JPH09510914A - 核または結晶を適切に形成する方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 課題： 所定の形状、大きさ、構造および配位を有する結晶核または結晶を適切に制御して成長させ得る装置および方法を提供すること。解決手段： 溶液と接触する誘電体の表面（特に、ポリマーの官能基）に核または結晶を適切に形成する装置であって、誘電体内に配設された導電性電極および別の極性の導電性電極を含み誘電体内に電界を形成する装置を有し、かつ誘電体（１）内の電界が、溶液に向く表面に作用する形式の結晶形成装置において、別の極性の電極（３）を、誘電体（１）内にまたは誘電体に沿って配設して、かつ、電極（２）と関連の別の極性の電極（３）との間には溶液を介在させないようにした。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 核または結晶を適切に形成する方法および装置 技術分野 本発明は、溶液と接触する誘電体の表面（特に、ポリマーの官能基）に核また は結晶を適切に形成する装置に関する。 更に、本発明は、誘電体表面（特に、ポリマーの官能基）における溶液からの 核形成またはエビタキシャル結晶成長を制御する方法に関する。 背景技術 誘電体表面に結晶核を形成するか、鉱物相のエビタキシャル成長を行うことは 、既に知られている。この場合、表面の化学的、形態学的、立体化学的な性質が 、上記成長に影響を与える。このような核形成は、例えば、バイオポリマーが、 貝殻、骨、歯などの成長を誘導、制御する自然界に起きる。この生体石灰化は、 Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｍａｎｎの論文“Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏ ｎ ｉｎ ｂｉｏｍｉｎｅｒａｌｉｚａｔｉｏｎ”，Ｎａｔｕｒｅ ３３２巻、 １９８８年３月１０日号、ｐ１１９以下、に、または、Ｓ．Ｍａｎｎ、Ｊ．Ｗｅ ｂｂおよびＲ．Ｊ．Ｐ．Ｗｉｌｌｉａｍｓらの著書“Ｂｉｏｍｉｎｅｒａｌｉｚ ａｔｉｏｎ”，ＣＨＶｅｒｌａｇ、１９８９年、ｐ３５以下に記載されている。 技術的適用は、従来、表面に所定の官能基を備え、沈殿反応および凝結反応を 制御できる特殊な巨大分子（例えば、界面活性剤、ポリホスフェート）に限定さ れている。上記化合物は、溶液に少なくとも直接に添加しなければならないが、 反応の制御は、添加量を介してまたはポリマーの特定のシフトを行う特定の化学 品の添加を介して行い得るに過ぎない。 発明の開示 本発明の課題は、所定の形状、大きさ、構造および配位を有する結晶核または 結晶を適切に制御して成長させ得る冒頭に述べた種類の装置および方法を創成す ることにある。 この課題は、冒頭に述べた種類の装置において、本発明にもとづき、誘電体内 に電界を形成する装置によって達成される。 電界によって、誘電体の分極または既存の分極の増幅を達成できる。特に、官 能基（例えば、カルボキシラート基、カルボニル基またはＣａＣＯ₃，ＣａＰＯ₄ の合成のためのアミノ基）を誘電体界面から溶液中へ向けることができる。結果 として、いわゆる、電気二重層が構成される。通常、クリティカルな過飽和状態 に達して始めて、溶液中に均一な核形成が現れる。このようなクリティカルな過 飽和は、電界形成電子の電位によって、二重層内の溶液中のイオン濃度比を変化 する電界が誘起されることによって、電気二重層内に局部的に得られる。 例えば、負に帯電した電極によって、二重層中のＣａ²⁺とＣＯ₃ ^2-との濃度比 がＣａイオンの方向へ変化する。飽和状態（ｐＨ値および温度に依存する熱力学 的平衡）において特定値を取る積［Ｃａ²⁺］×［ＣＯ₃ ^2-］は、Ｃａ²⁺イオンお よびＣＯ₃ ^2-イオンが異なる数の水分子と結合し、従って、異なる態様で遮蔽（ 溶体化）されることを考慮して、二重層の特定範囲では明らかに越えられ、局部 的に過飽和が達成され、かくして、均一な核形成が誘起される。 更に、電界によって、官能基の近傍における溶解イオンの特殊な集積および核 形成反応への官能基の特殊な関与を制御できる。即ち、電界によって制御される 核形成または結晶成長が行われる。例えば、各種の巨大分子化合物は、特定の官 能基（例えば、カボキシラート（−ＣＯＯ^-），カルボニル基（−ＣＯ），スル ホナート基（−ＳＯ₃），サルファート基（−ＯＳＯ₃）、第４アミノ基（−ＮＲ₃ ⁺ ，Ｒ＝Ｎまたは有機基）、各種のエステル基、ｅｔｃ．によって上記化合物の 表面における鉱物相の核形成に影響を与える。上記官能基は、下記の如く異なる 態様で核形成に寄与できる： − 静電的集積（局部的過飽和で均一な核形成） − 溶液の陽イオン（金属イオン）に対する官能基のリガンド形成および核形成 （不均一核形成）の賦活エネルギの低下によって − 特定の結晶構造との官能基の構造的、立体化学的一致の存在によって官能基 の所与の結晶学的構造に対応して核／結晶が成長する（不均一核成長） − 上記効果の組合せによって。 本発明にもとづき印加された電界によって、このような官能基の活性、配列お よび表面位置に適切に影響を与えることができる。 ポリマーの鎖長の特殊な選択によって、所定の相互間隔で官能基を配置できる 。かくして、特定の寸法の結晶核／結晶、構造および結晶学的配位を成長させる ため、立体特異性の表面構造を創成できる（間隔の精密決定は、方向の異なる補 足の電界によってまたは機械的応力によって達成されるー合成樹脂の伸張、圧縮 ）。 電界としては、基本的に、直流電界および交流電界またはこれらの重畳が好適 である。量および／または方向および／または（交流電界の場合の）方向を制御 できれば、特に好適である。かくして核または結晶成長プロセスを適切に制御で きる。典型的な好ましい電界強度は、０Ｖ／ｍ〜１０⁷Ｖ／ｍの範囲にある。 以下の図面の説明を参照して、本発明の別の利点および詳細を説明する。 図面の簡単な説明 第１図は、表面が平坦な誘電体を有する本発明に係る装置の略図であり、 第２図は、第１図において使用できる有孔電極の図面であり、 第３図は、誘電体が両側に核形成または結晶形成に有効な表面を有する別の実 施例の図面であり、 第４図は、円筒形表面を有する実施例の図面であり、 第５図は、第４図の線Ａ−Ａに沿う断面図であり、 第６図は、同じく、円筒形構造であるが、電界を受ける誘電体の活性表面がか くして形成されたパイプの内面に向く実施例の図面であり、 第７図は、かご形の実施例の図面である。 発明を実施するための最良の形態 第１図に示した装置は、誘電体１（例えば、ポリアミド）を有する。誘電体１ には、電源４から直流電圧の供給を受ける２つの電極２、３が封入してある。電 極３は第２図に示した如く有孔電極として構成されている。従って、有孔電極の 孔を介して、電界変化が生じ、かくして、誘電体の活性表面１ａが分極される。 誘電体の活性表面１ａは、溶液４に暴露され、この溶液から表面上に核または結 晶が成長される。本発明に係る装置の第１、２図に示した実施例によって、例え ば、石灰に関して飽和した水溶液４からのポリアミド表面への高い石灰沈積を達 成できる。 ポリアミドは、一般に、反復する次のようなカルボン酸アミド基を有する非分 岐の鎖を形成する： 分子量は、１５０００〜５００００の範囲にある。ポリアミドは、第１に、熱可 塑性合成樹脂である。 誘電体としてポリアミド６を使用する。電極３の孔は、円形であり、５ｍｍの 径を有する。各ポリアミド層の厚さは、１ｍｍである。 ０Ｖ〜１０００Ｖの電位差の印加によって、誘電体表面の電界の垂直成分の量 を０Ｖ／ｍ〜約２×１０⁵Ｖ／ｍの範囲で変化させることができる（線形）。 １０のｐＨ値においてＣａＣｌ₂水溶液とＮａ₂Ｏ₃／ＮａＨＣＯ₃水溶液とを混 合することによって、広い範囲に過飽和溶液を確定できる。 機能態様を調べる実験において、構造同一の２つの装置を使用した。１つの装 置は、常に、電位差を印加せずに運転した（基準）。第２装置は、本発明にもと づき電界で運転する本来の装置である。 各測定前に、装置上に存在する石灰層を５％塩酸によって除去し、次いで、２ 回蒸留した水で装置を洗浄し、デシケータ中で乾燥し、分析用天秤で乾燥重量を 測定する。 装置を過飽和溶液に浸漬し、対応する電位差を装置に印加する。所定時間経過 後、装置を溶液から取出し、デシケータ中で乾燥し、分析用天秤で乾燥重量を測 定する。後の乾燥重量から先の乾燥重量を減算した重量差は、沈積した石灰を表 す。 各実験において、電界を印加した装置には、（電界のない）装置よりも、印加 電界に依存して明らかに多量の石灰が沈積するということが判った。 上記結果から明らかな如く、特殊な分極表面は、石灰の核形成を加速するのに 適する。誘電体としては、ポリマー、結晶、金属酸化物またはガラスが特に適す る。ポリマーは、特に有利である。なぜならば、適切なモノマーの選択によって 、結晶核形成の本来のセンターとして官能基を簡単に組込むことができるからで ある。 電極は、第１図に示した如く、硬化性誘電体中に注形できる。しかしながら、 電極を少なくとも部分的に導電層として蒸着するか、導電性ラッカまたはアマル ガム層を使用することもできる。基本的に、電極として電解質も考えられ、可能 である。 誘電体および／または電界形成電極は、プレーナエピタキシー（リプロ法、マ スク法、電子線リトグラフィー）によって製造できる。従って、極めて小さい構 造を表面に構成でき、かくして、結晶成長または核成長を対応して制御できる。 微調整は、本発明に係る電界の変更以外に、誘電体を伸張または圧縮する手段に よって可能である。これは、対応する力を加えることによってまたは温度の昇降 によって達成できる。 一般に、結晶成長または核成長を制限することにも関心が持たれている。従っ て、本発明にもとづき、誘電体上に形成された核を溶解する手段を設けるのが有 利である。上記手段は、個々にまたは組合せて使用できる。制御装置によって電 界をオフまたは転極することもできる。超音波源による分離も可能である。更に 、溶液４を駆動することもできる。即ち、表面に沿う剪断力によって十分に大き い結晶を引裂く流動を誘起できる。 第１，２図に示した実施例および既述の変更例以外に、更に別の変更例も考え られ、可能である。例えば、第３図に、電界変化を生ずる有孔電極を中心電極の 両側に設けた変更例を示した。かくして、第３図に示した装置は、２つの平坦な 活性表面を有する。制御装置５によって、印加電位の大きさを調節し、かくして 、電界を調節できる。更に、上下の有孔電極３に異なる電圧を印加することも可 能である。 第４図に示した実施例は、円筒形外面を有する装置である。有孔電極は、円筒 形に湾曲され、中心電極２のまわりに配置されている。第５図に、対応する横断 面を示した。 第６図に、装置を全体としてパイプ状に構成した実施例を示した。誘電体内の 円筒形の外側電極２は、同じく誘電体内に埋込まれた円筒形の内側電極３を囲む 。上記内側電極３は、有孔電極として構成されているので、電界は、誘電体の円 筒形内面に達する。 第７図に、かご形の実施例を示した。 好ましくは金属製の電極に電位を印加して電界を誘起する以外に、別の態様で 電界を形成する方式もある。第８図に、別の好ましい実施例を示した。この場合 、電界形成のために、いわゆる、エレクトレット６（これは、大きい恒久的な双 極子モーメントを有する誘電体である）を使用する。多くのエレクトレットは、 強誘電体に属する。例えば、チタン酸バリウムからなるセラミック材料は、電界 中でそのキュリー点以上の温度から冷却することによって分極できる。更に、強 い電界中で溶融した特定の樹脂、ワックス、ポリウレタン、ポリエチレンおよび フルアル炭化水素は、硬化後に電界をオフした場合、かくして強制的に形成され た双極子配列を保持する。 エレクトレット６は、液体を介する放電前にポリマー層１によって保護される 。このポリマー層は、同時に、溶液に暴露される誘電体を形成し、更に、核形成 または結晶化のセンターとして機能する官能基の担体であれば合目的的である。 誘電体表面に垂直な電界成分を有する電界が、特に好適である。 本発明は、更に、誘電体表面における溶液からの核成長または結晶のエピタキ シー成長を制御する方法に関する。本発明に係る方法の場合、可変の電界を誘電 体の表面範囲に印加する。この方策によって、未分極分子を電界中で分極でき、 既に分極した分子を電界中で配列できる。特に、誘電体表面の官能基を誘電体か ら溶液へ制御して適切に向け、かくして、核形成または結晶化に関する活性を制 御できる。 本発明は、多数の工業的用途に使用できる。その若干を以下に示す： 特に、物理的水処理のために沈殿反応および凝結反応を（核の濃度、形状、構 造および寸法に関して）制御できる結晶核（種結晶）の形成、 所定の形状、寸法、構造および結晶学的配位をゆうする結晶／結晶核の培養、 核形成効果の転化ー電気的二重層の対応する調節によって、溶液から沈殿が生 成することない表面を形成できるー特殊な工業的用途のための特殊パイプ（工業 用水、廃水、パイプライン）。

【手続補正書】特許法第１８４条の８ 【提出日】１９９６年６月３日 【補正内容】 請求の範囲 １．溶液と接触する誘電体の表面（特に、ポリマーの官能基）に核または結晶を 適切に形成する装置であって、誘電体内に配設された導電性電極および別の極性 の導電性電極を含み誘電体内に電界を形成する装置を有し、誘電体（１）内の電 界が、溶液に向く表面に作用する形式のものにおいて、別の極性の電極（３）が 、誘電体（１）内にまたは誘電体に沿って配設され、電極（２）と関連の別の極 性の電極（３）との間には溶液が存在してないことを特徴とする装置。 ２．上記装置によって形成された電界を制御装置（５）によって調節でき、この 場合、誘電体（１）の表面の範囲の電界の大きさを調節できることを特徴とする 請求項１に記載の装置。 ３．電界が、直流電界であり、好ましくは、電界の量および／または方向を制御 できることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。 ４．電界が、交流電界であり、好ましくは、量、方向および／または周波数を制 御できることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。 ５．誘電体（１）としてポリマー、結晶、セラミック、金属酸化物またはガラス を使用することを特徴とする請求項１〜４の１つに記載の装置。 ６．誘電性基材（１）が、少なくとも表面範囲に、官能基（例えば、カルボキシ ラート基、カルボニル基またはアミノ基）を有することを特徴とする請求項１〜 ５の１つに記載の装置。 ７．官能基が、適切なモノマーの選択によってポリマー・マトリックス中に組込 まれていることを特徴とする請求項６に記載の装置。 ８．誘電体（１）の表面が、−好ましくは、円筒形に−湾曲されていることを特 徴とする請求項１〜７の１つに記載の装置。 ９．誘電体（１）の表面が、パイプの内面を形成することを特徴とする請求項１ 〜８の１つに記載の装置。 １０．誘電体（１）の表面が、本質的に平面であることを特徴とする請求項１〜 ７の１つに記載の装置。 １１．誘電体（１）の表面が、かご形であることを特徴とする請求項１〜７の１ つに記載の装置。 １２．１つの電極が、有孔電極（３）であり、電界が、有孔電極（３）の孔を介 して作用し、誘電体（１）の表面に作用することを特徴とする請求項１〜１１の １つに記載の装置。 １３．誘電体（１）内には、本質的に平坦な中心電極（２）の両側に、本質的に 平坦な有孔電極（３）が設けてあることを特徴とする請求項１２に記載の装置。 １４．電極（３）が、少なくとも部分的に円筒形に湾曲されていることを特徴と する請求項１〜１３の１つに記載の装置。 １５．電極（２，３）として、金属電極、金属格子、金属フイルム、導電性合成 樹脂および／またはグラハイトを使用することを特徴とする請求項１〜１４の１ つに記載の装置。 １６．電極（２，３）を、少なくとも部分的に、硬化性誘電体中に注形すること を特徴とする請求項１〜１５の１つに記載の装置。 １７．電極を、少なくとも部分的に、導電性層として蒸着するか、導電性ラッカ またはアマルガム層として設置することを特徴とする請求項１〜１６の１つに記 載の装置。 １８．電極を、少なくとも部分的に、電解質として構成することを特徴とする請 求項１〜１７の１つに記載の装置。 １９．少なくとも１つのエレクトレット（６）によって電界を形成することを特 徴とする請求項１〜１８の１つに記載の装置。 ２０．エレクトレット（６）が、好ましくは活性の官能基を担持する層、特に、 ポリマー層（１）によって囲まれていることを特徴とする請求項１９に記載の装 置。 ２１．熱電的効果または圧電的効果によって電界を形成することを特徴とする請 求項１〜２０の１つに記載の装置。 ２２．誘電体および／または電界形成電極が、プラナー・エピタキシーによって 形成されていることを特徴とする請求項１〜２１の１つに記載の装置。 ２３．溶液の電位が、電界形成電極に比して高い、低いまたは同一の所定の電位 に設定されていることを特徴とする請求項１〜２２の１つに記載の装置。 ２４．誘電体を伸張または圧縮する手段を特徴とする請求項１〜２３の１つに記 載の装置。 ２５．誘電体上に形成された核または結晶を分離する手段を特徴とする請求項１ 〜２４の１つに記載の装置。 ２６．上記手段が、電界をオフまたは転極する制御装置を含むことを特徴とする 請求項２５に記載の装置。 ２７．上記手段が、超音波源を含むことを特徴とする請求項２５に記載の装置。 ２８．上記手段が、誘電体表面に沿う溶液の流動を誘起することを特徴とする請 求項２５に記載の装置。 ２９．電界が、溶液と接触する誘電体表面に垂直な電界成分を有することを特徴 とする請求項１〜２８の１つに記載の装置。 ３０．誘電体の表面（特に、ポリマーの官能基）における溶液からの核形成また は結晶のエビタキシー成長を制御する方法において、誘電体の少なくとも表面範 囲に可変の電界を作用させることを特徴とする方法。 ３１．誘電体が、無電界状態では、電界中で分極される未分極の分子を有するこ とを特徴とする請求項３０に記載の方法。 ３２．誘電体が、無電界状態において既に、分極分子を有し、上記分極分子は、 電界中で配列されることを特徴とする請求項３０の方法。 ３３．誘電体表面の官能基が、上記表面から溶液へ向けられることを特徴とする 請求項３０〜３２の１つに記載の方法。 ３４．請求項１〜２９の１つに記載の装置の製造法において、製造時の硬化また は固化プロセス中に誘電体に電界を作用させることを特徴とする方法。 ３５．製造時、誘電体内に導電性電極を同時に形成（好ましくは、注形）するこ とを特徴とする請求項３４に記載の方法。 ３６．以降の運転時に誘電体に電界を形成するための各電極に、製造時も電界を 印加することを特徴とする請求項３４または３５に記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)， ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ， ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＴ， ＵＡ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．溶液と接触する誘電体の表面（特に、ポリマーの官能基）に核または結晶を 適切に形成する装置において、誘電体内に電界を形成する装置を特徴とする装置 。 ２．上記装置によって形成された電界を制御装置（５）によって調節でき、この 場合、誘電体（１）の表面の範囲の電界の大きさは、好ましくは、０Ｖ／ｍ〜１ ０⁷Ｖ／ｍの範囲に調節できることを特徴とする請求項１に記載の装置。 ３．電界が、直流電界であり、好ましくは、電界の量および／または方向を制御 できることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。 ４．電界が、交流電界であり、好ましくは、量、方向および／または周波数を制 御できることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。 ５．誘電体（１）としてポリマー、結晶、セラミック、金属酸化物またはガラス を使用することを特徴とする請求項１〜４の１つに記載の装置。 ６．誘電性基材（１）が、少なくとも表面範囲に、官能基（例えば、カルボキシ ラート基、カルボニル基またはアミノ基）を有することを特徴とする請求項１〜 ５の１つに記載の装置。 ７．官能基が、適切なモノマーの選択によってポリマー・マトリックス中に組込 まれていることを特徴とする請求項６に記載の装置。 ８．誘電体（１）の表面が、−好ましくは、円筒形に−湾曲されていることを特 徴とする請求項１〜７の１つに記載の装置。 ９．誘電体（１）の表面が、パイプの内面を形成することを特徴とする請求項１ 〜８の１つに記載の装置。 １０．誘電体（１）の表面が、本質的に平面であることを特徴とする請求項１〜 ７の１つに記載の装置。 １１．誘電体（１）の表面が、かご形であることを特徴とする請求項１〜７の１ つに記載の装置。 １２．電界形成装置が、電位の異なる少なくとも２つの導電性電極（２，３）を 有し、誘電体（１）内の電界が、溶液に向く表面に作用することを特徴とする請 求項１〜７の１つに記載の装置。 １３．少なくとも１つの電極（２，３）が、誘電体内部に設けてあることを特徴 とする請求項８に記載の装置。 １４．１つの電極が、有孔電極（３）であり、電界が、有孔電極（３）の孔を介 して作用し、誘電体（１）の表面に作用することを特徴とする請求項９に記載の 装置。 １５．誘電体（１）内には、本質的に平坦な中心電極（２）の両側に、本質的に 平坦な有孔電極（３）が設けてあることを特徴とする請求項１０に記載の装置。 １６．電極（３）が、少なくとも部分的に円筒形に湾曲されていることを特徴と する請求項８〜１０の１つに記載の装置。 １７．電極（２，３）として、金属電極、金属格子、金属フイルム、導電性合成 樹脂および／またはグラハイトを使用することを特徴とする請求項１２〜１６の １つに記載の装置。 １８．電極（２，３）を、少なくとも部分的に、硬化性誘電体中に注形すること を特徴とする請求項１２〜１７の１つに記載の装置。 １９．電極を、少なくとも部分的に、導電性層として蒸着するか、導電性ラッカ またはアマルガム層として設置することを特徴とする請求項１２〜１８の１つに 記載の装置。 ２０．電極を、少なくとも部分的に、電解質として構成することを特徴とする請 求項１２〜１９の１つに記載の装置。 ２１．少なくとも１つのエレクトレット（６）によって電界を形成することを特 徴とする請求項１〜１１の１つに記載の装置。 ２２．エレクトレット（６）が、好ましくは活性の官能基を担持する層、特に、 ポリマー層（１）によって囲まれていることを特徴とする請求項２１に記載の装 置。 ２３．熱電的効果または圧電的効果によって電界を形成することを特徴とする請 求項１〜７の１つに記載の装置。 ２４．誘電体および／または電界形成電極が、プラナー・エピタキシーによって 形成されていることを特徴とする請求項１〜２３の１つに記載の装置。 ２５．溶液の電位が、電界形成電極に比して高いか低いかまたは同一の所定の電 位に設定されていることを特徴とする請求項１〜２４の１つに記載の装置。 ２６．誘電体を伸張または圧縮する手段を特徴とする請求項１〜２５の１つに記 載の装置。 ２７．誘電体上に形成された核または結晶を分離する手段を特徴とする請求項１ 〜２６の１つに記載の装置。 ２８．上記手段が、電界をオフまたは転極する制御装置を含むことを特徴とする 請求項２７に記載の装置。 ２９．上記手段が、超音波源を含むことを特徴とする請求項２７に記載の装置。 ３０．上記手段が、誘電体表面に沿う溶液の流動を誘起することを特徴とする請 求項２７に記載の装置。 ３１．電界が、溶液と接触する誘電体表面に垂直な電界成分を有することを特徴 とする請求項１〜３０の１つに記載の装置。 ３２．誘電体の表面（特に、ポリマーの官能基）における溶液からの核形成また は結晶のエビタキシー成長を制御する方法において、誘電体の少なくとも表面範 囲に可変の電界を作用させることを特徴とする方法。 ３３．誘電体が、無電界状態では、電界中で分極される未分極の分子を有するこ とを特徴とする請求項３２に記載の方法。 ３４．誘電体が、無電界状態において既に、分極分子を有し、上記分極分子は、 電界中で配列されることを特徴とする請求項３２の方法。 ３５．誘電体表面の官能基が、上記表面から溶液へ向けられることを特徴とする 請求項３２〜３４の１つに記載の方法。 ３６．請求項１〜３１の１つに記載の装置の製造法において、製造時の硬化また は固化プロセス中に誘電体に電界を作用させることを特徴とする方法。 ３７．製造時、誘電体内に導電性電極を同時に形成（好ましくは、注形）するこ とを特徴とする請求項３６に記載の方法。 ３８．以降の運転時に誘電体に電界を形成するための各電極に、製造時も電界を 印加することを特徴とする請求項３６または３７に記載の方法。