
バック回路中の単一の外部フィルタを有する濾波−増幅ユニットが、
（補正書４／１〜４／３頁の翻訳文）
インダクタンスを有する発振回路を備えている。これらのモノリシックに集積化
されたインダクタンスは、濾波−増幅ユニットの全Ｑ値に比べて１桁（um eine
Groessenordnung）低い個々の共振増幅器のＱ値をもたらす。本発明に従って共
振増幅器をフィードバック回路中にカスケードに接続したことによって、濾波−
増幅ユニットの全Ｑ値は、共振増幅器の数と共に、ほぼ直線状に上昇する。その
際被検入力信号に関して、周波数混合器にフィードバックされる最後の共振増幅
器の出力信号の位相偏移に依存して、製造技術的に問題なく集積させて製造する
ことの可能なすでに少数の共振増幅器によって、高い全Ｑ値が達せられる。全Ｑ
値
は、個々の共振増幅器の数にも依存するので、全Ｑ値が容易に調節できる。
本発明の好ましい実施態様によれば、負荷分離のための保護回路を設けること
によって、共振増幅器のじょう乱の少ないカスケード接続が達せられる。
本発明の別の好ましい実施態様によれば、共振増幅器は、２つのＦＥＴを備え
た差動増幅器を夫々備えている。これらのＦＥＴのドレン端子は、夫々インダク
タンスとしてのコイルと少なくとも１つのダイオードとを介して接地されている
。ＦＥＴのゲート端子は共振増幅器の入力端子に、ソース端子は定電流源を介し
て負電圧源にそれぞれ接続されている。ＦＥＴを備えた差動増幅器を設け、ＦＥ
Ｔの容量がコイルと共に、低Ｑ値の発振回路を形成することによって平衡された
出力信号が達せられる。
出力ＦＥＴ及びダイオードと共に保護回路を形成したことによって、一方でフ
ィードバックが抑制される。他方では、出力ＦＥＴのドレン端子に同調電圧を印
加することによって、発振回路中において作用する容量が可変となるので、共振
周波数と、微同調における位相偏移（シフト）とが調節可能となる。
補償ＦＥＴ及びコンデンサを配したことにより、差動増幅器の寄生容量の逆相
結合によって、出力信号の品質が高くなる。
周波数混合器の第１入力端子に存在する信号に比べて、信号進行方向に最後の
共振増幅器の出力信号の位相を偏移させることによって、共振増幅器の数と共に
濾波−増幅ユニットの全Ｑ値の増大の比例定数を比較的高い値とすることが保証
される。
本発明のその他の利点及び特徴は、従属請求項及び図面を参照とした以下の説
明によって一層明らかとなろう。図において、
図１は、クロック再生装置を示すブロック線図、
図２は、フランク検出器を示す回路図、
図３は、周波数混合器を示す回路図、
図４は、共振増幅器として形成された濾波−増幅要素を示す回路図である。
（原明細書第５頁に続く。）
（原明細書翻訳文第５頁第９行「図１は、・・・」に続く。）
（原明細書第２０〜２１頁差替）
（請求の範囲第２項の一部分〜８項）
２．各々の共振増幅器（２２）が負荷分離のための出力側の保護回路（７７、７
８、８１、８２）を備えたことを特徴とする請求の範囲第１項記載のクロック再
生装置。
３．各１つの共振増幅器（２２）が、２つのＦＥＴ（６９、７０）を備えた各１
つの差動増幅器（７１）を有し、該ＦＥＴ（６９、７０）のドレン端子は、コイ
ル（７２、７２′）として形成されたインダクタンス及び少なくとも１つのダイ
オード（７３）を介して、接地線（３６）に接続され、そのゲート端子は、共振
増幅器（２２）の入力端子（２０、２１）に接続され、そのソース端子は、定電
流源（５２）を介して、負電圧源（３８）に接続されたことを特徴とする請求の
範囲第１項又は第２項記載のクロック再生装置。
４．前記ＦＥＴ（６９、７０）が、２つの出力ＦＥＴ（７７、７８）及び２つの
ダイオード（８１、８２）によって形成された保護回路に接続され、前記ＦＥＴ
（６９、７０）のドレン端子は、該出力ＦＥＴ（７７、７８）のゲート端子に結
合され、該出力ＦＥＴ（７７、７８）のドレン端子には同調電圧が供給可能であ
り、ソース端子は、順方向に接続されたダイオード（
８１、８２）及び定電流源（６５）を介して給与電圧（３８）に接続されたこと
を特徴とする請求の範囲第３項記載のクロック再生装置。
５．前記ＦＥＴ（６９、７０）が２つの補償ＦＥＴ（７４、７５）に接続してあ
り、第１補償ＦＥＴ（７４）のドレン端子が第１ＦＥＴ（７０）のドレン端子に
、そのゲート端子が第２ＦＥＴ（６９）のゲート端子に、それぞれ接続され、第
２補償ＦＥＴ（７５）のドレン端子が第２ＦＥＴ（６９）のドレン端子に、また
そのゲート端子が第１ＦＥＴ（７０）のゲート端子にそれぞれ接続されたことを
特徴とする請求の範囲第４項記載のクロック再生装置。
６．第１ＦＥＴ（７０）及び第１補償ＦＥＴ（７４）の共通結線されたドレン端
子と、第２ＦＥＴ（６９）及び第２補償ＦＥＴ（７５）の共通結線されたドレン
端との間にコンデンサ（７６）が配されたことを特徴とする請求の範囲第５項記
載のクロック再生装置。
７．信号進行方向にみて最後の共振増幅器（２２）の出力信号が周波数混合器（
１３）の最初の入力端子（１１、１２）に供給される信号に対して、交番電圧に
担持された入力信号のクロック周期の少なくとも１／４だけ遅延されるよう共振
増幅器（２２）が配設されることを特徴とする請求の範囲第１〜６項のいずれか
一に記載のクロック再生装置。
８．前記最後の共振増幅器（２２）の出力信号を遅延させるための一対の遅延導
線（２７、２８）を備えたことを特徴とする請求の範囲第７項記載のクロック再
生装置。
【手続補正書】特許法第１８４条の８
【提出日】１９９５年１２月１１日
【補正内容】
補正書
（原明細書第４頁差替）
（１９９５年８月２５日付補正書翻訳文第４頁第９行「増幅ユニットが、」に続
く。）
前出の刊行物の場合と同様に、個々のフィルタのＱ値に比べて４倍高い全Ｑ値を
示すことは、以前から知られている。もちろん、このクロック再生装置において
も、全Ｑ値８００を達成するための、個々の外部フィルタのＱ値約２００は、製
造技術上の理由から、依然として好ましくない高さにある。
本発明の課題は、交番電圧によって担持される入力信号のクロック周波数が高
くても、また最高であっても、技術的に比較的容易に製造しうる濾波−増幅ユニ
ットを有し、該濾波−増幅ユニットは、全Ｑ値についてのいろいろの要件に容易
に適合させることの可能な、冒頭に述べた形式の装置を提供することにある。
この課題は、本発明によれば、濾波−増幅ユニットを形成する、少なくとも２
つの直列に接続された共振増幅器が設けられ、該共振増幅器は、モノリシック集
積構造に形成されたインダクタンスを備えた発振回路を有すると共に濾波−増幅
ユニットの全Ｑ値に比べて低いＱ値を有し、カスケード接続された共振増幅器に
よって形成される全Ｑ値の高い濾波−増幅ユニットによって周波数混合器の出力
信号の狭帯域の周波数域が増幅できることによって達成される。
本発明によれば、全Ｑ値の高い濾波−増幅ユニットは、複数の直列に接続され
た共振増幅器によって形成され、各々の共振増幅器は、モノリシックに集積構造
とされた
（１９９５年８月２５日付補正書４／１頁に続く。）
（１９９５年８月２５日付補正書翻訳文第４頁第１３行「インダクタンス」に続
く。）
（原明細書第１９頁差替）
（請求の範囲第１項及び第２項（一部）差替）
請求の範囲
１．特にデジタルデータ信号から形成される、交番電圧に担持された入力信号か
ら、クロックを再生する装置であって、交番電圧信号に担持された入力信号のク
ロック周波数に所属された信号がその第１入力（１１、１２）に供給される周波
数混合器（１３）と、該周波数混合器（１３）の出力信号の狭帯域の周波数域を
増幅しうる濾波器及び増幅器とを有し、該濾波器及び増幅器によって形成された
濾波−増幅ユニットが全体として高いＱ値を示し、更に、該増幅器の出力信号を
該周波数混合器（１３）の第２入力（１４、１５）に導くためのフィードバック
導線（２７、２８）を有するものにおいて、
濾波−増幅ユニット（２９）を形成する、少なくとも２つの直列に接続された
共振増幅器（２２）が設けられ、該共振増幅器は、モノリシック集積構造に形成
されたインダクタンスを備えた発振回路を有すると共に濾波−増幅ユニット（２
９）の全Ｑ値に比べて低いＱ値を有し、カスケード接続された共振増幅器（２２
）によって形成される全Ｑ値の高い濾波−増幅ユニッ
ト（２９）によって、周波数混合器（１３）の出力信号の狭帯域の周波数域が増
幅できることを特徴とするクロック再生装置。
２．各々の共振増幅器（２２）が負荷分離のための出力側の保護回路（７７、７
８、８１、８２）を備えたことを特徴とする請求の範囲第１項記載のクロック再
生装置。
（１９９５年８月２５日付提出補正書翻訳文第７頁第７行請求項３に続く。）